JPH0793229B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH0793229B2 JPH0793229B2 JP4057235A JP5723592A JPH0793229B2 JP H0793229 B2 JPH0793229 B2 JP H0793229B2 JP 4057235 A JP4057235 A JP 4057235A JP 5723592 A JP5723592 A JP 5723592A JP H0793229 B2 JPH0793229 B2 JP H0793229B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は積層セラミックコンデン
サに関する。特にはコンデンサの端子電極の構造に関す
る。
サに関する。特にはコンデンサの端子電極の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の積層セラミックコンデンサは、第
２図に示す如く、セラミックグリーンシート１上に内部
電極として、銀パラジウム合金と有機バインダからなる
ペースト状インク２が塗布された誘電体シート３を複数
枚積層、焼成してコンデンサ素子４となし、この素子４
の両端部に銀パラジウム合金とガラスとからなる端子電
極５を形成している。
２図に示す如く、セラミックグリーンシート１上に内部
電極として、銀パラジウム合金と有機バインダからなる
ペースト状インク２が塗布された誘電体シート３を複数
枚積層、焼成してコンデンサ素子４となし、この素子４
の両端部に銀パラジウム合金とガラスとからなる端子電
極５を形成している。
【０００３】端子電極の構造は、他に第２図で示した銀
パラジウムとガラスとからなる第１層の端子電極５の上
に、第３図に示す如くニッケルめっき層の第２層の端子
電極６、さらにはんだめっき層の第３層の端子電極７の
３層構造のもの、別のものとしては第４図に示す如く、
銅又は銅合金の球状粉と有機接着剤とからなる第１層の
電極層８上に、溶融はんだめっき層からなる第２層の電
極層９の２層構造（特開平（３−２６６４０４号）が公
知である。
パラジウムとガラスとからなる第１層の端子電極５の上
に、第３図に示す如くニッケルめっき層の第２層の端子
電極６、さらにはんだめっき層の第３層の端子電極７の
３層構造のもの、別のものとしては第４図に示す如く、
銅又は銅合金の球状粉と有機接着剤とからなる第１層の
電極層８上に、溶融はんだめっき層からなる第２層の電
極層９の２層構造（特開平（３−２６６４０４号）が公
知である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のコンデンサの端
子電極は、第２図に示す銀パラジウム合金とガラスとか
らなる組成材料の端子電極５のものが一般的である。こ
のコンデンサ１１は基板へ実装する際のはんだ付けで端
子電極５が溶融はんだ中に溶解し、素子４が露出してし
まうことがある。
子電極は、第２図に示す銀パラジウム合金とガラスとか
らなる組成材料の端子電極５のものが一般的である。こ
のコンデンサ１１は基板へ実装する際のはんだ付けで端
子電極５が溶融はんだ中に溶解し、素子４が露出してし
まうことがある。
【０００５】第３図のコンデンサ１２は、第２層にニッ
ケルめっき層６を設け、この対策を行ったものである
が、ニッケルめっきを行う際のめっき液が残留し、稼働
中に絶縁抵抗が低下してしまう欠点があり、高耐圧品に
は適用できない。
ケルめっき層６を設け、この対策を行ったものである
が、ニッケルめっきを行う際のめっき液が残留し、稼働
中に絶縁抵抗が低下してしまう欠点があり、高耐圧品に
は適用できない。
【０００６】第４図のコンデンサ１３は、第１層電極層
８に銅又は銅合金の球状粉と有機接着剤とからなる材料
を用いたことにより、はんだくわれがなく、耐湿性や絶
縁抵抗の低下には問題ない。しかし、有機接着剤を用い
ているために焼付温度が２００℃以下と低く、従来の電
極（ガラス）が８００℃で焼付けていた場合と異なり、
内部電極２と端子電極８が相互に拡散して、完全に合金
を形成して接続することなく、更に球状の銅又は銅合金
と薄い層状の内部電極２に接触する構造が点接触となっ
ているので、内部電極２の層数が少ない小容量品になる
程tan δや容量不良が増大する傾向があった。
８に銅又は銅合金の球状粉と有機接着剤とからなる材料
を用いたことにより、はんだくわれがなく、耐湿性や絶
縁抵抗の低下には問題ない。しかし、有機接着剤を用い
ているために焼付温度が２００℃以下と低く、従来の電
極（ガラス）が８００℃で焼付けていた場合と異なり、
内部電極２と端子電極８が相互に拡散して、完全に合金
を形成して接続することなく、更に球状の銅又は銅合金
と薄い層状の内部電極２に接触する構造が点接触となっ
ているので、内部電極２の層数が少ない小容量品になる
程tan δや容量不良が増大する傾向があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、積層セラミッ
クコンデンサの端子構造を改良するもので、銀又は銀パ
ラジウム合金とガラスとからなる第１層の端子電極層５
を形成し、次にこの第１層の電極層５の上に銅粉又は銅
合金粉と有機接着剤とからなる第２層の端子電極層８を
設け、さらにこの第２層の電極層８の上にはんだ層９の
第３の端子電極層９を形成してなる積層セラミックコン
デンサ１０を提供する。
クコンデンサの端子構造を改良するもので、銀又は銀パ
ラジウム合金とガラスとからなる第１層の端子電極層５
を形成し、次にこの第１層の電極層５の上に銅粉又は銅
合金粉と有機接着剤とからなる第２層の端子電極層８を
設け、さらにこの第２層の電極層８の上にはんだ層９の
第３の端子電極層９を形成してなる積層セラミックコン
デンサ１０を提供する。
【０００８】
【作用】本発明のコンデンサは、端子電極の第１層に銀
又は銀パラジウムとガラスからなる層５を約８００℃の
高温で焼付けるため内部電極２との相互拡散が十分に行
われ、完全な合金を形成して接続される。これらの接触
が線接触としてなされるので接触が確実に行われる。こ
の上に第２層として銅又は銅合金粉と有機接着剤とから
なる層を形成することによりｔａｎ δ不良及び容量不
良の発生を防止できる。
又は銀パラジウムとガラスからなる層５を約８００℃の
高温で焼付けるため内部電極２との相互拡散が十分に行
われ、完全な合金を形成して接続される。これらの接触
が線接触としてなされるので接触が確実に行われる。こ
の上に第２層として銅又は銅合金粉と有機接着剤とから
なる層を形成することによりｔａｎ δ不良及び容量不
良の発生を防止できる。
【０００９】
【実施例】本発明の積層セラミックコンデンサ１０の実
施例を第１図に基づき説明する。チタン酸バリウム系の
強誘電セラミックからなる厚さ３０μｍのグリーンシー
ト１の表面に銀パラジウムに有機バインダが添加された
ペースト状インクを用い１〜３μｍ厚さの内部電極２を
形成して誘電体シート３を製作する。この誘電体シート
３の内部電極２が交互に相対向する端縁部に位置するよ
う誘電体シート３を所望される容量相当分積層する。こ
の後焼成して一体化することによりコンデンサ素子４が
製作される。
施例を第１図に基づき説明する。チタン酸バリウム系の
強誘電セラミックからなる厚さ３０μｍのグリーンシー
ト１の表面に銀パラジウムに有機バインダが添加された
ペースト状インクを用い１〜３μｍ厚さの内部電極２を
形成して誘電体シート３を製作する。この誘電体シート
３の内部電極２が交互に相対向する端縁部に位置するよ
う誘電体シート３を所望される容量相当分積層する。こ
の後焼成して一体化することによりコンデンサ素子４が
製作される。
【００１０】このコンデンサ素子４の両端部に端子電極
を形成する。端子電極の第１層として銀パラジウム合金
とガラスとからなるものを塗布し８００℃で焼付けし第
１層の端子電極層５を設ける。この第１層の上に平均粒
径が１０μｍの銀被覆銅粉とフェノール樹脂系接着剤と
からなるものを塗布し２００℃で焼付け第２の端子電極
層８を形成する。さらに第２層の上に溶融はんだめっき
により第３層の端子電極９を形成しコンデンサ１０をう
る。
を形成する。端子電極の第１層として銀パラジウム合金
とガラスとからなるものを塗布し８００℃で焼付けし第
１層の端子電極層５を設ける。この第１層の上に平均粒
径が１０μｍの銀被覆銅粉とフェノール樹脂系接着剤と
からなるものを塗布し２００℃で焼付け第２の端子電極
層８を形成する。さらに第２層の上に溶融はんだめっき
により第３層の端子電極９を形成しコンデンサ１０をう
る。
【００１１】表１は定格電圧６３０ＶＤＣの積層セラミ
ックコンデンサの容量単位に、ｔａｎ δの不良率を従
来例（第４図）と本発明の実施例のものと対比して示す
ものである。従来例のものは容量が小さくなるほど、ｔ
ａｎ δの不良率が大きくなっているのに対し、本発明
の実施例品は容量に左右されずｔａｎ δが低い値で安
定化していることがわかる。
ックコンデンサの容量単位に、ｔａｎ δの不良率を従
来例（第４図）と本発明の実施例のものと対比して示す
ものである。従来例のものは容量が小さくなるほど、ｔ
ａｎ δの不良率が大きくなっているのに対し、本発明
の実施例品は容量に左右されずｔａｎ δが低い値で安
定化していることがわかる。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【発明の効果】本発明のコンデンサは、第１層の端子電
極層５に銀パラジウム合金とガラスとからなる層を８０
０℃の高温と焼付け形成しているため、内部電極２と端
子電極５とが相互拡散し完全に合金を形成して接続され
る。この上に銅合金粉と有機接着剤とからなる第２層の
端子電極層８を形成することによりコンデンサ１０とし
てのｔａｎ δ及び容量不良を解消することができる。
極層５に銀パラジウム合金とガラスとからなる層を８０
０℃の高温と焼付け形成しているため、内部電極２と端
子電極５とが相互拡散し完全に合金を形成して接続され
る。この上に銅合金粉と有機接着剤とからなる第２層の
端子電極層８を形成することによりコンデンサ１０とし
てのｔａｎ δ及び容量不良を解消することができる。
【００１４】
【図１】本発明の実施例を示す断面図。
【図２】従来のコンデンサの断面図。
【図３】従来のコンデンサの断面図。
【図４】従来のコンデンサの断面図。
２…内部電極、 ３…誘電体シート、 ４…素子、 ５
…第１層の端子電極層、８…第２層の端子電極層、 ９
…第３層の端子電極層、 １０…コンデンサ。
…第１層の端子電極層、８…第２層の端子電極層、 ９
…第３層の端子電極層、 １０…コンデンサ。
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック誘電体に内部電極を形成する
誘電体シートからなり、この誘電体シートの両端部から
内部電極が導出するよう複数積層してなる積層セラミッ
クコンデンサに対し、このコンデンサ素子の端子電極と
して、銀又は銀パラジウム合金とガラスとからなる第１
層の端子電極を形成し、この第１層の上に銅粉又は銅合
金粉と有機接着剤とからなる第２の端子電極層８を設
け、さらにこの第２層の上にはんだ層の第３の端子電極
層９を形成することを特徴とする積層セラミックコンデ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4057235A JPH0793229B2 (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4057235A JPH0793229B2 (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226180A JPH05226180A (ja) | 1993-09-03 |
| JPH0793229B2 true JPH0793229B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=13049879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4057235A Expired - Fee Related JPH0793229B2 (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793229B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3376970B2 (ja) * | 1999-09-08 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217829B2 (ja) * | 1982-11-11 | 1990-04-23 | Fujitsu Ltd | |
| JPH03266404A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-27 | Hitachi Aic Inc | チップ型セラミックコンデンサ |
| JPH04329616A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Marcon Electron Co Ltd | 積層形電子部品 |
| JPH05144666A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Toshiba Corp | 積層セラミツクコンデンサ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217829U (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-06 |
-
1992
- 1992-02-12 JP JP4057235A patent/JPH0793229B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217829B2 (ja) * | 1982-11-11 | 1990-04-23 | Fujitsu Ltd | |
| JPH03266404A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-27 | Hitachi Aic Inc | チップ型セラミックコンデンサ |
| JPH04329616A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Marcon Electron Co Ltd | 積層形電子部品 |
| JPH05144666A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Toshiba Corp | 積層セラミツクコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05226180A (ja) | 1993-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |