JPH033311A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH033311A JPH033311A JP1138512A JP13851289A JPH033311A JP H033311 A JPH033311 A JP H033311A JP 1138512 A JP1138512 A JP 1138512A JP 13851289 A JP13851289 A JP 13851289A JP H033311 A JPH033311 A JP H033311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolyte
- chemical formation
- voltage
- rated voltage
- ion mobility
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000003411 electrode reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 23
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 23
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 9
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 abstract description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 4
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 abstract 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N aluminum;sodium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Na+].[Al+3] ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001388 sodium aluminate Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N disodium;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Sn]([O-])=O TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940079864 sodium stannate Drugs 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関する。
(従来の技術)
固体電解コンデンサを製造するには、先ず、タンタルや
ニオブ、チタン、アルミニウム等の弁作用金属の微粉末
からなる焼結体を陽極酸化して誘電体m(IS皮膜を形
成する。次に、誘電体酸化皮膜の表面に二酸化マンガン
等の半導体層、グラファイト及び導電性ペイント等から
なる陰極層を設ける。
ニオブ、チタン、アルミニウム等の弁作用金属の微粉末
からなる焼結体を陽極酸化して誘電体m(IS皮膜を形
成する。次に、誘電体酸化皮膜の表面に二酸化マンガン
等の半導体層、グラファイト及び導電性ペイント等から
なる陰極層を設ける。
誘電体酸化皮膜を形成するには、例えば、i)リン酸、
硫酸、硝酸、塩酸、酢酸等の非金属元素のM系酸を電解
液として用い、定電圧を印加して電気化学的に数時間、
陽極酸化する。
硫酸、硝酸、塩酸、酢酸等の非金属元素のM系酸を電解
液として用い、定電圧を印加して電気化学的に数時間、
陽極酸化する。
)1)の酸化処理後、ホウ酸アンモニウムやアルミン酸
ソーダ、スズ酸ソーダ等を電@液として用い、定電圧を
印加して数秒〜数分間、陽極酸化する。
ソーダ、スズ酸ソーダ等を電@液として用い、定電圧を
印加して数秒〜数分間、陽極酸化する。
などの方法が用いられている。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、i)の方法のみで作成された固体電解コンデン
サは、−船釣に耐圧が低く、バラツキが大きくなった。
サは、−船釣に耐圧が低く、バラツキが大きくなった。
また、漏れ電流特性もバラツキが大きく、漏れ電流も高
い値を示す。この欠点を防止するためには皮膜を厚くす
ればよいが、焼結体を大きくしたりしないと容量が減少
してしまう。
い値を示す。この欠点を防止するためには皮膜を厚くす
ればよいが、焼結体を大きくしたりしないと容量が減少
してしまう。
また、11)の方法では、アルミン酸ソーダ等による化
成処理時間が数秒〜数分間と短いために、容量のコント
ロールが難しく、容量のバラツキを生じ易い欠点がある
。
成処理時間が数秒〜数分間と短いために、容量のコント
ロールが難しく、容量のバラツキを生じ易い欠点がある
。
本発明は、以上の欠点を改良し、耐電圧特性ヤ容吊特性
を向上できる固体電解コンデンサのjlJ 漬方法を提
供するものである。
を向上できる固体電解コンデンサのjlJ 漬方法を提
供するものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、上記の目的を達成するために、電極反応時の
イオン易動度が小さい電解液中で定電圧化成を行なう第
1の酸化処理工程と、この第1の酸化処理工程後に前記
電解液よりもイオン易動度の大きい電解液中においてよ
り低(1電圧で定電圧化成を行なう第2の酸化処理工程
とを施すことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方
法を提供するものである。
イオン易動度が小さい電解液中で定電圧化成を行なう第
1の酸化処理工程と、この第1の酸化処理工程後に前記
電解液よりもイオン易動度の大きい電解液中においてよ
り低(1電圧で定電圧化成を行なう第2の酸化処理工程
とを施すことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方
法を提供するものである。
(作用)
第1の酸化処理工程において、電極反応時のイオン易動
度が小さい電解液としてホウ酸アンモニウムやアルミン
酸ソーダ、スズ酸ソーダ等を用い、比較的高い電圧で定
電圧化成すると、焼結体には数秒から数分間程度の短時
間で厚さの厚い誘電体酸を皮膜が形成される。
度が小さい電解液としてホウ酸アンモニウムやアルミン
酸ソーダ、スズ酸ソーダ等を用い、比較的高い電圧で定
電圧化成すると、焼結体には数秒から数分間程度の短時
間で厚さの厚い誘電体酸を皮膜が形成される。
次に、第2の酸化処理工程において、イオン易動度が大
きい電解液としてリン酸や硫酸、硝酸、塩酸、酢酸等を
用い、低い電圧で数時間、定電圧化成すると、電圧が低
いために誘電圧酸化皮膜は厚くはなうな(\が、その内
部が酸化される。
きい電解液としてリン酸や硫酸、硝酸、塩酸、酢酸等を
用い、低い電圧で数時間、定電圧化成すると、電圧が低
いために誘電圧酸化皮膜は厚くはなうな(\が、その内
部が酸化される。
すなわち、第1の酸化処理工程において厚い誘電体酸化
皮膜を形成することにより、耐電圧や漏れ電流特性が改
善される。そして第2の酸化処理工程において、内部を
酸イヒするために、容量不足や容量のバラツキを防止で
きる。
皮膜を形成することにより、耐電圧や漏れ電流特性が改
善される。そして第2の酸化処理工程において、内部を
酸イヒするために、容量不足や容量のバラツキを防止で
きる。
(実施例)
以下、本発明を実施例に基づ1で説明する。
先ず、タンタルの微粉末からなるタンタル線の引き出さ
れた焼結体を0,4wt%のホウ酸アンモニウム水溶液
中に浸漬し、W■の8倍の電圧で、電流密度700mA
/gを流し60秒間、定電圧化成を行なう。この第1の
酸化処理工程により、焼結体表面に厚い誘電体酸化皮膜
を形成する。
れた焼結体を0,4wt%のホウ酸アンモニウム水溶液
中に浸漬し、W■の8倍の電圧で、電流密度700mA
/gを流し60秒間、定電圧化成を行なう。この第1の
酸化処理工程により、焼結体表面に厚い誘電体酸化皮膜
を形成する。
次に、焼結体を純水で洗浄後、Q、1wt%の硝酸水溶
液中に浸漬し、W■の4倍の電圧で、電流密度35mA
/gを流し120分間、定電圧化成を行なう。この第2
の酸化処理工程により焼結体の内部を酸化する。
液中に浸漬し、W■の4倍の電圧で、電流密度35mA
/gを流し120分間、定電圧化成を行なう。この第2
の酸化処理工程により焼結体の内部を酸化する。
第2の酸化処理工程後、焼結体を硝酸マンガン水溶液中
に浸漬して液を含浸し、焼成、再化成の工程を繰り返し
て二酸化マンガン層を形成する。
に浸漬して液を含浸し、焼成、再化成の工程を繰り返し
て二酸化マンガン層を形成する。
二酸化マンガン層を形成後は、カーボン層及び銀ペース
ト層からなる陰極層を順次形成する。
ト層からなる陰極層を順次形成する。
陰極層を形成後、陰極端子を半田付けし、タンタル線に
は陽極端子を溶接し、樹脂外装を形成する。
は陽極端子を溶接し、樹脂外装を形成する。
次に、上記実施例の方法により製造した定格4■、22
μFのタンタル固体電解コンデンサについて、耐電圧及
び容量を測定し、従来例と比較したところ、表の通りの
結果が冑られた。
μFのタンタル固体電解コンデンサについて、耐電圧及
び容量を測定し、従来例と比較したところ、表の通りの
結果が冑られた。
従来例1:実施例におりて、酸化処理を第1の酸化処理
工程を省略し、第2の酸化 処理工程のみを行なう。
工程を省略し、第2の酸化 処理工程のみを行なう。
従来例2:実施例において、第1の酸化処理工程と第2
の酸化処理工程の順序を逆 にして酸化処理する。
の酸化処理工程の順序を逆 にして酸化処理する。
なお、実施例、従来例1及び従来例2とも、試料数は各
々40ケとする。
々40ケとする。
表
表から明らかな通り、本発明実施例によれば、耐電圧は
従来例1及び従来例2の1.04〜1.19倍となる。
従来例1及び従来例2の1.04〜1.19倍となる。
また、容量値は、従来例1とほぼ同じ値を示すが、従来
例2に比べて1.01倍となり、またバラツキも減少し
ている。
例2に比べて1.01倍となり、またバラツキも減少し
ている。
(光間の効果)
以上の通り、本発明の製造方法によれば、第1の酸化処
理工程をホウ酸アンモニウム等のイオン易動度の小さい
電解液中で定電圧化成して行ない、次に第2の酸化処理
工程を硝酸等のイオン易動度の大きい電解液中において
低い電圧で定電圧化成しているために耐電圧及び容量と
も特性を向上できる固体電解コンデンサが待られる。
理工程をホウ酸アンモニウム等のイオン易動度の小さい
電解液中で定電圧化成して行ない、次に第2の酸化処理
工程を硝酸等のイオン易動度の大きい電解液中において
低い電圧で定電圧化成しているために耐電圧及び容量と
も特性を向上できる固体電解コンデンサが待られる。
Claims (1)
- (1)弁作用金属の微粉末からなる焼結体に誘電体酸化
皮膜を形成し、半導体層、陰極層を順次形成する固体電
解コンデンサの製造方法において、電極反応時のイオン
易動度が小さい電解液中で定電圧化成を行なう第1の酸
化処理工程と、この第1の酸化処理工程後に前記電解液
よりもイオン易動度の大きい電解液中においてより低い
電圧で定電圧化成を行なう第2の酸化処理工程とを施す
ことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1138512A JPH033311A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1138512A JPH033311A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH033311A true JPH033311A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15223880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1138512A Pending JPH033311A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH033311A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010074197A (ja) * | 2010-01-05 | 2010-04-02 | Showa Denko Kk | コンデンサおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1138512A patent/JPH033311A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010074197A (ja) * | 2010-01-05 | 2010-04-02 | Showa Denko Kk | コンデンサおよびその製造方法 |
JP4694642B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2011-06-08 | 昭和電工株式会社 | コンデンサおよびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4131520A (en) | Two-stage anodization of capacitor electrodes | |
JP3026817B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2811648B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH033311A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH04274312A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH09306793A (ja) | コンデンサの製造方法 | |
JPH06224077A (ja) | 導電ポリマー製プレカソードを有する漏洩電流の小さい電解コンデンサの製造方法 | |
JPH02267915A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPS5833688B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
JP4401195B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JPH0777180B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2009182027A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0722078B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造法 | |
JP2001155965A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH05152169A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH07153650A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH02277212A (ja) | タンタル電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2003297672A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH03285321A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPS63146425A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH07272985A (ja) | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 | |
JP2007242742A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPS63272024A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH06140289A (ja) | 電解コンデンサ用タブ端子の製造方法 | |
JPH06132172A (ja) | 電解コンデンサ用タブ端子の製造方法 |