JPH08153650A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】導電性高分子化合物を固体電解質とする固体電
解コンデンサにおいて、高分子化合物層形成時の反応液
の這い上りに基づく漏れ電流発生を、容量出現率を犠牲
にすることなく、防止する。 【構成】導電性高分子化合物層形成（ステップＳ５）に
先立って、陽極リード根元部分および焼結体の陽極リー
ド植立面に溌水性樹脂層を形成する（ステップＳ３）。
溌水性樹脂として紫外線硬化型シリコーン樹脂を用いる
ので、硬化の過程で熱を加える必要がなく、加熱され低
粘度化した溌水性樹脂の焼結体中への浸透に起因する容
量出現率の減少はない。溌水性樹脂層の形成（ステップ
Ｓ３）は、陽極酸化皮膜形成（ステップＳ４）の前でも
良いが、後にすると、漏れ電流発生をより効果的に防止
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、タンタルやニオブなど
のような弁作用金属の粉末成形体あるいはエッチング箔
を用いた固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に、
固体電解質層として導電性高分子化合物を用いた固体電
解コンデンサの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】弁作用金属を用いた固体電解コンデンサ
は、図６（ｃ）中の○で囲った部分拡大断面図に示すよ
うに、基本的に、弁作用金属１を陽極側電極とし、その
陽極側の弁作用金属を酸化して得た酸化金属皮膜２を誘
電体とし、酸化金属皮膜２上に形成した固体電解質３及
びその上の導体層４を陰極側電極とする構造を持つ。弁
作用金属としてはタンタルやニオブなどがよく知られて
おり、その酸化金属皮膜の形成には、通常、陽極酸化法
が用いられる。又、陰極側電極の一部をなす導体層４に
は、グラファイト層５、銀ペースト層６を重ねた多層構
造膜が、多用されている。このような構造の固体電解コ
ンデンサは、概ね次の工程を経て製造される。その製造
工程を、タンタルを用いたコンデンサを例にし図６
（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。 工程 タンタル粉末を円柱状あるいは四角柱状に成形する。こ
の成形体の一方の底面には、同じタンタルの線材８を植
立しておく。このタンタル線８は、コンデンサ内部の電
気的接続のための内部リードとなるものであって、後
に、酸化タンタル皮膜（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）形成のための陽極
酸化工程（後述）でのリード端子ともなる。このタンタ
ル線８を以後、陽極リードと呼ぶ。 工程 上述の陽極リード付き粉末成形体を焼結し、表面積の非
常に大きいタンタル焼結体ペレット（以後、ペレットと
記す）９を得る（図６（ａ））。 工程 ペレット９を、例えば硝酸溶液のような酸性溶液中に浸
漬し電圧を印加して陽極酸化を行い、金属タンタル１表
面に酸化タンタル皮膜２を形成する。この際、作業能率
向上のために、図６（ｂ）に示すように、一つの帯状金
属製支持材１０に多数のペレット９を取り付け、この複
数のペレットを一つの溶液槽中に浸して電圧を印加し、
陽極酸化を一度に行う。支持材１０へのペレット９の取
り付けは、各ペレットの陽極リード８を上記の支持材１
０に溶接することにより、行う。以後の工程は、この支
持材１０の単位で行われる。 工程 陽極酸化が終った後、酸化タンタル皮膜２上に固体電解
質層３を形成する。

【０００３】固体電解質には、従来、例えば硝酸マンガ
ンの熱分解によるもののような、熱分解二酸化マンガン
が多用されているが、近年、導電性高分子化合物を用い
るものが、導電性の良さや製造工程中での熱履歴の緩和
などの点から、注目されている。本発明はこのような、
導電性高分子化合物を固体電解質として用いるコンデン
サに関るものである。

【０００４】導電性高分子化合物層３の形成は、通常、
次のようにして行われる。酸化タンタル皮膜形成済みの
ペレットを導電性高分子化合物のモノマーを含む反応液
に一定時間浸漬し、多孔質焼結体の内部にモノマーを充
填する。その後、酸化剤を含む反応液に一定時間浸漬
し、−５０℃〜室温付近で酸化重合させる。これら一連
の操作であるモノマーの充填、酸化剤との接触、酸化重
合を数回繰り返して導電性高分子化合物層を形成する。
尚、ペレットを反応液に浸漬する順序は、酸化剤の方を
先にしてモノマーへの浸漬を後にしても、良い。 工程 次いで、固体電解質上３にグラファイト層５、銀ペース
ト層６を順次形成して、陰極導体層４とする。 工程 更に、前述の工程で支持材１０に溶接しておいた陽極
リード８を切断し、支持材１０とペレット９とを分離す
る（図６（ｃ））。切断位置は、陽極リード８の中間と
し、ペレット９に陽極リード８が残るようにする。この
状態のものを、以後、コンデン素子と呼ぶこととする。 工程 切り離したコンデンサ素子１１に、外部との電気的接続
の端子となる外部陽極リード端子および外部陰極リード
端子を取り付ける。この場合、外部陽極リード端子の取
付けは、下記のようにして行う。すなわち、図６（ｄ）
に示すように、帯状の部分から外部陽極リード端子とな
るべき金属片１２が櫛の歯状に多数飛び出した形状の金
属製陽極端子部材１３を用意し、金属片１２にコンデン
サ素子の陽極リード８を溶接する。一方、外部陰極リー
ド端子の取付けは、同様に、帯状の部分から外部陰極リ
ード端子となるべき金属片１４が櫛の歯状に飛び出した
形状の金属製陰極端子部材１５を用い、金属片１４とコ
ンデンサ素子の陰極導体層４とを導電性接着剤１６で接
着することにより、行う。 工程 トランスファ成形などによりコンデンサ素子に樹脂外装
を施すと共に、これを封止する（図示は、省略）。 工程 陽極端子部材１３及び陰極端子部材１５それぞれの帯状
部分から、外部陽極リード端子１２及び外部陰極リード
端子１４を切り離した後、それぞれの外部リード端子１
２，１４を外装樹脂に沿って折り曲げてリード成形を行
い（図示は、省略）、コンデンサを完成する。

【０００５】尚、上記の製造工程に関する説明は、主
に、二酸化マンガンを用いる固体電解コンデンサの製造
工程に基づき、導電性高分子化合物を用いるコンデンサ
にも適用し得る工程について説明したが、導電性高分子
化合物を用いるコンデンサの場合には、工程におい
て、帯状の単なる支持材１０（図６（ｂ）参照）を用い
るのに代えて、工程で用いる、外部陽極リード端子１
２が櫛の歯状に飛び出した陽極端子部材１３（図６
（ｄ）参照）を用いれば、工程での陽極リード切断作
業（図６（ｃ））と工程での陽極リード再溶接作業
（図６（ｄ））とをそれぞれ減らすことができる。この
ことにより、製造コストを低減できるのみならず、切
断、溶接作業に伴うストレスによる酸化タンタル皮膜の
損傷を防止し、コンデンサの信頼性を向上させ得る。

【０００６】これは、二酸化マンガンを用いるコンデン
サでは、上記のようにすると、硝酸マンガンの熱分解時
の熱と発生ガスとにより、外部陽極リード端子１２と陽
極リード８との溶接部分が酸化し劣化してしまうことか
ら、工程で硝酸マンガンの熱分解に先立って溶接され
た部分はそのままでは外部陽極リード端子として用いる
ことができないのに対し、導電性高分子化合物を固体電
解質として用いる場合には、その形成時にペレットが高
温に曝されることがないことから、そのまま外部陽極リ
ード端子として用いることが可能であるからである。

【０００７】ところで、上述したように、固体電解コン
デンサには、固体電解質として二酸化マンガンを用いる
ものと、導電性高分子化合物を用いるものとがある。こ
れら固体電解質はいずれの場合も、当然、酸化タンタル
皮膜上にのみ形成されるべきものであって、陽極側の金
属、すなわちタンタル焼結体や陽極リードの金属面露出
部に接触してはならない。しかるに、熱分解二酸化マン
ガンを用いたコンデンサでは、従来、二酸化マンガンの
形成時に、いわゆる「陽極リードへの半導体母液の這い
上り」現象が生じ、時として、陽極リードと二酸化マン
ガンとが接触しコンデンサとしての漏れ電流が大きくな
り、甚だしいときはコンデンサ特性が失われるという事
故が発生することが良く知られている。

【０００８】上述のような陽極リードと二酸化マンガン
との接触を防ぐ方法として、従来、上記工程の二酸化
マンガン形成工程に先立ち、陽極リードの植立根元部分
（焼結体の陽極リード植立面を含む）に溌水性の樹脂層
を形成することが、一般に行われている。このような溌
水性樹脂を用いた這い上り防止技術が、例えば、特公平
１ー４４００８号公報、特公平ー４１２４４号公報、特
開昭５８ー１５４２２４号公報あるいは、特開昭５９ー
１３５７１６号公報に開示されており、そこでは溌水性
樹脂として、例えば４弗化エチレンなどのような、硝酸
マンガンの熱分解温度でも分解しない高耐熱性の弗素系
樹脂が用いられている。

【０００９】これに対し、導電性高分子化合物を固体電
解質として用いるコンデンサの分野においては、従来、
高分子化合物の陽極リードへの這い上り現象に関する報
告はは見当らず、又、そのような這い上りに対する防止
対策を施したコンデンサも知られていない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、導電性高
分子化合物を用いるコンデンサにおいても、二酸化マン
ガンの形成時と同様な、反応液の陽極リードへの這い上
りが生じることを見出した。そこで、二酸化マンガンを
用いるコンデンサにおける這い上り防止に用いられる弗
素系高耐熱性樹脂から４弗化エチレンを選び、これを導
電性高分子化合物を用いるコンデンサに適用したとこ
ろ、高分子化合物層形成用反応液の這い上りを完全には
防止できなかった。これは、二酸化マンガン形成のため
の半導体母液である硝酸マンガンに比べて、高分子化合
物層形成用反応液の濡れ性の方が良いことによるもので
あった。

【００１１】一方、溌水性を持つ樹脂としては、上記弗
素系樹脂の外に、例えば特開昭６２ー２５１８号公報や
特開平３ー１０５９０６号公報に記載されているよう
な、熱硬化型シリコーン樹脂が知られている。この樹脂
は、前者の公報にあっては、二酸化マンガンを用いた固
体電解コンデンサにおいて、陽極リードと外部陽極リー
ド端子との溶接部を、硝酸マンガンの熱分解工程での腐
蝕性発生ガスから保護するためのものであり、一方、後
者の公報にあっては、ディップ型セラミックコンデンサ
において、リード端子根元部分での「紛体樹脂垂れ」発
生を防止するためのものであって、それぞれ異る目的の
ためのものではあるが、「陽極リードへの液の這い上り
防止」にも適用可能であろうと考えられた。そこで、市
販されている熱硬化型シリコーン樹脂を用い、導電性高
分子化合物層形成に先立って陽極リード上およびリード
植立面上に溌水部材層を形成したところ、反応液の這い
上りは防止され、シリコーン樹脂の溌水性が良好なこと
が確められたものの所定の容量値が得られず、容量出現
率が低下してしまった。これは、陽極リード植立面上に
形成されたシリコーン樹脂の粘度が樹脂硬化のための加
熱により低下し、樹脂がリード植立面側から多孔質焼結
体内部に浸透した結果、リード植立面側の焼結体表面近
傍の酸化タンタル皮膜上にシリコーン樹脂皮膜が形成さ
れ、その部分の酸化皮膜が誘電体層として寄与しなかっ
たためと考えられる。

【００１２】従って、本発明は、導電性高分子化合物を
固体電解質として用いる固体電解コンデンサを製造する
方法であって、高分子化合物層形成時の反応液の陽極リ
ードへの這い上りを防止する方法を提供し、漏れ電流の
小さいコンデンサを製造可能にすることである。

【００１３】本発明は、又、上記の這い上り防止に当っ
て、容量出現率を低下させない方法を提供することを目
的とするものである。

【００１４】本発明は更に、導電性高分子化合物が室温
以下の低温で形成可能であるという利点を生かし、外部
陽極リード端子と陽極リードの溶接を誘電体酸化皮膜形
成に先立って行った場合でも金属部分の酸化、溶接部の
劣化が起らないようにして、製造工数の削減および誘電
体酸化皮膜の損傷低減を可能にすることを目的とするも
のである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の固体電解コンデ
ンサの製造方法は、弁作用金属の粉末成形体或いは箔に
弁作用金属線を陽極リードとして植立して成る拡面化さ
れた陽極体を形成する工程と、その陽極体表面に誘電体
層となる酸化皮膜を形成する工程と、前記誘電体酸化皮
膜上に導電性高分子化合物から成る固体電解質層を形成
する工程とを含む固体電解コンデンサの製造方法におい
て、前記導電性高分子化合物層の前記陽極リードへの這
い上りを防止するために、前記固体電解質層形成に先立
って、前記陽極体の陽極リード植立面及び前記陽極リー
ドの植立根元部分に溌水性樹脂からなる這い上り防止材
を配設する工程を備えることを特徴とする。

【００１６】前記這い上り防止材用の溌水性樹脂とし
て、紫外線硬化型のシリコーン樹脂を用いる。

【００１７】上記の製造工程順は、前記陽極体形成工
程、前記這い上り防止材配設工程、前記酸化皮膜形成工
程、前記固体電解質層形成工程の順、又は、前記陽極体
形成工程、前記酸化皮膜形成工程、前記這い上り防止材
配設工程、前記固体電解質層形成工程の順であることを
特徴とする。

【００１８】そして、前記陽極体形成後の前記這い上り
防止材配設に先立って又は、前記陽極体形成後の前記酸
化皮膜形成に先立って、前記陽極リードを、外部との電
気的接続のための外部陽極リード端子となるべき部分を
含む金属製部材に溶接する工程を備えることを特徴とす
る。

【００１９】

【作用】本発明の適用対象である、導電性高分子化合物
を固体電解質として用いるコンデンサでは、熱分解二酸
化マンガンを用いるコンデンサとは異って、高分子化合
物層の形成が室温以下の低温で行われる。従って、溌水
性樹脂の選択に当って、その分解温度を特に考慮する必
要がなく、４弗化エチレンなどのような高耐熱性弗素系
樹脂よりも溌水性の強いシリコーン樹脂を用いることが
できる。

【００２０】本発明では、シリコーン樹脂の中でも、紫
外線硬化型のシリコーン樹脂を用いる。紫外線硬化型シ
リコーン樹脂は、熱硬化型シリコーン樹脂とは異り、硬
化させるに当って加熱を要しない。従って、その加熱に
伴う樹脂の粘度低下、多孔質焼結体中への浸透およびリ
ード植立面近傍での容量の低下はなく、容量出現率が高
い。

【００２１】導電性高分子化合物層の形成温度が低く、
又、溌水性シリコーン樹脂の硬化に必要な紫外線照射に
よる熱負荷も小さいので、コンデンサ素子は実質的に室
温以上の熱履歴を受けない。従って、陽極リードと外部
陽極リード端子との溶接を、誘電体酸化皮膜形成のため
の陽極酸化に先立って行っても、金属部分の酸化、溶接
部の劣化は起らず、そのまま外部陽極リード端子として
用いることができる。従って、本発明の製造方法によれ
ば、陽極リードの切断、再溶接をそれぞれ省くことがで
きるので、製造工数の削減、誘電体酸化皮膜の損傷防止
が可能である。

【００２２】

【実施例】次に、本発明の好適な実施例を、図１〜図５
を用い、従来の製造方法と比較して説明する。図１は、
本発明の製造方法における製造工程順の一例を示すフロ
ーチャート図であり、図２は、本発明の実施例によるコ
ンデンサの外観を、製造工程順に示す図である。又、図
３は、本発明の製造方法における製造工程順の他の例を
示すフローチャート図であり、図４は、製造工程順の更
に他の例を示すフローチャート図である。図５は、本発
明の他の実施例によるコンデンサの外観を、製造工程順
に示す図である。

【００２３】（実施例１）実施例１のコンデンサを、図
１に示す製造工程フローに従って、作製した。コンデン
サの外観を、図２に製造工程順に示す。

【００２４】先ず、タンタルの微粉末を成形し、長さ１
ｍｍ、直径１ｍｍの円柱状のタンタル微粉末成形体を作
製した。成形体の一方の面には陽極リードとして、直径
０．２ｍｍのタンタル線８を粉末成形時に植立した。こ
のタンタル線付き成形体を焼結し、焼結体ペレット９を
作製した（図１ステップＳ１、図２（ａ））。ペレット
のＣＶ値（１ｇ当りの静電容量値μＦと陽極酸化電圧Ｖ
との積）は、２３，０００／ｇである。

【００２５】次いで、ペレット９の陽極リード８先端
を、鉄製帯状の支持材１０に溶接した（図１ステップＳ
２、図２（ｂ））。

【００２６】次に、ペレット９の陽極リード植立面と陽
極リード８の根元部分に、紫外線硬化型シリコーン樹脂
を塗布した後、室温で主波長３６５ｎｍの光を照射して
シリコーン樹脂を硬化させ（図１ステップＳ３）、シリ
コーン樹脂層１７を形成した（図２（ｃ））。

【００２７】上記のシリコーン樹脂層付きのペレット９
を陽極酸化して、酸化タンタル皮膜を形成した（図１ス
テップＳ４）。陽極酸化は０．１重量％硝酸水溶液中
で、６０Ｖの電圧を印加して行った。

【００２８】その後、酸化タンタル皮膜上に導電性高分
子化合物層を形成した（図１ステップＳ５）。導電性高
分子化合物はポリピロールで、下記の方法により形成し
た。ペレットを２０重量％硝酸鉄のメタノール溶液中に
室温で１分間浸漬し、５０重量％ピロールモノマーのメ
タノール溶液に室温で一分間浸漬した後、空気中で３０
分間保持し化学酸化重合を行わせる。これら一連の操作
である酸化剤の充填、ピロールモノマーとの接触、重合
を１０回繰り返して、黒色のポリピロールを酸化タンタ
ル皮膜上に形成した。

【００２９】更に、ポリピロール層の上に、グラファイ
ト層、銀ペースト層を順次形成して陰極導体層とした
（図１ステップＳ６）。

【００３０】次に、陽極リード８をその植立面から１ｍ
ｍの位置で切断し、コンデンサ素子１１を支持材１０か
ら切り離した（図１ステップＳ７、図２（ｄ））。

【００３１】切り離したコンデンサ素子１１は、次工程
をバッチ処理するため、陽極端子部材１３及び陰極端子
部材１５に取り付けた（図１ステップＳ８。図２
（ｅ））。その場合、陽極側は、陽極端子部材１３の櫛
の歯状金属片１２と素子１１の陽極リード８とを溶接し
た。一方、陰極側は、素子１１の陰極導体層４と陰極端
子部材１５の櫛の歯状金属片１４とを導電性接着剤１６
で接続した。陽極、陰極それぞれの端子部材１３，１５
に設けられた金属片１２，１４はそれぞれ、後に、外部
陽極リード端子、外部陰極リード端子となる部分であ
る。

【００３２】その後、トランスファ成形により樹脂外装
した（図１ステップＳ９）。更にその後、外部陽極リー
ド端子１２、外部陰極リード端子１４をそれぞれの帯状
支持部分から切り離し、リード成形を行って、本実施例
のタンタル固体電解コンデンサを完成させた。

【００３３】完成したコンデンサの漏れ電流の不良率と
容量出現率とを、表１に示す。

【００３４】（実施例２）実施例２のコンデンサを、図
３の製造工程フローに従って、作製した。コンデンサの
外観を、製造工程順に図２に示す。

【００３５】実施例１と同じペレット９を用いて、実施
例１と同様な方法で、鉄製の支持材１０に取り付けた
（図３ステップＳ１〜Ｓ２、図２（ａ）〜（ｂ））。

【００３６】次に、陽極酸化を行った（図３ステップＳ
４）。陽極酸化の方法、条件は、実施例１と同じであ
る。

【００３７】この酸化タンタル皮膜形成済みのペレット
９の陽極リード植立面と陽極リード根元部分に紫外線硬
化型シリコーン樹脂を塗布した後、室温で主波長３６５
ｎｍの光を照射してシリコーン樹脂を硬化させ（図３ス
テップＳ３）、シリコーン樹脂層１７を形成した（図２
（ｃ））。

【００３８】以下、実施例１と同様の方法で、導電性高
分子化合物層としてのポリピロール層、陰極導体層とし
てのグラファイト層および銀ペースト層を形成し（図３
ステップＳ５〜Ｓ６）、支持材１０から陽極リード８を
切り離した（図３ステップＳ７、図２（ｄ））。その
後、陽極リード８と陽極端子部材１３の外部陽極リード
端子１２とを溶接し、又、陰極導体層４と陰極端子部材
１５の外部陰極リード端子１４とを導電性接着剤１６で
接着し（図２（ｅ））、樹脂外装を施し、リード成形を
行って本実施例のタンタル固体電解コンデンサを完成さ
せた。

【００３９】本実施例が先の実施例１と異るのは、這い
上り防止のためのシリコーン樹脂層１７（図２（ｃ））
の形成工程が、酸化タンタル皮膜形成工程の前（実施例
１）か、後（実施例２）かの点である。実施例２のコン
デンサの漏れ電流不良率と容量出現率とを、表１に示
す。

【００４０】（実施例３）実施例３のコンデンサを、図
４の製造工程フローに従って、作製した。コンデンサの
外観を、製造工程順に図５に示す。

【００４１】実施例１と同じペレット９を用い（図４ス
テップＳ１、図５（ａ））、その陽極リード８を陽極端
子部材１３の櫛の歯状金属片１２に溶接した（図４ステ
ップＳ２０、図５（ｂ））。この陽極端子部材１３は、
実施例１のステップＳ８（図１参照）で用いたものと、
材料、外形、寸法など構造が同一であり、櫛の歯状金属
片１２は、後に外部陽極リード端子となるべき部分であ
る。

【００４２】次に、このペレット９の陽極リード植立面
と陽極リード根元部分に紫外線硬化型シリコーン樹脂を
塗布し、室温で主波長３６５ｎｍの光を照射して硬化さ
せて（図４ステップＳ３）、シリコーン樹脂層１７を形
成した（図５（ｃ））。

【００４３】その後、実施例１と同様にして、酸化タン
タル皮膜、ポリピロール層、グラファイト層、銀ペース
ト層を順次形成した（図４ステップＳ４〜Ｓ６）。

【００４４】次に、陰極導体層４と陰極端子部材１５の
外部陰極リード端子１４とを、導電性接着剤１６で接着
した（図４ステップＳ８０、図５（ｄ））。

【００４５】更に、実施例１と同様にして、コンデンサ
素子に樹脂外装を施し、陽極、陰極の両外部リード端子
の成形を行って、本実施例のコンデンサを完成させた。

【００４６】本実施例が実施例１と異るのは、陽極リー
ド８と外部陽極リード端子１２との溶接を製造工程の初
期に、ペレット成形の直後に行っている（図４ステップ
Ｓ２０）点と、このことに関連して、コンデンサ素子へ
の外部陽極リード端子および外部陰極リード端子の取り
付け（図４ステップＳ８０、図５（ｄ））に際して、陰
極導体層と外部陰極リード端子とを接着するだけで済む
点とである。本実施例では、図４ステップＳ２０で用い
た陽極端子部材１３の金属片１２（図５（ｂ）参照）が
そのまま、外部陽極リード端子となる。

【００４７】本実施例によるコンデンサの漏れ電流不良
率と容量出現率とを、表１に示す。又、シリコーン樹脂
層１７を形成した後の陽極端子部材１３（図５（ｃ）参
照）のはんだ付け性をメニスコグラフ法で調べた結果
を、表２に示す。

【００４８】（比較例１）実施例１と同一のペレットを
用い、這い上り防止対策を施さない点が実施例１とは異
るコンデンサを作製した。すなわち、図１及び図２を一
部参照して、実施例１に用いたと同じペレット９を、実
施例１と同じ方法で支持材１０に取り付け（図１ステッ
プＳ２、図２（ｂ））、その後、直ちに陽極酸化を行い
酸化タンタル皮膜を形成した（図１ステップＳ４）。

【００４９】この酸化タンタル皮膜形成済みのペレット
に、実施例１と同様な方法で、ポリピロール層、グラフ
ァイト層、銀ペースト層を順次形成した後、陽極端子部
材および陰極端子部材に取り付け、樹脂で外装し、リー
ド成形を行って本比較例のタンタル固体電解コンデンサ
を完成させた。

【００５０】完成したコンデンサの漏れ電流の不良率と
容量出現率とを、表１に示す。

【００５１】（比較例２）実施例１と同一のペレットを
用いて、這い上り防止材が４弗化エチレンを主成分とす
るポリフロンペーストからなる点が実施例１とは異るコ
ンデンサを作製した。すなわち、図１及び図２を一部参
照して、実施例１に用いたと同じペレットを、実施例１
と同様にして支持材１０に取り付けた後、酸化タンタル
皮膜を形成した。

【００５２】この酸化タンタル皮膜形成済みのペレット
９の陽極リード植立面および陽極リード根元部分に、４
弗化エチレンを主成分とするポリフロンペーストを塗布
した後、２５０℃で１時間加熱し硬化させて４弗化エチ
レンの樹脂層を形成した。

【００５３】このペレットに実施例１と同様な方法で、
ポリピロール層、グラファイト層、銀ペースト層を形成
した後、陽極端子部材および陰極端子部材に取り付け、
樹脂外装を施し、リード成形を行って本比較例のタンタ
ル固体電解コンデンサを完成させた。

【００５４】完成したコンデンサの漏れ電流の不良率と
容量出現率とを、表１に示す。

【００５５】（比較例３）実施例１と同一のペレットを
用い、這い上り防止材が熱硬化型シリコーン樹脂である
点が実施例１とは異るコンデンサを作製した。すなわ
ち、図１及び図２を一部参照して、実施例１に用いたと
同じペレットを、実施例１と同様にして支持材１０に取
り付けた後、酸化タンタル皮膜を形成した。

【００５６】この酸化タンタル皮膜形成済みのペレット
９の陽極リード植立面および陽極リード根元部分に、熱
硬化型シリコーン樹脂を塗布した後、１５０℃で３時間
加熱し硬化させてシリコーン樹脂層を形成した。

【００５７】このペレットに実施例１と同様な方法で、
ポリピロール層、グラファイト層、銀ペースト層を形成
した後、陽極端子部材および陰極端子部材に取り付け、
樹脂外装を施し、リード成形を行って本比較例のタンタ
ル固体電解コンデンサを完成させた。

【００５８】完成したコンデンサの漏れ電流の不良率と
容量出現率とを、表１に示す。

【００５９】（比較例４）実施例３と同じペレットを用
い、這い上り防止材が熱硬化型シリコーン樹脂である点
が実施例３とは異るコンデンサを作製した。すなわち、
図４及び図５を一部参照して、実施例３と同じペレット
９を用い、その陽極リード８を、陽極端子部材１３の櫛
の歯状金属片（外部陽極リード端子）１２に溶接した
（図４ステップＳ２０、図５（ｂ））。この陽極端子部
材１３は、実施例３で用いたものと同じ構造である。

【００６０】次に、このペレット９の陽極リード植立面
と陽極リード根元部分に熱硬化型シリコーン樹脂を塗布
し、１５０℃で３時間加熱して硬化させ、シリコーン樹
脂層を形成した。

【００６１】その後、実施例３と同様にして、酸化タン
タル皮膜、ポリピロール層、グラファイト層、銀ペース
ト層を順次形成した。

【００６２】次に、陰極導体層４と陰極端子部材１５の
外部陰極リード端子１４とを、導電性接着剤１６で接着
し、更に、実施例３と同様にして、コンデンサ素子に樹
脂外装を施し、陽極、陰極の両外部リード端子の成形を
行って、本実施例のコンデンサを完成させた。

【００６３】本比較例によるコンデンサの漏れ電流不良
率と容量出現率とを、表１に示す。又、シリコーン樹脂
層を形成した後の陽極端子部材１３（図５（ｃ）参照）
のはんだ付け性をメニスコグラフ法で調べた結果を、表
２に示す。

【００６４】

【表１】

【００６５】

【表２】

【００６６】表１を参照すると、這い上り防止対策を施
さないコンデンサ（比較例１）及び這い上り防止材が４
弗化エチレンを主成分とするもの（比較例２）では、漏
れ電流不良率が９０％を超えているのに対し、這い上り
防止材が熱硬化型シリコーン樹脂のコンデンサ（比較例
３，４）及び紫外線硬化型シリコーン樹脂のもの（実施
例１，２，３）では漏れ電流不良率が１０％程度であ
る。このことから、シリコーン樹脂により、高分子化合
物層形成時の反応液の陽極リードヘの這い上りが確実に
防止されていることが分る。しかしながら、比較例３，
４は、漏れ電流不良率が低いものの、容量出現率は８０
％と、他の構造のコンデンサが９５％前後であるのに比
べて、小さい。

【００６７】これらのことから、溌水性樹脂が弗素系樹
脂である場合には、導電性高分子化合物層形成用反応液
の高い濡れ性に基づく大きな這い上りを確実に阻止する
ことは困難であり、一方、溌水性樹脂が熱硬化型シリコ
ーン樹脂である場合は、反応液の這い上りを阻止するこ
とは可能であるものの、硬化時の加熱により低粘度化し
たシリコーン樹脂の焼結体中への浸透に起因する、容量
出現率の低下が避けられないことが分る。

【００６８】これに対し、実施例１〜３はいずれも、漏
れ電流不良率は１０％程度と低く、しかも、容量出現率
は９５％と高い。これは、紫外線硬化型シリコーン樹脂
にあってはその硬化に当って加熱を要しないことから、
硬化過程でシリコーン樹脂が焼結体中に浸透することが
少ないことによるものと考えられる。

【００６９】ここで、実施例１と実施例２とで漏れ電流
不良率を比較した場合、両者の間には特に差は見られな
い。しかしながら、先ず陽極酸化を行い陽極リード上に
酸化タンタル皮膜を形成した後、その上に溌水性樹脂層
を形成した構造（実施例２）の方が、先に溌水性樹脂層
を形成し、その後に酸化タンタル皮膜を形成した構造
（実施例１）よりも、高分子化合物層形成時の這い上り
を確実に防止できることは、明かであろう。

【００７０】次に、表２を参照すると、メニスコグラフ
法によるはんだ付け性の評価におけるゼロクロス時間
は、実施例３の方が比較例４よりも短く、はんだ付け性
が良好であることが分る。すなわち、実施例３では、製
造工程の初期（図４ステップＳ２０）に陽極リード８と
溶接した陽極端子部材１３（図５（ｂ）参照）は、その
のままコンデンサの外部陽極リード端子として使用可能
である。これは、溌水性樹脂として熱硬化型シリコーン
樹脂を用いた場合には、その硬化時の加熱により陽極リ
ード及び陽極端子部材（図４（ｂ）参照）表面が酸化さ
れるのに対して、紫外線硬化型シリコーン樹脂を用いた
コンデンサ（実施例３）では、樹脂の硬化に際して熱を
受けないことから、そのような金属部材の酸化が起らな
いためである。実施例２の製造工程によれば、陽極リー
ド８の支持材１０からの切断（図１ステップＳ７）及
び、陽極端子部材１３への再溶接（図１ステップＳ８）
が省略可能となる。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、固体電
解コンデンサの固体電解質層形成時の「液の這い上り防
止」材として、４弗化エチレンなどのような高耐熱性弗
素系樹脂よりも溌水性の強いシリコーン樹脂を用いる。
これにより本発明によれば、二酸化マンガンの半導体母
液よりも這い上り性の強い導電性高分子化合物層形成用
反応液を用いる固体電解コンデンサの場合にも、反応液
の這い上りを確実に阻止できる。

【００７２】本発明では、シリコーン樹脂の中でも、紫
外線硬化型のシリコーン樹脂を用いる。紫外線硬化型シ
リコーン樹脂は、熱硬化型シリコーン樹脂とは異って、
硬化させるに当って加熱を要しない。従って本発明によ
れば、硬化のための加熱に伴う樹脂の粘度低下、多孔質
焼結体中への浸透およびリード植立面近傍での容量の低
下がないので、容量出現率の高い固体電解コンデンサを
提供できる。

【００７３】導電性高分子化合物層の形成温度が低く、
又、シリコーン樹脂の硬化時における紫外線照射による
熱負荷も小さいので、コンデンサ素子は実質的に室温以
上の熱履歴を受けない。従って、陽極リードと外部陽極
リード端子との溶接を、誘電体酸化皮膜形成のための陽
極酸化に先立って行っても、両者の溶接部分や金属表面
の酸化、劣化は起らず、そのまま外部陽極リード端子と
して用いることができる。これにより本発明によれば、
陽極リードの切断、再溶接を省くことができるので、そ
れらの作業に伴なう誘電体酸化皮膜損傷のない、信頼性
の高い固体電解コンデンサを低コストで提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法における製造工程順の一例を
示す製造工程フローチャート図である。

【図２】本発明により製造されるコンデンサの外観を製
造工程順に示す図である。

【図３】本発明の製造方法における製造工程順の他の例
を示す製造工程フローチャート図である。

【図４】本発明の製造方法における製造工程順の更に他
の例を示す製造工程フローチャート図である。

【図５】本発明により製造されるコンデンサの外観を製
造工程順に示す図である。

【図６】従来の製造方法により製造される固体電解コン
デンサの外観を製造工程順に示す図である。

【符号の説明】

１ 弁作用金属（タンタル） ２ 酸化金属皮膜（酸化タンタル皮膜） ３ 固体電解質層 ４ 導体層 ５ グラファイト層 ６ 銀ペースト層 ８ タンタル線（陽極リード） ９ ペレット １０ 支持材 １１ コンデンサ素子 １２ 金属片（外部陽極リード端子） １３ 陽極端子部材 １４ 金属片（外部陰極リード端子） １５ 陰極端子部材 １６ 導電性接着剤 １７ シリコーン樹脂層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 弁作用金属の粉末成形体或いは箔に弁作
   用金属線を陽極リードとして植立して成る拡面化された
   陽極体を形成する工程と、その陽極体表面に誘電体層と
   なる酸化皮膜を形成する工程と、前記誘電体酸化皮膜上
   に導電性高分子化合物から成る固体電解質層を形成する
   工程とを含む固体電解コンデンサの製造方法において、 前記導電性高分子化合物層の前記陽極リードへの這い上
   りを防止するために、前記固体電解質層形成に先立っ
   て、前記陽極体の陽極リード植立面及び前記陽極リード
   の植立根元部分に溌水性樹脂からなる這い上り防止材を
   配設する工程を備えることを特徴とする固体電解コンデ
   ンサの製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の固体電解コンデンサの製
   造方法において、 前記這い上り防止材用の溌水性樹脂として、紫外線硬化
   型のシリコーン樹脂を用いることを特徴とする固体電解
   コンデンサの製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の固体電解コンデンサの製
   造方法において、 製造工程順が、前記陽極体形成工程、前記這い上り防止
   材配設工程、前記酸化皮膜形成工程、前記固体電解質層
   形成工程の順であることを特徴とする固体電解コンデン
   サの製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１記載の固体電解コンデンサを製
   造方法において、 製造工程順が、前記陽極体形成工程、前記酸化皮膜形成
   工程、前記這い上り防止材配設工程、前記固体電解質層
   形成工程の順であることを特徴とする固体電解コンデン
   サの製造方法。
5. 【請求項５】 請求項３又は請求項４記載の固体電解コ
   ンデンサの製造方法において、 前記陽極体形成後の前記這い上り防止材配設に先立って
   又は、前記陽極体形成後の前記酸化皮膜形成に先立っ
   て、前記陽極リードを、外部との電気的接続のための外
   部陽極リード端子となるべき部分を含む金属製部材に溶
   接する工程を備えることを特徴とする固体電解コンデン
   サの製造方法。