JPH01152712A - 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法Info
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- JPH01152712A JPH01152712A JP62311084A JP31108487A JPH01152712A JP H01152712 A JPH01152712 A JP H01152712A JP 62311084 A JP62311084 A JP 62311084A JP 31108487 A JP31108487 A JP 31108487A JP H01152712 A JPH01152712 A JP H01152712A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子部品の外部電極の形成方法に関し、さら
に具体的に述べれば、積層セラミックコンデンサの製造
時に用いられる外部電極の形成方法に関するものである
。
に具体的に述べれば、積層セラミックコンデンサの製造
時に用いられる外部電極の形成方法に関するものである
。
（従来の技術）
まず、本発明の対象である積層セラミックコンデンサに
ついて、第２図により説明する。同図において、積層セ
ラミックコンデンサは、表面に内部電極層１を形成した
セラミック板２を複数枚積層したコンデンサ素子の両端
に、上記の内部電極層１と電気的に接続した外部電極３
を形成したものである。なお、外部電極３は、内部電極
層１と直接電気的に接続された金属３ａの上にＮｉ被膜
３ｂおよびＰｂ−５ｎ被膜３ｃを重ねた構造を有してい
る。
ついて、第２図により説明する。同図において、積層セ
ラミックコンデンサは、表面に内部電極層１を形成した
セラミック板２を複数枚積層したコンデンサ素子の両端
に、上記の内部電極層１と電気的に接続した外部電極３
を形成したものである。なお、外部電極３は、内部電極
層１と直接電気的に接続された金属３ａの上にＮｉ被膜
３ｂおよびＰｂ−５ｎ被膜３ｃを重ねた構造を有してい
る。
従来の積層セラミックコンデンサの外部電極３の形成工
程は、内部電極層１が露出した端面に銀ろうを塗布した
のち、これを溶融して銀３ａを焼付け、次に、Ｎｉめっ
きによってＮｉ被膜３ｂと、半田めっきによって半田付
は性を向上する目的を有するＰｂ−５ｎ被膜３ｃを形成
するものである。
程は、内部電極層１が露出した端面に銀ろうを塗布した
のち、これを溶融して銀３ａを焼付け、次に、Ｎｉめっ
きによってＮｉ被膜３ｂと、半田めっきによって半田付
は性を向上する目的を有するＰｂ−５ｎ被膜３ｃを形成
するものである。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記の形成工法では、銀ろうの塗布量の
ばらつきにより、外形寸法が一定しないという問題があ
った。また、端面の外部電極３が盛り上がった形状にな
るため１寸法が余分に太きくなり、このため、マガジン
実装する際にチップづまりを起こしやすいという問題も
あった。また、外部電極３に銀３ａを用いるため、コス
ト高になるばかりでなく、半田付けによる銀のマイグレ
ーションを引き起こすという問題もあった。
ばらつきにより、外形寸法が一定しないという問題があ
った。また、端面の外部電極３が盛り上がった形状にな
るため１寸法が余分に太きくなり、このため、マガジン
実装する際にチップづまりを起こしやすいという問題も
あった。また、外部電極３に銀３ａを用いるため、コス
ト高になるばかりでなく、半田付けによる銀のマイグレ
ーションを引き起こすという問題もあった。
また、これの軽量化を図った薄形回路基板に装着した場
合に、半田付けによって回路基板が反り、積層セラミッ
クコンデンサにたわみ力が掛かる結果、外部電極３が外
れたりコンデンサ素子が割れたりして、「Ｃ抜け」と呼
ばれる不良を起こすという問題があった。
合に、半田付けによって回路基板が反り、積層セラミッ
クコンデンサにたわみ力が掛かる結果、外部電極３が外
れたりコンデンサ素子が割れたりして、「Ｃ抜け」と呼
ばれる不良を起こすという問題があった。
上記の問題の対策として、プラズマスパッタリングを利
用する外部電極の形成工法が考えられている。この工法
では、プラズマスパッタ層とセラミックとの界面に、反
応層を持った機械強度に優れた外部電極が形成されるた
め、外部電極が外れることもなく、また、端面に外部電
極部が盛り上がることもないので、その分だけコンデン
サ素子を大きくすることができ、静電容量の拡大につな
がり、また、銀を用いないために大幅なコスト低減とな
る。
用する外部電極の形成工法が考えられている。この工法
では、プラズマスパッタ層とセラミックとの界面に、反
応層を持った機械強度に優れた外部電極が形成されるた
め、外部電極が外れることもなく、また、端面に外部電
極部が盛り上がることもないので、その分だけコンデン
サ素子を大きくすることができ、静電容量の拡大につな
がり、また、銀を用いないために大幅なコスト低減とな
る。
しかしながら、プラズマスパッタリングを利用した外部
電極の形成方法では、０．０２ｎｎ以上の極く狭い隙間
でも、コンデンサ素子あるいは治具とコンデンサ素子の
間にあると、プラズマスパッタが入り込むため、目的以
外の素子面に導電被膜を形成してしまい、外部電極の形
状の制御が難しいという問題があった。
電極の形成方法では、０．０２ｎｎ以上の極く狭い隙間
でも、コンデンサ素子あるいは治具とコンデンサ素子の
間にあると、プラズマスパッタが入り込むため、目的以
外の素子面に導電被膜を形成してしまい、外部電極の形
状の制御が難しいという問題があった。
本発明は、上記の問題点を解決するもので、外部電極の
形状が制御し易い外部電極の形成方法を提供するもので
ある。
形状が制御し易い外部電極の形成方法を提供するもので
ある。
（問題点を解決するための手段）
上記の問題点を解決するため、本発明は、コンデンサ素
子全面あるいは端面とその周辺にプラズマスパッタリン
グによって導電被膜を形成する工程と、導電被膜が形成
されたコンデンサ素子の端面にレジスト材で保護被膜を
形成した後、エツチングによって端面以外の導電被膜を
除去する工程と、その後レジストを除去し外部電極を形
成する工程とから構成するものである。
子全面あるいは端面とその周辺にプラズマスパッタリン
グによって導電被膜を形成する工程と、導電被膜が形成
されたコンデンサ素子の端面にレジスト材で保護被膜を
形成した後、エツチングによって端面以外の導電被膜を
除去する工程と、その後レジストを除去し外部電極を形
成する工程とから構成するものである。
（作 用）
上記の形成方法により、端面のみに導電体の被膜が形成
できるばかりでなく、外部電極の形状の制御も可能とな
る。
できるばかりでなく、外部電極の形状の制御も可能とな
る。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図は１本発明により得られた積層セラミックコンデ
ンサの斜視断面図である。同図において、本発明による
積層セラミックコンデンサが第２図に示した従来例と異
なる点は、コンデンサ素子の両端にプラズマスパッタリ
ングによって形成された内部電極層１と直接電気的に接
続された導電被膜３ｄが形成され、その上にＮｉ被膜３
ｂとＰｂ−３ｎ被膜３ｃが形成されていることである。
ンサの斜視断面図である。同図において、本発明による
積層セラミックコンデンサが第２図に示した従来例と異
なる点は、コンデンサ素子の両端にプラズマスパッタリ
ングによって形成された内部電極層１と直接電気的に接
続された導電被膜３ｄが形成され、その上にＮｉ被膜３
ｂとＰｂ−３ｎ被膜３ｃが形成されていることである。
上記の構成を有する積層セラミックコンデンサの外部電
極の形成方法について説明する。
極の形成方法について説明する。
焼成を終え、内部電極層１が端面に露呈したコンデンサ
素子は、回転する円筒形または多角柱形のバレルの中で
プラズマスパッタリングを施し、コンデンサ素子の全面
あるいは端面とその周辺に導電被膜３ｄを形成する。あ
るいは、単に並べただけでプラズマスパッタリングを施
し、導電被膜３ｄを形成してもよい。
素子は、回転する円筒形または多角柱形のバレルの中で
プラズマスパッタリングを施し、コンデンサ素子の全面
あるいは端面とその周辺に導電被膜３ｄを形成する。あ
るいは、単に並べただけでプラズマスパッタリングを施
し、導電被膜３ｄを形成してもよい。
プラズマスパッタリングにより形成される導電被膜は、
膜厚が０．１０〜２．ＯＯμｍのＮ１−Ｃｒ（８：２）
被膜である０次に、半田付は性を向上するため、プラズ
マスパッタリングあるいはめっきによって、膜厚０．１
０〜５．０ＯＪＪＩＩｌのＮｉ被膜３ｂを形成する。
膜厚が０．１０〜２．ＯＯμｍのＮ１−Ｃｒ（８：２）
被膜である０次に、半田付は性を向上するため、プラズ
マスパッタリングあるいはめっきによって、膜厚０．１
０〜５．０ＯＪＪＩＩｌのＮｉ被膜３ｂを形成する。
次に、このようにして全面あるいは端面とその周辺に導
電被膜３ｄおよびＮｉ被膜３ｂを形成したコンデンサ素
子の端面に、プリント配線基盤製造用の耐酸性レジスト
材を精度よく塗布する。レジス１へ材を硬化させた後に
、塩素系エツチング液を収容した回転するバレルの中で
、露出している導電被膜３ｄとＮｉ被膜３ｂを溶解して
除去する。次に、コンデンサ素子両端面のレジスト材を
、弱アルカリ溶液で溶解し除去する。その際、溶解にレ
ジスト材が残らないように超音波洗浄器で洗浄する。
電被膜３ｄおよびＮｉ被膜３ｂを形成したコンデンサ素
子の端面に、プリント配線基盤製造用の耐酸性レジスト
材を精度よく塗布する。レジス１へ材を硬化させた後に
、塩素系エツチング液を収容した回転するバレルの中で
、露出している導電被膜３ｄとＮｉ被膜３ｂを溶解して
除去する。次に、コンデンサ素子両端面のレジスト材を
、弱アルカリ溶液で溶解し除去する。その際、溶解にレ
ジスト材が残らないように超音波洗浄器で洗浄する。
次に、半田めっきによって、Ｎｉ被膜３ｂの表面にＰｂ
−３ｎ被膜を形成する。
−３ｎ被膜を形成する。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、端面のみに外部
電極の導電被膜が形成できるばかりでなく、外部電極の
形状の制御も可能となる。また、プラズマスパッタリン
グによる外部電極の導電被膜の形成は容易なため、量産
性に優れ、従来利用されていた銀と比べて大幅に製造コ
ストが低減され、安価で性能の優れた積層セラミックコ
ンデンサが得られる。
電極の導電被膜が形成できるばかりでなく、外部電極の
形状の制御も可能となる。また、プラズマスパッタリン
グによる外部電極の導電被膜の形成は容易なため、量産
性に優れ、従来利用されていた銀と比べて大幅に製造コ
ストが低減され、安価で性能の優れた積層セラミックコ
ンデンサが得られる。
第１図は本発明による積層セラミックコンデンサの斜視
断面図、第２図は従来の積層セラミックコンデンサの斜
視断面図である。 １・・・内部電極層、 ２・・・セラミック板、３・
・・外部電極、 ３ａ・・・金属（銀）、 ３ｂ・・
・Ｎｉ被膜、 ３ ｃ −Ｐｂ−３ｎ被膜、 ３ ｄ
・・・導電被膜（Ｎｉ−Ｃｒ被膜）。 第１図 １−９内ｖ亀＠層 ２１．ｒつ五、７りオ反 ３
．、−９１４ｔＪｋ３ｂ 、、−ＮｉＪＪ［３ｃｍＰｂ
−５ｎＪｕＫ３ｄ、、、ｌ電板［（Ｎｉ−ＣｒＩ！Ｌｔ
ｌＪｊ）第２図 ３ａ −−１金屈←沢）
断面図、第２図は従来の積層セラミックコンデンサの斜
視断面図である。 １・・・内部電極層、 ２・・・セラミック板、３・
・・外部電極、 ３ａ・・・金属（銀）、 ３ｂ・・
・Ｎｉ被膜、 ３ ｃ −Ｐｂ−３ｎ被膜、 ３ ｄ
・・・導電被膜（Ｎｉ−Ｃｒ被膜）。 第１図 １−９内ｖ亀＠層 ２１．ｒつ五、７りオ反 ３
．、−９１４ｔＪｋ３ｂ 、、−ＮｉＪＪ［３ｃｍＰｂ
−５ｎＪｕＫ３ｄ、、、ｌ電板［（Ｎｉ−ＣｒＩ！Ｌｔ
ｌＪｊ）第２図 ３ａ −−１金屈←沢）
Claims (1)
- コンデンサ素子の全面あるいは端面とその周辺にプラズ
マスパッタリングによって導電被膜を形成する工程と、
上記の導電被膜が形成されたコンデンサ素子の端子部分
にレジスト材で保護被膜を形成する工程と、エッチング
によって端子部分以外の導電被膜を除去する工程と、そ
の後にレジストを除去する工程とからなる積層セラミッ
クコンデンサの外部電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311084A JP2616785B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311084A JP2616785B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152712A true JPH01152712A (ja) | 1989-06-15 |
| JP2616785B2 JP2616785B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=18012931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62311084A Expired - Lifetime JP2616785B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616785B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03280513A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Taiyo Yuden Co Ltd | 角チップ型コンデンサおよびその製造方法並びにその製造装置 |
| FR2663149A1 (fr) * | 1990-06-08 | 1991-12-13 | Europ Composants Electron | Condensateur feuillete et procede de fabrication d'un tel condensateur. |
| US5426560A (en) * | 1992-11-19 | 1995-06-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| KR100568290B1 (ko) * | 2004-01-09 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 칩 부품의 단자전극용 페이스트 조성물 |
| CN107919232A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-04-17 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种小尺寸电子元器件及其制备方法 |
| US10714260B2 (en) | 2017-04-03 | 2020-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same |
| US11011313B2 (en) | 2017-07-11 | 2021-05-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5563817A (en) * | 1978-11-08 | 1980-05-14 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of manufacturing laminated porcelain capacitor |
| JPS62242325A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-22 | 松下電器産業株式会社 | チツプコンデンサ−の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP62311084A patent/JP2616785B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| US5144523A (en) * | 1990-06-08 | 1992-09-01 | Compagnie Europeenne De Composants Electroniques Lcc | Foil capacitor and method for the manufacture of such a capacitor |
| US5426560A (en) * | 1992-11-19 | 1995-06-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| KR100568290B1 (ko) * | 2004-01-09 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 칩 부품의 단자전극용 페이스트 조성물 |
| US10714260B2 (en) | 2017-04-03 | 2020-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same |
| US11011313B2 (en) | 2017-07-11 | 2021-05-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| US11621127B2 (en) | 2017-07-11 | 2023-04-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor |
| US11721489B2 (en) | 2017-07-11 | 2023-08-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| CN107919232A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-04-17 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种小尺寸电子元器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2616785B2 (ja) | 1997-06-04 |
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