JPH03225810A - 積層型コンデンサーにおける端子電極膜の構造及び端子電極膜の形成方法 - Google Patents
積層型コンデンサーにおける端子電極膜の構造及び端子電極膜の形成方法Info
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- JPH03225810A JPH03225810A JP2021151A JP2115190A JPH03225810A JP H03225810 A JPH03225810 A JP H03225810A JP 2021151 A JP2021151 A JP 2021151A JP 2115190 A JP2115190 A JP 2115190A JP H03225810 A JPH03225810 A JP H03225810A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、積層型コンデンサーにおいて、そのセラミッ
ク製本体片の側端面に、当該本体片内における内部電極
に導通ずるように形成する接続用端子電極膜の構造、及
び該端子電極膜を形成する方法に関するものである。
ク製本体片の側端面に、当該本体片内における内部電極
に導通ずるように形成する接続用端子電極膜の構造、及
び該端子電極膜を形成する方法に関するものである。
一般に、この種の積層型コンデンサーは、第９図及び第
１Ｏ図に示すように、セラミックにて六面体に形成した
本体片ｌの内部に、複数枚から成る一方の内部電極２と
、同じく複数枚から成る他方の内部電極３とを交互に積
層状に配設し、この本体片１における六つの側面のうち
、前記一方の各内部電極２が露出する一方の側端面１ａ
と、前記他方の各内部電極３が露出する他方の側端面１
ｂとの両方に、接続用の端子電極膜４を、当該端子電極
膜４が一方の各内部電極２及び他方の各内部電極３に導
通ずるように各々形成したものに構成されていることは
、周知の通りである。
１Ｏ図に示すように、セラミックにて六面体に形成した
本体片ｌの内部に、複数枚から成る一方の内部電極２と
、同じく複数枚から成る他方の内部電極３とを交互に積
層状に配設し、この本体片１における六つの側面のうち
、前記一方の各内部電極２が露出する一方の側端面１ａ
と、前記他方の各内部電極３が露出する他方の側端面１
ｂとの両方に、接続用の端子電極膜４を、当該端子電極
膜４が一方の各内部電極２及び他方の各内部電極３に導
通ずるように各々形成したものに構成されていることは
、周知の通りである。
この場合において、先行技術としての特開昭６０−２３
６２０７号公報は、前記本体片１の左右両側端面１ａ、
ｌｂに対する両端子電極膜４を、本体片ｌの左右両側端
面１ａ、ｌｂに導電性ペーストを塗着することで形成し
た第１電極層４ａと、該第１電極層４ａの表面に半田付
は可能な性質を有するニッケル又は銅等の金属をスパッ
タリング、真空蒸着又はプラズマ溶射により付着した第
２電極層４ｂと、該第２電極層４ｂの表面に半田濡れ性
を有する錫又は銀等の金属をスパッタリング、真空蒸着
又はプラズマ溶射により付着した第３電極層４ｃとの三
層構造に構成することを提案している。
６２０７号公報は、前記本体片１の左右両側端面１ａ、
ｌｂに対する両端子電極膜４を、本体片ｌの左右両側端
面１ａ、ｌｂに導電性ペーストを塗着することで形成し
た第１電極層４ａと、該第１電極層４ａの表面に半田付
は可能な性質を有するニッケル又は銅等の金属をスパッ
タリング、真空蒸着又はプラズマ溶射により付着した第
２電極層４ｂと、該第２電極層４ｂの表面に半田濡れ性
を有する錫又は銀等の金属をスパッタリング、真空蒸着
又はプラズマ溶射により付着した第３電極層４ｃとの三
層構造に構成することを提案している。
積層型コンデンサーにおいて、その本体片１の側端面に
形成する端子電極膜４を、導電性ペーストの塗着で形成
した第１電極層４ａと、この第１電極層４ａの表面に形
成したニッケル又は銅等の金属の第２電極層４ｂと、更
に、この第２電極層４ｂの表面に形成した錫又は銀等の
金属の第３電極層４ｃとの三層構造に構成するに際して
、前記第２電極層４ｂ及び第３電極層４ｃを、前記先行
技術のように、スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ
溶射にて形成するようにすると、これら第２電極層４ｂ
及び第３電極層４Ｃを、湿式メツキ方法にて形成する場
合のようにメツキ液が本体片ｌの内部に侵入することが
ないと云う利点を有する。
形成する端子電極膜４を、導電性ペーストの塗着で形成
した第１電極層４ａと、この第１電極層４ａの表面に形
成したニッケル又は銅等の金属の第２電極層４ｂと、更
に、この第２電極層４ｂの表面に形成した錫又は銀等の
金属の第３電極層４ｃとの三層構造に構成するに際して
、前記第２電極層４ｂ及び第３電極層４ｃを、前記先行
技術のように、スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ
溶射にて形成するようにすると、これら第２電極層４ｂ
及び第３電極層４Ｃを、湿式メツキ方法にて形成する場
合のようにメツキ液が本体片ｌの内部に侵入することが
ないと云う利点を有する。
しかし、その反面、前記先行技術は、端子電極膜４にお
ける第１電極層４ａを、本体片１の側端面１ａ、ｌｂに
対して最初に導電性ペーストを塗着することによって形
成したものであって、この導電性ペーストによる第１電
極層４ａの厚さは可成り厚いと共に、当該厚さには可成
りのバラ付きがあるから、積層型コンデンサーにおける
長さ寸法しか、それだけ大きくなると共に、当該長さ寸
法りの寸法精度か低いのである。
ける第１電極層４ａを、本体片１の側端面１ａ、ｌｂに
対して最初に導電性ペーストを塗着することによって形
成したものであって、この導電性ペーストによる第１電
極層４ａの厚さは可成り厚いと共に、当該厚さには可成
りのバラ付きがあるから、積層型コンデンサーにおける
長さ寸法しか、それだけ大きくなると共に、当該長さ寸
法りの寸法精度か低いのである。
しかも、本体片１における側端面１ａ、ｌｂに対する導
電性ペーストの塗着に際し、当該導電性ペーストか、第
９図及び第１０図に示すように、本体片１における上面
ＩＣ１下面１ｄ及び左右両側面１ｅ、］、ｆにも塗着さ
れることになると共に、これら上面ｉｃ、下面１ｄ及び
左右両側面１ｅ。
電性ペーストの塗着に際し、当該導電性ペーストか、第
９図及び第１０図に示すように、本体片１における上面
ＩＣ１下面１ｄ及び左右両側面１ｅ、］、ｆにも塗着さ
れることになると共に、これら上面ｉｃ、下面１ｄ及び
左右両側面１ｅ。
１ｆに塗着される導電性ペーストの厚さも不揃になるか
ら、積層型コンデンサーにおける高さ寸法Ｈ及び幅寸法
Ｗか、それだけ大きくなると共に、当該高さ寸法Ｈ及び
幅寸法Ｗの寸法精度が低いのである。
ら、積層型コンデンサーにおける高さ寸法Ｈ及び幅寸法
Ｗか、それだけ大きくなると共に、当該高さ寸法Ｈ及び
幅寸法Ｗの寸法精度が低いのである。
その上、前記先行技術のものは、比較的厚さの厚い端子
電極膜４の一部が、本体片１における上面１ｃ、下面１
ｄ及び左右両側面１ｅ、Ｉｆにも延びているので、積層
型コンデンサーを電気機器におけるプリント基板等に自
動的に装着するに際して、これを真空吸着式のコレット
で吸着したときにおいて、本体片ｌの上面ＩＣにまでも
延びている厚さの厚い端子電極膜４によって、前記真空
吸着式コレットによる吸着にミスが多発すると云う問題
もあった。
電極膜４の一部が、本体片１における上面１ｃ、下面１
ｄ及び左右両側面１ｅ、Ｉｆにも延びているので、積層
型コンデンサーを電気機器におけるプリント基板等に自
動的に装着するに際して、これを真空吸着式のコレット
で吸着したときにおいて、本体片ｌの上面ＩＣにまでも
延びている厚さの厚い端子電極膜４によって、前記真空
吸着式コレットによる吸着にミスが多発すると云う問題
もあった。
本発明は、本体の側端面に対する端子電極膜に、前記先
行技術のように、導電性ペーストを、−切、使用するこ
となく、金属のスパッタリング、真空蒸着又はプラズマ
溶射にて形成するようにして、前記のような問題を解消
することを目的とするものである。
行技術のように、導電性ペーストを、−切、使用するこ
となく、金属のスパッタリング、真空蒸着又はプラズマ
溶射にて形成するようにして、前記のような問題を解消
することを目的とするものである。
本発明者達は、セラミックの表面に対して、金属を、ス
パッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて、直接的
に付着することについて種々実験した結果、セラミック
の表面に対して、最初に、ニッケル又は銅等の半田付は
可能な性質を有する金属を、スパッタリング、真空蒸着
又はプラズマ溶射にて付着した場合には、セラミックの
表面に対する密接強度が可成り低くて、容易に剥離する
現象が認められた。
パッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて、直接的
に付着することについて種々実験した結果、セラミック
の表面に対して、最初に、ニッケル又は銅等の半田付は
可能な性質を有する金属を、スパッタリング、真空蒸着
又はプラズマ溶射にて付着した場合には、セラミックの
表面に対する密接強度が可成り低くて、容易に剥離する
現象が認められた。
これに対し、セラミックの表面に対して、最初に、クロ
ム等のようにセラミックに対する密着強度の良い金属を
、スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて付着
し、次いで、ニッケル又は銅等の半田付は可能な性質を
有する金属を、スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ
溶射にて付着した場合には、剥離を確実に防止できるも
のであったことから、この点に着目して本発明を完成す
るに至った。
ム等のようにセラミックに対する密着強度の良い金属を
、スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて付着
し、次いで、ニッケル又は銅等の半田付は可能な性質を
有する金属を、スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ
溶射にて付着した場合には、剥離を確実に防止できるも
のであったことから、この点に着目して本発明を完成す
るに至った。
すなわち、本発明における請求項１は、セラミック製本
体片の内部に、複数枚の内部電極を配設し、前記本体片
における側端面のみに、接続用の端子電極膜を、前記内
部電極に導通ずるように形成して成る積層型コンデンサ
ーにおいて、前記端子電極膜を、本体片における側端面
のみに対してセラミックとの密着強度を持つ性質を有す
る金属のスパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射に
て形成した第１電極層と、この第１電極層の表面のみに
対して半田付けが可能な性質を有する金属のスパッタリ
ング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて形成した第２電極
層と、この第２電極層の表面のみに対して半田濡れ性を
有する金属の第３電極層との三層構造にしたものである
。
体片の内部に、複数枚の内部電極を配設し、前記本体片
における側端面のみに、接続用の端子電極膜を、前記内
部電極に導通ずるように形成して成る積層型コンデンサ
ーにおいて、前記端子電極膜を、本体片における側端面
のみに対してセラミックとの密着強度を持つ性質を有す
る金属のスパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射に
て形成した第１電極層と、この第１電極層の表面のみに
対して半田付けが可能な性質を有する金属のスパッタリ
ング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて形成した第２電極
層と、この第２電極層の表面のみに対して半田濡れ性を
有する金属の第３電極層との三層構造にしたものである
。
また、請求項２は、セラミック製本体片の内部に、複数
枚の内部電極を配設し、前記本体片における側端面に、
接続用の端子電極膜を、前記内部電極に導通するように
形成するにおいて、前記本体片を、治具にて、当該本体
片における側端面のみか露出するようにカバーし、この
状態で、前記本体片における側端面に対してスパッタリ
ング、真空蒸着又はプラズマ溶射にてセラミックとの密
着強度を持つ性質を有する金属の第１電極層を形成し、
次いで、この第１電極層の表面に、スパッタリング、真
空蒸着又はプラズマ溶射にて半田付けが可能な性質を有
する金属の第２電極層を形成し、更に、この第２電極層
の表面に、スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射
にて半田濡れ性を有する金属の第３電極層を形成するこ
とにしたものである。
枚の内部電極を配設し、前記本体片における側端面に、
接続用の端子電極膜を、前記内部電極に導通するように
形成するにおいて、前記本体片を、治具にて、当該本体
片における側端面のみか露出するようにカバーし、この
状態で、前記本体片における側端面に対してスパッタリ
ング、真空蒸着又はプラズマ溶射にてセラミックとの密
着強度を持つ性質を有する金属の第１電極層を形成し、
次いで、この第１電極層の表面に、スパッタリング、真
空蒸着又はプラズマ溶射にて半田付けが可能な性質を有
する金属の第２電極層を形成し、更に、この第２電極層
の表面に、スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射
にて半田濡れ性を有する金属の第３電極層を形成するこ
とにしたものである。
スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて形成し
た金属被膜の厚さは、１ミクロン以下と云うようにきわ
めて薄いので、セラミック製本体片の側端面における接
続用の端子電極膜を、前記請求項１のように、本体片に
おける側端面のみに対してセラミックとの密着強度を持
つ性質を有する金属のスパッタリング、真空蒸着又はプ
ラズマ溶射にて形成した第１電極層と、この第１電極層
のみに表面に対して半田付は可能な性質を有する金属の
スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて形成し
た第２電極層と、更に、この第２電極層の表面のみに対
して半田濡れ性を有する金属のスパッタリング、真空蒸
着又はプラズマ溶射にて形成した第３電極層との三層構
造にすると、端子電極膜の厚さは、数ミクロン以下にな
り、前記した先行技術のように、当該端子電極膜におけ
る第１電極層を導電性ペーストにて形成する場合よりも
、遥かに薄くすることができると共に、当該厚さ寸法の
バラ付きをきわめて小さくすることができるのである。
た金属被膜の厚さは、１ミクロン以下と云うようにきわ
めて薄いので、セラミック製本体片の側端面における接
続用の端子電極膜を、前記請求項１のように、本体片に
おける側端面のみに対してセラミックとの密着強度を持
つ性質を有する金属のスパッタリング、真空蒸着又はプ
ラズマ溶射にて形成した第１電極層と、この第１電極層
のみに表面に対して半田付は可能な性質を有する金属の
スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて形成し
た第２電極層と、更に、この第２電極層の表面のみに対
して半田濡れ性を有する金属のスパッタリング、真空蒸
着又はプラズマ溶射にて形成した第３電極層との三層構
造にすると、端子電極膜の厚さは、数ミクロン以下にな
り、前記した先行技術のように、当該端子電極膜におけ
る第１電極層を導電性ペーストにて形成する場合よりも
、遥かに薄くすることができると共に、当該厚さ寸法の
バラ付きをきわめて小さくすることができるのである。
これに加えて、前記三層構造の端子電極膜を、本体片に
おける側端面のみに形成するものであるから、本体片に
おける高さ寸法及び幅寸法が、前記先行技術の場合のよ
うに、端子電極膜を形成することのために大きくなるこ
とがないと共に、高さ寸法及び幅寸法のバラ付きが、端
子電極膜を形成することのために増大することを回避で
きるのである。
おける側端面のみに形成するものであるから、本体片に
おける高さ寸法及び幅寸法が、前記先行技術の場合のよ
うに、端子電極膜を形成することのために大きくなるこ
とがないと共に、高さ寸法及び幅寸法のバラ付きが、端
子電極膜を形成することのために増大することを回避で
きるのである。
従って、請求項１によると、積層型コンデンサ−の外形
寸法を小さくできて、小型化できると共に、外形寸法の
寸法精度を大幅に向上できるのであり、しかも、接続用
の端子電極膜は、本体片における側端面のみに形成され
ているので、真空吸着式のコレットにて吸着するに際し
て、前記端子電極膜がこの吸着を同等阻害することはな
く、吸着ミスが発生することを確実に低減できるのであ
る。
寸法を小さくできて、小型化できると共に、外形寸法の
寸法精度を大幅に向上できるのであり、しかも、接続用
の端子電極膜は、本体片における側端面のみに形成され
ているので、真空吸着式のコレットにて吸着するに際し
て、前記端子電極膜がこの吸着を同等阻害することはな
く、吸着ミスが発生することを確実に低減できるのであ
る。
また、請求項２は、本体片を、治具にて、当該本体片に
おける側端面のみが露出するようにカバーし、この状態
で、前記本体片における側端面に対してスパッタリング
、真空蒸着又はプラズマ溶射にてセラミックとの密着強
度を持つ性質を有する金属の第１電極層を形成し、次い
で、この第１電極層の表面に、スパッタリング、真空蒸
着又はプラズマ溶射にて半田付けが可能な性質を有する
金属の第２電極層を形成し、更に、この第２電極層の表
面に、スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて
半田濡れ性を有する金属の第３電極層を形成するもので
、本体片における側端面のみに端子電極膜を形成するこ
とが、前記治具の使用によって至極容易にできるから、
前記した先行技術として例示した特開昭６０−２３６２
０７号公報に記載されているように、スパッタリング、
真空蒸着又はプラズマ溶射によるニッケルの第２電極層
、及び同じくスパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶
射による錫の第３電極層を、本体片における総ての表面
に形成したのち、この第２電極層及び第３電極層のうち
不必要な部分のみをエツチング処理によって除去するよ
うにしたものに比べて、端子電極膜を形成するための工
程が著しく簡単で、本体片の側端面のみに端子電極膜を
形成することを、低スコトで達成することができる効果
を有する。
おける側端面のみが露出するようにカバーし、この状態
で、前記本体片における側端面に対してスパッタリング
、真空蒸着又はプラズマ溶射にてセラミックとの密着強
度を持つ性質を有する金属の第１電極層を形成し、次い
で、この第１電極層の表面に、スパッタリング、真空蒸
着又はプラズマ溶射にて半田付けが可能な性質を有する
金属の第２電極層を形成し、更に、この第２電極層の表
面に、スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて
半田濡れ性を有する金属の第３電極層を形成するもので
、本体片における側端面のみに端子電極膜を形成するこ
とが、前記治具の使用によって至極容易にできるから、
前記した先行技術として例示した特開昭６０−２３６２
０７号公報に記載されているように、スパッタリング、
真空蒸着又はプラズマ溶射によるニッケルの第２電極層
、及び同じくスパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶
射による錫の第３電極層を、本体片における総ての表面
に形成したのち、この第２電極層及び第３電極層のうち
不必要な部分のみをエツチング処理によって除去するよ
うにしたものに比べて、端子電極膜を形成するための工
程が著しく簡単で、本体片の側端面のみに端子電極膜を
形成することを、低スコトで達成することができる効果
を有する。
以下、本発明の実施例を図面（第１図〜第８図）につい
て説明する。
て説明する。
これらの図において符号１１は、セラミックにて左右両
側端面Ｌｌａ、ｌｌｂ及び上下両面１１ｃ、ｌｉｄ並び
に左右両側面１１ｅ、ｌｌｆの六つの面を有する六面体
に形成した本体片を示し、該本体片１１の内部には、複
数枚から成る一方の内部電極１２と、同じく複数枚から
成る他方の内部電極１３とか交互に積層状で、且つ、前
記一方の各内部電極１２が本体片１１における一方の側
端面１１ａに、前記他方の各内部電極１３が本体片１１
における他方の側端面１１ｂに各々露出するように配設
されている。
側端面Ｌｌａ、ｌｌｂ及び上下両面１１ｃ、ｌｉｄ並び
に左右両側面１１ｅ、ｌｌｆの六つの面を有する六面体
に形成した本体片を示し、該本体片１１の内部には、複
数枚から成る一方の内部電極１２と、同じく複数枚から
成る他方の内部電極１３とか交互に積層状で、且つ、前
記一方の各内部電極１２が本体片１１における一方の側
端面１１ａに、前記他方の各内部電極１３が本体片１１
における他方の側端面１１ｂに各々露出するように配設
されている。
符号１５は、前記本体片１１における両側端面１１ａ、
ｌｌｂのみに、接続用の端子電極膜１４を、各内部電極
１２．１３に導通ずるように形成することのために使用
する治具を示し、該治具１５は、石英ガラス等の適宜材
料にて板状体に構成されている。
ｌｌｂのみに、接続用の端子電極膜１４を、各内部電極
１２．１３に導通ずるように形成することのために使用
する治具を示し、該治具１５は、石英ガラス等の適宜材
料にて板状体に構成されている。
この治具１５の表面に、第３図及び第４図に示すように
、前記本体片ｌ】における高さ寸法Ｈと等しい幅寸法Ｈ
１にした長溝１６を、複数本刻設して、この各長溝１６
内に、第５図及び第６図に示すように、前記本体片１１
の複数個を、当該各本体片１１における一方の側端面１
１ａが上向きで、各本体片１１における両側面１１ｅ、
ｌｌｆか互いに密接するように並べて挿入する（なお、
前記各長溝１６の幅寸法Ｈ１を、本体片１１における幅
寸法Ｗと等しくすることによって、複数個の本体片１１
を、当該各本体片１１における上下両面１１ｃ、ｌｉｄ
か互いに密接するように並べて挿入するようにしても良
い）。
、前記本体片ｌ】における高さ寸法Ｈと等しい幅寸法Ｈ
１にした長溝１６を、複数本刻設して、この各長溝１６
内に、第５図及び第６図に示すように、前記本体片１１
の複数個を、当該各本体片１１における一方の側端面１
１ａが上向きで、各本体片１１における両側面１１ｅ、
ｌｌｆか互いに密接するように並べて挿入する（なお、
前記各長溝１６の幅寸法Ｈ１を、本体片１１における幅
寸法Ｗと等しくすることによって、複数個の本体片１１
を、当該各本体片１１における上下両面１１ｃ、ｌｉｄ
か互いに密接するように並べて挿入するようにしても良
い）。
この場合において、各長溝１６の深さ寸法Ｌ２を、前記
本体片１１における両側端面１１ａ、ｌｌｂ間の長さ寸
法Ｌ１と等しくすることによって、長溝１６内に挿入し
た各本体片１１における一方の側端面のみが露出する状
態にする。
本体片１１における両側端面１１ａ、ｌｌｂ間の長さ寸
法Ｌ１と等しくすることによって、長溝１６内に挿入し
た各本体片１１における一方の側端面のみが露出する状
態にする。
そして、この状態で、治具１５を、従来から良く知られ
ているスパッタリング装置に入れて、クロム等のように
セラミックに対する密着強度の高い金属のスパッタリン
グを行うことにより、各本体片１１における一方の側端
面１１ａに、最初に、第１電極層１４ａを形成する。
ているスパッタリング装置に入れて、クロム等のように
セラミックに対する密着強度の高い金属のスパッタリン
グを行うことにより、各本体片１１における一方の側端
面１１ａに、最初に、第１電極層１４ａを形成する。
次いで、スパッタリング装置で、半田付は可能な性質を
有するニッケルのスパッタリングを行うことにより、前
記第１電極層１４ａの表面に二ヶツルによる第２電極膜
１４ｂを形成したのち、スパッタリング装置で、半田濡
れ性を有する錫のスパッタリングを行うことにより、前
記第２電極層１４ｂの表面に錫による第２電極層１４ｃ
を形成する。
有するニッケルのスパッタリングを行うことにより、前
記第１電極層１４ａの表面に二ヶツルによる第２電極膜
１４ｂを形成したのち、スパッタリング装置で、半田濡
れ性を有する錫のスパッタリングを行うことにより、前
記第２電極層１４ｂの表面に錫による第２電極層１４ｃ
を形成する。
これにより、各本体片１１における一方の側端面１１ａ
にく第８図に示すように、セラミック製本体片１に対し
て接着強度の高いクロム等の金属の第１電極層１４ａと
、半田付は可能な性質を有するニッケルの第２電極層１
４ｂと、半田濡れ性の良い錫の第３電極層１４ｃとの三
層構造の端子電極膜１４を、当該一方の側端面１１ａに
対してのみ形成することができるのである。
にく第８図に示すように、セラミック製本体片１に対し
て接着強度の高いクロム等の金属の第１電極層１４ａと
、半田付は可能な性質を有するニッケルの第２電極層１
４ｂと、半田濡れ性の良い錫の第３電極層１４ｃとの三
層構造の端子電極膜１４を、当該一方の側端面１１ａに
対してのみ形成することができるのである。
このようにして、各本体片１１における一方の側端面１
１ａに端子電極膜１４を形成すると、冶具１５における
各長溝１６内における各本体片ｌｌを、その他方の側端
面１１ｂが上向きになるように裏返して、前記と同様に
３回にわたってスパッタリングを行うことにより、この
他方の側端面１１ｂに、第８図に示すように、クロム等
の金属の第１電極層１４ａと、二ヶツルの第２電極層１
４ｂと、錫の第３電極層１４ｃとの三層構造の端子電極
膜１４を、当該他方の側端面１１ｂに対してのみ形成す
ることができるのである。
１ａに端子電極膜１４を形成すると、冶具１５における
各長溝１６内における各本体片ｌｌを、その他方の側端
面１１ｂが上向きになるように裏返して、前記と同様に
３回にわたってスパッタリングを行うことにより、この
他方の側端面１１ｂに、第８図に示すように、クロム等
の金属の第１電極層１４ａと、二ヶツルの第２電極層１
４ｂと、錫の第３電極層１４ｃとの三層構造の端子電極
膜１４を、当該他方の側端面１１ｂに対してのみ形成す
ることができるのである。
なお、前記端子電極膜１４におけるクロム等の金属の第
１電極層１４ａ、二ヶツルの第２電極層１４ｂ及び錫の
第３電極層１４ｃを形成するに際しては、真空蒸着又は
プラズマ溶射による方法を適用しても良いことは云うま
でもなく、また、第２電極層１４ｂを、ニッケルにする
ことに代えて、同様に半田付は可能な性質を有する銅等
の他の金属にしても良く、更にまた、第３電極層１４ｃ
を、錫に代えて、同様に半田濡れ性を有する銀等の他の
金属にして良いのである。
１電極層１４ａ、二ヶツルの第２電極層１４ｂ及び錫の
第３電極層１４ｃを形成するに際しては、真空蒸着又は
プラズマ溶射による方法を適用しても良いことは云うま
でもなく、また、第２電極層１４ｂを、ニッケルにする
ことに代えて、同様に半田付は可能な性質を有する銅等
の他の金属にしても良く、更にまた、第３電極層１４ｃ
を、錫に代えて、同様に半田濡れ性を有する銀等の他の
金属にして良いのである。
第１図〜第８図は本発明の実施例を示し、第１図は本体
片の斜視図、第２図は第１図の■−■視拡大断面図、第
３図は治具の斜視図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ視断
面図、第５図は前記治具における長溝に複数個の本体片
を並べて入れた状態の斜視図、第６図は第５図のＶＩ−
ＶＩ視断面図、第７図は積層型コンデンサーの斜視図、
第８図は第７図の〜■−〜■視拡大断面図、第９図は従
来の積層型コンデンサーの斜視図、第１０図は第９図の
Ｘ−Ｘ視検大断面図である。 １１・・・・本体片、ｌｌａ、ｌｌｂ・・・・本体片の
側端面、１２．１３・・・・内部電極、１４・・・・端
子電極膜、１４ａ・・・・第１電極層、１４ｂ・・・・
第２電極層、１４ｃ・・・・第３電極層、１５・・・・
治具、１６・・・・長溝。
片の斜視図、第２図は第１図の■−■視拡大断面図、第
３図は治具の斜視図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ視断
面図、第５図は前記治具における長溝に複数個の本体片
を並べて入れた状態の斜視図、第６図は第５図のＶＩ−
ＶＩ視断面図、第７図は積層型コンデンサーの斜視図、
第８図は第７図の〜■−〜■視拡大断面図、第９図は従
来の積層型コンデンサーの斜視図、第１０図は第９図の
Ｘ−Ｘ視検大断面図である。 １１・・・・本体片、ｌｌａ、ｌｌｂ・・・・本体片の
側端面、１２．１３・・・・内部電極、１４・・・・端
子電極膜、１４ａ・・・・第１電極層、１４ｂ・・・・
第２電極層、１４ｃ・・・・第３電極層、１５・・・・
治具、１６・・・・長溝。
Claims (2)
- （１）．セラミック製本体片の内部に、複数枚の内部電
極を配設し、前記本体片における側端面のみに、接続用
の端子電極膜を、前記内部電極に導通するように形成し
て成る積層型コンデンサーにおいて、前記端子電極膜を
、本体片における側端面のみに対してセラミックとの密
着強度を持つ性質を有する金属のスパッタリング、真空
蒸着又はプラズマ溶射にて形成した第１電極層と、この
第１電極層の表面のみに対して半田付けが可能な性質を
有する金属のスパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶
射にて形成した第２電極層と、この第２電極層の表面の
みに対して半田濡れ性を有する金属のスパッタリング、
真空蒸着又はプラズマ溶射にて形成した第３電極層との
三層構造にしたことを特徴とする積層型コンデンサーに
おける端子電極膜の構造。 - （２）．セラミック製本体片の内部に、複数枚の内部電
極を配設し、前記本体片における側端面に、接続用の端
子電極膜を、前記内部電極に導通するように形成するに
おいて、前記本体片を、治具にて、当該本体片における
側端面のみが露出するようにカバーし、この状態で、前
記本体片における側端面に対してスパッタリング、真空
蒸着又はプラズマ溶射にてセラミックとの密着強度を持
つ性質を有する金属の第１電極層を形成し、次いで、こ
の第１電極層の表面に、スパッタリング、真空蒸着又は
プラズマ溶射にて半田付けが可能な性質を有する金属の
第２電極層を形成し、更に、この第２電極層の表面に、
スパッタリング、真空蒸着又はプラズマ溶射にて半田濡
れ性を有する金属の第３電極層を形成することを特徴と
する積層型コンデンサーにおける端子電極膜の形成方法
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021151A JPH03225810A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 積層型コンデンサーにおける端子電極膜の構造及び端子電極膜の形成方法 |
| US07/803,489 US5162973A (en) | 1990-01-30 | 1991-12-04 | Terminal electrode films for lamination capacitor and method for manufacturing |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021151A JPH03225810A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 積層型コンデンサーにおける端子電極膜の構造及び端子電極膜の形成方法 |
| US07/803,489 US5162973A (en) | 1990-01-30 | 1991-12-04 | Terminal electrode films for lamination capacitor and method for manufacturing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225810A true JPH03225810A (ja) | 1991-10-04 |
Family
ID=26358176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021151A Pending JPH03225810A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 積層型コンデンサーにおける端子電極膜の構造及び端子電極膜の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5162973A (ja) |
| JP (1) | JPH03225810A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0572151A3 (en) * | 1992-05-28 | 1995-01-18 | Avx Corp | Varistors with cathodically vaporized connections and method for depositing cathodically vaporized connections on varistors. |
| US5565838A (en) * | 1992-05-28 | 1996-10-15 | Avx Corporation | Varistors with sputtered terminations |
| JP2967660B2 (ja) * | 1992-11-19 | 1999-10-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP3031268B2 (ja) * | 1996-11-20 | 2000-04-10 | 株式会社村田製作所 | 磁器コンデンサ |
| JP3330836B2 (ja) * | 1997-01-22 | 2002-09-30 | 太陽誘電株式会社 | 積層電子部品の製造方法 |
| JPH11176642A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品とその製造方法 |
| EP1011117A3 (en) * | 1998-12-15 | 2004-11-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor |
| US6876554B1 (en) * | 1999-09-02 | 2005-04-05 | Ibiden Co., Ltd. | Printing wiring board and method of producing the same and capacitor to be contained in printed wiring board |
| JP3376971B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4458294A (en) * | 1982-07-28 | 1984-07-03 | Corning Glass Works | Compliant termination for ceramic chip capacitors |
| US4555746A (en) * | 1983-01-12 | 1985-11-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic chip capacitor |
| US4811162A (en) * | 1987-04-27 | 1989-03-07 | Engelhard Corporation | Capacitor end termination composition and method of terminating |
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| JPH0278211A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-19 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2852372B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1999-02-03 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2021151A patent/JPH03225810A/ja active Pending
-
1991
- 1991-12-04 US US07/803,489 patent/US5162973A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5162973A (en) | 1992-11-10 |
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