JP2021028938A - 電子部品 - Google Patents
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Abstract
Description
T2/T1≧0.11
の関係を満たしている。第一領域の厚み方向に沿う断面において、第一領域での空隙の総面積は、第一領域の面積の5.0〜36.0%の範囲内である。第二領域の厚み方向に沿う断面において、第二領域での空隙の総面積は、第二領域の面積の5.0〜36.0%の範囲内である。
導電性樹脂層を覆っているめっき層は、導電性樹脂層と密着しやすいものの、素体とは密着しがたい。したがって、めっき層の端縁と素体との間には、間隙が存在する。樹脂に吸収された水分がガス化した場合でも、水分から発生したガスが、複数の空隙から、めっき層の端縁と素体との間の間隙に至ると、ガスは、間隙を通して外部電極外に放出される。水分から発生したガスが外部電極外に放出されるので、導電性樹脂層に応力が作用しがたい。以下、めっき層の端縁と素体との間の間隙は、単に「間隙」と称される。
導電性樹脂層の第二領域は、間隙に近いので、第二領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙に至りやすい。これに対し、第一領域は、間隙から離れているので、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙に至りがたい。したがって、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスを外部電極外に放出するためには、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に確実に至る構成の実現が望まれる。第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に確実に至るのであれば、第二領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスも、間隙に確実に至る。
T2/T1≧0.11
の関係を満たす場合、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、第二領域を経て、間隙に確実に至る。
上述したように、水分から発生したガスは、複数の空隙から、間隙に至る。
第一領域の厚み方向に沿う断面において、第一領域での空隙の総面積が、第一領域の面積の5.0%より小さい場合、及び、第二領域の厚み方向に沿う断面において、第二領域での空隙の総面積が、第二領域の面積の5.0%より小さい場合、水分から発生したガスが空隙内を移動しがたくなるおそれがある。第一領域の厚み方向に沿う断面において、第一領域での空隙の総面積が、第一領域の面積の36.0%より大きい場合、及び、第二領域の厚み方向に沿う断面において、第二領域での空隙の総面積が、第二領域の面積の36.0%より大きい場合、導電性樹脂層に水分が浸入しやすく、ガスの発生量が増加するおそれがある。
したがって、上記一つの態様では、ガスの発生量の増加を抑制しつつ、第一領域及び第二領域でのガスの移動が阻害されるのを抑制する。
T2/T1≦0.48
の関係を満たしてもよい。
間隙は、導電性樹脂層が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスの出口であると共に、外部電極内への水分の入口である。第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に至るまでの経路は、水分が第一領域に至る経路となるおそれがある。水分が第一領域に至ると、水分は第一領域に吸収される。この場合、ガスの発生量が増加するおそれがある。したがって、水分が第一領域に吸収されるのを抑制するためには、水分が第一領域に至りがたい構成の実現が望まれる。
T2/T1≦0.48
の関係を満たす場合、水分が間隙から浸入する場合でも、水分が第一領域に至りがたい。したがって、本構成は、導電性樹脂層(第一領域)に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。
T3/T1≧0.08
の関係を満たしてもよい。
第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスを、より一層確実に間隙に至らせるためには、ガスが第三領域をより一層移動しやすい構成の実現が望まれる。
T3/T1≧0.08
の関係を満たす場合、ガスが第三領域を移動しやすい。したがって、本構成では、導電性樹脂層(第一領域)が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙に至るので、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。
T3/T1≦0.37
の関係を満たしてもよい。
上述したように、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に至るまでの経路は、水分が第一領域に至る経路となるおそれがある。すなわち、第三領域は、水分が通る経路上に位置している。したがって、水分が第一領域に吸収されるのを抑制するためには、水分が、第三領域を経て、第一領域に至りがたい構成の実現が望まれる。
T3/T1≦0.37
の関係を満たす場合、水分が間隙から浸入する場合でも、水分が、第三領域を経て、第一領域に至りがたい。したがって、本構成は、導電性樹脂層(第一領域)に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。
第三領域の厚み方向に沿う断面において、第三領域での空隙の総面積が、第三領域の面積の3.0%より小さい場合、水分から発生したガスが、第三領域に存在している空隙内を移動しがたくなるおそれがある。第三領域の厚み方向に沿う断面において、第三領域での空隙の総面積が、第三領域の面積の11.0%より大きい場合、第三領域を経て第二領域から第一領域に水分が浸入しやすく、ガスの発生量がより一層増加するおそれがある。
したがって、本構成では、ガスの発生量の増加を確実に抑制しつつ、第三領域でのガスの移動が阻害されるのを確実に抑制する。
本構成では、第二領域の厚みが局所的に小さくなることはない。したがって、第二領域でのガスの移動経路が、当該移動経路の途中で狭まることはなく、本構成は、ガスが第二領域を移動するのを阻害しない。この結果、導電性樹脂層が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙に至るので、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。
素体と導電性樹脂層との密着度合いは、焼結金属層と導電性樹脂層との密着度合いより低い。したがって、焼結金属層と導電性樹脂層との界面は、ガスの移動経路に寄与しがたいものの、素体と導電性樹脂層との界面は、ガスの移動経路として寄与しやすい。
本構成では、第二領域の端縁が直線状である構成に比して、第二領域の端縁の長さが大きい。したがって、本構成では、ガスが出る領域が大きく、ガスが、外部電極からより一層放出されやすい。この結果、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。
電子部品が電子機器にはんだ実装されている場合、電子機器から電子部品に作用する外力が、素体に応力として作用することがある。外力は、はんだ実装の際に形成されたはんだフィレットから外部電極を通して素体に作用する。この場合、素体にクラックが発生するおそれがある。外力は、たとえば、素体における、実装面を構成する面に作用する傾向がある。
本構成では、第二領域が、実装面を構成する側面上に位置しているので、電子機器から電子部品に作用する外力が素体に作用しがたい。したがって、本構成は、クラックが素体に発生するのを抑制する。
T2/T1≧0.11
の関係を満たしている。最大厚みT1と、最大厚みT2とは、
T2/T1≦0.48
の関係を満たしていてもよい。最大厚みT1は、端面3e上での第二電極層E2の最大厚みである。最大厚みT2は、主面3a上での第二電極層E2の最大厚みである。
T3/T1≧0.08
の関係を満たしていてもよい。最大厚みT1と、最小厚みT3とは、
T3/T1≦0.37
の関係を満たしていてもよい。最小厚みT3は、稜線部3g上での第二電極層E2の最小厚みである。
第二電極層E2を含む積層コンデンサC1の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の側面3cに平行であり、かつ、一対の側面3cから等距離に位置している平面で積層コンデンサC1を切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、第二電極層E2の各厚みT1,T2,T3を算出する。最大厚みT1は、第三方向D3での領域E21の厚みの最大値である。最大厚みT2は、第一方向D1での領域E22の厚みの最大値である。最小厚みT3は、領域E23の厚みの最小値である。領域E23の厚みは、たとえば、稜線部3gの法線方向での厚みである。
T4/T1≧0.11
の関係を満たしている。最大厚みT1と、最大厚みT4とは、
T4/T1≦0.48
の関係を満たしていてもよい。最大厚みT4は、側面3c上での第二電極層E2の最大厚みである。
T5/T1≧0.08
の関係を満たしていてもよい。最大厚みT1と、最小厚みT5とは、
T5/T1≦0.37
の関係を満たしていてもよい。最小厚みT5は、稜線部3i上での第二電極層E2の最小厚みである。本実施形態では、最大厚みT2と最大厚みT4とは同等であり、最小厚みT3と最小厚みT5とは同等である。同等は、必ずしも、値が一致していることだけを意味するのではない。予め設定した範囲での微差、製造誤差、又は測定誤差が値に含まれている場合でも、値が同等であるとしてもよい。
第二電極層E2を含む積層コンデンサC1の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の主面3aに平行であり、かつ、一対の主面3aから等距離に位置している平面で積層コンデンサC1を切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、第二電極層E2の各厚みT4,T5を算出する。最大厚みT4は、第一方向D1での領域E24の厚みの最大値である。最小厚みT5は、領域E25の厚みの最小値である。領域E25の厚みは、たとえば、稜線部3iの法線方向での厚みである。
外部電極5(第二電極層E2)の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、電極部5a及び電極部5eを主面3aに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、互いに対向している一対の面(たとえば、一対の側面3c)に平行であり、かつ、当該一対の面から等距離に位置している平面で切断したときの電極部5a及び電極部5eの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理を行い、空隙13の境界を判別し、空隙13の最大長さを求める。複数の空隙13の最大長さを求め、複数の空隙13の最大長さの平均値を求めてもよい。この場合、平均値を空隙13の最大長さとする。
外部電極5(電極部5a及び電極部5e)の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、外部電極5を主面3aと端面3eとに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の側面3cに平行であり、かつ、一対の側面3cから等距離に位置している平面で切断したときの外部電極5の断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理を行い、空隙13の境界を判別し、領域E21に存在する空隙13の総面積と、領域E22に存在する空隙13の総面積と、領域E23に存在する空隙13の総面積と、を求める。
外部電極5(電極部5c)の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、外部電極5を側面3cに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の主面3aに平行であり、かつ、一対の主面3aから等距離に位置している平面で切断したときの外部電極5の断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理を行い、空隙13の境界を判別し、領域E24に存在する空隙13の総面積と、領域E25に存在する空隙13の総面積とを求める。
外部電極5(電極部5a及び電極部5e)の断面写真を取得する。断面写真は、上述したように、外部電極5を主面3aと端面3eとに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理を行い、第一電極層E1の表面(第一電極層E1と第二電極層E2との境界)と、第二電極層E2の表面(第二電極層E2と第三電極層E3との境界)と、を判別し、領域E21での第二電極層E2の面積と、領域E22での第二電極層E2面積と、領域E23での第二電極層E2面積と、を求める。
外部電極5(電極部5c)の断面写真を取得する。断面写真は、上述したように、外部電極5を側面3cに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理を行い、第一電極層E1の表面(第一電極層E1と第二電極層E2との境界)と、第二電極層E2の表面(第二電極層E2と第三電極層E3との境界)と、を判別し、領域E24での第二電極層E2の面積と、領域E25での第二電極層E2の面積とを求める。
図5に示されるように、側面3c及び端面3eに直交する断面において、領域E24の表面は、側面3cから離れる方向に凸状に湾曲している。領域E24の厚みは、領域E24の最大厚み位置から領域E24の端縁に向けて徐々に小さくなっている。本実施形態では、領域E24の厚みの変化に起因して、領域E24の表面は湾曲している。
図7に示されるように、第二方向D2から見て、領域E24の端縁は、湾曲している。本実施形態では、第二方向D2から見て、第三方向D3での領域E24の長さは、第一方向D1での端より第一方向D1での中央で大きくなっている。第三方向D3での領域E24の長さは、第一方向D1での中央で最も大きく、第一方向D1で端に向かうに従って徐々に小さくなっている。
本発明者らは、最大厚みT1と最大厚みT2との比率の範囲、最大厚みT1と最小厚みT3との比率の範囲、及び、各領域E21,E22,E23での空隙13の存在割合の範囲を明らかにするために、以下のような試験をおこなった。すなわち、本発明者らは、最大厚みT1、最大厚みT2、最小厚みT3、領域E21での空隙13の存在割合、領域E22での空隙13の存在割合、及び、領域E23での空隙13の存在割合が異なる試料1〜13を用意し、各試料1〜13における、第二電極層E2での剥離の発生率を確認した。その結果を図8に示す。図8は、各試料における第二電極層での剥離の発生率を示す図表である。
試料1の各検体では、最大厚みT1が57.0μmであり、最大厚みT2が3.0μmであり、最小厚みT3が1.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が1.0%である。
試料2の各検体では、最大厚みT1が57.0μmであり、最大厚みT2が3.0μmであり、最小厚みT3が2.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が1.5%である。
試料3の各検体では、最大厚みT1が57.0μmであり、最大厚みT2が5.0μmであり、最小厚みT3が1.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が1.0%である。
試料4の各検体では、最大厚みT1が58.0μmであり、最大厚みT2が3.0μmであり、最小厚みT3が1.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が1.0%である。
試料5の各検体では、最大厚みT1が58.0μmであり、最大厚みT2が5.0μmであり、最小厚みT3が1.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が1.5%である。
試料6の各検体では、最大厚みT1が59.0μmであり、最大厚みT2が6.5μmであり、最小厚みT3が3.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が4.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が2.0%である。
試料7の各検体では、最大厚みT1が59.0μmであり、最大厚みT2が6.5μmであり、最小厚みT3が5.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が5.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が5.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が3.0%である。
試料8の各検体では、最大厚みT1が60.0μmであり、最大厚みT2が13.0μmであり、最小厚みT3が10.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が8.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が7.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が3.0%である。
試料9の各検体では、最大厚みT1が65.0μmであり、最大厚みT2が17.0μmであり、最小厚みT3が13.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が13.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が12.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が4.0%である。
試料10の各検体では、最大厚みT1が86.0μmであり、最大厚みT2が38.0μmであり、最小厚みT3が24.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が24.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が26.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が5.0%である。
試料11の各検体では、最大厚みT1が94.8μmであり、最大厚みT2が35.9μmであり、最小厚みT3が5.2μmである。領域E21での空隙13の存在割合が30.5%であり、領域E22での空隙13の存在割合が25.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が5.0%である。
試料12の各検体では、最大厚みT1が122.0μmであり、最大厚みT2が54.0μmであり、最小厚みT3が40.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が35.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が35.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が10.0%である。
試料13の各検体では、最大厚みT1が124.0μmであり、最大厚みT2が60.0μmであり、最小厚みT3が46.0μmである。領域E21での空隙13の存在割合が36.0%であり、領域E22での空隙13の存在割合が36.0%であり、領域E23での空隙13の存在割合が11.0%である。
試料1〜13ごとに、12個の検体を選び、選んだ検体を恒温恒湿槽に5時間放置した。恒温恒湿槽内では、温度が121℃であり、相対湿度が95%である。その後、検体に、窒素雰囲気中でリフロー試験を3回実施した。リフロー試験では、ピーク温度が260℃である。
リフロー試験後に、端面3eに直交する平面に沿って検体を切断し、切断面での第二電極層E2の剥離の有無を目視にて確認した。第二電極層E2に剥離が発生している検体をカウントし、第二電極層E2での剥離の発生率(%)を算出した。
T2/T1≧0.11
の関係を満たしているので、領域E21が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、領域E22を経て、間隙G1に確実に至る。領域E22は、領域E21より間隙G1に近い。したがって、領域E21が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙G1に確実に至るのであれば、領域E22が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスも、間隙G1に確実に至る。
積層コンデンサC1では、第二電極層E2(領域E21)が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙G1に確実に至る。間隙G1に至ったガスは、外部電極5外に放出され、第二電極層E2に応力が作用しがたい。したがって、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離を抑制する。
上述したように、水分から発生したガスは、複数の空隙13から間隙G1に至る。
領域E21での空隙13の存在割合が5.0%より小さい場合、及び、領域E22での空隙13の存在割合が5.0%より小さい場合、水分から発生したガスが空隙13内を移動しがたくなるおそれがある。領域E21での空隙13の存在割合が36.0%より大きい場合、及び、領域E22での空隙13の存在割合が36.0%より大きい場合、第二電極層E2に水分が浸入しやすく、ガスの発生量が増加するおそれがある。
したがって、積層コンデンサC1は、ガスの発生量の増加を抑制しつつ、領域E21及び領域E22でのガスの移動が阻害されるのを抑制する。
T2/T1≦0.48
の関係を満たしているので、水分が間隙G1から浸入する場合でも、水分が領域E21に至りがたい。したがって、積層コンデンサC1は、第二電極層E2(領域E21)が含む樹脂に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
T3/T1≧0.08
の関係を満たしているので、ガスが領域E23を移動しやすい。したがって、積層コンデンサC1では、第二電極層E2(領域E21)が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙G1に至るので、第二電極層E2に応力がより一層作用しがたい。この結果、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
T3/T1≦0.37
の関係を満たしているので、水分が間隙G1から浸入する場合でも、領域E23を経て、水分が領域E21に至りがたい。したがって、積層コンデンサC1は、第二電極層E2(領域E21)が含む樹脂に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
上述したように、水分から発生したガスは、複数の空隙13から間隙G1に至る。
領域E23での空隙13の存在割合が3.0%より小さい場合、水分から発生したガスが、領域E23に存在している空隙13内を移動しがたくなるおそれがある。領域E23での空隙13の存在割合が11.0%より大きい場合、領域E23を経て領域E22から領域E21に水分が浸入しやすく、ガスの発生量が増加するおそれがある。
したがって、積層コンデンサC1は、ガスの発生量の増加を確実に抑制しつつ、領域E23でのガスの移動が阻害されるのを確実に抑制する。
領域E22の表面が、主面3aから離れる方向に凸状に湾曲している構成では、領域E22の厚みが局所的に小さくなることはない。したがって、領域E22でのガスの移動経路が、当該移動経路の途中で狭まることはなく、積層コンデンサC1は、ガスが領域E22を移動するのを阻害しない。この結果、第二電極層E2が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙G1に至るので、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
領域E24の表面が、側面3cから離れる方向に凸状に湾曲している構成では、領域E24の厚みが局所的に小さくなることはない。したがって、領域E24でのガスの移動経路が、当該移動経路の途中で狭まることはなく、積層コンデンサC1は、ガスが領域E24を移動するのを阻害しない。この結果、第二電極層E2が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙G2に至るので、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
領域E22の端縁が湾曲している構成では、領域E22の端縁が直線状である構成に比して、領域E22の端縁の長さが大きい。したがって、積層コンデンサC1では、ガスが出る領域が大きく、ガスが、外部電極5からより一層放出されやすい。この結果、第二電極層E2に応力がより一層作用しがたい。
領域E24の端縁が湾曲している構成では、領域E24の端縁が直線状である構成に比して、領域E24の端縁の長さが大きい。したがって、積層コンデンサC1では、ガスが出る領域が大きく、ガスが、外部電極5からより一層放出されやすい。この結果、第二電極層E2に応力がより一層作用しがたい。
T4/T1≧0.11
の関係を満たしているので、領域E24が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、領域E24を経て、間隙G2に確実に至る。領域E24は、領域E21より間隙G2に近い。したがって、領域E21が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙G2に確実に至るのであれば、領域E24が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスも、間隙G2に確実に至る。
積層コンデンサC1では、第二電極層E2(領域E21)が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙G2に確実に至る。間隙G2に至ったガスは、外部電極5外に放出され、第二電極層E2に応力が作用しがたい。したがって、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離を抑制する。
上述したように、水分から発生したガスは、複数の空隙13から間隙G2に至る。
領域E24での空隙13の存在割合が5.0%より小さい場合、水分から発生したガスが空隙13内を移動しがたくなるおそれがある。領域E24での空隙13の存在割合が36.0%より大きい場合、第二電極層E2に水分が浸入しやすく、ガスの発生量が増加するおそれがある。
したがって、積層コンデンサC1では、ガスの発生量の増加を抑制しつつ、領域E24でのガスの移動が阻害されるのを抑制する。
T4/T1≦0.48
の関係を満たしているので、水分が間隙G2から浸入する場合でも、水分が領域E21に至りがたい。したがって、積層コンデンサC1は、第二電極層E2(領域E21)が含む樹脂に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
T5/T1≧0.08
の関係を満たしているので、ガスが領域E25を移動しやすい。したがって、積層コンデンサC1では、第二電極層E2(領域E21)が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙G2に至るので、第二電極層E2に応力がより一層作用しがたい。この結果、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
T5/T1≦0.37
の関係を満たしているので、水分が間隙G2から浸入する場合でも、領域E25を経て、水分が領域E21に至りがたい。したがって、積層コンデンサC1は、第二電極層E2(領域E21)が含む樹脂に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
上述したように、水分から発生したガスは、複数の空隙13から間隙G2に至る。
領域E25での空隙13の存在割合が3.0%より小さい場合、水分から発生したガスが、領域E25に存在している空隙13内を移動しがたくなるおそれがある。領域E25での空隙13の存在割合が11.0%より大きい場合、領域E25を経て領域E24から領域E21に水分が浸入しやすく、ガスの発生量が増加するおそれがある。
したがって、積層コンデンサC1では、ガスの発生量の増加を確実に抑制しつつ、領域E25でのガスの移動が阻害されるのを確実に抑制する。
各長さL1,L2は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
第一電極層E1及び第二電極層E2を含む積層コンデンサの断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の側面3cに平行であり、かつ、一対の側面3cから等距離に位置している平面で積層コンデンサを切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、各長さL1,L2を算出する。
各長さL3,L4は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
第一電極層E1及び第二電極層E2を含む積層コンデンサの断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の主面3aに平行であり、かつ、一対の主面3aから等距離に位置している平面で積層コンデンサを切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、各長さL3,L4を算出する。
長さL1が長さL2より大きい構成では、長さL1が長さL2以下である構成に比して、ガスの移動経路が多い。したがって、本変形例では、第二電極層E2が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、間隙G1に向けて移動しやすいので、第二電極層E2に応力がより一層作用しがたい。この結果、本変形例は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
長さL3が長さL4より大きい構成では、長さL3が長さL4以下である構成に比して、ガスの移動経路が多い。したがって、本変形例では、第二電極層E2が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、間隙G2に向けて移動しやすいので、第二電極層E2に応力がより一層作用しがたい。この結果、本変形例は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
本明細書では、ある要素が他の要素上に位置していると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接位置していてもよく、他の要素上に間接的に位置していてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に位置している場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接位置している場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素を覆うと記述されている場合、ある要素は、他の要素を直接覆っていてもよく、他の要素を間接的に覆っていてもよい。ある要素が他の要素を間接的に覆っている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素を直接覆っている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
T4/T1≧0.11
の関係を満たしていなくてもよい。最大厚みT1(μm)と最大厚みT2(μm)とが、
T2/T1≧0.11
の関係を満たしていれば、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離を抑制する。
領域E24での空隙13の存在割合が5.0〜36.0%の範囲内でなくてもよい。領域E21での空隙13の存在割合と、領域E22での空隙13の存在割合とが、5.0〜36.0%の範囲内であれば、積層コンデンサC1は、ガスの発生量の増加を抑制しつつ、ガスの移動が阻害されるのを抑制する。
T2/T1≦0.48
の関係を満たしていなくてもよい。最大厚みT1と、最大厚みT2とが、
T2/T1≦0.48
の関係を満たしていれば、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
最大厚みT1(μm)と、最小厚みT3(μm)とは、
T3/T1≧0.08
の関係を満たしていなくてもよい。最大厚みT1と、最小厚みT3とが、
T3/T1≧0.08
の関係を満たしていれば、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
最大厚みT1(μm)と、最小厚みT3(μm)とは、
T3/T1≦0.37
の関係を満たしていなくてもよい。最大厚みT1と、最小厚みT3とが、
T3/T1≦0.37
の関係を満たしていれば、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
領域E23での空隙13の存在割合は3.0〜11.0%の範囲内でなくてもよい。領域E23での空隙13の存在割合は3.0〜11.0%の範囲内である場合、積層コンデンサC1は、ガスの発生量の増加を確実に抑制しつつ、領域E23でのガスの移動が阻害されるのを確実に抑制する。
T2/T1≧0.11
の関係を満たしていればよい。各領域E21の最大厚みT1(μm)と、最大厚みT2(μm)とが、
T2/T1≧0.11
の関係を満たしている場合、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
上記一方の主面3a上に位置している領域E21での空隙13の存在割合と、領域E22での空隙13の存在割合とが、5.0〜36.0%の範囲内であればよい。各領域E21での空隙13の存在割合と、領域E22での空隙13の存在割合とが、5.0〜36.0%の範囲内である場合、積層コンデンサC1は、ガスの発生量の増加をより一層抑制しつつ、ガスの移動が阻害されるのをより一層抑制する。
T2/T1≦0.48
の関係を満たしていればよい。各領域E21の最大厚みT1(μm)と、最大厚みT2(μm)とが、
T2/T1≦0.48
の関係を満たしている場合、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
T3/T1≧0.08
の関係を満たしていればよい。最大厚みT1と、各領域E23の最小厚みT3とが、
T3/T1≧0.08
の関係を満たしている場合、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
最大厚みT1(μm)と、上記一方の主面3aと端面3eとの間の稜線部3g上に位置している領域E23の最小厚みT3(μm)とが、
T3/T1≦0.37
の関係を満たしていればよい。最大厚みT1と、各領域E23の最小厚みT3とが、
T3/T1≦0.37
の関係を満たしている場合、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
上記一方の主面3aと端面3eとの間の稜線部3g上に位置している領域E23での空隙13の存在割合が3.0〜11.0%の範囲内であればよい。各領域E23での空隙13の存在割合が3.0〜11.0%の範囲内である場合、積層コンデンサC1は、ガスの発生量の増加をより一層確実に抑制しつつ、領域E21からのガスの移動が阻害されるのをより一層確実に抑制する。
側面3c及び端面3eに直交する断面において、領域E24の表面は、側面3cから離れる方向に凸状に湾曲していなくてもよい。側面3c及び端面3eに直交する断面において、領域E24の表面が、側面3cから離れる方向に凸状に湾曲している場合、上述したように、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
第二方向D2から見て、領域E24の端縁が湾曲していなくてもよい。第二方向D2から見て、領域E24の端縁が湾曲している場合、上述したように、第二電極層E2に応力がより一層作用しがたい。
Claims (9)
- 互いに隣り合う側面と端面とを有している素体と、
前記側面及び前記端面に配置されている外部電極と、を備えており、
前記外部電極は、前記側面と前記端面とにわたって設けられていると共に複数の空隙が存在している導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層を覆っているめっき層と、を有し、
前記導電性樹脂層は、前記端面上に位置している第一領域と、前記側面上に位置している第二領域と、前記端面と前記側面との間の稜線部上に位置している第三領域とを含み、
前記第一領域の最大厚みがT1(μm)であり、前記第二領域の最大厚みがT2(μm)である場合、前記最大厚みT1と、前記最大厚みT2とは、
T2/T1≧0.11
の関係を満たし、
前記第一領域の厚み方向に沿う断面において、前記第一領域での前記空隙の総面積は、前記第一領域の面積の5.0〜36.0%の範囲内であり、
前記第二領域の厚み方向に沿う断面において、前記第二領域での前記空隙の総面積は、前記第二領域の面積の5.0〜36.0%の範囲内である、電子部品。 - 前記最大厚みT1と、前記最大厚みT2とは、
T2/T1≦0.48
の関係を満たす、請求項1に記載の電子部品。 - 前記第三領域の最小厚みがT3(μm)である場合、前記最大厚みT1と、前記最小厚みT3とは、
T3/T1≧0.08
の関係を満たす、請求項1又は2に記載の電子部品。 - 前記最大厚みT1と、前記最小厚みT3とは、
T3/T1≦0.37
の関係を満たす、請求項3に記載の電子部品。 - 前記第三領域の厚み方向に沿う断面において、前記第三領域での前記空隙の総面積は、前記第三領域の面積の3.0〜11.0%の範囲内である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記側面及び前記端面に直交する断面において、前記第二領域の表面は、前記側面から離れる方向に凸状に湾曲している、請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記外部電極は、前記側面と前記端面とにわたって設けられていると共に前記導電性樹脂層に覆われている焼結金属層を更に有し、
前記端面を含む面を基準面として、前記端面に直交する方向での前記焼結金属層の端縁から前記第二領域の端縁までの長さは、前記端面に直交する前記方向での前記基準面から前記焼結金属層の前記端縁までの長さより大きい、請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子部品。 - 前記側面に直交する方向から見て、前記第二領域の端縁は、湾曲している、請求項1〜7のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記側面は、実装面を構成する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子部品。
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