JP2513369B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体電解コンデンサの製
造方法に関し、さらに詳しく言えば、インピーダンス特
性を改善し得る固体電解コンデンサの製造方法に関する
ものである。
造方法に関し、さらに詳しく言えば、インピーダンス特
性を改善し得る固体電解コンデンサの製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】タンタル固体電解コンデンサを例にとっ
てその製造方法を説明すると、まず、タンタル粉末を焼
結して焼結ペレットを得る。その際、同焼結ペレットに
は陽極リードが植設される。
てその製造方法を説明すると、まず、タンタル粉末を焼
結して焼結ペレットを得る。その際、同焼結ペレットに
は陽極リードが植設される。
【０００３】次に、誘電体酸化皮膜を形成した後、例え
ば二酸化マンガンなどの固体電解質を形成する。そし
て、同固体電解質上にカーボン層および銀層を順次形成
し、これを陰極層とする。
ば二酸化マンガンなどの固体電解質を形成する。そし
て、同固体電解質上にカーボン層および銀層を順次形成
し、これを陰極層とする。
【０００４】陽極リードに外部引出し用の陽極端子部材
を溶接するとともに、陰極層に外部引出し用の陰極端子
部材を導電性接着剤を介して取付けた後、樹脂モールド
法もしくはディップ法により樹脂外装体を形成する。
を溶接するとともに、陰極層に外部引出し用の陰極端子
部材を導電性接着剤を介して取付けた後、樹脂モールド
法もしくはディップ法により樹脂外装体を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】カーボン層は焼結ペレ
ットをカーボン懸濁液内に浸漬し、引き上げて乾燥する
ことにより形成されるが、同固体電解質の抵抗値を下げ
るにはカーボンを固体電解質の内部にまで浸入させる必
要がある。
ットをカーボン懸濁液内に浸漬し、引き上げて乾燥する
ことにより形成されるが、同固体電解質の抵抗値を下げ
るにはカーボンを固体電解質の内部にまで浸入させる必
要がある。
【０００６】そのため、従来では上記懸濁液のカーボン
濃度を低濃度としてその浸入率を高めるようにしてい
る。
濃度を低濃度としてその浸入率を高めるようにしてい
る。
【０００７】しかしながら、これによると低濃度である
が故に抵抗値にバラツキが生じるという問題がある。こ
れに対して、カーボン濃度を高めると、カーボンが固体
電解質の内部にまで入らないため抵抗値を下げられな
い。また、乾燥時にクラックが発生し易くなるという問
題が生ずる。
が故に抵抗値にバラツキが生じるという問題がある。こ
れに対して、カーボン濃度を高めると、カーボンが固体
電解質の内部にまで入らないため抵抗値を下げられな
い。また、乾燥時にクラックが発生し易くなるという問
題が生ずる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の事情
に鑑みなされたもので、その構成上の特徴は、弁作用金
属粉末の焼結ペレットに誘電体酸化皮膜を形成した後、
固体電解質を形成し、同固体電解質上にカーボン層およ
び銀層を順次形成して陰極層とする固体電解コンデンサ
の製造方法において、上記カーボン層を形成するに際し
て、まず上記焼結ペレットを低濃度のカーボン懸濁液に
浸漬して乾燥させ、次に高濃度のカーボン懸濁液に浸漬
して乾燥させた後、再度低濃度のカーボン懸濁液に浸漬
して乾燥させることにある。
に鑑みなされたもので、その構成上の特徴は、弁作用金
属粉末の焼結ペレットに誘電体酸化皮膜を形成した後、
固体電解質を形成し、同固体電解質上にカーボン層およ
び銀層を順次形成して陰極層とする固体電解コンデンサ
の製造方法において、上記カーボン層を形成するに際し
て、まず上記焼結ペレットを低濃度のカーボン懸濁液に
浸漬して乾燥させ、次に高濃度のカーボン懸濁液に浸漬
して乾燥させた後、再度低濃度のカーボン懸濁液に浸漬
して乾燥させることにある。
【０００９】
【作用】まず最初に、低濃度のカーボンが固体電解質内
部にまで浸透する。次に、高濃度のカーボンにより固体
電解質上に均一な厚みのカーボン層が形成される。しか
る後、再度低濃度カーボン懸濁液への浸漬により、乾燥
時に生じたカーボン層のクラックが補修される。
部にまで浸透する。次に、高濃度のカーボンにより固体
電解質上に均一な厚みのカーボン層が形成される。しか
る後、再度低濃度カーボン懸濁液への浸漬により、乾燥
時に生じたカーボン層のクラックが補修される。
【００１０】
【実施例】まず、図１に示されているように、タンタル
粉末を焼結してタンタルペレット１を得る。その際、同
タンタルペレット１に例えばタンタル線からなる陽極リ
ード２を植設する。
粉末を焼結してタンタルペレット１を得る。その際、同
タンタルペレット１に例えばタンタル線からなる陽極リ
ード２を植設する。
【００１１】陽極リード２に固体電解質這い上がり防止
板３を挿通し、タンタルペレット１に誘電体酸化皮膜を
形成した後、固体電解質としての二酸化マンガン４を形
成する。
板３を挿通し、タンタルペレット１に誘電体酸化皮膜を
形成した後、固体電解質としての二酸化マンガン４を形
成する。
【００１２】次に、カーボン層形成第１工程として、低
濃度（例えば、０．５％濃度）のカーボン懸濁液内に浸
漬してそのカーボンを二酸化マンガン４内に浸入させ、
引き上げて１５０℃で１０分間乾燥する。図２には二酸
化マンガン４内に浸入したカーボン５が便宜的にドット
状で示されている。
濃度（例えば、０．５％濃度）のカーボン懸濁液内に浸
漬してそのカーボンを二酸化マンガン４内に浸入させ、
引き上げて１５０℃で１０分間乾燥する。図２には二酸
化マンガン４内に浸入したカーボン５が便宜的にドット
状で示されている。
【００１３】しかる後、カーボン層形成第２工程とし
て、高濃度（例えば、１０％濃度）のカーボン懸濁液内
に浸漬し、引き上げて１５０℃で１０分間乾燥する。こ
れにより、図３に示されているように、所定厚さのカー
ボン層６が形成される。
て、高濃度（例えば、１０％濃度）のカーボン懸濁液内
に浸漬し、引き上げて１５０℃で１０分間乾燥する。こ
れにより、図３に示されているように、所定厚さのカー
ボン層６が形成される。
【００１４】同カーボン層６にはその加熱乾燥時にクラ
ックが発生する。これを補修するため、カーボン層形成
第３工程として、再度低濃度（例えば、０．５％濃度）
のカーボン懸濁液内に浸漬し、引き上げて１５０℃で１
０分間乾燥する。これにより、図４に例示されているよ
うに、カーボン層６上にそのクラックを補修するように
して外皮的なカーボン層７が形成される。
ックが発生する。これを補修するため、カーボン層形成
第３工程として、再度低濃度（例えば、０．５％濃度）
のカーボン懸濁液内に浸漬し、引き上げて１５０℃で１
０分間乾燥する。これにより、図４に例示されているよ
うに、カーボン層６上にそのクラックを補修するように
して外皮的なカーボン層７が形成される。
【００１５】以後は従来と同様に銀層を形成し、同銀層
に外部引出し用の陰極端子部材を導電性接着剤を介して
取付ける。また、陽極リードにも外部引出し用の陽極端
子部材を溶接する。
に外部引出し用の陰極端子部材を導電性接着剤を介して
取付ける。また、陽極リードにも外部引出し用の陽極端
子部材を溶接する。
【００１６】そして、樹脂モールド法もしくは樹脂液中
へのディップにて樹脂外装体を形成する。
へのディップにて樹脂外装体を形成する。
【００１７】以下に、カーボンとして米国アチソンイン
ダストリーズ社製の商品名アクアダックを使用した実施
例およびその比較例を説明する。 《実施例１》 カーボン層形成第１工程では、カーボン懸濁液の濃度
を０．５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分とした。
ダストリーズ社製の商品名アクアダックを使用した実施
例およびその比較例を説明する。 《実施例１》 カーボン層形成第１工程では、カーボン懸濁液の濃度
を０．５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分とした。
【００１８】カーボン層形成第２工程では、カーボン
懸濁液の濃度を１０％とし、乾燥条件は１５０℃、１０
分とした。
懸濁液の濃度を１０％とし、乾燥条件は１５０℃、１０
分とした。
【００１９】カーボン層形成第３工程では、カーボン
懸濁液の濃度を再度０．５％とし、乾燥条件は１５０
℃、１０分とした。
懸濁液の濃度を再度０．５％とし、乾燥条件は１５０
℃、１０分とした。
【００２０】このようにしてカーボン層を形成したタン
タルコンデンサ素子により、定格４Ｖ・１０μＦのタン
タル固体電解コンデンサを５００個試作し、周波数１０
０ｋＨｚ時のインピーダンスを測定したところ、１．２
〜１．３Ωであった。 〈比較例１〉カーボン層形成工程を上記実施例１の第１
工程のみとしたタンタルコンデンサ素子を用いて、実施
例１と同様、定格４Ｖ・１０μＦのタンタル固体電解コ
ンデンサを５００個試作し、周波数１００ｋＨｚ時のイ
ンピーダンスを測定したところ、１．５〜１０Ωであっ
た。 《実施例２》 カーボン層形成第１工程では、カーボン懸濁液の濃度
を０．５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分とした。
タルコンデンサ素子により、定格４Ｖ・１０μＦのタン
タル固体電解コンデンサを５００個試作し、周波数１０
０ｋＨｚ時のインピーダンスを測定したところ、１．２
〜１．３Ωであった。 〈比較例１〉カーボン層形成工程を上記実施例１の第１
工程のみとしたタンタルコンデンサ素子を用いて、実施
例１と同様、定格４Ｖ・１０μＦのタンタル固体電解コ
ンデンサを５００個試作し、周波数１００ｋＨｚ時のイ
ンピーダンスを測定したところ、１．５〜１０Ωであっ
た。 《実施例２》 カーボン層形成第１工程では、カーボン懸濁液の濃度
を０．５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分とした。
【００２１】カーボン層形成第２工程では、カーボン
懸濁液の濃度を８％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分
とした。
懸濁液の濃度を８％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分
とした。
【００２２】カーボン層形成第３工程では、カーボン
懸濁液の濃度を再度０．５％とし、乾燥条件は１５０
℃、１０分とした。
懸濁液の濃度を再度０．５％とし、乾燥条件は１５０
℃、１０分とした。
【００２３】このようにしてカーボン層を形成したタン
タルコンデンサ素子により、定格１６Ｖ・１μＦのタン
タル固体電解コンデンサを５００個試作し、周波数１０
０ｋＨｚ時のインピーダンスを測定したところ、２．８
〜３．５Ωであった。 〈比較例２〉カーボン層形成工程を上記実施例２の第１
工程のみとしたタンタルコンデンサ素子を用いて、実施
例２と同様、定格１６Ｖ・１μＦのタンタル固体電解コ
ンデンサを５００個試作し、周波数１００ｋＨｚ時のイ
ンピーダンスを測定したところ、３〜１８Ωであった。 《実施例３》 カーボン層形成第１工程では、カーボン懸濁液の濃度
を０．５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分とした。
タルコンデンサ素子により、定格１６Ｖ・１μＦのタン
タル固体電解コンデンサを５００個試作し、周波数１０
０ｋＨｚ時のインピーダンスを測定したところ、２．８
〜３．５Ωであった。 〈比較例２〉カーボン層形成工程を上記実施例２の第１
工程のみとしたタンタルコンデンサ素子を用いて、実施
例２と同様、定格１６Ｖ・１μＦのタンタル固体電解コ
ンデンサを５００個試作し、周波数１００ｋＨｚ時のイ
ンピーダンスを測定したところ、３〜１８Ωであった。 《実施例３》 カーボン層形成第１工程では、カーボン懸濁液の濃度
を０．５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分とした。
【００２４】カーボン層形成第２工程では、カーボン
懸濁液の濃度を１５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０
分とした。
懸濁液の濃度を１５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０
分とした。
【００２５】カーボン層形成第３工程では、カーボン
懸濁液の濃度を再度０．５％とし、乾燥条件は１５０
℃、１０分とした。
懸濁液の濃度を再度０．５％とし、乾燥条件は１５０
℃、１０分とした。
【００２６】このようにしてカーボン層を形成したタン
タルコンデンサ素子により、定格３４Ｖ・０．２２μＦ
のタンタル固体電解コンデンサを５００個試作し、周波
数１００ｋＨｚ時のインピーダンスを測定したところ、
６〜７Ωであった。 〈比較例３〉カーボン層形成工程を上記実施例３の第１
工程のみとしたタンタルコンデンサ素子を用いて、実施
例３と同様、定格３５Ｖ・０．２２μＦのタンタル固体
電解コンデンサを５００個試作し、周波数１００ｋＨｚ
時のインピーダンスを測定したところ、１５〜３５Ωで
あった。 《実施例４》 カーボン層形成第１工程では、カーボン懸濁液の濃度
を０．５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分とした。
タルコンデンサ素子により、定格３４Ｖ・０．２２μＦ
のタンタル固体電解コンデンサを５００個試作し、周波
数１００ｋＨｚ時のインピーダンスを測定したところ、
６〜７Ωであった。 〈比較例３〉カーボン層形成工程を上記実施例３の第１
工程のみとしたタンタルコンデンサ素子を用いて、実施
例３と同様、定格３５Ｖ・０．２２μＦのタンタル固体
電解コンデンサを５００個試作し、周波数１００ｋＨｚ
時のインピーダンスを測定したところ、１５〜３５Ωで
あった。 《実施例４》 カーボン層形成第１工程では、カーボン懸濁液の濃度
を０．５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分とした。
【００２７】カーボン層形成第２工程では、カーボン
懸濁液の濃度を２２％とし、乾燥条件は１５０℃、１０
分とした。
懸濁液の濃度を２２％とし、乾燥条件は１５０℃、１０
分とした。
【００２８】カーボン層形成第３工程では、カーボン
懸濁液の濃度を再度０．５％とし、乾燥条件は１５０
℃、１０分とした。
懸濁液の濃度を再度０．５％とし、乾燥条件は１５０
℃、１０分とした。
【００２９】このようにしてカーボン層を形成したタン
タルコンデンサ素子により、定格４Ｖ・１００μＦのタ
ンタル固体電解コンデンサを５００個試作し、周波数１
００ｋＨｚ時のインピーダンスを測定したところ、０．
４〜０．５Ωであった。 〈比較例４〉カーボン層形成工程を上記実施例４の第１
工程のみとしたタンタルコンデンサ素子を用いて、実施
例４と同様、定格４Ｖ・１００μＦのタンタル固体電解
コンデンサを５００個試作し、周波数１００ｋＨｚ時の
インピーダンスを測定したところ、０．５〜８Ωであっ
た。 《実施例５》 カーボン層形成第１工程では、カーボン懸濁液の濃度
を０．５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分とした。
タルコンデンサ素子により、定格４Ｖ・１００μＦのタ
ンタル固体電解コンデンサを５００個試作し、周波数１
００ｋＨｚ時のインピーダンスを測定したところ、０．
４〜０．５Ωであった。 〈比較例４〉カーボン層形成工程を上記実施例４の第１
工程のみとしたタンタルコンデンサ素子を用いて、実施
例４と同様、定格４Ｖ・１００μＦのタンタル固体電解
コンデンサを５００個試作し、周波数１００ｋＨｚ時の
インピーダンスを測定したところ、０．５〜８Ωであっ
た。 《実施例５》 カーボン層形成第１工程では、カーボン懸濁液の濃度
を０．５％とし、乾燥条件は１５０℃、１０分とした。
【００３０】カーボン層形成第２工程では、カーボン
懸濁液の濃度を１２％とし、乾燥条件は１５０℃、１０
分とした。
懸濁液の濃度を１２％とし、乾燥条件は１５０℃、１０
分とした。
【００３１】カーボン層形成第３工程では、カーボン
懸濁液の濃度を再度０．５％とし、乾燥条件は１５０
℃、１０分とした。
懸濁液の濃度を再度０．５％とし、乾燥条件は１５０
℃、１０分とした。
【００３２】このようにしてカーボン層を形成したタン
タルコンデンサ素子により、定格６Ｖ・３．３μＦのタ
ンタル固体電解コンデンサを５００個試作し、周波数１
００ｋＨｚ時のインピーダンスを測定したところ、１．
５〜１．７Ωであった。 〈比較例５〉カーボン層形成工程を上記実施例５の第１
工程のみとしたタンタルコンデンサ素子を用いて、実施
例５と同様、定格６Ｖ・３．３μＦのタンタル固体電解
コンデンサを５００個試作し、周波数１００ｋＨｚ時の
インピーダンスを測定したところ、３〜１２Ωであっ
た。
タルコンデンサ素子により、定格６Ｖ・３．３μＦのタ
ンタル固体電解コンデンサを５００個試作し、周波数１
００ｋＨｚ時のインピーダンスを測定したところ、１．
５〜１．７Ωであった。 〈比較例５〉カーボン層形成工程を上記実施例５の第１
工程のみとしたタンタルコンデンサ素子を用いて、実施
例５と同様、定格６Ｖ・３．３μＦのタンタル固体電解
コンデンサを５００個試作し、周波数１００ｋＨｚ時の
インピーダンスを測定したところ、３〜１２Ωであっ
た。
【００３３】参考までに、上記各実施例および各比較例
の比較結果を表１に示す。なお、上記各実施例の第３工
程後に必要に応じてさらに所定濃度のカーボン懸濁液中
への浸漬を行なってもよい。
の比較結果を表１に示す。なお、上記各実施例の第３工
程後に必要に応じてさらに所定濃度のカーボン懸濁液中
への浸漬を行なってもよい。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カーボン層を形成するにあたって、まず低濃度カーボン
懸濁液へ浸漬し、次に高濃度カーボン懸濁液へ浸漬し、
そして再度低濃度カーボン懸濁液へ浸漬するようにした
ことにより、低インピーダンスでしかもその特性が安定
している固体電解コンデンサが提供される。
カーボン層を形成するにあたって、まず低濃度カーボン
懸濁液へ浸漬し、次に高濃度カーボン懸濁液へ浸漬し、
そして再度低濃度カーボン懸濁液へ浸漬するようにした
ことにより、低インピーダンスでしかもその特性が安定
している固体電解コンデンサが提供される。
【図１】固体電解質が形成されたタンタルペレットを示
した断面図。
した断面図。
【図２】カーボン層形成第１工程を説明するためのタン
タルペレット部分拡大断面図。
タルペレット部分拡大断面図。
【図３】カーボン層形成第２工程を説明するためのタン
タルペレット部分拡大断面図。
タルペレット部分拡大断面図。
【図４】カーボン層形成第３工程を説明するためのタン
タルペレット部分拡大断面図。
タルペレット部分拡大断面図。
１ タンタルペレット ２ 陽極リード ３ 固体電解質這い上がり防止板 ４ 固体電解質 ５ カーボン ６，７ カーボン層
Claims (1)
- 【請求項１】弁作用金属粉末の焼結ペレットに誘電体酸
化皮膜を形成した後、固体電解質を形成し、同固体電解
質上にカーボン層および銀層を順次形成して陰極層とす
る固体電解コンデンサの製造方法において、上記カーボ
ン層を形成するに際して、まず上記焼結ペレットを低濃
度のカーボン懸濁液に浸漬して乾燥させ、次に高濃度の
カーボン懸濁液に浸漬して乾燥させた後、再度低濃度の
カーボン懸濁液に浸漬して乾燥させることを特徴とする
固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3058082A JP2513369B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3058082A JP2513369B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273424A JPH04273424A (ja) | 1992-09-29 |
| JP2513369B2 true JP2513369B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=13073999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3058082A Expired - Fee Related JP2513369B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513369B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2586381B2 (ja) * | 1993-07-05 | 1997-02-26 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160605A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-22 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3058082A patent/JP2513369B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04273424A (ja) | 1992-09-29 |
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Legal Events
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