JP3376970B2 - セラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- Power Engineering (AREA)
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品に関するもので、特に、たとえば積層セラミックコ
ンデンサのように、セラミックをもって構成される電子
部品本体を備え、かつ表面実装されるセラミック電子部
品の端子部分の構造ないし材質の改良に関するものであ
る。
部品に関するもので、特に、たとえば積層セラミックコ
ンデンサのように、セラミックをもって構成される電子
部品本体を備え、かつ表面実装されるセラミック電子部
品の端子部分の構造ないし材質の改良に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図５には、この発明にとって興味あるセ
ラミック電子部品１の表面実装状態が断面図で示されて
いる。
ラミック電子部品１の表面実装状態が断面図で示されて
いる。
【０００３】セラミック電子部品１は、セラミック電子
部品本体２を備えている。部品本体２は、相対向する２
つの端面３および４ならびにこれら２つの端面３および
４間を連結する４つの側面５を有する直方体状をなして
いる。
部品本体２を備えている。部品本体２は、相対向する２
つの端面３および４ならびにこれら２つの端面３および
４間を連結する４つの側面５を有する直方体状をなして
いる。
【０００４】また、部品本体２の端面３および４上に
は、それぞれ、端子電極６および７が形成されている。
端子電極６および７は、たとえば、導電性ペーストを焼
き付けることによって形成され、端面３および４の各々
に隣接する側面５の一部上にまで延びる部分を有してい
る。
は、それぞれ、端子電極６および７が形成されている。
端子電極６および７は、たとえば、導電性ペーストを焼
き付けることによって形成され、端面３および４の各々
に隣接する側面５の一部上にまで延びる部分を有してい
る。
【０００５】部品本体２は、積層セラミックコンデンサ
を構成するためのものであり、その内部には、複数の内
部電極８および９が互いに対向するように形成されてい
る。内部電極８は、一方の端子電極６に電気的に接続さ
れ、内部電極９は、他方の端子電極７に電気的に接続さ
れ、これら内部電極８と内部電極９とは交互に配置され
ている。
を構成するためのものであり、その内部には、複数の内
部電極８および９が互いに対向するように形成されてい
る。内部電極８は、一方の端子電極６に電気的に接続さ
れ、内部電極９は、他方の端子電極７に電気的に接続さ
れ、これら内部電極８と内部電極９とは交互に配置され
ている。
【０００６】他方、このようなセラミック電子部品１を
表面実装するための配線基板１０は、端子電極６および
７にそれぞれ対応する導電ランド１１および１２を形成
している。
表面実装するための配線基板１０は、端子電極６および
７にそれぞれ対応する導電ランド１１および１２を形成
している。
【０００７】このような配線基板１０上にセラミック電
子部品１を表面実装するため、端子電極６および７が導
電ランド１１および１２とそれぞれ位置合わせされるよ
うに、セラミック電子部品１が配線基板１０上に配置さ
れ、この状態で、たとえば半田リフロー法を適用するこ
とによって、端子電極６および７と導電ランド１１およ
び１２とがそれぞれ半田付けされる。この半田付けによ
って付与された半田が、参照符号「１３」および「１
４」によって示されている。
子部品１を表面実装するため、端子電極６および７が導
電ランド１１および１２とそれぞれ位置合わせされるよ
うに、セラミック電子部品１が配線基板１０上に配置さ
れ、この状態で、たとえば半田リフロー法を適用するこ
とによって、端子電極６および７と導電ランド１１およ
び１２とがそれぞれ半田付けされる。この半田付けによ
って付与された半田が、参照符号「１３」および「１
４」によって示されている。
【０００８】このとき、半田１３および１４は、端子電
極６および７の端面３および４上にある部分だけでな
く、側面５上にある部分までをも覆うように付与され
る。
極６および７の端面３および４上にある部分だけでな
く、側面５上にある部分までをも覆うように付与され
る。
【０００９】しかしながら、上述したようなセラミック
電子部品１の表面実装状態において、配線基板１０の撓
みや温度の上昇および下降を繰り返す熱衝撃サイクルの
ために、端子電極６および７ならびに部品本体２に比較
的大きなストレスがもたらされ、その結果、部品本体２
には、図５に例示するようなクラック１５が入ることが
ある。
電子部品１の表面実装状態において、配線基板１０の撓
みや温度の上昇および下降を繰り返す熱衝撃サイクルの
ために、端子電極６および７ならびに部品本体２に比較
的大きなストレスがもたらされ、その結果、部品本体２
には、図５に例示するようなクラック１５が入ることが
ある。
【００１０】このようなクラック１５をもたらすストレ
スは、特に、端子電極６および７の側面５上で延びる部
分において、部品本体２に対して強く作用するため、図
５に示すように、端子電極６および７のそれぞれの端縁
１６および１７の近傍において、クラック１５が発生し
やすい。そして、半田１３および１４が、前述のよう
に、端子電極６および７の側面５上で延びる部分まで覆
うように付与されていることによって、このようなスト
レスがより増す結果となる。
スは、特に、端子電極６および７の側面５上で延びる部
分において、部品本体２に対して強く作用するため、図
５に示すように、端子電極６および７のそれぞれの端縁
１６および１７の近傍において、クラック１５が発生し
やすい。そして、半田１３および１４が、前述のよう
に、端子電極６および７の側面５上で延びる部分まで覆
うように付与されていることによって、このようなスト
レスがより増す結果となる。
【００１１】また、配線基板１０が、図５において図示
されないが、たとえば、アルミニウムからなるベース上
に絶縁塗装が施されたアルミニウム基板のようなメタル
コアの配線基板である場合には、このような配線基板１
０と部品本体２との間での熱膨張係数の差が大きいた
め、上述したような熱衝撃サイクルにおいて、大きなス
トレスが生じやすく、したがって、クラック１５も発生
しやすい。
されないが、たとえば、アルミニウムからなるベース上
に絶縁塗装が施されたアルミニウム基板のようなメタル
コアの配線基板である場合には、このような配線基板１
０と部品本体２との間での熱膨張係数の差が大きいた
め、上述したような熱衝撃サイクルにおいて、大きなス
トレスが生じやすく、したがって、クラック１５も発生
しやすい。
【００１２】また、部品本体２が、たとえば、高容量の
Ｐｂ系セラミック誘電体を用いた積層セラミックコンデ
ンサに備える部品本体である場合においても、部品本体
２の抗折強度が比較的低いため、上述のようなクラック
１５の問題がより生じやすい。
Ｐｂ系セラミック誘電体を用いた積層セラミックコンデ
ンサに備える部品本体である場合においても、部品本体
２の抗折強度が比較的低いため、上述のようなクラック
１５の問題がより生じやすい。
【００１３】このようなクラック１５は、セラミック電
子部品１の耐湿性を低下させるばかりでなく、セラミッ
ク電子部品１のその後の耐熱衝撃性をも低下させ、ま
た、絶縁抵抗等の電気特性の低下をも招くことがあり、
そのため、セラミック電子部品１の信頼性を低下させて
しまう。
子部品１の耐湿性を低下させるばかりでなく、セラミッ
ク電子部品１のその後の耐熱衝撃性をも低下させ、ま
た、絶縁抵抗等の電気特性の低下をも招くことがあり、
そのため、セラミック電子部品１の信頼性を低下させて
しまう。
【００１４】上述したような問題を解決するため、端子
電極６および７を形成するため、金属粉末および樹脂を
含む導電性樹脂を用いることも行なわれている。導電性
樹脂の変形容易な性質を利用して、ストレスの緩和を図
ろうとするものである。
電極６および７を形成するため、金属粉末および樹脂を
含む導電性樹脂を用いることも行なわれている。導電性
樹脂の変形容易な性質を利用して、ストレスの緩和を図
ろうとするものである。
【００１５】しかしながら、上述のように導電性樹脂で
端子電極６および７を形成した場合、たとえば１５０℃
前後の高温雰囲気中に長時間置いた後や温度８５℃で相
対湿度８５％の湿中に置いた後において、端子電極６お
よび７の部品本体２に対する固着強度が低下し、端子電
極６および７が部品本体２から剥がれやすいという問題
に遭遇する。
端子電極６および７を形成した場合、たとえば１５０℃
前後の高温雰囲気中に長時間置いた後や温度８５℃で相
対湿度８５％の湿中に置いた後において、端子電極６お
よび７の部品本体２に対する固着強度が低下し、端子電
極６および７が部品本体２から剥がれやすいという問題
に遭遇する。
【００１６】図６には、この発明にとって興味ある他の
セラミック電子部品１ａが示されている。図６におい
て、図５に示した要素に相当する要素には同様の参照符
号を付し、重複する説明は省略する。
セラミック電子部品１ａが示されている。図６におい
て、図５に示した要素に相当する要素には同様の参照符
号を付し、重複する説明は省略する。
【００１７】図６に示したセラミック電子部品１ａも、
前述したクラック１５の問題を解決するために提案され
たものである。このセラミック電子部品１ａにおいて
は、端子電極６および７の各々の端面３および４上に位
置する部分を除いて、樹脂コート１８が施されている。
この樹脂コート１８は、半田１３および１４の付着領域
を、端子電極６および７の端面３および４上に位置する
部分にのみ限定するためのものである。
前述したクラック１５の問題を解決するために提案され
たものである。このセラミック電子部品１ａにおいて
は、端子電極６および７の各々の端面３および４上に位
置する部分を除いて、樹脂コート１８が施されている。
この樹脂コート１８は、半田１３および１４の付着領域
を、端子電極６および７の端面３および４上に位置する
部分にのみ限定するためのものである。
【００１８】このセラミック電子部品１ａが配線基板１
０上に実装されたとき、半田１３および１４は、端子電
極６および７の側面５上で延びる部分には付着せず、し
たがって、前述したようなクラック１５をもたらすスト
レスの低減を図ることができる。
０上に実装されたとき、半田１３および１４は、端子電
極６および７の側面５上で延びる部分には付着せず、し
たがって、前述したようなクラック１５をもたらすスト
レスの低減を図ることができる。
【００１９】しかしながら、図６に示すようなセラミッ
ク電子部品１ａの表面実装状態によれば、端子電極６お
よび７と導電ランド１１および１２とが直接接触するこ
とがないばかりでなく、端子電極６および７に対する半
田１３および１４の付着面積が小さくなるので、セラミ
ック電子部品１ａの配線基板１０に対する固着強度、特
に、せん断強度がそれほど高くなく、そのため、セラミ
ック電子部品１ａが配線基板１０から不用意にも脱落し
てしまうこともあるという問題に遭遇する。
ク電子部品１ａの表面実装状態によれば、端子電極６お
よび７と導電ランド１１および１２とが直接接触するこ
とがないばかりでなく、端子電極６および７に対する半
田１３および１４の付着面積が小さくなるので、セラミ
ック電子部品１ａの配線基板１０に対する固着強度、特
に、せん断強度がそれほど高くなく、そのため、セラミ
ック電子部品１ａが配線基板１０から不用意にも脱落し
てしまうこともあるという問題に遭遇する。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明の目
的は、上述したようなクラックの問題およびせん断強度
の低下の問題を解決し得る、セラミック電子部品を提供
しようとすることである。
的は、上述したようなクラックの問題およびせん断強度
の低下の問題を解決し得る、セラミック電子部品を提供
しようとすることである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】この発明は、相対向する
２つの端面およびこれら２つの端面間を連結する側面を
有する、セラミック電子部品本体と、このセラミック電
子部品本体の各端面上から側面の一部上にまで延びるよ
うに形成される、端子電極とを備える、セラミック電子
部品に向けられるものであって、上述した技術的課題を
解決するため、端子電極を次のように構成することを特
徴としている。
２つの端面およびこれら２つの端面間を連結する側面を
有する、セラミック電子部品本体と、このセラミック電
子部品本体の各端面上から側面の一部上にまで延びるよ
うに形成される、端子電極とを備える、セラミック電子
部品に向けられるものであって、上述した技術的課題を
解決するため、端子電極を次のように構成することを特
徴としている。
【００２２】すなわち、この発明では、端子電極は、セ
ラミック電子部品本体の少なくとも各端面上に形成され
る、金属を含む金属層と、セラミック電子部品本体の側
面の一部を少なくとも覆う位置にあって、金属層の端縁
を挟んで金属層上およびセラミック電子部品本体の側面
の一部上の双方に跨がるように形成され、かつ側面の一
部を覆う位置における厚みが１０μｍ以上とされ、か
つ、セラミック電子部品本体の各端面を覆う位置にあっ
て、金属層上に形成される端面部分の厚みが５μｍ以下
（０μｍは含まず。）とされた、金属粉末および樹脂を
含む導電性樹脂からなる導電性樹脂層と、この端子電極
の外表面を覆うように金属をめっきすることによって形
成される、めっき膜とを備える構成とされる。
ラミック電子部品本体の少なくとも各端面上に形成され
る、金属を含む金属層と、セラミック電子部品本体の側
面の一部を少なくとも覆う位置にあって、金属層の端縁
を挟んで金属層上およびセラミック電子部品本体の側面
の一部上の双方に跨がるように形成され、かつ側面の一
部を覆う位置における厚みが１０μｍ以上とされ、か
つ、セラミック電子部品本体の各端面を覆う位置にあっ
て、金属層上に形成される端面部分の厚みが５μｍ以下
（０μｍは含まず。）とされた、金属粉末および樹脂を
含む導電性樹脂からなる導電性樹脂層と、この端子電極
の外表面を覆うように金属をめっきすることによって形
成される、めっき膜とを備える構成とされる。
【００２３】この発明において、導電性樹脂層の、側面
の一部を覆う位置における厚みは、２０〜７０μｍとさ
れることが好ましい。
の一部を覆う位置における厚みは、２０〜７０μｍとさ
れることが好ましい。
【００２４】
【００２５】この発明において、金属層は、たとえば、
Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、ＮｉまたはＣｕを含む導電性ペース
トを焼き付けることによって形成されることができる。
Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、ＮｉまたはＣｕを含む導電性ペース
トを焼き付けることによって形成されることができる。
【００２６】また、この発明において、上述しためっき
膜は、好ましくは、半田が導電性樹脂層中に拡散するこ
とを防止する金属からなる下層膜と、半田付け性の良好
な金属からなる表層膜とを備える。
膜は、好ましくは、半田が導電性樹脂層中に拡散するこ
とを防止する金属からなる下層膜と、半田付け性の良好
な金属からなる表層膜とを備える。
【００２７】また、この発明に係るセラミック電子部品
は、各端子電極が同じ方向に向けられた状態で、複数の
セラミック電子部品本体が積み重ねられた構造を有して
いてもよい。
は、各端子電極が同じ方向に向けられた状態で、複数の
セラミック電子部品本体が積み重ねられた構造を有して
いてもよい。
【００２８】また、この発明は、セラミック電子部品本
体が積層セラミックコンデンサのための電子部品本体を
構成するとき、特に有利に適用される。
体が積層セラミックコンデンサのための電子部品本体を
構成するとき、特に有利に適用される。
【００２９】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１の実施形
態によるセラミック電子部品２１の一部を拡大して示す
断面図である。図１には、セラミック電子部品本体２２
の一方端部、および一方の端子電極２３のみが図示され
ているが、部品本体２２の他方端部および他方の端子電
極は、図示した部品本体２２の一方端部および端子電極
２３と実質的に同様の構成を有しているので、以下の説
明は、図示した部品本体２２の一方端部および端子電極
２３について行なうことにする。
態によるセラミック電子部品２１の一部を拡大して示す
断面図である。図１には、セラミック電子部品本体２２
の一方端部、および一方の端子電極２３のみが図示され
ているが、部品本体２２の他方端部および他方の端子電
極は、図示した部品本体２２の一方端部および端子電極
２３と実質的に同様の構成を有しているので、以下の説
明は、図示した部品本体２２の一方端部および端子電極
２３について行なうことにする。
【００３０】部品本体２２は、図示した端面２４を含む
相対向する２つの端面を有するとともに、これら２つの
端面間を連結する４つの側面２５を有する、直方体状を
なしている。図示した端子電極２３は、端面２４上に形
成されている。
相対向する２つの端面を有するとともに、これら２つの
端面間を連結する４つの側面２５を有する、直方体状を
なしている。図示した端子電極２３は、端面２４上に形
成されている。
【００３１】また、部品本体２２は、たとえば、積層セ
ラミックコンデンサを構成するためのものであり、その
内部には、複数の内部電極２６および２７が互いに対向
するように形成されている。内部電極２６は、端子電極
２３に電気的に接続され、内部電極２７は、図示しない
他方の端子電極に電気的に接続され、これら内部電極２
６と内部電極２７とは交互に配置されている。
ラミックコンデンサを構成するためのものであり、その
内部には、複数の内部電極２６および２７が互いに対向
するように形成されている。内部電極２６は、端子電極
２３に電気的に接続され、内部電極２７は、図示しない
他方の端子電極に電気的に接続され、これら内部電極２
６と内部電極２７とは交互に配置されている。
【００３２】端子電極２３は、下地の金属層２８と、そ
の上に形成される導電性樹脂層２９と、その上に形成さ
れるめっき膜３０とを備えている。
の上に形成される導電性樹脂層２９と、その上に形成さ
れるめっき膜３０とを備えている。
【００３３】金属層２８は、金属を含む構成とされ、た
とえば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、ＮｉまたはＣｕを含む導電
性ペーストを焼き付けることによって、これを形成する
ことができる。なお、金属層２８は、このような焼付け
による他、無電解めっきによって形成されても、真空成
膜法によって形成されても、溶射によって形成されても
よい。
とえば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、ＮｉまたはＣｕを含む導電
性ペーストを焼き付けることによって、これを形成する
ことができる。なお、金属層２８は、このような焼付け
による他、無電解めっきによって形成されても、真空成
膜法によって形成されても、溶射によって形成されても
よい。
【００３４】下地の金属層２８は、部品本体２２の少な
くとも端面２４上に形成される。この実施形態では、金
属層２８は、部品本体２２の端面２４上から側面２５の
一部上にまで延びるように形成されている。
くとも端面２４上に形成される。この実施形態では、金
属層２８は、部品本体２２の端面２４上から側面２５の
一部上にまで延びるように形成されている。
【００３５】導電性樹脂層２９は、金属粉末および樹脂
を含む導電性樹脂から構成される。この導電性樹脂に含
まれる金属粉末としては、たとえばＡｇ粉末が用いら
れ、樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポ
リエステル系やポリエーテルスルホン系樹脂のような高
融点熱可塑性樹脂、あるいはこれら樹脂の混合物が用い
られる。
を含む導電性樹脂から構成される。この導電性樹脂に含
まれる金属粉末としては、たとえばＡｇ粉末が用いら
れ、樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポ
リエステル系やポリエーテルスルホン系樹脂のような高
融点熱可塑性樹脂、あるいはこれら樹脂の混合物が用い
られる。
【００３６】導電性樹脂層２９は、部品本体２２の側面
２５の一部を少なくとも覆う位置にあって、金属層２８
の端縁３１を挟んで金属層２８上および部品本体２２の
側面２５の一部上の双方に跨るように形成されることを
特徴としている。なお、図示の実施形態では、導電性樹
脂層２９は、上述のような側面２５を覆う位置にある部
分すなわち側面部分３２だけでなく、端面２４を覆う位
置にあって、金属層２８上に形成される端面部分３３を
備えている。
２５の一部を少なくとも覆う位置にあって、金属層２８
の端縁３１を挟んで金属層２８上および部品本体２２の
側面２５の一部上の双方に跨るように形成されることを
特徴としている。なお、図示の実施形態では、導電性樹
脂層２９は、上述のような側面２５を覆う位置にある部
分すなわち側面部分３２だけでなく、端面２４を覆う位
置にあって、金属層２８上に形成される端面部分３３を
備えている。
【００３７】また、導電性樹脂層２９は、その厚みに関
して、次のような特徴を有している。すなわち、導電性
樹脂層２９の側面部分３２における厚みは、１０μｍ以
上とされる。より好ましくは、この側面部分３２の厚み
は、２０〜７０μｍとされる。また、この実施形態のよ
うに、導電性樹脂層２９が端面部分３３を有している場
合には、この端面部分３３の厚みは、５μｍ以下とされ
る。
して、次のような特徴を有している。すなわち、導電性
樹脂層２９の側面部分３２における厚みは、１０μｍ以
上とされる。より好ましくは、この側面部分３２の厚み
は、２０〜７０μｍとされる。また、この実施形態のよ
うに、導電性樹脂層２９が端面部分３３を有している場
合には、この端面部分３３の厚みは、５μｍ以下とされ
る。
【００３８】次に、めっき膜３０は、所望の金属をめっ
きすることによって形成されるものであるが、その表面
において良好な半田付け性を与えるようにされ、かつ、
端子電極２３が図示しない配線基板上の導電ランドに半
田付けされるときに付与される半田が導電性樹脂層２９
中に拡散することを防止することによって、導電性樹脂
層２９が劣化することを防止する機能を果たすものであ
ることが好ましい。
きすることによって形成されるものであるが、その表面
において良好な半田付け性を与えるようにされ、かつ、
端子電極２３が図示しない配線基板上の導電ランドに半
田付けされるときに付与される半田が導電性樹脂層２９
中に拡散することを防止することによって、導電性樹脂
層２９が劣化することを防止する機能を果たすものであ
ることが好ましい。
【００３９】そのため、図示の実施形態では、めっき膜
３０は、半田が導電性樹脂層２９中に拡散することを防
止する金属からなる下層膜３４と、半田付け性の良好な
金属からなる表層膜３５とを備える、少なくとも２層か
らなる構造とされる。上述した下層膜３４を構成する金
属としては、たとえば、Ｎｉが有利に用いられ、表層膜
３５を構成する金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｓｎ、
Ｐｂ／Ｓｎ、ＡｇまたはＰｄが有利に用いられる。
３０は、半田が導電性樹脂層２９中に拡散することを防
止する金属からなる下層膜３４と、半田付け性の良好な
金属からなる表層膜３５とを備える、少なくとも２層か
らなる構造とされる。上述した下層膜３４を構成する金
属としては、たとえば、Ｎｉが有利に用いられ、表層膜
３５を構成する金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｓｎ、
Ｐｂ／Ｓｎ、ＡｇまたはＰｄが有利に用いられる。
【００４０】このように、図１に示したセラミック電子
部品２１によれば、これを配線基板上に表面実装するに
際して、配線基板上の導電ランドと端子電極２３とを半
田付けするための半田が、端子電極２３の、端面２４を
覆う部分だけでなく、側面２５を覆う部分にも付与され
るので、十分な半田付着領域を得ることができる。した
がって、セラミック電子部品２１の実装状態における固
着強度、特にせん断強度を高めることができる。
部品２１によれば、これを配線基板上に表面実装するに
際して、配線基板上の導電ランドと端子電極２３とを半
田付けするための半田が、端子電極２３の、端面２４を
覆う部分だけでなく、側面２５を覆う部分にも付与され
るので、十分な半田付着領域を得ることができる。した
がって、セラミック電子部品２１の実装状態における固
着強度、特にせん断強度を高めることができる。
【００４１】また、導電性樹脂層２９は、配線基板の撓
みや熱衝撃サイクルによって端子電極２３および部品本
体２２に及ぼされるストレスを効果的に緩和する作用を
果たすので、部品本体２２にクラックが生じることを防
止する。また、このようなクラックは、部品本体２２に
おける金属層２８の端縁３１の近傍において生じやすい
が、導電性樹脂層２９は、前述したように、金属層２８
の端縁３１を挟んで金属層２８上および側面２５の一部
上の双方に跨がるように形成されるので、クラックの発
生しやすい部分を機械的に補強することができ、このこ
とも、クラックの発生を防止することに貢献する。ま
た、この実施形態では、導電性樹脂層２９は、端面部分
３３を有しているので、この端面部分３３でのストレス
緩和効果をも期待できる。
みや熱衝撃サイクルによって端子電極２３および部品本
体２２に及ぼされるストレスを効果的に緩和する作用を
果たすので、部品本体２２にクラックが生じることを防
止する。また、このようなクラックは、部品本体２２に
おける金属層２８の端縁３１の近傍において生じやすい
が、導電性樹脂層２９は、前述したように、金属層２８
の端縁３１を挟んで金属層２８上および側面２５の一部
上の双方に跨がるように形成されるので、クラックの発
生しやすい部分を機械的に補強することができ、このこ
とも、クラックの発生を防止することに貢献する。ま
た、この実施形態では、導電性樹脂層２９は、端面部分
３３を有しているので、この端面部分３３でのストレス
緩和効果をも期待できる。
【００４２】図２には、導電性樹脂層２９の形成方法の
一例が示されている。
一例が示されている。
【００４３】図２（１）に示すように、部品本体２２の
各端部に、金属層２８および３６が形成された部品本体
２２が用意される。
各端部に、金属層２８および３６が形成された部品本体
２２が用意される。
【００４４】次いで、図２（２）に示すように、部品本
体２２の金属層２８側の端部が、未硬化の導電性樹脂３
７内にディップされる。その後、導電性樹脂３７から取
り出された状態にある部品本体２２が、図２（３）に示
されている。図２（３）に示すように、金属層３６は、
未硬化の導電性樹脂３７によって覆われた状態となって
いる。
体２２の金属層２８側の端部が、未硬化の導電性樹脂３
７内にディップされる。その後、導電性樹脂３７から取
り出された状態にある部品本体２２が、図２（３）に示
されている。図２（３）に示すように、金属層３６は、
未硬化の導電性樹脂３７によって覆われた状態となって
いる。
【００４５】次いで、図２（４）に示すように、金属層
３６が、掻き取り板３８上に押し付けられる。その後、
部品本体２２が掻き取り板３８から離すように持ち上げ
られた状態が、図２（５）に示されている。図２（５）
において、導電性樹脂３７の側面上の部分は、実質的に
部品本体２２に伴われるが、端面上の部分のほとんど
は、掻き取り板３８側に残される。
３６が、掻き取り板３８上に押し付けられる。その後、
部品本体２２が掻き取り板３８から離すように持ち上げ
られた状態が、図２（５）に示されている。図２（５）
において、導電性樹脂３７の側面上の部分は、実質的に
部品本体２２に伴われるが、端面上の部分のほとんど
は、掻き取り板３８側に残される。
【００４６】同様の操作が、部品本体２２の他方の金属
層３６側の端部についても実施される。その後、導電性
樹脂３７が加熱硬化されることによって、図１に示すよ
うな導電性樹脂層２９が形成される。
層３６側の端部についても実施される。その後、導電性
樹脂３７が加熱硬化されることによって、図１に示すよ
うな導電性樹脂層２９が形成される。
【００４７】このように、導電性樹脂層２９における、
５μｍ以下の厚みとされるべき端面部分３３は、図２
（４）に示すように、掻き取り板３８によって導電性樹
脂３７のほとんどを取り去るが、完全には取り去ること
ができないことを利用して能率的に形成することができ
る。
５μｍ以下の厚みとされるべき端面部分３３は、図２
（４）に示すように、掻き取り板３８によって導電性樹
脂３７のほとんどを取り去るが、完全には取り去ること
ができないことを利用して能率的に形成することができ
る。
【００４８】図３は、この発明の第２の実施形態による
セラミック電子部品４１を示す正面図である。図３にお
いて、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符
号を付し、重複する説明は省略する。
セラミック電子部品４１を示す正面図である。図３にお
いて、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符
号を付し、重複する説明は省略する。
【００４９】図３に示したセラミック電子部品４１は、
複数の、たとえば２つのセラミック電子部品本体２２を
備えることを特徴としている。これら２つの部品本体２
２は、各端子電極２３および４２が同じ方向に向けられ
た状態で上下に積み重ねられ、必要により、たとえば接
着剤４３によって互いに接合されている。端子電極２３
および４２の構造は、図１に示した端子電極２３と実質
的に同様である。
複数の、たとえば２つのセラミック電子部品本体２２を
備えることを特徴としている。これら２つの部品本体２
２は、各端子電極２３および４２が同じ方向に向けられ
た状態で上下に積み重ねられ、必要により、たとえば接
着剤４３によって互いに接合されている。端子電極２３
および４２の構造は、図１に示した端子電極２３と実質
的に同様である。
【００５０】なお、図３に示したセラミック電子部品４
１を得ようとする場合、予め端子電極２３および４２が
図１に示すように完全な状態で形成された複数の部品本
体２２を組み合わせるようにする他、端子電極２３およ
び４２に含まれる金属層２８のみが形成された複数の部
品本体２２を組み合わせ、この組み合わせ状態で、導電
性樹脂層２９およびめっき膜３０を形成するようにして
もよい。
１を得ようとする場合、予め端子電極２３および４２が
図１に示すように完全な状態で形成された複数の部品本
体２２を組み合わせるようにする他、端子電極２３およ
び４２に含まれる金属層２８のみが形成された複数の部
品本体２２を組み合わせ、この組み合わせ状態で、導電
性樹脂層２９およびめっき膜３０を形成するようにして
もよい。
【００５１】図３に示すような複数の部品本体２２が組
み合わされたセラミック電子部品４１によれば、部品本
体２２が積層セラミックコンデンサを構成する場合、よ
り高い静電容量を得ることが可能になる。
み合わされたセラミック電子部品４１によれば、部品本
体２２が積層セラミックコンデンサを構成する場合、よ
り高い静電容量を得ることが可能になる。
【００５２】図４は、この発明の第３の実施形態による
セラミック電子部品４４の一部を示す断面図である。図
４において、図１に示した要素に相当する要素には同様
の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
セラミック電子部品４４の一部を示す断面図である。図
４において、図１に示した要素に相当する要素には同様
の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５３】図４に示したセラミック電子部品４４は、
金属層２８が、部品本体２２の端面２４上にのみ形成さ
れていることを特徴としている。
金属層２８が、部品本体２２の端面２４上にのみ形成さ
れていることを特徴としている。
【００５４】導電性樹脂層２９は、側面部分３２におい
て、金属層２８の端縁３１を挟んで金属層２８上および
部品本体２２の側面２５の一部上の双方に跨がるように
形成され、この側面部分３２の厚みが１０μｍ以上とさ
れている。また、導電性樹脂層２９は、端面部分３３を
備え、この端面部分３３の厚みは５μｍ以下とされてい
る。
て、金属層２８の端縁３１を挟んで金属層２８上および
部品本体２２の側面２５の一部上の双方に跨がるように
形成され、この側面部分３２の厚みが１０μｍ以上とさ
れている。また、導電性樹脂層２９は、端面部分３３を
備え、この端面部分３３の厚みは５μｍ以下とされてい
る。
【００５５】また、上述の導電性樹脂層２９を覆うよう
に、下層膜３４および表層膜３５を備えるめっき膜３０
が形成される。
に、下層膜３４および表層膜３５を備えるめっき膜３０
が形成される。
【００５６】
【００５７】
【００５８】
【００５９】
【００６０】
【００６１】以下に、この発明の効果を確認するために
実施した実験例について説明する。この実験例では、試
料の構造として、図１に示すようなセラミック電子部品
２１の構造を基本的に採用し、その端子電極２３に備え
る導電性樹脂層２９の側面部分３２および端面部分３３
の各厚みを種々に変えたものについて評価した。各試料
の詳細は、次のとおりである。
実施した実験例について説明する。この実験例では、試
料の構造として、図１に示すようなセラミック電子部品
２１の構造を基本的に採用し、その端子電極２３に備え
る導電性樹脂層２９の側面部分３２および端面部分３３
の各厚みを種々に変えたものについて評価した。各試料
の詳細は、次のとおりである。
【００６２】平面寸法が５．７ｍｍ×５．０ｍｍのチタ
ン酸バリウム系セラミック誘電体を用いた静電容量１μ
Ｆの積層セラミックコンデンサとなるべき部品本体２２
を用意した。
ン酸バリウム系セラミック誘電体を用いた静電容量１μ
Ｆの積層セラミックコンデンサとなるべき部品本体２２
を用意した。
【００６３】次いで、部品本体２２の各端部上に、Ｃｕ
ペーストを１００μｍの厚みで塗布し、１５０℃の温度
で１０分間乾燥した後、８００℃の温度で５分間保持し
て焼き付け、金属層２８を形成した。
ペーストを１００μｍの厚みで塗布し、１５０℃の温度
で１０分間乾燥した後、８００℃の温度で５分間保持し
て焼き付け、金属層２８を形成した。
【００６４】次いで、表１に示すように、側面部分３２
における厚みおよび端面部分３３における厚みが種々に
設定された導電性樹脂層２９を、金属層２８上に形成し
た。表１において、「側面厚み」は、側面部分３２の厚
みを示し、「端面厚み」は端面部分３３の厚みを示して
いる。
における厚みおよび端面部分３３における厚みが種々に
設定された導電性樹脂層２９を、金属層２８上に形成し
た。表１において、「側面厚み」は、側面部分３２の厚
みを示し、「端面厚み」は端面部分３３の厚みを示して
いる。
【００６５】なお、導電性樹脂層２９の形成にあたって
は、Ａｇ粉末およびエポキシ樹脂を含む導電性樹脂３７
を塗布し、２６０℃の温度で３０分間加熱硬化すること
を行なった。そして、表１に示すような種々の「側面厚
み」および「端面厚み」を得るため、導電性樹脂３７の
塗布にあたって、その粘度を調整したり、図２（４）に
示した掻き取り板３８による掻き取りを種々の条件で行
なった。
は、Ａｇ粉末およびエポキシ樹脂を含む導電性樹脂３７
を塗布し、２６０℃の温度で３０分間加熱硬化すること
を行なった。そして、表１に示すような種々の「側面厚
み」および「端面厚み」を得るため、導電性樹脂３７の
塗布にあたって、その粘度を調整したり、図２（４）に
示した掻き取り板３８による掻き取りを種々の条件で行
なった。
【００６６】次いで、試料１については、金属層２８上
に、また、試料２〜１０については、導電性樹脂層２９
上に、湿式めっきによって、厚み１μｍのニッケルから
なる下層膜３４を形成するとともに、その上に厚み５μ
ｍの錫からなる表層膜３５を形成することによって、め
っき膜３０を形成した。
に、また、試料２〜１０については、導電性樹脂層２９
上に、湿式めっきによって、厚み１μｍのニッケルから
なる下層膜３４を形成するとともに、その上に厚み５μ
ｍの錫からなる表層膜３５を形成することによって、め
っき膜３０を形成した。
【００６７】このようにして、各試料に係るセラミック
電子部品を完成させた。
電子部品を完成させた。
【００６８】このようにして得られた各試料に係るセラ
ミック電子部品すなわち積層セラミックコンデンサを、
アルミニウム基板上に表面実装した状態とし、表１に示
すように、「せん断強度」、「ＥＳＲ」（等価直列抵
抗）、「熱衝撃不良発生率」および「耐湿負荷不良発生
率」をそれぞれ評価した。
ミック電子部品すなわち積層セラミックコンデンサを、
アルミニウム基板上に表面実装した状態とし、表１に示
すように、「せん断強度」、「ＥＳＲ」（等価直列抵
抗）、「熱衝撃不良発生率」および「耐湿負荷不良発生
率」をそれぞれ評価した。
【００６９】「せん断強度」については、１５０℃の温
度で５００時間放置した後のせん断強度を測定した。
度で５００時間放置した後のせん断強度を測定した。
【００７０】また、「ＥＳＲ」については、同じく１５
０℃の温度で５００時間放置した後、１ＭＨｚの交流を
加えた状態で測定した。
０℃の温度で５００時間放置した後、１ＭＨｚの交流を
加えた状態で測定した。
【００７１】また、「熱衝撃不良発生率」については、
−５５℃と＋１２５℃との間での温度変化を５００サイ
クル繰り返す熱衝撃を与えた後での絶縁抵抗と静電容量
とを測定し、この絶縁抵抗が所定の範囲から外れるか容
量変化が２０％以上となる不良が発生した試料の比率を
求めたものであり、表１には、全試料数１８に対する、
不良が発生した試料数の比率が示されている。
−５５℃と＋１２５℃との間での温度変化を５００サイ
クル繰り返す熱衝撃を与えた後での絶縁抵抗と静電容量
とを測定し、この絶縁抵抗が所定の範囲から外れるか容
量変化が２０％以上となる不良が発生した試料の比率を
求めたものであり、表１には、全試料数１８に対する、
不良が発生した試料数の比率が示されている。
【００７２】「耐湿負荷不良発生率」については、上述
した熱衝撃サイクルを加えた後において温度８５℃およ
び相対湿度８５％の条件で耐湿負荷試験を５００時間実
施して、絶縁抵抗が所定の範囲から外れる不良が発生し
た試料の比率を求めようとするものであり、表１には、
熱衝撃サイクル試験において良品と判定された全試料数
１８に対する、不良が発生した試料数の比率が示されて
いる。
した熱衝撃サイクルを加えた後において温度８５℃およ
び相対湿度８５％の条件で耐湿負荷試験を５００時間実
施して、絶縁抵抗が所定の範囲から外れる不良が発生し
た試料の比率を求めようとするものであり、表１には、
熱衝撃サイクル試験において良品と判定された全試料数
１８に対する、不良が発生した試料数の比率が示されて
いる。
【００７３】
【表１】
【００７４】表１において、試料４〜８および１０は、
この発明の範囲内にあり、この中で、特に試料５〜８
は、この発明におけるより好ましい範囲内にある。そし
て、試料１〜３および９は、この発明の範囲外のもので
ある。
この発明の範囲内にあり、この中で、特に試料５〜８
は、この発明におけるより好ましい範囲内にある。そし
て、試料１〜３および９は、この発明の範囲外のもので
ある。
【００７５】この発明の範囲内にある試料４〜８および
１０によれば、「熱衝撃不良発生率」および「耐湿負荷
不良発生率」において、試料１〜３に比べて、好ましい
結果を与えている。このことから、試料４〜８および１
０によれば、部品本体２２において、クラックの発生が
抑えられたことが推測される。
１０によれば、「熱衝撃不良発生率」および「耐湿負荷
不良発生率」において、試料１〜３に比べて、好ましい
結果を与えている。このことから、試料４〜８および１
０によれば、部品本体２２において、クラックの発生が
抑えられたことが推測される。
【００７６】特に、「側面厚み」が２０〜７０μｍであ
る、試料５〜８によれば、「熱衝撃不良発生率」および
「耐湿負荷不良発生率」のいずれにおいても不良の発生
がないことがわかる。また、特に、試料５、６および８
によれば、試料１〜３に比べて、「せん断強度」が低下
しておらず、また、「ＥＳＲ」についてもほとんど上昇
していない。
る、試料５〜８によれば、「熱衝撃不良発生率」および
「耐湿負荷不良発生率」のいずれにおいても不良の発生
がないことがわかる。また、特に、試料５、６および８
によれば、試料１〜３に比べて、「せん断強度」が低下
しておらず、また、「ＥＳＲ」についてもほとんど上昇
していない。
【００７７】なお、試料１０は、この発明の範囲内にあ
るものであるが、「熱衝撃不良発生率」において、１８
個中、２個の試料について不良が発生している。この不
良は、熱衝撃サイクルによって樹脂が劣化し、導電性樹
脂層にクラックが発生したことに起因するもので、「側
面厚み」が７０μｍを超えると、樹脂の劣化によるクラ
ックの発生が問題となることがあることがわかる。
るものであるが、「熱衝撃不良発生率」において、１８
個中、２個の試料について不良が発生している。この不
良は、熱衝撃サイクルによって樹脂が劣化し、導電性樹
脂層にクラックが発生したことに起因するもので、「側
面厚み」が７０μｍを超えると、樹脂の劣化によるクラ
ックの発生が問題となることがあることがわかる。
【００７８】これらに対して、この発明の範囲外にある
試料１〜３では、「せん断強度」および「ＥＳＲ」につ
いては好ましい結果を与えているが、「熱衝撃不良発生
率」および「耐湿負荷不良発生率」については比較的多
くの試料について不良の発生が認められる。このことか
ら、試料１〜３においては、部品本体２２にクラックが
生じていることが推測される。また、試料９では、試料
１〜３に比べて、「せん断強度」が低下し、また、「Ｅ
ＳＲ」についても上昇している。
試料１〜３では、「せん断強度」および「ＥＳＲ」につ
いては好ましい結果を与えているが、「熱衝撃不良発生
率」および「耐湿負荷不良発生率」については比較的多
くの試料について不良の発生が認められる。このことか
ら、試料１〜３においては、部品本体２２にクラックが
生じていることが推測される。また、試料９では、試料
１〜３に比べて、「せん断強度」が低下し、また、「Ｅ
ＳＲ」についても上昇している。
【００７９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、端子
電極が、セラミック電子部品本体の少なくとも各端面上
に形成される、金属層と、セラミック電子部品本体の側
面の一部を少なくとも覆う位置にあって、金属層の端縁
を挟んで金属層上およびセラミック電子部品本体の側面
の一部上の双方に跨がるように形成され、かつ側面の一
部を覆う位置における厚みが１０μｍ以上とされた、導
電性樹脂層と、この端子電極の外表面を覆うように形成
される、めっき膜とを備えている。
電極が、セラミック電子部品本体の少なくとも各端面上
に形成される、金属層と、セラミック電子部品本体の側
面の一部を少なくとも覆う位置にあって、金属層の端縁
を挟んで金属層上およびセラミック電子部品本体の側面
の一部上の双方に跨がるように形成され、かつ側面の一
部を覆う位置における厚みが１０μｍ以上とされた、導
電性樹脂層と、この端子電極の外表面を覆うように形成
される、めっき膜とを備えている。
【００８０】したがって、このような構成において、ま
ず、金属層は、セラミック電子部品本体に対する固着強
度を十分なものとし、めっき膜は、端子電極への半田付
けを可能にするように機能し、その結果、これら金属層
およびめっき膜は、セラミック電子部品に備える端子電
極にとって必要な性質を与えている。
ず、金属層は、セラミック電子部品本体に対する固着強
度を十分なものとし、めっき膜は、端子電極への半田付
けを可能にするように機能し、その結果、これら金属層
およびめっき膜は、セラミック電子部品に備える端子電
極にとって必要な性質を与えている。
【００８１】そして、導電性樹脂層は、配線基板の撓み
または熱衝撃のためにセラミック電子部品本体にクラッ
クを生じさせるようなストレスを緩和するように作用
し、その結果、クラックの発生が抑えられ、セラミック
電子部品の電気特性に関する信頼性を高めることができ
る。
または熱衝撃のためにセラミック電子部品本体にクラッ
クを生じさせるようなストレスを緩和するように作用
し、その結果、クラックの発生が抑えられ、セラミック
電子部品の電気特性に関する信頼性を高めることができ
る。
【００８２】この発明において、導電性樹脂層の側面部
分における厚みが２０μｍ以上とされたときには、上述
のようなストレスの緩和効果がより確実に達成され、ま
た、７０μｍ以下とされたときには、導電性樹脂層にお
ける導電性樹脂の強度劣化によるせん断強度の低下を招
きにくく、また、ＥＳＲの増大もそれほど招かないよう
にすることができる。
分における厚みが２０μｍ以上とされたときには、上述
のようなストレスの緩和効果がより確実に達成され、ま
た、７０μｍ以下とされたときには、導電性樹脂層にお
ける導電性樹脂の強度劣化によるせん断強度の低下を招
きにくく、また、ＥＳＲの増大もそれほど招かないよう
にすることができる。
【００８３】また、この発明によれば、導電性樹脂層が
端面部分を備えるので、上述したようなストレスの緩和
効果をより高めることができる。そして、この端面部分
の厚みが５μｍ以下とされるので、せん断強度の低下お
よびＥＳＲの増大をそれほど招かないようにすることが
できる。
端面部分を備えるので、上述したようなストレスの緩和
効果をより高めることができる。そして、この端面部分
の厚みが５μｍ以下とされるので、せん断強度の低下お
よびＥＳＲの増大をそれほど招かないようにすることが
できる。
【００８４】この発明において、金属層が、導電性ペー
ストを焼き付けることによって形成されたものである場
合、金属層のセラミック電子部品本体に対する固着強度
をより高めることができる。また、このような場合、金
属層が厚膜となるので、熱衝撃によるストレスがより大
きく生じる傾向がある。したがって、端子電極が、この
ように導電性ペーストを焼き付けることによって形成さ
れた金属層を備えるとき、この発明による効果がより顕
著なものとなる。
ストを焼き付けることによって形成されたものである場
合、金属層のセラミック電子部品本体に対する固着強度
をより高めることができる。また、このような場合、金
属層が厚膜となるので、熱衝撃によるストレスがより大
きく生じる傾向がある。したがって、端子電極が、この
ように導電性ペーストを焼き付けることによって形成さ
れた金属層を備えるとき、この発明による効果がより顕
著なものとなる。
【００８５】また、この発明において、めっき膜が少な
くとも２層からなる構造を有し、半田が導電性樹脂層中
に拡散することを防止する金属からなる下層膜と、半田
付け性の良好な金属からなる表層膜とを備えるとき、導
電性樹脂層が半田の拡散によって劣化することを防止し
ながら、端子電極に対して良好な半田付け性を確実に与
えることができる。
くとも２層からなる構造を有し、半田が導電性樹脂層中
に拡散することを防止する金属からなる下層膜と、半田
付け性の良好な金属からなる表層膜とを備えるとき、導
電性樹脂層が半田の拡散によって劣化することを防止し
ながら、端子電極に対して良好な半田付け性を確実に与
えることができる。
【図１】この発明の第１の実施形態によるセラミック電
子部品２１の一部を拡大して示す断面図である。
子部品２１の一部を拡大して示す断面図である。
【図２】図１に示した導電性樹脂層２９の好ましい形成
方法の一例を示す図解的断面図である。
方法の一例を示す図解的断面図である。
【図３】この発明の第２の実施形態によるセラミック電
子部品４１を示す正面図である。
子部品４１を示す正面図である。
【図４】この発明の第３の実施形態によるセラミック電
子部品４４の一部を拡大して示す断面図である。
子部品４４の一部を拡大して示す断面図である。
【図５】この発明にとって興味ある従来のセラミック電
子部品１の表面実装状態を示す断面図である。
子部品１の表面実装状態を示す断面図である。
【図６】この発明にとって興味ある従来の他のセラミッ
ク電子部品１ａの表面実装状態を示す断面図である。
ク電子部品１ａの表面実装状態を示す断面図である。
２１，４１，４４ セラミック電子部品
２２ セラミック電子部品本体
２３，４２ 端子電極
２４ 端面
２５ 側面
２８ 金属層
２９ 導電性樹脂層
３０ めっき膜
３１ 端縁
３２ 側面部分
３３ 端面部分
３４ 下層膜
３５ 表層膜
３７ 導電性樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 渡辺 徹
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株
式会社村田製作所内
(56)参考文献 特開 平８−203770（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−233372（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 4/00 - 4/42
Claims (6)
- 【請求項１】 相対向する２つの端面および前記２つの
端面間を連結する側面を有する、セラミック電子部品本
体と、 前記セラミック電子部品本体の各前記端面上から前記側
面の一部上にまで延びるように形成される、端子電極と
を備え、 前記端子電極は、 前記セラミック電子部品本体の少なくとも各前記端面上
に形成される、金属を含む金属層と、 前記セラミック電子部品本体の前記側面の一部を少なく
とも覆う位置にあって、前記金属層の端縁を挟んで前記
金属層上および前記セラミック電子部品本体の前記側面
の一部上の双方に跨がるように形成され、かつ前記側面
の一部を覆う位置における厚みが１０μｍ以上とされ、
かつ、前記セラミック電子部品本体の各前記端面を覆う
位置にあって、前記金属層上に形成される端面部分の厚
みが５μｍ以下（０μｍは含まず。）とされた、金属粉
末および樹脂を含む導電性樹脂からなる導電性樹脂層
と、 当該端子電極の外表面を覆うように金属をめっきするこ
とによって形成される、めっき膜とを備える、セラミッ
ク電子部品。 - 【請求項２】 前記導電性樹脂層の、前記側面の一部を
覆う位置における厚みが、２０〜７０μｍとされる、請
求項１に記載のセラミック電子部品。 - 【請求項３】 前記金属層は、導電性ペーストを焼き付
けることによって形成されたものである、請求項１また
は２に記載のセラミック電子部品。 - 【請求項４】 前記めっき膜は、半田が前記導電性樹脂
層中に拡散することを防止する金属からなる下層膜と、
半田付け性の良好な金属からなる表層膜とを備える、請
求項１ないし３のいずれかに記載のセラミック電子部
品。 - 【請求項５】 各前記端子電極が同じ方向に向けられた
状態で、複数の前記セラミック電子部品本体が積み重ね
られた構造を有する、請求項１ないし４のいずれかに記
載のセラミック電子部品。 - 【請求項６】 前記セラミック電子部品本体は、積層セ
ラミックコンデンサのための電子部品本体を構成する、
請求項１ないし５のいずれかに記載のセラミック電子部
品。
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