JPH09237743A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH09237743A JPH09237743A JP8069332A JP6933296A JPH09237743A JP H09237743 A JPH09237743 A JP H09237743A JP 8069332 A JP8069332 A JP 8069332A JP 6933296 A JP6933296 A JP 6933296A JP H09237743 A JPH09237743 A JP H09237743A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 等価直列抵抗を低下し、寿命を向上できる固
体電解コンデンサを提供すること。 【解決手段】 陽極リード線４の一端を入れ、他端を引
き出した、弁作用金属の粉末からなる粉末体１に、陽極
酸化皮膜９、半導体層１０及び陰極層１１を順次設け、
この陰極層１１に陰極端子３を接続した固体電解コンデ
ンサ１６において、焼結体の中心部よりも陰極端子３側
に近い位置に一端を入れた陽極リード線４を有すること
を特徴とする固体電解コンデンサ１６。
体電解コンデンサを提供すること。 【解決手段】 陽極リード線４の一端を入れ、他端を引
き出した、弁作用金属の粉末からなる粉末体１に、陽極
酸化皮膜９、半導体層１０及び陰極層１１を順次設け、
この陰極層１１に陰極端子３を接続した固体電解コンデ
ンサ１６において、焼結体の中心部よりも陰極端子３側
に近い位置に一端を入れた陽極リード線４を有すること
を特徴とする固体電解コンデンサ１６。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体電解コンデンサ
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】タンタル固体電解コンデンサ等のコンデ
ンサは、従来、タンタル等の弁作用金属の粉末を、タン
タル線等の陽極リード線の一端をこの粉末の中心部に入
れ、他端を引き出した状態にして、円筒状や直方体状に
圧縮成形し、さらに真空中において高温度で焼結して形
成した焼結体を用いている。この場合、図４に示す通
り、陽極リード線２１は、一端が焼結体２２の中心部２
３に入っていて、他端が引き出されている。そして、こ
の焼結体に陽極酸化皮膜、半導体層及び陰極層を順次設
ける。さらに、陽極リード線には陽極端子を接続し、陰
極層には陰極端子を接続し、樹脂外装を設けている。
ンサは、従来、タンタル等の弁作用金属の粉末を、タン
タル線等の陽極リード線の一端をこの粉末の中心部に入
れ、他端を引き出した状態にして、円筒状や直方体状に
圧縮成形し、さらに真空中において高温度で焼結して形
成した焼結体を用いている。この場合、図４に示す通
り、陽極リード線２１は、一端が焼結体２２の中心部２
３に入っていて、他端が引き出されている。そして、こ
の焼結体に陽極酸化皮膜、半導体層及び陰極層を順次設
ける。さらに、陽極リード線には陽極端子を接続し、陰
極層には陰極端子を接続し、樹脂外装を設けている。
【０００３】ところで、固体電解コンデンサは、等価直
列抵抗（ＥＳＲという）が高いと発熱の原因になり、劣
化し易くなる。そのため、ＥＳＲを低下することは、固
体電解コンデンサにおいて重要な改良事項の一つになっ
ている。ＥＳＲを低下するために、従来、低ＣＶ値のタ
ンタル粉末等を用いたり、焼結体の密度を低下したり、
半導体層や陰極層の抵抗やこれらの接触抵抗を低下した
りする等の手段を用いている。
列抵抗（ＥＳＲという）が高いと発熱の原因になり、劣
化し易くなる。そのため、ＥＳＲを低下することは、固
体電解コンデンサにおいて重要な改良事項の一つになっ
ている。ＥＳＲを低下するために、従来、低ＣＶ値のタ
ンタル粉末等を用いたり、焼結体の密度を低下したり、
半導体層や陰極層の抵抗やこれらの接触抵抗を低下した
りする等の手段を用いている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の手段で
は、現在以上にＥＳＲを改良することが非常に困難な欠
点がある。
は、現在以上にＥＳＲを改良することが非常に困難な欠
点がある。
【０００５】本発明は、以上の欠点を改良し、ＥＳＲを
より改良でき、寿命を向上できる固体電解コンデンサを
提供することを課題とするものである。
より改良でき、寿命を向上できる固体電解コンデンサを
提供することを課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、陽極リード線の一端を入れ、他端を引
き出した、弁作用金属の粉末からなる焼結体に、陽極酸
化皮膜、半導体層及び陰極層を順次設け、この陰極層に
陰極端子を接続した固体電解コンデンサにおいて、焼結
体の中心部よりも陰極端子側に近い位置に一端を入れた
陽極リード線を有することを特徴とする固体電解コンデ
ンサを提供するものである。
達成するために、陽極リード線の一端を入れ、他端を引
き出した、弁作用金属の粉末からなる焼結体に、陽極酸
化皮膜、半導体層及び陰極層を順次設け、この陰極層に
陰極端子を接続した固体電解コンデンサにおいて、焼結
体の中心部よりも陰極端子側に近い位置に一端を入れた
陽極リード線を有することを特徴とする固体電解コンデ
ンサを提供するものである。
【０００７】本発明によれば、焼結体の中心部よりも陰
極端子の接続側に近い位置に陽極リード線の一端を入
れ、他端を外部に引き出しているため、陽極リード線と
陽極端子との距離が従来よりも短くなり、固体電解コン
デンサのＥＳＲが低下する。
極端子の接続側に近い位置に陽極リード線の一端を入
れ、他端を外部に引き出しているため、陽極リード線と
陽極端子との距離が従来よりも短くなり、固体電解コン
デンサのＥＳＲが低下する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。弁作用金属の粉末には、ＣＶ値が
３，０００〜５，０００μＦＶ／ｇ以上のタンタル粉等
を用いる。図１において、１はこの粉末を焼結して、直
方体状（円筒状でもよい）に形成した焼結体である。そ
してこの焼結体１の中心部２よりも陰極端子３側に近い
位置に陽極リード線４の一端を入れ、他端を引き出して
いる。すなわち、陽極リード線４は、図２に示す通り、
焼結体１の端面５の中心６よりも陰極端子３の接続側７
にずれた位置から出ている。なお、陽極リード線４には
タンタル線等を用いる。陽極リード線４の根本にはテフ
ロン製のワッシャ８を挿入している。
に基づいて説明する。弁作用金属の粉末には、ＣＶ値が
３，０００〜５，０００μＦＶ／ｇ以上のタンタル粉等
を用いる。図１において、１はこの粉末を焼結して、直
方体状（円筒状でもよい）に形成した焼結体である。そ
してこの焼結体１の中心部２よりも陰極端子３側に近い
位置に陽極リード線４の一端を入れ、他端を引き出して
いる。すなわち、陽極リード線４は、図２に示す通り、
焼結体１の端面５の中心６よりも陰極端子３の接続側７
にずれた位置から出ている。なお、陽極リード線４には
タンタル線等を用いる。陽極リード線４の根本にはテフ
ロン製のワッシャ８を挿入している。
【０００９】また、焼結体１には、陽極酸化皮膜９、二
酸化マンガン等の半導体層１０、カーボン層及び銀ペー
スト層（または銅ペースト層）等からなる陰極層１１を
順次設けている。
酸化マンガン等の半導体層１０、カーボン層及び銀ペー
スト層（または銅ペースト層）等からなる陰極層１１を
順次設けている。
【００１０】そして陽極リード線４には陽極端子１２を
接続している。また、陰極層１１には陽極リード線４に
近い方の側に導電性接着剤１３により陰極端子３を接続
している。
接続している。また、陰極層１１には陽極リード線４に
近い方の側に導電性接着剤１３により陰極端子３を接続
している。
【００１１】焼結体１に陽極酸化皮膜９等を設けたコン
デンサ素子１４全体には、樹脂外装１５を被覆してい
る。また、陽極端子１２及び陰極端子３の先端はこの樹
脂外装１５の表面に沿って下面の方に折り曲げている。
デンサ素子１４全体には、樹脂外装１５を被覆してい
る。また、陽極端子１２及び陰極端子３の先端はこの樹
脂外装１５の表面に沿って下面の方に折り曲げている。
【００１２】次に、上記の固体電解コンデンサ１６の製
造方法を説明する。先ず、弁作用金属の粉末中に陽極リ
ード線４の一端を中心部からずらして入れ、その状態で
圧縮成形する。圧縮成形後、１０-4〜１０-5Torr程度の
真空中で、千数百℃〜２０００℃程度の温度で数１０分
間加熱し、焼結体１を形成する。
造方法を説明する。先ず、弁作用金属の粉末中に陽極リ
ード線４の一端を中心部からずらして入れ、その状態で
圧縮成形する。圧縮成形後、１０-4〜１０-5Torr程度の
真空中で、千数百℃〜２０００℃程度の温度で数１０分
間加熱し、焼結体１を形成する。
【００１３】焼結体１を形成後、ワッシャ８を陽極リー
ド線４の根本に配置し、複数個の焼結体１を陽極リード
線４の先端の箇所でステンレス等の金属製のバーに溶接
する。溶接後、焼結体１を硝酸やリン酸等の化成液中で
電圧を印加して化成し、陽極酸化皮膜９を形成する。陽
極酸化皮膜９を形成後、焼結体１を硝酸マンガン溶液中
等に浸漬して、液を含浸する。含浸後、温度２００〜３
５０℃程度の温度で焼成して熱分解し、二酸化マンガン
層等の半導体層１０を形成する。熱分解後、再化成し
て、焼成の際に損傷した陽極酸化皮膜９を修復する。そ
してこの浸漬、熱分解、再化成の工程を必要に応じて数
回〜数１０回繰り返す。半導体層１０を形成後、カーボ
ンを塗布してカーボン層を形成するとともに、銀ペース
ト（または銅ペースト）を塗布して銀ペースト層（また
は銅ペースト層）を形成し、合せて陰極層１１とする。
ド線４の根本に配置し、複数個の焼結体１を陽極リード
線４の先端の箇所でステンレス等の金属製のバーに溶接
する。溶接後、焼結体１を硝酸やリン酸等の化成液中で
電圧を印加して化成し、陽極酸化皮膜９を形成する。陽
極酸化皮膜９を形成後、焼結体１を硝酸マンガン溶液中
等に浸漬して、液を含浸する。含浸後、温度２００〜３
５０℃程度の温度で焼成して熱分解し、二酸化マンガン
層等の半導体層１０を形成する。熱分解後、再化成し
て、焼成の際に損傷した陽極酸化皮膜９を修復する。そ
してこの浸漬、熱分解、再化成の工程を必要に応じて数
回〜数１０回繰り返す。半導体層１０を形成後、カーボ
ンを塗布してカーボン層を形成するとともに、銀ペース
ト（または銅ペースト）を塗布して銀ペースト層（また
は銅ペースト層）を形成し、合せて陰極層１１とする。
【００１４】陰極層１１を形成後、陽極リード線４に陽
極端子１２を接続するとともに陰極層１１に陰極端子３
を接続する。なお、陰極端子３は陽極リード線４に近い
部分の陰極層１１に接続する。陽極端子１２及び陰極端
子３を接続後、樹脂モールド法（または樹脂ディップ
法）等により樹脂外装１５を形成する。
極端子１２を接続するとともに陰極層１１に陰極端子３
を接続する。なお、陰極端子３は陽極リード線４に近い
部分の陰極層１１に接続する。陽極端子１２及び陰極端
子３を接続後、樹脂モールド法（または樹脂ディップ
法）等により樹脂外装１５を形成する。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例の定格７Ｖ、１００μ
Ｆのタンタルチップ型固体電解コンデンサについて、従
来例及び比較例の同定格で同種のコンデンサとともに、
ＥＳＲを測定した。
Ｆのタンタルチップ型固体電解コンデンサについて、従
来例及び比較例の同定格で同種のコンデンサとともに、
ＥＳＲを測定した。
【００１６】なお、実施例、従来例及び比較例の条件は
次の通りとする。 実施例１：図１に示した構造とする。そしてコンデンサ
素子の寸法を１．７０mm×３．３０mm×４．２０mmと
し、かつ成形密度を ６．０ｇ／cm3とする。また、陽極
リード線は線径０．３０mmのタンタル線を用いる。そし
て図３に示す通り、コンデンサ素子１４の厚さをＹと
し、このコンデンサ素子１４の陰極端子３の接続面１７
から陽極リード線４の引き出し位置までの距離をＸとし
た場合、Ｘ／Ｙ＝０．１とする。
次の通りとする。 実施例１：図１に示した構造とする。そしてコンデンサ
素子の寸法を１．７０mm×３．３０mm×４．２０mmと
し、かつ成形密度を ６．０ｇ／cm3とする。また、陽極
リード線は線径０．３０mmのタンタル線を用いる。そし
て図３に示す通り、コンデンサ素子１４の厚さをＹと
し、このコンデンサ素子１４の陰極端子３の接続面１７
から陽極リード線４の引き出し位置までの距離をＸとし
た場合、Ｘ／Ｙ＝０．１とする。
【００１７】実施例２：コンデンサ素子１４から陽極リ
ード線４を引き出す位置をＸ／Ｙ＝０．２５とする。他
の条件は実施例１と同一とする。
ード線４を引き出す位置をＸ／Ｙ＝０．２５とする。他
の条件は実施例１と同一とする。
【００１８】従来例：コンデンサ素子１４から陽極リー
ド線４を引き出す位置をＸ／Ｙ＝０．５、すなわち中心
とする。他の条件は実施例１と同一とする。
ド線４を引き出す位置をＸ／Ｙ＝０．５、すなわち中心
とする。他の条件は実施例１と同一とする。
【００１９】比較例１：コンデンサ素子１４から陽極リ
ード線４を引き出す位置をＸ／Ｙ＝０．７５とする。他
の条件は実施例１と同一とする。
ード線４を引き出す位置をＸ／Ｙ＝０．７５とする。他
の条件は実施例１と同一とする。
【００２０】比較例２：コンデンサ素子１４から陽極リ
ード線４を引き出す位置をＸ／Ｙ＝０．９とする。他の
条件は実施例１と同一とする。
ード線４を引き出す位置をＸ／Ｙ＝０．９とする。他の
条件は実施例１と同一とする。
【００２１】また、試料数は各々３０個とする。測定結
果は図４に示す。この図４から明らかな通り、ＥＳＲは
平均値で、従来例に比較して、実施例１が７／１２にそ
して実施例２が２／３に低下している。そして実施例１
と実施例２とを比較すると前者の方が後者よりも低下し
ている。従って、陽極リード線が陰極端子に近いほどＥ
ＳＲを低くできることが明らかである。なお、比較例１
及び比較例２は、両者とも従来例よりもＥＳＲが高くな
っている。
果は図４に示す。この図４から明らかな通り、ＥＳＲは
平均値で、従来例に比較して、実施例１が７／１２にそ
して実施例２が２／３に低下している。そして実施例１
と実施例２とを比較すると前者の方が後者よりも低下し
ている。従って、陽極リード線が陰極端子に近いほどＥ
ＳＲを低くできることが明らかである。なお、比較例１
及び比較例２は、両者とも従来例よりもＥＳＲが高くな
っている。
【００２２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、焼結体の
中心部よりも陰極端子側に近い位置に陽極リード線の一
端を入れているため、ＥＳＲを低下でき、寿命を改善で
きる固体電解コンデンサが得られる。
中心部よりも陰極端子側に近い位置に陽極リード線の一
端を入れているため、ＥＳＲを低下でき、寿命を改善で
きる固体電解コンデンサが得られる。
【図１】本発明の実施の形態の断面図を示す。
【図２】本発明の実施の形態に用いる焼結体の側面図を
示す。
示す。
【図３】本発明の実施例のコンデンサ素子に陰極端子を
接続した状態の側面図を示す。
接続した状態の側面図を示す。
【図４】従来の焼結体の正面図を示す。
【図５】等価直列抵抗のグラフを示す。
１…焼結体、 ２…中心部、 ３…陰極端子、 ４…陽
極リード線、９…陽極酸化皮膜、 １０…半導体層、
１１…陰極層、１４…コンデンサ素子、 １６…固体電
解コンデンサ。
極リード線、９…陽極酸化皮膜、 １０…半導体層、
１１…陰極層、１４…コンデンサ素子、 １６…固体電
解コンデンサ。
Claims (1)
- 【請求項１】 陽極リード線の一端を入れ、他端を引き
出した、弁作用金属の粉末からなる粉末体に、陽極酸化
皮膜、半導体層及び陰極層を順次設け、この陰極層に陰
極端子を接続した固体電解コンデンサにおいて、焼結体
の中心部よりも陰極端子側に近い位置に一端を入れた陽
極リード線を有することを特徴とする固体電解コンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8069332A JPH09237743A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8069332A JPH09237743A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09237743A true JPH09237743A (ja) | 1997-09-09 |
Family
ID=13399498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8069332A Pending JPH09237743A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09237743A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030060451A (ko) * | 2002-01-09 | 2003-07-16 | 파츠닉(주) | 탄탈 콘덴서의 구조 |
| JP2008270536A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2012104793A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US20220310328A1 (en) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrolytic capacitor |
| WO2023181748A1 (ja) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 表面実装型固体電解コンデンサ、モジュールおよび電子機器 |
-
1996
- 1996-02-29 JP JP8069332A patent/JPH09237743A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030060451A (ko) * | 2002-01-09 | 2003-07-16 | 파츠닉(주) | 탄탈 콘덴서의 구조 |
| JP2008270536A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2012104793A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US20220310328A1 (en) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrolytic capacitor |
| US11984271B2 (en) * | 2021-03-25 | 2024-05-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrolytic capacitor having reduced equivalent series resistance |
| WO2023181748A1 (ja) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 表面実装型固体電解コンデンサ、モジュールおよび電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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