JPH11176642A - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
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- JPH11176642A JPH11176642A JP9356268A JP35626897A JPH11176642A JP H11176642 A JPH11176642 A JP H11176642A JP 9356268 A JP9356268 A JP 9356268A JP 35626897 A JP35626897 A JP 35626897A JP H11176642 A JPH11176642 A JP H11176642A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部電極15の金属粒子が溶融半田に流出し
てしまう、いわゆる半田喰われを確実に防止できると共
に、半田付けしたときの密着強度が高く、しかも外部電
極の半田濡れ性が良好な外部電極を有する電子部品とそ
の製造方法。 【解決手段】 電子部品は、内部に電子部品要素が形成
された電子部品素体11と、この電子部品素体11の表
面に導出された前記電子部品要素に接続されるように同
電子部品素体11の表面に形成された金属膜からなる外
部電極15、15とを有する。さらに、この電子部品
は、前記外部電極15、15が、電子部品素体11の表
面に被着したアンカー層16と、このアンカー層16を
覆うように形成され耐半田層17と、この耐半田層17
の表面を覆うように形成された溶融半田に対して濡れ性
が良好な半田濡れ層19とを有し、耐半田層17と半田
濡れ層19との間に、これら耐半田層17と半田濡れ層
19をそれぞれ形成する金属材料を共に含む合金からな
る中間層18を有する。
てしまう、いわゆる半田喰われを確実に防止できると共
に、半田付けしたときの密着強度が高く、しかも外部電
極の半田濡れ性が良好な外部電極を有する電子部品とそ
の製造方法。 【解決手段】 電子部品は、内部に電子部品要素が形成
された電子部品素体11と、この電子部品素体11の表
面に導出された前記電子部品要素に接続されるように同
電子部品素体11の表面に形成された金属膜からなる外
部電極15、15とを有する。さらに、この電子部品
は、前記外部電極15、15が、電子部品素体11の表
面に被着したアンカー層16と、このアンカー層16を
覆うように形成され耐半田層17と、この耐半田層17
の表面を覆うように形成された溶融半田に対して濡れ性
が良好な半田濡れ層19とを有し、耐半田層17と半田
濡れ層19との間に、これら耐半田層17と半田濡れ層
19をそれぞれ形成する金属材料を共に含む合金からな
る中間層18を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は積層セラミックコンデン
サや積層セラミックインダクタ等の電子部品の製造方法
に関し、特に、電子部品素体の表面に形成される導体膜
からなる外部電極の構造とその形成手段を改善した状電
子部品とその製造方法に関する。
サや積層セラミックインダクタ等の電子部品の製造方法
に関し、特に、電子部品素体の表面に形成される導体膜
からなる外部電極の構造とその形成手段を改善した状電
子部品とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子部品としては、積層セラミックコン
デンサと積層セラミックインダクタがその代表的なもの
であるが、さらにこれらを組み合わせたLC部品等の複
合素子等が多く開発されている。電子部品の代表的な例
である積層セラミックコンデンサは、コンデンサとして
の電子部品要素を構成する層状の内部電極がセラミック
層を介して多数積み重ねられ、内部電極がセラミック層
の電子部品素体の端面に引き出されている。そして、こ
れらの内部電極が引き出された電子部品素体の端面に導
体膜からなる外部電極が形成されている。
デンサと積層セラミックインダクタがその代表的なもの
であるが、さらにこれらを組み合わせたLC部品等の複
合素子等が多く開発されている。電子部品の代表的な例
である積層セラミックコンデンサは、コンデンサとして
の電子部品要素を構成する層状の内部電極がセラミック
層を介して多数積み重ねられ、内部電極がセラミック層
の電子部品素体の端面に引き出されている。そして、こ
れらの内部電極が引き出された電子部品素体の端面に導
体膜からなる外部電極が形成されている。
【0003】このような積層セラミックコンデンサの一
般的な製造方法は、例えば、誘電体セラミック粉末を有
機バインダーに分散させたセラミックスラリーをシート
状に成形してセラミックグリーンシートを作り、スクリ
ーン印刷法等により、このセラミックグリーンシートの
上に導電ペーストで内部電極パータンを印刷する。そし
て、この内部電極パターンが印刷されたセラミックグリ
ーンシートを積層し、さらにその両側に内部電極パター
ンが印刷されてないセラミックグリーンシートを複数枚
積み重ねる。こうして得られた電子部品素体を内部電極
が端面に露出するようにしてチップ状に切断し、これを
焼成する。そして、この焼成された電子部品素体の端部
に導電ペーストを塗布し、これを焼き付けて外部電極を
形成することにより、積層チップコンデンサが完成す
る。
般的な製造方法は、例えば、誘電体セラミック粉末を有
機バインダーに分散させたセラミックスラリーをシート
状に成形してセラミックグリーンシートを作り、スクリ
ーン印刷法等により、このセラミックグリーンシートの
上に導電ペーストで内部電極パータンを印刷する。そし
て、この内部電極パターンが印刷されたセラミックグリ
ーンシートを積層し、さらにその両側に内部電極パター
ンが印刷されてないセラミックグリーンシートを複数枚
積み重ねる。こうして得られた電子部品素体を内部電極
が端面に露出するようにしてチップ状に切断し、これを
焼成する。そして、この焼成された電子部品素体の端部
に導電ペーストを塗布し、これを焼き付けて外部電極を
形成することにより、積層チップコンデンサが完成す
る。
【0004】また、他の積層セラミックコンデンサの製
造方法として、セラミックの電子部品素体を焼成する前
に、その端部に予め導電ペーストを塗布し、その後セラ
ミックの電子部品素体を焼成すると同時に、導電ペース
トを焼き付けるという製造方法もある。さらに、電子部
品素体を得る方法も、セラミックグリーンシートを使用
する、いわゆるシート法の他に、セラミックペーストと
導電ペーストとを交互に印刷していく、いわゆるスラリ
ビルト法も採用されている。このような積層セラミック
コンデンサに代表される電子部品は、小型化と共に、大
容量化や高インダクタンス化等が要求されている。
造方法として、セラミックの電子部品素体を焼成する前
に、その端部に予め導電ペーストを塗布し、その後セラ
ミックの電子部品素体を焼成すると同時に、導電ペース
トを焼き付けるという製造方法もある。さらに、電子部
品素体を得る方法も、セラミックグリーンシートを使用
する、いわゆるシート法の他に、セラミックペーストと
導電ペーストとを交互に印刷していく、いわゆるスラリ
ビルト法も採用されている。このような積層セラミック
コンデンサに代表される電子部品は、小型化と共に、大
容量化や高インダクタンス化等が要求されている。
【0005】図3は、積層セラミックコンデンサの例を
示す。セラミック層2の積層体からなる電子部品素体1
の内部で、2組の内部電極3、4が交互に対向してお
り、これら2組の内部電極3、4は、それぞれ電子部品
素体1の対向する端面に導出されている。電子部品素体
1の両端部に導体膜からなる外部電極5、5が形成さ
れ、これら外部電極5、5がそれぞれ2組の内部電極
3、4にそれぞれ電気的に接続されている。
示す。セラミック層2の積層体からなる電子部品素体1
の内部で、2組の内部電極3、4が交互に対向してお
り、これら2組の内部電極3、4は、それぞれ電子部品
素体1の対向する端面に導出されている。電子部品素体
1の両端部に導体膜からなる外部電極5、5が形成さ
れ、これら外部電極5、5がそれぞれ2組の内部電極
3、4にそれぞれ電気的に接続されている。
【0006】このような積層セラミックコンデンサに代
表されるチップ状電子部品は、回路基板等の上に搭載さ
れ、その外部電極が半田付けされる。このとき、半田付
け性がよく、半田付け後の機械的な密着強度が強く、電
気的な導通性が良好であることが要求される。このた
め、外部電極5、5は、単一の層ではなく、複数の金属
層から構成される。
表されるチップ状電子部品は、回路基板等の上に搭載さ
れ、その外部電極が半田付けされる。このとき、半田付
け性がよく、半田付け後の機械的な密着強度が強く、電
気的な導通性が良好であることが要求される。このた
め、外部電極5、5は、単一の層ではなく、複数の金属
層から構成される。
【0007】図4は、この外部電極5、5の金属層を示
す。まず、電子部品素体1の表面上には、同素体1の表
面への密着性及び内部電極3、4(図3参照)との導通
性の良好なアンカー層6が形成される。このアンカー層
6の上には、溶融半田に金属粒子が流出しにくい、いわ
ゆる耐半田喰われ性のある耐半田層7が形成される。さ
らに、この耐半田層7の上には、溶融半田に対して濡れ
性の良好な半田濡れ層9が形成される。
す。まず、電子部品素体1の表面上には、同素体1の表
面への密着性及び内部電極3、4(図3参照)との導通
性の良好なアンカー層6が形成される。このアンカー層
6の上には、溶融半田に金属粒子が流出しにくい、いわ
ゆる耐半田喰われ性のある耐半田層7が形成される。さ
らに、この耐半田層7の上には、溶融半田に対して濡れ
性の良好な半田濡れ層9が形成される。
【0008】前記のような外部電極5、5を形成する手
段として、大別して湿式法と乾式法とがある。湿式法
は、導電ペーストの印刷及び焼き付けやメッキ等の手段
で外部電極5、5を形成するものである。この湿式法で
は、通常、前記のアンカー層6がAgの印刷膜により、
耐半田層7がNiのメッキ膜により、さらに、半田濡れ
層9が半田のメッキ膜により形成される。
段として、大別して湿式法と乾式法とがある。湿式法
は、導電ペーストの印刷及び焼き付けやメッキ等の手段
で外部電極5、5を形成するものである。この湿式法で
は、通常、前記のアンカー層6がAgの印刷膜により、
耐半田層7がNiのメッキ膜により、さらに、半田濡れ
層9が半田のメッキ膜により形成される。
【0009】乾式法は、真空蒸着やスパッタリング等の
手段で電子部品素体1の端部に導体膜を形成することに
より、外部電極5、5を形成するものである。この乾式
法では、通常、前記のアンカー層6が、CrまたはCr
の合金膜により、耐半田層7がNiまたはNiの合金膜
により、さらに、半田濡れ層9がAg、SnまたはSn
の合金膜により形成される。前者の湿式法は、狭いピッ
チで高精度の外部電極5、5を形成しにくく、しかも、
メッキに際して電子部品素体1の内部にメッキ液が浸入
して信頼性を低下するという問題がある。そのため、今
日では乾式法が採用されることが次第に多くなってい
る。
手段で電子部品素体1の端部に導体膜を形成することに
より、外部電極5、5を形成するものである。この乾式
法では、通常、前記のアンカー層6が、CrまたはCr
の合金膜により、耐半田層7がNiまたはNiの合金膜
により、さらに、半田濡れ層9がAg、SnまたはSn
の合金膜により形成される。前者の湿式法は、狭いピッ
チで高精度の外部電極5、5を形成しにくく、しかも、
メッキに際して電子部品素体1の内部にメッキ液が浸入
して信頼性を低下するという問題がある。そのため、今
日では乾式法が採用されることが次第に多くなってい
る。
【0010】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、前
記乾式法により外部電極を形成した場合、耐半田層7と
半田濡れ層9との密着性が悪く、密着強度試験におい
て、耐半田層7と半田濡れ層9との界面が剥離しやすい
という課題がある。また、前記の半田濡れ層9をSnや
半田等の低融点金属材料で形成した場合に、半田濡れ層
9を形成する金属が斑状に疎であると、半田付け時に、
溶融半田が外部電極5、5の表面に濡れ広がらない。こ
のような状態では、半田濡れ性が悪いいだけでなく、空
気中の水分が電子部品素体1の内部に浸入し、内部の導
体の腐食やショートを起こす原因となる。
記乾式法により外部電極を形成した場合、耐半田層7と
半田濡れ層9との密着性が悪く、密着強度試験におい
て、耐半田層7と半田濡れ層9との界面が剥離しやすい
という課題がある。また、前記の半田濡れ層9をSnや
半田等の低融点金属材料で形成した場合に、半田濡れ層
9を形成する金属が斑状に疎であると、半田付け時に、
溶融半田が外部電極5、5の表面に濡れ広がらない。こ
のような状態では、半田濡れ性が悪いいだけでなく、空
気中の水分が電子部品素体1の内部に浸入し、内部の導
体の腐食やショートを起こす原因となる。
【0011】本発明は、前記従来の電子部品における課
題に鑑み、外部電極の金属粒子が溶融半田に流出してし
まう、いわゆる半田喰われを確実に防止できると共に、
半田付けしたときの密着強度が高く、しかも外部電極の
半田濡れ性が良好な外部電極を有する電子部品及びその
ような電子部品を製造する方法を提供するものである。
特に、本発明では、乾式法により外部電極を形成するの
場合に好適である。
題に鑑み、外部電極の金属粒子が溶融半田に流出してし
まう、いわゆる半田喰われを確実に防止できると共に、
半田付けしたときの密着強度が高く、しかも外部電極の
半田濡れ性が良好な外部電極を有する電子部品及びその
ような電子部品を製造する方法を提供するものである。
特に、本発明では、乾式法により外部電極を形成するの
場合に好適である。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明では、電子部品素体11の表面に被着した
アンカー層16の上に形成され耐半田層17と、この耐
半田層17の表面を覆うように形成された溶融半田に対
して濡れ性が良好な半田濡れ層19とを有し、耐半田層
17と半田濡れ層19との間に、これら耐半田層17と
半田濡れ層19をそれぞれ形成する金属材料を共に含む
合金からなる中間層18を形成したものである。これに
よって、耐半田層17と半田濡れ層19との間の密着強
度の強化を図った。
めに、本発明では、電子部品素体11の表面に被着した
アンカー層16の上に形成され耐半田層17と、この耐
半田層17の表面を覆うように形成された溶融半田に対
して濡れ性が良好な半田濡れ層19とを有し、耐半田層
17と半田濡れ層19との間に、これら耐半田層17と
半田濡れ層19をそれぞれ形成する金属材料を共に含む
合金からなる中間層18を形成したものである。これに
よって、耐半田層17と半田濡れ層19との間の密着強
度の強化を図った。
【0013】電子部品は、内部に電子部品要素が構成さ
れた電子部品素体11と、この電子部品素体11の表面
に導出された前記電子部品要素に接続されるように同電
子部品素体11の表面に形成された金属膜からなる外部
電極15、15とを有する。さらに、この電子部品は、
前記外部電極15、15が、電子部品素体11の表面に
被着したアンカー層16と、このアンカー層16を覆う
ように形成され耐半田層17と、この耐半田層17の表
面を覆うように形成された溶融半田に対して濡れ性が良
好な半田濡れ層19とを有し、耐半田層17と半田濡れ
層19との間に、これら耐半田層17と半田濡れ層19
をそれぞれ形成する金属材料を共に含む合金からなる中
間層18を有する。
れた電子部品素体11と、この電子部品素体11の表面
に導出された前記電子部品要素に接続されるように同電
子部品素体11の表面に形成された金属膜からなる外部
電極15、15とを有する。さらに、この電子部品は、
前記外部電極15、15が、電子部品素体11の表面に
被着したアンカー層16と、このアンカー層16を覆う
ように形成され耐半田層17と、この耐半田層17の表
面を覆うように形成された溶融半田に対して濡れ性が良
好な半田濡れ層19とを有し、耐半田層17と半田濡れ
層19との間に、これら耐半田層17と半田濡れ層19
をそれぞれ形成する金属材料を共に含む合金からなる中
間層18を有する。
【0014】このような電子部品では、耐半田層17と
半田濡れ層19との間に、これら耐半田層17と半田濡
れ層19をそれぞれ形成する金属材料を共に含む合金か
らなる中間層18が設けられているため、この中間層1
8を介して耐半田層17と半田濡れ層19とが結着さ
れ、半田層17と半田濡れ層19との結着強度が強くな
る。従って、外部電極15、15を半田付けしたときの
密着強度を強くすることができる。また、溶融半田に対
する濡れ性が悪い耐半田層17の上に中間層18を設け
ることにより、この中間層18が半田濡れ層19の下地
となるため、耐半田層17の上に直接半田濡れ層19を
設けた場合に比べて、外部電極15、15の表面の半田
濡れ性も良好となる。特に、乾式法により形成された外
部電極15、15では、半田層17と半田濡れ層19と
の結着強度が弱くなりがちなため、中間層16を設ける
ことにより、半田付け時の密着強度の増大が顕著であ
る。
半田濡れ層19との間に、これら耐半田層17と半田濡
れ層19をそれぞれ形成する金属材料を共に含む合金か
らなる中間層18が設けられているため、この中間層1
8を介して耐半田層17と半田濡れ層19とが結着さ
れ、半田層17と半田濡れ層19との結着強度が強くな
る。従って、外部電極15、15を半田付けしたときの
密着強度を強くすることができる。また、溶融半田に対
する濡れ性が悪い耐半田層17の上に中間層18を設け
ることにより、この中間層18が半田濡れ層19の下地
となるため、耐半田層17の上に直接半田濡れ層19を
設けた場合に比べて、外部電極15、15の表面の半田
濡れ性も良好となる。特に、乾式法により形成された外
部電極15、15では、半田層17と半田濡れ層19と
の結着強度が弱くなりがちなため、中間層16を設ける
ことにより、半田付け時の密着強度の増大が顕著であ
る。
【0015】前記のアンカー層16は、CrまたはCr
を含む合金の膜からなり、耐半田層17は、Niまたは
Niを含む合金からなるものが一般的である。また、ア
ンカー層16を、CrとNiを含む合金膜から形成する
ことにより、同アンカー層16が、耐半田層17を兼ね
ることもできる。さらに、半田濡れ層19は、Snまた
はSnを含む合金からなるものが一般的である。従って
この場合は、耐半田層17と半田濡れ層19との間に介
在される中間層18は、NiとSnとを含む合金膜から
なる。この中間層18には、粒径1.5μm以下の合金
の結晶を含むのが好ましく、中間層18の金属粒子の粒
径が細かい程、耐半田層17と半田濡れ層19との結着
強度を強くすることができる。なお、半田濡れ層19の
下地となる中間層16のSn−Ni合金膜におけるSn
の組成比が高い程、外部電極15、15の表面の半田濡
れ性は良好となる。
を含む合金の膜からなり、耐半田層17は、Niまたは
Niを含む合金からなるものが一般的である。また、ア
ンカー層16を、CrとNiを含む合金膜から形成する
ことにより、同アンカー層16が、耐半田層17を兼ね
ることもできる。さらに、半田濡れ層19は、Snまた
はSnを含む合金からなるものが一般的である。従って
この場合は、耐半田層17と半田濡れ層19との間に介
在される中間層18は、NiとSnとを含む合金膜から
なる。この中間層18には、粒径1.5μm以下の合金
の結晶を含むのが好ましく、中間層18の金属粒子の粒
径が細かい程、耐半田層17と半田濡れ層19との結着
強度を強くすることができる。なお、半田濡れ層19の
下地となる中間層16のSn−Ni合金膜におけるSn
の組成比が高い程、外部電極15、15の表面の半田濡
れ性は良好となる。
【0016】前記のような外部電極15、15は、電子
部品素体11の表面にアンカー層16、アンカー層16
を覆うように耐半田層17、この耐半田層17を覆うよ
うに中間層18を、さらにこの中間層18を覆うように
半田濡れ層19を、真空蒸着やスパッタリングの手段に
より、順次形成することにより設けられる。この場合、
真空チャンバー内において、同チャンバー内を大気圧に
戻すことなく、アンカー層16、耐半田層17、中間層
18及び半田濡れ層19を順次成膜するようにすると、
作業効率が良好であり、しかも密着強度の高い外部電極
15、15が得られる。また、外部電極15、15が形
成される耐半田層17の上に半田濡れ層19を形成する
金属分子を被着させることにより、耐半田層17と半田
濡れ層19をそれぞれ形成する金属材料を共に含む合金
からなる中間層18と、その上の半田濡れ層19を連続
して形成することもできる。
部品素体11の表面にアンカー層16、アンカー層16
を覆うように耐半田層17、この耐半田層17を覆うよ
うに中間層18を、さらにこの中間層18を覆うように
半田濡れ層19を、真空蒸着やスパッタリングの手段に
より、順次形成することにより設けられる。この場合、
真空チャンバー内において、同チャンバー内を大気圧に
戻すことなく、アンカー層16、耐半田層17、中間層
18及び半田濡れ層19を順次成膜するようにすると、
作業効率が良好であり、しかも密着強度の高い外部電極
15、15が得られる。また、外部電極15、15が形
成される耐半田層17の上に半田濡れ層19を形成する
金属分子を被着させることにより、耐半田層17と半田
濡れ層19をそれぞれ形成する金属材料を共に含む合金
からなる中間層18と、その上の半田濡れ層19を連続
して形成することもできる。
【0017】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図1は、外部電極15、15を有する電子部品の例とし
て、積層セラミックコンデンサを示している。既に述べ
た通り、積層セラミックコンデンサは、コンデンサとし
ての電子部品要素を構成する層状の内部電極13、14
がセラミック層12を介して多数積み重ねられ、内部電
極13、14がセラミック層12の電子部品素体11の
端面に引き出されている。これらの内部電極13、14
が引き出された電子部品素体11の端面に導体膜からな
る外部電極15、15が形成されている。このような積
層セラミックコンデンサを製造する工程は、後に説明す
る外部電極15、15を形成する工程の一部を除いて、
前述した積層セラミックコンデンサの製造方法と基本的
に同じである。
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図1は、外部電極15、15を有する電子部品の例とし
て、積層セラミックコンデンサを示している。既に述べ
た通り、積層セラミックコンデンサは、コンデンサとし
ての電子部品要素を構成する層状の内部電極13、14
がセラミック層12を介して多数積み重ねられ、内部電
極13、14がセラミック層12の電子部品素体11の
端面に引き出されている。これらの内部電極13、14
が引き出された電子部品素体11の端面に導体膜からな
る外部電極15、15が形成されている。このような積
層セラミックコンデンサを製造する工程は、後に説明す
る外部電極15、15を形成する工程の一部を除いて、
前述した積層セラミックコンデンサの製造方法と基本的
に同じである。
【0018】図2は、この外部電極15、15の金属層
の積層構造を示す。電子部品素体11の端部の表面上に
は、同素体11の表面への密着性及び内部電極13、1
4(図1参照)との導通性の良好なアンカー層16が形
成される。このアンカー層16の上には、溶融半田に金
属粒子が流出しにくい、いわゆる耐半田喰われ性のある
耐半田層17が形成される。さらに、この耐半田層17
の上には、中間層18が形成され、この中間層18の上
に溶融半田に対して濡れ性の良好な半田濡れ層19が形
成される。中間層18は、耐半田層17と中間層18を
それぞれ形成する金属を共に含む合金からなっている。
の積層構造を示す。電子部品素体11の端部の表面上に
は、同素体11の表面への密着性及び内部電極13、1
4(図1参照)との導通性の良好なアンカー層16が形
成される。このアンカー層16の上には、溶融半田に金
属粒子が流出しにくい、いわゆる耐半田喰われ性のある
耐半田層17が形成される。さらに、この耐半田層17
の上には、中間層18が形成され、この中間層18の上
に溶融半田に対して濡れ性の良好な半田濡れ層19が形
成される。中間層18は、耐半田層17と中間層18を
それぞれ形成する金属を共に含む合金からなっている。
【0019】アンカー層16は、CrまたはCrを主成
分とする合金、具体的にはCrを30重量%以上を含む
合金の膜からなる。このアンカー層16を形成するCr
合金には、Niを含むのが好ましい。耐半田層17は、
NiまたはNiを含む合金、具体的にはNiを30重量
%以上を含む合金の膜からなる。この耐半田層17を形
成するNi合金には、Fe、Cu、Crの少なくとも1
つを含むのが好ましい。なお、アンカー層16を、Cr
とNiを含む合金膜から形成することにより、同アンカ
ー層16が、耐半田層17を兼ねることができる。
分とする合金、具体的にはCrを30重量%以上を含む
合金の膜からなる。このアンカー層16を形成するCr
合金には、Niを含むのが好ましい。耐半田層17は、
NiまたはNiを含む合金、具体的にはNiを30重量
%以上を含む合金の膜からなる。この耐半田層17を形
成するNi合金には、Fe、Cu、Crの少なくとも1
つを含むのが好ましい。なお、アンカー層16を、Cr
とNiを含む合金膜から形成することにより、同アンカ
ー層16が、耐半田層17を兼ねることができる。
【0020】半田濡れ層19は、SnまたはSnを含む
合金、具体的にはSnを30重量%以上を含む合金のか
らなる。この半田濡れ層19を形成するSn合金には、
Pb、Bi、In、Ag、Znの少なくとも1つを含む
のが好ましい。この半田濡れ層19と前記耐半田層17
との間に介在される中間層18は、NiとSnとを含む
合金膜からなる。この中間層18のSnとNiとの重量
組成比は、4:6〜6:4の範囲が好ましい。また、こ
の中間層18には、粒径1.5μm以下の合金の結晶を
含むのが好ましく、中間層18の金属粒子の粒径が細か
い程、その上の半田濡れ層19が緻密になる。換言する
と、中間層18の金属粒子の粒径が大きいと、その上の
半田濡れ層19が斑状に疎らになってしまう。
合金、具体的にはSnを30重量%以上を含む合金のか
らなる。この半田濡れ層19を形成するSn合金には、
Pb、Bi、In、Ag、Znの少なくとも1つを含む
のが好ましい。この半田濡れ層19と前記耐半田層17
との間に介在される中間層18は、NiとSnとを含む
合金膜からなる。この中間層18のSnとNiとの重量
組成比は、4:6〜6:4の範囲が好ましい。また、こ
の中間層18には、粒径1.5μm以下の合金の結晶を
含むのが好ましく、中間層18の金属粒子の粒径が細か
い程、その上の半田濡れ層19が緻密になる。換言する
と、中間層18の金属粒子の粒径が大きいと、その上の
半田濡れ層19が斑状に疎らになってしまう。
【0021】このような外部電極15、15は、電子部
品素体11の表面にアンカー層16、耐半田層17、中
間層18及び半田濡れ層19を、真空蒸着やスパッタリ
ングの手段により、順次形成することにより設けられ
る。この場合、真空チャンバー内において、同チャンバ
ー内を大気圧に戻すことなく、アンカー層16、耐半田
層17、中間層18及び半田濡れ層19を順次成膜する
ようにすると、作業効率が良好であり、しかも密着強度
の高い外部電極15、15が得られる。また、Niまた
はNiを主成分とする耐半田層17の上にSn分子を被
着させることにより、Ni−Sn合金からなる中間層1
8と、Snを主成分とする合金からなる半田濡れ層19
を連続して形成することもできる。
品素体11の表面にアンカー層16、耐半田層17、中
間層18及び半田濡れ層19を、真空蒸着やスパッタリ
ングの手段により、順次形成することにより設けられ
る。この場合、真空チャンバー内において、同チャンバ
ー内を大気圧に戻すことなく、アンカー層16、耐半田
層17、中間層18及び半田濡れ層19を順次成膜する
ようにすると、作業効率が良好であり、しかも密着強度
の高い外部電極15、15が得られる。また、Niまた
はNiを主成分とする耐半田層17の上にSn分子を被
着させることにより、Ni−Sn合金からなる中間層1
8と、Snを主成分とする合金からなる半田濡れ層19
を連続して形成することもできる。
【0022】そのためには例えば、耐半田層17となる
Ni膜を成膜し後、真空チャンバー内の温度を120〜
230℃に保ちながら、Sn膜を成膜する。その後、真
空チャンバー内の温度を−100〜100℃と、前記よ
り低い温度に保ちながら、半田濡れ層19となる膜厚1
μmのSn膜を成膜する。
Ni膜を成膜し後、真空チャンバー内の温度を120〜
230℃に保ちながら、Sn膜を成膜する。その後、真
空チャンバー内の温度を−100〜100℃と、前記よ
り低い温度に保ちながら、半田濡れ層19となる膜厚1
μmのSn膜を成膜する。
【0023】図5は、電子部品の他の例として、積層チ
ップインダクタである積層電子部品の電子部品素体の構
造を示す概念図である。このような電子部品素体は、通
常次のようにして多数のものが同時に製造される。ま
ず、フェライト粉末等の磁性体粉末をバインダー中に分
散した磁性体スラリーを用い、ドクターブレード法、押
出成形法等の手段で薄い磁性体セラミックグリーンシー
トを作る。これらのセラミックグリーンシートの所定の
位置に予めスルーホールを打ち抜く。その後、銀ペース
ト等の導電ペーストを使用し、このセラミックグリーン
シートの上に周回状の内部電極電極パターンを縦横に列
べて多数組分印刷すると共に、上記スルーホールに導電
ペーストを吸引し、スルーホール導体を印刷する。
ップインダクタである積層電子部品の電子部品素体の構
造を示す概念図である。このような電子部品素体は、通
常次のようにして多数のものが同時に製造される。ま
ず、フェライト粉末等の磁性体粉末をバインダー中に分
散した磁性体スラリーを用い、ドクターブレード法、押
出成形法等の手段で薄い磁性体セラミックグリーンシー
トを作る。これらのセラミックグリーンシートの所定の
位置に予めスルーホールを打ち抜く。その後、銀ペース
ト等の導電ペーストを使用し、このセラミックグリーン
シートの上に周回状の内部電極電極パターンを縦横に列
べて多数組分印刷すると共に、上記スルーホールに導電
ペーストを吸引し、スルーホール導体を印刷する。
【0024】必要とするコイルの巻数により、異なる形
状の内部電極パターンを有するセラミックグリーンシー
トを適当な組数用意し、これらを順次積層する。そし
て、これらセラミックグリーンシートの両側に内部電極
パターンが印刷されていないセラミックグリーンシート
を積層する。この積層体を圧着した後、個々のチップ毎
に裁断し、この未焼成の積層チップを焼成することによ
り、焼成済みの電子部品素体11を得る。
状の内部電極パターンを有するセラミックグリーンシー
トを適当な組数用意し、これらを順次積層する。そし
て、これらセラミックグリーンシートの両側に内部電極
パターンが印刷されていないセラミックグリーンシート
を積層する。この積層体を圧着した後、個々のチップ毎
に裁断し、この未焼成の積層チップを焼成することによ
り、焼成済みの電子部品素体11を得る。
【0025】こうして得られた電子部品素体11は、複
数のセラミック層21、21…、21’、21’…が積
層され、一体となったものである。セラミック層11に
は、インダクタとしての電子部品要素を構成する周回状
の内部電極25a、25b…が形成されている。これら
内部電極25a、25b…は、スルーホール26、26
…に設けられたスルーホール導体を介して順次接続さ
れ、電子部品素体11の内部でコイル状に連なってい
る。磁性体セラミックからなるセラミック層21、21
…は、このコイルの磁芯となる。内部電極25a、25
b…を有するセラミック層21、21…のうち、図5に
おいて上下の端のセラミック層21、21に形成された
内部電極積25e、25fは、電子部品素体11の対向
する一対の端面にそれぞれ導出している。
数のセラミック層21、21…、21’、21’…が積
層され、一体となったものである。セラミック層11に
は、インダクタとしての電子部品要素を構成する周回状
の内部電極25a、25b…が形成されている。これら
内部電極25a、25b…は、スルーホール26、26
…に設けられたスルーホール導体を介して順次接続さ
れ、電子部品素体11の内部でコイル状に連なってい
る。磁性体セラミックからなるセラミック層21、21
…は、このコイルの磁芯となる。内部電極25a、25
b…を有するセラミック層21、21…のうち、図5に
おいて上下の端のセラミック層21、21に形成された
内部電極積25e、25fは、電子部品素体11の対向
する一対の端面にそれぞれ導出している。
【0026】さらに、前記内部電極25a、25b…が
形成されたセラミック層21、21…の両側に、内部電
極が形成されていないセラミック層21’、21’…、
いわゆるブランクのセラミック層21’、21’…が積
層されている。図5に示す電子部品素体11では、この
ブランクのセラミック層21’、21’…は、前記内部
電極25a、25b…を有するコイル磁芯となるセラミ
ック層21、21…と同じ磁性体材料からなる。
形成されたセラミック層21、21…の両側に、内部電
極が形成されていないセラミック層21’、21’…、
いわゆるブランクのセラミック層21’、21’…が積
層されている。図5に示す電子部品素体11では、この
ブランクのセラミック層21’、21’…は、前記内部
電極25a、25b…を有するコイル磁芯となるセラミ
ック層21、21…と同じ磁性体材料からなる。
【0027】図6に示すように、このような電子部品素
体11の両端に、真空蒸着法やスパッタリング法によ
り、外部電極15、15が形成される。この外部電極1
5、15は、既に述べた積層セラミックコンデンサと基
本的に同じであり、図2に示すように、アンカー層1
6、耐半田層17、中間層18及び半田濡れ層19から
なる。
体11の両端に、真空蒸着法やスパッタリング法によ
り、外部電極15、15が形成される。この外部電極1
5、15は、既に述べた積層セラミックコンデンサと基
本的に同じであり、図2に示すように、アンカー層1
6、耐半田層17、中間層18及び半田濡れ層19から
なる。
【0028】なお、前記の例では、電子部品素体11の
端部にそれぞれ単一の外部電極15、15を形成した例
について説明したが、本発明は、電子部品素体11の側
面に複数の外部電極15、15を分離して設けた、いわ
ゆるアレイ形電子部品にも当然のことながら本発明を適
用することができる。このようなアレイ形電子部品に本
発明を適用したものでは、外部電極15、15を半田付
けしたときの密着強度の増大の効果が顕著である。
端部にそれぞれ単一の外部電極15、15を形成した例
について説明したが、本発明は、電子部品素体11の側
面に複数の外部電極15、15を分離して設けた、いわ
ゆるアレイ形電子部品にも当然のことながら本発明を適
用することができる。このようなアレイ形電子部品に本
発明を適用したものでは、外部電極15、15を半田付
けしたときの密着強度の増大の効果が顕著である。
【0029】
【実施例】次に、本発明の実施例について、具体的数値
をあげて詳細に説明する。 (実施例1)フェライト系磁性体粉末を仮焼きした後、
これらを有機バインダー中に分散し、磁性体スラリを作
った。この磁性体スラリをドクターブレード法により成
形し、磁性体セラミックグリーンシートを作った。これ
らセラミックグリーンシートの一部の所定の位置に予め
スルーホールを打ち抜いた後、銀ペーストを使用し、こ
のセラミックグリーンシートの上に周回状の内部電極電
極パターンを縦横に列べて多数組分印刷すると共に、上
記スルーホールに銀ペーストを吸引し、スルーホール導
体を印刷した。
をあげて詳細に説明する。 (実施例1)フェライト系磁性体粉末を仮焼きした後、
これらを有機バインダー中に分散し、磁性体スラリを作
った。この磁性体スラリをドクターブレード法により成
形し、磁性体セラミックグリーンシートを作った。これ
らセラミックグリーンシートの一部の所定の位置に予め
スルーホールを打ち抜いた後、銀ペーストを使用し、こ
のセラミックグリーンシートの上に周回状の内部電極電
極パターンを縦横に列べて多数組分印刷すると共に、上
記スルーホールに銀ペーストを吸引し、スルーホール導
体を印刷した。
【0030】まず、前記内部電極パターンが印刷されて
いないブランクのセラミックグリーンシートを積層し、
次に内部電極パターンを有するセラミックグリーンシー
トを、スルーホールを介してそれらがコイル状に連なる
ように順次積層した。さらに、これらセラミックグリー
ンシートの上に内部電極パターンが印刷されていないブ
ランクのセラミックグリーンシートを積層した。この電
子部品素体を圧着した後、個々のチップ毎に裁断した。
この未焼成の積層チップを、脱バインダー処理した後、
焼成することにより、図5に示すような層構造を有する
焼成済みの電子部品素体11を得た。この電子部品素体
11は、約1.6mm×0.8mm×0.8mmの概ね
直方体形のものである。
いないブランクのセラミックグリーンシートを積層し、
次に内部電極パターンを有するセラミックグリーンシー
トを、スルーホールを介してそれらがコイル状に連なる
ように順次積層した。さらに、これらセラミックグリー
ンシートの上に内部電極パターンが印刷されていないブ
ランクのセラミックグリーンシートを積層した。この電
子部品素体を圧着した後、個々のチップ毎に裁断した。
この未焼成の積層チップを、脱バインダー処理した後、
焼成することにより、図5に示すような層構造を有する
焼成済みの電子部品素体11を得た。この電子部品素体
11は、約1.6mm×0.8mm×0.8mmの概ね
直方体形のものである。
【0031】次に、真空蒸着法により、この電子部品素
体11の両端に、次に述べる方法で外部電極15、15
を形成した。まず、マスク治具に電子部品素体11をセ
ットし、電子部品素体11の両端を除く部分が蒸発源に
対して陰になるように真空チャンバにセットした。真空
チャンバの内部を圧力1.3×10-3Pa程度まで真空
排気し、この状態で電子銃により電子ビームを発生さ
せ、これで坩堝に収納された蒸発源を衝撃加熱して蒸発
させ、発生した金属分子を電子部品素体11の両端に被
着させた。坩堝は、複数種類の金属を蒸発源として収納
すると共に、回転機構により回転するようになってお
り、所定角度ごと回転することにより、蒸発する金属を
切り替えることができるようになっている。
体11の両端に、次に述べる方法で外部電極15、15
を形成した。まず、マスク治具に電子部品素体11をセ
ットし、電子部品素体11の両端を除く部分が蒸発源に
対して陰になるように真空チャンバにセットした。真空
チャンバの内部を圧力1.3×10-3Pa程度まで真空
排気し、この状態で電子銃により電子ビームを発生さ
せ、これで坩堝に収納された蒸発源を衝撃加熱して蒸発
させ、発生した金属分子を電子部品素体11の両端に被
着させた。坩堝は、複数種類の金属を蒸発源として収納
すると共に、回転機構により回転するようになってお
り、所定角度ごと回転することにより、蒸発する金属を
切り替えることができるようになっている。
【0032】校正された水晶振動子膜厚計で膜厚をモニ
タリングしながら、まず、電子部品素体11の両端の表
面にアンカー層16となる膜厚50nmのCr膜を成膜
し、続いてその上に耐半田層17となる膜厚1μmのN
i膜を成膜した。次に、真空チャンバー内の温度を15
0℃に保ちながら、膜厚0.5μmのSn膜を成膜し
た。その後、真空チャンバー内の温度を15℃に保ちな
がら、半田濡れ層19となる膜厚1μmのSn膜を成膜
した。このようにして真空蒸着法により形成された外部
電極15、15の断面構造を電子顕微鏡で観察すると、
耐半田層17であるNi膜と半田濡れ層19である表面
側のSn膜との間に、平均粒径が約0.5μmのNi−
Sn合金層からなる中間層18が形成されていることが
確認された。
タリングしながら、まず、電子部品素体11の両端の表
面にアンカー層16となる膜厚50nmのCr膜を成膜
し、続いてその上に耐半田層17となる膜厚1μmのN
i膜を成膜した。次に、真空チャンバー内の温度を15
0℃に保ちながら、膜厚0.5μmのSn膜を成膜し
た。その後、真空チャンバー内の温度を15℃に保ちな
がら、半田濡れ層19となる膜厚1μmのSn膜を成膜
した。このようにして真空蒸着法により形成された外部
電極15、15の断面構造を電子顕微鏡で観察すると、
耐半田層17であるNi膜と半田濡れ層19である表面
側のSn膜との間に、平均粒径が約0.5μmのNi−
Sn合金層からなる中間層18が形成されていることが
確認された。
【0033】このようにして作られた電子部品1000
個の中から、無作為に100個を取り出し、これらをプ
リント回路基板上に搭載し、共晶半田で回路基板上のラ
ンド電極に前記外部電極15、15を半田付けした。英
国デイジ社製の2400pc型のボンドテスターを使用
し、回路基板を固定した状態で、それに搭載した電子部
品に棒状の金属を引掛け、基板と平行な方向に力を加え
て破壊試験を行った。このときの破壊が起こる前の最大
荷重を固着強度とし、その100個の平均を求めた。
個の中から、無作為に100個を取り出し、これらをプ
リント回路基板上に搭載し、共晶半田で回路基板上のラ
ンド電極に前記外部電極15、15を半田付けした。英
国デイジ社製の2400pc型のボンドテスターを使用
し、回路基板を固定した状態で、それに搭載した電子部
品に棒状の金属を引掛け、基板と平行な方向に力を加え
て破壊試験を行った。このときの破壊が起こる前の最大
荷重を固着強度とし、その100個の平均を求めた。
【0034】また、電子部品1000個の中から、無作
為に20個を別に取り出し、これらを温度105℃、2
気圧、湿度100%の環境に保たれた高温湿圧試験槽に
20時間収納した。その後、高温湿圧試験槽から電子部
品を取り出し、これら電子部品を、前記と同様にしてプ
リント回路基板上に搭載し、共晶半田で回路基板上のラ
ンド電極に前記外部電極15、15を半田付けした。そ
して、外部電極15、15を半田が完全に覆っているか
否かを目視観察した。その結果、20個の電子部品の全
てにおいて、外部電極15、15を半田が完全に覆って
いるものを「良」、それ以外のものを「不良」とした。
これら、固着強度及び半田濡れ試験の結果を表1に示し
た。
為に20個を別に取り出し、これらを温度105℃、2
気圧、湿度100%の環境に保たれた高温湿圧試験槽に
20時間収納した。その後、高温湿圧試験槽から電子部
品を取り出し、これら電子部品を、前記と同様にしてプ
リント回路基板上に搭載し、共晶半田で回路基板上のラ
ンド電極に前記外部電極15、15を半田付けした。そ
して、外部電極15、15を半田が完全に覆っているか
否かを目視観察した。その結果、20個の電子部品の全
てにおいて、外部電極15、15を半田が完全に覆って
いるものを「良」、それ以外のものを「不良」とした。
これら、固着強度及び半田濡れ試験の結果を表1に示し
た。
【0035】(比較例1)前記実施例において、外部電
極5の耐半田層7であるNi層の成膜までは同実施例と
同様に行い、この耐半田層7の上に、真空チャンバー内
を−110℃の温度に保持してSn膜を成膜した。この
ようにして真空蒸着法により形成された外部電極5、5
の断面構造を光学顕微鏡で観察すると、耐半田層7であ
るNi膜と半田濡れ層9である表面側のSn膜との間
に、Ni−Sn合金層は確認されない。この電子部品に
ついても、前記実施例と同様にして剥離試験により半田
の固着強度を測定すると共に、半田濡れ試験を行い、そ
の結果を表1に示した。
極5の耐半田層7であるNi層の成膜までは同実施例と
同様に行い、この耐半田層7の上に、真空チャンバー内
を−110℃の温度に保持してSn膜を成膜した。この
ようにして真空蒸着法により形成された外部電極5、5
の断面構造を光学顕微鏡で観察すると、耐半田層7であ
るNi膜と半田濡れ層9である表面側のSn膜との間
に、Ni−Sn合金層は確認されない。この電子部品に
ついても、前記実施例と同様にして剥離試験により半田
の固着強度を測定すると共に、半田濡れ試験を行い、そ
の結果を表1に示した。
【0036】(比較例2)前記実施例において、外部電
極5の耐半田層7であるNi層の成膜までは同実施例と
同様に行い、この耐半田層7の上に、真空チャンバー内
を150℃の温度に保持してSn膜を成膜した。このよ
うにして真空蒸着法により形成された外部電極5、5の
断面構造を光学顕微鏡で観察すると、耐半田層7である
Ni膜の上に、Ni−Sn合金層が形成されている。こ
の電子部品についても、前記実施例と同様にして剥離試
験により半田の固着強度を測定すると共に、半田濡れ試
験を行い、その結果を表1に示した。
極5の耐半田層7であるNi層の成膜までは同実施例と
同様に行い、この耐半田層7の上に、真空チャンバー内
を150℃の温度に保持してSn膜を成膜した。このよ
うにして真空蒸着法により形成された外部電極5、5の
断面構造を光学顕微鏡で観察すると、耐半田層7である
Ni膜の上に、Ni−Sn合金層が形成されている。こ
の電子部品についても、前記実施例と同様にして剥離試
験により半田の固着強度を測定すると共に、半田濡れ試
験を行い、その結果を表1に示した。
【0037】
【表1】
【0038】前記の結果から明らかな通り、前記実施例
では、固着強度及び半田濡れ性共に良好な結果がえられ
た。これに対し、外部電極が中間層を有しない比較例1
では、外部電極の表面の半田濡れ性は良好であるが、固
着強度が実施例に比べて1/10以下であった。また、
外部電極の表面がNi−Sn合金からなる比較例2で
は、外部電極の表面の半田濡れ性が悪く、その分、固着
強度が実施例に比べて1/2程度であった。
では、固着強度及び半田濡れ性共に良好な結果がえられ
た。これに対し、外部電極が中間層を有しない比較例1
では、外部電極の表面の半田濡れ性は良好であるが、固
着強度が実施例に比べて1/10以下であった。また、
外部電極の表面がNi−Sn合金からなる比較例2で
は、外部電極の表面の半田濡れ性が悪く、その分、固着
強度が実施例に比べて1/2程度であった。
【0039】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、外
部電極を半田付けするときの半田濡れ性が良好であると
共に、外部電極の金属成分が溶融半田中に流出してしま
う、いわゆる半田喰われが起こらず、しかも半田付け後
の固着強度が共に良好な電子部品を得ることができる。
特に、従来において半田付け状態のの固着強度の弱さが
欠点であった乾式法により形成された外部電極でも、強
い固着強度が得られる。これにより、電子部品を回路基
板上に搭載したときの信頼性の向上を図ることができ
る。
部電極を半田付けするときの半田濡れ性が良好であると
共に、外部電極の金属成分が溶融半田中に流出してしま
う、いわゆる半田喰われが起こらず、しかも半田付け後
の固着強度が共に良好な電子部品を得ることができる。
特に、従来において半田付け状態のの固着強度の弱さが
欠点であった乾式法により形成された外部電極でも、強
い固着強度が得られる。これにより、電子部品を回路基
板上に搭載したときの信頼性の向上を図ることができ
る。
【図1】本発明による電子部品の例としての積層セラミ
ックコンデンサを示す一部縦断斜視図である。
ックコンデンサを示す一部縦断斜視図である。
【図2】同積層セラミックコンデンサの外部電極の層構
造を模式的に示す要部格段縦断側面図である。
造を模式的に示す要部格段縦断側面図である。
【図3】電子部品の従来例としての積層セラミックコン
デンサを示す一部縦断斜視図である。
デンサを示す一部縦断斜視図である。
【図4】同積層セラミックコンデンサの外部電極の層構
造を模式的に示す要部格段縦断側面図である。
造を模式的に示す要部格段縦断側面図である。
【図5】積層インダクタの例を示すその電子部品素体の
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図6】同積層インダクタの完成品を示す斜視図であ
る。
る。
【符号の説明】 11 電子部品素体 12 セラミック層 13 内部電極 14 内部電極 15 外部電極 16 外部電極のアンカー層 17 外部電極の耐半田層 18 外部電極の中間層 19 外部電極の半田濡れ層
【手続補正書】
【提出日】平成10年4月27日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0001
【補正方法】変更
【補正内容】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は積層セラミックコンデン
サや積層セラミックインダクタ等の電子部品の製造方法
に関し、特に、電子部品素体の表面に形成される導体膜
からなる外部電極の構造とその形成手段を改善したチッ
プ状電子部品とその製造方法に関する。
サや積層セラミックインダクタ等の電子部品の製造方法
に関し、特に、電子部品素体の表面に形成される導体膜
からなる外部電極の構造とその形成手段を改善したチッ
プ状電子部品とその製造方法に関する。
Claims (9)
- 【請求項1】 内部に電子部品要素が構成された電子部
品素体(11)と、この電子部品素体(11)の表面に
導出された前記電子部品要素に接続されるように同電子
部品素体(11)の表面に形成された金属膜からなる外
部電極(15)、(15)とを有する電子部品におい
て、前記外部電極(15)、(15)が、電子部品素体
(11)の表面に被着したアンカー層(16)と、この
アンカー層(16)を覆うように形成され耐半田層(1
7)と、この耐半田層(17)の表面を覆うように形成
された溶融半田に対して濡れ性が良好な半田濡れ層(1
9)とを有し、耐半田層(17)と半田濡れ層(19)
との間に、これら耐半田層(17)と半田濡れ層(1
9)をそれぞれ形成する金属材料を共に含む合金からな
る中間層(18)を有することを特徴とする電子部品。 - 【請求項2】 アンカー層(16)がCrまたはCrを
含む合金からなることを特徴とする請求項1に記載の電
子部品。 - 【請求項3】 耐半田層(17)がNiまたはNiを含
む合金からなることを特徴とする請求項1または2に記
載の電子部品。 - 【請求項4】 半田濡れ層(19)がSnまたはSnを
含む合金からなることを特徴とする請求項1〜3の何れ
かに記載の電子部品。 - 【請求項5】 中間層(18)に粒径1.5μm以下の
合金の結晶を含むことを特徴とする請求項1〜4の何れ
かに記載の電子部品。 - 【請求項6】 アンカー層(16)がCrとNiを含む
合金からなり、同アンカー層(16)が耐半田層(1
7)を兼ねていることを特徴とする請求項1〜5の何れ
かに記載の電子部品。 - 【請求項7】 内部に電子部品要素が構成された電子部
品素体(11)の表面に導出された前記電子部品要素に
接続されるように同電子部品素体(11)の表面に金属
膜からなる外部電極(15)、(15)を形成して電子
部品を製造する方法において、電子部品素体(11)の
表面にアンカー層(16)、アンカー層(16)を覆う
ように形成され耐半田層(17)、この耐半田層(1
7)を覆うように形成された溶融半田に対して濡れ性が
良好な半田濡れ層(19)とを形成し、外部電極(1
5)、(15)を設けるに当たり、耐半田層(17)と
半田濡れ層(19)との間に、これら耐半田層(17)
と半田濡れ層(19)をそれぞれ形成する金属材料を共
に含む合金からなる中間層(18)を形成することを特
徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項8】 耐半田層(17)の上に半田濡れ層(1
9)を形成する金属分子を被着させることにより、耐半
田層(17)と半田濡れ層(19)をそれぞれ形成する
金属材料を共に含む合金からなる中間層(18)と、そ
の上の半田濡れ層(19)を連続して形成することを特
徴とする請求項7に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項9】 真空チャンバー内において、同チャンバ
ー内を大気圧に戻すことなく、アンカー層(16)、耐
半田層(17)、中間層(18)及び半田濡れ層(1
9)が順次成膜されることによって、外部電極(1
5)、(15)が形成されることを特徴とする請求項7
または8に記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP9356268A JPH11176642A (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 電子部品とその製造方法 |
US09/183,211 US6071800A (en) | 1997-12-08 | 1998-10-30 | Electronic device and manufacturing method thereof |
US09/298,706 US6151204A (en) | 1997-12-08 | 1999-04-23 | Electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9356268A JPH11176642A (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 電子部品とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH11176642A true JPH11176642A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18448179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9356268A Pending JPH11176642A (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 電子部品とその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6071800A (ja) |
JP (1) | JPH11176642A (ja) |
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- 1997-12-08 JP JP9356268A patent/JPH11176642A/ja active Pending
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1998
- 1998-10-30 US US09/183,211 patent/US6071800A/en not_active Expired - Lifetime
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1999
- 1999-04-23 US US09/298,706 patent/US6151204A/en not_active Expired - Lifetime
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030610 |