JP3433029B2 - 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は積層セラミックコン
デンサの外部電極の形成方法に関し、特に内部電極と外
部電極の接続性を良好にできる薄膜による外部電極の形
成方法に関する。
デンサの外部電極の形成方法に関し、特に内部電極と外
部電極の接続性を良好にできる薄膜による外部電極の形
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に薄膜の外部電極を有する積層セラ
ミックコンデンサは、図３の断面図に示すように、セラ
ミックからなる六面体に形成された本体片１の内部に、
複数枚からなる内部電極２が交互に積層状に配設され、
この本体片１における六つの側面のうち内部電極２が露
出する一対の側端面に、内部電極２と導通する薄膜によ
る外部電極３が形成されている。
ミックコンデンサは、図３の断面図に示すように、セラ
ミックからなる六面体に形成された本体片１の内部に、
複数枚からなる内部電極２が交互に積層状に配設され、
この本体片１における六つの側面のうち内部電極２が露
出する一対の側端面に、内部電極２と導通する薄膜によ
る外部電極３が形成されている。
【０００３】この薄膜による外部電極３の形成は、スパ
ッタリング法，真空蒸着法又はプラズマ溶射法により、
セラミックの本体片１に対して密着強度の高いＣｒから
なる第一電極層３ａを形成した後、この表面にハンダ食
われ防止用のバリア金属となるＮｉからなる第二電極層
３ｂを形成し、さらにＡｇからなる第三電極層３ｃを形
成する。
ッタリング法，真空蒸着法又はプラズマ溶射法により、
セラミックの本体片１に対して密着強度の高いＣｒから
なる第一電極層３ａを形成した後、この表面にハンダ食
われ防止用のバリア金属となるＮｉからなる第二電極層
３ｂを形成し、さらにＡｇからなる第三電極層３ｃを形
成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の積層
セラミックコンデンサでは、内部電極２と外部電極３と
の接続を確実に行うことが重要であるため、内部電極２
を設けた本体片１を焼成した後、内部電極２を本体片１
の側端面から十分露出させるためにバレル研磨を施し
て、次いで本体片１の側端面にスパッタリング法等によ
り、第一電極層３ａ，第二電極層３ｂ及び第三電極層３
ｃかなる外部電極３を形成している。
セラミックコンデンサでは、内部電極２と外部電極３と
の接続を確実に行うことが重要であるため、内部電極２
を設けた本体片１を焼成した後、内部電極２を本体片１
の側端面から十分露出させるためにバレル研磨を施し
て、次いで本体片１の側端面にスパッタリング法等によ
り、第一電極層３ａ，第二電極層３ｂ及び第三電極層３
ｃかなる外部電極３を形成している。
【０００５】しかしながら、バレル研磨の不十分、内部
電極２の過薄、内部電極２の露出部分での欠落、内部電
極２へのセラミック被覆等に起因し、内部電極２と外部
電極３との接続が不十分となる場合があり、静電容量の
損失、誘電正接（ｔａｎδ）の増大等の不具合を発生さ
せる原因となっていた。本発明の目的は、上述した問題
点に鑑み、内部電極との接続が確実に行われる薄膜によ
る積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法を提
供することにある。
電極２の過薄、内部電極２の露出部分での欠落、内部電
極２へのセラミック被覆等に起因し、内部電極２と外部
電極３との接続が不十分となる場合があり、静電容量の
損失、誘電正接（ｔａｎδ）の増大等の不具合を発生さ
せる原因となっていた。本発明の目的は、上述した問題
点に鑑み、内部電極との接続が確実に行われる薄膜によ
る積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次のような構成をとる。すなわち、本発明
の積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法は、
セラミックよりなる本体片の内部に複数枚の内部電極を
配設し、前記本体片から内部電極を露出させた後、前記
内部電極の露出面に内部電極材料と異なる拡散係数を持
つ金属膜を形成して熱処理を施した後、前記内部電極と
導通する外部電極を設けることを特徴とする。
成するために次のような構成をとる。すなわち、本発明
の積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法は、
セラミックよりなる本体片の内部に複数枚の内部電極を
配設し、前記本体片から内部電極を露出させた後、前記
内部電極の露出面に内部電極材料と異なる拡散係数を持
つ金属膜を形成して熱処理を施した後、前記内部電極と
導通する外部電極を設けることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
の外部電極の形成方法は、前記金属膜の拡散係数が前記
内部電極材料より大きいことを特徴とするものである。
本発明よれば、内部電極材料と異なる拡散係数を持つ金
属膜を形成して熱処理を施すことで、側端面に形成され
た金属膜とセラミックの本体片の内部に配設された内部
電極材料との間で拡散が起こり、この拡散によって内部
電極が実質的に長くなって、本体片の側端面から十分露
出するようになり、内部電極と外部電極との接続がより
確実になる特に、金属膜の拡散係数が内部電極材料より
大きいので、内部電極に金属膜が入り込み、その結果、
内部電極材料と金属膜との合金が形成されて内部電極の
体積が大きくなり、本体片の側端面から確実に露出する
ようになる。
の外部電極の形成方法は、前記金属膜の拡散係数が前記
内部電極材料より大きいことを特徴とするものである。
本発明よれば、内部電極材料と異なる拡散係数を持つ金
属膜を形成して熱処理を施すことで、側端面に形成され
た金属膜とセラミックの本体片の内部に配設された内部
電極材料との間で拡散が起こり、この拡散によって内部
電極が実質的に長くなって、本体片の側端面から十分露
出するようになり、内部電極と外部電極との接続がより
確実になる特に、金属膜の拡散係数が内部電極材料より
大きいので、内部電極に金属膜が入り込み、その結果、
内部電極材料と金属膜との合金が形成されて内部電極の
体積が大きくなり、本体片の側端面から確実に露出する
ようになる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図面を
参照しつつ具体的に説明する。まず、図１（ａ）に示す
ように、酸化チタンやチタン酸バリウム及びＰｂ系の複
合ペロブスカイト型化合物の誘電体材料を有機バインダ
ーに分散させたグリーンシート１１上に、完成時には内
部電極となるＡｇ−Ｐｄ系又はＰｄ等の金属を含む導電
ペースト１２をスクリーン印刷し、このグリーンシート
１１を所定枚数（２０〜１００枚程度）積み重ねて熱圧
着する。その後、熱圧着したグリーンシート１１を切断
線１３に沿って切断し、所定寸法の積層セラミックコン
デンサの本体片１を得る。
参照しつつ具体的に説明する。まず、図１（ａ）に示す
ように、酸化チタンやチタン酸バリウム及びＰｂ系の複
合ペロブスカイト型化合物の誘電体材料を有機バインダ
ーに分散させたグリーンシート１１上に、完成時には内
部電極となるＡｇ−Ｐｄ系又はＰｄ等の金属を含む導電
ペースト１２をスクリーン印刷し、このグリーンシート
１１を所定枚数（２０〜１００枚程度）積み重ねて熱圧
着する。その後、熱圧着したグリーンシート１１を切断
線１３に沿って切断し、所定寸法の積層セラミックコン
デンサの本体片１を得る。
【０００９】そして、同図（ｂ）に示すように、本体片
１を仮焼成して脱バインダーした後焼成し、本体片１の
一対の側端面から内部電極２が露出するようにバレル研
磨を施す。しかし、本体片１内においては丸印で囲んだ
ように複数枚（ここでは２枚）の内部電極２が側端面か
ら十分に露出していないことがあり、この状態で従来の
方法で薄膜の外部電極を本体片１の側端面に形成する
と、内部電極２と外部電極との接続が不十分となり、静
電容量の損失、誘電正接（ｔａｎδ）の増大等の不具合
を発生するおそれがある。
１を仮焼成して脱バインダーした後焼成し、本体片１の
一対の側端面から内部電極２が露出するようにバレル研
磨を施す。しかし、本体片１内においては丸印で囲んだ
ように複数枚（ここでは２枚）の内部電極２が側端面か
ら十分に露出していないことがあり、この状態で従来の
方法で薄膜の外部電極を本体片１の側端面に形成する
と、内部電極２と外部電極との接続が不十分となり、静
電容量の損失、誘電正接（ｔａｎδ）の増大等の不具合
を発生するおそれがある。
【００１０】そこで、同図（ｃ）に示すように、本体片
１を収納するための多数の貫通孔１４を有する枠部１５
を底板１６の上に固定した治具を準備し、貫通孔１４内
に側端面が上を向くように本体片１を挿入する。そし
て、この治具を側端面に金属膜を形成できる装置、例え
ばスパッタリング装置、にセットする。そして、本発明
では外部電極を形成する前に、図２（ｄ）に示すよう
に、Ａｇ−Ｐｄ系，Ｐｄ等の金属からなる内部電極２よ
り拡散係数の大きい金属、例えばＡｇ、を膜厚０．１〜
１μｍ程度となるようにスパッタリングし、本体片１の
両側端面に金属膜４を形成する。
１を収納するための多数の貫通孔１４を有する枠部１５
を底板１６の上に固定した治具を準備し、貫通孔１４内
に側端面が上を向くように本体片１を挿入する。そし
て、この治具を側端面に金属膜を形成できる装置、例え
ばスパッタリング装置、にセットする。そして、本発明
では外部電極を形成する前に、図２（ｄ）に示すよう
に、Ａｇ−Ｐｄ系，Ｐｄ等の金属からなる内部電極２よ
り拡散係数の大きい金属、例えばＡｇ、を膜厚０．１〜
１μｍ程度となるようにスパッタリングし、本体片１の
両側端面に金属膜４を形成する。
【００１１】次に、金属膜４が形成された本体片１を治
具を取り出して、トンネル炉内にセットし、昇温温度３
０℃／分で，最高温度８５０℃を１０分保持し、側端面
に金属膜４が形成された本体片１に熱処理を施す。この
ように熱処理を施すと、図２（ｅ）に示すように、拡散
係数の違いにより金属膜４と微少距離離間された本来露
出されるべき内部電極２との間で拡散が起こり、本体片
１の側端面付近で金属膜４と内部電極２による合金５が
橋絡状に形成され、内部電極２が実質的に延長され、本
体片１の側端面から露出するようになる。
具を取り出して、トンネル炉内にセットし、昇温温度３
０℃／分で，最高温度８５０℃を１０分保持し、側端面
に金属膜４が形成された本体片１に熱処理を施す。この
ように熱処理を施すと、図２（ｅ）に示すように、拡散
係数の違いにより金属膜４と微少距離離間された本来露
出されるべき内部電極２との間で拡散が起こり、本体片
１の側端面付近で金属膜４と内部電極２による合金５が
橋絡状に形成され、内部電極２が実質的に延長され、本
体片１の側端面から露出するようになる。
【００１２】他方内部電極２の非接続端側では内部電極
２と金属膜４との間には一定の間隔で離間されているの
で、上述の拡散作用による合金形成がほとんど生じな
い。特に本発明では、Ａｇの金属膜４の拡散係数がＡｇ
−Ｐｄ系又はＰｄ系の内部電極２より大きいので、金属
膜４が内部電極２側に入り込み、本体片１の側端面付近
に合金５が形成されることになる。
２と金属膜４との間には一定の間隔で離間されているの
で、上述の拡散作用による合金形成がほとんど生じな
い。特に本発明では、Ａｇの金属膜４の拡散係数がＡｇ
−Ｐｄ系又はＰｄ系の内部電極２より大きいので、金属
膜４が内部電極２側に入り込み、本体片１の側端面付近
に合金５が形成されることになる。
【００１３】かかる場合、内部電極２の拡散係数が金属
膜４より大きいとすれば、内部電極２が近接側端面側に
拡散して合金５が形成されて拡散された分その膜厚が薄
くり、内部電極２の一部が断線するおそれが生じるが、
本願発明では金属膜４の拡散係数が大きいのでこのよう
な問題は生じない。なお、本実施例では、熱処理を８５
０℃の温度で行ったが、金属膜４と内部電極２との間で
拡散が生じればよく、５００℃〜９００℃の間で適宜選
択することができる。
膜４より大きいとすれば、内部電極２が近接側端面側に
拡散して合金５が形成されて拡散された分その膜厚が薄
くり、内部電極２の一部が断線するおそれが生じるが、
本願発明では金属膜４の拡散係数が大きいのでこのよう
な問題は生じない。なお、本実施例では、熱処理を８５
０℃の温度で行ったが、金属膜４と内部電極２との間で
拡散が生じればよく、５００℃〜９００℃の間で適宜選
択することができる。
【００１４】次いで、側端面付近に合金５が形成された
本体片１を、図１（ｃ）と同様の治具に側端面が上を向
くように本体片１を挿入し、外部電極を形成するための
装置、例えばスパッタリング装置、に治具ごとセットす
る。そして、この本体片１にスパッタリングを施して、
図２（ｆ）に示すよう外部電極３を形成する。外部電極
３の形成方法は、まず本体片１の一方の側端面にセラミ
ックに対して密着強度の高いＣｒ等の金属材料からなる
第一電極層３ａを形成し、次に第一電極層３ａの表面に
ハンダ食われ防止用のバリア金属となるＮｉからなる第
二電極層３ｂを形成し、最後にハンダ付け性の良いＡｇ
等の金属材料からなる第三電極層３ｃを形成する。さら
に、一方の外部電極３を形成した後、治具を裏返して本
体片１の他方の側端面が上を向くようにし、上述と同様
に３種類の電極材料をスパッタリングし、第一電極層３
ａ，第二電極層３ｂ及び第三電極層３ｃからなる外部電
極３を形成する。
本体片１を、図１（ｃ）と同様の治具に側端面が上を向
くように本体片１を挿入し、外部電極を形成するための
装置、例えばスパッタリング装置、に治具ごとセットす
る。そして、この本体片１にスパッタリングを施して、
図２（ｆ）に示すよう外部電極３を形成する。外部電極
３の形成方法は、まず本体片１の一方の側端面にセラミ
ックに対して密着強度の高いＣｒ等の金属材料からなる
第一電極層３ａを形成し、次に第一電極層３ａの表面に
ハンダ食われ防止用のバリア金属となるＮｉからなる第
二電極層３ｂを形成し、最後にハンダ付け性の良いＡｇ
等の金属材料からなる第三電極層３ｃを形成する。さら
に、一方の外部電極３を形成した後、治具を裏返して本
体片１の他方の側端面が上を向くようにし、上述と同様
に３種類の電極材料をスパッタリングし、第一電極層３
ａ，第二電極層３ｂ及び第三電極層３ｃからなる外部電
極３を形成する。
【００１５】この図からも明らかなように、内部電極２
は金属膜４との合金５の形成により側端面から十分露出
しており、内部電極２と外部電極３とは確実に電気的に
接続することになる。本発明では、第三電極層３ｃをス
パッタリングによるＡｇで形成したが、ハンダメッキを
利用して形成しても良い。
は金属膜４との合金５の形成により側端面から十分露出
しており、内部電極２と外部電極３とは確実に電気的に
接続することになる。本発明では、第三電極層３ｃをス
パッタリングによるＡｇで形成したが、ハンダメッキを
利用して形成しても良い。
【００１６】本発明の実施例では、内部電極としてＡｇ
−Ｐｄ系，Ｐｄを、金属膜としてＡｇを使用したが、拡
散係数が内部電極より金属膜が大きければどのような金
属材料を使用しも良い。ここで拡散係数について説明す
ると、金属の拡散係数は一般に次の式で与えられる。 Ｄ＝Ｄ0ｅｘｐ（−Ｑ／ＲＴ）・・・（１） Ｄ：拡散係数(cm2/sec) Ｄ0：拡散の振動数項(cm2/sec) Ｑ：活性化エネルギー(kcal/mol) Ｒ：気体定数(1.986cal/K・mol) Ｔ：絶対温度(K) ただし、拡散の振動数項Ｄ0，活性化エネルギーＱは自
己拡散の実験によって決定された金属材料固有の数値で
ある。
−Ｐｄ系，Ｐｄを、金属膜としてＡｇを使用したが、拡
散係数が内部電極より金属膜が大きければどのような金
属材料を使用しも良い。ここで拡散係数について説明す
ると、金属の拡散係数は一般に次の式で与えられる。 Ｄ＝Ｄ0ｅｘｐ（−Ｑ／ＲＴ）・・・（１） Ｄ：拡散係数(cm2/sec) Ｄ0：拡散の振動数項(cm2/sec) Ｑ：活性化エネルギー(kcal/mol) Ｒ：気体定数(1.986cal/K・mol) Ｔ：絶対温度(K) ただし、拡散の振動数項Ｄ0，活性化エネルギーＱは自
己拡散の実験によって決定された金属材料固有の数値で
ある。
【００１７】本発明で使用されたＡｇ，Ｐｄについて拡
散係数を計算すると、Ａｇ；Ｄ0=0.395(cm2/sec)，Ｑ=4
4.09(kcal/mol)であり、Ｐｄ；Ｄ0=0.205(cm2/sec)，Ｑ
=63.6(kcal/mol)であり、Ｔ=1125Kとして式（１）にそ
れぞれ代入すると拡散係数が得られる。ＡｇはＤ＝0.38
7(cm2/sec)、ＰｄはＤ＝0.199(cm2/sec)となりＡｇの拡
散係数がＰｄより大きいことが判る。従って、上記の式
で算出される拡散係数の値を参照に適宜金属材料を選択
することができる。
散係数を計算すると、Ａｇ；Ｄ0=0.395(cm2/sec)，Ｑ=4
4.09(kcal/mol)であり、Ｐｄ；Ｄ0=0.205(cm2/sec)，Ｑ
=63.6(kcal/mol)であり、Ｔ=1125Kとして式（１）にそ
れぞれ代入すると拡散係数が得られる。ＡｇはＤ＝0.38
7(cm2/sec)、ＰｄはＤ＝0.199(cm2/sec)となりＡｇの拡
散係数がＰｄより大きいことが判る。従って、上記の式
で算出される拡散係数の値を参照に適宜金属材料を選択
することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明による積層
セラミックコンデンサの外部電極の形成方法によれば、
内部電極と異なる拡散係数を持つ金属膜との間に拡散が
発生して合金が形成されるので、本体片の側端面から十
分露出するようになり、内部電極と外部電極との接続が
確実になり、静電容量の損失、誘電正接（ｔａｎδ）の
増大等の問題を解決することができる。
セラミックコンデンサの外部電極の形成方法によれば、
内部電極と異なる拡散係数を持つ金属膜との間に拡散が
発生して合金が形成されるので、本体片の側端面から十
分露出するようになり、内部電極と外部電極との接続が
確実になり、静電容量の損失、誘電正接（ｔａｎδ）の
増大等の問題を解決することができる。
【００１９】特に、金属膜の拡散係数が内部電極材料よ
り大きいので、内部電極に金属膜が入り込み、内部電極
の一部が断線するこのなく内部電極を本体片の側端面か
ら確実に露出することができる。
り大きいので、内部電極に金属膜が入り込み、内部電極
の一部が断線するこのなく内部電極を本体片の側端面か
ら確実に露出することができる。
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサを製造する
工程の一部を示す説明図。
工程の一部を示す説明図。
【図２】本発明の積層セラミックコンデンサを製造する
工程の一部を示す説明図。
工程の一部を示す説明図。
【図３】従来の積層セラミックコンデンサを示す断面
図。
図。
１ 本体片
２ 内部電極
３ 外部電極
４ 金属膜
５ 合金部
Claims (2)
- 【請求項１】セラミックよりなる本体片の内部に複数枚
の内部電極を配設し、前記本体片から内部電極を露出さ
せた後、前記内部電極の露出面に内部電極材料と異なる
拡散係数を持つ金属膜を形成して熱処理を施した後、前
記内部電極と導通する外部電極を設けることを特徴とす
る積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法。 - 【請求項２】 前記金属膜の拡散係数が前記内部電極材
料より大きいことを特徴とする請求項１記載の積層セラ
ミックコンデンサの外部電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28705996A JP3433029B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28705996A JP3433029B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135069A JPH10135069A (ja) | 1998-05-22 |
| JP3433029B2 true JP3433029B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=17712528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28705996A Expired - Fee Related JP3433029B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3433029B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6056388B2 (ja) * | 2012-11-07 | 2017-01-11 | Tdk株式会社 | 電子部品の製造方法 |
-
1996
- 1996-10-29 JP JP28705996A patent/JP3433029B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH10135069A (ja) | 1998-05-22 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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