JP2616785B2 - 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法Info
- Publication number
- JP2616785B2 JP2616785B2 JP62311084A JP31108487A JP2616785B2 JP 2616785 B2 JP2616785 B2 JP 2616785B2 JP 62311084 A JP62311084 A JP 62311084A JP 31108487 A JP31108487 A JP 31108487A JP 2616785 B2 JP2616785 B2 JP 2616785B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- forming
- external electrode
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子部品の外部電極の形成方法に関し、さ
らに具体的に述べれば、積層セラミックコンデンサの製
造時に用いられる外部電極の形成方法に関するものであ
る。
らに具体的に述べれば、積層セラミックコンデンサの製
造時に用いられる外部電極の形成方法に関するものであ
る。
（従来の技術） まず、本発明の対象である積層セラミックコンデンサ
について、第２図により説明する。同図において、積層
セラミックコンデンサは、表面に内部電極層１を形成し
たセラミック板２を複数枚積層したコンデンサ素子の両
端に、上記の内部電極層１と電気的に接続した外部電極
３を形成したものである。なお、外部電極３は、内部電
極層１と直接電気的に接続された金属3aの上にNi被膜3b
およびPb−Sn被膜3cを重ねた構造を有している。
について、第２図により説明する。同図において、積層
セラミックコンデンサは、表面に内部電極層１を形成し
たセラミック板２を複数枚積層したコンデンサ素子の両
端に、上記の内部電極層１と電気的に接続した外部電極
３を形成したものである。なお、外部電極３は、内部電
極層１と直接電気的に接続された金属3aの上にNi被膜3b
およびPb−Sn被膜3cを重ねた構造を有している。
従来の積層セラミックコンデンサの外部電極３の形成
工程は、内部電極層１が露出した端面に銀ろうを塗布し
たのち、これを溶解して銀3aを焼付け、次に、Niめっき
によってNi被膜3bと、半田めっきによって半田付け性を
向上する目的を有するPb−Sn被膜3cを形成するものであ
る。
工程は、内部電極層１が露出した端面に銀ろうを塗布し
たのち、これを溶解して銀3aを焼付け、次に、Niめっき
によってNi被膜3bと、半田めっきによって半田付け性を
向上する目的を有するPb−Sn被膜3cを形成するものであ
る。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記の形成工法では、銀ろうの塗布量
のばらつきにより、外形寸法が一定しないという問題が
あった。また、端面の外部電極３が盛り上がった形状に
なるため、寸法が余分に大きくなり、このため、マガジ
ン実装する際にチップづまりを起こしやすいという問題
もあった。また、外部電極３に銀3aを用いるため、コス
ト高になるばかりでなく、半田付けによる銀のマイグレ
ージョンを引き起こすという問題もあった。
のばらつきにより、外形寸法が一定しないという問題が
あった。また、端面の外部電極３が盛り上がった形状に
なるため、寸法が余分に大きくなり、このため、マガジ
ン実装する際にチップづまりを起こしやすいという問題
もあった。また、外部電極３に銀3aを用いるため、コス
ト高になるばかりでなく、半田付けによる銀のマイグレ
ージョンを引き起こすという問題もあった。
また、これの軽量化を図った薄形回路基板に装着した
場合に、半田付けによって回路基板が反り、積層セラミ
ックコンデンサにたわみ力が掛かる結果、外部電極３が
外れたりコンデンサ素子が割れたりして、「Ｃ抜け」と
呼ばれる不良を起こすという問題があった。
場合に、半田付けによって回路基板が反り、積層セラミ
ックコンデンサにたわみ力が掛かる結果、外部電極３が
外れたりコンデンサ素子が割れたりして、「Ｃ抜け」と
呼ばれる不良を起こすという問題があった。
上記の問題の対策として、プラズマスパッタリングを
利用する外部電極の形成工法が考えられている。この工
法では、プラズマスパッタ層とセラミックとの界面に、
反応層を持った機械強度に優れた外部電極が形成される
ため、外部電極が外れることもなく、また、端面に外部
電極部が盛り上がることもないので、その分だけコンデ
ンサ素子を大きくすることができ、静電容量の拡大につ
ながり、また、銀を用いないために大幅なコスト低減と
なる。
利用する外部電極の形成工法が考えられている。この工
法では、プラズマスパッタ層とセラミックとの界面に、
反応層を持った機械強度に優れた外部電極が形成される
ため、外部電極が外れることもなく、また、端面に外部
電極部が盛り上がることもないので、その分だけコンデ
ンサ素子を大きくすることができ、静電容量の拡大につ
ながり、また、銀を用いないために大幅なコスト低減と
なる。
しかしながら、プラズマスパッタリングを利用した外
部電極の形成方法では、0.02mm以上の極く狭い隙間で
も、コンデンサ素子あるいは治具とコンデンサ素子の間
にあると、プラズマスパッタが入り込むため、目的以外
の素子面に導電被膜を形成してしまい、外部電極の形状
の制御が難しいという問題があった。
部電極の形成方法では、0.02mm以上の極く狭い隙間で
も、コンデンサ素子あるいは治具とコンデンサ素子の間
にあると、プラズマスパッタが入り込むため、目的以外
の素子面に導電被膜を形成してしまい、外部電極の形状
の制御が難しいという問題があった。
本発明は、上記の問題点を解決するもので、外部電極
の形状が制御し易い外部電極の形成方法を提供するもの
である。
の形状が制御し易い外部電極の形成方法を提供するもの
である。
（問題点を解決するための手段） 上記の問題点を解決するため、本発明は、コンデンサ
素子全面あるいは端面とその周辺にプラズマスパッタリ
ングによって導電被膜を形成する工程と、導電被膜が形
成されたコンデンサ素子の端面にレジスト材で保護被膜
を形成した後、エッチングによって端面以外の導電被膜
を除去する工程と、その後レジストを除去し外部電極を
形成する工程とから構成するものである。
素子全面あるいは端面とその周辺にプラズマスパッタリ
ングによって導電被膜を形成する工程と、導電被膜が形
成されたコンデンサ素子の端面にレジスト材で保護被膜
を形成した後、エッチングによって端面以外の導電被膜
を除去する工程と、その後レジストを除去し外部電極を
形成する工程とから構成するものである。
（作 用） 上記の形成方法により、端面のみに導電体の被膜が形
成できるばかりでなく、外部電極の形状の制御も可能と
なる。
成できるばかりでなく、外部電極の形状の制御も可能と
なる。
（実施例） 本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図は、本発明により得られた積層セラミックコン
デンサの斜視断面図である。同図において、本発明によ
る積層セラミックコンデンサが第２図に示した従来例と
異なる点は、コンデンサ素子の両端にプラズマスパッタ
リングによって形成された内部電極層１と直接電気的に
接続された導電被膜3dが形成され、その上にNi被膜3bと
Pb−Sn被膜3cが形成されていることである。
デンサの斜視断面図である。同図において、本発明によ
る積層セラミックコンデンサが第２図に示した従来例と
異なる点は、コンデンサ素子の両端にプラズマスパッタ
リングによって形成された内部電極層１と直接電気的に
接続された導電被膜3dが形成され、その上にNi被膜3bと
Pb−Sn被膜3cが形成されていることである。
上記の構成を有する積層セラミックコンデンサの外部
電極の形成方法について説明する。
電極の形成方法について説明する。
焼成を終え、内部電極層１が端面に露呈したコンデン
サ素子は、回転する円筒形または多角柱形のバレルの中
でプラズマスパッタリングを施し、コンデンサ素子の全
面あるいは端面とその周辺に導電被膜3dを形成する。あ
るいは、単に並べただけでプラズマスパッタリングを施
し、導電被膜3dを形成してもよい。
サ素子は、回転する円筒形または多角柱形のバレルの中
でプラズマスパッタリングを施し、コンデンサ素子の全
面あるいは端面とその周辺に導電被膜3dを形成する。あ
るいは、単に並べただけでプラズマスパッタリングを施
し、導電被膜3dを形成してもよい。
プラズマスパッタリングにより形成される導電被膜
は、膜厚が0.10〜2.00μｍのNi−Cr（8:2）被膜であ
る。次に、半田付け性を向上するため、プラズマスパッ
タリングあるいはめっきによって、膜厚0.10〜5.00μｍ
のNi被膜3bを形成する。
は、膜厚が0.10〜2.00μｍのNi−Cr（8:2）被膜であ
る。次に、半田付け性を向上するため、プラズマスパッ
タリングあるいはめっきによって、膜厚0.10〜5.00μｍ
のNi被膜3bを形成する。
次に、このようにして全面あるいは端面とその周辺に
導電被膜3dおよびNi被膜3bを形成したコンデンサ素子の
端面に、プリント配線基盤製造用の耐酸性レジスト材を
精度よく塗布する。レジスト材を硬化させた後に、塩素
系エッチング液を収容した回転するバレルの中で、露出
している導電被膜3dとNi被膜3bを溶解して除去する。次
に、コンデンサ素子両端面のレジスト材を、弱アルカリ
溶液で溶解し除去する。その際、溶解にレジスト材が残
らないように超音波洗浄器で洗浄する。
導電被膜3dおよびNi被膜3bを形成したコンデンサ素子の
端面に、プリント配線基盤製造用の耐酸性レジスト材を
精度よく塗布する。レジスト材を硬化させた後に、塩素
系エッチング液を収容した回転するバレルの中で、露出
している導電被膜3dとNi被膜3bを溶解して除去する。次
に、コンデンサ素子両端面のレジスト材を、弱アルカリ
溶液で溶解し除去する。その際、溶解にレジスト材が残
らないように超音波洗浄器で洗浄する。
次に、半田めっきによって、Ni被膜3bの表面にPb−Sn
被膜を形成する。
被膜を形成する。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、端面のみに外
部電極の導電被膜が形成できるばかりでなく、外部電極
の形状の制御も可能となる。また、プラズマスパッタリ
ングによる外部電極の導電被膜の形成は容易なため、量
産性に優れ、従来利用されていた銀と比べて大幅に製造
コストが低減され、安価で性能の優れた積層セラミック
コンデンサが得られる。
部電極の導電被膜が形成できるばかりでなく、外部電極
の形状の制御も可能となる。また、プラズマスパッタリ
ングによる外部電極の導電被膜の形成は容易なため、量
産性に優れ、従来利用されていた銀と比べて大幅に製造
コストが低減され、安価で性能の優れた積層セラミック
コンデンサが得られる。
第１図は本発明による積層セラミックコンデンサの斜視
断面図、第２図は従来の積層セラミックコンデンサの斜
視断面図である。 １……内部電極層、２……セラミック板、３……外部電
極、3a……金属（銀）、3b……Ni被膜、3c……Pb−Sn被
膜、3d……導電被膜（Ni−Cr被膜）。
断面図、第２図は従来の積層セラミックコンデンサの斜
視断面図である。 １……内部電極層、２……セラミック板、３……外部電
極、3a……金属（銀）、3b……Ni被膜、3c……Pb−Sn被
膜、3d……導電被膜（Ni−Cr被膜）。
Claims (1)
- 【請求項１】コンデンサ素子の全面あるいは端面とその
周辺にプラズマスパッタリングによって導電被膜を形成
する工程と、上記の導電被膜が形成されたコンデンサ素
子の端子部分にレジスト材で保護被膜を形成する工程
と、エッチングによって端子部分以外の導電被膜を除去
する工程と、その後にレジストを除去する工程とからな
る積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311084A JP2616785B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311084A JP2616785B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152712A JPH01152712A (ja) | 1989-06-15 |
| JP2616785B2 true JP2616785B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=18012931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62311084A Expired - Lifetime JP2616785B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616785B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0756853B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1995-06-14 | 太陽誘電株式会社 | 角チップ型コンデンサおよびその製造方法並びにその製造装置 |
| FR2663149B1 (fr) * | 1990-06-08 | 1993-09-17 | Europ Composants Electron | Condensateur feuillete et procede de fabrication d'un tel condensateur. |
| JP2967660B2 (ja) * | 1992-11-19 | 1999-10-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| KR100568290B1 (ko) * | 2004-01-09 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 칩 부품의 단자전극용 페이스트 조성물 |
| US10714260B2 (en) | 2017-04-03 | 2020-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same |
| US11011313B2 (en) | 2017-07-11 | 2021-05-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| CN107919232A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-04-17 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种小尺寸电子元器件及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5563817A (en) * | 1978-11-08 | 1980-05-14 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of manufacturing laminated porcelain capacitor |
| JPS62242325A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-22 | 松下電器産業株式会社 | チツプコンデンサ−の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP62311084A patent/JP2616785B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01152712A (ja) | 1989-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63169014A (ja) | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 | |
| JP3307133B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP2616785B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 | |
| KR102127803B1 (ko) | 인터포저 및 이 인터포저를 포함하는 전자 부품 | |
| JP3267067B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JPH08203771A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JPH07201634A (ja) | セラミックチップ部品 | |
| JPH0897072A (ja) | 積層セラミックチップ型電子部品 | |
| JP2666046B2 (ja) | チップ型複合電子部品 | |
| JP2000138131A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JPH11288841A (ja) | セラミック電子部品の実装方法及びセラミック電子部品 | |
| JPH04257211A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JPH08203769A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JPS6240422Y2 (ja) | ||
| JP3254927B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JPS63169013A (ja) | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 | |
| JPH08222478A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JP3159440B2 (ja) | 角形チップ抵抗器 | |
| JPH0945830A (ja) | チップ状電子部品 | |
| JP2685890B2 (ja) | チツプ部品の電極形成方法 | |
| JP3772270B2 (ja) | 小型電子部品の製造方法およびチップ抵抗器 | |
| JP2002299102A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JP2963420B2 (ja) | 角形チップ状電子部品 | |
| JPS62274614A (ja) | 磁器の電極構造 | |
| JP2000299202A (ja) | 厚膜回路基板及びその製造方法 |