KR102374102B1 - 전자 부품 - Google Patents

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KR102374102B1
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다케히사 다무라
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티디케이가부시기가이샤
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Abstract

전자 부품은, 실장면을 구성하는 주면과, 주면과 인접하는 단부면을 갖고 있는 소체와, 소체에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있다. 외부 전극은, 주면의 일부와 단부면의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있는 도전성 수지층과, 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고 있다. 도전성 수지층은, 단부면 상에 위치해 있는 제1 영역과, 주면 상에 위치해 있는 제2 영역을 포함하고 있다. 제2 영역의 최대 두께는 제1 영역의 최대 두께보다 두껍다.

Description

전자 부품{ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 전자 부품에 관한 것이다.
소체(素體)와, 소체에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있는 전자 부품이 알려져 있다(예를 들어 일본 특허 공개 제2018-157029호 공보 참조). 소체는, 실장면을 구성하는 주면과, 상기 주면과 인접하는 단부면을 갖고 있다. 외부 전극은, 주면의 일부와 단부면의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있는 도전성 수지층과, 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고 있다.
도전성 수지층은 일반적으로, 수지와, 도전성을 갖는 입자를 포함하고 있다. 수지는 수분을 흡수하는 경향이 있다. 전자 부품이 전자 기기에 납땜 실장되는 경우, 수지에 흡수된 수분이 가스화되어 체적 팽창하는 경우가 있다. 이 경우, 도전성 수지층에 응력이 작용하여 도전성 수지층에 균열이 생겨서, 도전성 수지층이 박리될 우려가 있다. 도전성을 갖는 입자는, 예를 들어 금속을 포함한다. 전자 기기는, 예를 들어 회로 기판 또는 전자 부품을 포함한다.
본 발명의 일 양태의 목적은, 도전성 수지층의 박리를 확실히 억제하는 전자 부품을 제공하는 것이다.
일 양태에 따른 전자 부품은, 소체와, 소체에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있다. 소체는, 실장면을 구성하는 주면과, 주면과 인접하는 단부면을 갖고 있다. 외부 전극은, 주면의 일부와 단부면의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있는 도전성 수지층과, 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고 있다. 도전성 수지층은, 단부면 상에 위치해 있는 제1 영역과, 주면 상에 위치해 있는 제2 영역을 포함하고 있다. 제2 영역의 최대 두께는 제1 영역의 최대 두께보다 두껍다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항이 판명되었다.
도전성 수지층을 덮고 있는 도금층은, 도전성 수지층과 밀착되기 쉽기는 하지만 소체와는 밀착되기 어렵다. 따라서 도금층의 단부 에지와 소체 사이에는 간극이 존재한다. 수지에 흡수된 수분이 가스화된 경우에도, 수분으로부터 발생한 가스가 도금층의 단부 에지와 소체 사이의 간극에 이르면, 가스는 간극을 통하여 외부 전극 밖으로 방출된다. 수분으로부터 발생한 가스가 외부 전극 밖으로 방출되므로, 도전성 수지층에 응력이 작용하기 어렵다. 이하, 도금층의 단부 에지와 소체 사이의 간극은 간단히 「간극」이라 칭해진다.
도전성 수지층의 제2 영역은 간극에 가까우므로, 제2 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는 간극에 이르기 쉽다. 제1 영역은 간극으로부터 떨어져 있으므로, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는 간극에 이르기 어렵다. 따라서 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스를 외부 전극 밖으로 방출하기 위해서는, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 확실히 이르는 구성의 실현이 요망된다. 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 확실히 이르는 것이라면, 자연히 제2 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스도 간극에 확실히 이른다.
본 발명자들은, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 이르기까지의 경로에 착안하였다. 이 결과, 본 발명자들은, 제2 영역의 최대 두께가 제1 영역의 최대 두께보다 두꺼운 구성에서는, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 확실히 이른다는 것을 알아내었다. 제2 영역의 최대 두께가 제1 영역의 최대 두께보다 두꺼운 구성에서는, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 제2 영역을 이동하기 쉽다.
따라서 상기 일 양태에서는, 도전성 수지층(제1 영역)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는 간극에 확실히 이른다. 간극에 이른 가스는 외부 전극 밖으로 방출되어, 도전성 수지층에 응력이 작용하기 어렵다. 이 결과, 상기 일 양태는 도전성 수지층의 박리를 확실히 억제한다.
상기 일 양태에서는, 도전성 수지층은, 단부면과 주면 사이의 능선부 상에 위치해 있는 제3 영역을 포함하고 있어도 된다. 제3 영역의 최소 두께가 제1 영역의 최대 두께보다 얇아도 된다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항도 판명되었다.
간극은, 도전성 수지층이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스의 출구임과 함께, 외부 전극 내로의 수분의 입구이다. 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 이르기까지의 경로는, 수분이 제1 영역에 이르는 경로로 될 우려가 있다. 수분이 제1 영역에 이르면, 수분은 제1 영역에 흡수된다. 이 경우, 가스의 발생량이 증가할 우려가 있다. 따라서 수분이 제1 영역에 흡수되는 것을 억제하기 위해서는, 수분이 제1 영역에 이르기 어려운 구성의 실현이 요망된다.
본 발명자들은, 제3 영역의 최소 두께가 제1 영역의 최대 두께보다 얇은 구성에서는 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다는 것을 알아내었다. 제3 영역의 최소 두께가 제1 영역의 최대 두께보다 얇은 구성에서는 수분이 제3 영역을 통과하기 어렵다. 따라서 본 구성은, 도전성 수지층(제1 영역)에 흡수되는 수분의 증가, 및 수분에서 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 본 구성은 도전성 수지층의 박리를 한층 더 확실히 억제한다.
상기 일 양태에서는, 소체는, 주면 및 단부면과 인접하는 측면을 갖고 있어도 된다. 도전성 수지층은, 측면의 일부도 연속하여 덮도록 마련되어 있음과 함께, 측면 상에 위치해 있는 제4 영역을 포함하고 있어도 된다. 제4 영역의 최대 두께가 제1 영역의 최대 두께보다 얇아도 된다.
제4 영역의 최대 두께가 제1 영역의 최대 두께보다 얇은 구성에서는, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 제4 영역을 통과하기 어렵다. 따라서 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는 제2 영역을 통하여 간극에 한층 더 확실히 이른다. 따라서 본 구성은, 가스가 나오는 위치를 제어한다.
제4 영역은 제1 영역보다도 간극에 가까우므로, 제4 영역은, 수분이 제1 영역에 이르는 경로로 될 우려가 있다. 이에 비하여, 제4 영역의 최대 두께가 제1 영역의 최대 두께보다 얇은 구성에서는, 수분이 제4 영역에 침입하는 경우에도 수분이 제4 영역을 통과하기 어렵다. 따라서 본 구성은, 도전성 수지층이 제4 영역을 포함하고 있는 경우에도, 도전성 수지층(제1 영역)에 흡수되는 수분의 증가, 및 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 본 구성은 도전성 수지층의 박리를 한층 더 확실히 억제한다.
상기 일 양태에서는, 주면 및 단부면에 직교하는 단면에 있어서, 제2 영역의 표면은, 주면으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있어도 된다.
본 구성에서는 제2 영역의 두께가 국소적으로 얇아지기 어려우므로, 제2 영역에서의 가스의 이동 경로가, 당해 이동 경로의 도중에서 좁아지기 어렵다. 따라서 본 구성은, 가스가 제2 영역을 이동하는 것을 저해하기 어렵다. 도전성 수지층이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 한층 더 확실히 간극에 이른다. 이 결과, 본 구성은 도전성 수지층의 박리를 한층 더 확실히 억제한다.
상기 일 양태에서는, 주면에 직교하는 방향에서 보아 제2 영역의 단부 에지는 만곡되어 있어도 된다.
본 구성에서는, 제2 영역의 단부 에지가 직선 형상인 구성에 비해 제2 영역의 단부 에지의 길이가 길다. 따라서 본 구성에서는, 가스가 나오는 영역이 커서, 가스가 외부 전극으로부터 한층 더 방출되기 쉽다. 이 결과, 도전성 수지층에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다.
본 발명은, 단지 예시를 위해 제공된 것으로서 그에 따라 본 발명을 한정하는 것으로 간주되지 않는, 이하에 기술된 상세한 설명 및 첨부 도면으로부터 더욱 잘 이해될 것이다.
본 발명의 추가적인 적용 범위는 이하에 기술된 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.　 그러나, 그 상세한 설명 및 특정 실시예들은, 비록 본 발명의 바람직한 구체예를 나타내기는 하지만, 기술 분야에 숙련된 자에게는, 이 상세한 설명으로부터 본 발명의 사상 및 범주 내의 다양한 변경과 수정이 가능함은 명백해질 것이므로, 단지 예시로서 기술된 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 적층 콘덴서의 사시도이다.
도 2는 본 실시 형태에 따른 적층 콘덴서의 측면도이다.
도 3은 본 실시 형태에 따른 적층 콘덴서의 단면 구성을 도시하는 도면이다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 적층 콘덴서의 단면 구성을 도시하는 도면이다.
도 5는 본 실시 형태에 따른 적층 콘덴서의 단면 구성을 도시하는 도면이다.
도 6은 소체, 제1 전극층 및 제2 전극층을 도시하는 평면도이다.
도 7은 소체, 제1 전극층 및 제2 전극층을 도시하는 측면도이다.
도 8은 소체, 제1 전극층 및 제2 전극층을 도시하는 단면도이다.
도 9는 외부 전극의 단면 구성을 도시하는 도면이다.
도 10은, 외부 전극의 단면 구성을 도시하는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세히 설명한다. 또한 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일 부호를 이용하기로 하며, 중복되는 설명은 생략한다.
도 1 내지 도 10을 참조하여 본 실시 형태에 따른 적층 콘덴서 C1의 구성을 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 따른 적층 콘덴서의 사시도이다. 도 2는, 본 실시 형태에 따른 적층 콘덴서의 측면도이다. 도 3, 도 4 및 도 5는, 본 실시 형태에 따른 적층 콘덴서의 단면 구성을 도시하는 도면이다. 도 6은, 소체, 제1 전극층 및 제2 전극층을 도시하는 평면도이다. 도 7은, 소체, 제1 전극층 및 제2 전극층을 도시하는 측면도이다. 도 8은, 소체, 제1 전극층 및 제2 전극층을 도시하는 단면도이다. 도 9 및 도 10은, 외부 전극의 단면 구성을 도시하는 도면이다. 본 실시 형태에서는, 전자 부품은, 예를 들어 적층 콘덴서 C1이다.
적층 콘덴서 C1은 도 1에 도시된 바와 같이, 직육면체 형상을 하고 있는 소체(3)와, 복수의 외부 전극(5)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 적층 콘덴서 C1은 1쌍의 외부 전극(5)을 구비하고 있다. 1쌍의 외부 전극(5)은 소체(3)에 배치되어 있다. 1쌍의 외부 전극(5)은 서로 이격되어 있다. 직육면체 형상은, 코너부 및 능선부가 모따기되어 있는 직육면체의 형상, 및 코너부 및 능선부가 라운딩되어 있는 직육면체의 형상을 포함한다.
소체(3)는, 서로 대향하고 있는 1쌍의 주면(3a, 3b)과, 서로 대향하고 있는 1쌍의 측면(3c)과, 서로 대향하고 있는 1쌍의 단부면(3e)을 갖고 있다. 1쌍의 주면(3a, 3b), 1쌍의 측면(3c), 및 1쌍의 단부면(3e)은 직사각 형상을 하고 있다. 1쌍의 주면(3a, 3b)이 대향하고 있는 방향이 제1 방향 D1이다. 1쌍의 측면(3c)이 대향하고 있는 방향이 제2 방향 D2이다. 1쌍의 단부면(3e)이 대향하고 있는 방향이 제3 방향 D3이다. 적층 콘덴서 C1은 전자 기기에 납땜 실장된다. 전자 기기는, 예를 들어 회로 기판 또는 전자 부품을 포함한다. 적층 콘덴서 C1에서는, 주면(3a)이 전자 기기와 대향한다. 주면(3a)은 실장면을 구성하도록 배치된다. 주면(3a)은 실장면이다.
제1 방향 D1은, 각 주면(3a, 3b)에 직교하는 방향이며, 제2 방향 D2와 직교하고 있다. 제3 방향 D3은, 각 주면(3a, 3b)과 각 측면(3c)에 평행인 방향이며, 제1 방향 D1과 제2 방향 D2에 직교하고 있다. 제2 방향 D2는, 각 측면(3c)에 직교하는 방향이며, 제3 방향 D3은, 각 단부면(3e)에 직교하는 방향이다. 본 실시 형태에서는, 소체(3)의 제2 방향 D2에서의 길이는 소체(3)의 제1 방향 D1에서의 길이보다 길다. 소체(3)의 제3 방향 D3에서의 길이는 소체(3)의 제1 방향 D1에서의 길이보다 길고, 또한 소체(3)의 제2 방향 D2에서의 길이보다 길다. 제3 방향 D3이 소체(3)의 긴 변 방향이다.
소체(3)의 제1 방향 D1에서의 길이는 소체(3)의 높이이다. 소체(3)의 제2 방향 D2에서의 길이는 소체(3)의 폭이다. 소체(3)의 제3 방향 D3에서의 길이는 소체(3)의 길이이다. 본 실시 형태에서는, 소체(3)의 높이는 0.5 내지 2.5㎜이고, 소체(3)의 폭은 0.5 내지 5.0㎜이고, 소체(3)의 길이는 1.0 내지 5.7㎜이다. 예를 들어 소체(3)의 높이는 2.5㎜이고, 소체(3)의 폭은 2.5㎜이고, 소체(3)의 길이는 3.2㎜이다.
1쌍의 측면(3c)은 1쌍의 주면(3a, 3b)을 연결하도록 제1 방향 D1로 연장되어 있다. 1쌍의 측면(3c)은 제3 방향 D3으로도 연장되어 있다. 1쌍의 단부면(3e)은 1쌍의 주면(3a, 3b)을 연결하도록 제1 방향 D1로 연장되어 있다. 1쌍의 단부면(3e)은 제2 방향 D2로도 연장되어 있다.
소체(3)는 1쌍의 능선부(3g)와 1쌍의 능선부(3h)와 네 능선부(3i)와 1쌍의 능선부(3j)와 1쌍의 능선부(3k)를 갖고 있다. 능선부(3g)는 단부면(3e)과 주면(3a) 사이에 위치해 있다. 능선부(3h)는 단부면(3e)과 주면(3b) 사이에 위치해 있다. 능선부(3i)는 단부면(3e)과 측면(3c) 사이에 위치해 있다. 능선부(3j)는 주면(3a)과 측면(3c) 사이에 위치해 있다. 능선부(3k)는 주면(3b)과 측면(3c) 사이에 위치해 있다. 본 실시 형태에서는, 각 능선부(3g, 3h, 3i, 3j, 3k)는 만곡되듯이 라운딩되어 있다. 소체(3)에는 소위 R 모따기 가공이 실시되어 있다.
단부면(3e)과 주면(3a)은 능선부(3g)를 사이에 두고 간접적으로 인접해 있다. 단부면(3e)과 주면(3b)은 능선부(3h)를 사이에 두고 간접적으로 인접해 있다. 단부면(3e)과 측면(3c)은 능선부(3i)를 사이에 두고 간접적으로 인접해 있다. 주면(3a)과 측면(3c)은 능선부(3j)를 사이에 두고 간접적으로 인접해 있다. 주면(3b)과 측면(3c)은 능선부(3k)를 사이에 두고 간접적으로 인접해 있다.
소체(3)는, 제2 방향 D2로 복수의 유전체층이 적층되어 구성되어 있다. 소체(3)는, 적층되어 있는 복수의 유전체층을 갖고 있다. 소체(3)에서는, 복수의 유전체층의 적층 방향이 제2 방향 D2와 일치한다. 각 유전체층은, 예를 들어 유전체 재료를 포함하는 세라믹 그린 시트의 소결체로 구성되어 있다. 유전체 재료는, 예를 들어 BaTiO3계, Ba(Ti,Zr)O3계, 또는 (Ba,Ca)TiO3계 등의 유전체 세라믹을 포함한다. 실제의 소체(3)에서는, 각 유전체층은, 각 유전체층 사이의 경계를 시인할 수 없을 정도로 일체화되어 있다. 소체(3)에서는, 복수의 유전체층의 적층 방향이 제1 방향 D1과 일치하고 있어도 된다.
적층 콘덴서 C1은, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이 복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)을 구비하고 있다. 각 내부 전극(7, 9)은, 소체(3) 내에 배치되어 있는 내부 도체이다. 각 내부 전극(7, 9)은, 적층형 전자 부품의 내부 전극으로서 통상 이용되는 도전성 재료를 포함한다. 도전성 재료는, 예를 들어 비금속(卑金屬)을 포함한다. 도전성 재료는, 예를 들어 Ni 또는 Cu를 포함한다. 내부 전극(7, 9)은, 상기 도전성 재료를 포함하는 도전성 페이스트의 소결체로서 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 내부 전극(7, 9)은 Ni를 포함한다.
내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제2 방향 D2에 있어서 다른 위치(층)에 배치되어 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 소체(3) 내에 있어서, 제2 방향 D2로 간격을 갖고 대향하도록 교대로 배치되어 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은 서로 극성이 다르다. 복수의 유전체층의 적층 방향이 제1 방향 D1인 경우, 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제1 방향 D1에 있어서 다른 위치(층)에 배치된다. 내부 전극(7, 9)의 일 단부는, 대응하는 단부면(3e)에 노출되어 있다. 내부 전극(7, 9)은, 대응하는 단부면(3e)에 노출되어 있는 일 단부를 갖고 있다.
복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)은 제2 방향 D2로 교대로 나열~되어 있다. 각 내부 전극(7, 9)은, 측면(3c)과 대략 평행인 면 내에 위치해 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은 제2 방향 D2로 서로 대향하고 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)이 대향하고 있는 방향(제2 방향 D2)은, 측면(3c)과 평행인 방향(제1 방향 D1 및 제3 방향 D3)과 직교하고 있다. 복수의 유전체층의 적층 방향이 제1 방향 D1인 경우, 복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)은 제1 방향 D1로 교대로 나열된다. 이 경우, 각 내부 전극(7, 9)은, 각 주면(3a, 3b)과 대략 평행인 면 내에 위치한다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은 제1 방향 D1로 서로 대향한다.
외부 전극(5)은, 도 1에 도시된 바와 같이 소체(3)의 제3 방향 D3에서의 양 단부에 각각 배치되어 있다. 각 외부 전극(5)은, 소체(3)에 있어서의, 대응하는 단부면(3e)측에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은 적어도 서로 인접하는 주면(3a)과 단부면(3e)에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이 복수의 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)를 갖고 있다. 전극부(5a)는 주면(3a) 상 및 능선부(3g) 상에 배치되어 있다. 전극부(5b)는 능선부(3h) 상에 배치되어 있다. 각 전극부(5c)는 측면(3c) 상 및 능선부(3i) 상에 배치되어 있다. 전극부(5e)는 단부면(3e) 상에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은, 능선부(3j) 상에 배치되어 있는 전극부도 갖고 있다. 외부 전극(5)은 적어도 단부면(3e)에 배치되어 있다.
외부 전극(5)은 하나의 주면(3a), 하나의 단부면(3e), 및 1쌍의 측면(3c)의 네 면, 그리고 능선부(3g, 3h, 3i, 3j)에 형성되어 있다. 서로 인접하는 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)는 접속되어 있으며, 전기적으로 접속되어 있다. 전극부(5e)는, 대응하는 내부 전극(7, 9)의 일 단부를 전부 덮고 있다. 전극부(5e)는, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 직접적으로 접속되어 있다. 외부 전극(5)은, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 전기적으로 접속되어 있다. 외부 전극(5)은, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이 제1 전극층 E1, 제2 전극층 E2, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다. 제4 전극층 E4는 외부 전극(5)의 최외층을 구성하고 있다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)은 제1 전극층 E1, 제2 전극층 E2, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다. 전극부(5b)는 제1 전극층 E1, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다.
전극부(5a)의 제1 전극층 E1은 능선부(3g) 상에 배치되어 있으며 주면(3a) 상에는 배치되어 있지 않다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은 주면(3a)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은 능선부(3g)의 전체와 접해 있다. 주면(3a)은 제1 전극층 E1에 덮여 있지 않으며 제1 전극층 E1로부터 노출되어 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은 주면(3a) 상에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은 주면(3a)의 일부와 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은 주면(3a)의 일부와도 접한다. 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다.
전극부(5a)의 제2 전극층 E2는 제1 전극층 E1 상 및 주면(3a) 상에 배치되어 있다. 전극부(5a)에서는, 제2 전극층 E2는 제1 전극층 E1의 전체를 덮고 있다. 전극부(5a)에서는, 제2 전극층 E2는 제1 전극층 E1의 전체와 접해 있다. 제2 전극층 E2는 주면(3a)의 일부와 접해 있다. 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 주면(3a) 상에 위치해 있는 영역 E2a를 갖는다. 전극부(5a)는, 능선부(3g) 상에서는 4층 구조를 갖고 있고 주면(3a) 상에서는 3층 구조를 갖고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는 능선부(3g)의 전체와 주면(3a)의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 상술한 바와 같이 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다.
전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 소체(3) 사이에 위치하도록 능선부(3g)의 전체와 주면(3a)의 일부를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는 주면(3a)의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 능선부(3g)에 형성되어 있는 제1 전극층 E1의 전체를 직접 덮고 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1이 주면(3a) 상에 배치되어 있는 경우, 전극부(5a)는 주면(3a) 및 능선부(3g) 상에서 4층 구조를 갖는다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1이 주면(3a) 상에 배치되어 있는 경우, 제2 전극층 E2의 영역 E2a는, 주면(3a)과 접해 있는 부분과 제1 전극층 E1과 접해 있는 부분을 포함한다.
전극부(5b)의 제1 전극층 E1은 능선부(3h) 상에 배치되어 있으며 주면(3b) 상에는 배치되어 있지 않다. 전극부(5b)의 제1 전극층 E1은 능선부(3h)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은 주면(3b)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5b)의 제1 전극층 E1은 능선부(3h)의 전체와 접해 있다. 주면(3b)은 제1 전극층 E1에 덮여 있지 않으며 제1 전극층 E1로부터 노출되어 있다. 전극부(5b)의 제1 전극층 E1은 주면(3b) 상에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 전극부(5b)의 제1 전극층 E1은 주면(3b)의 일부와 능선부(3h)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 전극부(5b)의 제1 전극층 E1은 주면(3b)의 일부와도 접한다. 주면(3b)의 일부는, 예를 들어 주면(3b)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다. 전극부(5b)는 제2 전극층 E2를 갖고 있지 않다. 주면(3b)은 제2 전극층 E2에 덮여 있지 않으며 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있다. 제2 전극층 E2는 주면(3b)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5b)는 3층 구조를 갖고 있다.
전극부(5c)의 제1 전극층 E1은 능선부(3i) 상에 배치되어 있으며 측면(3c) 상에는 배치되어 있지 않다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은 능선부(3i)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은 측면(3c)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은 능선부(3i)의 전체와 접해 있다. 측면(3c)은 제1 전극층 E1에 덮여 있지 않으며 제1 전극층 E1로부터 노출되어 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은 측면(3c) 상에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은 측면(3c)의 일부와 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은 측면(3c)의 일부와도 접한다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다.
전극부(5c)의 제2 전극층 E2는 제1 전극층 E1 상 및 측면(3c) 상에 배치되어 있다. 제1 전극층 E1의 일부가 제2 전극층 E2로 덮여 있다. 전극부(5c)에서는, 제2 전극층 E2는 측면(3c)의 일부와 제1 전극층 E1의 일부에 접해 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 측면(3c) 상에 위치해 있는 영역 E2c를 갖는다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는 능선부(3i)의 일부와 측면(3c)의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 능선부(3i)의 일부는, 예를 들어 능선부(3i)에 있어서의 주면(3a) 근방의 일부 영역이다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 주면(3a) 및 단부면(3e) 근방의 코너 영역이다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 소체(3) 사이에 위치하도록 능선부(3i)의 일부를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는 측면(3c)의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1에 있어서의 능선부(3i)에 형성되어 있는 부분의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1이 측면(3c) 상에 배치되어 있는 경우, 제2 전극층 E2의 영역 E2c는, 측면(3c)과 접해 있는 부분과 제1 전극층 E1에 접해 있는 부분을 포함한다.
전극부(5c)는 복수의 영역(5c1, 5c2)을 갖고 있다. 본 실시 형태에서는, 전극부(5c)는 두 영역(5c1, 5c2)만을 갖고 있다. 영역(5c2)은 영역(5c1)보다도 주면(3a) 근방에 위치해 있다. 영역(5c1)은 제1 전극층 E1, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다. 영역(5c1)은 제2 전극층 E2를 갖고 있지 않다. 영역(5c1)은 3층 구조를 갖고 있다. 영역(5c2)은 제1 전극층 E1, 제2 전극층 E2, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다. 영역(5c2)은, 능선부(3i) 상에서는 4층 구조를 갖고 있고 측면(3c) 상에서는 3층 구조를 갖고 있다. 영역(5c1)은, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있는 영역이다. 영역(5c2)은, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로 덮여 있는 영역이다. 영역(5c2)이 영역 E2c를 갖고 있다.
전극부(5e)의 제1 전극층 E1은 단부면(3e) 상에 배치되어 있다. 단부면(3e)의 전체가 제1 전극층 E1에 덮여 있다. 전극부(5e)의 제1 전극층 E1은 단부면(3e)의 전체와 접해 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는 제1 전극층 E1 상에 배치되어 있다. 제1 전극층 E1의 일부가 제2 전극층 E2로 덮여 있다. 전극부(5e)에서는, 제2 전극층 E2는 제1 전극층 E1의 일부와 접해 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 단부면(3e) 상에 위치해 있는 영역 E2e를 갖는다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는 단부면(3e)의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 단부면(3e)의 일부는, 예를 들어 단부면(3e)에 있어서의 주면(3a) 근방의 일부 영역이다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 소체(3) 사이에 위치하도록 단부면(3e)의 일부를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1에 있어서의 단부면(3e)에 형성되어 있는 부분의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5e)에서는, 제1 전극층 E1은, 대응하는 내부 전극(7, 9)의 일 단부와 접속되도록 단부면(3e)에 형성되어 있다.
전극부(5e)는 복수의 영역(5e1, 5e2)을 갖고 있다. 본 실시 형태에서는, 전극부(5e)는 두 영역(5e1, 5e2)만을 갖고 있다. 영역(5e2)은 영역(5e1)보다도 주면(3a) 근방에 위치해 있다. 영역(5e1)은 제1 전극층 E1, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다. 영역(5e1)은 제2 전극층 E2를 갖고 있지 않다. 영역(5e1)은 3층 구조를 갖고 있다. 영역(5e2)은 제1 전극층 E1, 제2 전극층 E2, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다. 전극부(5e)에서는, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4는, 제3 방향 D3에서 보아 단부면(3e)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4는 단부면(3e)의 전체를 간접적으로 덮고 있다. 영역(5e2)은 4층 구조를 갖고 있다. 영역(5e1)은, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있는 영역이다. 영역(5e2)은, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로 덮여 있는 영역이다. 영역(5e2)이 영역 E2e를 갖고 있다.
제1 전극층 E1은, 소체(3)의 표면에 부여된 도전성 페이스트를 베이킹함으로써 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은 단부면(3e) 및 능선부(3g, 3h, 3i)를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 도전성 페이스트에 포함되는 금속 성분(금속 분말)이 소결됨으로써 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은 소결 금속층이다. 제1 전극층 E1은, 소체(3)에 형성된 소결 금속층이다. 제1 전극층 E1은 1쌍의 주면(3a, 3b) 및 1쌍의 측면(3c)에 의도적으로 형성되어 있지 않다. 예를 들어 제조 오차 등에 의하여 제1 전극층 E1이 의도치 않게 주면(3a, 3b) 및 측면(3c)에 형성되어 있어도 된다. 본 실시 형태에서는, 제1 전극층 E1은, Cu를 포함하는 소결 금속층이다. 제1 전극층 E1은, Ni를 포함하는 소결 금속층이어도 된다. 제1 전극층 E1은 비(卑)금속을 포함하고 있다. 도전성 페이스트는, 예를 들어 Cu 또는 Ni를 포함하는 분말, 유리 성분, 유기 바인더 및 유기 용제를 포함하고 있다. 각 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)가 갖고 있는 제1 전극층 E1은 일체적으로 형성되어 있다.
제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상, 주면(3a) 상, 및 1쌍의 측면(3c) 상에 부여된 도전성 수지를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 제2 전극층 E2는 제1 전극층 E1 상과 소체(3) 상에 걸쳐 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 제2 전극층 E2를 형성하기 위한 하지 금속층이다. 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1을 덮는 도전성 수지층이다. 도전성 수지는, 예를 들어 수지, 도전성 재료 및 유기 용매를 포함하고 있다. 수지는, 예를 들어 열경화성 수지이다. 도전성 재료는, 예를 들어 금속 분말이다. 금속 분말은, 예를 들어 Ag 분말 또는 Cu 분말이다. 열경화성 수지는, 예를 들어 페놀 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 또는 폴리이미드 수지이다.
본 실시 형태에서는, 제2 전극층 E2는 제1 전극층 E1의 일부를 덮고 있다. 제1 전극층 E1의 일부는, 예를 들어 제1 전극층 E1에 있어서의, 전극부(5a), 전극부(5c)의 영역(5c2), 및 전극부(5e)의 영역(5e2)에 대응하는 영역이다. 제2 전극층 E2는 능선부(3j)의 일부를 직접 덮고 있다. 능선부(3j)의 일부는, 예를 들어 능선부(3j)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다. 제2 전극층 E2는 능선부(3j)의 일부와 접해 있다. 각 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)가 갖고 있는 제2 전극층 E2는 일체적으로 형성되어 있다.
제3 전극층 E3은 제2 전극층 E2 상에 도금법에 의하여 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제3 전극층 E3은 제2 전극층 E2 상에 Ni 도금에 의하여 형성되어 있다. 제3 전극층 E3은 Ni 도금층이다. 제3 전극층 E3은 Sn 도금층, Cu 도금층, 또는 Au 도금층이어도 된다. 제3 전극층 E3은 Ni, Sn, Cu, 또는 Au를 포함하고 있다. Ni 도금층은, 제2 전극층 E2에 포함되는 금속보다도 내땜납 침출성(solder leach resistance)이 우수하다.
제4 전극층 E4는 제3 전극층 E3 상에 도금법에 의하여 형성되어 있다. 제4 전극층 E4는 땜납 도금층이다. 본 실시 형태에서는, 제4 전극층 E4는 제3 전극층 E3 상에 Sn 도금에 의하여 형성되어 있다. 제4 전극층 E4는 Sn 도금층이다. 제4 전극층 E4는 Sn-Ag 합금 도금층, Sn-Bi 합금 도금층, 또는 Sn-Cu 합금 도금층이어도 된다. 제4 전극층 E4는 Sn, Sn-Ag 합금, Sn-Bi 합금, 또는 Sn-Cu 합금을 포함하고 있다.
제3 전극층 E3과 제4 전극층 E4은, 제2 전극층 E2에 형성되는 도금층 PL을 구성하고 있다. 본 실시 형태에서는, 제2 전극층 E2에 형성되는 도금층 PL은 2층 구조를 갖고 있다. 제3 전극층 E3은, 최외층을 구성하는 제4 전극층 E4와, 제2 전극층 E2 사이에 위치해 있는 중간 도금층이다. 각 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)가 갖고 있는 제3 전극층 E3은 일체적으로 형성되어 있다. 각 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)가 갖고 있는 제4 전극층 E4는 일체적으로 형성되어 있다.
제1 전극층 E1(전극부(5e)의 제1 전극층 E1)은, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 접속되도록 단부면(3e)에 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은 단부면(3e)의 전체, 능선부(3g)의 전체, 능선부(3h)의 전체, 및 능선부(3i)의 전체를 덮고 있다. 제2 전극층 E2(전극부(5a, 5c, 5e)의 제2 전극층 E2)은 주면(3a)의 일부, 단부면(3e)의 일부, 및 1쌍의 측면(3c)의 각 일부를 연속하여 덮고 있다. 제2 전극층 E2(전극부(5a, 5c, 5e)의 제2 전극층 E2)은 능선부(3g)의 전체, 능선부(3i)의 일부, 및 능선부(3j)의 일부를 덮고 있다. 제2 전극층 E2는 주면(3a)의 일부, 단부면(3e)의 일부, 1쌍의 측면(3c)의 각 일부, 능선부(3g)의 전체, 능선부(3i)의 일부, 및 능선부(3j)의 일부에 각각 대응하는 복수의 부분을 갖고 있다. 제1 전극층 E1(전극부(5e)의 제1 전극층 E1)은, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 직접적으로 접속되어 있다.
제1 전극층 E1(전극부(5a, 5b, 5c, 5e)의 제1 전극층 E1)은, 제2 전극층 E2(전극부(5a, 5c, 5e)의 제2 전극층 E2)로 덮여 있는 영역과, 제2 전극층 E2(전극부(5a, 5c, 5e)의 제2 전극층 E2)로 덮여 있지 않은 영역을 갖고 있다. 제2 전극층 E2로 덮여 있지 않은 영역은, 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있는 영역이다. 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4는, 제1 전극층 E1의 제2 전극층 E2로 덮여 있지 않은 영역과, 제2 전극층 E2를 덮고 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 방향 D1에서 보았을 때, 제1 전극층 E1(전극부(5a)의 제1 전극층 E1)의 전체가 제2 전극층 E2로 덮여 있다. 제1 방향 D1에서 보았을 때, 제1 전극층 E1(전극부(5a)의 제1 전극층 E1)은 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있지 않다.
도 7에 도시되어 있는 바와 같이, 제2 방향 D2에서 보았을 때, 제1 전극층 E1의 주면(3a) 근방의 단부 영역이 제2 전극층 E2로 덮여 있다. 제1 전극층 E1의 주면(3a) 근방의 단부 영역은, 영역(5c2)이 갖는 제1 전극층 E1을 포함하고 있다. 제2 방향 D2에서 보았을 때, 제2 전극층 E2의 단부 에지 Ee2가 제1 전극층 E1의 단부 에지 Ee1과 교차하고 있다. 제2 방향 D2에서 보았을 때, 제1 전극층 E1의 주면(3b) 근방의 단부 영역은 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있다. 제1 전극층 E1의 주면(3b) 근방의 단부 영역은, 영역(5c1)이 갖는 제1 전극층 E1을 포함하고 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제3 방향 D3에서 보았을 때, 제1 전극층 E1의 주면(3a) 근방의 단부 영역이 제2 전극층 E2로 덮여 있다. 제1 전극층 E1의 주면(3a) 근방의 단부 영역은, 영역(5e2)이 갖는 제1 전극층 E1을 포함하고 있다. 제3 방향 D3에서 보았을 때, 제2 전극층 E2의 단부 에지 Ee2가 제1 전극층 E1 상에 위치해 있다. 제3 방향 D3에서 보았을 때, 제1 전극층 E1의 주면(3b) 근방의 단부 영역은 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있다. 제1 전극층 E1의 주면(3b) 근방의 단부 영역은, 영역(5e1)이 갖는 제1 전극층 E1을 포함하고 있다.
적층 콘덴서 C1에서는, 제2 전극층 E2는 주면(3a)의 일부만, 단부면(3e)의 일부만, 및 1쌍의 측면(3c)의 각 일부만을 연속하여 덮고 있다. 제2 전극층 E2는 능선부(3g)의 전체, 능선부(3i)의 일부만, 및 능선부(3j)의 일부만을 덮고 있다. 제1 전극층 E1의, 능선부(3i)를 덮고 있는 부분의 일부는 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있다. 예를 들어 영역(5c1)이 갖는 제1 전극층 E1은 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제2 전극층 E2는 주면(3a)의 일부와 단부면(3e)의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있다. 제2 전극층 E2는, 단부면(3e) 상에 위치해 있는 영역 E2e와, 주면(3a) 상에 위치해 있는 영역 E2a와, 능선부(3g) 상에 위치해 있는 영역 E2g를 포함하고 있다. 영역 E2e는, 전극부(5e)의 영역(5e2)이 갖고 있는 제2 전극층 E2이다. 영역 E2a 및 영역 E2g는, 전극부(5a)가 갖고 있는 제2 전극층 E2이다. 영역 E2a의 최대 두께 T2a는 영역 E2e의 최대 두께 T2e보다 두껍다. 영역 E2g의 최소 두께 T2g는 최대 두께 T2e보다 얇다. 예를 들어 영역 E2e가 제1 영역을 구성하는 경우, 영역 E2a가 제2 영역을 구성함과 함께 영역 E2g가 제3 영역을 구성한다.
최대 두께 T2a, 최대 두께 T2e 및 최소 두께 T2g는, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
전극부(5a, 5e)의 제2 전극층 E2를 포함하는 적층 콘덴서 C1의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 1쌍의 측면(3c)에 평행이고, 또한 1쌍의 측면(3c)으로부터 등거리에 위치해 있는 평면으로 적층 콘덴서 C1을 절단하였을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득된 단면 사진 상에서의, 제2 전극층 E2의 각 두께 T2a, T2e, T2g가 산출된다. 최대 두께 T2e는, 제3 방향 D3에서의 영역 E2e의 두께의 최댓값이다. 최대 두께 T2a는, 제1 방향 D1에서의 영역 E2a의 두께의 최댓값이다. 최소 두께 T2g는 영역 E2g의 두께의 최솟값이다. 영역 E2g의 두께는, 예를 들어 능선부(3g)의 법선 방향에서의 두께이다.
본 실시 형태에서는, 최대 두께 T2a는 10 내지 200㎛이고, 최대 두께 T2e는 5 내지 150㎛이고, 최소 두께 T2g는 5 내지 100㎛이다. 예를 들어 최대 두께 T2a는 86㎛이고, 최대 두께 T2e는 80㎛이고, 최소 두께 T2g는 32㎛이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E2a의 표면은, 주면(3a)으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다. 영역 E2a의 두께는, 영역 E2a의 최대 두께 위치로부터 영역 E2a의 단부 에지를 향하여 점차 얇아지게 되어 있다. 본 실시 형태에서는, 영역 E2a의 두께의 변화에 기인하여 영역 E2a의 표면은 만곡되어 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 방향 D1에서 보아 영역 E2a(제2 전극층 E2)의 단부 에지 Ee2는 만곡되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 방향 D1에서 보아 제3 방향 D3에서의 영역 E2a의 길이는, 제2 방향 D2에서의 단부보다 제2 방향 D2에서의 중앙에서 길게 되어 있다. 제3 방향 D3에서의 영역 E2a의 길이는, 제2 방향 D2에서의 중앙에서 가장 길고, 제2 방향 D2로 단부를 향함에 따라 점차 짧아지게 되어 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제2 전극층 E2는 측면(3c)의 일부도 연속하여 덮도록 마련되어 있다. 제2 전극층 E2는 주면(3a)의 일부와 단부면(3e)의 일부와 측면(3c)의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있다. 제2 전극층 E2는, 상술한 바와 같이 주면(3a), 단부면(3e) 및 측면(3c)의 각 일부만을 연속하여 덮도록 마련되어 있다. 제2 전극층 E2는 능선부(3g)의 전체와 능선부(3j, 3i)의 각 일부를 덮고 있다. 제2 전극층 E2는, 측면(3c) 상에 위치해 있는 영역 E2c와, 능선부(3i) 상에 위치해 있는 영역 E2i를 포함하고 있다. 영역 E2c 및 영역 E2i는, 영역(5c2)이 갖고 있는 제2 전극층 E2이다. 영역 E2c의 최대 두께 T2c는 최대 두께 T2e보다 얇다. 영역 E2i의 최소 두께 T2i는 최대 두께 T2e보다 얇다. 최대 두께 T2c와 최소 두께 T2i는 대략 동등해도 된다. 예를 들어 영역 E2c가 제4 영역을 구성한다.
최대 두께 T2c 및 최소 두께 T2i는, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
전극부(5c)의 제2 전극층 E2를 포함하는 적층 콘덴서 C1의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 1쌍의 주면(3a)에 평행이고, 또한 전극부(5c)를 통과하는 평면으로 적층 콘덴서 C1을 절단하였을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 상기 평면은, 예를 들어 측면(3c)과 능선부(3j)의 경계를 통과한다. 취득된 단면 사진 상에서의, 제2 전극층 E2의 각 두께 T2c, T2i가 산출된다. 최대 두께 T2c는, 제2 방향 D2에서의 영역 E2c의 두께의 최댓값이다. 최소 두께 T2i는 영역 E2i의 두께의 최솟값이다. 영역 E2i의 두께는, 예를 들어 능선부(3i)의 법선 방향에서의 두께이다.
본 실시 형태에서는, 최대 두께 T2c는 10 내지 70㎛이고, 최소 두께 T2i는 5 내지 40㎛이다. 예를 들어 최대 두께 T2c는 40㎛이고 최소 두께 T2i는 20㎛이다.
도금층 PL은, 상술한 바와 같이 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 포함하고 있다. 도금층 PL은, 영역 E2a 상에 위치해 있는 부분 PL1과, 영역 E2e 상에 위치해 있는 부분 PL2와, 영역 E2c 상에 위치해 있는 부분 PL3을 갖고 있다. 부분 PL1은 단부 에지 PL1e를 갖고 있다. 부분 PL3은 단부 에지 PL3e를 갖고 있다. 도금층 PL(제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4)은 소체(3)로부터 떨어져 있다. 도 9에 도시된 바와 같이 단부 에지 PL1e와 소체(3)(주면(3a)) 사이에는 간극(17)이 존재하고 있다. 도 10에 도시된 바와 같이 단부 에지 PL3e와 소체(3)(측면(3c)) 사이에는 간극(19)이 존재하고 있다. 간극(17, 19)의 폭은, 예를 들어 0보다 넓고 3㎛ 이하이다. 간극(17)의 폭과 간극(19)의 폭은 동일해도 된다. 간극(17)의 폭과 간극(19)의 폭은 달라도 된다. 본 실시 형태에서는, 단부면(3e)의 전체가 외부 전극(5)으로 덮여 있으므로 부분 PL2는 단부 에지를 갖고 있지 않다. 부분 PL2와 소체(3) 사이에는 제1 전극층 E1 및 제2 전극층 E2가 위치해 있다. 따라서 부분 PL2와 소체(3) 사이에는 간극이 존재하지 않는다.
도금층 PL의 부분 PL1은 제2 전극층 E2의 영역 E2a와 밀착되기 쉽기는 하지만 주면(3a)과는 밀착되기 어렵다. 따라서 부분 PL1의 단부 에지 PL1e와 주면(3a) 사이에는 간극(17)이 존재한다. 수지에 흡수된 수분이 가스화된 경우에도, 수분으로부터 발생한 가스가 간극(17)에 이르면, 가스는 간극(17)을 통하여 외부 전극(5) 밖으로 방출된다. 수분으로부터 발생한 가스가 외부 전극(5) 밖으로 방출되므로, 제2 전극층 E2에 응력이 작용하기 어렵다.
영역 E2a는 간극(17)에 가까우므로, 영역 E2a가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는 간극(17)에 이르기 쉽다. 그러나 영역 E2e는 간극(17)으로부터 떨어져 있으므로, 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는 간극(17)에 이르기 어렵다.
영역 E2a의 최대 두께 T2a가 영역 E2e의 최대 두께 T2e보다 두꺼운 구성에서는, 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극(17)에 확실히 이른다. 최대 두께 T2a가 최대 두께 T2e보다 두꺼운 구성에서는, 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 영역 E2a를 이동하기 쉽다.
적층 콘덴서 C1에서는 최대 두께 T2a가 최대 두께 T2e보다 두꺼우므로, 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는 간극(17)에 확실히 이른다. 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극(17)에 확실히 이르는 것이라면, 자연히 영역 E2a가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스도 간극(17)에 확실히 이른다. 간극(17)에 이른 가스는 외부 전극(5) 밖으로 방출되어, 제2 전극층 E2에 응력이 작용하기 어렵다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은 제2 전극층 E2의 박리를 확실히 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는 영역 E2g의 최소 두께 T2g가 최대 두께 T2e보다 얇다.
간극(17)은, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스의 출구이면서, 외부 전극(5) 내로의 수분의 입구이다. 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극(17)에 이르기까지의 경로는, 수분이 영역 E2e에 이르는 경로로 될 우려가 있다. 수분이 영역 E2e에 이르면, 수분은 영역 E2e에 흡수된다. 이 경우, 가스의 발생량이 증가할 우려가 있다.
영역 E2g의 최소 두께 T2g가 최대 두께 T2e보다 얇은 구성에서는 수분이 영역 E2e에 이르기 어렵다. 최소 두께 T2g가 최대 두께 T2e보다 얇은 구성에서는 수분이 영역 E2g를 통과하기 어렵다. 따라서 적층 콘덴서 C1은, 영역 E2e에 흡수되는 수분의 증가, 및 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 확실히 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는 영역 E2c의 최대 두께 T2c가 최대 두께 T2e보다 얇다.
영역 E2c의 최대 두께 T2c가 최대 두께 T2e보다 얇은 구성에서는, 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 영역 E2c를 통과하기 어렵다. 따라서 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는 영역 E2a를 통하여 간극(17)에 한층 더 확실히 이른다. 따라서 적층 콘덴서 C1은, 가스가 나오는 위치를 제어한다.
영역 E2c는 영역 E2e보다도 간극(19)에 가까우므로 영역 E2c는, 수분이 영역 E2e에 이르는 경로로 될 우려가 있다. 최대 두께 T2c가 최대 두께 T2e보다 얇은 구성에서는, 수분이 영역 E2c에 침입하는 경우에도 수분이 영역 E2c를 통과하기 어렵다. 따라서 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2가 영역 E2c를 포함하고 있는 경우에도, 영역 E2e에 흡수되는 수분의 증가, 및 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 확실히 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E2a의 표면은, 주면(3a)으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다.
영역 E2a의 표면이, 주면(3a)으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E2a의 두께가 국소적으로 얇아지기 어려우므로, 영역 E2a에서의 가스의 이동 경로가, 당해 이동 경로의 도중에서 좁아지기 어렵다. 따라서 상기 구성은, 가스가 영역 E2a를 이동하는 것을 저해하기 어렵다. 이 결과, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 한층 더 확실히 간극(17)에 이르므로, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 확실히 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 제1 방향 D1에서 보아 영역 E2a(제2 전극층 E2)의 단부 에지 Ee2는 만곡되어 있다.
영역 E2a의 단부 에지 Ee2가 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E2a의 단부 에지 Ee2가 직선 형상인 구성에 비해 영역 E2a의 단부 에지 Ee2의 길이가 길다. 따라서 적층 콘덴서 C1에서는 가스가 나오는 영역이 커서, 가스가 외부 전극(5)으로부터 한층 더 방출되기 쉽다. 이 결과, 제2 전극층 E2에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다.
본 명세서에서는, 어느 요소가 다른 요소 상에 배치되어 있다고 기술되어 있는 경우, 어느 요소는 다른 요소 상에 직접 배치되어 있어도 되고 다른 요소 상에 간접적으로 배치되어 있어도 된다. 어느 요소가 다른 요소 상에 간접적으로 배치되어 있는 경우, 개재 요소가 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하고 있다. 어느 요소가 다른 요소 상에 직접 배치되어 있는 경우, 개재 요소는 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하지 않는다.
본 명세서에서는, 어느 요소가 다른 요소 상에 위치해 있다고 기술되어 있는 경우, 어느 요소는 다른 요소 상에 직접 위치해 있어도 되고 다른 요소 상에 간접적으로 위치해 있어도 된다. 어느 요소가 다른 요소 상에 간접적으로 위치해 있는 경우, 개재 요소가 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하고 있다. 어느 요소가 다른 요소 상에 직접 위치해 있는 경우, 개재 요소는 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하지 않는다.
본 명세서에서는, 어느 요소가 다른 요소를 덮는다고 기술되어 있는 경우, 어느 요소는 다른 요소를 직접 덮고 있어도 되고 다른 요소를 간접적으로 덮고 있어도 된다. 어느 요소가 다른 요소를 간접적으로 덮고 있는 경우, 개재 요소가 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하고 있다. 어느 요소가 다른 요소를 직접 덮고 있는 경우, 개재 요소는 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하지 않는다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명해 왔지만, 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
최소 두께 T2g는 최대 두께 T2e 이상이어도 된다. 최소 두께 T2g가 최대 두께 T2e보다 얇은 경우, 상술한 바와 같이 적층 콘덴서 C1은 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 확실히 억제한다.
최대 두께 T2c는 최대 두께 T2e 이상이어도 된다. 최대 두께 T2c가 최대 두께 T2e보다 얇은 경우, 상술한 바와 같이 적층 콘덴서 C1은, 가스가 나오는 위치를 제어함과 함께, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 확실히 억제한다.
주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E2a의 표면은, 주면(3a)으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있지 않아도 된다. 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E2a의 표면이, 주면(3a)으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이 적층 콘덴서 C1은 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 확실히 억제한다.
제1 방향 D1에서 보아 영역 E2a의 단부 에지 Ee2는 만곡되어 있지 않아도 된다. 제1 방향 D1에서 보아 영역 E2a의 단부 에지 Ee2는 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이 제2 전극층 E2에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다.
제1 전극층 E1은, 단부면(3e)으로부터 능선부(3g)의 전체 또는 일부를 넘도록 주면(3a) 상에 형성되어 있어도 된다. 제1 전극층 E1은, 단부면(3e)으로부터 능선부(3h)의 전체 또는 일부를 넘도록 주면(3b) 상에 형성되어 있어도 된다. 제1 전극층 E1은, 단부면(3e)으로부터 능선부(3i)의 전체 또는 일부를 넘도록 측면(3c) 상에 형성되어 있어도 된다.
본 실시 형태에서는 전자 부품으로서 적층 콘덴서를 예로 들어 설명하였지만, 적용 가능한 전자 부품은 적층 콘덴서에 한정되지 않는다. 적용 가능한 전자 부품은, 예를 들어 적층 인덕터, 적층 배리스터, 적층 압전 액추에이터, 적층 서미스터, 혹은 적층 복합 부품 등의 적층 전자 부품, 또는 적층 전자 부품 이외의 전자 부품이다.

Claims (18)

  1. 전자 부품이며,
    실장면을 구성하는 주면과, 상기 주면과 인접하는 단부면을 갖고 있는 소체와,
    상기 소체에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있고,
    상기 외부 전극은, 상기 주면의 일부와 상기 단부면의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있는 도전성 수지층과, 상기 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고,
    상기 도전성 수지층은, 상기 단부면 상에 위치해 있는 제1 영역과, 상기 주면 상에 위치해 있는 제2 영역을 포함하고,
    상기 제2 영역의 최대 두께는 상기 제1 영역의 최대 두께보다 두껍고,
    상기 도전성 수지층은, 상기 단부면과 상기 주면 사이의 능선부 상에 위치해 있는 제3 영역을 추가로 포함하고 있고,
    상기 제3 영역의 최소 두께는 상기 제1 영역의 상기 최대 두께보다 얇은
    전자 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소체는, 상기 주면 및 상기 단부면과 인접하는 측면을 추가로 갖고,
    상기 도전성 수지층은, 상기 측면의 일부도 연속하여 덮도록 마련되어 있음과 함께, 상기 측면 상에 위치해 있는 제4 영역을 추가로 포함하고 있고,
    상기 제4 영역의 최대 두께는 상기 제1 영역의 상기 최대 두께보다 얇은
    전자 부품.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 주면 및 상기 단부면에 직교하는 단면에 있어서, 상기 제2 영역의 표면은, 상기 주면으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는
    전자 부품.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 주면 및 상기 단부면에 직교하는 단면에 있어서, 상기 제2 영역의 표면은, 상기 주면으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는
    전자 부품.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주면에 직교하는 방향에서 보아 상기 제2 영역의 단부 에지는 만곡되어 있는
    전자 부품.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외부 전극은 상기 소체와 상기 도전성 수지층 사이에 위치하고 상기 단부면을 덮도록 마련되어 있는 소결 금속층을 더 갖고,
    상기 외부 전극에 있어서 상기 단부면 상에 배치되어 있는 전극부는,
    상기 소결 금속층이, 상기 도전성 수지층으로부터 노출되어 있음과 함께 상기 도금층과 접하고 있는 영역과,
    상기 소결 금속층이, 상기 도전성 수지층으로 덮여 있음과 함께 상기 도금층과 접하고 있지 않는 영역을 갖는
    전자 부품.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외부 전극에 있어서 상기 주면 상에 배치되어 있는 전극부에는, 상기 도금층의 단부 에지와 상기 주면 사이의 간극이 존재하고 있는
    전자 부품.
  8. 전자 부품이며,
    실장면을 구성하는 주면과, 상기 주면과 인접하는 단부면을 갖고 있는 소체와,
    상기 소체에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있고,
    상기 외부 전극은, 상기 주면의 일부와 상기 단부면의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있는 도전성 수지층과, 상기 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고,
    상기 도전성 수지층은, 상기 단부면 상에 위치해 있는 제1 영역과, 상기 주면 상에 위치해 있는 제2 영역을 포함하고,
    상기 제2 영역의 최대 두께는 상기 제1 영역의 최대 두께보다 두껍고,
    상기 소체는, 상기 주면 및 상기 단부면과 인접하는 측면을 추가로 갖고,
    상기 도전성 수지층은, 상기 측면의 일부도 연속하여 덮도록 마련되어 있음과 함께, 상기 측면 상에 위치해 있는 제4 영역을 추가로 포함하고 있고,
    상기 제4 영역의 최대 두께는 상기 제1 영역의 상기 최대 두께보다 얇은
    전자 부품.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 주면 및 상기 단부면에 직교하는 단면에 있어서, 상기 제2 영역의 표면은, 상기 주면으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는
    전자 부품.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 주면에 직교하는 방향에서 보아 상기 제2 영역의 단부 에지는 만곡되어 있는
    전자 부품.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 주면에 직교하는 방향에서 보아 상기 제2 영역의 단부 에지는 만곡되어 있는
    전자 부품.
  12. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외부 전극은 상기 소체와 상기 도전성 수지층 사이에 위치하고 상기 단부면을 덮도록 마련되어 있는 소결 금속층을 더 갖고,
    상기 외부 전극에 있어서 상기 단부면 상에 배치되어 있는 전극부는,
    상기 소결 금속층이, 상기 도전성 수지층으로부터 노출되어 있음과 함께 상기 도금층과 접하고 있는 영역과,
    상기 소결 금속층이, 상기 도전성 수지층으로 덮여 있음과 함께 상기 도금층과 접하고 있지 않는 영역을 갖는
    전자 부품.
  13. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외부 전극에 있어서 상기 주면 상에 배치되어 있는 전극부에는, 상기 도금층의 단부 에지와 상기 주면 사이의 간극이 존재하고 있는
    전자 부품.
  14. 전자 부품이며,
    실장면을 구성하는 주면과, 상기 주면과 인접하는 단부면을 갖고 있는 소체와,
    상기 소체에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있고,
    상기 외부 전극은, 상기 주면의 일부와 상기 단부면의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있는 도전성 수지층과, 상기 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고,
    상기 도전성 수지층은, 상기 단부면 상에 위치해 있는 제1 영역과, 상기 주면 상에 위치해 있는 제2 영역을 포함하고,
    상기 제2 영역의 최대 두께는 상기 제1 영역의 최대 두께보다 두껍고,
    상기 외부 전극에 있어서 상기 주면 상에 배치되어 있는 전극부에는, 상기 도금층의 단부 에지와 상기 주면 사이의 간극이 존재하고 있는
    전자 부품.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 주면 및 상기 단부면에 직교하는 단면에 있어서, 상기 제2 영역의 표면은, 상기 주면으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는
    전자 부품.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 주면에 직교하는 방향에서 보아 상기 제2 영역의 단부 에지는 만곡되어 있는
    전자 부품.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 주면에 직교하는 방향에서 보아 상기 제2 영역의 단부 에지는 만곡되어 있는
    전자 부품.
  18. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외부 전극은 상기 소체와 상기 도전성 수지층 사이에 위치하고 상기 단부면을 덮도록 마련되어 있는 소결 금속층을 더 갖고,
    상기 외부 전극에 있어서 상기 단부면 상에 배치되어 있는 전극부는,
    상기 소결 금속층이, 상기 도전성 수지층으로부터 노출되어 있음과 함께 상기 도금층과 접하고 있는 영역과,
    상기 소결 금속층이, 상기 도전성 수지층으로 덮여 있음과 함께 상기 도금층과 접하고 있지 않는 영역을 갖는
    전자 부품.
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