KR102307038B1 - 전자 부품 - Google Patents

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KR102307038B1
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아츠시 다케다
다케히사 다무라
신야 오노데라
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티디케이가부시기가이샤
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Abstract

전자 부품은, 서로 인접하는 측면과 단부면을 갖고 있는 소체와, 측면 및 단부면에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있다. 외부 전극은, 측면과 단부면에 걸쳐 형성되어 있는 도전성 수지층과, 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고 있다. 도전성 수지층은, 단부면 상에 위치하고 있는 제1 영역과, 측면 상에 위치하고 있는 제2 영역과, 단부면과 측면 사이의 능선부 상에 위치하고 있는 제3 영역을 포함하고 있다. 제1 영역의 최대 두께가 T1(㎛)이고, 제2 영역의 최대 두께가 T2(㎛)이며, 제3 영역의 최소 두께가 T3(㎛)인 경우, 최대 두께 T1과, 최대 두께 T2는,
T2/T1≥0.11
의 관계를 충족하고, 최대 두께 T1과, 최소 두께 T3은,
T3/T1≥0.11
의 관계를 충족한다.

Description

전자 부품{ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은, 전자 부품에 관한 것이다.
서로 인접하는 측면과 단부면을 갖고 있는 소체(素體)와, 측면 및 단부면에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있는 전자 부품이 알려져 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 평5-144665호 공보 참조). 외부 전극은, 측면과 단부면에 걸쳐 형성되어 있는 도전성 수지층과, 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고 있다.
도전성 수지층은, 일반적으로, 수지와, 도전성을 갖는 입자를 포함하고 있다. 수지는, 수분을 흡수하는 경향이 있다. 전자 부품이 전자 기기에 납땜 실장 되는 경우, 수지에 흡수된 수분이 가스화되어, 체적 팽창하는 경우가 있다. 이 경우, 도전성 수지층에 응력이 작용하여, 도전성 수지층에 균열이 발생하고, 도전성 수지층이 박리될 우려가 있다. 도전성을 갖는 입자는, 예를 들어 금속을 포함한다. 전자 기기는, 예를 들어 회로 기판 또는 전자 부품을 포함한다.
본 발명의 일 양태의 목적은, 도전성 수지층의 박리를 억제하는 전자 부품을 제공하는 것이다.
일 양태에 관한 전자 부품은, 서로 인접하는 측면과 단부면을 갖고 있는 소체와, 측면 및 단부면에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있다. 외부 전극은, 측면과 단부면에 걸쳐 형성되어 있는 도전성 수지층과, 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고 있다. 도전성 수지층은, 단부면 상에 위치하고 있는 제1 영역과, 측면 상에 위치하고 있는 제2 영역과, 단부면과 측면 사이의 능선부 상에 위치하고 있는 제3 영역을 포함하고 있다. 제1 영역의 최대 두께가 T1(㎛)이고, 제2 영역의 최대 두께가 T2(㎛)이며, 제3 영역의 최소 두께가 T3(㎛)인 경우, 최대 두께 T1과, 최대 두께 T2는,
T2/T1≥0.11
의 관계를 충족하고, 최대 두께 T1과, 최소 두께 T3은,
T3/T1≥0.11
의 관계를 충족한다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항이 판명되었다.
도전성 수지층을 덮고 있는 도금층은, 도전성 수지층과 밀착되기 쉽지만, 소체와는 밀착되기 어렵다. 따라서, 도금층의 단부 에지와 소체 사이에는, 간극이 존재한다. 수지에 흡수된 수분이 가스화된 경우, 수분으로부터 발생한 가스가, 도금층의 단부 에지와 소체 사이의 간극에 이르면, 가스는, 간극을 통해 외부 전극 외부로 방출된다. 수분으로부터 발생한 가스가 외부 전극 외부로 방출되므로, 도전성 수지층에 응력이 작용하기 어렵다. 이하, 도금층의 단부 에지와 소체 사이의 간극은, 간단히 「간극」이라 칭해진다.
본 발명자들은, 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 확실하게 이르는 구성에 대하여, 한층 더한 조사 연구를 행하였다.
도전성 수지층의 제2 영역은, 간극에 가까우므로, 제2 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는, 간극에 이르기 쉽다. 제1 영역은, 간극으로부터 이격되어 있으므로, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는, 간극에 이르기 어렵다. 따라서, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스를 외부 전극 외부로 방출하기 위해서는, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 확실하게 이르는 구성의 실현이 요망된다. 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 확실하게 이르는 것이라면, 제2 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스도, 간극에 확실하게 이른다.
본 발명자들은, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 이르기까지의 경로에 주목하였다. 이 결과, 본 발명자들은, 제1 영역의 두께, 제2 영역의 두께, 및 제3 영역의 두께가 원하는 관계를 충족하는 경우에, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 확실하게 이른다는 것을 알아냈다. 즉, 제1 영역의 최대 두께 T1과, 제2 영역의 최대 두께 T2가,
T2/T1≥0.11
의 관계를 충족하고, 최대 두께 T1과, 제3 영역의 최소 두께 T3이,
T3/T1≥0.11
의 관계를 충족하는 경우, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 제3 영역 및 제2 영역을 거쳐, 간극에 확실하게 이른다.
따라서, 상기 일 양태에서는, 도전성 수지층(제1 영역)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는, 간극에 확실하게 이른다. 간극에 이른 가스는, 외부 전극 외부로 방출되어, 도전성 수지층에 응력이 작용하기 어렵다. 이 결과, 상기 일 양태는, 도전성 수지층의 박리를 억제한다.
상기 일 양태에서는, 최대 두께 T1과, 최대 두께 T2는,
T2/T1≥0.13
의 관계를 충족해도 된다. 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 확실하게 억제한다.
상기 일 양태에서는, 최대 두께 T1과, 최소 두께 T3은,
T3/T1≥0.12
의 관계를 충족해도 된다. 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 확실하게 억제한다.
상기 일 양태에서는, 최대 두께 T1과, 최대 두께 T2는,
T2/T1≤0.54
의 관계를 충족해도 된다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항도 판명되었다.
간극은, 도전성 수지층이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스의 출구임과 함께, 외부 전극 내로의 수분의 입구이다. 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 이르기까지의 경로는, 수분이 제1 영역에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 수분이 제1 영역에 이르면, 수분은 제1 영역에 흡수된다. 이 경우, 가스의 발생량이 증가될 우려가 있다. 따라서, 수분이 제1 영역에 흡수되는 것을 억제하기 위해서는, 수분이 제1 영역에 이르기 어려운 구성의 실현이 요망된다.
본 발명자들은, 제1 영역의 두께, 및, 제2 영역의 두께가 원하는 관계를 충족하는 경우에, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다는 것을 알아냈다. 즉, 최대 두께 T1과, 최대 두께 T2가,
T2/T1≤0.54
의 관계를 충족하는 구성에서는, 수분이 간극으로부터 침입하는 경우라도, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다. 따라서, 본 구성은, 도전성 수지층(제1 영역)에 흡수되는 수분의 증가, 및, 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
상기 일 양태에서는, 최대 두께 T1과, 최소 두께 T3은,
T3/T1≤0.43
의 관계를 충족해도 된다.
본 발명자들은, 제1 영역의 두께, 및, 제3 영역의 두께가 원하는 관계를 충족하는 경우에, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다는 것도 알아냈다. 즉, 최대 두께 T1과, 최소 두께 T3이,
T3/T1≤0.43
의 관계를 충족하는 구성에서는, 수분이 간극으로부터 침입하는 경우라도, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다. 따라서, 본 구성은, 도전성 수지층(제1 영역)에 흡수되는 수분의 증가, 및, 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
상기 일 양태는, 소체 내에 배치되어 있는 회로 요소를 구비하고 있어도 된다. 소체는, 회로 요소가 배치되어 있는 제1 부분과, 회로 요소가 배치되어 있지 않은 제2 부분을 갖고 있어도 된다. 제1 부분과 제2 부분의 경계에 대응하는 위치 상에서의 제1 영역의 두께가 T4(㎛)인 경우, 최대 두께 T1과, 두께 T4는,
T4/T1≥0.11
의 관계를 충족해도 된다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항도 판명되었다.
제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스를, 보다 한층 더 확실하게 간극에 이르게 하기 위해서는, 가스가 제1 영역으로부터 제2 영역에 보다 한층 더 확실하게 이르는 구성의 실현이 요망된다. 제1 영역의, 제1 부분과 제2 부분의 경계에 대응하는 위치는, 제1 영역의 단부 근방이며, 제3 영역에 가깝다. 따라서, 가스가, 도전성 수지층의, 제1 부분과 제2 부분의 경계에 대응하는 위치를 통과하기 쉬우면, 가스는, 제1 영역으로부터 제3 영역에 이르기 쉽다.
본 발명자들은, 제1 부분과 제2 부분의 경계에 대응하는 위치 상에서의 제1 영역의 두께에 주목하였다. 이 결과, 본 발명자들은, 제1 영역의 두께, 및, 제1 부분과 제2 부분의 경계에 대응하는 위치 상에서의 제1 영역의 두께가 원하는 관계를 충족하는 경우에, 가스가 제1 영역으로부터 제3 영역에 보다 한층 더 확실하게 이른다는 것을 알아냈다. 즉, 최대 두께 T1과, 상기 경계에 대응하는 위치 상에서의 도전성 수지층의 두께 T4가,
T4/T1≥0.11
의 관계를 충족하는 경우, 가스가 제1 영역으로부터 제3 영역에 보다 한층 더 확실하게 이른다. 본 구성에서는, 도전성 수지층(제1 영역)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 더 확실하게 간극에 이른다. 따라서, 도전성 수지층에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
상기 일 양태에서는, 최대 두께 T1과, 상기 두께 T4는,
T4/T1≥0.26
의 관계를 충족해도 된다. 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 확실하게 억제한다.
상기 일 양태에서는, 최대 두께 T1과, 상기 두께 T4는,
T4/T1≤0.55
의 관계를 충족해도 된다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항도 판명되었다.
상술한 바와 같이, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 이르기까지의 경로는, 수분이 제1 영역에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 따라서, 수분이 제1 영역에 흡수되는 것을 억제하기 위해서는, 수분이 제1 영역에 이르기 어려운 구성의 실현이 요망된다.
본 발명자들은, 제1 영역의 두께, 및, 제1 부분과 제2 부분의 경계에 대응하는 위치 상에서의 제1 영역의 두께가 원하는 관계를 충족하는 경우에, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다는 것을 알아냈다. 즉, 최대 두께 T1과, 상기 두께 T4가,
T4/T1≤0.55
의 관계를 충족하는 구성에서는, 수분이 간극으로부터 침입하는 경우라도, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다. 따라서, 본 구성은, 도전성 수지층(제1 영역)에 흡수되는 수분의 증가, 및, 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
상기 일 양태에서는, 최대 두께 T2와, 최소 두께 T3과, 두께 T4는,
T4>T2
의 관계와,
T4>T3
의 관계를 충족해도 된다.
또한, 본 발명자들은, 제1 부분과 제2 부분의 경계에 대응하는 위치 상에서의 제1 영역의 두께, 제2 영역의 두께, 및 제3 영역의 두께가 원하는 관계를 충족하는 경우에, 가스가 제1 영역으로부터 제2 영역에 보다 한층 더 확실하게 이른다는 것을 알아냈다. 즉, 최대 두께 T2와, 최소 두께 T3과, 두께 T4가,
T4>T2
의 관계와,
T4>T3
의 관계를 충족하는 경우, 가스가 제1 영역으로부터 제2 영역에 보다 한층 더 확실하게 이른다. 본 구성에서는, 도전성 수지층(제1 영역)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 더 확실하게 간극에 이른다. 따라서, 도전성 수지층에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
상기 일 양태에서는, 측면 및 단부면에 직교하는 단면에 있어서, 제2 영역의 표면은, 측면으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있어도 된다.
본 구성에서는, 제2 영역의 두께가 국소적으로 얇아지기 어려우므로, 제2 영역에서의 가스의 이동 경로가, 당해 이동 경로의 도중에 좁아지기 어렵다. 따라서, 본 구성은, 가스가 제2 영역을 이동하는 것을 저해하기 어렵다. 도전성 수지층이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 더 확실하게 간극에 이른다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
상기 일 양태에서는, 외부 전극은, 측면과 단부면에 걸쳐 형성되어 있음과 함께 도전성 수지층으로 덮여 있는 소결 금속층을 더 갖고 있어도 된다. 단부면을 포함하는 면을 기준면으로 하여, 단부면에 직교하는 방향에서의 소결 금속층의 단부 에지로부터 제2 영역의 단부 에지까지의 길이는, 단부면에 직교하는 방향에서의 기준면으로부터 소결 금속층의 단부 에지까지의 길이보다 커도 된다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항도 판명되었다.
소체와 도전성 수지층의 밀착 정도는, 소결 금속층과 도전성 수지층의 밀착 정도보다 낮다. 따라서, 소결 금속층과 도전성 수지층의 계면은, 가스의 이동 경로에 기여하기 어렵지만, 소체와 도전성 수지층의 계면은, 가스의 이동 경로로서 기여하기 쉽다.
본 발명자들은, 소결 금속층과 도전성 수지층의 계면의 길이, 및, 소체와 도전성 수지층의 계면의 길이에 주목하였다. 이 결과, 본 발명자들은, 단부면에 직교하는 방향에서의 상기 기준면으로부터 소결 금속층의 단부 에지까지의 길이, 및, 단부면에 직교하는 방향에서의 소결 금속층의 단부 에지로부터 제2 영역의 단부 에지까지의 길이가 원하는 관계를 충족하는 경우에, 가스의 이동 경로가 증가된다는 것을 알아냈다. 단부면에 직교하는 방향에서의 소결 금속층의 단부 에지로부터 제2 영역의 단부 에지까지의 길이는, 단부면에 직교하는 방향에서의 상기 기준면으로부터 소결 금속층의 단부 에지까지의 길이보다 긴 경우, 가스의 이동 경로가 증가된다. 따라서, 본 구성에서는, 도전성 수지층이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 간극을 향하여 이동하기 쉽다. 도전성 수지층에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
상기 일 양태에서는, 측면에 직교하는 방향으로부터 보아, 제2 영역의 단부 에지는, 만곡되어 있어도 된다.
본 구성에서는, 제2 영역의 단부 에지가 직선형인 구성에 비해, 제2 영역의 단부 에지의 길이가 길다. 따라서, 본 구성에서는, 가스가 나오는 영역이 커서, 가스가, 외부 전극으로부터 보다 한층 더 방출되기 쉽다. 이 결과, 도전성 수지층에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다.
본 발명은, 단지 예시를 위해 제공된 것으로서 그에 따라 본 발명을 한정하는 것으로 간주되지 않는, 이하에 기술된 상세한 설명 및 첨부 도면으로부터 더욱 잘 이해될 것이다.
본 발명의 추가적인 적용 범위는 이하에 기술된 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나, 그 상세한 설명 및 특정 실시예들은, 비록 본 발명의 바람직한 구체예를 나타내기는 하지만, 기술 분야에 숙련된 자에게는, 이 상세한 설명으로부터 본 발명의 사상 및 범주 내의 다양한 변경과 수정이 가능함은 명백해질 것이므로, 단지 예시로서 기술된 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 일 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 사시도.
도 2는 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 단면 구성을 도시하는 도면.
도 3은 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 단면 구성을 도시하는 도면.
도 4는 외부 전극의 단면 구성을 도시하는 도면.
도 5는 외부 전극의 단면 구성을 도시하는 도면.
도 6은 소체와 제2 전극층을 도시하는 평면도.
도 7은 소체와 제2 전극층을 도시하는 평면도.
도 8은 각 시료에 있어서의 제2 전극층에서의 박리의 발생률을 도시하는 도표.
도 9는 외부 전극의 단면 구성을 도시하는 도면.
도 10은 외부 전극의 단면 구성을 도시하는 도면.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는, 동일 부호를 사용하는 것으로 하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 1 내지 도 7을 참조하여, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서 C1의 구성을 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 사시도이다. 도 2 및 도 3은 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 단면 구성을 도시하는 도면이다. 도 4 및 도 5는 외부 전극의 단면 구성을 도시하는 도면이다. 도 6 및 도 7은 소체와 제2 전극층을 도시하는 평면도이다. 본 실시 형태에서는, 전자 부품은, 예를 들어 적층 콘덴서 C1이다.
적층 콘덴서 C1은, 도 1에 도시된 바와 같이, 직육면체 형상을 나타내고 있는 소체(3)와, 복수의 외부 전극(5)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 적층 콘덴서 C1은, 한 쌍의 외부 전극(5)을 구비하고 있다. 한 쌍의 외부 전극(5)은, 소체(3)에 배치되어 있다. 한 쌍의 외부 전극(5)은 서로 이격되어 있다. 직육면체 형상은, 코너부 및 능선부가 모따기되어 있는 직육면체의 형상, 및, 코너부 및 능선부가 라운딩되어 있는 직육면체의 형상을 포함한다.
소체(3)는, 서로 대향하고 있는 한 쌍의 주면(3a)과, 서로 대향하고 있는 한 쌍의 측면(3c)과, 서로 대향하고 있는 한 쌍의 단부면(3e)을 갖고 있다. 한 쌍의 주면(3a), 한 쌍의 측면(3c), 및 한 쌍의 단부면(3e)은 직사각형을 나타내고 있다. 한 쌍의 주면(3a)이 대향하고 있는 방향이, 제1 방향 D1이다. 한 쌍의 측면(3c)이 대향하고 있는 방향이, 제2 방향 D2이다. 한 쌍의 단부면(3e)이 대향하고 있는 방향이, 제3 방향 D3이다. 적층 콘덴서 C1은, 전자 기기에 납땜 실장된다. 전자 기기는, 예를 들어 회로 기판 또는 전자 부품을 포함한다. 적층 콘덴서 C1에서는, 한쪽 주면(3a)이 전자 기기와 대향한다. 한쪽 주면(3a)은 실장면을 구성하도록 배치된다. 한쪽 주면(3a)은 실장면이다. 각 주면(3a)은, 직육면체 형상을 나타내고 있는 소체(3)가 갖는 측면이기도 하다.
제1 방향 D1은, 각 주면(3a)에 직교하는 방향이며, 제2 방향 D2와 직교하고 있다. 제3 방향 D3은, 각 주면(3a)과 각 측면(3c)에 평행한 방향이며, 제1 방향 D1과 제2 방향 D2에 직교하고 있다. 제2 방향 D2는, 각 측면(3c)에 직교하는 방향이며, 제3 방향 D3은, 각 단부면(3e)에 직교하는 방향이다. 본 실시 형태에서는, 소체(3)의 제2 방향 D2에서의 길이는, 소체(3)의 제1 방향 D1에서의 길이보다 길다. 소체(3)의 제3 방향 D3에서의 길이는, 소체(3)의 제1 방향 D1에서의 길이보다 길고, 또한, 소체(3)의 제2 방향 D2에서의 길이보다 길다. 제3 방향 D3이, 소체(3)의 긴 변 방향이다.
소체(3)의 제1 방향 D1에서의 길이는, 소체(3)의 높이이다. 소체(3)의 제2 방향 D2에서의 길이는, 소체(3)의 폭이다. 소체(3)의 제3 방향 D3에서의 길이는, 소체(3)의 길이이다. 본 실시 형태에서는, 소체(3)의 높이는, 0.5 내지 2.5㎜이며, 소체(3)의 폭은, 0.5 내지 5.0㎜이고, 소체(3)의 길이는, 1.0 내지 5.7㎜이다. 예를 들어, 소체(3)의 높이는, 2.5㎜이며, 소체(3)의 폭은, 2.5㎜이고, 소체(3)의 길이는, 3.2㎜이다.
한 쌍의 측면(3c)은, 한 쌍의 주면(3a)을 연결하도록 제1 방향 D1로 연장되어 있다. 한 쌍의 측면(3c)은, 제3 방향 D3으로도 연장되어 있다. 한 쌍의 단부면(3e)은, 한 쌍의 주면(3a)을 연결하도록 제1 방향 D1로 연장되어 있다. 한 쌍의 단부면(3e)은, 제2 방향 D2로도 연장되어 있다.
소체(3)는, 네 능선부(3g)와, 네 능선부(3i)와, 네 능선부(3j)를 갖고 있다. 능선부(3g)는, 단부면(3e)과 주면(3a) 사이에 위치하고 있다. 능선부(3i)는, 단부면(3e)과 측면(3c) 사이에 위치하고 있다. 능선부(3j)는, 주면(3a)과 측면(3c) 사이에 위치하고 있다. 본 실시 형태에서는, 각 능선부(3g, 3i, 3j)는, 만곡하도록 라운딩되어 있다. 소체(3)에는, 소위 R 모따기 가공이 실시되어 있다. 단부면(3e)과 주면(3a)은, 능선부(3g)를 사이에 두고, 간접적으로 인접하고 있다. 단부면(3e)과 측면(3c)은, 능선부(3i)를 사이에 두고, 간접적으로 인접하고 있다. 주면(3a)과 측면(3c)은, 능선부(3j)를 사이에 두고, 간접적으로 인접하고 있다.
소체(3)는, 제1 방향 D1로 복수의 유전체층이 적층되어 구성되어 있다. 소체(3)는, 적층되어 있는 복수의 유전체층을 갖고 있다. 소체(3)에서는, 복수의 유전체층의 적층 방향이 제1 방향 D1과 일치한다. 각 유전체층은, 예를 들어 유전체 재료를 포함하는 세라믹 그린 시트의 소결체로 구성되어 있다. 유전체 재료는, 예를 들어 BaTiO3계, Ba(Ti, Zr)O3계, 또는 (Ba, Ca)TiO3계 등의 유전체 세라믹을 포함한다. 실제의 소체(3)에서는, 각 유전체층은, 각 유전체층의 사이의 경계를 시인할 수 없을 정도로 일체화되어 있다. 소체(3)에서는, 복수의 유전체층의 적층 방향이 제2 방향 D2와 일치하고 있어도 된다.
적층 콘덴서 C1은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)을 구비하고 있다. 각 내부 전극(7, 9)은, 소체(3) 내에 배치되어 있는 내부 도체이다. 각 내부 전극(7, 9)은, 적층형 전자 부품의 내부 전극으로서 통상 사용되는 도전성 재료를 포함한다. 도전성 재료는, 예를 들어 비금속을 포함한다. 도전성 재료는, 예를 들어 Ni 또는 Cu를 포함한다. 내부 전극(7, 9)은, 상기 도전성 재료를 포함하는 도전성 페이스트의 소결체로서 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 내부 전극(7, 9)은, Ni를 포함한다. 본 실시 형태에서는, 내부 전극(7, 9)은, 소체(3) 내에 배치되어 있는 회로 요소를 구성한다.
내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제1 방향 D1에 있어서 다른 위치(층)에 배치되어 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 소체(3) 내에 있어서, 제1 방향 D1로 간격을 두고 대향하도록 교대로 배치되어 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 서로 극성이 다르다. 복수의 유전체층의 적층 방향이 제2 방향 D2인 경우, 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제2 방향 D2에 있어서 다른 위치(층)에 배치된다. 내부 전극(7, 9)의 일단은, 대응하는 단부면(3e)에 노출되어 있다. 내부 전극(7, 9)은, 대응하는 단부면(3e)에 노출되어 있는 일단을 갖고 있다.
복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)은, 제1 방향 D1에서 교대로 배열되어 있다. 각 내부 전극(7, 9)은, 주면(3a)과 대략 평행한 면 내에 위치하고 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제1 방향 D1에서 서로 대향하고 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)이 대향하고 있는 방향(제1 방향 D1)은, 주면(3a)과 평행한 방향(제2 방향 D2 및 제3 방향 D3)과 직교하고 있다. 복수의 유전체층의 적층 방향이 제2 방향 D2인 경우, 복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)은, 제2 방향 D2에서 교대로 배열된다. 이 경우, 각 내부 전극(7, 9)은, 주면(3a)과 대략 직교하고 있는 면 내에 위치한다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제2 방향 D2에서 서로 대향한다.
소체(3)는, 내층부(4a)와, 한 쌍의 외층부(4b)를 갖고 있다. 내층부(4a)에는, 복수의 내부 전극(7, 9)이 배치되어 있다. 내층부(4a)는, 제1 방향 D1에서, 한 쌍의 외층부(4b) 사이에 위치하고 있다. 한 쌍의 외층부(4b)는, 제1 방향 D1에서 내층부(4a)를 사이에 두고 있다. 각 외층부(4b)에는, 복수의 내부 전극(7, 9)은 배치되어 있지 않다. 본 실시 형태에서는, 복수의 내부 전극(7, 9) 중 제1 방향 D1에서 최외측에 위치하는 내부 전극(7 또는 9)과, 외층부(4b)의 경계가, 내층부(4a)와 외층부(4b)의 경계를 구성한다. 예를 들어, 내층부(4a)가 제1 부분을 구성하는 경우, 외층부(4b)는 제2 부분을 구성한다.
외부 전극(5)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 소체(3)의 제3 방향 D3에서의 양단부에 각각 배치되어 있다. 각 외부 전극(5)은, 소체(3)에 있어서의, 대응하는 단부면(3e)측에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은, 적어도, 단부면(3e)과, 측면이기도 한 주면(3a)에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 각 외부 전극(5)은, 한 쌍의 주면(3a), 한 쌍의 측면(3c), 및 하나의 단부면(3e)에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 전극부(5a, 5c, 5e)를 갖고 있다. 전극부(5a)는, 주면(3a) 상 및 능선부(3g) 상에 배치되어 있다. 각 전극부(5c)는, 측면(3c) 상 및 능선부(3i) 상에 배치되어 있다. 전극부(5e)는, 단부면(3e) 상에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은, 능선부(3j) 상에 배치되어 있는 전극부도 갖고 있다.
외부 전극(5)은, 한 쌍의 주면(3a), 하나의 단부면(3e), 및 한 쌍의 측면(3c)의 다섯 면, 그리고, 능선부(3g, 3i, 3j)에 형성되어 있다. 서로 인접하는 전극부(5a, 5c, 5e)는, 접속되어 있어, 전기적으로 접속되어 있다. 전극부(5e)는, 대응하는 내부 전극(7, 9)의 일단을 모두 덮고 있다. 전극부(5e)는, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 직접적으로 접속되어 있다. 외부 전극(5)은, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 전기적으로 접속되어 있다. 외부 전극(5)은, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 전극층 E1, 제2 전극층 E2, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다. 제4 전극층 E4는, 외부 전극(5)의 최외층을 구성하고 있다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)는, 제1 전극층 E1, 제2 전극층 E2, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다.
전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3g) 상에 배치되어 있고, 주면(3a) 상에는 배치되어 있지 않다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 주면(3a)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3g)의 전체와 접하고 있다. 주면(3a)은, 제1 전극층 E1로 덮여 있지 않고, 제1 전극층 E1로부터 노출되어 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a) 상에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a)의 일부와 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a)의 일부와도 접한다. 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다.
전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상 및 주면(3a) 상에 배치되어 있다. 전극부(5a)에서는, 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체를 덮고 있다. 전극부(5a)에서는, 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체와 접하고 있다. 제2 전극층 E2는, 주면(3a)의 일부와 접하고 있다. 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다. 전극부(5a)는, 능선부(3g) 상에서는 4층 구조를 갖고 있고, 주면(3a) 상에서는 3층 구조를 갖고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 능선부(3g)의 전체와 주면(3a)의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 상술한 바와 같이, 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 소체(3) 사이에 위치하도록, 능선부(3g)의 전체와 주면(3a)의 일부를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 주면(3a)의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 능선부(3g)에 형성되어 있는 제1 전극층 E1의 전체를 직접 덮고 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1이, 주면(3a) 상에 배치되어 있는 경우, 전극부(5a)는, 주면(3a) 및 능선부(3g) 상에서 4층 구조를 갖는다.
전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3i) 상에 배치되어 있고, 측면(3c) 상에는 배치되어 있지 않다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3i)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 측면(3c)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3i)의 전체와 접하고 있다. 측면(3c)은, 제1 전극층 E1로 덮여 있지 않고, 제1 전극층 E1로부터 노출되어 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c) 상에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c)의 일부와 능선부(3i)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c)의 일부와도 접한다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다.
전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상 및 측면(3c) 상에 배치되어 있다. 전극부(5c)에서는, 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체를 덮고 있다. 전극부(5c)에서는, 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체와 접하고 있다. 제2 전극층 E2는, 측면(3c)의 일부와 접하고 있다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다. 전극부(5c)는, 능선부(3i) 상에서는 4층 구조를 갖고 있고, 측면(3c) 상에서는 3층 구조를 갖고 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 능선부(3i)의 전체와 측면(3c)의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 상술한 바와 같이, 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 소체(3) 사이에 위치하도록, 능선부(3i)의 전체와 측면(3c)의 일부를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 측면(3c)의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 능선부(3i)에 형성되어 있는 제1 전극층 E1의 전체를 직접 덮고 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1이, 측면(3c) 상에 배치되어 있는 경우, 전극부(5c)는, 측면(3c) 상 및 능선부(3i) 상에서 4층 구조를 갖는다.
전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 능선부(3i)의 일부와 측면(3c)의 일부를 덮도록 형성되어 있어도 된다. 능선부(3i)의 일부는, 예를 들어 능선부(3i)에 있어서의 주면(3a) 근방의 일부 영역이다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 주면(3a) 및 단부면(3e) 근방의 코너 영역이다. 이 경우, 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 능선부(3i) 사이에 위치하도록, 능선부(3i)의 일부를 간접적으로 덮는다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 측면(3c)의 일부를 직접 덮는다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1에 있어서의 능선부(3i)에 형성되어 있는 부분의 일부를 직접 덮는다. 즉, 전극부(5c)는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있는 영역과, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로 덮여 있는 영역을 갖는다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2가, 능선부(3i)의 일부와 측면(3c)의 일부를 덮도록 형성되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제2 방향 D2에 있어서 다른 위치(층)에 배치되어 있어도 된다.
전극부(5e)의 제1 전극층 E1은, 단부면(3e) 상에 배치되어 있다. 단부면(3e)의 전체가, 제1 전극층 E1로 덮여 있다. 전극부(5e)의 제1 전극층 E1은, 단부면(3e)의 전체와 접하고 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상에 배치되어 있다. 전극부(5e)에서는, 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체와 접하고 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 단부면(3e)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 단부면(3e) 사이에 위치하도록, 단부면(3e)의 전체를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체를 직접 덮고 있다. 전극부(5e)에서는, 제1 전극층 E1은, 대응하는 내부 전극(7, 9)의 일단과 접속되도록 단부면(3e)에 형성되어 있다.
전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 단부면(3e)의 일부를 덮도록 형성되어 있어도 된다. 단부면(3e)의 일부는, 예를 들어 단부면(3e)에 있어서의 주면(3a) 근방의 일부 영역이다. 이 경우, 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 단부면(3e) 사이에 위치하도록, 단부면(3e)의 일부를 간접적으로 덮는다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1에 있어서의 단부면(3e)에 형성되어 있는 부분의 일부를 직접 덮는다. 즉, 전극부(5e)는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있는 영역과, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로 덮여 있는 영역을 갖는다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2가, 단부면(3e)의 일부를 덮도록 형성되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제2 방향 D2에 있어서 다른 위치(층)에 배치되어 있어도 된다.
제1 전극층 E1은, 소체(3)의 표면에 부여된 도전성 페이스트를 베이킹함으로써 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 하나의 단부면(3e) 및 능선부(3g, 3i, 3j)를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 도전성 페이스트에 포함되는 금속 성분(금속 분말)이 소결됨으로써 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 소결 금속층이다. 제1 전극층 E1은, 소체(3)에 형성된 소결 금속층이다. 본 실시 형태에서는, 제1 전극층 E1은, Cu를 포함하는 소결 금속층이다. 제1 전극층 E1은, Ni를 포함하는 소결 금속층이어도 된다. 제1 전극층 E1은, 비(卑)금속을 포함하고 있다. 도전성 페이스트는, 예를 들어 Cu 또는 Ni를 포함하는 분말, 유리 성분, 유기 바인더, 및 유기 용제를 포함하고 있다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)가 갖고 있는 제1 전극층 E1은, 일체적으로 형성되어 있다.
제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상에 부여된 도전성 수지를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상과 소체(3) 상에 걸쳐 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 제2 전극층 E2를 형성하기 위한 하지 금속층이다. 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1을 덮는 도전성 수지층이다. 도전성 수지는, 예를 들어 수지, 도전성 재료 및 유기 용매를 포함하고 있다. 수지는, 예를 들어 열경화성 수지이다. 도전성 재료는, 예를 들어 금속 분말이다. 금속 분말은, 예를 들어 Ag 분말 또는 Cu 분말이다. 열경화성 수지는, 예를 들어 페놀 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 또는 폴리이미드 수지이다. 제2 전극층 E2는, 능선부(3j)의 일부와 접하고 있다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)가 갖고 있는 제2 전극층 E2는, 일체적으로 형성되어 있다.
제3 전극층 E3은, 제2 전극층 E2 상에 도금법에 의해 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제3 전극층 E3은, 제2 전극층 E2 상에 Ni 도금에 의해 형성되어 있다. 제3 전극층 E3은, Ni 도금층이다. 제3 전극층 E3은, Sn 도금층, Cu 도금층, 또는 Au 도금층이어도 된다. 제3 전극층 E3은, Ni, Sn, Cu, 또는 Au를 포함하고 있다. Ni 도금층은, 제2 전극층 E2에 포함되는 금속보다도 내땜납 침출성이 우수하다. 제3 전극층 E3은, 제2 전극층 E2를 덮고 있다.
제4 전극층 E4는, 제3 전극층 E3 상에 도금법에 의해 형성되어 있다. 제4 전극층 E4는, 땜납 도금층이다. 본 실시 형태에서는, 제4 전극층 E4는, 제3 전극층 E3 상에 Sn 도금에 의해 형성되어 있다. 제4 전극층 E4는, Sn 도금층이다. 제4 전극층 E4는, Sn-Ag 합금 도금층, Sn-Bi 합금 도금층, 또는 Sn-Cu 합금 도금층이어도 된다. 제4 전극층 E4는, Sn, Sn-Ag 합금, Sn-Bi 합금, 또는 Sn-Cu 합금을 포함하고 있다.
제3 전극층 E3과 제4 전극층 E4는, 제2 전극층 E2에 형성되는 도금층 PL을 구성하고 있다. 본 실시 형태에서는, 도금층 PL은, 2층 구조를 갖고 있다. 도금층 PL은, 제2 전극층 E2를 덮고 있다. 제3 전극층 E3은, 최외층을 구성하는 제4 전극층 E4와, 제2 전극층 E2 사이에 위치하고 있는 중간 도금층이다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)가 갖고 있는 제3 전극층 E3은, 일체적으로 형성되어 있다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)가 갖고 있는 제4 전극층 E4는, 일체적으로 형성되어 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제2 전극층 E2는, 단부면(3e) 상에 위치하고 있는 영역 E21, 각 주면(3a) 상에 위치하고 있는 영역 E22, 및, 각 능선부(3g) 상에 위치하고 있는 영역 E23을 포함하고 있다. 영역 E21은, 전극부(5e)의 제2 전극층 E2이다. 영역 E22와 영역 E23은, 전극부(5a)의 제2 전극층 E2이다. 영역 E23은, 영역 E21과 영역 E22 사이에 위치하고 있다. 영역 E23은, 영역 E21과 영역 E22를 연결하고 있다. 영역 E21과 영역 E23이 연속되어 있으면서, 영역 E22와 영역 E23이 연속되어 있다. 제2 전극층 E2는, 단부면(3e)과 주면(3a)에 걸쳐 형성되어 있다. 예를 들어, 영역 E21이 제1 영역을 구성하는 경우, 영역 E22는 제2 영역을 구성하고, 영역 E23은 제3 영역을 구성한다.
영역 E21의 최대 두께 T1(㎛)과, 영역 E22의 최대 두께 T2(㎛)는,
T2/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있다. 최대 두께 T1과, 최대 두께 T2는,
T2/T1≥0.13
의 관계를 충족하고 있어도 된다. 최대 두께 T1과, 영역 E23의 최소 두께 T3(㎛)은,
T3/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있다. 최대 두께 T1과, 최소 두께 T3은,
T3/T1≥0.12
의 관계를 충족하고 있어도 된다. 최대 두께 T1은, 단부면(3e) 상에서의 제2 전극층 E2의 최대 두께이다. 최대 두께 T2는, 주면(3a) 상에서의 제2 전극층 E2의 최대 두께이다. 최소 두께 T3은, 능선부(3g) 상에서의 제2 전극층 E2의 최소 두께이다.
최대 두께 T1과, 최대 두께 T2는,
T2/T1≤0.54
의 관계를 충족하고 있어도 된다. 최대 두께 T1과, 최소 두께 T3은,
T3/T1≤0.43
의 관계를 충족하고 있어도 된다.
내층부(4a)와 외층부(4b)의 경계 BP에 대응하는 위치 상에서의 영역 E21의 두께 T4(㎛)와, 영역 E21의 최대 두께 T1은,
T4/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있다. 두께 T4와, 최대 두께 T1은,
T4/T1≥0.26
의 관계를 충족하고 있어도 된다. 두께 T4와, 최대 두께 T1은,
T4/T1≤0.55
의 관계를 충족하고 있어도 된다.
최대 두께 T2와, 최소 두께 T3과, 두께 T4는,
T4>T2
의 관계와,
T4>T3
의 관계를 충족하고 있다.
최대 두께 T1, 최대 두께 T2와, 최소 두께 T3과, 두께 T4는, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
제2 전극층 E2를 포함하는 적층 콘덴서 C1의 단면 사진을 취득한다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 측면(3c)에 평행이며, 또한, 한 쌍의 측면(3c)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 적층 콘덴서 C1을 절단하였을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득한 단면 사진 상에서의, 제2 전극층 E2의 각 두께 T1, T2, T3, T4를 산출한다. 최대 두께 T1은, 제3 방향 D3에서의 영역 E21의 두께의 최댓값이다. 최대 두께 T2는, 제1 방향 D1에서의 영역 E22의 두께의 최댓값이다. 최소 두께 T3은, 영역 E23의 두께의 최솟값이다. 영역 E23의 두께는, 예를 들어 능선부(3g)의 법선 방향에서의 두께이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제2 전극층 E2는, 각 측면(3c) 상에 위치하고 있는 영역 E24, 및, 각 능선부(3i) 상에 위치하고 있는 영역 E25도 포함하고 있다. 영역 E24와 영역 E25는, 전극부(5c)의 제2 전극층 E2이다. 영역 E25는, 영역 E21과 영역 E24 사이에 위치하고 있다. 영역 E25는, 영역 E21과 영역 E24를 연결하고 있다. 영역 E21과 영역 E25가 연속되어 있으면서, 영역 E24와 영역 E25가 연속되어 있다. 제2 전극층 E2는, 단부면(3e)과 측면(3c)에 걸쳐 형성되어 있다. 예를 들어, 영역 E21이 제1 영역을 구성하는 경우, 영역 E24는 제4 영역을 구성하고, 영역 E25는 제5 영역을 구성한다.
영역 E21의 최대 두께 T1(㎛)과, 영역 E24의 최대 두께 T5(㎛)는,
T5/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있다. 최대 두께 T1과, 최대 두께 T5는,
T5/T1≥0.13
의 관계를 충족하고 있어도 된다. 최대 두께 T1과, 영역 E25의 최소 두께 T6(㎛)은,
T6/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있다. 최대 두께 T1과, 최소 두께 T6은,
T6/T1≥0.12
의 관계를 충족하고 있어도 된다. 최대 두께 T5는, 측면(3c) 상에서의 제2 전극층 E2의 최대 두께이다. 최소 두께 T6은, 능선부(3i) 상에서의 제2 전극층 E2의 최소 두께이다.
영역 E21의 최대 두께 T1과, 영역 E24의 최대 두께 T5는,
T5/T1≤0.54
의 관계를 충족하고 있어도 된다. 영역 E21의 최대 두께 T1과, 영역 E25의 최소 두께 T6은,
T6/T1≤0.43
의 관계를 충족하고 있어도 된다. 본 실시 형태에서는, 최대 두께 T2와 최대 두께 T5는 동등하며, 최소 두께 T3과 최소 두께 T6은 동등하다. 동등은, 반드시, 값이 일치하고 있는 것만을 의미하는 것은 아니다. 미리 설정한 범위에서의 미세한 차이, 제조 오차, 또는 측정 오차가 값에 포함되어 있는 경우라도, 값이 동등하다고 보아도 된다.
최대 두께 T5 및 최소 두께 T6은, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
제2 전극층 E2를 포함하는 적층 콘덴서 C1의 단면 사진을 취득한다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 주면(3a)에 평행이며, 또한, 한 쌍의 주면(3a)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 적층 콘덴서 C1을 절단하였을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득한 단면 사진 상에서의, 제2 전극층 E2의 각 두께 T5, T6을 산출한다. 최대 두께 T5는, 제1 방향 D1에서의 영역 E24의 두께의 최댓값이다. 최소 두께 T6은, 영역 E25의 두께의 최솟값이다. 영역 E25의 두께는, 예를 들어 능선부(3i)의 법선 방향에서의 두께이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E22의 표면은, 주면(3a)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다. 영역 E22의 두께는, 영역 E22의 최대 두께 위치로부터 영역 E22의 단부 에지를 향하여 점차 얇게 되어 있다. 본 실시 형태에서는, 영역 E22의 두께의 변화에 기인하여, 영역 E22의 표면은 만곡되어 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 측면(3c) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E24의 표면은, 측면(3c)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다. 영역 E24의 두께는, 영역 E24의 최대 두께 위치로부터 영역 E24의 단부 에지를 향하여 점차 얇게 되어 있다. 본 실시 형태에서는, 영역 E24의 두께의 변화에 기인하여, 영역 E24의 표면은 만곡되어 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 방향 D1로부터 보아, 영역 E22의 단부 에지는, 만곡되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 방향 D1로부터 보아, 제3 방향 D3에서의 영역 E22의 길이는, 제2 방향 D2에서의 단부보다 제2 방향 D2에서의 중앙에서 길게 되어 있다. 제3 방향 D3에서의 영역 E22의 길이는, 제2 방향 D2에서의 중앙에서 가장 길고, 제2 방향 D2에서 단부를 향함에 따라 점차 짧게 되어 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제2 방향 D2로부터 보아, 영역 E24의 단부 에지는, 만곡되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제2 방향 D2로부터 보아, 제3 방향 D3에서의 영역 E24의 길이는, 제1 방향 D1에서의 단부보다 제1 방향 D1에서의 중앙에서 길게 되어 있다. 제3 방향 D3에서의 영역 E24의 길이는, 제1 방향 D1에서의 중앙에서 가장 길고, 제1 방향 D1에서 단부를 향함에 따라 점차 짧게 되어 있다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 도금층 PL(제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4)은, 영역 E22 상에 위치하고 있는 부분 PL1과, 영역 E24 상에 위치하고 있는 부분 PL2를 갖고 있다. 부분 PL1은, 단부 에지 PL1e를 갖고 있다. 부분 PL2는, 단부 에지 PL2e를 갖고 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 단부 에지 PL1e와 소체(3)(주면(3a)) 사이에는, 간극 G1이 존재하고 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 단부 에지 PL2e와 소체(3)(측면(3c)) 사이에는, 간극 G2가 존재하고 있다. 간극 G1, G2의 폭은, 예를 들어 0보다 크고 3㎛ 이하이다. 각 간극 G1, G2의 폭은, 동일해도 된다. 각 간극 G1, G2의 폭은, 달라도 된다.
여기서, 최대 두께 T1, 최대 두께 T2, 최소 두께 T3, 및 두께 T4의 관계에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명자들은, 최대 두께 T1의 범위, 최대 두께 T2의 범위, 최소 두께 T3의 범위, 및 두께 T4의 범위를 명백하게 하기 위해, 이하와 같은 시험을 행하였다. 즉, 본 발명자들은, 최대 두께 T1, 최대 두께 T2, 최소 두께 T3, 및 두께 T4가 다른 시료1 내지 11을 준비하고, 각 시료1 내지 11에 있어서의, 제2 전극층 E2에서의 박리의 발생률을 확인하였다. 그 결과를 도 8에 도시한다. 도 8은 각 시료에 있어서의 제2 전극층에서의 박리의 발생률을 도시하는 도표이다.
각 시료1 내지 11은 복수의 검체를 포함하는 로트이다. 각 시료1 내지 11의 검체는, 후술하는 바와 같이, 두께 T1, T2, T3, T4가 다른 점을 제외하고 동일한 구성을 갖고 있는 적층 콘덴서이다. 각 시료1 내지 11의 검체에서는, 소체(3)의 높이가 2.5㎜이며, 소체(3)의 폭이 2.5㎜이고, 소체(3)의 길이가 3.2㎜이다.
시료1의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 58㎛이고, 최대 두께 T2가 23㎛이며, 최소 두께 T3이 5㎛이고, 두께 T4가 5㎛이다.
시료2의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 80㎛이고, 최대 두께 T2가 9㎛이며, 최소 두께 T3이 6㎛이고, 두께 T4가 10㎛이다.
시료3의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 118㎛이고, 최대 두께 T2가 13㎛이며, 최소 두께 T3이 12㎛이고, 두께 T4가 14㎛이다.
시료4의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 120㎛이고, 최대 두께 T2가 13㎛이며, 최소 두께 T3이 13㎛이고, 두께 T4가 12㎛이다.
시료5의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 122㎛이고, 최대 두께 T2가 15㎛이며, 최소 두께 T3이 15㎛이고, 두께 T4가 13㎛이다.
시료6의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 121㎛이고, 최대 두께 T2가 16㎛이며, 최소 두께 T3이 14㎛이고, 두께 T4가 31㎛이다.
시료7의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 121㎛이고, 최대 두께 T2가 17㎛이며, 최소 두께 T3이 15㎛이고, 두께 T4가 47㎛이다.
시료8의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 125㎛이고, 최대 두께 T2가 25㎛이며, 최소 두께 T3이 32㎛이고, 두께 T4가 33㎛이다.
시료9의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 127㎛이고, 최대 두께 T2가 43㎛이며, 최소 두께 T3이 26㎛이고, 두께 T4가 53㎛이다.
시료10의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 102㎛이고, 최대 두께 T2가 52㎛이며, 최소 두께 T3이 37㎛이고, 두께 T4가 54㎛이다.
시료11의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 94㎛이고, 최대 두께 T2가 51㎛이며, 최소 두께 T3이 40㎛이고, 두께 T4가 52㎛이다.
제2 전극층 E2에서의 박리의 발생률은, 이하와 같이 하여 구해졌다.
시료1 내지 11마다, 12개의 검체가 선택되고, 선택된 검체가 항온 항습조에서 5시간 방치되었다. 항온 항습조 내에서는, 온도가 121℃이고, 상대 습도가 95％이다. 그 후, 검체에 대해, 질소 분위기 중에서 3회의 리플로우 시험이 실시되었다. 리플로우 시험에서는, 피크 온도가 260℃이다.
리플로우 시험 후에, 단부면(3e)에 직교하는 평면을 따라서 검체가 절단되고, 절단면에서의 제2 전극층 E2의 박리 유무가 눈으로 보아 확인되었다. 제2 전극층 E2에 박리가 발생한 검체의 수가 카운트되고, 제2 전극층 E2에서의 박리의 발생률(％)이 산출되었다.
상술한 시험의 결과, 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명자들은, 시료4 내지 11에서는, 시료1 내지 3에 비해, 제2 전극층 E2에서의 박리의 발생률이 대폭 저하되는 것을 확인하였다. 시료6 내지 10에서는, 제2 전극층 E2에 박리가 발생한 검체는 존재하지 않았다.
최대 두께 T1, 최대 두께 T5, 및 최소 두께 T6의 관계의 설명은 생략한다. 본 실시 형태에서는, 최대 두께 T2와 최대 두께 T5가 동등하고, 최소 두께 T3과 최소 두께 T6이 동등하므로, 최대 두께 T1, 최대 두께 T5, 및 최소 두께 T6의 관계가, 최대 두께 T1, 최대 두께 T2, 및 최소 두께 T3의 관계와 마찬가지인 것은 명확하다.
제2 전극층 E2를 덮고 있는 도금층 PL은, 제2 전극층 E2와 밀착되기 쉽기는 하지만, 소체(3)와는 밀착되기 어렵다. 따라서, 도금층 PL의 단부 에지 PL1e와 소체(3) 사이에는, 간극 G1이 존재한다. 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분이 가스화된 경우라도, 수분으로부터 발생한 가스가, 간극 G1에 이르면, 가스는, 간극 G1을 통해 외부 전극(5) 외부로 방출된다. 수분으로부터 발생한 가스가 외부 전극(5) 외부로 방출되므로, 제2 전극층 E2에 응력이 작용하기 어렵다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1과, 최대 두께 T2가,
T2/T1≥0.11
의 관계를 충족하고, 최대 두께 T1과 최소 두께 T3이,
T3/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있다. 따라서, 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 영역 E23 및 영역 E22를 거쳐, 간극 G1에 확실하게 이른다. 영역 E22는, 영역 E21보다 간극 G1에 가깝다. 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극 G1에 확실하게 이르는 것이라면, 영역 E22가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스도, 간극 G1에 확실하게 이른다.
적층 콘덴서 C1에서는, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는, 간극 G1에 확실하게 이른다. 간극 G1에 이른 가스는, 외부 전극(5) 외부로 방출되어, 제2 전극층 E2에 응력이 작용하기 어렵다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1과 최대 두께 T2는,
T2/T1≥0.13
의 관계를 충족하고 있다. 따라서, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 확실하게 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1과 최소 두께 T3은,
T3/T1≥0.12
의 관계를 충족하고 있다. 따라서, 적층 콘덴서 C1, 제2 전극층 E2의 박리를 확실하게 억제한다.
간극 G1은, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스의 출구이면서, 외부 전극(5) 내로의 수분의 입구이다. 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극 G1에 이르기까지의 경로는, 수분이 영역 E21에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 수분이 영역 E21에 이르면, 수분은 영역 E21에 흡수된다. 이 경우, 가스의 발생량이 증가될 우려가 있다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1과 최대 두께 T2는,
T2/T1≤0.54
의 관계를 충족하고 있으므로, 수분이 간극 G1로부터 침입하는 경우라도, 수분이 영역 E21에 이르기 어렵다. 따라서, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2(영역 E21)에 흡수되는 수분의 증가, 및, 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다. 최대 두께 T1과 최대 두께 T2가,
T2/T1≤0.51
의 관계를 충족하고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 확실하게 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1과 최소 두께 T3은,
T3/T1≤0.43
의 관계를 충족하고 있으므로, 수분이 간극 G1로부터 침입하는 경우라도, 수분이 영역 E21에 이르기 어렵다. 따라서, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2(영역 E21)에 흡수되는 수분의 증가, 및, 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다. 최대 두께 T1과 최소 두께 T3이,
T3/T1≤0.36
의 관계를 충족하고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 확실하게 억제한다.
영역 E21의, 내층부(4a)와 외층부(4b)의 경계 BP에 대응하는 위치는, 영역 E21의 단부 근방이며, 영역 E23에 가깝다. 따라서, 가스가, 제2 전극층 E2의, 경계 BP에 대응하는 위치를 통과하기 쉬우면, 가스는, 영역 E21로부터 영역 E23에 이르기 쉽다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1 및 두께 T4는,
T4/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있으므로, 가스가 영역 E21로부터 영역 E23에 보다 한층 더 확실하게 이른다. 따라서, 적층 콘덴서 C1에서는, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 더 확실하게 간극 G1에 이르므로, 제2 전극층 E2에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1 및 상기 두께 T4는,
T4/T1≥0.26
의 관계를 충족하고 있다. 따라서, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 확실하게 억제한다.
상술한 바와 같이, 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극 G1에 이르기까지의 경로는, 수분이 영역 E21에 이르는 경로가 될 우려가 있다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1 및 상기 두께 T4는,
T4/T1≤0.55
의 관계를 충족하고 있으므로, 수분이 간극 G1로부터 침입하는 경우라도, 수분이 영역 E21에 이르기 어렵다. 따라서, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2(영역 E21)에 흡수되는 수분의 증가, 및, 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다. 최대 두께 T1 및 상기 두께 T4가,
T4/T1≤0.53
의 관계를 충족하고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 확실하게 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T2, 최소 두께 T3 및 두께 T4는,
T4>T2
의 관계와,
T4>T3
의 관계를 충족하고 있으므로, 가스가 영역 E21로부터 영역 E22에 보다 한층 더 확실하게 이른다. 따라서, 적층 콘덴서 C1에서는, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 더 확실하게 간극 G1에 이르므로, 제2 전극층 E2에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E22의 표면은, 주면(3a)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다.
영역 E22의 표면이, 주면(3a)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E22의 두께가 국소적으로 얇아지기 어려우므로, 영역 E22에서의 가스의 이동 경로가, 당해 이동 경로의 도중에 좁아지기 어렵다. 따라서, 적층 콘덴서 C1은, 가스가 영역 E22를 이동하는 것을 저해하기 어렵다. 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 더 확실하게 간극 G1에 이른다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 측면(3c) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E24의 표면은, 측면(3c)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다.
영역 E24의 표면이, 측면(3c)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E24의 두께가 국소적으로 얇아지기 어려우므로, 영역 E24에서의 가스의 이동 경로가, 당해 이동 경로의 도중에서 좁아지기 어렵다. 따라서, 적층 콘덴서 C1은, 가스가 영역 E24를 이동하는 것을 저해하기 어렵다. 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 더 확실하게 간극 G2에 이른다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 제1 방향 D1로부터 보아, 영역 E22의 단부 에지가 만곡되어 있다.
영역 E22의 단부 에지가 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E22의 단부 에지가 직선형인 구성에 비해, 영역 E22의 단부 에지의 길이가 길다. 따라서, 적층 콘덴서 C1에서는, 가스가 나오는 영역이 커서, 가스가, 외부 전극(5)으로부터 보다 한층 더 방출되기 쉽다. 이 결과, 제2 전극층 E2에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다.
적층 콘덴서 C1에서는, 제2 방향 D2로부터 보아, 영역 E24의 단부 에지가 만곡되어 있다.
영역 E24의 단부 에지가 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E24의 단부 에지가 직선형인 구성에 비해, 영역 E24의 단부 에지의 길이가 길다. 따라서, 적층 콘덴서 C1에서는, 가스가 나오는 영역이 커서, 가스가, 외부 전극(5)으로부터 보다 한층 더 방출되기 쉽다. 이 결과, 제2 전극층 E2에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1과, 최대 두께 T5가,
T5/T1≥0.11
의 관계를 충족하고, 최대 두께 T1과 최소 두께 T6이,
T6/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있다. 상술한 바와 같이, 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 영역 E25 및 영역 E24를 거쳐, 간극 G2에 확실하게 이른다. 영역 E24는, 영역 E21보다 간극 G2에 가깝다. 따라서, 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극 G2에 확실하게 이르는 것이라면, 영역 E24가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스도, 간극 G2에 확실하게 이른다.
적층 콘덴서 C1에서는, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는, 간극 G2에 확실하게 이른다. 간극 G2에 이른 가스는, 외부 전극(5) 외부로 방출되어, 제2 전극층 E2에 응력이 작용하기 어렵다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1과 최대 두께 T5는,
T5/T1≥0.13
의 관계를 충족하고 있다. 따라서, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 확실하게 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1과 최소 두께 T6은,
T6/T1≥0.12
의 관계를 충족하고 있다. 따라서, 적층 콘덴서 C1, 제2 전극층 E2의 박리를 확실하게 억제한다.
간극 G2는, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스의 출구이면서, 외부 전극(5) 내로의 수분의 입구이다. 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극 G2에 이르기까지의 경로는, 수분이 영역 E21에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 수분이 영역 E21에 이르면, 수분은 영역 E21에 흡수된다. 이 경우, 가스의 발생량이 증가될 우려가 있다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1과 최대 두께 T5는,
T5/T1≤0.54
의 관계를 충족하고 있으므로, 수분이 간극 G2로부터 침입하는 경우라도, 수분이 영역 E21에 이르기 어렵다. 따라서, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2(영역 E21)에 흡수되는 수분의 증가, 및, 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다. 최대 두께 T1과 최대 두께 T5가,
T5/T1≤0.51
의 관계를 충족하고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 확실하게 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1과 최소 두께 T6은,
T6/T1≤0.43
의 관계를 충족하고 있으므로, 수분이 간극 G2로부터 침입하는 경우라도, 수분이 영역 E21에 이르기 어렵다. 따라서, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2(영역 E21)에 흡수되는 수분의 증가, 및, 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다. 최대 두께 T1과 최소 두께 T6이,
T6/T1≤0.36
의 관계를 충족하고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 확실하게 억제한다.
다음에, 도 9 및 도 10을 참조하여, 본 실시 형태의 변형예에 관한 적층 콘덴서의 구성을 설명한다. 도 9 및 도 10은, 외부 전극의 단면 구성을 도시하는 도면이다. 본 변형예에 관한 적층 콘덴서는, 대체로, 상술한 적층 콘덴서 C1과 유사하거나 또는 동일하지만, 본 변형예는, 제1 전극층 E1의 구성에 관하여, 상술한 실시 형태와 다르다. 이하, 상술한 실시 형태와 본 변형예의 상위점을 주로 하여 설명한다.
본 변형예에 관한 적층 콘덴서는, 적층 콘덴서 C1과 동일하게, 소체(3)와, 복수의 외부 전극(5)을 구비하고 있다. 각 외부 전극(5)은, 복수의 전극부(5a, 5c, 5e)를 갖고 있다. 각 외부 전극(5)은, 제1 전극층 E1, 제2 전극층 E2, 제3 전극층 E3, 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다. 도시는 생략하지만, 본 변형예에 관한 적층 콘덴서는, 복수의 내부 전극(7) 및 복수의 내부 전극(9)도 구비하고 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a) 상에 배치되어 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a)의 일부와 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 제1 전극층 E1은, 주면(3a)과 단부면(3e)에 걸쳐 형성되어 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a)의 일부와 접한다. 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다.
제3 방향 D3에서의 제1 전극층 E1의 단부 에지로부터 영역 E22의 단부 에지까지의 길이 L1은, 제3 방향 D3에서의 기준면 RP로부터 제1 전극층 E1의 단부 에지까지의 길이 L2보다 길다. 기준면 RP는, 단부면(3e)을 포함하는 면이다.
각 길이 L1, L2는, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
제1 전극층 E1 및 제2 전극층 E2를 포함하는 적층 콘덴서의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 측면(3c)에 평행하며, 또한, 한 쌍의 측면(3c)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 적층 콘덴서를 절단하였을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득한 단면 사진 상에서의, 각 길이 L1, L2가 산출된다.
도 10에 도시된 바와 같이, 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c) 상에 배치되어 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c)의 일부와 능선부(3i)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 제1 전극층 E1은, 측면(3c)과 단부면(3e)에 걸쳐 형성되어 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c)의 일부와 접한다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 단부면(3e) 근방의 일부 영역이다.
제3 방향 D3에서의 제1 전극층 E1의 단부 에지로부터 영역 E24의 단부 에지까지의 길이 L3은, 제3 방향 D3에서의 기준면 RP로부터 제1 전극층 E1의 단부 에지까지의 길이 L4보다 길다.
각 길이 L3, L4는, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
제1 전극층 E1 및 제2 전극층 E2를 포함하는 적층 콘덴서의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 주면(3a)에 평행이며, 또한, 한 쌍의 주면(3a)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 적층 콘덴서를 절단하였을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득한 단면 사진 상에서의, 각 길이 L3, L4가 산출된다.
소체(3)와 제2 전극층 E2의 밀착 정도는, 제1 전극층 E1과 제2 전극층 E2의 밀착 정도보다 낮다. 따라서, 제1 전극층 E1과 제2 전극층 E2의 계면은, 가스의 이동 경로에 기여하기 어렵지만, 소체(3)와 제2 전극층 E2의 계면은, 가스의 이동 경로로서 기여하기 쉽다.
길이 L1이 길이 L2보다 긴 구성에서는, 길이 L1이 길이 L2 이하인 구성에 비해, 가스의 이동 경로가 많다. 본 변형예에서는, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 간극 G1을 향하여 이동하기 쉽다. 따라서, 제2 전극층 E2에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 변형예는, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
길이 L3이 길이 L4보다 긴 구성에서는, 길이 L3이 길이 L4 이하인 구성에 비해, 가스의 이동 경로가 많다. 본 변형예에서는, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 간극 G2를 향하여 이동하기 쉽다. 따라서, 제2 전극층 E2에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 변형예는, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
본 명세서에서는, 어떤 요소가 다른 요소 상에 배치되어 있다고 기술되어 있는 경우, 어떤 요소는, 다른 요소 상에 직접 배치되어 있어도 되고, 다른 요소 상에 간접적으로 배치되어 있어도 된다. 어떤 요소가 다른 요소 상에 간접적으로 배치되어 있는 경우, 개재 요소가, 어떤 요소와 다른 요소 사이에 존재하고 있다. 어떤 요소가 다른 요소 상에 직접 배치되어 있는 경우, 개재 요소는, 어떤 요소와 다른 요소 사이에 존재하지 않는다.
본 명세서에서는, 어떤 요소가 다른 요소 상에 위치하고 있다고 기술되어 있는 경우, 어떤 요소는, 다른 요소 상에 직접 위치하고 있어도 되고, 다른 요소 상에 간접적으로 위치하고 있어도 된다. 어떤 요소가 다른 요소 상에 간접적으로 위치하고 있는 경우, 개재 요소가, 어떤 요소와 다른 요소 사이에 존재하고 있다. 어떤 요소가 다른 요소 상에 직접 위치하고 있는 경우, 개재 요소는, 어떤 요소와 다른 요소 사이에 존재하지 않는다.
본 명세서에서는, 어떤 요소가 다른 요소를 덮는다고 기술되어 있는 경우, 어떤 요소는, 다른 요소를 직접 덮고 있어도 되고, 다른 요소를 간접적으로 덮고 있어도 된다. 어떤 요소가 다른 요소를 간접적으로 덮고 있는 경우, 개재 요소가, 어떤 요소와 다른 요소 사이에 존재하고 있다. 어떤 요소가 다른 요소를 직접 덮고 있는 경우, 개재 요소는, 어떤 요소와 다른 요소 사이에 존재하지 않는다.
이상, 본 발명의 실시 형태 및 변형예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태 및 변형예에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
최대 두께 T1과, 최대 두께 T5는,
T5/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있지 않아도 된다. 최대 두께 T1과 최소 두께 T6은,
T6/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있지 않아도 된다. 최대 두께 T1과 최대 두께 T2가,
T2/T1≥0.11
의 관계를 충족하고, 최대 두께 T1과 최소 두께 T3이,
T3/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있으면, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 억제한다.
최대 두께 T1과 최대 두께 T5는,
T5/T1≤0.54
의 관계를 충족하고 있지 않아도 된다. 최대 두께 T1과 최대 두께 T2가,
T2/T1≤0.54
의 관계를 충족하고 있으면, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
최대 두께 T1과 최소 두께 T6은,
T6/T1≤0.43
의 관계를 충족하고 있지 않아도 된다. 최대 두께 T1과 최소 두께 T3이,
T3/T1≤0.43
의 관계를 충족하고 있으면, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
한 쌍의 주면(3a) 중 한쪽 주면(3a) 상에 위치하고 있는 영역 E22의 최대 두께 T2와, 최대 두께 T1이,
T2/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있으면 되고, 최대 두께 T1과, 상기 한쪽 주면(3a)과 단부면(3e) 사이의 능선부(3g) 상에 위치하고 있는 영역 E23의 최소 두께 T3이,
T3/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있으면 된다. 각 영역 E22의 최대 두께 T2와, 최대 두께 T1이,
T2/T1≥0.11
의 관계를 충족하고, 최대 두께 T1과, 각 영역 E23의 최소 두께 T3이,
T3/T1≥0.11
의 관계를 충족하고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
상기 한쪽 주면(3a) 상에 위치하고 있는 영역 E22의 최대 두께 T2와, 최대 두께 T1이,
T2/T1≤0.54
의 관계를 충족하고 있으면 된다. 각 영역 E22의 최대 두께 T2와, 최대 두께 T1이,
T2/T1≤0.54
의 관계를 충족하고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
최대 두께 T1과, 상기 한쪽 주면(3a)과 단부면(3e) 사이의 능선부(3g) 상에 위치하고 있는 영역 E23의 최소 두께 T3이,
T3/T1≤0.43
의 관계를 충족하고 있으면 된다. 최대 두께 T1과, 각 영역 E23의 최소 두께 T3이,
T3/T1≤0.43
의 관계를 충족하고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E22의 표면은, 주면(3a)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있지 않아도 된다. 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E22의 표면이, 주면(3a)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
측면(3c) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E24의 표면은, 측면(3c)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있지 않아도 된다. 측면(3c) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E24의 표면이, 측면(3c)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 보다 한층 더 억제한다.
제1 방향 D1로부터 보아, 영역 E22의 단부 에지가 만곡되어 있지 않아도 된다. 제1 방향 D1로부터 보아, 영역 E22의 단부 에지가 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 제2 전극층 E2에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다.
제2 방향 D2로부터 보아, 영역 E24의 단부 에지가 만곡되어 있지 않아도 된다. 제2 방향 D2로부터 보아, 영역 E24의 단부 에지가 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 제2 전극층 E2에 응력이 보다 한층 더 작용하기 어렵다.
본 실시 형태 및 본 변형예에서는, 전자 부품으로서 적층 콘덴서를 예로 들어 설명하였지만, 적용 가능한 전자 부품은, 적층 콘덴서에 한하지 않는다. 적용 가능한 전자 부품은, 예를 들어 적층 인덕터, 적층 배리스터, 적층 압전 액추에이터, 적층 서미스터, 혹은 적층 복합 부품 등의 적층 전자 부품, 또는, 적층 전자 부품 이외의 전자 부품이다.

Claims (12)

  1. 전자 부품이며,
    서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면과, 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면과 각각 인접하고 서로 대향하는 제1 단부면 및 제2 단부면을 갖고 있는 소체와,
    상기 제1 측면 및 상기 제1 단부면에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있고,
    상기 외부 전극은, 상기 제1 측면과 상기 제1 단부면에 걸쳐 형성되어 있는 도전성 수지층과, 상기 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고,
    상기 도전성 수지층은, 상기 제1 단부면 상에 위치하고 있는 제1 영역과, 상기 제1 측면 상에 위치하고 있는 제2 영역과, 상기 제1 단부면과 상기 제1 측면 사이의 능선부 상에 위치하고 있는 제3 영역을 포함하고,
    상기 제1 영역의 최대 두께가 T1(㎛)이고, 상기 제2 영역의 최대 두께가 T2(㎛)이며, 상기 제3 영역의 최소 두께가 T3(㎛)인 경우, 상기 최대 두께 T1과, 상기 최대 두께 T2는,
    0.54≥T2/T1≥0.11
    의 관계를 충족하고, 상기 최대 두께 T1과, 상기 최소 두께 T3은,
    0.43≥T3/T1≥0.11
    의 관계를 충족하는 전자 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 최대 두께 T1과, 상기 최대 두께 T2는,
    0.54≥T2/T1≥0.13
    의 관계를 충족하는 전자 부품.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 최대 두께 T1과, 상기 최소 두께 T3은,
    0.43≥T3/T1≥0.12
    의 관계를 충족하는 전자 부품.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 소체 내에 배치되어 있는 회로 요소를 더 구비하고,
    상기 소체는, 상기 회로 요소가 배치되어 있는 제1 부분과, 상기 회로 요소가 배치되어 있지 않은 제2 부분을 갖고,
    상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 경계에 대응하는 위치 상에서의 상기 제1 영역의 두께가 T4(㎛)인 경우, 상기 최대 두께 T1과, 상기 두께 T4는,
    0.55≥T4/T1≥0.11
    의 관계를 충족하는 전자 부품.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 최대 두께 T1과, 상기 두께 T4는,
    0.55≥T4/T1≥0.26
    의 관계를 충족하는 전자 부품.
  8. 삭제
  9. 제6항에 있어서,
    상기 최대 두께 T2와, 상기 최소 두께 T3과, 상기 두께 T4는,
    T4>T2
    의 관계와,
    T4>T3
    의 관계를 충족하는 전자 부품.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 측면 및 상기 제1 단부면에 직교하는 단면에 있어서, 상기 제2 영역의 표면은, 상기 제1 측면으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 전자 부품.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 외부 전극은, 상기 제1 측면과 상기 제1 단부면에 걸쳐 형성되어 있음과 함께 상기 도전성 수지층으로 덮여 있는 소결 금속층을 더 갖고,
    상기 제1 단부면을 포함하는 면을 기준면으로 하여, 상기 제1 단부면에 직교하는 방향에서의 상기 소결 금속층의 단부 에지로부터 상기 제2 영역의 단부 에지까지의 길이는, 상기 제1 단부면에 직교하는 상기 방향에서의 상기 기준면으로부터 상기 소결 금속층의 상기 단부 에지까지의 길이보다 긴 전자 부품.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 측면에 직교하는 방향으로부터 보아, 상기 제2 영역의 단부 에지는, 만곡되어 있는 전자 부품.
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