JPS5885515A - チツプ型コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
チツプ型コンデンサおよびその製造方法Info
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- JPS5885515A JPS5885515A JP18406581A JP18406581A JPS5885515A JP S5885515 A JPS5885515 A JP S5885515A JP 18406581 A JP18406581 A JP 18406581A JP 18406581 A JP18406581 A JP 18406581A JP S5885515 A JPS5885515 A JP S5885515A
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- JP
- Japan
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- conductive layer
- tin
- chip
- nickel
- copper
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明はチップ型コンデンサおよびその製造方法に関し
、特にチップ型コンデンサの端子′開極の構成に関する
。
、特にチップ型コンデンサの端子′開極の構成に関する
。
従来、＆層セラミックコンデンサ等のチップ型コンデン
サの端子電極は嫁、パラジウム、白金等の金属にガラス
７リツト、有機バインダー、溶剤等を適当量混合して形
成したペーストをコンデンサ素子の端子部に塗布した後
、温度８００〜９００’０にて焼結して形成されていた
。
サの端子電極は嫁、パラジウム、白金等の金属にガラス
７リツト、有機バインダー、溶剤等を適当量混合して形
成したペーストをコンデンサ素子の端子部に塗布した後
、温度８００〜９００’０にて焼結して形成されていた
。
しかしながら、銀は半田付は時の半田くわれ性の問題が
あり、かつ近年の賞金属かの高騰により最近では無電解
メッキ法等でコンデンサ素子の全面にニッケル等の金属
層を形成し、欠に不要部分の金属層のみをエツチングな
どで除去した後、残った金属層上に錫または錫合金メッ
キ層を形成する改良手段がとられてきている。
あり、かつ近年の賞金属かの高騰により最近では無電解
メッキ法等でコンデンサ素子の全面にニッケル等の金属
層を形成し、欠に不要部分の金属層のみをエツチングな
どで除去した後、残った金属層上に錫または錫合金メッ
キ層を形成する改良手段がとられてきている。
しかし、上述した従来の改良手段では、金属増形収後（
１）コンデンサ素子の端子部分にエツチングレジスト皮
膜等を形成した後、コンデンサ素子をエツチング液等に
浸漬して不要部分の金属層を除去する。 （２）不要部
分の金属層を除去した後に端子部分を被覆したエツチン
グレジスト皮膜等を除去する。などの工程が必要とカシ
、端子電極材料費のコストダウンがはかられたにもかか
わらず工数の増加をきたし、量産性に適さないという欠
点があった。また、エツチング法等によ）金属層を除去
スる場合、エツチングレジスト皮膜等により、債われて
いるコンデンサ素子の端子部分にも工・ソチンダ液がし
み込み、端子電極として必要な箇所の金楓層全も除去し
てし壕うという欠点があった。
１）コンデンサ素子の端子部分にエツチングレジスト皮
膜等を形成した後、コンデンサ素子をエツチング液等に
浸漬して不要部分の金属層を除去する。 （２）不要部
分の金属層を除去した後に端子部分を被覆したエツチン
グレジスト皮膜等を除去する。などの工程が必要とカシ
、端子電極材料費のコストダウンがはかられたにもかか
わらず工数の増加をきたし、量産性に適さないという欠
点があった。また、エツチング法等によ）金属層を除去
スる場合、エツチングレジスト皮膜等により、債われて
いるコンデンサ素子の端子部分にも工・ソチンダ液がし
み込み、端子電極として必要な箇所の金楓層全も除去し
てし壕うという欠点があった。
本発明の目的はかかる従来欠点全解消した、チップ型コ
ンデンサおよびその製造方法を提供することにある。
ンデンサおよびその製造方法を提供することにある。
本発明によれば、コンデンサ素子の端子部の表面に鋼、
ガラスフリット、有機バインダーよりなるペーストを塗
布した後、窒素を主成分とする還元性雰囲気中の８５０
″Ｃ以下の温度で焼結して銅を被着した第１４篭層と、
この第１導電層上に霜、解メッキ法、又はニッケル、ガ
ラスフリット、有機バインダーよりなるペーストを塗布
した後、窒素を主成分とする還元性雰囲気中の８５０℃
以下の温度で焼結してニッケルを破着した第２導電層と
、この第２導電ノー上に電解メッキ、又は溶融金属中に
浸漬する手段により錫又は錫を主体とする合金を破着し
た第３導電層とからなる端子電極を有すること全特徴と
するチップ型コンデンサおよびその製造方法が得られる
。
ガラスフリット、有機バインダーよりなるペーストを塗
布した後、窒素を主成分とする還元性雰囲気中の８５０
″Ｃ以下の温度で焼結して銅を被着した第１４篭層と、
この第１導電層上に霜、解メッキ法、又はニッケル、ガ
ラスフリット、有機バインダーよりなるペーストを塗布
した後、窒素を主成分とする還元性雰囲気中の８５０℃
以下の温度で焼結してニッケルを破着した第２導電層と
、この第２導電ノー上に電解メッキ、又は溶融金属中に
浸漬する手段により錫又は錫を主体とする合金を破着し
た第３導電層とからなる端子電極を有すること全特徴と
するチップ型コンデンサおよびその製造方法が得られる
。
以下、本発明のチップ型コンデンサおよびその製造方法
の一実施例を第１図を蚕照して説明する。
の一実施例を第１図を蚕照して説明する。
図中、径照符芳ｌは積層セラミック、チップ型コンデン
サ素子（以下コンデンサ素子と略称）である。まずコン
デンサ素子１の両端の端子部分圧第１導１ｗＬ層として
、銅、ガラスフリット、有機バインダーよりなるペース
トを公知の浸漬手段により塗布した後、約８０°０で３
０分間乾燥させる。
サ素子（以下コンデンサ素子と略称）である。まずコン
デンサ素子１の両端の端子部分圧第１導１ｗＬ層として
、銅、ガラスフリット、有機バインダーよりなるペース
トを公知の浸漬手段により塗布した後、約８０°０で３
０分間乾燥させる。
次に眩累良度を１０ ｐｐｍ以下とし、かつ窒素を主成
分とする還元性雰囲気炉中にペーストを温布したコンデ
ンサ素子１を入れて８５０°０以下の温度、好ましくは
５００〜７００°Ｃの温度範囲で約１時間サイクルで加
熱、焼結して銅皮膜２を形成する。銅皮膜２の形成目的
は積層セラミックコンデンサの内部Ｔ４１に通常用いら
れている銀、パラジウム、白金との接続を良好にし、か
つ矢の工程で形成する第２導’＊、ｍの下地金属として
の働きをさせるためである。
分とする還元性雰囲気炉中にペーストを温布したコンデ
ンサ素子１を入れて８５０°０以下の温度、好ましくは
５００〜７００°Ｃの温度範囲で約１時間サイクルで加
熱、焼結して銅皮膜２を形成する。銅皮膜２の形成目的
は積層セラミックコンデンサの内部Ｔ４１に通常用いら
れている銀、パラジウム、白金との接続を良好にし、か
つ矢の工程で形成する第２導’＊、ｍの下地金属として
の働きをさせるためである。
次に第２導電層として第１導電層の銅被膜２上に電解バ
レルメッキ又は、ニッケル、ガラスフリット、有機バイ
ンダーよシなるペーストを塗布した後、窒素を主成分と
する還元性雰囲気中の８５０℃以下の温度で約１時間サ
イクルで加熱焼結することによシ、ニッケル皮膜３を形
成する。
レルメッキ又は、ニッケル、ガラスフリット、有機バイ
ンダーよシなるペーストを塗布した後、窒素を主成分と
する還元性雰囲気中の８５０℃以下の温度で約１時間サ
イクルで加熱焼結することによシ、ニッケル皮膜３を形
成する。
５−
油解バレルメッキは通常用いられる公知の方法で良く、
ペースト塗布の場合はペーストｉ塗布し乾燥した後、鍍
累磯度１１０００ｐｐ以下で窒素を主成分とする還元性
雰囲気中にて８５０°０以下、好ましくは５００〜７０
０”Ｏの範囲内の温度にて焼結させる。
ペースト塗布の場合はペーストｉ塗布し乾燥した後、鍍
累磯度１１０００ｐｐ以下で窒素を主成分とする還元性
雰囲気中にて８５０°０以下、好ましくは５００〜７０
０”Ｏの範囲内の温度にて焼結させる。
ニッケル皮１ｉ！ｉｉ！３の形成目的はハンダ耐熱性の
向上である。
向上である。
矢に第３４重層としてニッケル皮膜３の上に電解バレル
メッキ″！、たけ溶融金属中への浸漬手段によシ、錫ま
たは錫、鉛合金皮膜４を形成する。軍ｍバレルメッキは
通常用いられる公知の方法で良く、溶融金属中への浸漬
手段は、嶋または錫、鉛合金を加熱して２００〜３００
℃で溶融させたものにコンデンサ素子を約３〜５秒間浸
漬させる方法でよい。錫又は錫、鉛合金皮膜４の形成目
的は二。
メッキ″！、たけ溶融金属中への浸漬手段によシ、錫ま
たは錫、鉛合金皮膜４を形成する。軍ｍバレルメッキは
通常用いられる公知の方法で良く、溶融金属中への浸漬
手段は、嶋または錫、鉛合金を加熱して２００〜３００
℃で溶融させたものにコンデンサ素子を約３〜５秒間浸
漬させる方法でよい。錫又は錫、鉛合金皮膜４の形成目
的は二。
ケル皮層３の保護と実装時の半田付性の向上である。上
記本発明の実施例により製造した積層セラミックチップ
型コンデンサの靜［容量ｃ （ｎ Ｆ ）、誘電体狽失
ｔａｎＪ（＠ｋＩＫＨｚ、ＩＶにて測定した６− 結果全次表に示す。表中の値は試料５０個の平均値であ
シ、従来例のものはニッケル無電解メッキ層を形成し、
不要部分を除去した後、端子部分に銅電解メッキ層を形
成しさらに錫合金メッキＮｊを形成したものである。
記本発明の実施例により製造した積層セラミックチップ
型コンデンサの靜［容量ｃ （ｎ Ｆ ）、誘電体狽失
ｔａｎＪ（＠ｋＩＫＨｚ、ＩＶにて測定した６− 結果全次表に示す。表中の値は試料５０個の平均値であ
シ、従来例のものはニッケル無電解メッキ層を形成し、
不要部分を除去した後、端子部分に銅電解メッキ層を形
成しさらに錫合金メッキＮｊを形成したものである。
以上の不発明により（イ）コンデンサ素子全面に金属層
を形成した後、不要部分の金属層を除去する工程が不要
になるのでＪｉｆｆ性の同上がはかれる。
を形成した後、不要部分の金属層を除去する工程が不要
になるのでＪｉｆｆ性の同上がはかれる。
（ロ）さらに不要部分の金属の除去工程が無くなるので
、従来のように端子電極として必要な部分の金楕層壕で
除去してしまうという問題がなくなる。
、従来のように端子電極として必要な部分の金楕層壕で
除去してしまうという問題がなくなる。
０う端子電極が銅被膜、ニッケル皮膜、錫まだは錫合金
皮膜の３層構造であるため、手出耐熱性、半田付性にす
ぐれ、積層セラミックコンデンサ等のようガ内部宵、極
會含むチップ型コンデンサにおいては、内部電極との接
続性もすぐれた信頼性の高いコンデンサの供給ができる
。などの効果があり、その産業的価値は大なるものでる
る。
皮膜の３層構造であるため、手出耐熱性、半田付性にす
ぐれ、積層セラミックコンデンサ等のようガ内部宵、極
會含むチップ型コンデンサにおいては、内部電極との接
続性もすぐれた信頼性の高いコンデンサの供給ができる
。などの効果があり、その産業的価値は大なるものでる
る。
第１図は本発明の一実施例を示すチップ型コンデンサの
断面図である。 ｌ・・・・・・チップ型コンデンサ素子、２・・・・・
・銅皮膜、３、・０．・・ニッケル皮膜、４・・・・・
・錫又は錫、鉛合金皮膜。
断面図である。 ｌ・・・・・・チップ型コンデンサ素子、２・・・・・
・銅皮膜、３、・０．・・ニッケル皮膜、４・・・・・
・錫又は錫、鉛合金皮膜。
Claims (3)
- （１）コンデンサ素子の端子部の表面に銅を被着した第
１導電層と、前記第１導′亀層上にニッケル被着した第
２導電層と、前記第２導電層上に錫又は錫を主体とする
合金を被着した第３導電層とからなる端子電極を有する
ことを特徴とするチップ型コンデンサ。 - （２）コンデンサ素子の端子部分に銅、ガラスフリット
、有機バインダーよりなるペース［１布する工程と、こ
れを還元性雰囲気中の８５０°０以下の温度で焼結して
銅導電層を形成する工程と、前記銅導電層上に電解メッ
キまたはニッケル、ガラスフリット、有機バインダーよ
りなるペースト全塗布し還元性雰囲気中の８５０℃以下
の温度で焼結して、ニッケル導電層を形成する工程と、
前記ニッケル導電層上に軍所メッキまたは溶融金槙中に
浸漬する手段によシ、錫又は錫を主体とする合金の導電
層を形成する工程とからなることを特徴とするチップ型
コンデンサの製造方法。 - （３）前記還元性雰囲気が窒素であることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載のチップ型コンデンサの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18406581A JPS5885515A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | チツプ型コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18406581A JPS5885515A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | チツプ型コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885515A true JPS5885515A (ja) | 1983-05-21 |
Family
ID=16146756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18406581A Pending JPS5885515A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | チツプ型コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885515A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136808A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層形コンデンサ及びその製造方法 |
| JPS63169013A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | 松下電器産業株式会社 | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 |
| JPH02116720U (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-19 | ||
| JPH03175711A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品 |
| JPH04267311A (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-22 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 超電導電流リードの電極形成方法 |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP18406581A patent/JPS5885515A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136808A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層形コンデンサ及びその製造方法 |
| JPS63169013A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | 松下電器産業株式会社 | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 |
| JPH02116720U (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-19 | ||
| JPH03175711A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品 |
| JPH04267311A (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-22 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 超電導電流リードの電極形成方法 |
| JPH0779046B2 (ja) * | 1991-02-21 | 1995-08-23 | 住友重機械工業株式会社 | 超電導電流リードの電極形成方法 |
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