JPS63169013A - チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 - Google Patents
チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法Info
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はチップコンデンサーの電極端子、特に積層型セ
ラミックチップコンデンサーの外部電極端子の形成方法
に関する。
ラミックチップコンデンサーの外部電極端子の形成方法
に関する。
近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求が増大してく
るに従い、これら電子機器の回路を構成する素子のチッ
プ化が必要不可欠となって来ている。
るに従い、これら電子機器の回路を構成する素子のチッ
プ化が必要不可欠となって来ている。
このような状況下にあって、最近ではチップコンデンサ
ー、特に積層型セラミックチップコンデンサーが多くの
電子機器に使用されるようになり、その需要が著しく増
加している。
ー、特に積層型セラミックチップコンデンサーが多くの
電子機器に使用されるようになり、その需要が著しく増
加している。
このようなチップコンデンサーは第２図に示すような構
造をしており、セラミック誘電体１の相対する両端部に
一対の外部電極端子３を形成した構造である。
造をしており、セラミック誘電体１の相対する両端部に
一対の外部電極端子３を形成した構造である。
従来、このようなチップコンデンサーの上記外部電極端
子３を形成するに当つ【は、第３図Ａ−Ｄに示すように
して行なわれている。
子３を形成するに当つ【は、第３図Ａ−Ｄに示すように
して行なわれている。
即ち第３図Ａに示すようなセラミック誘電体１と内部電
極端子２を交互をこ積層して焼結した固片状のコンデン
サー素子を用意し、第３図Ｂ蚤こ示すようを二上記コン
デンサー素子の相対する両端部に、内部型ＩＪｉ ｇｊ
子２の露出部と接触するように銀−ガラス系の導体ペー
ストを塗布し、高温焼成することによって銀ガラス焼結
体からなる一対の外部電極端子３の第一層３ａを形成し
、その後この銀ガラス焼結体からなる第一層３ａの表面
に第３図Ｃに示すようにはんだ付は可能な金属としてニ
ッケルからなる外部電極端子３の第二層３ｂをめっきし
、次いで第３図りに示すように、上記ニッケルめっき第
二層３ｂの上にはんだからなる第三層３ｃをめっきする
ことにより、３層の、金属成分からなる外部電極端子３
を形成している。
極端子２を交互をこ積層して焼結した固片状のコンデン
サー素子を用意し、第３図Ｂ蚤こ示すようを二上記コン
デンサー素子の相対する両端部に、内部型ＩＪｉ ｇｊ
子２の露出部と接触するように銀−ガラス系の導体ペー
ストを塗布し、高温焼成することによって銀ガラス焼結
体からなる一対の外部電極端子３の第一層３ａを形成し
、その後この銀ガラス焼結体からなる第一層３ａの表面
に第３図Ｃに示すようにはんだ付は可能な金属としてニ
ッケルからなる外部電極端子３の第二層３ｂをめっきし
、次いで第３図りに示すように、上記ニッケルめっき第
二層３ｂの上にはんだからなる第三層３ｃをめっきする
ことにより、３層の、金属成分からなる外部電極端子３
を形成している。
上述した従来の外部電極端子の形成方法では、銀−ガラ
ス系焼結体からなる第−Ｂ３ａを形成しているが、この
ような貴金属系の導体ペーストを使用する方法はその原
価が高いため、コンデンサー自体の原価を高いものにす
ると共に、セラミック焼結体からなるコンデンサー素子
の両端部にこれを均一に塗布する技術が困難を極め、外
部電極端子３の第一層３ａの厚さのばらつきが大きくな
ってしまう。更には上記銀−ガラス系焼結体からなる第
一層３ａ上にニッケルの第二層３ｂおよびはんだの第三
層３Ｃを形成するに当ってはバレルめつき法が使用され
ているが、このときめつき液中で使用される酸あるいは
アルカリがガラス成分を溶出させるため形成された端子
強度を著しく低下させ、また長時間めっき浴中に浸漬す
ると、露出しているセラミツク誘電体１自体がめつき液
に浸蝕されることがあり、コンデンサー自体の特性劣化
を生じることがある。またセラミック誘電体１の露出面
に金属がはみ出して付着することがある等の外部電極端
子の形成工程において種々の不都合があった。
ス系焼結体からなる第−Ｂ３ａを形成しているが、この
ような貴金属系の導体ペーストを使用する方法はその原
価が高いため、コンデンサー自体の原価を高いものにす
ると共に、セラミック焼結体からなるコンデンサー素子
の両端部にこれを均一に塗布する技術が困難を極め、外
部電極端子３の第一層３ａの厚さのばらつきが大きくな
ってしまう。更には上記銀−ガラス系焼結体からなる第
一層３ａ上にニッケルの第二層３ｂおよびはんだの第三
層３Ｃを形成するに当ってはバレルめつき法が使用され
ているが、このときめつき液中で使用される酸あるいは
アルカリがガラス成分を溶出させるため形成された端子
強度を著しく低下させ、また長時間めっき浴中に浸漬す
ると、露出しているセラミツク誘電体１自体がめつき液
に浸蝕されることがあり、コンデンサー自体の特性劣化
を生じることがある。またセラミック誘電体１の露出面
に金属がはみ出して付着することがある等の外部電極端
子の形成工程において種々の不都合があった。
従って本発明の目的は上述した従来の欠点を解決するこ
とにあり、安価で外部電極端子の厚さを均一にし、しか
もガラス成分、セラミック誘電体の浸蝕がなく、従って
端子強度誘電体の特性劣化の少ない経済性と信頭性にす
ぐれたチップコンデンサーの外部１Ｕｈ ｊ２ 端子の
形成方法を提供することにある。
とにあり、安価で外部電極端子の厚さを均一にし、しか
もガラス成分、セラミック誘電体の浸蝕がなく、従って
端子強度誘電体の特性劣化の少ない経済性と信頭性にす
ぐれたチップコンデンサーの外部１Ｕｈ ｊ２ 端子の
形成方法を提供することにある。
本発明はセラミック誘電体と内部電極端子を交互に’ｒ
Ｉ ＦＩＪして焼結した固片状のコンデンサー素子の全
表面をこ導電性金属芯、膜の第一層を形成する工程、上
記第一層の外部電極端子を構成する部分を除いて池の部
分にめっきレジスト層を被覆する工程、めつきレジス）
Ｊｌの存在しない上記第一層上に導電性金属の第二層を
めっきにより形成する工程、上記めっきレジスト層を除
去する工程、次いでレジスト層除去により露出した上記
第一層を除去する工程からなるチップコンデンサーの外
部電極端子の形成方法である。
Ｉ ＦＩＪして焼結した固片状のコンデンサー素子の全
表面をこ導電性金属芯、膜の第一層を形成する工程、上
記第一層の外部電極端子を構成する部分を除いて池の部
分にめっきレジスト層を被覆する工程、めつきレジス）
Ｊｌの存在しない上記第一層上に導電性金属の第二層を
めっきにより形成する工程、上記めっきレジスト層を除
去する工程、次いでレジスト層除去により露出した上記
第一層を除去する工程からなるチップコンデンサーの外
部電極端子の形成方法である。
なお本発明によれば上記めっきレジスト層除去工程の前
に、等電性金属の第二層上に酸化防止金属ｊａを形成す
る工程を含めることができる。
に、等電性金属の第二層上に酸化防止金属ｊａを形成す
る工程を含めることができる。
本発明で使用する上記固片状のコンデンサー素子は従来
より使用されているコンデンサー素子を使用できる。
より使用されているコンデンサー素子を使用できる。
また上記導電性金属薄膜の第一層を形成する金属材料に
は銅、亜鉛、ニッケル、クロム等の卑金属材料を使用で
き、これらはセラミック誘電体の浸蝕をなく下るため、
例えばスパッタリング、真空蒸着法等の乾式方法、ある
いは通常の活性化処理を施してから無電解めっき法によ
って形成することかでさる。
は銅、亜鉛、ニッケル、クロム等の卑金属材料を使用で
き、これらはセラミック誘電体の浸蝕をなく下るため、
例えばスパッタリング、真空蒸着法等の乾式方法、ある
いは通常の活性化処理を施してから無電解めっき法によ
って形成することかでさる。
また上記めっきレジスト層形成に当って使用しうる材料
としては、後のその除去工程で容易に除去可能な性質を
有し、特に耐酸性であり、しかもアルカリには可溶性も
しくはこれによって容易に分解除去できる材料が好まし
い。かかる材料としてはポリアクリル酸エステル、例え
ばポリアクリル酸メチル、エチル等を使用できる。これ
らの材料が耐酸性であるのが好ましい理由は、次の工程
で導電性金属の第二層を形成するに当って一般には酸性
条件が用いられるからであり、この工程でレジスト層が
浸蝕を受けてはならないからである。後のレジスト層除
去工程ではアルカリ性液を使用するとよい。レジス）ｌ
を被覆するに当っては通常の塗布方法を使用できる。
としては、後のその除去工程で容易に除去可能な性質を
有し、特に耐酸性であり、しかもアルカリには可溶性も
しくはこれによって容易に分解除去できる材料が好まし
い。かかる材料としてはポリアクリル酸エステル、例え
ばポリアクリル酸メチル、エチル等を使用できる。これ
らの材料が耐酸性であるのが好ましい理由は、次の工程
で導電性金属の第二層を形成するに当って一般には酸性
条件が用いられるからであり、この工程でレジスト層が
浸蝕を受けてはならないからである。後のレジスト層除
去工程ではアルカリ性液を使用するとよい。レジス）ｌ
を被覆するに当っては通常の塗布方法を使用できる。
次に上記導電性金属の第二層を形成するに当っては任意
のめつき方法を使用しうるが、なかでもバレルめつき法
か好ましい。めっきにより形成する導電性金属の第二層
の材料としては、必要に応じてその上にはんだあるいは
逼の酸化防止層を形成できる材料例えば銅あるいはニッ
ケルが好ましい。
のめつき方法を使用しうるが、なかでもバレルめつき法
か好ましい。めっきにより形成する導電性金属の第二層
の材料としては、必要に応じてその上にはんだあるいは
逼の酸化防止層を形成できる材料例えば銅あるいはニッ
ケルが好ましい。
上述した本発明によれば、従来法と異なりめっき法を使
用するため外部Ｎ極端子を構成する各層の厚さを均一に
形成することができ、その形成時間を大幅に短縮できる
、またコンデンサー素子自体および各９層の浸蝕等によ
る劣化を防止でき、更瘉こは従来の如き貴金属の使用を
必要としないため、コストの低域を達成できる。
用するため外部Ｎ極端子を構成する各層の厚さを均一に
形成することができ、その形成時間を大幅に短縮できる
、またコンデンサー素子自体および各９層の浸蝕等によ
る劣化を防止でき、更瘉こは従来の如き貴金属の使用を
必要としないため、コストの低域を達成できる。
以下に本発明方法の一実施例を図面を参照して説明する
。第１図Ａ−Ｅは本発明の一実施例によるチップコンデ
ンサーの外部電極端子を形成する工程を示す断面図であ
る。
。第１図Ａ−Ｅは本発明の一実施例によるチップコンデ
ンサーの外部電極端子を形成する工程を示す断面図であ
る。
第１図Ａ−Ｅにおいて、４はセラミック誘電体であり、
５は内部電極端子であり、６は導電性金属薄膜の第一層
であり、７はめつきレジスト層であり、８は導電性金属
の第二層である。
５は内部電極端子であり、６は導電性金属薄膜の第一層
であり、７はめつきレジスト層であり、８は導電性金属
の第二層である。
本実施例によれば、まず第１図Ａに示すように、例えば
チタン酸バリウム等のセラミック誘電体４の表面に内部
電極端子５として、白金あるいはパラジウム等の貴金属
系のメタルグレーズペーストをスクリーン印刷法により
所定の形状に塗布し、これを順次繰り返してセラミック
誘電体４と内部電極端子５が交互に積層したシートを作
り、このシートを必要とする寸法の固片状に打抜き加工
して相対する端面部に内部電極端子５が露出したコンデ
ンサー素子材料を作った。これを１３００℃の高温で焼
成して、積層されかつ焼結された固片状のセラミックコ
ンデンサー素子を作った。
チタン酸バリウム等のセラミック誘電体４の表面に内部
電極端子５として、白金あるいはパラジウム等の貴金属
系のメタルグレーズペーストをスクリーン印刷法により
所定の形状に塗布し、これを順次繰り返してセラミック
誘電体４と内部電極端子５が交互に積層したシートを作
り、このシートを必要とする寸法の固片状に打抜き加工
して相対する端面部に内部電極端子５が露出したコンデ
ンサー素子材料を作った。これを１３００℃の高温で焼
成して、積層されかつ焼結された固片状のセラミックコ
ンデンサー素子を作った。
次に第１図Ｂに示すように上述した如くして作った固片
状のセラミックコンデンサー！子の全表面に導電性金属
Ｆ！ｔＩ漠の第一層６を形成した。
状のセラミックコンデンサー！子の全表面に導電性金属
Ｆ！ｔＩ漠の第一層６を形成した。
本実施例では銅をスパッタリングによって付着させて形
成した。このとき上記銅の代りにニッケル、亜鉛、クロ
ム等を使用でき、またスパッタリングでなく、真空蒸着
、無電解めっき法で実施することもできる。この第一層
は厚さ１〜２μで形成した。
成した。このとき上記銅の代りにニッケル、亜鉛、クロ
ム等を使用でき、またスパッタリングでなく、真空蒸着
、無電解めっき法で実施することもできる。この第一層
は厚さ１〜２μで形成した。
次に第１図Ｃに示す如く、上述した如く銅の第一層６を
形成したセラミックコンデンサー素子の中央部、即ち後
述する導電性金属の第二層を形成する両端部を除いた部
分にめっきレジスト層７をはち巻き状に塗布した。本例
ではこのめっきレジスト層としてポリアクリル酸メチル
の１ｔ″；媒溶液を用いて塗布後溶媒を除去して形成し
た。
形成したセラミックコンデンサー素子の中央部、即ち後
述する導電性金属の第二層を形成する両端部を除いた部
分にめっきレジスト層７をはち巻き状に塗布した。本例
ではこのめっきレジスト層としてポリアクリル酸メチル
の１ｔ″；媒溶液を用いて塗布後溶媒を除去して形成し
た。
次に第１図０に示すように露出した両端の銅の第一層６
上にバレルめつき法によって導電性金属であるニッケル
の第二層を厚さ１０〜３０μにめっきした。
上にバレルめつき法によって導電性金属であるニッケル
の第二層を厚さ１０〜３０μにめっきした。
次にこれをめっきレジスト層７を除去するため、アルカ
リ性水溶液例えば３％苛性ソーダ水溶液に浸漬して除去
し、更にこの結果露出しためつきレジスト層７の下にあ
った銅第一層６をエツチング液例えばセラミック誘電体
表面を浸蝕しない弱酸性の過硫酸アンモニウム水溶液で
除去した。
リ性水溶液例えば３％苛性ソーダ水溶液に浸漬して除去
し、更にこの結果露出しためつきレジスト層７の下にあ
った銅第一層６をエツチング液例えばセラミック誘電体
表面を浸蝕しない弱酸性の過硫酸アンモニウム水溶液で
除去した。
上記例において、第−屑にニッケルを用いた場合には稀
薄塩酸溶液を用いて除去するとよい。
薄塩酸溶液を用いて除去するとよい。
また必要により上記導電性金属の第二層８の表面に酸化
防止金属屑を設ける場合には、上記めっきレジスト層除
去工程の前にはんだや錫の層を厚さ２〜５μにめっきす
ることができる。
防止金属屑を設ける場合には、上記めっきレジスト層除
去工程の前にはんだや錫の層を厚さ２〜５μにめっきす
ることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば従来の
ように銀ガラスの焼結体による外部電極端子の形成方法
に比し、電極形成材料の価格が安価であり、また形成さ
れる電極端子の厚さを均一に形成することができる。更
にセラミックコンデンサー素子の全面に導電性金属の第
一層が付着した状態で、導電性金属の第二層をめっき法
、特にバレルめつき法により必要両端部にのみ必要な厚
さで形成できるので、形成時間を短縮できろ。またセラ
ミックコンデンサー素子の特性劣化が生ずることなく、
電極端子の強度低下も生じないすぐれた効果が得られる
。
ように銀ガラスの焼結体による外部電極端子の形成方法
に比し、電極形成材料の価格が安価であり、また形成さ
れる電極端子の厚さを均一に形成することができる。更
にセラミックコンデンサー素子の全面に導電性金属の第
一層が付着した状態で、導電性金属の第二層をめっき法
、特にバレルめつき法により必要両端部にのみ必要な厚
さで形成できるので、形成時間を短縮できろ。またセラ
ミックコンデンサー素子の特性劣化が生ずることなく、
電極端子の強度低下も生じないすぐれた効果が得られる
。
第１図Ａ〜Ｅは本発明の一実施例によるチップコンデン
サーの外部電極端子の形成工程を示す断面図、第２図は
チップコンデンサーの斜視図、第３図Ａ−Ｄは従来例の
チップコンデンサーの外部電極端子の形成工程を示す断
面図である。 ４−ｍ−セラミック誘電体、５−一一内部電極端子、６
−−−導電性金属薄膜第一層、７−−−めつきレジスト
層、８−一一導電性金属薄膜第二層。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 第２図 第３図
サーの外部電極端子の形成工程を示す断面図、第２図は
チップコンデンサーの斜視図、第３図Ａ−Ｄは従来例の
チップコンデンサーの外部電極端子の形成工程を示す断
面図である。 ４−ｍ−セラミック誘電体、５−一一内部電極端子、６
−−−導電性金属薄膜第一層、７−−−めつきレジスト
層、８−一一導電性金属薄膜第二層。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セラミック誘電体と内部電極端子を交互に積層して
焼結した固片状のコンデンサー素子の全表面に導電性金
属薄膜の第一層を形成する工程、上記第一層の外部電極
端子を構成する部分を除いて他の部分にめつきレジスト
層を被覆する工程、めつきレジスト層の存在しない上記
第一層上に導電性金属の第二層をめつきにより形成する
工程、上記めつきレジスト層を除去する工程、次いでレ
ジスト層除去により露出した上記第一層を除去する工程
からなることを特徴とするチップコンデンサーの外部電
極端子の形成方法。 ２、導電性金属の第二層上に酸化防止金属層を形成する
工程を含む特許請求の範囲第１項記載のチップコンデン
サーの外部電極端子の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62000910A JPS63169013A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62000910A JPS63169013A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169013A true JPS63169013A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11486831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62000910A Pending JPS63169013A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63169013A (ja) |
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-
1987
- 1987-01-06 JP JP62000910A patent/JPS63169013A/ja active Pending
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