JP2022061641A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

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Abstract

【課題】抗折強度の向上が可能な積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】本発明の積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層１４と内部電極層１５とが交互に積層された積層体２、及び、積層体２の２つの端面のそれぞれに配置され、内部電極層１５と接続された外部電極３、を有するコンデンサ本体１Ａと、コンデンサ本体１Ａにおける積層方向の一面側に、２つの端面を結び且つ積層方向と交差する長さ方向に離間して対向配置された２つのインターポーザ４と、を備え、外部電極３は、一面側に、積層方向に突出した膨らみ部３６を有し、インターポーザ４は、端面側に凹部４１を有し、積層方向及び長さ方向と交差する幅方向の中心を通り、積層方向と長さ方向とに延びる断面上において、膨らみ部３６は、凹部４１よりも長さ方向の端面側に位置する。【選択図】図２

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
近年、大容量で、且つ小型の積層セラミックコンデンサが求められている。このような積層セラミックコンデンサは、誘電率の比較的高い強誘電体材料である誘電体層と内部電極とが交互に積み重ねられた内層部を有する。
そして、その内層部の上部と下部とに外層部としての誘電体層が配置されて直方体状の積層体が形成され、積層体の長手方向の両端面に外部電極が設けられてコンデンサ本体が形成される。
さらに、いわゆる「鳴き」の発生を抑制するために、コンデンサ本体における基板に実装される側に配置されるインターポーザを備える積層セラミックコンデンサが知られている（特許文献１参照）。
国際公開第２０１５／０９８９９０号公報
ここで、積層セラミックコンデンサは、実装基板が変形したときに、応力が加わり、破損する場合がある。
本発明は、抗折強度の向上が可能な積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために本発明は、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体、及び、前記積層体の２つの端面のそれぞれに配置され、前記内部電極層と接続された外部電極、を有するコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体における積層方向の一面側に、２つの前記端面を結び且つ前記積層方向と交差する長さ方向に離間して対向配置された２つのインターポーザと、を備え、前記外部電極は、前記一面側に、前記積層方向に突出した膨らみ部を有し、前記インターポーザは、前記端面側に凹部を有し、前記積層方向及び前記長さ方向と交差する幅方向の中心を通り、前記積層方向と前記長さ方向とに延びる断面上において、前記膨らみ部は、前記凹部よりも前記長さ方向の前記端面側に位置する、積層セラミックコンデンサを提供する。
本発明によれば、抗折強度の向上が可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。
積層セラミックコンデンサ１の概略斜視図である。 積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩ－ＩＩ線に沿った部分断面図である。 積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。 コンデンサ本体１Ａのそれぞれのタイプでの好ましい範囲を示した表である。 積層セラミックコンデンサ１をインターポーザ４が配置された側からみた図である。 インターポーザ４の斜視図である。 積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明するフローチャートである。 インターポーザ取付工程Ｓ３を説明する図である。 絶縁部材除去工程により絶縁部材５０が除去された場合の積層セラミックコンデンサ１の部分断面図である。 第１変形形態の積層セラミックコンデンサ１を説明する図である。 第２変形形態の積層セラミックコンデンサ１を説明する図である。
以下、本発明の実施形態について説明する。図１は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の概略斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩ－ＩＩ線に沿った部分断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。ＩＩ－ＩＩ線は、積層セラミックコンデンサ１の後述する幅方向Ｗの中央を通り、ＩＩＩ－ＩＩＩ線は、後述する長さ方向Ｌの中央を通る。
積層セラミックコンデンサ１は、略直方体形状で、積層体２と、積層体２の両端に設けられた一対の外部電極３とを備えるコンデンサ本体１Ａ、及び、コンデンサ本体１Ａに取り付けられたインターポーザ４を備える。また、積層体２は、誘電体層１４と内部電極層１５とを複数組含む内層部１１を含む。
以下の説明において、積層セラミックコンデンサ１の向きを表わす用語として、一対の外部電極３が設けられている方向を長さ方向Ｌとする。誘電体層１４と内部電極層１５とが積層されている方向を積層方向Ｔとする。長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも交差する方向を幅方向Ｗとする。なお、実施形態においては、幅方向Ｗは長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも直交している。
（積層体２の外表面）
また、積層体２の６つの外表面のうち、積層方向Ｔに相対する一対の外表面を積層体第１主面ＡＳ１と積層体第２主面ＡＳ２とし、幅方向Ｗに相対する一対の外表面を積層体第１側面ＢＳ１と積層体第２側面ＢＳ２とし、長さ方向Ｌに相対する一対の外表面を積層体第１端面ＣＳ１と積層体第２端面ＣＳ２とする。
なお、積層体第１主面ＡＳ１と積層体第２主面ＡＳ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて積層体主面ＡＳとし、積層体第１側面ＢＳ１と積層体第２側面ＢＳ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて積層体側面ＢＳとし、積層体第１端面ＣＳ１と積層体第２端面ＣＳ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて積層体端面ＣＳとして説明する。
（コンデンサ本体１Ａの外表面）
また、コンデンサ本体１Ａの６つの外表面のうち、積層方向Ｔに相対する一対の外表面をコンデンサ第１主面ＡＣ１とコンデンサ第２主面ＡＣ２とし、幅方向Ｗに相対する一対の外表面をコンデンサ第１側面ＢＣ１とコンデンサ第２側面ＢＣ２とし、長さ方向Ｌに相対する一対の外表面をコンデンサ第１端面ＣＣ１とコンデンサ第２端面ＣＣ２とする。
なお、コンデンサ第１主面ＡＣ１とコンデンサ第２主面ＡＣ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてコンデンサ主面ＡＣとし、コンデンサ第１側面ＢＣ１とコンデンサ第２側面ＢＣ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてコンデンサ側面ＢＣとし、コンデンサ第１端面ＣＣ１とコンデンサ第２端面ＣＣ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてコンデンサ端面ＣＣとして説明する。
（インターポーザ４の外表面）
また、インターポーザ４は、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとの２つ設けられているがそれぞれのインターポーザ４の６つの外表面のうち、積層方向Ｔに相対する一対の外表面のうちのコンデンサ本体１Ａ側の外表面をインターポーザ第１主面ＡＩ１とし、その反対側の外表面をインターポーザ第２主面ＡＩ２とする。
それぞれのインターポーザ４の、長さ方向Ｌに相対する一対の外表面であって、２つのインターポーザ４が互いに対向する側の面をインターポーザ第１端面ＣＩ１とし、その反対側の外表面をインターポーザ第２端面ＣＩ２とする。
それぞれのインターポーザ４において、幅方向Ｗに相対する一対の外表面であって、後述する図５で示すように、インターポーザ第２主面ＡＩ２を上としてインターポーザ第１端面ＣＩ１側から見たときに、右側となる面をインターポーザ第１側面ＢＩ１とし、左側となる面をインターポーザ第２側面ＢＩ２とする。
インターポーザ第１主面ＡＩ１はコンデンサ第２主面ＡＣ２側にあり、インターポーザ第１端面ＣＩ１は、２つの第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとで対向している面である。
なお、インターポーザ第１主面ＡＩ１とインターポーザ第２主面ＡＩ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてインターポーザ主面ＡＩとし、インターポーザ第１側面ＢＩ１とインターポーザ第２側面ＢＩ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてインターポーザ側面ＢＩとし、インターポーザ第１端面ＣＩ１とインターポーザ第２端面ＣＩ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてインターポーザ端面ＣＩとして説明する。
（積層体２）
積層体２は、角部Ｒ１及び稜線部Ｒ２に丸みがつけられていることが好ましい。角部Ｒ１は、積層体主面ＡＳと、積層体側面ＢＳと、積層体端面ＣＳとが交わる部分である。稜線部Ｒ２は、積層体２の２面、すなわち積層体主面ＡＳと積層体側面ＢＳ、積層体主面ＡＳと積層体端面ＣＳ、又は、積層体側面ＢＳと積層体端面ＣＳが交わる部分である。
積層体２は、内層部１１と、内層部１１の主面側に配置される外層部１２と、サイドギャップ部３０と、を備える。
（内層部１１）
内層部１１は、積層方向Ｔに沿って交互に積層された誘電体層１４と内部電極層１５とを複数組含む。
（誘電体層１４）
誘電体層１４は、セラミック材料で製造されている。セラミック材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電体セラミックが用いられる。また、セラミック材料として、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、ニッケル化合物等の副成分のうちの少なくとも１つを添加したものを用いてもよい。
（内部電極層１５）
内部電極層１５は、例えばニッケル、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等に代表される金属材料により形成されていることが好ましい。
また、内部電極層１５は、複数の第１内部電極層１５ａと、複数の第２内部電極層１５ｂとを備える。第１内部電極層１５ａと第２内部電極層１５ｂとは、交互に配置されている。なお、第１内部電極層１５ａと第２内部電極層１５ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて内部電極層１５として説明する。
内部電極層１５は、第１内部電極層１５ａと第２内部電極層１５ｂとで対向する対向部１５２と、対向部１５２から一方の積層体端面ＣＳ側に引き出された引き出し部１５１とを備える。引き出し部１５１の端部は、積層体端面ＣＳに露出し、外部電極３に電気的に接続されている。
引き出し部１５１が延びる方向は、第１内部電極層１５ａと第２内部電極層１５ｂとで異なり、積層体第１端面ＣＳ１側と積層体第２端面ＣＳ２側とに交互に引き出される。
そして、積層方向Ｔに隣り合う第１内部電極層１５ａと第２内部電極層１５ｂとの対向部１５２間に電荷が蓄積され、コンデンサの特性が発現する。
（外層部１２）
外層部１２は、内層部１１の誘電体層１４と同じ材料で製造されている。
（サイドギャップ部３０）
サイドギャップ部３０は、積層体における内部電極層１５が配置されている領域の両側の積層体側面ＢＳ側に設けられている。サイドギャップ部３０は、誘電体層１４と同じ材料で一体的に製造されている。
（外部電極３）
外部電極３は、積層体２の両側の積層体端面ＣＳに設けられている。外部電極３は、積層体端面ＣＳだけでなく、積層体主面ＡＳ及び積層体側面ＢＳの積層体端面ＣＳ側の一部も覆っている。上述のように、内部電極層１５の引き出し部１５１の端部は積層体端面ＣＳに露出し、外部電極３に電気的に接続されている。
（外部電極３の構造）
図２に示すように外部電極３は、銅電極層３１と、銅電極層３１の外側に設けられる導電性樹脂層３２と、導電性樹脂層３２の外側に設けられるニッケルメッキ層３３とを備え、さらにその外側に錫メッキ層３４を備える。
（銅電極層３１）
銅電極層３１は、例えば、導電性金属とガラスとを含む導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより形成される。銅電極層３１は、図２に示すように、積層体２両側の積層体端面ＣＳのみならず、積層体主面ＡＳ側まで延びて、積層体主面ＡＳの積層体端面ＣＳ側の一部も覆っている。
（導電性樹脂層３２）
導電性樹脂層３２は、銅電極層３１の外側に銅電極層３１を覆うように配置されている。導電性樹脂層３２は、熱硬化性樹脂と、金属成分と、を含む任意の構成である。熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。金属成分としては、例えばＡｇ、もしくは、卑金属粉の表面にＡｇコーティングされた金属粉を用いることができる。
導電性樹脂層３２は、熱硬化性樹脂を含むため、例えば、メッキ膜や導電性ペーストの焼成物からなる銅電極層３１よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層３２が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサ１にクラックが発生することを防止するとともに、圧電振動を吸収しやすく、「鳴き」の抑制効果を有する。
（隙間３５）
銅電極層３１と導電性樹脂層３２との間には、隙間３５が設けられている。隙間３５は、銅電極層３１が設けられた積層体端面ＣＳにおける、幅方向Ｗ及び積層方向Ｔの中央部において、銅電極層３１と導電性樹脂層３２との間の長さ方向Ｌの距離ｄが最も離れている。そして、積層体端面ＣＳの端部、すなわち積層体主面ＡＳ側又は積層体側面ＢＳ側に向かうにつれて銅電極層３１と導電性樹脂層３２との間の距離が短くなり、角部Ｒ１及び稜線部Ｒ２において隙間３５はほとんどなくなり、銅電極層３１と導電性樹脂層３２とが接触している。
このように、隙間３５の長さ方向Ｌの距離ｄが積層体端面ＣＳにおける、幅方向Ｗ及び積層方向Ｔの中央部において最も離れているので、外部電極３は、長さ方向Ｌ側に膨らんだ形状となる。
導電性樹脂層３２も、銅電極層３１と同様に積層体２両側の積層体端面ＣＳのみならず、積層体主面ＡＳ側まで延びて、積層体主面ＡＳの積層体端面ＣＳ側の一部も覆っている。
しかし、導電性樹脂層３２は、積層体主面ＡＳにおいて、銅電極層３１よりも長さ方向Ｌにおいて手前の積層体端面ＣＳ側で終わっている。すなわち、導電性樹脂層３２の積層体主面ＡＳ側に延びる長さは、銅電極層３１の積層体主面ＡＳ側に延びる長さ以下である。
（ニッケルメッキ層３３）
ニッケルメッキ層３３は、導電性樹脂層３２の外側に、導電性樹脂層３２を覆うように配置されている。ニッケルメッキ層３３は、ニッケル又はニッケルを含む合金のメッキからなる。
ニッケルメッキ層３３は、銅電極層３１と同様に積層体２両側の積層体端面ＣＳのみならず、積層体主面ＡＳ側まで延びて、積層体主面ＡＳの積層体端面ＣＳ側の一部も覆っている。ニッケルメッキ層３３は、積層体主面ＡＳにおいて、導電性樹脂層３２を超えて銅電極層３１とほぼ同じ位置まで延びている。
（膨らみ部３６）
ここで、このように、導電性樹脂層３２は、銅電極層３１と同様に積層体２両側の積層体端面ＣＳのみならず、積層体主面ＡＳ側まで延びて、積層体主面ＡＳの積層体端面ＣＳ側の一部も覆っているが、銅電極層３１ほどは積層体主面ＡＳ側に延びていない。
ゆえに、外部電極３は、ニッケルメッキ層３３の外側から見たときに導電性樹脂層３２が設けられている部分が、積層体主面ＡＳ側において積層方向Ｔに膨らんだ膨らみ部３６が形成される。
（錫メッキ層３４）
さらに、ニッケルメッキ層３３の外側に錫メッキ層３４が設けられている。錫メッキ層３４は錫又は錫を含む合金のメッキからなる。錫メッキ層３４は、後述するがニッケルメッキ層３３にインターポーザ４が取り付けられた状態で、インターポーザ４の後述の突部４０の非メッキ領域４５以外も含めた外側を覆っている。
なお、実施形態で錫又は錫を含む合金のメッキ層は、錫メッキ層３４の１層であるが、これに限らず、ニッケルメッキ層３３と錫メッキ層３４との間に、インターポーザ４は覆わずにニッケルメッキ層３３を覆う錫メッキ層をもう１層含む２層の錫メッキ層を有する構造であってもよい。
（コンデンサ本体１Ａのサイズ）
なお、実施形態でのコンデンサ本体１Ａは、タイプＡ、タイプＢ、タイプＣの三種類のサイズを有する。図４は、コンデンサ本体１Ａのそれぞれのタイプでの好ましい範囲を示した表である。
（タイプＡ）
タイプＡのコンデンサ本体１Ａの好ましい範囲は、表に示すように以下である。
長さ方向Ｌの長さ：０．９５～１．１５ｍｍ
幅方向Ｗの長さ：０．６２～０．６８ｍｍ
積層方向Ｔの長さ：０．６２～０．６８ｍｍ
誘電体層１４の積層方向Ｔの厚み：０．９８～１．０９μｍ
内部電極層１５の積層方向Ｔの厚み：０．６２～０．６８μｍ
誘電体層１４と内部電極層１５とのそれぞれの枚数：３５０～３８０枚
外層部１２の積層方向Ｔの厚み：１７～２３μｍ
内部電極層１５の長さ方向Ｌずれ量：４５～４８μｍ
サイドギャップ部３０の幅方向Ｗの長さ３２～４２μｍ
なお、内部電極層１５の長さ方向Ｌずれ量とは、交互に配置されている第１内部電極層１５ａと第２内部電極層１５ｂとのそれぞれの引き出し部１５１の長さに相当する。
（タイプＢ）
タイプＢのコンデンサ本体１Ａの好ましい範囲は、表に示すように以下である。
長さ方向Ｌの長さ：１．６２～１．７２ｍｍ
幅方向Ｗの長さ：０．８８～０．９６ｍｍ
積層方向Ｔの長さ：０．８９～０．９７ｍｍ
誘電体層１４の積層方向Ｔの厚み：１．３５～１．４５μｍ
内部電極層１５の積層方向Ｔの厚み：０．６７～０．７７μｍ
誘電体層１４と内部電極層１５とのそれぞれの枚数：３８６～４２６枚
外層部１２の積層方向Ｔの厚み：３５～４５μｍ
内部電極層１５の長さ方向Ｌずれ量：７２～７８μｍ
サイドギャップ部３０の幅方向Ｗの長さ：５２～６２μｍ
（タイプＣ）
タイプＣのコンデンサ本体１Ａの好ましい範囲は、表に示すように以下である。、
長さ方向Ｌの長さ：１．８１～２．０１ｍｍ
幅方向Ｗの長さ：１．２９～１．４９ｍｍ
積層方向Ｔの長さ：１．３２～１．４２ｍｍ
誘電体層１４の積層方向Ｔの厚み：１．８８～１．９６μｍ
内部電極層１５の積層方向Ｔの厚み：０．７３～０．８６μｍ
誘電体層１４と内部電極層１５とのそれぞれの枚数：４４０～４９０枚
外層部１２の積層方向Ｔの厚み：５２～６３μｍ
内部電極層１５の長さ方向Ｌずれ量：７２～８５μｍ
サイドギャップ部３０の幅方向Ｗの長さ：６３～７５μｍ
（インターポーザ４）
図５は、積層セラミックコンデンサ１をインターポーザ４が配置された側からみた図である。図６は、インターポーザ４の斜視図である。インターポーザ４は、一対の第１インターポーザ４Ａと、第２インターポーザ４Ｂとを備える。以下、第１インターポーザ４Ａと、第２インターポーザ４Ｂとを区別して説明する必要のない場合、インターポーザとして説明する。
コンデンサ本体１Ａのコンデンサ第２主面ＡＣ２における、長さ方向Ｌの一方のコンデンサ第１端面ＣＣ１側に第１インターポーザ４Ａが配置され、他方のコンデンサ第２端面ＣＣ２側に第２インターポーザ４Ｂが配置されている。第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとは同形であり、互いに対向し、一定の距離、離間して配置されている。
第１インターポーザ４Ａと、第２インターポーザ４Ｂとは離間しているが、その間は樹脂部材などの絶縁部材５０で接続されている。
（インターポーザ４の形状）
インターポーザ４は、銅又は銅合金である銅を含む材料で製造されており、直方体ブロック部に複数の凹部が設けられた形状を有する。
インターポーザ４のインターポーザ第１端面ＣＩ１側には、第３凹部４３が設けられることにより突部４０が形成され、インターポーザ第１端面ＣＩ１は、突部４０の先端の平坦な先端面４０ａと、第３凹部４３の曲面とを含む。
インターポーザ４のインターポーザ第２端面ＣＩ２側には、第１凹部４１と第２凹部が設けられ、インターポーザ第２端面ＣＩ２は、第１凹部４１の曲面と第２凹部４２の曲面とを含む。
（第３凹部４３）
第３凹部４３は、インターポーザ第１端面ＣＩ１インターポーザ第２主面ＡＩ２との間の稜線部を、湾曲する曲面で切り欠いたような形状である。
（突部４０）
このように第３凹部４３を形成することで、インターポーザ第１端面ＣＩ１の図中上部であるコンデンサ第２主面ＡＣ２側において、幅方向Ｗの略全長に渡って、長さ方向Ｌに突出した突部４０が形成されている。突部４０は、一方のインターポーザ４から他方のインターポーザ４側に延びる。
突部４０がインターポーザ第２主面ＡＩ２の端部から長さ方向Ｌに延びる、図６に示す長さＬＩは、５０μｍ以上１００μｍ以下である。
（突部４０の効果）
インターポーザ４を備える積層セラミックコンデンサ１は、インターポーザ４の分だけ基板との間に隙間がある。ゆえに、積層セラミックコンデンサ１は、基板が歪んだ時に、インターポーザ４と接触していない部分から折れ曲がる可能性がある。
しかし、実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、インターポーザ４に突部４０が設けられ、突部４０の上側は、インターポーザ第１主面ＡＩ１から面一で連続する平面である。
したがって、コンデンサ本体１Ａのコンデンサ第２主面ＡＣ２とインターポーザ４のインターポーザ第１主面ＡＩ１との接触領域が突部４０によって広げられている。
ゆえに、積層セラミックコンデンサ１は、抗折強度が向上し折れ曲がる可能性が低減される。
（第１凹部４１）
図５及び図６に示すようにインターポーザ４は、インターポーザ第２端面ＣＩ２側における、幅方向Ｗの中央部を中心とした一定範囲に、第１凹部４１が設けられている。
第１凹部４１は、さらにインターポーザ第１主面ＡＩ１側の上側第１凹部４１ａと、インターポーザ第２主面ＡＩ２側の下側第１凹部４１ｂとを有する。上側第１凹部４１ａと、下側第１凹部４１ｂとは積層方向Ｔに連続している。
上側第１凹部４１ａと下側第１凹部４１ｂとの内面は、図５で見たときに、それぞれ略楕円弧形状又は略円弧形状を有し、図２で見た断面においても、それぞれ略楕円弧形状又は略円弧形状を有し、すなわち第１曲面を有している。このように上側第１凹部４１ａと下側第１凹部４１ｂとの内面は曲面を有しているので、ハンダの上昇をより効率的に抑制することができる。
（第１凹部４１の効果）
このように第１凹部４１を有することにより以下の効果を有する。
インターポーザ４を備える積層セラミックコンデンサ１を実装基板に実装する際、ハンダが用いられる。この際、余剰ハンダが存在すると、インターポーザ４の外側にはみ出す可能性がある。しかし、実施形態のように第１凹部４１が設けられていると、余剰ハンダは第１凹部４１内に収容されるので、インターポーザ４の外側にはみ出す可能性が低減される。
また、第１凹部４１は２段構造であるので、余剰ハンダは、まず、下側第１凹部４１ｂを埋め、それでもまだ余剰ハンダが存在する場合、下側第１凹部４１ｂと上側第１凹部４１ａとの境界部を乗り越えて上側第１凹部４１ａに入り込む。
すなわち、実装基板とインターポーザ４とを接続するハンダが上側まで一気に上昇しにくい。ゆえに実装基板とコンデンサ本体１Ａとの間がハンダによって接続されることによる、いわゆる鳴きの発生の可能性が低減される。
また、図２に示し且つ上述したように、外部電極３は、コンデンサ主面ＡＣ側をニッケルメッキ層３３の外側から見たときに、導電性樹脂層３２が設けられている部分が、積層方向Ｔに突出した膨らみ部３６を有している。
この膨らみ部３６は、図２に示す積層セラミックコンデンサ１の幅方向Ｗの中央を通る断面において、第１凹部４１内に収まる寸法を有している。
（膨らみ部３６が第１凹部４１内に収まる効果）
例えば実装基板に力が加わって歪みが生じたときに膨らみ部３６が設けられていないと、インターポーザ４における、インターポーザ第１端面ＣＩ１とインターポーザ第１主面ＡＩ１との稜線部が、コンデンサ第２主面ＡＣ２を押圧して、コンデンサ本体１Ａにおける、この押圧されている部分に応力が集中する。
しかし、膨らみ部３６があると、コンデンサ本体１Ａにおいて、この膨らみ部３６のインターポーザ第２端面ＣＩ２側の側端部にも応力が加わりやすくなる。ゆえにコンデンサ本体１Ａにおける応力が集中する箇所が分散され、コンデンサ本体１Ａの抗折強度が向上する。
（第２凹部４２）
図６に示すようにインターポーザ４は、インターポーザ第２端面ＣＩ２側の第１凹部４１の幅方向Ｗの両側に、それぞれ第２凹部４２を有する。第２凹部４２は、インターポーザ４の積層方向Ｔの厚みの１／２の±１０％である。第２凹部４２の内面は、インターポーザ側面ＢＩ側からみたときに、略楕円弧形状又は略円弧形状を有し、すなわち第２曲面を有している。このように第２凹部４２の内面は曲面を有しているので、ハンダの上昇をより効率的に抑制することができる。
（第２凹部４２の効果）
このように第２凹部４２を有することによっても、実装基板とインターポーザ４とを接続するハンダが上側まで一気に上昇しにくい。ゆえに実装基板とコンデンサ本体１Ａとの間がハンダによって接続されることによる、いわゆる鳴きの発生の可能性が低減される。
（インターポーザ４のニッケルメッキ層４４）
インターポーザ４は、図２に示すように外周にニッケルメッキ層４４が形成されている。
ニッケルメッキ層４４は、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとを繋ぐ絶縁部材５０が存在している部分、すなわち、突部４０の先端面４０ａにおける、上側であるインターポーザ第１主面ＡＩ１側のコンデンサ本体１Ａ側の部分を覆っておらず、この領域は非メッキ領域４５となっている。突部４０の先端面４０ａは、この上側の非メッキ領域４５と、下側のメッキ領域４６とを有する。
（インターポーザ４とコンデンサ本体１Ａとの接合）
また、インターポーザ４の上面であるニッケルメッキ層４４が施されているインターポーザ第１主面ＡＩ１は、コンデンサ本体１Ａの下面であるコンデンサ第２主面ＡＣ２において、外部電極３のニッケルメッキ層３３とハンダＨで接合されている。
（インターポーザ４と外部電極３の錫メッキ）
コンデンサ本体１Ａの外部電極３とインターポーザ４との外周は、さらに、上述した錫メッキ層３４が形成されている。錫メッキ層３４は、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとを繋ぐ絶縁部材５０が存在している部分、すなわち突部４０のニッケルメッキ層４４が形成されていない非メッキ領域４５は覆っていない。
すなわち、錫メッキ層３４は、ニッケルメッキ層４４と同様に、突部４０の先端面４０ａにおける、上側であるインターポーザ第１主面ＡＩ１側の部分、すなわちコンデンサ本体１Ａ側の非メッキ領域４５を覆っていない。
（非メッキ領域４５に錫メッキ層３４が形成されていない効果）
第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとを繋ぐ絶縁部材５０が存在している部分は、ハンダが上昇できないので、実装基板とコンデンサ本体１Ａとの間がハンダによって接続されることによる、いわゆる鳴きの発生の可能性が低減される。
（凹部表面のメッキ）
なお、インターポーザ４のそれぞれの凹部の表面は、ニッケルメッキ層４４と錫メッキ層３４とで覆われている。
（インターポーザの配置位置）
上述したように、インターポーザ４の上面であるインターポーザ第１主面ＡＩ１は、コンデンサ本体１Ａの下面であるコンデンサ第２主面ＡＣ２において、外部電極３とハンダＨで接合されている。
図５に示すように、インターポーザの幅方向Ｗの寸法は、コンデンサ本体１Ａ体の幅方向Ｗの寸法より小さい。ここで、図中右下側に示す、第１インターポーザ４Ａの、インターポーザ第１側面ＢＩ１とコンデンサ第１側面ＢＣ１との間の幅方向Ｗの距離をＸ１とし、図中左下側に示す、第２インターポーザ４Ｂの、インターポーザ第２側面ＢＩ２とコンデンサ第１側面ＢＣ１との間の幅方向Ｗの距離をＸ２とし、図中左上側に示す、第２インターポーザ４Ｂの、インターポーザ第１側面ＢＩ１とコンデンサ第２側面ＢＣ２との間の幅方向Ｗの距離をＸ３とし、図中右上側に示す、第１インターポーザ４Ａのインターポーザ第２側面ＢＩ２とコンデンサ第２側面ＢＣ２との間の幅方向Ｗの距離をＸ４としたときに、
Ｘ２＞Ｘ３ 且つ Ｘ１＞Ｘ４ を満たす。
さらに、
Ｘ１／Ｘ４＊０．９＜Ｘ２／Ｘ３＜Ｘ１／Ｘ４＊１．１
を満たす。
すなわち、積層セラミックコンデンサ１において、下面側、すなわちコンデンサ第２主面ＡＣ２から見た平面視において、コンデンサ本体１Ａに対してインターポーザ４は、Ｘ２＞Ｘ３且つＸ１＞Ｘ４であるので幅方向Ｗに偏って配置されている。
しかし、コンデンサ本体１Ａの幅方向Ｗの中央を通り、長さ方向Ｌに延びる中心線に対して第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂのそれぞれの幅方向Ｗの中心を通り、長さ方向Ｌに延びる中心線の傾きは、Ｘ１／Ｘ４＊０．９＜Ｘ２／Ｘ３＜Ｘ１／Ｘ４＊１．１であるので、傾きの角度は小さく、両中心線は略平行である。
ただしこれに限らず、Ｘ２＝Ｘ３ 且つ Ｘ１＝Ｘ４であってもよい。
また、Ｘ２＝Ｘ３＝Ｘ１＝Ｘ４であってもよい。
なお、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４のいずれか１つは２０μｍ以下である。
（Ｘ２＞Ｘ３且つＸ１＞Ｘ４の効果）
このように、実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、Ｘ２＞Ｘ３且つＸ１＞Ｘ４を満たすので、積層セラミックコンデンサ１は、基板に実装する際に、基板に対する取り付け方向の特定が可能である。ゆえに、基板に対する取り付け方向の特定が必要な場合、容易に方向を特定することができる。
（積層セラミックコンデンサ１の製造方法）
次に、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。図７は、積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明するフローチャートである。
積層セラミックコンデンサ１の製造工程は、積層体製造工程Ｓ１と、外部電極形成工程Ｓ２と、インターポーザ取付工程Ｓ３とを備える。
（積層体製造工程Ｓ１）
まずセラミックスラリーがシート状に成形された積層用セラミックグリーンシートに導電体ペーストで内部電極層１５のパターンが印刷された素材シートが用意される。
そして、内部電極パターンが隣り合う素材シート間において長さ方向において半ピッチずつずれた状態になるように、複数の素材シートが積み重ねられる。
さらに、複数枚積層された素材シートの両側に、それぞれ外層部となる外層部用セラミックグリーンシートが積み重ねられ、熱圧着されることによりマザーブロック部材が形成される。
マザーブロック部材を、積層体の寸法に対応した切断線に沿って分割することで、複数の積層体２が製造される。
（外部電極形成工程Ｓ２）
次に、積層体２の両端部に、銅電極層３１、導電性樹脂層３２、ニッケルメッキ層３３が順次形成されて、外部電極３が形成される。
（銅電極層３１）
銅電極層３１は、例えば、導電性金属とガラスとを含む導電性ペーストを塗布、焼き付けることにより形成される。銅電極層３１は、図２に示すように、積層体２両側の積層体端面ＣＳのみならず、積層体主面ＡＳ側まで延びて、積層体主面ＡＳの積層体端面ＣＳ側の一部も覆うように形成する。
（導電性樹脂層３２）
導電性樹脂層３２を、銅電極層３１の外側に銅電極層３１を覆うように形成する。このとき、導電性樹脂層３２が積層体主面ＡＳ側に延びる長さは、銅電極層３１の積層体主面ＡＳ側に延びる長さ以下とする。
このように、導電性樹脂層３２は、銅電極層３１ほどは積層体主面ＡＳ側に延びていないので、外部電極３は、ニッケルメッキ層３３の外側から見たときに導電性樹脂層３２が設けられている部分が、積層体主面ＡＳ側において積層方向Ｔに膨らんだ膨らみ部３６が形成される。
（隙間３５）
また、銅電極層３１と導電性樹脂層３２との間に、隙間３５を設ける。隙間３５を、長さ方向Ｌの距離ｄが積層体端面ＣＳにおける、幅方向Ｗ及び積層方向Ｔの中央部において最も離れるように形成し、外部電極３を、長さ方向Ｌ側に膨らんだ形状とする。
（ニッケルメッキ層３３）
ニッケルメッキ層３３を、導電性樹脂層３２の外側に、導電性樹脂層３２を覆うように形成する。
ニッケルメッキ層３３が積層体主面ＡＳ側に延びる長さは、導電性樹脂層３２を超えて、銅電極層３１の積層体主面ＡＳ側に延びる長さと略同じ長さとする。
そして、設定された焼成温度で、窒素雰囲気中で所定時間加熱する。これにより、外部電極３が積層体２に焼き付けられてコンデンサ本体１Ａが製造される。
（インターポーザ取付工程Ｓ３）
図８はインターポーザ取付工程Ｓ３を説明する図である。図８（ａ）から（ｄ）において、上に示す図は上面図、下に示す図は側面図である。インターポーザ取付工程Ｓ３は、以下に示すインターポーザ製造工程Ｓ３１、インターポーザ接続工程Ｓ３２、ニッケルメッキ工程Ｓ３３、保持工程Ｓ３４、接続材配置工程Ｓ３５、コンデンサ載置工程Ｓ３６、保持部除去工程Ｓ３７、及び錫メッキ工程Ｓ３８を含む。
（インターポーザ製造工程Ｓ３１）
図８（ａ）で示し且つ先述したように、それぞれ銅製の直方体ブロック部材を切り欠いて、突部４０及び第１凹部４１、第２凹部４２及び第３凹部４３を形成して、一対の第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとを製造する。
（インターポーザ接続工程Ｓ３２）
図８（ｂ）で示すように、一対の第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとを絶縁部材５０を介して接続する。絶縁部材５０は、例えば板状のガラスエポキシであるが、これに限らず他の絶縁部材で製造されてもよい。
絶縁部材５０は、一対の第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂそれぞれの突部４０の先端であるインターポーザ第１端面ＣＩ１における、上側であるインターポーザ第１主面ＡＩ１側の部分に取り付けられる。
絶縁部材５０の長さは、積層体２の両側に設けられている２つの外部電極３の間の距離に対応している。２つの外部電極３の間の距離とは、図１に示すように一方の外部電極３の積層体側面ＢＳに延びている部分の端部と、他方の外部電極３の積層体側面ＢＳに延びている部分の端部との間の距離Ｌ２である。
（ニッケルメッキ工程Ｓ３３）
図８（ｃ）で示すように、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとにニッケルメッキ処理を行い、ニッケルメッキ層４４を形成する。このとき絶縁部材５０にはニッケルメッキ層４４は形成されない。
（保持工程Ｓ３４）
図８（ｄ）で示すように、ニッケルメッキ層４４が形成された第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂ、及び、両者を連結する絶縁部材５０を保持部５１上に配置して固定する。保持部５１は、シート部材や板状の板部材といった平面を有する部材である。
保持部５１は、後のコンデンサ本体１Ａに第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂを接合する際に、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂを所定位置に保持するための台座となる。
なお、本実施形態では含まないが、この保持工程Ｓ３４と次の接続材配置工程Ｓ３５との間に絶縁部材除去工程を設けてもよい。絶縁部材除去工程では、絶縁部材５０を、第１インターポーザ４Ａ及び第２インターポーザ４Ｂとから切り離して除去する。そうすると、インターポーザ４の突部４０の先端における、絶縁部材５０が切断された部分は、ニッケルメッキの非メッキ領域４５となる。
（接続材配置工程Ｓ３５）
図８（ｅ）で示すように、インターポーザ４と外部電極との接続用の接続材として例えばクリーム状のハンダＨをスクリーン印刷等でインターポーザ４上に配置する。
（コンデンサ載置工程Ｓ３６）
図８（ｆ）で示すように、保持部５１上に固定された第１インターポーザ４Ａ及び第２インターポーザ４Ｂの上にコンデンサ本体１Ａを載置する。
（絶縁部材５０で保持されていたことの効果）
ここで、保持部５１上の第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとの間の距離は、両者をつなぐ絶縁部材５０の長さである。
したがって、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとの上にコンデンサ本体１Ａが配置されたときに、一方の外部電極３の下に第１インターポーザ４Ａが配置され、他方の外部電極３の下に第２インターポーザ４Ｂが配置される。
ゆえに、外部電極３に対する第１インターポーザ４Ａ及び第２インターポーザ４Ｂの位置決めを容易に行うことができる。
（保持部除去工程Ｓ３７）
図８（ｇ）で示すように、インターポーザ４とコンデンサ本体１Ａの外部電極３とがハンダＨで接続されて形成されたものから、保持部５１を除去する。
（錫メッキ工程Ｓ３８）
図８（ｈ）で示すように、インターポーザ４上にコンデンサ本体１Ａが接続され、保持部５１が除去されたものに錫メッキ層３４を形成する。
ここで、突部４０の先端であるインターポーザ第１端面ＣＩ１における、上側であるインターポーザ第１主面ＡＩ１側の部分は、絶縁部材５０が存在するので、ニッケルメッキ層４４で覆われない非メッキ領域４５であり、錫メッキ層３４も形成されない。
以上により、図１に示す積層セラミックコンデンサ１が製造され、この後、実装基板に実装される。
なお、図９は、保持工程Ｓ３４と接続材配置工程Ｓ３５との間に絶縁部材除去工程が設けられ、絶縁部材５０が除去された場合の図２に相当する積層セラミックコンデンサ１の部分断面図である。絶縁部材５０が除去されても、除去された部分にはニッケルメッキ層４４が形成されていないので、錫メッキ工程Ｓ３８において錫メッキ層３４も形成されない。ゆえに突部４０の先端面４０ａにおける、上側であるインターポーザ第１主面ＡＩ１側の部分、すなわちコンデンサ本体１Ａ側の部分には非メッキ領域４５が存在する。
この実装時に、２つのインターポーザ４は絶縁部材５０で接続されているので、ハンダは絶縁部材５０を超えてコンデンサ本体１Ａまで上昇しない。ゆえに、コンデンサ本体１Ａから基板までハンダで接続されることがなく、「鳴き」が発生する可能性が低減される。
さらに、絶縁部材５０が存在する非メッキ領域４５は、ニッケルメッキ層４４及び錫メッキ層３４が形成されていないので、積層セラミックコンデンサ１としてのＥＳＲ（透過直列抵抗）を低減することができる。
また、実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、下面側、すなわちコンデンサ第２主面ＡＣ２から見た平面視において、コンデンサ本体１Ａに対してインターポーザ４は、Ｘ２＞Ｘ３且つＸ１＞Ｘ４であるので幅方向Ｗに偏って配置されている。
ゆえに、下面側から見たときに、積層セラミックコンデンサ１の幅方向Ｗの向きを特定可能である。
したがって、基板に実装する際に、幅方向Ｗの向きを選択することができる。
（変形形態）
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されない。
上述の実施形態においてインターポーザ４は、コンデンサ本体１Ａと平行に取り付けられている。すなわち、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂのそれぞれのインターポーザ主面ＡＩは互いに平行であって、同一水平面上に位置する。そして、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂのそれぞれのインターポーザ主面ＡＩは、コンデンサ主面ＡＣ及び積層体主面ＡＳと平行である。
ただし、これに限らず、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂのそれぞれのインターポーザ主面ＡＩは互いに平行でなくてもよい。そして、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂのそれぞれのインターポーザ主面ＡＩは、コンデンサ主面ＡＣ及び積層体主面ＡＳと平行でなくてもよい。
図９及び図１０は、変形形態を説明する図であり、第１インターポーザ４Ａのインターポーザ主面ＡＩと第２インターポーザ４Ｂのインターポーザ主面ＡＩとが互いに平行でなく、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂのそれぞれのインターポーザ主面ＡＩが、コンデンサ主面ＡＣ及び積層体主面ＡＳに対して傾いている形態を示す。
（第１変形形態）
図１０は、第１変形形態を示した図である。
図示するように、第１変形形態において、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとは、それぞれ、インターポーザ第１主面ＡＩ１と、それと逆側のインターポーザ第２主面ＡＩ２と有し、インターポーザ第１主面ＡＩ１とインターポーザ第２主面ＡＩ２とは平行である。そして、インターポーザ第１主面ＡＩ１は、インターポーザが互いに対向している側に向かってコンデンサ第２主面ＡＣ２に対して近づくように所定の角度で傾いている。すなわち、いわゆるハの字型である。なお、所定の角度は１０度以下が好ましい。
このような積層セラミックコンデンサ１は、例えは、上述の図８において、インターポーザ４とコンデンサ本体１Ａとを接合する際にハンダＨの位置を、インターポーザ主面ＡＩ上のインターポーザ第２端面ＣＩ２側に偏って配置することにより製造することができる。
（効果）
第１インターポーザ４Ａのインターポーザ第２主面ＡＩ２と、第２インターポーザ４Ｂのインターポーザ第２主面ＡＩ２とが積層セラミックコンデンサ１の基板への実装面となる。
ここで、この実装面が平坦の場合、基板に実装する場合、基板に対して積層セラミックコンデンサ１が横方向に滑る可能性があり、水平方向の位置決めが難しく、実装姿勢が安定しない場合がある。
しかし、本形態によると、実装面となる第１インターポーザ４Ａのインターポーザ第２主面ＡＩ２と、第２インターポーザ４Ｂのインターポーザ第２主面ＡＩ２とが、ハの字を形成するように互いに逆方向に傾いている。ゆえに、積層セラミックコンデンサ１が左右に移動しにくく、いわゆるセルフアライメント効果により実装姿勢が安定する。
（第２変形形態）
図１１は、第２変形形態を示した図である。
図示するように、第２変形形態において、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとは、それぞれ、インターポーザ第１主面ＡＩ１と、それと逆側のインターポーザ第２主面ＡＩ２と有し、インターポーザ第１主面ＡＩ１とインターポーザ第２主面ＡＩ２とは平行である。そして、インターポーザ第１主面ＡＩ１は、インターポーザが互いに対向している側に向かってコンデンサ第２主面ＡＣ２に対して離れるように所定の角度で傾いている。すなわち、いわゆる逆ハの字型である。なお、所定の角度は１０度以下が好ましい。
このような積層セラミックコンデンサ１は、例えは、上述の図８において、インターポーザ４とコンデンサ本体１Ａとを接合する際にハンダＨの位置を、インターポーザ主面ＡＩ上のインターポーザ第１端面ＣＩ１側に偏って配置することにより製造することができる。
（効果）
第１インターポーザ４Ａのインターポーザ第２主面ＡＩ２と、第２インターポーザ４Ｂのインターポーザ第２主面ＡＩ２とが積層セラミックコンデンサ１の基板への実装面となる。
ここで、この実装面が平坦の場合、基板に実装する場合、基板に対して積層セラミックコンデンサ１が横方向に滑る可能性があり、水平方向の位置決めが難しく、実装姿勢が安定しない場合がある。
しかし、本形態によると、実装面となる第１インターポーザ４Ａのインターポーザ第２主面ＡＩ２と、第２インターポーザ４Ｂのインターポーザ第２主面ＡＩ２とが、逆ハの字を形成するように互いに逆方向に傾いている。ゆえに、積層セラミックコンデンサ１が左右に移動しにくく、いわゆるセルフアライメント効果により実装姿勢が安定する。
ＡＣ コンデンサ主面
ＡＣ１ コンデンサ第１主面
ＡＣ２ コンデンサ第２主面
ＢＣ コンデンサ側面
ＢＣ１ コンデンサ第１側面
ＢＣ２ コンデンサ第２側面
ＣＣ コンデンサ端面
ＣＣ１ コンデンサ第１端面
ＣＣ２ コンデンサ第２端面

ＡＩ インターポーザ主面
ＡＩ１ インターポーザ第１主面
ＡＩ２ インターポーザ第２主面
ＢＩ インターポーザ側面
ＢＩ１ インターポーザ第１側面
ＢＩ２ インターポーザ第２側面
ＣＩ インターポーザ端面
ＣＩ１ インターポーザ第１端面
ＣＩ２ インターポーザ第２端面

ＡＳ 積層体主面
ＡＳ１ 積層体第１主面
ＡＳ２ 積層体第２主面
ＢＳ 積層体側面
ＢＳ１ 積層体第１側面
ＢＳ２ 積層体第２側面
ＣＳ 積層体端面
ＣＳ１ 積層体第１端面
ＣＳ２ 積層体第２端面

Ｈ ハンダ
Ｔ 積層方向
Ｗ 幅方向
Ｌ 長さ方向
１ 積層セラミックコンデンサ
１Ａ コンデンサ本体
２ 積層体
１１ 内層部
１２ 外層部
１４ 誘電体層
１５ 内部電極層
１５ａ 第１内部電極層
１５ｂ 第２内部電極層
３０ サイドギャップ部

３ 外部電極
３１ 銅電極層
３２ 導電性樹脂層
３３ ニッケルメッキ層
３４ 錫メッキ層
３５ 隙間
３６ 膨らみ部
３７ 錫メッキ

４ インターポーザ
４Ａ 第１インターポーザ
４Ｂ 第２インターポーザ
４０ 突部
４０ａ 先端面
４１ 第１凹部
４１ａ 上側第１凹部
４１ｂ 下側第１凹部
４２ 第２凹部
４３ 第３凹部
４４ ニッケルメッキ層
４５ 非メッキ領域
５０ 絶縁部材
５１ 保持部

Claims (14)

  1. 誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体、及び、前記積層体の２つの端面のそれぞれに配置され、前記内部電極層と接続された外部電極、を有するコンデンサ本体と、
    前記コンデンサ本体における積層方向の一面側に、２つの前記端面を結び且つ前記積層方向と交差する長さ方向に離間して対向配置された２つのインターポーザと、を備え、
    前記外部電極は、前記一面側に、前記積層方向に突出した膨らみ部を有し、
    前記インターポーザは、前記端面側に凹部を有し、
    前記積層方向及び前記長さ方向と交差する幅方向の中心を通り、前記積層方向と前記長さ方向とに延びる断面上において、前記膨らみ部は、前記凹部よりも前記長さ方向の前記端面側に位置する、
    積層セラミックコンデンサ。
  2. 前記外部電極は、
    銅電極層と、
    前記銅電極層の外側に配置された導電性樹脂層とを備え、
    前記導電性樹脂層は、前記端面から前記長さ方向に延びる長さが前記銅電極層よりも短く、
    前記膨らみ部は、前記導電性樹脂層が前記端面から前記長さ方向に延びる部分に形成されている、
    請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
  3. 前記誘電体層の厚みは、２．０μｍ以下である、
    請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
  4. 前記内部電極層の厚みは、０．９μｍ以下である、
    請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  5. 前記外部電極は、
    銅電極層と、
    前記銅電極層の外側に配置された導電性樹脂層とを備え、
    前記銅電極層と前記導電性樹脂層との間に隙間が設けられている、
    請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  6. 前記誘電体層と前記内部電極層とが積層されている方向を積層方向、前記端面を結ぶ方向を長さ方向、前記積層方向と前記長さ方向と交差する方向を幅方向としたときに、
    前記コンデンサ本体は、
    前記積層方向の長さが０．６２～０．６８ｍｍ、
    前記長さ方向の長さが０．９５～１．１５ｍｍ、
    前記幅方向の長さが０．６２～０．６８ｍｍである、
    請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  7. 前記誘電体層と前記内部電極層とが積層されている方向を積層方向、前記端面を結ぶ方向を長さ方向、前記積層方向と前記長さ方向と交差する方向を幅方向としたときに、
    前記誘電体層の前記積層方向の厚みが０．９８～１．０９μｍ、
    前記内部電極層の前記積層方向の厚みが０．６２～０．６８μｍである、
    請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  8. 前記誘電体層と前記内部電極層とが積層されている方向を積層方向、前記端面を結ぶ方向を長さ方向、前記積層方向と前記長さ方向と交差する方向を幅方向としたときに、
    前記積層体は、前記誘電体層と内部電層とが交互に積層された内層部と、前記内層部の積層方向の両側にそれぞれに配置された外層部と、前記内層部及び前記外層部における前記幅方向の両側にそれぞれ配置されたサイドギャップ部と、を備え、
    前記外層部の前記積層方向の厚みが１７～２３μｍ、
    前記誘電体層と前記内部電極層とのそれぞれの枚数が３５０～３８０枚、
    前記内部電極層の前記長さ方向のずれ量が４５～４８μｍ、
    前記サイドギャップ部の前記幅方向の長さが３２～４２μｍである、
    請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  9. 前記誘電体層と前記内部電極層とが積層されている方向を積層方向、前記端面を結ぶ方向を長さ方向、前記積層方向と前記長さ方向と交差する方向を幅方向としたときに、
    前記コンデンサ本体は、
    前記積層方向の長さが０．８９～０．９７ｍｍ、
    前記長さ方向の長さが１．６２～１．７２ｍｍ、
    前記幅方向の長さが０．８８～０．９６ｍｍである、
    請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  10. 前記誘電体層と前記内部電極層とが積層されている方向を積層方向、前記端面を結ぶ方向を長さ方向、前記積層方向と前記長さ方向と交差する方向を幅方向としたときに、
    前記誘電体層の前記積層方向の厚みが１．３５～１．４５μｍ、
    前記内部電極層の前記積層方向の厚みが０．６７～０．７７μｍである、
    請求項１から請求項５及び請求項９のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  11. 前記誘電体層と前記内部電極層とが積層されている方向を積層方向、前記端面を結ぶ方向を長さ方向、前記積層方向と前記長さ方向と交差する方向を幅方向としたときに、
    前記積層体は、前記誘電体層と内部電層とが交互に積層された内層部と、前記内層部の積層方向の両側にそれぞれに配置された外層部と、前記内層部及び前記外層部における前記幅方向の両側にそれぞれ配置されたサイドギャップ部と、を備え、
    前記外層部の前記積層方向の厚みが３５～４５μｍ、
    前記誘電体層と前記内部電極層とのそれぞれの枚数が３８６～４２６枚、
    前記内部電極層の前記長さ方向のずれ量が７２～７８μｍ、
    前記サイドギャップ部の前記幅方向の長さが５２～６２μｍである、
    請求項１から請求項５、請求項９及び請求項１０のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  12. 前記誘電体層と前記内部電極層とが積層されている方向を積層方向、前記端面を結ぶ方向を長さ方向、前記積層方向と前記長さ方向と交差する方向を幅方向としたときに、
    前記コンデンサ本体は、
    前記積層方向の長さが１．３２～１．４２ｍｍ、
    前記長さ方向の長さが１．８１～２．０１ｍｍ、
    前記幅方向の長さが１．２９～１．４９ｍｍである、
    請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  13. 前記誘電体層と前記内部電極層とが積層されている方向を積層方向、前記端面を結ぶ方向を長さ方向、前記積層方向と前記長さ方向と交差する方向を幅方向としたときに、
    前記誘電体層の積層方向の厚みが１．８８～１．９６μｍ
    前記内部電極層の前記積層方向の厚みが０．７３～０．８６μｍである、
    請求項１から請求項５及び請求項１２のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  14. 前記誘電体層と前記内部電極層とが積層されている方向を積層方向、前記端面を結ぶ方向を長さ方向、前記積層方向と前記長さ方向と交差する方向を幅方向としたときに、
    前記積層体は、前記誘電体層と内部電層とが交互に積層された内層部と、前記内層部の積層方向の両側にそれぞれに配置された外層部と、前記内層部及び前記外層部における前記幅方向の両側にそれぞれ配置されたサイドギャップ部と、を備え、
    前記外層部の積層方向の厚みが５２～６３μｍ、
    前記誘電体層と前記内部電極層とのそれぞれの枚数が４４０～４９０枚、
    前記内部電極層の前記長さ方向のずれ量が７２～８５μｍ、
    前記サイドギャップ部の前記幅方向の長さが６３～７５μｍである、
    請求項１から請求項５、請求項１２及び請求項１３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
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