JP2002057063A

JP2002057063A - 積層セラミック電子部品

Info

Publication number: JP2002057063A
Application number: JP2000244742A
Authority: JP
Inventors: Yasunobu Yoneda; 康信米田; Giichi Takagi; 義一高木; Takuji Nakagawa; 卓二中川
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-08-11
Filing date: 2000-08-11
Publication date: 2002-02-22

Abstract

(57)【要約】【課題】耐熱衝撃サイクル特性が良く、しかもＥＳＲ
の比較的小さな積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】積層セラミック電子部品１０は、２個の
積層セラミックコンデンサ素子１２の両端に接合層１８
ａ，１８ｂを介して金属端子が接続される。金属端子２
０ａ，２０ｂは、中間部２２ａ，２２ｂと、中間部の一
端縁に形成される基板当接部２６ａ，２６ｂと、中間部
の一端縁の延びる方向と交差する方向へ延びる側端縁２
２ａ１，２２ａ２に連続し、中間部に間隔を隔てて対向
するように形成される素子当接部２４ａ，２４ｂを含
み、素子当接部は、中間部および基板当接部に対してば
ね性を有し、積層セラミックコンデンサ素子の外部電極
に接合層で接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は積層セラミック電
子部品に関し、特にたとえば、ＤＣ−ＤＣコンバータな
どの電源回路の平滑用のタンタル電解コンデンサなどの
置き換えに用いられる高容量の積層セラミック電子部品
に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属端子付きの積層セラミックコンデン
サは、低底面積高容量化や耐熱衝撃性の向上を目途とし
て用いられる。そのような積層セラミックコンデンサ
は、一般に、金属端子で基板から浮かされている。ま
た、実開平１−１１２０３２号に開示されているよう
に、金属端子を折り曲げることが行われている。これら
の技術を用いると、アルミニウム基板などの熱膨張の大
きい基板と積層セラミックコンデンサ素子との熱膨張の
差を緩和することができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属端
子を折り曲げる技術は、耐熱衝撃サイクル特性に対して
効果的な構造であるが、ＥＳＲ（等価直列抵抗値、Equi
valent Series Resistanceの略）が大きくなりやすい問
題があった。

【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、耐
熱衝撃サイクル特性が良く、しかもＥＳＲの比較的小さ
な積層セラミック電子部品を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる積層セ
ラミック電子部品は、両端に外部電極が形成される積層
セラミック電子部品素子と、外部電極の少なくとも一部
に接合層で電気的に接続される金属端子とを含み、金属
端子は、中間部と、中間部の一端縁に形成される基板当
接部と、中間部の一端縁の延びる方向と交差する方向へ
延びる側縁に連続し、中間部に間隔を隔てて対向するよ
うに形成される素子当接部とを含み、素子当接部は、中
間部および基板当接部に対してばね性を有し、外部電極
に接合層で接続される、積層セラミック電子部品であ
る。また、この積層セラミック電子部品では、積層セラ
ミック電子部品素子は中間部の側縁の延びる方向に複数
積み重ねられ、外部電極の少なくとも一部が素子当接部
に接合層で接続されるようにしてもよく、中間部の側縁
の延びる方向と交差する方向へ複数並べられ、それぞれ
の外部電極の少なくとも一部が素子当接部に接合層で接
続されるようにしてもよい。さらに、素子当接部は、複
数の積層セラミック電子部品の外部電極のそれぞれに対
応して複数形成されてもよい。また、積層セラミック電
子部品素子の一方の外部電極に接続される金属端子と、
他方の外部電極に接続される金属端子とは、前記積層セ
ラミック電子部品素子の両側に線対称に形成されてもよ
く、積層セラミック電子部品素子の両側に点対称に形成
されてもよい。また、リアクタンス成分を調整するため
の切欠部が金属端子に形成されてもよく、積層セラミッ
ク電子部品素子の外部電極との接触面積を減少させるた
めの切欠部が金属端子に形成されてもよい。

【０００６】この発明にかかる積層セラミック電子部品
では、金属端子の素子当接部が、中間部の一端縁の延び
る方向と交差する方向へ延びる側縁に連続し、中間部に
間隔を隔てて対向するように形成されるので、ＥＳＲが
大きくなるのを防止することができる。また、金属端子
の素子当接部は、中間部および基板当接部に対してばね
性を有するので、耐熱衝撃サイクル特性も良い。

【０００７】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。

【０００８】

【発明の実施の形態】図１はこの発明にかかる第１実施
例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図１
に示す積層セラミック電子部品１０は、２つの積層セラ
ミックコンデンサ素子１２，１２を含む積層セラミック
コンデンサである。

【０００９】各積層セラミックコンデンサ素子１２は、
たとえばチタン酸バリウム系の誘電体からなる複数の誘
電体層と、たとえばＮｉなどの電極材料からなる複数の
内部電極とを、交互に積層して形成された積層体１４を
含む。積層体１４の両端部には、Ｃｕ層，Ｎｉ層および
Ｓｎ層をこの順に積層してなる外部電極１６ａ、１６ｂ
が形成される。外部電極１６ａ、１６ｂは、Ｃｕペース
トを塗布し、焼き付けることによって形成されたＣｕ
層、湿式めっきによって形成されたＮｉ層、およびＳｎ
層により形成される。

【００１０】２個の積層セラミックコンデンサ素子１
２，１２は、たとえばＦｅ−Ｎｉ製の２つの金属端子２
０ａおよび２０ｂに、リフローはんだ付けされる。この
実施例の金属端子２０ａおよび２０ｂは、それぞれ、厚
さ０．１ｍｍの片面はんだめっきの施された幅５．１ｍ
ｍのものである。

【００１１】図２に示すように、一方の金属端子２０ａ
は、板状の中間部２２ａを含む。中間部２２ａの一方側
縁２２ａ１には、短冊状の折曲部２５ａを介して板状の
素子当接部２４ａが連続的かつ一体的に形成される。板
状の素子当接部２４ａは中間部２２ａに間隔を隔てて対
向するように形成される。この間隔は折曲部２５ａの幅
長により決定される。また、中間部２２ａの一方側縁と
略直交する下端縁には、板状の基板当接部２６ａが中間
部２２ａとほぼ直角方向にのびて一体的に形成される。
積層セラミック電子部品１０の実装時には、基板当接部
２６ａが図示しない基板の実装ランド上にはんだ付けさ
れる。素子当接部２４ａは、折曲部２５ａ、中間部２２
ａおよび基板当接部２６ａに対してばね性を有する。

【００１２】さらに、金属端子２０ａの外面（中間部２
２ａおよび素子当接部２４ａの対向しない面とそれにつ
ながる基板当接部２６ａの下面、および折曲部２５ａ外
面）には、はんだめっきが施される。また、はんだが付
きやすい金属端子材料、たとえば黄銅を用いるときは金
属端子２０ａの内面（中間部２２ａと素子当接部２４ａ
とが互いに対向する面とそれにつながる基板当接部２６
ａの上面、および折曲部２５ａ内面）には、はんだがつ
きにくい処理が施されたり皮膜が形成される。この皮膜
は、たとえば酸化金属，ワックス，樹脂またはシリコン
オイルから形成される。同様に、他方の金属端子２０ｂ
は、中間部２２ｂ、折曲部２５ｂ、素子当接部２４ｂお
よび基板当接部２６ｂを含み、外面にはんだめっきが施
され、内面にはんだがつきにくい皮膜が形成される。

【００１３】そして、２個の積層セラミックコンデンサ
素子１２，１２は、金属端子２０ａ，２０ｂの側縁２２
ａ１，２２ｂ１の延びる方向と平行に延びる方向へ積み
重ねられた状態で、金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接
部２４ａ，２４ｂにリフローはんだ付けされる。この場
合の接合層１８ａ，１８ｂに用いられるはんだは、高温
はんだ（Ｐｂ：Ｓｎ＝８５：１５）が好ましい。

【００１４】第１実施例では、積層セラミックコンデン
サ素子１２の一方の外部電極１６ａに接続される金属端
子２０ａと、他方の外部電極１６ｂに接続される金属端
子２０ｂとは、積層セラミックコンデンサ素子１２の両
側に線対称に形成される。すなわち、金属端子２０ａの
素子当接部２４ａは中間部２２ａの一方側縁２２ａ１に
接続され他方側縁は開放される。また、金属端子２０ｂ
の素子当接部２４ｂは中間部２２ｂの一方側縁２２ｂ１
で接続され他方側縁は開放される。そして、金属端子２
０ａの一方側縁２２ａ１と金属端子２０ｂの一方側縁２
２ｂ１とは、それぞれ積層セラミックコンデンサ素子１
２の図１図示奥行き方向の奥側に配置される。

【００１５】図３はこの発明にかかる第２実施例の積層
セラミック電子部品を示す斜視図である。図３に示す積
層セラミック電子部品１０では、図１に示す積層セラミ
ック電子部品１０と比べて、他方の金属端子２０ｂのみ
が異なる。この金属端子２０ｂは、第１実施例のものと
異なり、板状の中間部２２ｂの他方側縁２２ｂ２に、折
曲部２５ｂを介して板状の素子当接部２４ｂが連続的か
つ一体的に形成される。板状の素子当接部２４ｂは中間
部２２ｂに間隔を隔てて対向するように形成される。こ
の間隔は折曲部２５ｂの幅長により決定される。そし
て、中間部２２ｂの一方側縁と略直交する下端縁には、
板状の基板当接部２６ｂが中間部２２ｂとほぼ直角方向
にのびて一体に形成される。素子当接部２４ｂは、折曲
部２５ｂ，中間部２２ｂおよび基板当接部２６ｂに対し
てばね性を有する。

【００１６】第２実施例では、積層セラミックコンデン
サ素子１２の両側の金属端子２０ａ、２０ｂが積層セラ
ミックコンデンサ素子１２の両側に点対称に形成され
る。すなわち、一方の金属端子２０ａの素子当接部２４
ａは中間部２２ａの一方側縁２２ａ１に接続され他方側
縁は開放されるが、他方の金属端子２０ｂの素子当接部
２４ｂは中間部２２ｂの他方側縁２２ｂ２に接続され一
方側縁は開放される。そして、金属端子２０ａの一方側
縁２２ａ１は積層セラミックコンデンサ素子１２の図３
図示奥行き方向の奥側に配置され、金属端子２０ｂの他
方側縁２２ｂ２は、積層セラミックコンデンサ素子１２
の図３図示奥行き方向の手前側に配置される。

【００１７】図４はこの発明にかかる第３実施例の積層
セラミック電子部品を示す斜視図である。第３実施例の
積層セラミック電子部品１０の金属端子２０ａは、板状
の中間部２２ａの一方側縁２２ａ１に連続的かつ一体的
に形成される折曲部２５ａおよび素子当接部２４ａが、
図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、中間部２２ａの高さ方
向に間隔をおきながら上下に分割されて形成される点で
第１実施例のものと異なる。

【００１８】同様に第３実施例の積層セラミック電子部
品１０の金属端子２０ｂは、板状の中間部２２ｂの一方
側縁２２ｂ１に連続的かつ一体的に形成される折曲部２
５ｂ，素子当接部２４ｂが、中間部２２ｂの高さ方向に
間隔をおきながら分割されて形成される点で第１実施例
のものと異なる。分割された素子当接部２４ａ，２４ｂ
は、積層セラミックコンデンサ素子１２，１２のそれぞ
れの外部電極１６ａ，１６ｂに対応するものである。

【００１９】第３実施例の金属端子２０ａの上下に分割
された素子当接部２４ａ，２４ａは、折曲部２５ａ，２
５ａ，中間部２２ａおよび基板当接部２６ａに対してば
ね性を有する。また、金属端子２０ｂの上下に分割され
た素子当接部２４ｂ，２４ｂは、折曲部２５ｂ，２５
ｂ，中間部２２ｂおよび基板当接部２６ｂに対してばね
性を有する。

【００２０】図６はこの発明にかかる第４実施例の積層
セラミック電子部品を示す斜視図である。第４実施例の
積層セラミック電子部品１０の金属端子２０ａでは、折
曲部２５ａおよび素子当接部２４ａが、図７（Ａ）
（Ｂ）に示すように、中間部２２ａの高さ方向に間隔を
おきながら分割されて形成されるが、下に形成される素
子当接部２４ａは中間部２２の図７図示奥側の側縁２２
ａ１に折曲部２５ａを介して接続され、上に形成される
素子当接部２４ａは中間部２２の図７図示手前側の側縁
２２ａ２に別の折曲部２５ａを介して接続される点が第
３実施例の積層セラミック電子部品と異なる。同様に、
第４実施例の金属端子２０ｂでは、折曲部２５ｂおよび
素子当接部２４ｂが、中間部２２ｂの高さ方向に間隔を
おきながら分割されて形成されるが、下に形成される素
子当接部２４ｂは中間部２２の図６図示奥側の側縁２２
ｂ１に折曲部２５ａを介して接続され、上に形成される
素子当接部２４ｂは中間部２２の図６図示手前側の側縁
２２ｂ２に折曲部２５ｂを介して接続される点が第３実
施例の積層セラミック電子部品と異なる。その他の点は
第３実施例と同様である。

【００２１】図８はこの発明にかかる第５実施例の積層
セラミック電子部品を示す斜視図である。図９（Ａ）は
図８に示した積層セラミック電子部品の金属端子を示す
斜視図であり、（Ｂ）はその金属端子の分割された一方
部を示す端面図である。さらに図１０は図８に示した積
層セラミック電子部品の等価回路図である。第５実施例
の積層セラミック電子部品１０の金属端子２０ａでは、
図９（Ａ）に示すように、中間部２２ａが幅方向におけ
る中央に形成された切り欠き４０ａによって、一方側縁
２２ａ１側と他方側縁２２ａ２側とに分割される。そし
て、分割された中間部２２ａ，２２ａのそれぞれの一方
側縁２２ａ１および他方側縁２２ａ２にそれぞれ折曲部
２５ａ，２５ａを介して素子当接部２４ａ，２４ａが連
続的かつ一体的に形成される。他方の金属端子２０ｂも
同様に形成される。なお、切欠部４０ａ，４０ｂは、金
属端子２０ａ，２０ｂの中間部２２ａ，２２ｂの幅方向
における中央に限らず、金属端子２０ａ，２０ｂの他の
部分に形成されても、複数個形成されてもよい。

【００２２】図１１は第１比較例の積層セラミック電子
部品を示す斜視図である。図１１に示す積層セラミック
電子部品１１は、図１に示す積層セラミック電子部品１
０と比べて、金属端子の形状のみが異なるものである。
第１比較例の積層セラミック電子部品１１の金属端子２
１ａ，２１ｂは、中間部２２ａ，２２ｂの上端部に折曲
部２５ａ，２５ｂを介して素子当接部２４ａ，２４ｂが
連続的かつ一体的に形成される。この素子当接部２４
ａ，２４ｂは中間部２２ａ，２２ｂとの間に間隔をおき
ながら対向するように形成される。素子当接部２４ａ，
２４ｂは、中間部２２ａ，２２ｂ、折曲部２５ａ，２５
ｂ、および基板当接部２６ａ，２６ｂに対してばね性を
有して形成される。

【００２３】図１２は第２比較例の積層セラミック電子
部品を示す斜視図である。図１２に示す積層セラミック
電子部品１１は、図１に示す積層セラミック電子部品１
０と比べて、金属端子の形状のみが異なるものである。
第２比較例の積層セラミック電子部品１１の金属端子２
１ａ，２１ｂは、上述の各実施例のような素子当接部を
有さず、板状の中間部２２ａ，２２ｂに接合層１８ａ，
１８ｂを介して積層セラミックコンデンサ素子１２の外
部電極１６ａ，１６ｂが直接接続される。

【００２４】さらに、図１３は第３比較例の積層セラミ
ック電子部品を示す斜視図である。この積層セラミック
電子部品１１は、２つの積層セラミックコンデンサ素子
１２，１２を積層して外部電極の外側全面にはんだ層を
形成してなるものであり、金属端子２１ａ，２１ｂを有
しない点のみが上述の各実施例の積層セラミック電子部
品と相違する。

【００２５】そして、第１実施例、第２実施例、第３実
施例、第４実施例、第５実施例、第１比較例、第２比較
例および第３比較例の積層セラミック電子部品をアルミ
ニウム基板に実装したときの熱衝撃サイクル特性を調
べ、その結果を表１に示した。なお、この場合、熱衝撃
サイクル特性は、−５５℃〜１２５℃の熱変化を１サイ
クルの熱衝撃として、２５０サイクルの熱衝撃を印加し
たときと、５００サイクルの熱衝撃を印加したときとに
おいて、静電容量の変化（減少）が１０％以上の不良発
生率（不良発生数／７２個）を調べた。

【００２６】

【表１】

【００２７】表１の結果より、第１実施例ないし第５実
施例では、２５０サイクルの熱衝撃による不良発生数が
０であるに対して、第２比較例および第３比較例では２
０％以上の不良が発生していることがわかる。また、第
１実施例ないし第５実施例では、５００サイクルの熱衝
撃による不良発生数が１０％以下であるに対して、第２
比較例および第３比較例では６０％以上の不良が発生し
ていることがわかる。一方、第１比較例はＥＳＲが９．
０ｍΩと大きいのに比べて、第１実施例ないし第５実施
例ではＥＳＲが５．５ｍΩと小さい。

【００２８】第１実施例ないし第５実施例では、金属端
子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを横方向
に折り曲げたような形状の横２重端子とすることによ
り、第１比較例に比べて実装ランドから積層セラミック
コンデンサ素子までの電気的な距離が近くなるので、Ｅ
ＳＲを大きく低下させることができると考えられる。ま
た、第１実施例ないし第５実施例では、金属端子２０
ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを横方向に折り
曲げたような形状の横２重端子とすることにより、積層
セラミック電子部品１０の固着される図示しないアルミ
ニウム基板と、積層セラミックコンデンサ素子１２との
熱膨張率の差を緩和することができる。さらに、第３実
施例および第４実施例の積層セラミック電子部品１０で
は、金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４
ｂが２つの積層セラミックコンデンサ素子１２、１２に
それぞれ対応するよう分別されているのでＥＳＲを低下
させながら、第１実施例および第２実施例のものよりも
熱膨張率の差を緩和することができる。

【００２９】また、第５実施例の積層セラミック電子部
品１０では、金属端子２０ａ，２０ｂのＬ分を相殺する
ことができる。すなわち、金属端子２０ａ（２０ｂ）の
分割された一方部分および他方部分に図１０に図示した
矢印に示すように逆向きの電流を流して、磁束が相殺さ
れるようにすることによって、低ＥＳＬ化が可能とな
る。

【００３０】図１４はこの発明にかかる第６実施例の積
層セラミック電子部品を示す斜視図である。図１４に示
す積層セラミック電子部品１０は、３つの積層セラミッ
クコンデンサ素子１２，１２，１２を、金属端子２０
ａ，２０ｂの側縁２２ａ１，２２ｂ１の延びる方向とは
略直交する方向へ並べた状態で、外部電極１６ａ，１６
ｂに金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４
ｂを接続した点を除いて、図１に示した第１実施例と同
様の構造である。

【００３１】図１５はこの発明にかかる第７実施例の積
層セラミック電子部品を示す斜視図である。図１５に示
す積層セラミック電子部品１０では、３つの積層セラミ
ックコンデンサ素子１２，１２，１２が、金属端子２０
ａ，２０ｂの側縁２２ａ２，２２ｂ１の延びる方向とは
略直交する方向へ並べた状態で、外部電極１６ａ，１６
ｂに金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４
ｂを接続した点を除いて、図３に示した第２実施例と同
様の構造である。

【００３２】図１６はこの発明にかかる第８実施例の積
層セラミック電子部品を示す斜視図であり、図１７はそ
の金属端子を示す斜視図である。図１６に示す積層セラ
ミック電子部品１０は、２つの積層セラミックコンデン
サ素子１２，１２を、金属端子２０ａ，２０ｂの側縁２
２ａ１，２２ａ２，２２ｂ１，２２ｂ２の延びる方向と
は略直交する方向へ並べた状態で、外部電極１６ａ，１
６ｂに金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２
４ｂを接続したものである。第８実施例の積層セラミッ
ク電子部品１０の金属端子２０ａの素子当接部２４ａ
は、中間部２２ａの一方側縁２２ａ１側と他方側縁２２
ａ２側とに分割され、分割された一方の素子当接部２４
ａは折曲部２５ａを介して中間部２２ａの一方側縁２２
ａ１に連続的かつ一体的に接続され、他方の素子当接部
２４ａは別の折曲部２５ａを介して中間部２２ａの他方
側縁２２ａ２に連続的かつ一体的に接続される。

【００３３】また、第８実施例の金属端子２０ｂの素子
当接部２４ｂは、中間部２２ｂの一方側縁２２ｂ１側と
他方側縁２２ｂ２側とに分割されて、分割された一方の
素子当接部２４ｂは折曲部２５ｂ１を介して一方側縁２
２ｂ１に連続的かつ一体的に接続され，他方の素子当接
部２４ｂは別の折曲部２５ｂ２を介して中間部２２ｂの
他方側縁２４ｂ２に連続的かつ一体的に接続される。

【００３４】図１８はこの発明にかかる第９実施例の積
層セラミック電子部品を示す斜視図であり、図１９はそ
の金属端子を示す斜視図である。図１８に示す積層セラ
ミック電子部品１０は、３つの積層セラミックコンデン
サ素子１２，１２，１２を、金属端子２０ａ，２０ｂの
側縁２２ａ１，２２ａ２，２２ｂ１，２２ｂ２の延びる
方向とは略直交する方向へ並べた状態で、外部電極１６
ａ，１６ｂにそれぞれ金属端子２０ａ，２０ｂの素子当
接部２４ａ，２４ｂを接続してなるものである。第９実
施例の積層セラミック電子部品１０の金属端子２０ａの
中間部２２ａは、一方側縁２２ａ１側と他方側縁２２ａ
２側とに分割され、分割された一方の中間部２２ａは折
曲部２５ａを介して素子当接部２４ａの一方側縁に連続
的かつ一体的に接続され、他方の中間部２２ａは別の折
曲部２５ａを介して該素子当接部２４ａの他方側縁に連
続的かつ一体的に接続される。

【００３５】また、第９実施例の金属端子２０ｂの中間
部２２ｂは、一方側縁２２ｂ１側と他方側縁２２ｂ２側
とに分割され、分割された一方の中間部２２ｂは折曲部
２５ｂ１を介して素子当接部２４ｂの一方側縁に連続的
かつ一体的に接続され、他方の中間部２２ｂは別の折曲
部２５ｂ２を介して該素子当接部２４ｂの他方側縁に連
続的かつ一体的に接続される。

【００３６】図２０は、この発明にかかる第１０実施例
の積層コンデンサの金属端子を示す斜視図である。この
金属端子は図１４に示した第６実施例の金属端子の変形
例である。この金属端子２０ａ（２０ｂ）は、素子当接
部２４ａの中央に略Ｕ字形状の貫通した切り欠き部２４
ａ１（２４ｂ１）を備えている点のみが第６実施例のも
のと相違する。

【００３７】図２１は第４比較例の積層セラミック電子
部品を示す斜視図である。図２１に示す積層セラミック
電子部品１１は、３つの積層セラミックコンデンサ素子
１２、１２，１２を金属端子２１ａ，２１ｂの側縁２２
ａ１，２２ａ２，２２ｂ１，２２ｂ２の延びる方向と略
直行する方向へ間隔をおきながら並べた点を除いては、
図１１に示した第１比較例と同様のものである。

【００３８】図２２は第５比較例の積層セラミック電子
部品を示す斜視図である。図２２に示す積層セラミック
電子部品１１は、３つの積層セラミックコンデンサ素子
１２、１２，１２を金属端子２１ａ，２１ｂの側縁２２
ａ１，２２ａ２，２２ｂ１，２２ｂ２の延びる方向と略
直行する方向へ間隔をおきながら並べた点を除いては、
図１２に示した第２比較例と同様のものである。

【００３９】そして、第６実施例、第７実施例、第８実
施例、第９実施例、第１０実施例、第４比較例、および
第５比較例の積層セラミック電子部品をアルミニウム基
板に実装したときの熱衝撃サイクル特性を調べ、その結
果を表２に示した。なお、この場合、熱衝撃サイクル特
性は、−５５℃〜１２５℃の熱変化を１サイクルの熱衝
撃として、２５０サイクルの熱衝撃を印加したときと、
５００サイクルの熱衝撃を印加したときとにおいて、静
電容量の変化（減少）が１０％以上の不良発生率（不良
発生数／７２個）を調べた。

【００４０】

【表２】

【００４１】表２の結果より、第６実施例ないし第１０
実施例では、２５０サイクルの熱衝撃による不良発生数
が０％であるに対して、第５比較例では２０％の不良が
発生していることがわかる。また、第６実施例ないし第
１０実施例では、５００サイクルの熱衝撃による不良発
生数が６％以下であるに対して、第５比較例では５０％
以上の不良が発生していることがわかる。一方、第４比
較例はＥＳＲが９．０ｍΩと大きいのに比べて、第６実
施例ないし第１０実施例ではＥＳＲが６．０ｍΩ以下と
小さい。

【００４２】第６実施例ないし第１０実施例では、金属
端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを横方
向に折り曲げたような形状の横２重端子とすることによ
り、比較例４に比べて実装ランドから積層セラミックコ
ンデンサ素子までの電気的な距離が近くなるので、ＥＳ
Ｒを大きく低下させることができると考えられる。ま
た、第６実施例ないし第１０実施例では、金属端子２０
ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを横方向に折り
曲げたような形状の横２重端子とすることにより、積層
セラミック電子部品１０の固着される図示しないアルミ
ニウム基板と、積層セラミックコンデンサ素子１２との
熱膨張率の差を緩和することができる。さらに、第８実
施例の積層セラミック電子部品１０では、金属端子２０
ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂが各積層セラミ
ックコンデンサ素子１２の外部電極にそれぞれ対応して
複数設けられているので、ＥＳＲを低下させながら、第
１実施例および第２実施例のものよりも熱膨張率の差を
緩和することができる。

【００４３】また、第９実施例の積層セラミック電子部
品１０では、第５実施例と同様に、金属端子２０ａ，２
０ｂのＬ分を相殺することができる。

【００４４】さらに、第１０実施例の積層セラミック電
子部品１０では、金属端子２０ａ，２０ｂと積層セラミ
ック素子１２の外部電極との接続面積が減少するので、
金属端子２０ａ，２０ｂと積層セラミックコンデンサ素
子１２との間において熱膨張または熱収縮の起こる部分
を減少させることができる。

【００４５】なお、この発明では、積層セラミック電子
部品素子は１個でもよく、４個以上の積層セラミック電
子部品素子を積層して用いてもよい。積層する場合に
は、各積層セラミック電子部品素子間は当接されても一
定の間隔をもって配置されてもよい。さらに、複数の積
層セラミック電子部品素子間の強度を向上させるため
に、それらの間の中央部に接合用の樹脂を入れてもよ
い。

【００４６】また、上述の各実施例では外部電極がＣｕ
層、Ｎｉ層およびＳｎ層の３層構造に形成されている
が、外部電極ははんだがつくなら他の構造に形成されて
もよい。また、外部電極の全表面にはんだ層を設けても
よい。さらに、上述の各実施例では積層セラミック電子
部品素子と金属端子との接合をはんだによるものを例示
したが、ろう付け、導電性接着剤などの接合層によって
行われてもよい。

【００４７】また、金属端子の材質は、Ｆｅ−Ｎｉ，黄
銅に限らず、Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒあるいはこ
れらの合金やクラッド材などで構成してもよい。

【００４８】さらに、この発明は、積層セラミックコン
デンサに限らず、インダクタ、バリスタ、多層部品等の
積層型積層セラミック電子部品に適用してもよい。

【００４９】

【発明の効果】この発明によれば、熱衝撃に対する信頼
性が良く、しかも、ＥＳＲの小さい、積層セラミック電
子部品を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる第１実施例の積層セラミック
電子部品を示す斜視図である。

【図２】（Ａ）は図１に示す積層セラミック電子部品の
金属端子を示す斜視図であり、（Ｂ）はその断面図解図
である。

【図３】この発明にかかる第２実施例の積層セラミック
電子部品を示す斜視図である。

【図４】この発明にかかる第３実施例の積層セラミック
電子部品を示す斜視図である。

【図５】（Ａ）は図４に示す積層セラミック電子部品の
金属端子を示す斜視図であり、（Ｂ）はその断面図解図
である。

【図６】この発明にかかる第４実施例の積層セラミック
電子部品を示す斜視図である。

【図７】（Ａ）は図６に示す積層セラミック電子部品の
金属端子を示す斜視図であり、（Ｂ）はその断面図解図
である。

【図８】この発明にかかる第５実施例の積層セラミック
電子部品を示す斜視図である。

【図９】（Ａ）は図８に示す積層セラミック電子部品の
金属端子を示す斜視図であり、（Ｂ）はその分割された
一方を示す端面図である。

【図１０】図８に示す第５実施例の積層セラミック電子
部品の等価回路図である。

【図１１】第１比較例の積層セラミック電子部品を示す
斜視図である。

【図１２】第２比較例の積層セラミック電子部品を示す
斜視図である。

【図１３】第３比較例の積層セラミック電子部品を示す
斜視図である。

【図１４】この発明にかかる第６実施例の積層セラミッ
ク電子部品を示す斜視図である。

【図１５】この発明にかかる第７実施例の積層セラミッ
ク電子部品を示す斜視図である。

【図１６】この発明にかかる第８実施例の積層セラミッ
ク電子部品を示す斜視図である。

【図１７】図１６に示す積層セラミック電子部品の金属
端子を示す斜視図である。

【図１８】この発明にかかる第９実施例の積層セラミッ
ク電子部品を示す斜視図である。

【図１９】図１８に示す積層セラミック電子部品の金属
端子を示す斜視図である。

【図２０】この発明にかかる第１０実施例の金属端子を
示す斜視図である。

【図２１】この発明にかかる第４比較例の積層セラミッ
ク電子部品を示す斜視図である。

【図２２】この発明にかかる第５比較例の積層セラミッ
ク電子部品を示す斜視図である。

【符号の説明】

１０積層セラミック電子部品１２積層セラミックコンデンサ素子１４積層体１６ａ，１６ｂ外部電極１８ａ，１８ｂ接合層２０ａ、２０ｂ金属端子２２ａ、２２ｂ中間部２２ａ１、２２ａ２、２２ｂ１、２２ｂ２中間部の側
縁２４ａ、２４ｂ素子当接部２５ａ、２５ｂ折曲部２６ａ、２６ｂ基板当接部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中川卓二京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AF03 AH04 AJ03 AZ01 5E082 AB03 BC14 BC23 CC05 FG26 GG08 GG23 GG26 JJ07 JJ09 JJ27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】両端に外部電極が形成される積層セラミ
ック電子部品素子、および前記外部電極の少なくとも一
部に接合層で電気的に接続される金属端子を含み、前記金属端子は、中間部、前記中間部の一端縁に形成される基板当接部、および前記中間部の前記一端縁の延びる方向と交差する方向へ
延びる側縁に連続し、前記中間部に間隔を隔てて対向す
るように形成される素子当接部を含み、前記素子当接部は、前記中間部および前記基板当接部に
対してばね性を有し、前記外部電極に前記接合層で接続
される、積層セラミック電子部品。
【請求項２】前記積層セラミック電子部品素子は、前
記中間部の側縁の延びる方向に複数積み重ねられ、前記
外部電極の少なくとも一部が前記素子当接部に前記接合
層で接続される、請求項１に記載の積層セラミック電子
部品。
【請求項３】前記積層セラミック電子部品素子は、前
記中間部の側縁の延びる方向と交差する方向へ複数並べ
られ、それぞれの前記外部電極の少なくとも一部が前記
素子当接部に前記接合層で接続される、請求項１に記載
の積層セラミック電子部品。
【請求項４】前記素子当接部は、前記複数の積層セラ
ミック電子部品の外部電極のそれぞれに対応して複数形
成される、請求項２または請求項３のいずれかに記載の
積層セラミック電子部品。
【請求項５】前記積層セラミック電子部品素子の一方
の外部電極に接続される金属端子と、他方の外部電極に
接続される金属端子とは、前記積層セラミック電子部品
素子の両側に線対称に形成される、請求項１ないし請求
項４のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】前記積層セラミック電子部品の一方の外
部電極に接続される金属端子と、他方の外部電極に接続
される金属端子とは、前記積層セラミック電子部品素子
の両側に点対称に形成される、請求項１ないし請求項４
のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】リアクタンス成分を調整するための切欠
部が前記金属端子に形成された、請求項１ないし請求項
６のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】前記外部電極との接触面積を減少させる
ための切欠部が前記金属端子に形成された、請求項１な
いし請求項７のいずれかに記載の積層セラミック電子部
品。