JP7358828B2 - 電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品に関する。

互いに隣り合う側面と端面とを有している素体と、側面及び端面に配置されている外部電極と、を備えている電子部品が知られている（たとえば、特許文献１参照）。外部電極は、側面と端面とにわたって設けられている導電性樹脂層と、導電性樹脂層を覆っているめっき層と、を有している。

特開平５－１４４６６５号公報

導電性樹脂層は、一般に、樹脂と、導電性を有する粒子とを含んでいる。樹脂は、水分を吸収する傾向にある。電子部品が電子機器にはんだ実装される場合、樹脂に吸収された水分がガス化して、体積膨張することがある。この場合、導電性樹脂層に応力が作用して、導電性樹脂層に亀裂が生じ、導電性樹脂層が剥離するおそれがある。導電性を有する粒子は、たとえば、金属からなる。電子機器は、たとえば、回路基板又は電子部品を含む。

本発明の一つの態様は、導電性樹脂層の剥離を抑制する電子部品を提供することを目的とする。

一つの態様に係る電子部品は、互いに隣り合う側面と端面とを有している素体と、側面及び端面に配置されている外部電極と、を備えている。外部電極は、側面と端面とにわたって設けられていると共に複数の空隙が存在している導電性樹脂層と、導電性樹脂層を覆っているめっき層と、を有している。導電性樹脂層は、端面上に位置している第一領域と、側面上に位置している第二領域と、端面と側面との間の稜線部上に位置している第三領域とを含んでいる。第一領域の最大厚みがＴ１（μｍ）であり、第二領域の最大厚みがＴ２（μｍ）である場合、最大厚みＴ１と、最大厚みＴ２とは、
Ｔ２／Ｔ１≧０．１１
の関係を満たしている。第一領域の厚み方向に沿う断面において、第一領域での空隙の総面積は、第一領域の面積の５．０～３６．０％の範囲内である。第二領域の厚み方向に沿う断面において、第二領域での空隙の総面積は、第二領域の面積の５．０～３６．０％の範囲内である。

本発明者らの調査研究の結果、以下の事項が判明した。
導電性樹脂層を覆っているめっき層は、導電性樹脂層と密着しやすいものの、素体とは密着しがたい。したがって、めっき層の端縁と素体との間には、間隙が存在する。樹脂に吸収された水分がガス化した場合でも、水分から発生したガスが、複数の空隙から、めっき層の端縁と素体との間の間隙に至ると、ガスは、間隙を通して外部電極外に放出される。水分から発生したガスが外部電極外に放出されるので、導電性樹脂層に応力が作用しがたい。以下、めっき層の端縁と素体との間の間隙は、単に「間隙」と称される。

本発明者らは、水分から発生したガスが間隙に確実に至る構成について、更なる調査研究を行った。
導電性樹脂層の第二領域は、間隙に近いので、第二領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙に至りやすい。これに対し、第一領域は、間隙から離れているので、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙に至りがたい。したがって、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスを外部電極外に放出するためには、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に確実に至る構成の実現が望まれる。第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に確実に至るのであれば、第二領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスも、間隙に確実に至る。

本発明者らは、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に至るまでの経路に着目した。この結果、本発明者らは、第一領域の厚みと第二領域の厚みとが所望の関係を満たす場合に、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に確実に至ることを見出した。すなわち、第一領域の最大厚みＴ１と、第二領域の最大厚みＴ２とが、
Ｔ２／Ｔ１≧０．１１
の関係を満たす場合、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、第二領域を経て、間隙に確実に至る。

したがって、上記一つの態様では、導電性樹脂層（第一領域）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙に確実に至る。間隙に至ったガスは、外部電極外に放出され、導電性樹脂層に応力が作用しがたい。この結果、上記一つの態様は、導電性樹脂層の剥離を抑制する。

上記一つの態様では、第一領域の厚み方向に沿う断面において、第一領域での空隙の総面積は、第一領域の面積の５．０～３６．０％の範囲内であると共に、第二領域の厚み方向に沿う断面において、第二領域での空隙の総面積は、第二領域の面積の５．０～３６．０％の範囲内である。
上述したように、水分から発生したガスは、複数の空隙から、間隙に至る。
第一領域の厚み方向に沿う断面において、第一領域での空隙の総面積が、第一領域の面積の５．０％より小さい場合、及び、第二領域の厚み方向に沿う断面において、第二領域での空隙の総面積が、第二領域の面積の５．０％より小さい場合、水分から発生したガスが空隙内を移動しがたくなるおそれがある。第一領域の厚み方向に沿う断面において、第一領域での空隙の総面積が、第一領域の面積の３６．０％より大きい場合、及び、第二領域の厚み方向に沿う断面において、第二領域での空隙の総面積が、第二領域の面積の３６．０％より大きい場合、導電性樹脂層に水分が浸入しやすく、ガスの発生量が増加するおそれがある。
したがって、上記一つの態様では、ガスの発生量の増加を抑制しつつ、第一領域及び第二領域でのガスの移動が阻害されるのを抑制する。

上記一つの態様では、最大厚みＴ１と、最大厚みＴ２とは、
Ｔ２／Ｔ１≦０．４８
の関係を満たしてもよい。

本発明者らの調査研究の結果、以下の事項も判明した。
間隙は、導電性樹脂層が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスの出口であると共に、外部電極内への水分の入口である。第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に至るまでの経路は、水分が第一領域に至る経路となるおそれがある。水分が第一領域に至ると、水分は第一領域に吸収される。この場合、ガスの発生量が増加するおそれがある。したがって、水分が第一領域に吸収されるのを抑制するためには、水分が第一領域に至りがたい構成の実現が望まれる。

本発明者らは、第一領域の厚み、及び、第二領域の厚みが所望の関係を満たす場合に、水分が第一領域に至りがたいことを見出した。すなわち、最大厚みＴ１と、最大厚みＴ２とが、
Ｔ２／Ｔ１≦０．４８
の関係を満たす場合、水分が間隙から浸入する場合でも、水分が第一領域に至りがたい。したがって、本構成は、導電性樹脂層（第一領域）に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。

上記一つの態様では、第三領域の最小厚みがＴ３（μｍ）である場合、最大厚みＴ１と、最小厚みＴ３とは、
Ｔ３／Ｔ１≧０．０８
の関係を満たしてもよい。

本発明者らの調査研究の結果、以下の事項も判明した。
第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスを、より一層確実に間隙に至らせるためには、ガスが第三領域をより一層移動しやすい構成の実現が望まれる。

本発明者らは、第一領域の厚み、及び、第三領域の厚みが、所望の関係を満たす場合に、ガスが第三領域をより一層移動しやすいことを見出した。すなわち、第一領域の最大厚みＴ１と、第三領域の最小厚みＴ３とが、
Ｔ３／Ｔ１≧０．０８
の関係を満たす場合、ガスが第三領域を移動しやすい。したがって、本構成では、導電性樹脂層（第一領域）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙に至るので、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。

上記一つの態様では、最大厚みＴ１と、最小厚みＴ３とは、
Ｔ３／Ｔ１≦０．３７
の関係を満たしてもよい。

本発明者らの調査研究の結果、以下の事項も判明した。
上述したように、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に至るまでの経路は、水分が第一領域に至る経路となるおそれがある。すなわち、第三領域は、水分が通る経路上に位置している。したがって、水分が第一領域に吸収されるのを抑制するためには、水分が、第三領域を経て、第一領域に至りがたい構成の実現が望まれる。

本発明者らは、第一領域の厚み、及び、第三領域の厚みが、所望の関係を満たす場合に、水分が第一領域に至りがたいことを見出した。すなわち、最大厚みＴ１と、上記厚みＴ３とが、
Ｔ３／Ｔ１≦０．３７
の関係を満たす場合、水分が間隙から浸入する場合でも、水分が、第三領域を経て、第一領域に至りがたい。したがって、本構成は、導電性樹脂層（第一領域）に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。

上記一つの態様では、第三領域の厚み方向に沿う断面において、第三領域での空隙の総面積は、第三領域の面積の３．０～１１．０％の範囲内であってもよい。

上述したように、水分から発生したガスは、複数の空隙から、間隙に至る。
第三領域の厚み方向に沿う断面において、第三領域での空隙の総面積が、第三領域の面積の３．０％より小さい場合、水分から発生したガスが、第三領域に存在している空隙内を移動しがたくなるおそれがある。第三領域の厚み方向に沿う断面において、第三領域での空隙の総面積が、第三領域の面積の１１．０％より大きい場合、第三領域を経て第二領域から第一領域に水分が浸入しやすく、ガスの発生量がより一層増加するおそれがある。
したがって、本構成では、ガスの発生量の増加を確実に抑制しつつ、第三領域でのガスの移動が阻害されるのを確実に抑制する。

上記一つの態様では、側面及び端面に直交する断面において、第二領域の表面は、側面から離れる方向に凸状に湾曲していてもよい。
本構成では、第二領域の厚みが局所的に小さくなることはない。したがって、第二領域でのガスの移動経路が、当該移動経路の途中で狭まることはなく、本構成は、ガスが第二領域を移動するのを阻害しない。この結果、導電性樹脂層が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙に至るので、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。

上記一つの態様では、外部電極は、側面と端面とにわたって設けられていると共に導電性樹脂層に覆われている焼結金属層を更に有していてもよい。端面を含む面を基準面として、端面に直交する方向での焼結金属層の端縁から第二領域の端縁までの長さは、端面に直交する方向での基準面から焼結金属層の端縁までの長さより大きくてもよい。

本発明者らの調査研究の結果、以下の事項も判明した。
素体と導電性樹脂層との密着度合いは、焼結金属層と導電性樹脂層との密着度合いより低い。したがって、焼結金属層と導電性樹脂層との界面は、ガスの移動経路に寄与しがたいものの、素体と導電性樹脂層との界面は、ガスの移動経路として寄与しやすい。

本発明者らは、焼結金属層と導電性樹脂層との界面の長さ、及び、素体と導電性樹脂層との界面の長さに着目した。この結果、本発明者らは、端面に直交する方向での上記基準面から焼結金属層の端縁までの長さ、及び、端面に直交する方向での焼結金属層の端縁から第二領域の端縁までの長さが所望の関係を満たす場合に、ガスの移動経路が増加することを見出した。端面に直交する方向での焼結金属層の端縁から第二領域の端縁までの長さは、端面に直交する方向での上記基準面から焼結金属層の端縁までの長さより大きい場合、ガスの移動経路が増加する。したがって、本構成では、導電性樹脂層が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、間隙に向けて移動しやすいので、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。

上記一つの態様では、側面に直交する方向から見て、第二領域の端縁は、湾曲していてもよい。
本構成では、第二領域の端縁が直線状である構成に比して、第二領域の端縁の長さが大きい。したがって、本構成では、ガスが出る領域が大きく、ガスが、外部電極からより一層放出されやすい。この結果、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。

上記一つの態様では、上記側面は、実装面を構成してもよい。
電子部品が電子機器にはんだ実装されている場合、電子機器から電子部品に作用する外力が、素体に応力として作用することがある。外力は、はんだ実装の際に形成されたはんだフィレットから外部電極を通して素体に作用する。この場合、素体にクラックが発生するおそれがある。外力は、たとえば、素体における、実装面を構成する面に作用する傾向がある。
本構成では、第二領域が、実装面を構成する側面上に位置しているので、電子機器から電子部品に作用する外力が素体に作用しがたい。したがって、本構成は、クラックが素体に発生するのを抑制する。

本発明の一つの態様によれば、導電性樹脂層の剥離を抑制する電子部品が提供される。

一実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 外部電極の断面構成を示す図である。 外部電極の断面構成を示す図である。 素体と第二電極層とを示す平面図である。 素体と第二電極層とを示す平面図である。 各試料における第二電極層での剥離の発生率を示す図表である。 外部電極の断面構成を示す図である。 外部電極の断面構成を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１～図７を参照して、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２及び図３は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。図４及び図５は、外部電極の断面構成を示す図である。図６及び図７は、素体と第二電極層とを示す平面図である。本実施形態では、電子部品は、たとえば、積層コンデンサＣ１である。

積層コンデンサＣ１は、図１に示されるように、直方体形状を呈している素体３と、複数の外部電極５と、を備えている。本実施形態では、積層コンデンサＣ１は、一対の外部電極５を備えている。一対の外部電極５は、素体３の外表面に配置されている。一対の外部電極５は、互いに離間している。直方体形状は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。

素体３は、互いに対向している一対の主面３ａと、互いに対向している一対の側面３ｃと、互いに対向している一対の端面３ｅと、を有している。一対の主面３ａ、一対の側面３ｃ、及一対の端面３ｅは、長方形状を呈している。一対の主面３ａが対向している方向が、第一方向Ｄ１である。一対の側面３ｃが対向している方向が、第二方向Ｄ２である。一対の端面３ｅが対向している方向が、第三方向Ｄ３である。積層コンデンサＣ１は、電子機器にはんだ実装される。電子機器は、たとえば、回路基板又は電子部品を含む。積層コンデンサＣ１では、一方の主面３ａが、電子機器と対向する。一方の主面３ａは、実装面を構成するように配置される。一方の主面３ａは、実装面である。各主面３ａは、直方体形状を呈している素体３が有する側面でもある。

第一方向Ｄ１は、各主面３ａに直交する方向であり、第二方向Ｄ２と直交している。第三方向Ｄ３は、各主面３ａと各側面３ｃとに平行な方向であり、第一方向Ｄ１と第二方向Ｄ２とに直交している。第二方向Ｄ２は、各側面３ｃに直交する方向であり、第三方向Ｄ３は、各端面３ｅに直交する方向である。本実施形態では、素体３の第二方向Ｄ２での長さは、素体３の第一方向Ｄ１での長さより大きい。素体３の第三方向Ｄ３での長さは、素体３の第一方向Ｄ１での長さより大きく、かつ、素体３の第二方向Ｄ２での長さより大きい。第三方向Ｄ３が、素体３の長手方向である。

素体３の第一方向Ｄ１での長さは、素体３の高さである。素体３の第二方向Ｄ２での長さは、素体３の幅である。素体３の第三方向Ｄ３での長さは、素体３の長さである。本実施形態では、素体３の高さは、０．５～２．５ｍｍであり、素体３の幅は、０．５～５．０ｍｍであり、素体３の長さは、１．０～５．７ｍｍである。たとえば、素体３の高さは、２．５ｍｍであり、素体３の幅は、２．５ｍｍであり、素体３の長さは、３．２ｍｍである。

一対の側面３ｃは、一対の主面３ａを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。一対の側面３ｃは、第三方向Ｄ３にも延在している。一対の端面３ｅは、一対の主面３ａを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。一対の端面３ｅは、第二方向Ｄ２にも延在している。

素体３は、四つの稜線部３ｇと、四つの稜線部３ｉと、四つの稜線部３ｊと、を有している。稜線部３ｇは、端面３ｅと主面３ａとの間に位置している。稜線部３ｉは、端面３ｅと側面３ｃとの間に位置している。稜線部３ｊは、主面３ａと側面３ｃとの間に位置している。本実施形態では、各稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊは、湾曲するように丸められている。素体３には、いわゆるＲ面取り加工が施されている。端面３ｅと主面３ａとは、稜線部３ｇを介して、間接的に隣り合っている。端面３ｅと側面３ｃとは、稜線部３ｉを介して、間接的に隣り合っている。主面３ａと側面３ｃとは、稜線部３ｊを介して、間接的に隣り合っている。

素体３は、第一方向Ｄ１に複数の誘電体層が積層されて構成されている。素体３は、積層されている複数の誘電体層を有している。素体３では、複数の誘電体層の積層方向が第一方向Ｄ１と一致する。各誘電体層は、たとえば、誘電体材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成されている。誘電体材料は、たとえば、ＢａＴｉＯ_３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ_３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系などの誘電体セラミックを含む。実際の素体３では、各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。素体３では、複数の誘電体層の積層方向が第二方向Ｄ２と一致していてもよい。

積層コンデンサＣ１は、図２及び図３に示されるように、複数の内部電極７と複数の内部電極９とを備えている。各内部電極７，９は、素体３内に配置されている内部導体である。各内部電極７，９は、積層型電子部品の内部電極として通常用いられる導電性材料からなる。導電性材料は、たとえば、卑金属を含む。導電性材料は、たとえば、Ｎｉ又はＣｕを含む。内部電極７，９は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。本実施形態では、内部電極７，９は、Ｎｉからなる。

内部電極７と内部電極９とは、第一方向Ｄ１において異なる位置（層）に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、素体３内において、第一方向Ｄ１に間隔を有して対向するように交互に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、互いに極性が異なる。複数の誘電体層の積層方向が第二方向Ｄ２である場合、内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置される。内部電極７，９の一端は、対応する端面３ｅに露出している。内部電極７，９は、対応する端面３ｅに露出している一端を有している。

複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、第一方向Ｄ１で交互に並んでいる。各内部電極７，９は、主面３ａと略平行な面内に位置している。内部電極７と内部電極９とは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。内部電極７と内部電極９とが対向している方向（第一方向Ｄ１）は、主面３ａと平行な方向（第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３）と直交している。複数の誘電体層の積層方向が第二方向Ｄ２である場合、複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、第二方向Ｄ２で交互に並ぶ。この場合、各内部電極７，９は、主面３ａと略直交している面内に位置する。内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２で互いに対向する。

外部電極５は、図１に示されるように、素体３の第三方向Ｄ３での両端部にそれぞれ配置されている。各外部電極５は、素体３における、対応する端面３ｅ側に配置されている。外部電極５は、少なくとも、端面３ｅと、側面でもある主面３ａとに配置されている。本実施形態では、各外部電極５は、一対の主面３ａ、一対の側面３ｃ、及び一つの端面３ｅに配置されている。外部電極５は、図２～図５に示されるように、複数の電極部５ａ，５ｃ，５ｅを有している。電極部５ａは、主面３ａ上及び稜線部３ｇ上に配置されている。各電極部５ｃは、側面３ｃ上及び稜線部３ｉ上に配置されている。電極部５ｅは、端面３ｅ上に配置されている。外部電極５は、稜線部３ｊ上に配置されている電極部も有している。

外部電極５は、一対の主面３ａ、一つの端面３ｅ、及び一対の側面３ｃの五つの面、並びに、稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊに形成されている。互いに隣り合う電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、接続されており、電気的に接続されている。電極部５ｅは、対応する内部電極７，９の一端をすべて覆っている。電極部５ｅは、対応する内部電極７，９と直接的に接続されている。外部電極５は、対応する内部電極７，９と電気的に接続されている。外部電極５は、図４及び図５に示されるように、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。第四電極層Ｅ４は、外部電極５の最外層を構成している。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。

電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇ上に配置されており、主面３ａ上には配置されていない。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇの全体を覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、主面３ａに形成されていない。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇの全体と接している。主面３ａは、第一電極層Ｅ１に覆われておらず、第一電極層Ｅ１から露出している。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａ上に配置されていてもよい。この場合、電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部と稜線部３ｇの全体とを覆うように形成される。すなわち、電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部とも接する。主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部である。

電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上及び主面３ａ上に配置されている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部と接している。主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部である。電極部５ａは、稜線部３ｇ上では四層構造を有しており、主面３ａ上では三層構造を有している。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｇの全体と主面３ａの一部とを覆うように形成されている。上述したように、主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部である。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と素体３との間に位置するように、稜線部３ｇの全体と主面３ａの一部とを間接的に覆っている。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部を直接覆っている。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｇに形成されている第一電極層Ｅ１の全体を直接覆っている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１が、主面３ａ上に配置されている場合、電極部５ａは、主面３ａ及び稜線部３ｇ上で四層構造を有する。

電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉ上に配置されており、側面３ｃ上には配置されていない。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉの全体を覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、側面３ｃに形成されていない。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉの全体と接している。側面３ｃは、第一電極層Ｅ１に覆われておらず、第一電極層Ｅ１から露出している。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上に配置されていてもよい。この場合、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と稜線部３ｉの全体とを覆うように形成される。すなわち、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部とも接する。側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部である。

電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上及び側面３ｃ上に配置されている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。第二電極層Ｅ２は、側面３ｃの一部と接している。側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部である。電極部５ｃは、稜線部３ｉ上では四層構造を有しており、側面３ｃ上では三層構造を有している。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｉの全体と側面３ｃの一部とを覆うように形成されている。上述したように、側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部である。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と素体３との間に位置するように、稜線部３ｉの全体と側面３ｃの一部とを間接的に覆っている。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、側面３ｃの一部を直接覆っている。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｉに形成されている第一電極層Ｅ１の全体を直接覆っている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１が、側面３ｃ上に配置されている場合、電極部５ｃは、側面３ｃ上及び稜線部３ｉ上で四層構造を有する。

電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｉの一部と側面３ｃの一部とを覆うように形成されていてもよい。稜線部３ｉの一部は、たとえば、稜線部３ｉにおける主面３ａ寄りの一部である。側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける主面３ａ及び端面３ｅ寄りの角領域である。この場合、電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と稜線部３ｉとの間に位置するように、稜線部３ｉの一部を間接的に覆う。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、側面３ｃの一部を直接覆う。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１における稜線部３ｉに形成されている部分の一部を直接覆う。すなわち、電極部５ｃは、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２から露出している領域と、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２で覆われている領域と、を有する。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２が、稜線部３ｉの一部と側面３ｃの一部とを覆うように形成されている場合、上述したように、内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置されていてもよい。

電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅ上に配置されている。端面３ｅの全体が、第一電極層Ｅ１に覆われている。電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅの全体と接している。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ｅでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、端面３ｅの全体を覆うように形成されている。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と端面３ｅとの間に位置するように、端面３ｅの全体を間接的に覆っている。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体を直接覆っている。電極部５ｅでは、第一電極層Ｅ１は、対応する内部電極７，９の一端と接続されるように端面３ｅに形成されている。

電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、端面３ｅの一部を覆うように形成されていてもよい。端面３ｅの一部は、たとえば、端面３ｅにおける主面３ａ寄りの一部である。この場合、電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と端面３ｅとの間に位置するように、端面３ｅの一部を間接的に覆う。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１における端面３ｅに形成されている部分の一部を直接覆う。すなわち、電極部５ｅは、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２から露出している領域と、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２で覆われている領域と、を有する。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２が、端面３ｅの一部を覆うように形成されている場合、上述したように、内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置されていてもよい。

第一電極層Ｅ１は、素体３の表面に付与された導電性ペーストを焼き付けることにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、一つの端面３ｅ及び稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊを覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、導電性ペーストに含まれる金属成分（金属粉末）が焼結することにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、焼結金属層である。第一電極層Ｅ１は、素体３に形成された焼結金属層である。本実施形態では、第一電極層Ｅ１は、Ｃｕからなる焼結金属層である。第一電極層Ｅ１は、Ｎｉからなる焼結金属層であってもよい。第一電極層Ｅ１は、卑金属を含んでいる。導電性ペーストは、たとえば、Ｃｕ又はＮｉからなる粉末、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を含んでいる。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが有している第一電極層Ｅ１は、一体的に形成されている。

第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に付与された導電性樹脂を硬化させることにより形成されている。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上と素体３上とにわたって形成されている。第一電極層Ｅ１は、第二電極層Ｅ２を形成するための下地金属層である。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１を覆う導電性樹脂層である。導電性樹脂は、たとえば、樹脂、導電性材料、及び有機溶媒を含んでいる。樹脂は、たとえば、熱硬化性樹脂である。導電性材料は、たとえば、金属粉末である。金属粉末は、たとえば、Ａｇ粉末又はＣｕ粉末である。熱硬化性樹脂は、たとえば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂である。第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｊの一部と接している。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが有している第二電極層Ｅ２は、一体的に形成されている。

第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上にめっき法により形成されている。本実施形態では、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上にＮｉめっきにより形成されている。第三電極層Ｅ３は、Ｎｉめっき層である。第三電極層Ｅ３は、Ｓｎめっき層、Ｃｕめっき層、又はＡｕめっき層であってもよい。第三電極層Ｅ３は、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、又はＡｕを含んでいる。Ｎｉめっき層は、第二電極層Ｅ２に含まれる金属よりも耐はんだ喰われ性に優れている。第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２を覆っている。

第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上にめっき法により形成されている。第四電極層Ｅ４は、はんだめっき層である。本実施形態では、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上にＳｎめっきにより形成されている。第四電極層Ｅ４は、Ｓｎめっき層である。第四電極層Ｅ４は、Ｓｎ－Ａｇ合金めっき層、Ｓｎ－Ｂｉ合金めっき層、又はＳｎ－Ｃｕ合金めっき層であってもよい。第四電極層Ｅ４は、Ｓｎ、Ｓｎ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、又はＳｎ－Ｃｕ合金を含んでいる。

第三電極層Ｅ３と第四電極層Ｅ４とは、第二電極層Ｅ２に形成されるめっき層ＰＬを構成している。本実施形態では、めっき層ＰＬは、二層構造を有している。めっき層ＰＬは、第二電極層Ｅ２を覆っている。第三電極層Ｅ３は、最外層を構成する第四電極層Ｅ４と、第二電極層Ｅ２との間に位置している中間めっき層である。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが有している第三電極層Ｅ３は、一体的に形成されている。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが有している第四電極層Ｅ４は、一体的に形成されている。

図４に示されるように、第二電極層Ｅ２は、端面３ｅ上に位置している領域Ｅ２_１、各主面３ａ上に位置している領域Ｅ２_２、及び、各稜線部３ｇ上に位置している領域Ｅ２_３を含んでいる。領域Ｅ２_１は、電極部５ｅの第二電極層Ｅ２である。領域Ｅ２_２と領域Ｅ２_３とは、電極部５ａの第二電極層Ｅ２である。領域Ｅ２_３は、領域Ｅ２_１と領域Ｅ２_２との間に位置している。領域Ｅ２_３は、領域Ｅ２_１と領域Ｅ２_２とを連結している。領域Ｅ２_１と領域Ｅ２_３とが連続していると共に、領域Ｅ２_２と領域Ｅ２_３とが連続している。第二電極層Ｅ２は、端面３ｅと主面３ａとにわたって設けられている。たとえば、領域Ｅ２_１が第一領域を構成する場合、領域Ｅ２_２は第二領域を構成し、領域Ｅ２_３は第三領域を構成する。

領域Ｅ２_１の最大厚みＴ１（μｍ）と、領域Ｅ２_２の最大厚みＴ２（μｍ）とは、
Ｔ２／Ｔ１≧０．１１
の関係を満たしている。最大厚みＴ１と、最大厚みＴ２とは、
Ｔ２／Ｔ１≦０．４８
の関係を満たしていてもよい。最大厚みＴ１は、端面３ｅ上での第二電極層Ｅ２の最大厚みである。最大厚みＴ２は、主面３ａ上での第二電極層Ｅ２の最大厚みである。

最大厚みＴ１と、領域Ｅ２_３の最小厚みＴ３（μｍ）とは、
Ｔ３／Ｔ１≧０．０８
の関係を満たしていてもよい。最大厚みＴ１と、最小厚みＴ３とは、
Ｔ３／Ｔ１≦０．３７
の関係を満たしていてもよい。最小厚みＴ３は、稜線部３ｇ上での第二電極層Ｅ２の最小厚みである。

最大厚みＴ１、最大厚みＴ２と、最小厚みＴ３とは、たとえば、以下のようにして求めることができる。
第二電極層Ｅ２を含む積層コンデンサＣ１の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の側面３ｃに平行であり、かつ、一対の側面３ｃから等距離に位置している平面で積層コンデンサＣ１を切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、第二電極層Ｅ２の各厚みＴ１，Ｔ２，Ｔ３を算出する。最大厚みＴ１は、第三方向Ｄ３での領域Ｅ２_１の厚みの最大値である。最大厚みＴ２は、第一方向Ｄ１での領域Ｅ２_２の厚みの最大値である。最小厚みＴ３は、領域Ｅ２_３の厚みの最小値である。領域Ｅ２_３の厚みは、たとえば、稜線部３ｇの法線方向での厚みである。

図５に示されるように、第二電極層Ｅ２は、各側面３ｃ上に位置している領域Ｅ２_４、及び、各稜線部３ｉ上に位置している領域Ｅ２_５も含んでいる。領域Ｅ２_４と領域Ｅ２_５とは、電極部５ｃの第二電極層Ｅ２である。領域Ｅ２_５は、領域Ｅ２_１と領域Ｅ２_４との間に位置している。領域Ｅ２_５は、領域Ｅ２_１と領域Ｅ２_４とを連結している。領域Ｅ２_１と領域Ｅ２_５とが連続していると共に、領域Ｅ２_４と領域Ｅ２_５とが連続している。第二電極層Ｅ２は、端面３ｅと側面３ｃとにわたって設けられている。たとえば、領域Ｅ２_１が第一領域を構成する場合、領域Ｅ２_４は第四領域を構成し、領域Ｅ２_５は第五領域を構成する。

領域Ｅ２_１の最大厚みＴ１（μｍ）と、領域Ｅ２_４の最大厚みＴ４（μｍ）とは、
Ｔ４／Ｔ１≧０．１１
の関係を満たしている。最大厚みＴ１と、最大厚みＴ４とは、
Ｔ４／Ｔ１≦０．４８
の関係を満たしていてもよい。最大厚みＴ４は、側面３ｃ上での第二電極層Ｅ２の最大厚みである。

最大厚みＴ１と、領域Ｅ２_５の最小厚みＴ５（μｍ）とは、
Ｔ５／Ｔ１≧０．０８
の関係を満たしていてもよい。最大厚みＴ１と、最小厚みＴ５とは、
Ｔ５／Ｔ１≦０．３７
の関係を満たしていてもよい。最小厚みＴ５は、稜線部３ｉ上での第二電極層Ｅ２の最小厚みである。本実施形態では、最大厚みＴ２と最大厚みＴ４とは同等であり、最小厚みＴ３と最小厚みＴ５とは同等である。同等は、必ずしも、値が一致していることだけを意味するのではない。予め設定した範囲での微差、製造誤差、又は測定誤差が値に含まれている場合でも、値が同等であるとしてもよい。

最大厚みＴ４及び最小厚みＴ５は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
第二電極層Ｅ２を含む積層コンデンサＣ１の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の主面３ａに平行であり、かつ、一対の主面３ａから等距離に位置している平面で積層コンデンサＣ１を切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、第二電極層Ｅ２の各厚みＴ４，Ｔ５を算出する。最大厚みＴ４は、第一方向Ｄ１での領域Ｅ２_４の厚みの最大値である。最小厚みＴ５は、領域Ｅ２_５の厚みの最小値である。領域Ｅ２_５の厚みは、たとえば、稜線部３ｉの法線方向での厚みである。

第二電極層Ｅ２には、図２～図５に示されるように、複数の空隙１３が存在している。複数の空隙１３は、第二電極層Ｅ２内に分散している。複数の空隙１３のうちいくつかの空隙１３は互いに連通している。互いに連通している空隙１３は、少なくとも一つの通路を構成する。互いに連通している空隙１３により構成される通路は、第二電極層Ｅ２の表面に開口している。第二電極層Ｅ２の厚み方向に沿う断面において、空隙１３の最大長さは、１～２０μｍの範囲内である。本実施形態では、空隙１３の最大長さは、２０μｍである。

各第二電極層Ｅ２は、上述したように、領域Ｅ２_１、一対の領域Ｅ２_２、一対の領域Ｅ２_３、一対の領域Ｅ２_４、及び一対の領域Ｅ２_５を有している。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合は、５．０～３６．０％の範囲内である。各領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合は、５．０～３６．０％の範囲内である。各領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合は、３．０～１１．０％の範囲内である。各領域Ｅ２_４での空隙１３の存在割合は、５．０～３６．０％の範囲内である。各領域Ｅ２_５での空隙１３の存在割合は、３．０～１１．０％の範囲内である。空隙１３の存在割合は、第二電極層Ｅ２の厚み方向に沿う断面において、第二電極層Ｅ２の面積に対する空隙１３の総面積の割合である。

本実施形態では、たとえば、領域Ｅ２_１では、第二電極層Ｅ２の厚み方向は、端面３ｅに直交する方向と一致する。第二電極層Ｅ２の厚み方向は、領域Ｅ２_１では、第三方向Ｄ３と一致する。たとえば、領域Ｅ２_２では、第二電極層Ｅ２の厚み方向は、主面３ａに直交する方向と一致する。第二電極層Ｅ２の厚み方向は、領域Ｅ２_２では、第一方向Ｄ１と一致する。たとえば、領域Ｅ２_３では、第二電極層Ｅ２の厚み方向は、稜線部３ｇの法線方向と一致する。たとえば、領域Ｅ２_４では、第二電極層Ｅ２の厚み方向は、側面３ｃに直交する方向と一致する。第二電極層Ｅ２の厚み方向は、領域Ｅ２_４では、第二方向Ｄ２と一致する。たとえば、領域Ｅ２_５では、第二電極層Ｅ２の厚み方向は、稜線部３ｉの法線方向と一致する。

領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合は、たとえば、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２_１）の厚み方向に沿う断面において、領域Ｅ２_１に存在する空隙１３の総面積を、領域Ｅ２_１の面積で除し、百分率で表した値である。本実施形態では、領域Ｅ２_１に存在する空隙１３の総面積は、１０００～１６８００μｍ^２である。領域Ｅ２_１の面積は、０．０２～０．０４８ｍｍ^２である。たとえば、領域Ｅ２_１に存在する空隙１３の総面積は、２８００μｍ^２であり、領域Ｅ２_１の面積は、０．０２８ｍｍ^２である。この場合、領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合は、１０％である。領域Ｅ２_１の面積は、領域Ｅ２_１において、第一電極層Ｅ１の表面と、第二電極層Ｅ２の表面とで画成される領域の面積である。領域Ｅ２_１の面積は、領域Ｅ２_１に存在する空隙１３の総面積を含んでいる。

各領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合は、たとえば、第二電極層Ｅ２（各領域Ｅ２_２）の厚み方向に沿う断面において、各領域Ｅ２_２に存在する空隙１３の総面積を、各領域Ｅ２_２の面積で除し、百分率で表した値である。本実施形態では、各領域Ｅ２_２に存在する空隙１３の総面積は、５００～２１０００μｍ^２である。各領域Ｅ２_２の面積は、０．０１０～０．０６０ｍｍ^２である。たとえば、各領域Ｅ２_２に存在する空隙１３の総面積は、７０００μｍ^２であり、各領域Ｅ２_２の面積は、０．０３５ｍｍ^２である。この場合、各領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合は、２０％である。各領域Ｅ２_２の面積は、各領域Ｅ２_２において、第一電極層Ｅ１の表面と、第二電極層Ｅ２の表面とで画成される領域の面積である。各領域Ｅ２_２の面積は、各領域Ｅ２_２に存在する空隙１３の総面積を含んでいる。

各領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合は、たとえば、第二電極層Ｅ２（各領域Ｅ２_３）の厚み方向に沿う断面において、各領域Ｅ２_３に存在する空隙１３の総面積を、各領域Ｅ２_３の面積で除し、百分率で表した値である。本実施形態では、各領域Ｅ２_３に存在する空隙１３の総面積は、５～１００μｍ^２である。各領域Ｅ２_３の面積は、０．０００１～０．００５０ｍｍ^２である。たとえば、各領域Ｅ２_３に存在する空隙１３の総面積は、７０μｍ^２であり、各領域Ｅ２_３の面積は、０．００１７５ｍｍ^２である。この場合、各領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合は、４％である。各領域Ｅ２_３の面積は、各領域Ｅ２_３において、第一電極層Ｅ１の表面と、第二電極層Ｅ２の表面とで画成される領域の面積である。各領域Ｅ２_３の面積は、各領域Ｅ２_３に存在する空隙１３の総面積を含んでいる。

各領域Ｅ２_４での空隙１３の存在割合は、たとえば、第二電極層Ｅ２（各領域Ｅ２_４）の厚み方向に沿う断面において、各領域Ｅ２_４に存在する空隙１３の総面積を、各領域Ｅ２_４の面積で除し、百分率で表した値である。本実施形態では、各領域Ｅ２_４に存在する空隙１３の総面積は、５００～２１０００μｍ^２である。各領域Ｅ２_４の面積は、０．０１０～０．０６０ｍｍ^２である。たとえば、各領域Ｅ２_４に存在する空隙１３の総面積は、７０００μｍ^２であり、各領域Ｅ２_４の面積は、０．０３５ｍｍ^２である。この場合、各領域Ｅ２_４での空隙１３の存在割合は、２０％である。各領域Ｅ２_４の面積は、各領域Ｅ２_４において、第一電極層Ｅ１の表面と、第二電極層Ｅ２の表面とで画成される領域の面積である。各領域Ｅ２_４の面積は、各領域Ｅ２_４に存在する空隙１３の総面積を含んでいる。本実施形態では、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合と、領域Ｅ２_４での空隙１３の存在割合とは、同等である。

各領域Ｅ２_５での空隙１３の存在割合は、たとえば、第二電極層Ｅ２（各領域Ｅ２_５）の厚み方向に沿う断面において、各領域Ｅ２_５に存在する空隙１３の総面積を、各領域Ｅ２_５の面積で除し、百分率で表した値である。本実施形態では、各領域Ｅ２_５に存在する空隙１３の総面積は、５～１００μｍ^２である。各領域Ｅ２_５の面積は、０．０００１～０．００５０ｍｍ^２である。たとえば、各領域Ｅ２_５に存在する空隙１３の総面積は、７０μｍ^２であり、各領域Ｅ２_５の面積は、０．００１７５ｍｍ^２である。この場合、各領域Ｅ２_５での空隙１３の存在割合は、４％である。各領域Ｅ２_５の面積は、各領域Ｅ２_５において、第一電極層Ｅ１の表面と、第二電極層Ｅ２の表面とで画成される領域の面積である。各領域Ｅ２_５の面積は、各領域Ｅ２_５に存在する空隙１３の総面積を含んでいる。本実施形態では、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合と、領域Ｅ２_５での空隙１３の存在割合とは、同等である。

空隙１３の最大長さは、たとえば、以下のようにして求めることができる。
外部電極５（第二電極層Ｅ２）の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、電極部５ａ及び電極部５ｅを主面３ａに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、互いに対向している一対の面（たとえば、一対の側面３ｃ）に平行であり、かつ、当該一対の面から等距離に位置している平面で切断したときの電極部５ａ及び電極部５ｅの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理を行い、空隙１３の境界を判別し、空隙１３の最大長さを求める。複数の空隙１３の最大長さを求め、複数の空隙１３の最大長さの平均値を求めてもよい。この場合、平均値を空隙１３の最大長さとする。

各領域Ｅ２_１，Ｅ２_２，Ｅ２_３，Ｅ２_４，Ｅ２_５での空隙１３の総面積は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
外部電極５（電極部５ａ及び電極部５ｅ）の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、外部電極５を主面３ａと端面３ｅとに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の側面３ｃに平行であり、かつ、一対の側面３ｃから等距離に位置している平面で切断したときの外部電極５の断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理を行い、空隙１３の境界を判別し、領域Ｅ２_１に存在する空隙１３の総面積と、領域Ｅ２_２に存在する空隙１３の総面積と、領域Ｅ２_３に存在する空隙１３の総面積と、を求める。
外部電極５（電極部５ｃ）の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、外部電極５を側面３ｃに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の主面３ａに平行であり、かつ、一対の主面３ａから等距離に位置している平面で切断したときの外部電極５の断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理を行い、空隙１３の境界を判別し、領域Ｅ２_４に存在する空隙１３の総面積と、領域Ｅ２_５に存在する空隙１３の総面積とを求める。

各領域Ｅ２_１，Ｅ２_２，Ｅ２_３，Ｅ２_４，Ｅ２_５での第二電極層Ｅ２の面積は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
外部電極５（電極部５ａ及び電極部５ｅ）の断面写真を取得する。断面写真は、上述したように、外部電極５を主面３ａと端面３ｅとに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理を行い、第一電極層Ｅ１の表面（第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との境界）と、第二電極層Ｅ２の表面（第二電極層Ｅ２と第三電極層Ｅ３との境界）と、を判別し、領域Ｅ２_１での第二電極層Ｅ２の面積と、領域Ｅ２_２での第二電極層Ｅ２面積と、領域Ｅ２_３での第二電極層Ｅ２面積と、を求める。
外部電極５（電極部５ｃ）の断面写真を取得する。断面写真は、上述したように、外部電極５を側面３ｃに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理を行い、第一電極層Ｅ１の表面（第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との境界）と、第二電極層Ｅ２の表面（第二電極層Ｅ２と第三電極層Ｅ３との境界）と、を判別し、領域Ｅ２_４での第二電極層Ｅ２の面積と、領域Ｅ２_５での第二電極層Ｅ２の面積とを求める。

図４に示されるように、主面３ａ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２_２の表面は、主面３ａから離れる方向に凸状に湾曲している。領域Ｅ２_２の厚みは、領域Ｅ２_２の最大厚み位置から領域Ｅ２_２の端縁に向けて徐々に小さくなっている。本実施形態では、領域Ｅ２_２の厚みの変化に起因して、領域Ｅ２_２の表面は湾曲している。
図５に示されるように、側面３ｃ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２_４の表面は、側面３ｃから離れる方向に凸状に湾曲している。領域Ｅ２_４の厚みは、領域Ｅ２_４の最大厚み位置から領域Ｅ２_４の端縁に向けて徐々に小さくなっている。本実施形態では、領域Ｅ２_４の厚みの変化に起因して、領域Ｅ２_４の表面は湾曲している。

図６に示されるように、第一方向Ｄ１から見て、領域Ｅ２_２の端縁は、湾曲している。本実施形態では、第一方向Ｄ１から見て、第三方向Ｄ３での領域Ｅ２_２の長さは、第二方向Ｄ２での端より第二方向Ｄ２での中央で大きくなっている。第三方向Ｄ３での領域Ｅ２_２の長さは、第二方向Ｄ２での中央で最も大きく、第二方向Ｄ２で端に向かうに従って徐々に小さくなっている。
図７に示されるように、第二方向Ｄ２から見て、領域Ｅ２_４の端縁は、湾曲している。本実施形態では、第二方向Ｄ２から見て、第三方向Ｄ３での領域Ｅ２_４の長さは、第一方向Ｄ１での端より第一方向Ｄ１での中央で大きくなっている。第三方向Ｄ３での領域Ｅ２_４の長さは、第一方向Ｄ１での中央で最も大きく、第一方向Ｄ１で端に向かうに従って徐々に小さくなっている。

図４及び図５に示されるように、めっき層ＰＬ（第三電極層Ｅ３及び第四電極層Ｅ４）は、領域Ｅ２_２上に位置している部分ＰＬ１と、領域Ｅ２_４上に位置している部分ＰＬ２と、を有している。部分ＰＬ１は、端縁ＰＬ１ｅを有している。部分ＰＬ２は、端縁ＰＬ２ｅを有している。図４に示されるように、端縁ＰＬ１ｅと素体３（主面３ａ）との間には、間隙Ｇ１が存在している。図５に示されるように、端縁ＰＬ２ｅと素体３（側面３ｃ）との間には、間隙Ｇ２が存在している。間隙Ｇ１，Ｇ２の幅は、たとえば、０より大きく３μｍ以下である。各間隙Ｇ１，Ｇ２の幅は、同じでもよい。各間隙Ｇ１，Ｇ２の幅は、異なっていてもよい。

ここで、最大厚みＴ１と最大厚みＴ２との比率、最大厚みＴ１と最小厚みＴ３との比率、領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合、及び、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合の関係について詳細に説明する。
本発明者らは、最大厚みＴ１と最大厚みＴ２との比率の範囲、最大厚みＴ１と最小厚みＴ３との比率の範囲、及び、各領域Ｅ２_１，Ｅ２_２，Ｅ２_３での空隙１３の存在割合の範囲を明らかにするために、以下のような試験をおこなった。すなわち、本発明者らは、最大厚みＴ１、最大厚みＴ２、最小厚みＴ３、領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合、及び、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が異なる試料１～１３を用意し、各試料１～１３における、第二電極層Ｅ２での剥離の発生率を確認した。その結果を図８に示す。図８は、各試料における第二電極層での剥離の発生率を示す図表である。

各試料１～１３は、複数の検体を含むロットである。各試料１～１３の検体は、後述するように、厚みＴ１，Ｔ２，Ｔ３と空隙１３の存在割合とが異なる点を除いて同じ構成を有している積層コンデンサである。各試料１～１３の検体では、素体３の高さが２．５ｍｍであり、素体３の幅が２．５ｍｍであり、素体３の長さが３．２ｍｍである。
試料１の各検体では、最大厚みＴ１が５７．０μｍであり、最大厚みＴ２が３．０μｍであり、最小厚みＴ３が１．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が１．０％である。
試料２の各検体では、最大厚みＴ１が５７．０μｍであり、最大厚みＴ２が３．０μｍであり、最小厚みＴ３が２．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が１．５％である。
試料３の各検体では、最大厚みＴ１が５７．０μｍであり、最大厚みＴ２が５．０μｍであり、最小厚みＴ３が１．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が１．０％である。
試料４の各検体では、最大厚みＴ１が５８．０μｍであり、最大厚みＴ２が３．０μｍであり、最小厚みＴ３が１．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が１．０％である。
試料５の各検体では、最大厚みＴ１が５８．０μｍであり、最大厚みＴ２が５．０μｍであり、最小厚みＴ３が１．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が１．５％である。
試料６の各検体では、最大厚みＴ１が５９．０μｍであり、最大厚みＴ２が６．５μｍであり、最小厚みＴ３が３．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が４．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が２．０％である。
試料７の各検体では、最大厚みＴ１が５９．０μｍであり、最大厚みＴ２が６．５μｍであり、最小厚みＴ３が５．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が５．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が５．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が３．０％である。
試料８の各検体では、最大厚みＴ１が６０．０μｍであり、最大厚みＴ２が１３．０μｍであり、最小厚みＴ３が１０．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が８．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が７．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が３．０％である。
試料９の各検体では、最大厚みＴ１が６５．０μｍであり、最大厚みＴ２が１７．０μｍであり、最小厚みＴ３が１３．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が１３．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が１２．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が４．０％である。
試料１０の各検体では、最大厚みＴ１が８６．０μｍであり、最大厚みＴ２が３８．０μｍであり、最小厚みＴ３が２４．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が２４．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が２６．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が５．０％である。
試料１１の各検体では、最大厚みＴ１が９４．８μｍであり、最大厚みＴ２が３５．９μｍであり、最小厚みＴ３が５．２μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が３０．５％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が２５．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が５．０％である。
試料１２の各検体では、最大厚みＴ１が１２２．０μｍであり、最大厚みＴ２が５４．０μｍであり、最小厚みＴ３が４０．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が３５．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が３５．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が１０．０％である。
試料１３の各検体では、最大厚みＴ１が１２４．０μｍであり、最大厚みＴ２が６０．０μｍであり、最小厚みＴ３が４６．０μｍである。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が３６．０％であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が３６．０％であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が１１．０％である。

第二電極層Ｅ２での剥離の発生率は、以下のようにして求めた。
試料１～１３ごとに、１２個の検体を選び、選んだ検体を恒温恒湿槽に５時間放置した。恒温恒湿槽内では、温度が１２１℃であり、相対湿度が９５％である。その後、検体に、窒素雰囲気中でリフロー試験を３回実施した。リフロー試験では、ピーク温度が２６０℃である。
リフロー試験後に、端面３ｅに直交する平面に沿って検体を切断し、切断面での第二電極層Ｅ２の剥離の有無を目視にて確認した。第二電極層Ｅ２に剥離が発生している検体をカウントし、第二電極層Ｅ２での剥離の発生率（％）を算出した。

上述した試験の結果、図８に示されるように、試料７～１３では、試料１～６に比して、第二電極層Ｅ２での剥離の発生率が大幅に低下することが確認された。試料７～１０及び１２では、第二電極層Ｅ２に剥離が発生している検体は確認できなかった。

最大厚みＴ１、最大厚みＴ４、最小厚みＴ５、領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合、領域Ｅ２_４での空隙１３の存在割合、及び、領域Ｅ２_５での空隙１３の存在割合の関係の説明は省略する。本実施形態では、最大厚みＴ２と最大厚みＴ４とが同等であり、最小厚みＴ３と最小厚みＴ５とが同等であり、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合と領域Ｅ２_４での空隙１３の存在割合とが同等であり、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合と領域Ｅ２_５での空隙１３の存在割合とが同等であるので、最大厚みＴ１、最大厚みＴ４、最小厚みＴ５、領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合、領域Ｅ２_４での空隙１３の存在割合、及び、領域Ｅ２_５での空隙１３の存在割合の関係が、最大厚みＴ１、最大厚みＴ２、最小厚みＴ３、領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合、及び、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合の関係と同様であることは明らかである。

第二電極層Ｅ２を覆っているめっき層ＰＬは、第二電極層Ｅ２と密着しやすいものの、素体３とは密着しがたい。したがって、めっき層ＰＬの端縁ＰＬ１ｅと素体３との間には、間隙Ｇ１が存在する。第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分がガス化した場合でも、水分から発生したガスが、複数の空隙１３から間隙Ｇ１に至ると、ガスは、間隙Ｇ１を通して外部電極５外に放出される。水分から発生したガスが外部電極５外に放出されるので、第二電極層Ｅ２に応力が作用しがたい。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１（μｍ）と、最大厚みＴ２（μｍ）とが、
Ｔ２／Ｔ１≧０．１１
の関係を満たしているので、領域Ｅ２_１が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、領域Ｅ２_２を経て、間隙Ｇ１に確実に至る。領域Ｅ２_２は、領域Ｅ２_１より間隙Ｇ１に近い。したがって、領域Ｅ２_１が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙Ｇ１に確実に至るのであれば、領域Ｅ２_２が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスも、間隙Ｇ１に確実に至る。
積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２_１）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙Ｇ１に確実に至る。間隙Ｇ１に至ったガスは、外部電極５外に放出され、第二電極層Ｅ２に応力が作用しがたい。したがって、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する。

積層コンデンサＣ１では、領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合は、５．０～３６．０％の範囲内であると共に、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合は、５．０～３６．０％の範囲内である。
上述したように、水分から発生したガスは、複数の空隙１３から間隙Ｇ１に至る。
領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が５．０％より小さい場合、及び、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が５．０％より小さい場合、水分から発生したガスが空隙１３内を移動しがたくなるおそれがある。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合が３６．０％より大きい場合、及び、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合が３６．０％より大きい場合、第二電極層Ｅ２に水分が浸入しやすく、ガスの発生量が増加するおそれがある。
したがって、積層コンデンサＣ１は、ガスの発生量の増加を抑制しつつ、領域Ｅ２_１及び領域Ｅ２_２でのガスの移動が阻害されるのを抑制する。

間隙Ｇ１は、第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスの出口であると共に、外部電極５内への水分の入口である。領域Ｅ２_１が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙Ｇ１に至るまでの経路は、水分が領域Ｅ２_１に至る経路となるおそれがある。水分が領域Ｅ２_１に至ると、水分は領域Ｅ２_１が含む樹脂に吸収される。この場合、ガスの発生量が増加するおそれがある。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１（μｍ）と最大厚みＴ２（μｍ）とは、
Ｔ２／Ｔ１≦０．４８
の関係を満たしているので、水分が間隙Ｇ１から浸入する場合でも、水分が領域Ｅ２_１に至りがたい。したがって、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２_１）が含む樹脂に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１（μｍ）と、最小厚みＴ３（μｍ）とは、
Ｔ３／Ｔ１≧０．０８
の関係を満たしているので、ガスが領域Ｅ２_３を移動しやすい。したがって、積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２_１）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙Ｇ１に至るので、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

上述したように、領域Ｅ２_１が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙Ｇ１に至るまでの経路は、水分が領域Ｅ２_１に至る経路となるおそれがある。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１（μｍ）と、最小厚みＴ３（μｍ）とは、
Ｔ３／Ｔ１≦０．３７
の関係を満たしているので、水分が間隙Ｇ１から浸入する場合でも、領域Ｅ２_３を経て、水分が領域Ｅ２_１に至りがたい。したがって、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２_１）が含む樹脂に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が３．０～１１．０％の範囲内である。
上述したように、水分から発生したガスは、複数の空隙１３から間隙Ｇ１に至る。
領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が３．０％より小さい場合、水分から発生したガスが、領域Ｅ２_３に存在している空隙１３内を移動しがたくなるおそれがある。領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が１１．０％より大きい場合、領域Ｅ２_３を経て領域Ｅ２_２から領域Ｅ２_１に水分が浸入しやすく、ガスの発生量が増加するおそれがある。
したがって、積層コンデンサＣ１は、ガスの発生量の増加を確実に抑制しつつ、領域Ｅ２_３でのガスの移動が阻害されるのを確実に抑制する。

積層コンデンサＣ１では、主面３ａ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２_２の表面は、主面３ａから離れる方向に凸状に湾曲している。
領域Ｅ２_２の表面が、主面３ａから離れる方向に凸状に湾曲している構成では、領域Ｅ２_２の厚みが局所的に小さくなることはない。したがって、領域Ｅ２_２でのガスの移動経路が、当該移動経路の途中で狭まることはなく、積層コンデンサＣ１は、ガスが領域Ｅ２_２を移動するのを阻害しない。この結果、第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙Ｇ１に至るので、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、側面３ｃ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２_４の表面は、側面３ｃから離れる方向に凸状に湾曲している。
領域Ｅ２_４の表面が、側面３ｃから離れる方向に凸状に湾曲している構成では、領域Ｅ２_４の厚みが局所的に小さくなることはない。したがって、領域Ｅ２_４でのガスの移動経路が、当該移動経路の途中で狭まることはなく、積層コンデンサＣ１は、ガスが領域Ｅ２_４を移動するのを阻害しない。この結果、第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙Ｇ２に至るので、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、第一方向Ｄ１から見て、領域Ｅ２_２の端縁が湾曲している。
領域Ｅ２_２の端縁が湾曲している構成では、領域Ｅ２_２の端縁が直線状である構成に比して、領域Ｅ２_２の端縁の長さが大きい。したがって、積層コンデンサＣ１では、ガスが出る領域が大きく、ガスが、外部電極５からより一層放出されやすい。この結果、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。

積層コンデンサＣ１では、第二方向Ｄ２から見て、領域Ｅ２_４の端縁が湾曲している。
領域Ｅ２_４の端縁が湾曲している構成では、領域Ｅ２_４の端縁が直線状である構成に比して、領域Ｅ２_４の端縁の長さが大きい。したがって、積層コンデンサＣ１では、ガスが出る領域が大きく、ガスが、外部電極５からより一層放出されやすい。この結果、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１（μｍ）と、最大厚みＴ４（μｍ）とが、
Ｔ４／Ｔ１≧０．１１
の関係を満たしているので、領域Ｅ２_４が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、領域Ｅ２_４を経て、間隙Ｇ２に確実に至る。領域Ｅ２_４は、領域Ｅ２_１より間隙Ｇ２に近い。したがって、領域Ｅ２_１が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙Ｇ２に確実に至るのであれば、領域Ｅ２_４が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスも、間隙Ｇ２に確実に至る。
積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２_１）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙Ｇ２に確実に至る。間隙Ｇ２に至ったガスは、外部電極５外に放出され、第二電極層Ｅ２に応力が作用しがたい。したがって、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する。

積層コンデンサＣ１では、領域Ｅ２_４での空隙１３の存在割合が５．０～３６．０％の範囲内である。
上述したように、水分から発生したガスは、複数の空隙１３から間隙Ｇ２に至る。
領域Ｅ２_４での空隙１３の存在割合が５．０％より小さい場合、水分から発生したガスが空隙１３内を移動しがたくなるおそれがある。領域Ｅ２_４での空隙１３の存在割合が３６．０％より大きい場合、第二電極層Ｅ２に水分が浸入しやすく、ガスの発生量が増加するおそれがある。
したがって、積層コンデンサＣ１では、ガスの発生量の増加を抑制しつつ、領域Ｅ２_４でのガスの移動が阻害されるのを抑制する。

間隙Ｇ２は、第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスの出口であると共に、外部電極５内への水分の入口である。領域Ｅ２_１が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙Ｇ２に至るまでの経路は、水分が領域Ｅ２_１に至る経路となるおそれがある。水分が領域Ｅ２_１に至ると、水分は領域Ｅ２_１が含む樹脂に吸収される。この場合、ガスの発生量が増加するおそれがある。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１（μｍ）と最大厚みＴ４（μｍ）とは、
Ｔ４／Ｔ１≦０．４８
の関係を満たしているので、水分が間隙Ｇ２から浸入する場合でも、水分が領域Ｅ２_１に至りがたい。したがって、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２_１）が含む樹脂に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１（μｍ）と、最小厚みＴ５（μｍ）とは、
Ｔ５／Ｔ１≧０．０８
の関係を満たしているので、ガスが領域Ｅ２_５を移動しやすい。したがって、積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２_１）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙Ｇ２に至るので、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

上述したように、領域Ｅ２_１が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙Ｇ２に至るまでの経路は、水分が領域Ｅ２_１に至る経路となるおそれがある。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１（μｍ）と、最小厚みＴ５（μｍ）とは、
Ｔ５／Ｔ１≦０．３７
の関係を満たしているので、水分が間隙Ｇ２から浸入する場合でも、領域Ｅ２_５を経て、水分が領域Ｅ２_１に至りがたい。したがって、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２_１）が含む樹脂に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、領域Ｅ２_５での空隙１３の存在割合が３．０～１１．０％の範囲内である。
上述したように、水分から発生したガスは、複数の空隙１３から間隙Ｇ２に至る。
領域Ｅ２_５での空隙１３の存在割合が３．０％より小さい場合、水分から発生したガスが、領域Ｅ２_５に存在している空隙１３内を移動しがたくなるおそれがある。領域Ｅ２_５での空隙１３の存在割合が１１．０％より大きい場合、領域Ｅ２_５を経て領域Ｅ２_４から領域Ｅ２_１に水分が浸入しやすく、ガスの発生量が増加するおそれがある。
したがって、積層コンデンサＣ１では、ガスの発生量の増加を確実に抑制しつつ、領域Ｅ２_５でのガスの移動が阻害されるのを確実に抑制する。

次に、図９及び図１０を参照して、本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの構成を説明する。図９及び図１０は、外部電極の断面構成を示す図である。本変形例に係る積層コンデンサは、概ね、上述した積層コンデンサＣ１と類似又は同じであるが、本変形例は、第一電極層Ｅ１の構成に関して、上述した実施形態と相違する。以下、上述した実施形態と本変形例との相違点を主として説明する。

本変形例に係る積層コンデンサは、積層コンデンサＣ１と同じく、素体３と、複数の外部電極５と、を備えている。各外部電極５は、複数の電極部５ａ，５ｃ，５ｅを有している。各外部電極５は、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。図示は省略するが、本変形例に係る積層コンデンサは、複数の内部電極７及び複数の内部電極９も備えている。

図９に示されるように、電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａ上に配置されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部と稜線部３ｇの全体とを覆うように形成される。すなわち、第一電極層Ｅ１は、主面３ａと端面３ｅとにわたって設けられている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部と接する。主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部である。

第三方向Ｄ３での第一電極層Ｅ１の端縁から領域Ｅ２_２の端縁までの長さＬ１は、第三方向Ｄ３での基準面ＲＰから第一電極層Ｅ１の端縁までの長さＬ２より大きい。基準面ＲＰは、端面３ｅを含む面である。
各長さＬ１，Ｌ２は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
第一電極層Ｅ１及び第二電極層Ｅ２を含む積層コンデンサの断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の側面３ｃに平行であり、かつ、一対の側面３ｃから等距離に位置している平面で積層コンデンサを切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、各長さＬ１，Ｌ２を算出する。

図１０に示されるように、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上に配置されている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と稜線部３ｉの全体とを覆うように形成される。すなわち、第一電極層Ｅ１は、側面３ｃと端面３ｅとにわたって設けられている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と接する。側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部である。

第三方向Ｄ３での第一電極層Ｅ１の端縁から領域Ｅ２_４の端縁までの長さＬ３は、第三方向Ｄ３での基準面ＲＰから第一電極層Ｅ１の端縁までの長さＬ４より大きい。
各長さＬ３，Ｌ４は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
第一電極層Ｅ１及び第二電極層Ｅ２を含む積層コンデンサの断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の主面３ａに平行であり、かつ、一対の主面３ａから等距離に位置している平面で積層コンデンサを切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、各長さＬ３，Ｌ４を算出する。

素体３と第二電極層Ｅ２との密着度合いは、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との密着度合いより低い。したがって、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との界面は、ガスの移動経路に寄与しがたいものの、素体３と第二電極層Ｅ２との界面は、ガスの移動経路として寄与しやすい。
長さＬ１が長さＬ２より大きい構成では、長さＬ１が長さＬ２以下である構成に比して、ガスの移動経路が多い。したがって、本変形例では、第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、間隙Ｇ１に向けて移動しやすいので、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。この結果、本変形例は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。
長さＬ３が長さＬ４より大きい構成では、長さＬ３が長さＬ４以下である構成に比して、ガスの移動経路が多い。したがって、本変形例では、第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、間隙Ｇ２に向けて移動しやすいので、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。この結果、本変形例は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

本明細書では、ある要素が他の要素上に配置されていると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接配置されていてもよく、他の要素上に間接的に配置されていてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に配置されている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接配置されている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素上に位置していると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接位置していてもよく、他の要素上に間接的に位置していてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に位置している場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接位置している場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素を覆うと記述されている場合、ある要素は、他の要素を直接覆っていてもよく、他の要素を間接的に覆っていてもよい。ある要素が他の要素を間接的に覆っている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素を直接覆っている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

最大厚みＴ１（μｍ）と、最大厚みＴ４（μｍ）とは、
Ｔ４／Ｔ１≧０．１１
の関係を満たしていなくてもよい。最大厚みＴ１（μｍ）と最大厚みＴ２（μｍ）とが、
Ｔ２／Ｔ１≧０．１１
の関係を満たしていれば、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する。
領域Ｅ２_４での空隙１３の存在割合が５．０～３６．０％の範囲内でなくてもよい。領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合と、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合とが、５．０～３６．０％の範囲内であれば、積層コンデンサＣ１は、ガスの発生量の増加を抑制しつつ、ガスの移動が阻害されるのを抑制する。

最大厚みＴ１（μｍ）と最大厚みＴ２（μｍ）とは、
Ｔ２／Ｔ１≦０．４８
の関係を満たしていなくてもよい。最大厚みＴ１と、最大厚みＴ２とが、
Ｔ２／Ｔ１≦０．４８
の関係を満たしていれば、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。
最大厚みＴ１（μｍ）と、最小厚みＴ３（μｍ）とは、
Ｔ３／Ｔ１≧０．０８
の関係を満たしていなくてもよい。最大厚みＴ１と、最小厚みＴ３とが、
Ｔ３／Ｔ１≧０．０８
の関係を満たしていれば、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。
最大厚みＴ１（μｍ）と、最小厚みＴ３（μｍ）とは、
Ｔ３／Ｔ１≦０．３７
の関係を満たしていなくてもよい。最大厚みＴ１と、最小厚みＴ３とが、
Ｔ３／Ｔ１≦０．３７
の関係を満たしていれば、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。
領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合は３．０～１１．０％の範囲内でなくてもよい。領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合は３．０～１１．０％の範囲内である場合、積層コンデンサＣ１は、ガスの発生量の増加を確実に抑制しつつ、領域Ｅ２_３でのガスの移動が阻害されるのを確実に抑制する。

一対の主面３ａのうち一方の主面３ａ上に位置している領域Ｅ２_１の最大厚みＴ１（μｍ）と、最大厚みＴ２（μｍ）とが、
Ｔ２／Ｔ１≧０．１１
の関係を満たしていればよい。各領域Ｅ２_１の最大厚みＴ１（μｍ）と、最大厚みＴ２（μｍ）とが、
Ｔ２／Ｔ１≧０．１１
の関係を満たしている場合、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。
上記一方の主面３ａ上に位置している領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合と、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合とが、５．０～３６．０％の範囲内であればよい。各領域Ｅ２_１での空隙１３の存在割合と、領域Ｅ２_２での空隙１３の存在割合とが、５．０～３６．０％の範囲内である場合、積層コンデンサＣ１は、ガスの発生量の増加をより一層抑制しつつ、ガスの移動が阻害されるのをより一層抑制する。

上記一方の主面３ａ上に位置している領域Ｅ２_１の最大厚みＴ１（μｍ）と、最大厚みＴ２（μｍ）とが、
Ｔ２／Ｔ１≦０．４８
の関係を満たしていればよい。各領域Ｅ２_１の最大厚みＴ１（μｍ）と、最大厚みＴ２（μｍ）とが、
Ｔ２／Ｔ１≦０．４８
の関係を満たしている場合、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

最大厚みＴ１（μｍ）と、上記一方の主面３ａと端面３ｅとの間の稜線部３ｇ上に位置している領域Ｅ２_３の最小厚みＴ３（μｍ）とが、
Ｔ３／Ｔ１≧０．０８
の関係を満たしていればよい。最大厚みＴ１と、各領域Ｅ２_３の最小厚みＴ３とが、
Ｔ３／Ｔ１≧０．０８
の関係を満たしている場合、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。
最大厚みＴ１（μｍ）と、上記一方の主面３ａと端面３ｅとの間の稜線部３ｇ上に位置している領域Ｅ２_３の最小厚みＴ３（μｍ）とが、
Ｔ３／Ｔ１≦０．３７
の関係を満たしていればよい。最大厚みＴ１と、各領域Ｅ２_３の最小厚みＴ３とが、
Ｔ３／Ｔ１≦０．３７
の関係を満たしている場合、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。
上記一方の主面３ａと端面３ｅとの間の稜線部３ｇ上に位置している領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が３．０～１１．０％の範囲内であればよい。各領域Ｅ２_３での空隙１３の存在割合が３．０～１１．０％の範囲内である場合、積層コンデンサＣ１は、ガスの発生量の増加をより一層確実に抑制しつつ、領域Ｅ２_１からのガスの移動が阻害されるのをより一層確実に抑制する。

主面３ａ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２_２の表面は、主面３ａから離れる方向に凸状に湾曲していなくてもよい。主面３ａ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２_２の表面が、主面３ａから離れる方向に凸状に湾曲している場合、上述したように、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。
側面３ｃ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２_４の表面は、側面３ｃから離れる方向に凸状に湾曲していなくてもよい。側面３ｃ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２_４の表面が、側面３ｃから離れる方向に凸状に湾曲している場合、上述したように、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

第一方向Ｄ１から見て、領域Ｅ２_２の端縁が湾曲していなくてもよい。第一方向Ｄ１から見て、領域Ｅ２_２の端縁が湾曲している場合、上述したように、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。
第二方向Ｄ２から見て、領域Ｅ２_４の端縁が湾曲していなくてもよい。第二方向Ｄ２から見て、領域Ｅ２_４の端縁が湾曲している場合、上述したように、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。

本実施形態では、電子部品として積層コンデンサＣ１を例に説明したが、適用可能な電子部品は、積層コンデンサに限られない。適用可能な電子部品は、たとえば、積層インダクタ、積層バリスタ、積層圧電アクチュエータ、積層サーミスタ、もしくは積層複合部品などの積層電子部品、又は、積層電子部品以外の電子部品である。

３…素体、３ａ…主面、３ｅ…端面、３ｇ…稜線部、５…外部電極、１３…空隙、Ｃ１…積層コンデンサ、Ｅ１…第一電極層、Ｅ２…第二電極層、Ｅ２_１…端面上に位置している領域、Ｅ２_２…主面上に位置している領域、Ｅ２_３…稜線部上に位置している領域、Ｅ３…第三電極層、Ｅ４…第四電極層、Ｇ１，Ｇ２…間隙、ＰＬ…めっき層、ＲＰ…基準面。

Claims (8)

1. 互いに隣り合う側面と端面とを有している素体と、
   前記側面及び前記端面に配置されている外部電極と、を備えており、
   前記外部電極は、前記側面と前記端面とにわたって設けられていると共に複数の空隙が存在している導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層を覆っているめっき層と、を有し、
   前記導電性樹脂層は、前記端面上に位置している第一領域と、前記側面上に位置している第二領域と、前記端面と前記側面との間の稜線部上に位置している第三領域とを含み、
   前記第一領域の最大厚みがＴ１（μｍ）であり、前記第二領域の最大厚みがＴ２（μｍ）である場合、前記最大厚みＴ１と、前記最大厚みＴ２とは、
   Ｔ２／Ｔ１≧０．１１
   の関係を満たし、
   前記第一領域の厚み方向に沿う断面において、前記第一領域での前記空隙の総面積は、前記第一領域の面積の５．０～３６．０％の範囲内であり、
   前記第二領域の厚み方向に沿う断面において、前記第二領域での前記空隙の総面積は、前記第二領域の面積の５．０～３６．０％の範囲内であり、
   前記第三領域の厚み方向に沿う断面において、前記第三領域での前記空隙の総面積は、前記第三領域の面積の３．０～１１．０％の範囲内である、電子部品。
2. 前記最大厚みＴ１と、前記最大厚みＴ２とは、
   Ｔ２／Ｔ１≦０．４８
   の関係を満たす、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記第三領域の最小厚みがＴ３（μｍ）である場合、前記最大厚みＴ１と、前記最小厚みＴ３とは、
   Ｔ３／Ｔ１≧０．０８
   の関係を満たす、請求項１又は２に記載の電子部品。
4. 前記最大厚みＴ１と、前記最小厚みＴ３とは、
   Ｔ３／Ｔ１≦０．３７
   の関係を満たす、請求項３に記載の電子部品。
5. 前記側面及び前記端面に直交する断面において、前記第二領域の表面は、前記側面から離れる方向に凸状に湾曲している、請求項１～４のいずれか一項に記載の電子部品。
6. 前記外部電極は、前記側面と前記端面とにわたって設けられていると共に前記導電性樹脂層に覆われている焼結金属層を更に有し、
   前記端面を含む面を基準面として、前記端面に直交する方向での前記焼結金属層の端縁から前記第二領域の端縁までの長さは、前記端面に直交する前記方向での前記基準面から前記焼結金属層の前記端縁までの長さより大きい、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。
7. 前記側面に直交する方向から見て、前記第二領域の端縁は、湾曲している、請求項１～６のいずれか一項に記載の電子部品。
8. 前記側面は、実装面を構成する、請求項１～７のいずれか一項に記載の電子部品。

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