JPS6123647B2 - - Google Patents
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- JPS6123647B2 JPS6123647B2 JP51088100A JP8810076A JPS6123647B2 JP S6123647 B2 JPS6123647 B2 JP S6123647B2 JP 51088100 A JP51088100 A JP 51088100A JP 8810076 A JP8810076 A JP 8810076A JP S6123647 B2 JPS6123647 B2 JP S6123647B2
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- JP
- Japan
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- voltage
- additional layer
- cathode
- capacitor
- capacitor body
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本発明は、誘電体として作用する酸化皮膜を備
え弁作用金属、特にタンタルより成る焼結された
陽極と、半導電性酸化金属、特に二酸化マンガン
より成る陰極と、リード線としてろう付け可能な
金属、特に銀より成る金属層を備えたグラフアイ
ト層とを有し、陰極のグラフアイト粒子により被
われない個所上およびグラフアイト粒子間におい
て半導電性酸化金属より成る付加層が備えられて
いる乾式電解コンデンサに関するものである。こ
のようなコンデンサは既に本出願人により提案さ
れている（昭和51年特許願第23677号―特開昭51
―113155号―）。 本発明は、合理的であると共に、同時にインピ
ーダンス、損失係数および残留電流のような良好
な電気的値を供給しまたある領域内のこれらの値
のばらつきの比較的僅少であるこの種のコンデン
サの簡単な製造方法を提供することを目的とす
る。 この目的は本発明によれば、電導体として作用
する酸化皮膜を備え弁作用金属より成る焼結され
た陽極と、半導電性酸化金属より成る陰極と、電
流リード部としてろう付け可能な金属層を備えた
グラフアイト層と、金属（マンガン、鉛、亜鉛、
鉄、銅またはビスマス）の半導電性酸化物又は金
属（マンガンとリチウム、マンガンと亜鉛、亜鉛
とリチウム）の半導電性混合酸化物から成る付加
層とを備え、付加層は前記グラフアイト層のグラ
フアイト粒子により覆われていない陰極の個所上
およびグラフアイト粒子間に存在する乾式電解コ
ンデンサの製造方法において、焼結された陽極に
誘電体として作用する酸化皮膜を設けた後、陰極
を作るのに必要な元素の熱分解可能な化合物を有
する浴中に前記陽極と酸化皮膜から成るコンデン
サ素体を浸漬し、この浸漬後電圧ＵT1をコンデン
サ素体に印加し、時間t1後電圧ＵT1を電圧ＵP1に
下げ、次いでコンデンサ素体を浴より取り出し、
熱分解によつて陰極を形成し、その後グラフアイ
ト層を形成し、次いで付加層を作るのに必要な元
素の熱分解可能な化合物を有する浴中にコンデン
サ素体を浸漬し、この浸漬後電圧ＵT2をコンデン
サ素体に印加し、時間t3後電圧ＵT2を電圧ＵP2に
下げ、時間t2後コンデンサ素体を浴から取り出
し、熱分解により付加層を形成し、次いで乾式電
解コンデンサの仕上げを行い、前記時間t1，t2，
t3は１〜６分であり、電圧ＵT1，ＵT2，ＵP1およ
びＵP2の定格電圧ＵNに対する関係は
え弁作用金属、特にタンタルより成る焼結された
陽極と、半導電性酸化金属、特に二酸化マンガン
より成る陰極と、リード線としてろう付け可能な
金属、特に銀より成る金属層を備えたグラフアイ
ト層とを有し、陰極のグラフアイト粒子により被
われない個所上およびグラフアイト粒子間におい
て半導電性酸化金属より成る付加層が備えられて
いる乾式電解コンデンサに関するものである。こ
のようなコンデンサは既に本出願人により提案さ
れている（昭和51年特許願第23677号―特開昭51
―113155号―）。 本発明は、合理的であると共に、同時にインピ
ーダンス、損失係数および残留電流のような良好
な電気的値を供給しまたある領域内のこれらの値
のばらつきの比較的僅少であるこの種のコンデン
サの簡単な製造方法を提供することを目的とす
る。 この目的は本発明によれば、電導体として作用
する酸化皮膜を備え弁作用金属より成る焼結され
た陽極と、半導電性酸化金属より成る陰極と、電
流リード部としてろう付け可能な金属層を備えた
グラフアイト層と、金属（マンガン、鉛、亜鉛、
鉄、銅またはビスマス）の半導電性酸化物又は金
属（マンガンとリチウム、マンガンと亜鉛、亜鉛
とリチウム）の半導電性混合酸化物から成る付加
層とを備え、付加層は前記グラフアイト層のグラ
フアイト粒子により覆われていない陰極の個所上
およびグラフアイト粒子間に存在する乾式電解コ
ンデンサの製造方法において、焼結された陽極に
誘電体として作用する酸化皮膜を設けた後、陰極
を作るのに必要な元素の熱分解可能な化合物を有
する浴中に前記陽極と酸化皮膜から成るコンデン
サ素体を浸漬し、この浸漬後電圧ＵT1をコンデン
サ素体に印加し、時間t1後電圧ＵT1を電圧ＵP1に
下げ、次いでコンデンサ素体を浴より取り出し、
熱分解によつて陰極を形成し、その後グラフアイ
ト層を形成し、次いで付加層を作るのに必要な元
素の熱分解可能な化合物を有する浴中にコンデン
サ素体を浸漬し、この浸漬後電圧ＵT2をコンデン
サ素体に印加し、時間t3後電圧ＵT2を電圧ＵP2に
下げ、時間t2後コンデンサ素体を浴から取り出
し、熱分解により付加層を形成し、次いで乾式電
解コンデンサの仕上げを行い、前記時間t1，t2，
t3は１〜６分であり、電圧ＵT1，ＵT2，ＵP1およ
びＵP2の定格電圧ＵNに対する関係は
【表】
であることによつて達成される。
タンタルコンデンサの形成のためのこれ迄用い
られた方法、即ちタンタル乾式電解コンデンサの
製造方法によれば、誘電体として作用する酸化皮
膜を備えたタンタル焼結陽極上に陰極として用い
られる二酸化マンガン層は硝酸マンガン浴中への
浸漬およびこれに続く熱分解によつて作られる。
良好な陰極層を得るためには、これらの両処理工
程は数回行なわれなければならない。浸漬の回数
は陽極の大きさ及び使用される浸漬溶液の濃度に
関係する。浸漬、熱分解工程は、誘電体として作
用する酸化皮膜中の熱分解によつて生じた障害を
再び除去することを目的とする中間化成処理によ
つて中断される。この中間化成処理は例えば３度
目の浸漬、処理工程後毎におよび最後の浸漬、熱
分解後に行なわれる。 中間化成処理後はコンデンサ素体の乾燥が必要
であり、これには揮発性でない中間化成電解液の
使用の際は更に蒸溜水中の比較的長い洗滌が先行
する。その後二酸化マンガン層にグラフアイト層
が設けられる。続いてグラフアイト層上にろう付
け可能な銀導電ペースト層が付着される。本発明
の方法によれば、誘電体として作用する酸化皮膜
中の熱分解によつて生じた障害を除去するため従
来行われてきた中間化成処理およびその処理後に
必要な乾燥時間は不要になる。 陰極として用いられる二酸化マンガン層を作る
ため、コンデンサ素体は硝酸で酸性化された硝酸
マンガン浴（PH値１より小さいか１に等しい）中
へ浸漬される。コンデンサ素体は硝酸マンガン溶
液中へ浸漬される毎に同時に化成処理を受ける。
このため陽極を濡らした直後に電源が接続され且
つ電圧は0.1ないし10V/sの範囲、特に１V/sの一
定の上昇速度で規定された値ＵT1迄高められる。
時間t1（t1＝１ないし６分、特に3.5分）後に陽極
を引上げる直前になつて始めて電圧はＵT1から新
しい値ＵP1へ下げられる（降下速度１ないし100
V/s、特に10V/s）。電圧ＵP1を印加されることに
よつてコンデンサ素体は充電され、コンデンサ素
体は電荷を有することになる。そして陽極が硝酸
マンガンをMnO2に熱分解するための熱分解炉に
装入される前に、この電荷が放電されることはな
い。この浸漬、化成および熱分解過程はMnO2層
が完全にできる迄数回繰返される。この繰返しの
回数は陽極の大きさおよび使用される浸漬溶液の
マンガン濃度に関係する。 最後の熱分解後陽極にグラフアイト層が設けら
れる。続いて半導電性付加層が作られるから、グ
ラフアイト層の乾燥は短時間で十分である。 ついで付加層の付着が行なわれ、このためコン
デンサ素体は浴に浸漬されまた付加層が続いて熱
分解によつて作られる。浴への浸漬もこれに続く
熱分解（約250℃における）もMnO2層を作る際
と同様にして、電圧ＵT2を印加し、時間t3後電圧
ＵT2を電圧ＵP2に下げることによつて行われ、こ
の電圧ＵT2およびＵP2は電圧ＵT1およびＵP1より
低いか又はそれに等しい。 付加層としては酸化マンガン、酸化亜鉛、酸化
鉄、酸化銅、酸化蒼鉛、酸化マンガン及び酸化リ
チウムの半導電性混合酸化物、酸化マンガン及び
酸化亜鉛の半導電性混合酸化物、酸化亜鉛及び酸
化リチウムの半導電性混合酸化物などを使用する
ことができ、付加層を作るための浴は、例えば硝
酸塩、酢酸塩のような熱分解可能な化合物中に、
付加層を形成する金属を含んでいる。付加層が作
られた後、コンデンサの仕上げとしてろう付け可
能な、例えば銀のような金属層が設けられる。 付加層を設けることによつて、コンデンサの縁
部領域における電界強度を低下させることができ
るとともに、自由電子の縁部濃度、したがつてそ
の注入率を減少させ、その結果残留電流を低くす
ることができ、またインピーダンス、損失係数な
どの電気値を改善することができる。 公知の方法に対する本発明による方法の大きな
利点は、コンデンサを作るために必要な全処理工
程（浸漬、熱分解、中間化成、洗浄、乾燥等）に
要する時間が僅かとなる点にある。本発明による
方法は、銀導電ペースト層の付着迄のすべての処
理工程が次々に、例えば４分間に行なわれること
ができるから、乾式電解コンデンサの製造工程の
自動化に適している。 本発明による方法の其の他の利点を、効果的な
構成を示す実施例によつて述べることとする。 実施例 １ 定格値33μＦ／6Vのタンタル乾式コンデンサ
が本発明による方法によつて製造された。付加層
は酸化ビスマスより成り、コンデンサ素体を酸性
（PH値約0.3）の0.5Nの硝酸ビスマス浴へ浸漬する
ことによつて作られた。 第１図は損失係数tanδ（120Hz，25℃）の累積
度数Σ、また第２図はインピーダンスＺ（10K
Hz，25℃）の累積度数を示す。両図には最終化成
処理（125℃．9V，14時間）前および後のこれら
電気的値が示されている。 更に両図には、同じ方法によつてではあるが、
酸化ビスマス付加層を設けることなく製造された
コンデンサの値が比較のため示されている。第１
図において最終化成処理前の損失係数に対する曲
線を１で、また最終化成処理後のものを２で示
す。曲線３は最終化成処理前の付加層を備えない
コンデンサの比較曲線であり、これに対して曲線
４は最終化成処理後の比較コンデンサの曲線を示
す。 第２図においては５で最終化成処理前のインピ
ーダンスＺの曲線を示し、また６で最終化成処理
後のインピーダンスの曲線を示す。これらの曲線
は酸化ビスマス付加層を有するコンデンサに関す
るものである。最終化成処理前および後の付加層
を備えないコンデンサのインピーダンスを示す曲
線７および８は比較のために用いられるものであ
る。 両図において目につくことは、酸化ビスマス付
加層を備えたコンデンサの電気的値のばらつきは
極めて僅少であり、その際最終化成処理後の電気
的値は更に改善されているのに対し、付加層を備
えないコンデンサの損失係数およびインピーダン
スのばらつきは極めて大きく、その際これらの値
は最終化成処理後更に劣化したということであ
る。 実施例 ２ 定格値1.2μＦ／35Vのタンタル乾式電解コン
デンサが本発明による方法によつて製造され、そ
の際酸化ビスマス付加層はPH値約0.3の酸性の
0.5Nの硝酸ビスマス浴へコンデンサ素体を浸漬
することによつて作られた。インピーダンスＺ
（10KHz）の平均値はこれらコンデンサにおいて
は、付加層を備えないこの種コンデンサで41.9オ
ームであるのに対し、15.1オームになつた。残留
電流（電圧1.1UNの印加後30秒で測定）は0.01μ
Ａより小さかつた。 実施例 ３ 定格値1.2μＦ／35Vのタンタル乾式電解コン
デンサが本発明による方法によつて製造された。
付加層として酸化鉛層が0.5Nの硝酸鉛浴への浸
漬および続いての熱分解によつて作られた。これ
らコンデンサのインピーダンス値Ｚ（10KHz）の
平均値は付加層を備えないコンデンサにおいては
41.9オームであるに対し16.1オームになつた。こ
れらのコンデンサも0.01μＡより小さい残留電流
を示す。 第３図においては実施例２および３によつて製
造されたコンデンサの損失係数tanδ（120Hz，25
℃）の累積度数Σが示されている。曲線９は酸化
ビスマス付加層を有する実施例２によつて製造さ
れたコンデンサに関し、また曲線１０は酸化鉛付
加層を有する実施例３によつて製造されたコンデ
ンサに関するものである。比較のため曲線１１は
付加層を備えないコンデンサに対する損失係数
tanδの累積度数を示す。 実施例 ４および５ 定格値10μＦ／35Vのタンタル乾式電解コンデ
ンサが本発明による方法により酸化亜鉛付加層な
いしは酸化ビスマス付加層を備えて製造された。
付加層は0.5Nの硝酸亜鉛浴ないしは0.5Nの硝酸
ビスマス浴へコンデンサ素体を浸漬し、続いて熱
分解することによつて作られた。 第４図には損失係数tanδ（120Hz，25℃）に対
する最終化成処理時間ｔe（125℃，35V）の影響
を示す。曲線１２は酸化亜鉛付加層を備えたコン
デンサに関し、また曲線１３は酸化ビスマス付加
層を備えたコンデンサに関するものである。比較
のため曲線１４は付加層を備えずに製造されたコ
ンデンサに対する値を示す。曲線１５は別の中間
化成処理を行なう公知の方法によつて製造された
コンデンサの値を示す。 第３図および第４図より本発明による方法の利
点を直接推定することができる。
られた方法、即ちタンタル乾式電解コンデンサの
製造方法によれば、誘電体として作用する酸化皮
膜を備えたタンタル焼結陽極上に陰極として用い
られる二酸化マンガン層は硝酸マンガン浴中への
浸漬およびこれに続く熱分解によつて作られる。
良好な陰極層を得るためには、これらの両処理工
程は数回行なわれなければならない。浸漬の回数
は陽極の大きさ及び使用される浸漬溶液の濃度に
関係する。浸漬、熱分解工程は、誘電体として作
用する酸化皮膜中の熱分解によつて生じた障害を
再び除去することを目的とする中間化成処理によ
つて中断される。この中間化成処理は例えば３度
目の浸漬、処理工程後毎におよび最後の浸漬、熱
分解後に行なわれる。 中間化成処理後はコンデンサ素体の乾燥が必要
であり、これには揮発性でない中間化成電解液の
使用の際は更に蒸溜水中の比較的長い洗滌が先行
する。その後二酸化マンガン層にグラフアイト層
が設けられる。続いてグラフアイト層上にろう付
け可能な銀導電ペースト層が付着される。本発明
の方法によれば、誘電体として作用する酸化皮膜
中の熱分解によつて生じた障害を除去するため従
来行われてきた中間化成処理およびその処理後に
必要な乾燥時間は不要になる。 陰極として用いられる二酸化マンガン層を作る
ため、コンデンサ素体は硝酸で酸性化された硝酸
マンガン浴（PH値１より小さいか１に等しい）中
へ浸漬される。コンデンサ素体は硝酸マンガン溶
液中へ浸漬される毎に同時に化成処理を受ける。
このため陽極を濡らした直後に電源が接続され且
つ電圧は0.1ないし10V/sの範囲、特に１V/sの一
定の上昇速度で規定された値ＵT1迄高められる。
時間t1（t1＝１ないし６分、特に3.5分）後に陽極
を引上げる直前になつて始めて電圧はＵT1から新
しい値ＵP1へ下げられる（降下速度１ないし100
V/s、特に10V/s）。電圧ＵP1を印加されることに
よつてコンデンサ素体は充電され、コンデンサ素
体は電荷を有することになる。そして陽極が硝酸
マンガンをMnO2に熱分解するための熱分解炉に
装入される前に、この電荷が放電されることはな
い。この浸漬、化成および熱分解過程はMnO2層
が完全にできる迄数回繰返される。この繰返しの
回数は陽極の大きさおよび使用される浸漬溶液の
マンガン濃度に関係する。 最後の熱分解後陽極にグラフアイト層が設けら
れる。続いて半導電性付加層が作られるから、グ
ラフアイト層の乾燥は短時間で十分である。 ついで付加層の付着が行なわれ、このためコン
デンサ素体は浴に浸漬されまた付加層が続いて熱
分解によつて作られる。浴への浸漬もこれに続く
熱分解（約250℃における）もMnO2層を作る際
と同様にして、電圧ＵT2を印加し、時間t3後電圧
ＵT2を電圧ＵP2に下げることによつて行われ、こ
の電圧ＵT2およびＵP2は電圧ＵT1およびＵP1より
低いか又はそれに等しい。 付加層としては酸化マンガン、酸化亜鉛、酸化
鉄、酸化銅、酸化蒼鉛、酸化マンガン及び酸化リ
チウムの半導電性混合酸化物、酸化マンガン及び
酸化亜鉛の半導電性混合酸化物、酸化亜鉛及び酸
化リチウムの半導電性混合酸化物などを使用する
ことができ、付加層を作るための浴は、例えば硝
酸塩、酢酸塩のような熱分解可能な化合物中に、
付加層を形成する金属を含んでいる。付加層が作
られた後、コンデンサの仕上げとしてろう付け可
能な、例えば銀のような金属層が設けられる。 付加層を設けることによつて、コンデンサの縁
部領域における電界強度を低下させることができ
るとともに、自由電子の縁部濃度、したがつてそ
の注入率を減少させ、その結果残留電流を低くす
ることができ、またインピーダンス、損失係数な
どの電気値を改善することができる。 公知の方法に対する本発明による方法の大きな
利点は、コンデンサを作るために必要な全処理工
程（浸漬、熱分解、中間化成、洗浄、乾燥等）に
要する時間が僅かとなる点にある。本発明による
方法は、銀導電ペースト層の付着迄のすべての処
理工程が次々に、例えば４分間に行なわれること
ができるから、乾式電解コンデンサの製造工程の
自動化に適している。 本発明による方法の其の他の利点を、効果的な
構成を示す実施例によつて述べることとする。 実施例 １ 定格値33μＦ／6Vのタンタル乾式コンデンサ
が本発明による方法によつて製造された。付加層
は酸化ビスマスより成り、コンデンサ素体を酸性
（PH値約0.3）の0.5Nの硝酸ビスマス浴へ浸漬する
ことによつて作られた。 第１図は損失係数tanδ（120Hz，25℃）の累積
度数Σ、また第２図はインピーダンスＺ（10K
Hz，25℃）の累積度数を示す。両図には最終化成
処理（125℃．9V，14時間）前および後のこれら
電気的値が示されている。 更に両図には、同じ方法によつてではあるが、
酸化ビスマス付加層を設けることなく製造された
コンデンサの値が比較のため示されている。第１
図において最終化成処理前の損失係数に対する曲
線を１で、また最終化成処理後のものを２で示
す。曲線３は最終化成処理前の付加層を備えない
コンデンサの比較曲線であり、これに対して曲線
４は最終化成処理後の比較コンデンサの曲線を示
す。 第２図においては５で最終化成処理前のインピ
ーダンスＺの曲線を示し、また６で最終化成処理
後のインピーダンスの曲線を示す。これらの曲線
は酸化ビスマス付加層を有するコンデンサに関す
るものである。最終化成処理前および後の付加層
を備えないコンデンサのインピーダンスを示す曲
線７および８は比較のために用いられるものであ
る。 両図において目につくことは、酸化ビスマス付
加層を備えたコンデンサの電気的値のばらつきは
極めて僅少であり、その際最終化成処理後の電気
的値は更に改善されているのに対し、付加層を備
えないコンデンサの損失係数およびインピーダン
スのばらつきは極めて大きく、その際これらの値
は最終化成処理後更に劣化したということであ
る。 実施例 ２ 定格値1.2μＦ／35Vのタンタル乾式電解コン
デンサが本発明による方法によつて製造され、そ
の際酸化ビスマス付加層はPH値約0.3の酸性の
0.5Nの硝酸ビスマス浴へコンデンサ素体を浸漬
することによつて作られた。インピーダンスＺ
（10KHz）の平均値はこれらコンデンサにおいて
は、付加層を備えないこの種コンデンサで41.9オ
ームであるのに対し、15.1オームになつた。残留
電流（電圧1.1UNの印加後30秒で測定）は0.01μ
Ａより小さかつた。 実施例 ３ 定格値1.2μＦ／35Vのタンタル乾式電解コン
デンサが本発明による方法によつて製造された。
付加層として酸化鉛層が0.5Nの硝酸鉛浴への浸
漬および続いての熱分解によつて作られた。これ
らコンデンサのインピーダンス値Ｚ（10KHz）の
平均値は付加層を備えないコンデンサにおいては
41.9オームであるに対し16.1オームになつた。こ
れらのコンデンサも0.01μＡより小さい残留電流
を示す。 第３図においては実施例２および３によつて製
造されたコンデンサの損失係数tanδ（120Hz，25
℃）の累積度数Σが示されている。曲線９は酸化
ビスマス付加層を有する実施例２によつて製造さ
れたコンデンサに関し、また曲線１０は酸化鉛付
加層を有する実施例３によつて製造されたコンデ
ンサに関するものである。比較のため曲線１１は
付加層を備えないコンデンサに対する損失係数
tanδの累積度数を示す。 実施例 ４および５ 定格値10μＦ／35Vのタンタル乾式電解コンデ
ンサが本発明による方法により酸化亜鉛付加層な
いしは酸化ビスマス付加層を備えて製造された。
付加層は0.5Nの硝酸亜鉛浴ないしは0.5Nの硝酸
ビスマス浴へコンデンサ素体を浸漬し、続いて熱
分解することによつて作られた。 第４図には損失係数tanδ（120Hz，25℃）に対
する最終化成処理時間ｔe（125℃，35V）の影響
を示す。曲線１２は酸化亜鉛付加層を備えたコン
デンサに関し、また曲線１３は酸化ビスマス付加
層を備えたコンデンサに関するものである。比較
のため曲線１４は付加層を備えずに製造されたコ
ンデンサに対する値を示す。曲線１５は別の中間
化成処理を行なう公知の方法によつて製造された
コンデンサの値を示す。 第３図および第４図より本発明による方法の利
点を直接推定することができる。
第１図は損失係数の累積度数折れ線グラフ、第
２図はインピーダンスの累積度数折れ線グラフ、
第３図は損失係数の累積度数折れ線グラフ、第４
図は損失係数と最終化成処理時間との関係を示す
それぞれ特性線図である。 tanδ……損失係数、Ｚ……インピーダンス、
ｔe……最終化成処理時間、Σ……累積度数。
２図はインピーダンスの累積度数折れ線グラフ、
第３図は損失係数の累積度数折れ線グラフ、第４
図は損失係数と最終化成処理時間との関係を示す
それぞれ特性線図である。 tanδ……損失係数、Ｚ……インピーダンス、
ｔe……最終化成処理時間、Σ……累積度数。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 誘電体として作用する酸化皮膜を備え弁作用
金属より成る焼結された陽極と、半導電性酸化金
属より成る陰極と、電流リード部としてろう付け
可能な金属層を備えたグラフアイト層と、金属
（マンガン、鉛、亜鉛、鉄、銅またはビスマス）
の半導電性酸化物又は金属（マンガンとリチウ
ム、マンガンと亜鉛、亜鉛とリチウム）の半導電
性混合酸化物から成る付加層とを備え、付加層は
前記グラフアイト層のグラフアイト粒子により覆
われていない陰極の個所上およびグラフアイト粒
子間に存在する乾式電解コンデンサの製造方法に
おいて、焼結された陽極に誘電体として作用する
酸化皮膜を設けた後、陰極を作るのに必要な元素
の熱分解可能な化合物を有する浴中に前記陽極と
酸化皮膜から成るコンデンサ素体を浸漬し、この
浸漬後電圧ＵT1をコンデンサ素体に印加し、時間
t1後電圧ＵT1を電圧ＵP1に下げ、次いでコンデン
サ素体を浴より取り出し、熱分解によつて陰極を
形成し、その後グラフアイト層を形成し、次いで
付加層を作るのに必要な元素の熱分解可能な化合
物を有する浴中にコンデンサ素体を浸漬し、この
浸漬後電圧ＵT2をコンデンサ素体に印加し、時間
t3後電圧ＵT2を電圧ＵP2に下げ、時間t2後コンデ
ンサ素体を浴から取り出し、熱分解により付加層
を形成し、次いで乾式電解コンデンサの仕上げを
行い、前記時間t1，t2，t3は１〜６分であり、電
圧ＵT1，ＵT2，ＵP1およびP2の定格電圧ＵNに対す
る関係は 【表】 であることを特徴とする乾式電解コンデンサの製
造方法。 ２ 陰極を形成するための処理工程である浴中へ
の浸漬および熱分解を一回または複数回繰返すこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ３ 処理工程を２回ないし４回繰返すことを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４ 陰極を形成するため酸性の硝酸マンガン浴を
使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項
ないし第３項のいずれか１項に記載の方法。 ５ PH値が１より小さいか１に等しい浴を使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
方法。 ６ 酸化性のため硝酸を使用することを特徴とす
る特許請求の範囲第５項記載の方法。 ７ 付加層を作るため硝酸ビスマスを使用するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６
項のいずれか１項に記載の方法。 ８ 付加層を作るため硝酸鉛を使用することを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のい
ずれか１項に記載の方法。 ９ 付加層を作るため硝酸亜鉛を使用することを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項い
ずれか１項に記載の方法。 １０ 陰極を形成するためコンデンサ素体を浴に
浸漬後最初に印加する電圧ＵT1および付加層を形
成するためコンデンサ素体を浴に浸漬後印加する
電圧ＵT2はコンデンサの定格電圧ＵNより高く、
コンデンサの化成処理電圧より低いことを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第９項のいずれ
か１項に記載の方法。 １１ 陰極を形成するため素体に印加する電圧Ｕ
T1は付加層を形成するためコンデンサ素体に印加
する電圧ＵT2より大きいことを特徴とする特許請
求の範囲第１０項記載の方法。 １２ 陰極を形成するためコンデンサ素体に最初
に印加した電圧ＵT1より下げる電圧ＵP1は付加層
を形成するためコンデンサ素体に最初に印加した
電圧ＵT2より下げる電圧ＵP2より大きいことを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第１１項の
いずれか１項に記載の方法。 １３ 陰極および付加層を形成するためコンデン
サ素体に最初に印加する電圧ＵT1，ＵT2は0.1な
いし10V/sの電圧上昇速度で印加することを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第１２項のい
ずれか１項に記載の方法。 １４ 電圧上昇速度は１V/sの値であることを特
徴とする特許請求の範囲第１３項記載の方法。 １５ 陰極および付加層を形成するためコンデン
サ素体に最初に印加した電圧ＵT1，ＵT2より下げ
る電圧ＵP1，ＵP2は１ない100V/sの電圧降下速度
で印加することを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし第１４項のいずれか１項に記載の方法。 １６ 電圧降下速度は10V/sの値であることを特
徴とする特許請求の範囲第１５項記載の方法。 １７ 陰極および付加層を形成するためコンデン
サ素体に最初に印加する電圧の印加時間t1，t2，
t3は3.5分の値であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の方法。 １８ 熱分解を約250ないし300℃で行うことを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第１７項の
いずれか１項に記載の方法。 １９ 陰極、グラフアイト層、付加層及びろう付
金属層の個々の製造工程を同一の長さの時間内に
行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第１８項のいずれか１項に記載の方法。 ２０ 各製造工程を４分の時間内に行うことを特
徴とする特許請求の範囲第１９項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2532971A DE2532971C3 (de) | 1975-07-23 | 1975-07-23 | Verfahren zur Herstellung eines Trocken-Elektrolytkondensators |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5213655A JPS5213655A (en) | 1977-02-02 |
| JPS6123647B2 true JPS6123647B2 (ja) | 1986-06-06 |
Family
ID=5952276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51088100A Granted JPS5213655A (en) | 1975-07-23 | 1976-07-23 | Method of manufacturing dry electrolytic capacitor |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4079503A (ja) |
| JP (1) | JPS5213655A (ja) |
| DE (1) | DE2532971C3 (ja) |
| FR (1) | FR2319186A2 (ja) |
| GB (1) | GB1540248A (ja) |
| IT (1) | IT1066906B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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1975
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-
1976
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- 1976-06-29 GB GB26950/76A patent/GB1540248A/en not_active Expired
- 1976-07-01 FR FR7620104A patent/FR2319186A2/fr active Granted
- 1976-07-20 IT IT25471/76A patent/IT1066906B/it active
- 1976-07-23 JP JP51088100A patent/JPS5213655A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE2532971A1 (de) | 1977-01-27 |
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| JPS5213655A (en) | 1977-02-02 |
| DE2532971C3 (de) | 1979-06-21 |
| IT1066906B (it) | 1985-03-12 |
| FR2319186B2 (ja) | 1984-05-18 |
| GB1540248A (en) | 1979-02-07 |
| DE2532971B2 (de) | 1978-10-19 |
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