JP6056388B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品の製造方法に関する。

一般に、電子部品は、一端が表面に露出するように引き出された導電体が内部に複数配置された素体と、素体のうち導電体が露出する面を含む端部に配置されると共に導電体に電気的に接続された外部電極とを備え、外部電極は、素体に接する下地電極膜と、当該下地電極膜を覆うめっき膜とを有する。外部電極を素体の端部に形成する方法の一つとして、ディップ法が知られている。ディップ法は、素体の端部を導電性ペーストに浸漬する工程と、素体の端部に付着した導電性ペーストを熱処理して下地電極膜を形成する工程と、下地電極膜の表面上にめっき膜を形成する工程とを含む。

ディップ法では、導電性ペーストに含まれる導電粒子の大きさや、導電性ペーストの粘度などの影響により、形成される外部電極の厚さが数１０μｍ〜数１００μｍ程度と厚くなる。外部電極の厚さが厚いと、電子部品の体積（電子部品に外接する仮想的な直方体の体積）に対する素体の体積の割合が小さくなるので、素体の内部に配置される導電体の設計の自由度が低くなってしまう。そのため、外部電極の厚さをできる限り薄くすることが望まれていた。

特許文献１は、サンドブラスト法又はブラシ研磨法によって、粒径が１μｍ以上の複数の導電性粒子を素体の所定の面に付着させる工程と、複数の導電性粒子に対して直接めっきを施す工程とを含む電子部品の製造方法を開示している。この方法によれば、導電性粒子を直接素体の表面に付着させているので、所定の粒径の導電性粒子を選択することで、ディップ法と比較して薄い外部電極を得ることができる。

特開２００９−２１２２９８号公報

しかしながら、特許文献１におけるサンドブラスト法又はブラシ研磨法では、導電性粒子を素体の表面に物理的に衝突させてめり込ませている。そのため、素体が導電性粒子によって削られて、素体内に配置されている導電体のショートを引き起こし、電子部品としての信頼性に影響を与える虞があった。

特許文献１におけるサンドブラスト法又はブラシ研磨法では、導電性粒子を素体の表面に物理的に衝突させてめり込ませるために、所定の粒径（特許文献１においては１μｍ以上の粒径）を有する導電性粒子を使用する必要があった。そのため、外部電極の薄型化に限界があった。

特許文献１におけるサンドブラスト法又はブラシ研磨法では、一方向からしか導電性粒子を素体に付着させることができなかった。そのため、素体の複数の面に導電性粒子を付着させようとする場合、工程数の増加に繋がっていた。

そこで、本発明の目的は、素体の稜部を跨いで複数の面に形成される外部電極の厚さが極めて薄く、且つ、信頼性の高い電子部品を、工程数の増加を抑制しつつ製造することが可能な電子部品の製造方法を提供することにある。

本発明の一つの観点に係る電子部品の製造方法は、導電体が内部に配置され、導電体の一端が引き出されて露出する第１の側面と、稜部を介して第１の側面と隣り合う第２の側面とを有する素体を用意する第１の工程と、金属化合物を溶質として含有する溶液を、第１の側面、稜部及び第２の側面にわたって塗布する第２の工程と、熱処理により、金属化合物が酸化されてなる金属酸化物膜を第１の側面、稜部及び第２の側面にわたって形成する第３の工程と、熱処理により金属酸化物膜を還元して、第１の側面、稜部及び第２の側面にわたって第１の金属膜を形成する第４の工程と、第１の金属膜を覆うめっき膜を形成する第５の工程とを有する。

本発明の一つの観点に係る電子部品の製造方法では、金属化合物を溶質として含有する溶液を素体の表面に塗布し、熱処理により、当該金属化合物が酸化されてなる金属酸化物膜を素体の表面に形成している。金属酸化物は素体への付着性が極めて良好であるため、溶液の素体への塗布量は極めて少量で済む。そのため、素体の表面に形成される金属酸化物膜の厚さを極めて薄くできる。従って、熱処理により金属酸化物膜を還元することで、極めて薄い第１の金属膜が得られる。その結果、外部電極の厚さを極めて薄くすることができる。

本発明の一つの観点に係る電子部品の製造方法では、金属化合物を溶質として含有する溶液を素体の表面に塗布している。そのため、特許文献１におけるサンドブラスト法又はブラシ研磨法とは異なり、方向の制限なく素体の複数の面に同時に当該溶液を塗布できる。従って、工程数の増加を抑制できる。

本発明の一つの観点に係る電子部品の製造方法では、金属化合物を溶質として含有する溶液を素体の表面に塗布している。そのため、特許文献１におけるサンドブラスト法又はブラシ研磨法とは異なり、素体が導電性粒子によって削られて、素体内に配置されている導電体のショートを引き起こす虞がほとんどない。従って、信頼性の高い電子部品を得ることができる。

本発明の他の観点に係る電子部品の製造方法は、導電体が内部に配置され、導電体の一端が引き出されて露出する第１の側面と、稜部を介して第１の側面と隣り合う第２の側面とを有する素体を用意する第１の工程と、金属化合物を溶質として含有する溶液を、第１の側面、稜部及び第２の側面にわたって塗布する第２の工程と、熱処理により、金属化合物が酸化されてなる金属酸化物膜を第１の側面、稜部及び第２の側面にわたって形成する第３の工程と、熱処理により金属酸化物膜を還元して、第１の側面、稜部及び第２の側面にわたって第１の金属膜を形成する第４の工程と、第１の側面上に位置する第１の金属膜を覆うように、第１の金属膜よりも密度の高い第２の金属膜を形成する第５の工程と、第１の金属膜のうち第２の金属膜に覆われていない部分と、第２の金属膜とを覆うように、めっき膜を形成する第６の工程とを有する。

本発明の他の観点に係る電子部品の製造方法では、金属化合物を溶質として含有する溶液を素体の表面に塗布し、熱処理により、当該金属化合物が酸化されてなる金属酸化物膜を素体の表面に形成している。金属酸化物は素体への付着性が極めて良好であるため、溶液の素体への塗布量は極めて少量で済む。そのため、素体の表面に形成される金属酸化物膜の厚さを極めて薄くできる。従って、熱処理により金属酸化物膜を還元することで、極めて薄い第１の金属膜が得られる。その結果、外部電極の厚さを極めて薄くすることができる。

本発明の他の観点に係る電子部品の製造方法では、金属化合物を溶質として含有する溶液を素体の表面に塗布している。そのため、特許文献１におけるサンドブラスト法又はブラシ研磨法とは異なり、方向の制限なく素体の複数の面に同時に当該溶液を塗布できる。従って、工程数の増加を抑制できる。

本発明の他の観点に係る電子部品の製造方法では、金属化合物を溶質として含有する溶液を素体の表面に塗布している。そのため、特許文献１におけるサンドブラスト法又はブラシ研磨法とは異なり、素体が導電性粒子によって削られて、素体内に配置されている導電体のショートを引き起こす虞がほとんどない。従って、信頼性の高い電子部品を得ることができる。

ところで、めっき膜を形成する工程においては、めっき液が第１の側面のうち導電体の露出部分から浸入しやすい。しかしながら、本発明の他の観点に係る電子部品の製造方法では、第１の側面上に位置する第１の金属膜を覆うように、第１の金属膜よりも密度の高い第２の金属膜を形成している。そのため、めっき液の素体内への浸入を第２の金属膜によって抑制することができる。また、第２の金属膜は稜部及び第２の側面には形成されていないので、第２の金属膜が素体の稜部に回り込んで外部電極が厚くなってしまうことを抑制することができる。

本発明によれば、素体の稜部を跨いで複数の面に形成される外部電極の厚さが極めて薄く、且つ、信頼性の高い電子部品を、工程数の増加を抑制しつつ製造することが可能な電子部品の製造方法を提供することができる。

図１は、本実施形態に係る積層型コンデンサを示す斜視図である。 図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。 図３は、図２の一部を拡大して示す図である。 図４は、本実施形態に係る積層型コンデンサの製造工程を説明するための図である。 図５は、本実施形態に係る積層型コンデンサの他の例を示す斜視図である。 図６は、本実施形態に係る積層型コンデンサの他の例を示す斜視図である。

本発明の実施形態について図面を参照して説明するが、以下の本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定する趣旨ではない。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

まず、図１〜図３を参照して、本実施形態に係る電子部品の構成について説明する。本実施形態においては、電子部品として積層型コンデンサ１を例に挙げて説明するが、これに限られず、他の電子部品（例えば、積層型バリスタ、積層型インダクタなど）に本発明を適用してもよい。

積層型コンデンサ１は、図１に示されるように、略直方体形状の素体１０と、素体１０の長手方向に並ぶ一対の側面にそれぞれ形成された一対の外部電極１２Ａ，１２Ｂとを備える。素体１０の大きさは、例えば、長手方向の長さ、幅、及び厚みがそれぞれ０．６ｍｍ程度、０．３ｍｍ程度、０．３ｍｍ程度に設定されたいわゆる０６０３サイズや、長手方向の長さ、幅、及び厚みがそれぞれ０．４ｍｍ程度、０．２ｍｍ程度、０．２ｍｍ程度に設定された０４０２サイズであってもよい。

素体１０は、互いに対向する主面１０ａ，１０ｂと、互いに対向する側面１０ｃ，１０ｄと、互いに対向する端面１０ｅ，１０ｆとを有する。主面１０ａ，１０ｂは、本実施形態において、回路基板（図示せず）の回路面と対向する実装面となる。

側面１０ｃは、稜部ｅ１，ｅ２を介して主面１０ａ，１０ｂと隣り合うように連結されている。側面１０ｃは、稜部ｅ３，ｅ４を介して端面１０ｅ，１０ｆと隣り合うように連結されている。側面１０ｄは、稜部ｅ５，ｅ６を介して主面１０ａ，１０ｂと隣り合うように連結されている。側面１０ｄは、稜部ｅ７，ｅ８を介して端面１０ｅ，１０ｆと隣り合うように連結されている。

端面１０ｅは、稜部ｅ９，ｅ１０を介して主面１０ａ，１０ｂと隣り合うように連結されている。端面１０ｅは、稜部ｅ３，ｅ７を介して側面１０ｃ，１０ｄと隣り合うように連結されている。端面１０ｆは、稜部ｅ１１，ｅ１２を介して主面１０ａ，１０ｂと隣り合うように連結されている。端面１０ｆは、稜部ｅ４，ｅ８を介して側面１０ｃ，１０ｄと隣り合うように連結されている。

素体１０は、通常、焼成後にバレル研磨されるので、素体１０の稜部ｅ１〜ｅ１２は、実際には、所定の大きさの曲率を有する曲面状を呈している（図示せず）。素体１０の表面は、図３に詳しく示されるように、微視的には波打った凹凸状を呈している。

素体１０は、図２に示されるように、複数の誘電体層１４と、複数の内部電極１６Ａと、複数の内部電極１６Ｂとが積層された積層体である。複数の誘電体層１４は、電気絶縁性を有する絶縁体として機能する。複数の誘電体層１４は、例えば、チタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムに希土類元素を添加した誘電性セラミック材料で形成することができる。複数の誘電体層１４は、実際には、焼成により境界が視認できない程度に一体化されている。

内部電極１６Ａ，１６Ｂは、端面１０ｅ，１０ｆの対向方向に沿って延びるように、素体１０の内部に配置されている。内部電極１６Ａと内部電極１６Ｂとは、主面１０ａ，１０ｂの対向方向において、誘電体層１４を介して交互に積層されている。内部電極１６Ａの一端は素体１０の端面１０ｅに露出し、内部電極１６Ａの他端は素体１０から露出していない。内部電極１６Ｂの一端は素体１０の端面１０ｆに露出し、内部電極１６Ｂの他端は素体１０から露出していない。内部電極１６Ａ，１６Ｂが積層方向（主面１０ａ，１０ｂの対向方向）から見て重なり合っている部分の対向面積と、内部電極１６Ａと内部電極１６Ｂとの間隔（すなわち誘電体層１４の厚み）とによって、積層型コンデンサ１の静電容量が規定される。

内部電極１６Ａ，１６Ｂは、例えばＣｕ、Ａｇ、Ｎｉ等の導電性材料からなる。内部電極１６Ａ，１６Ｂは、粒子状の導電性材料を含有する導電性ペーストの焼結体として構成されている。

外部電極１２Ａは、端面１０ｅの全面を覆うと共に、端面１０ａと隣り合う主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄの一部を覆っている。具体的には、外部電極亜１２Ａは、端面１０ｅから、稜部ｅ３，ｅ７，ｅ９，ｅ１０を回り込んで、主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄに至っている。外部電極１２Ａは、端面１０ｅに露出する内部電極１６Ａと電気的に接続されている。

外部電極１２Ａは、下地金属膜１８Ａと、シール金属膜２０Ａと、めっき膜２２Ａとを有する。下地金属膜１８Ａ、シール金属膜２０Ａ、及びめっき膜２２Ａは、素体１０（端面１０ｅ）から外方に向けてこの順に配置されている。外部電極１２Ａの厚さは、６μｍ〜１２μｍ程度に設定される。

下地金属膜１８Ａは、端面１０ｅの全面を覆うと共に、端面１０ｅと隣り合う主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄの一部を覆っている。下地金属膜１８Ａは、これらの面１０ａ〜１０ｅの表面上に直接配置されている。下地金属膜１８Ａは、図３に詳しく示されるように、微視的には多数の金属粒子が互いに付着した膜状の集合体である。この金属粒子の粒径は、例えば０．１μｍ〜１μｍ程度である。すなわち、下地金属層１８Ａの厚さは、素体１０のいずれの面１０ａ〜１０ｅにおいても０．１μｍ〜１μｍ程度である。金属粒子の材質は、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒである。なお、図３においては、金属粒子が素体１０の表面上に一列に並んでいる様子が示されているが、金属粒子が素体１０の表面上に二列以上に並んでいてもよい。

図２に戻って、シール金属膜２０Ａは、端面１０ｅ上に位置する下地金属膜１８Ａを覆うように形成されている。すなわち、シール金属膜２０Ａは、端面１０ｅ，１０ｆの対向方向から見て、端面１０ｅと重なり合っている。シール金属膜２０Ａは、めっき膜２２Ａを形成する際のめっき工程において、めっき液が素体１０内に浸入することを抑制する役割を果たす。そのため、シール金属膜２０Ａの密度は、下地金属膜１８Ａの密度よりも高いと好ましく、シール金属膜２０Ａの厚さは、下地金属膜１８Ａよりも厚いと好ましい。シール金属膜２０Ａの材質は、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒである。

めっき膜２２Ａは、端面１０ｅの全面を覆うと共に、端面１０ｅと隣り合う主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄの一部を覆うように、下地金属膜１８Ａ及びシール金属膜２０Ａ上に配置されている。より具体的には、めっき膜２２Ａは、下地金属膜１８Ａの表面のうちシール金属膜２０Ａが設けられていない領域と、シール金属膜２０Ａの表面との上に配置されている。めっき膜２２Ａは、例えばＮｉ等の耐はんだ喰われ性を有する材料からなる第１層と、例えばＳｎ、Ｓｎ合金、Ａｇ等のはんだ濡れ性を有する材料からなる第２層とを有する。第１層の厚さは、例えば１μｍ〜５μｍ程度に設定することができる。第２層の厚さは、例えば１μｍ〜５μｍ程度程度に設定することができる。

外部電極１２Ｂは、端面１０ｆの全面を覆うと共に、端面１０ｆと隣り合う主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄの一部を覆っている。具体的には、外部電極亜１２Ｂは、端面１０ｆから、稜部ｅ４，ｅ８，ｅ１１，ｅ１２を回り込んで、主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄに至っている。外部電極１２Ｂは、端面１０ｆに露出する内部電極１６Ｂと電気的に接続されている。

外部電極１２Ｂは、下地金属膜１８Ｂと、シール金属膜２０Ｂと、めっき膜２２Ｂとを有する。下地金属膜１８Ｂ、シール金属膜２０Ｂ、及びめっき膜２２Ｂは、素体１０（端面１０ｆ）から外方に向けてこの順に配置されている。

下地金属膜１８Ｂは、端面１０ｆの全面を覆うと共に、端面１０ｆと隣り合う主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄの一部を覆っている。下地金属膜１８Ｂは、これらの面１０ａ〜１０ｄ，１０ｆの表面上に直接配置されている。下地金属膜１８Ｂは、下地電極膜１８Ａと同様、微視的には多数の金属粒子が互いに付着した膜状の集合体である。下地金属膜１８Ｂの厚さ及び材質についても下地金属膜１８Ａと同様であるため説明を省略する。

シール金属膜２０Ｂは、端面１０ｆ上に位置する下地金属膜１８Ｂを覆うように形成されている。すなわち、シール金属膜２０Ｂは、端面１０ｅ，１０ｆの対向方向から見て、端面１０ｆと重なり合っている。シール金属膜２０Ｂは、めっき膜２２Ｂを形成する際のめっき工程において、めっき液が素体１０内に浸入することを抑制する役割を果たす。そのため、シール金属膜２０Ｂの密度は、下地金属膜１８Ｂの密度よりも高いと好ましく、シール金属膜２０Ｂの厚さは、下地金属膜１８Ｂよりも厚いと好ましい。下地金属膜１８Ｂの材質については、シール金属膜２０Ａと同様であるため説明を省略する。

めっき膜２２Ｂは、端面１０ｆの全面を覆うと共に、端面１０ｆと隣り合う主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄの一部を覆うように、下地金属膜１８Ｂ及びシール金属膜２０Ｂ上に配置されている。より具体的には、めっき膜２２Ｂは、下地金属膜１８Ｂの表面のうちシール金属膜２０Ｂが設けられていない領域と、シール金属膜２０Ｂの表面との上に配置されている。めっき膜２２Ｂは、例えばＮｉ等の耐はんだ喰われ性を有する材料からなる第１層と、例えばＳｎ、Ｓｎ合金、Ａｇ等のはんだ濡れ性を有する材料からなる第２層とを有する。第１層及び第２層の厚さは、めっき膜２２Ａの第１層及び第２層の厚さと同様であるため説明を省略する。

続いて、図４を参照して、本実施形態に係る積層型コンデンサ１の製造方法について説明する。まず、誘電体材料から構成された誘電体グリーンシートを複数用意する。次に、導電性粒子を含有する導電性ペーストを、所定形状をなすように誘電体グリーンシート上に塗布して乾燥する。これにより、表面に導電塗膜が形成された誘電体グリーンシートが得られる。

次に、表面に導電塗膜が形成された誘電体グリーンシートを複数積層すると共に、最外層として、表面に導電塗膜が形成されていない誘電体グリーンシートを積層し、所定の圧力にて圧着してグリーン積層体を得る。次に、グリーン積層体を、例えば１１００℃〜１３００℃の温度下で２時間程度焼成する。これにより、誘電体グリーンシートが誘電体層１４となり、導電塗膜が内部電極１６Ａ，１６Ｂとなり、焼結体としての素体１０が得られる（図４（ａ）参照）。

次に、ステンレスの平板（メタライザ）１００上に、金属化合物を溶質として含有する溶液１０２を供給する。これにより、平板１００の表面に、当該溶液が拡がった状態となる（図４（ｂ）参照）。当該溶液としては、株式会社高純度化学研究所製のゾルゲル材料又はＭＯＤ材料を用いることができる。ゾルゲル材料は、加水分解及び重合により金属アルコキシドをコロイド状としたものを溶液中に分散させた溶液である。ＭＯＤ材料は、有機溶剤に金属の有機化合物を溶解させた溶液である。より具体的には、焼成後にＣｕＯが得られるＣｕＯコーティング溶液や、当該ＣｕＯコーティング溶液と、焼成後にＩＴＯ（酸化インジウムスズ）が得られるＩＴＯコーティング溶液とを例えば７：３の割合で混合した溶液などを用いることができる。ＣｕＯコーティング溶液にＩＴＯコーティング溶液を混合すると、素体１０への溶液の付着性が高まる。なお、溶液中に含まれる媒質としての金属化合物は、粒子、イオン、コロイドなどの形態をとり得る。

次に、素体１０の端面１０ｅとメタライザ１００とが対向した状態で、素体１０をメタライザ１００に向けて下降させる（図４（ｃ）参照）。素体１０がメタライザ１００上の溶液１０２に到達することで、素体１０のうち端面１０ｅ側の部分が溶液１０２に浸漬される（図４（ｄ）参照）。次に、素体１０を上昇させると、液状膜１０４によって、端面１０ｅの全面が覆われると共に、端面１０ｅと隣り合う主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄの一部が覆われる（図４（ｅ）参照）。

次に、液状膜１０４が付着した素体１０を、空気中において、所定時間（例えば５分間）、所定温度（例えば１５０℃）にて熱処理することにより、液状膜１０４を乾燥させる。同様の工程を経て、端面１０ｆの全面と、端面１０ｆと隣り合う主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄの一部とに液状膜を付着させ、当該液状膜を乾燥させる。

次に、素体１０を、空気中において、所定時間（例えば４０分）、所定温度（４８０℃）にて熱処理することにより、溶液の溶媒を蒸発させると共に、溶液に含まれる金属化合物を酸化する。これにより、素体１０の両端部に金属酸化物膜が形成される。具体的には、ＣｕＯコーティング溶液を用いた場合には、素体１０の両端部にＣｕＯ膜が形成される。

次に、素体１０を、Ｈ_２雰囲気中、又はコークス（Ｃ）等の還元剤を含む雰囲気中において、所定時間（例えば４０分）、所定温度（例えば４５０℃）にて熱処理することにより、素体１０の両端部に形成された金属酸化物の還元を行う。この還元熱処理により、下地金属層１８Ａ，１８Ｂが形成される。

還元熱処理においては、金属酸化物の全てを還元してもよいし、金属酸化物が一部残存する程度に還元してもよい。金属酸化物は素体１０との付着性が高いため、金属酸化物が一部残存する程度に還元を行うことで、下地金属層１８Ａ，１８Ｂをより確実に素体１０上に形成することができる。この金属酸化物は、素体１０を構成する金属成分の酸化物と同じであると、下地金属層１８Ａ，１８Ｂと素体１０との付着性がさらに高まるため好ましい。例えば、素体１０を構成する主成分がチタン酸バリウムで構成である場合には、Ｔｉを含有する溶液を用いてＴｉＯ_２が残存する条件で還元熱処理を行うことができる。

次に、端面１０ｅ，１０ｆをそれぞれ覆うように、下地金属層１８Ａ，１８Ｂよりも密度の高い緻密なシール金属膜２０Ａ，２０Ｂを形成する（図４（ｆ）参照）。下地金属層１８Ａ，１８Ｂの形成方法のように溶液１０２を用いる場合、製法の特性上、薄い膜を形成する点においては有利であるが、厚い膜を形成することが困難であるので、ある程度の厚みを有するシール金属膜２０Ａ，２０Ｂを形成するために、下地金属層１８Ａ，１８Ｂの形成方法とは異なる方法を用いてもよい。具体的には、後のめっき工程におけるめっき液の浸入を抑制することや、製造された積層型コンデンサ１の使用時における耐湿性を考慮して、膜厚制御が容易な方法（例えばスパッタリング法、蒸着法、または化学的科学的気相成長法（ＣＶＤ）など）を用いることができる。これらの膜圧制御が容易な方法を用いると、膜厚が比較的厚く、密度が比較的高いシール金属膜２０Ａ，２０Ｂを形成することができる。次に、例えばバレルめっき法によって、下地金属層１８Ａ及びシール金属膜２０Ａを覆うめっき膜２２Ａと、下地金属層１８Ｂ及びシール金属膜２０Ｂを覆うめっき膜２２Ｂとを形成する。こうして、積層型コンデンサ１が完成する。

以上のような本実施形態では、金属化合物を溶質として含有する溶液１０２を素体１０の表面に塗布し、熱処理により、当該金属化合物が酸化されてなる金属酸化物膜を素体の表面に形成している。金属酸化物は素体１０への付着性が極めて良好であるため、溶液１０２の素体１０への塗布量は極めて少量で済む。そのため、素体１０の表面に形成される金属酸化物膜の厚さを極めて薄くできる。従って、熱処理により金属酸化物膜を還元することで、極めて薄い下地金属膜１８Ａ，１８Ｂが得られる。その結果、外部電極の厚さを極めて薄くすることができる。これに伴い、積層型コンデンサ１の体積（積層型コンデンサ１に外接する仮想的な直方体の体積）に対する素体１０の体積の割合が大きくなる。従って、素体１０の内部に配置される内部電極１６Ａ，１６Ｂの数を増やすなど、設計の自由度を高めることが可能となる。

本実施形態では、金属化合物を溶質として含有する溶液１０２を素１０体の表面に塗布している。そのため、特許文献１におけるサンドブラスト法又はブラシ研磨法とは異なり、方向の制限なく素体１０の複数の面に同時に当該溶液１０２を塗布できる。従って、工程数の増加を抑制できる。

本実施形態では、金属化合物を溶質として含有する溶液１０２を素体１０の表面に塗布している。そのため、特許文献１におけるサンドブラスト法又はブラシ研磨法とは異なり、素体１０が導電性粒子によって削られて、素体１０内に配置されている内部電極１６Ａ，１６Ｂのショートを引き起こす虞がほとんどない。従って、信頼性の高い積層型コンデンサ１を得ることができる。

ところで、めっき膜２２Ａ，２２Ｂを形成する工程においては、素体１０の表面のうち内部電極１６Ａ，１６Ｂの露出部分からめっき液が浸入しやすい。しかしながら、本実施形態では、内部電極１６Ａの一端が引き出されて露出する端面１０ｅは、下地金属膜１８Ａよりも密度の高いシール金属膜２０Ａによって、下地金属膜１８Ａと共に覆われている。内部電極１６Ｂの一端が引き出されて露出する端面１０ｆは、下地金属膜１８Ｂよりも密度の高いシール金属膜２０Ｂによって、下地金属膜１８Ｂと共に覆われている。そのため、めっき液の素１０体内への浸入をシール金属膜２０Ａ，２０Ｂによって抑制することができる。また、本実施形態では、シール金属膜２０Ａは、稜部ｅ３，ｅ７，ｅ９，ｅ１０、主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄには形成されておらず、シール金属膜２０Ｂは、稜部ｅ４，ｅ８，ｅ１１，ｅ１２、主面１０ａ，１０ｂ及び側面１０ｃ，１０ｄには形成されていない。そのため、シール金属膜２０Ａ，２０Ｂが素体１０の稜部に回り込んで外部電極１２Ａ，１２Ｂが厚くなってしまうことを抑制することができる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、外部電極１２Ａは、素体１０の表面のうち、内部電極の一端が引き出されて露出する端面１０ｅと、稜部を介して端面１０ｅと隣り合う他の面との少なくとも２つの面に形成されていればよい。外部電極１２Ｂは、素体１０の表面のうち、内部電極の一端が引き出されて露出する端面１０ｆと、稜部を介して端面１０Ｆと隣り合う他の面との少なくとも２つの面に形成されていればよい。具体的には、図５に示されるように、端面１０ｅから主面１０ａにわたって外部電極１２Ａを形成すると共に、端面１０ｆから主面１０ａにわたって外部電極１２Ｂを形成することができる。また、図６に示されるように、端面１０ｅから側面１０ｃにわたって外部電極１２Ａを形成すると共に、端面１０ｆから側面１０ｃにわたって外部電極１２Ｂを形成することができる。これらの場合、メタライザ１００上の溶液１０２に素体１０を浸漬する方法ではなく、溶液１０２を素体１０の表面に直接塗布する方法によって、下地金属膜１８Ａ，１８Ｂを形成することができる。

上記の実施形態では、積層型コンデンサ１の外部電極１２Ａ，１２Ｂがシール金属膜２０Ａ，２０Ｂを有していたが、外部電極１２Ａ，１２Ｂがシール金属膜２０Ａ，２０Ｂを有していなくてもよい。すなわち、下地金属膜１８Ａ，１８Ｂの表面上に直接、めっき膜２２Ａ，２２Ｂが形成されていてもよい。

１…積層型コンデンサ、１０…素体、１０ａ，１０ｂ…主面、１０ｃ，１０ｄ…側面、１０ｅ，１０ｆ…端面、１２Ａ，１２Ｂ…外部電極、１６Ａ，１６Ｂ…内部電極、１８Ａ，１８Ｂ…下地金属膜、２０Ａ，２０Ｂ…シール金属膜、２２Ａ，２２Ｂ…めっき膜、１０２…溶液、ｅ１〜ｅ１２…稜部。

Claims (3)

1. 導電体が内部に配置され、前記導電体の一端が引き出されて露出する第１の側面と、稜部を介して前記第１の側面と隣り合う第２の側面とを有する素体を用意する第１の工程と、
   金属化合物を溶質として含有する溶液を、前記第１の側面、前記稜部及び前記第２の側面にわたって塗布する第２の工程と、
   熱処理により、前記金属化合物が酸化されてなる金属酸化物膜を前記第１の側面、前記稜部及び前記第２の側面にわたって形成する第３の工程と、
   熱処理により前記金属酸化物膜を還元して、前記第１の側面、前記稜部及び前記第２の側面にわたって第１の金属膜を形成する第４の工程と、
   前記第１の金属膜を覆うめっき膜を形成する第５の工程とを有し、
   前記第２の工程における前記溶液は、加水分解及び重合により金属アルコキシドをコロイド状としたものを溶液中に分散させた溶液であるゾルゲル材料、又は、有機溶剤に金属の有機化合物を溶解させた溶液であるＭＯＤ材料である、電子部品の製造方法。
2. 導電体が内部に配置され、前記導電体の一端が引き出されて露出する第１の側面と、稜部を介して前記第１の側面と隣り合う第２の側面とを有する素体を用意する第１の工程と、
   金属化合物を溶質として含有する溶液を、前記第１の側面、前記稜部及び前記第２の側面にわたって塗布する第２の工程と、
   熱処理により、前記金属化合物が酸化されてなる金属酸化物膜を前記第１の側面、前記稜部及び前記第２の側面にわたって形成する第３の工程と、
   熱処理により前記金属酸化物膜を還元して、前記第１の側面、前記稜部及び前記第２の側面にわたって第１の金属膜を形成する第４の工程と、
   前記第１の側面上に位置する前記第１の金属膜を覆うように、前記第１の金属膜よりも密度の高い第２の金属膜を形成する第５の工程と、
   前記第１の金属膜のうち前記第２の金属膜に覆われていない部分と、前記第２の金属膜とを覆うように、めっき膜を形成する第６の工程とを有し、
   前記第２の工程における前記溶液は、加水分解及び重合により金属アルコキシドをコロイド状としたものを溶液中に分散させた溶液であるゾルゲル材料、又は、有機溶剤に金属の有機化合物を溶解させた溶液であるＭＯＤ材料である、電子部品の製造方法。
3. 前記第４の工程で形成される前記第１の金属膜は、前記金属化合物に由来する金属粒子が、前記第１の側面、前記稜部及び前記第２の側面にわたって一列に並んで構成されている、請求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。

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