KR20210018042A - 전자 부품 - Google Patents

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KR20210018042A
KR20210018042A KR1020200085055A KR20200085055A KR20210018042A KR 20210018042 A KR20210018042 A KR 20210018042A KR 1020200085055 A KR1020200085055 A KR 1020200085055A KR 20200085055 A KR20200085055 A KR 20200085055A KR 20210018042 A KR20210018042 A KR 20210018042A
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유이치 나가이
다케히사 다무라
신야 오노데라
겐 모리타
아츠시 다케다
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티디케이가부시기가이샤
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Abstract

도전성 수지층은, 단부면 상에 위치하고 있는 제1 영역과, 측면 상에 위치하고 있는 제2 영역과, 단부면과 측면 사이의 능선부 상에 위치하고 있는 제3 영역을 포함하고 있다. 도전성 수지층에는, 복수의 공극이 존재하고 있다. 제1 영역의 최대 두께가 T1(㎛)이며, 제2 영역의 최대 두께가 T2(㎛)인 경우, 최대 두께 T1과 최대 두께 T2는,
T2/T1≥0.11
의 관계를 만족시킨다. 제1 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제1 영역에서의 공극의 총 면적은, 상기 제1 영역의 면적의 5.0 내지 36.0％의 범위 내이다. 제2 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제2 영역에서의 공극의 총 면적은, 제2 영역의 면적의 5.0 내지 36.0％의 범위 내이다.

Description

전자 부품{ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 전자 부품에 관한 것이다.
알려져 있는 전자 부품은, 서로 인접하는 측면과 단부면을 갖고 있는 소체와, 측면 및 단부면에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 평5-144665호 공보 참조). 외부 전극은, 측면과 단부면에 배치되어 있는 도전성 수지층과, 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고 있다.
도전성 수지층은 일반적으로, 수지와, 도전성을 갖는 입자를 포함하고 있다. 수지는, 수분을 흡수하는 경향이 있다. 전자 부품이 전자 기기에 땜납 실장되는 경우, 수지에 흡수된 수분이 가스화되어, 체적 팽창하는 경우가 있다. 이 경우, 도전성 수지층에 응력이 작용하고, 도전성 수지층에 균열이 생기고, 도전성 수지층이 박리될 우려가 있다. 도전성을 갖는 입자는, 예를 들어 금속을 포함한다. 전자 기기는, 예를 들어 회로 기판 또는 전자 부품을 포함한다.
본 발명의 하나의 양태의 목적은, 도전성 수지층의 박리를 억제하는 전자 부품을 제공하는 것이다.
일 양태에 관한 전자 부품은, 서로 인접하는 측면과 단부면을 갖고 있는 소체와, 측면 및 단부면에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있다. 외부 전극은, 측면과 단부면에 배치되어 있음과 함께 복수의 공극이 존재하고 있는 도전성 수지층과, 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고 있다. 도전성 수지층은, 단부면 상에 위치하고 있는 제1 영역과, 측면 상에 위치하고 있는 제2 영역과, 단부면과 측면 사이의 능선부 상에 위치하고 있는 제3 영역을 포함하고 있다. 제1 영역의 최대 두께가 T1(㎛)이며, 제2 영역의 최대 두께가 T2(㎛)인 경우, 최대 두께 T1과 최대 두께 T2는,
T2/T1≥0.11
의 관계를 만족시키고 있다. 제1 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제1 영역에서의 공극의 총 면적은, 제1 영역의 면적의 5.0 내지 36.0％의 범위 내이다. 제2 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제2 영역에서의 공극의 총 면적은, 제2 영역의 면적의 5.0 내지 36.0％의 범위 내이다.
본 발명자들에 의한 조사 연구의 결과, 본 발명자들은, 이하의 사항을 새롭게 알아내었다.
도전성 수지층을 덮고 있는 도금층은, 도전성 수지층과 밀착되기 쉽기는 하지만, 소체와는 밀착되기 어렵다. 따라서, 도금층의 단부 에지와 소체 사이에는, 간극이 존재한다. 수지에 흡수된 수분이 가스화하는 경우에도, 수분으로부터 발생되는 가스가, 복수의 공극으로부터, 도금층의 단부 에지와 소체 사이의 간극에 이르면, 가스는, 간극을 통과하여 외부 전극 밖으로 방출된다. 수분으로부터 발생되는 가스가 외부 전극 밖으로 방출되므로, 도전성 수지층에 응력이 작용하기 어렵다. 이하, 도금층의 단부 에지와 소체 사이의 간극은, 단순히 「간극」이라 칭해진다.
본 발명자들은, 수분으로부터 발생된 가스가 간극에 확실하게 이르는 구성에 대해, 가일층의 조사 연구를 행하였다.
도전성 수지층의 제2 영역은, 간극에 가까우므로, 제2 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스는, 간극에 이르기 쉽다. 제1 영역은, 간극으로부터 이격되어 있으므로, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스는, 간극에 이르기 어렵다. 따라서, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스를 외부 전극 밖으로 방출하기 위해서는, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스가 간극에 확실하게 이르는 구성의 실현이 요망된다. 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스가 간극에 확실하게 이르는 것이라면, 제2 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스도, 간극에 확실하게 이른다.
본 발명자들은, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스가 간극에 이르기까지의 경로에 착안하였다. 이 결과, 본 발명자들은, 제1 영역의 두께와 제2 영역의 두께가 원하는 관계를 만족시키는 경우에, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스가 간극에 확실하게 이르는 것을 알아내었다. 즉, 제1 영역의 최대 두께 T1과 제2 영역의 최대 두께 T2가,
T2/T1≥0.11
의 관계를 만족시키는 경우, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스가, 제2 영역을 거쳐, 간극에 확실하게 이른다.
따라서, 상기 하나의 양태에서는, 도전성 수지층(제1 영역)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스는, 간극에 확실하게 이른다. 간극에 이른 가스는, 외부 전극 밖으로 방출되고, 도전성 수지층에 응력이 작용하기 어렵다. 이 결과, 상기 하나의 양태는, 도전성 수지층의 박리를 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 제1 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제1 영역에서의 공극의 총 면적은, 제1 영역의 면적의 5.0 내지 36.0％의 범위 내임과 함께, 제2 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제2 영역에서의 공극의 총 면적은, 제2 영역의 면적의 5.0 내지 36.0％의 범위 내이다.
상술한 바와 같이, 수분으로부터 발생된 가스는, 복수의 공극으로부터, 간극에 이른다.
제1 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제1 영역에서의 공극의 총 면적이, 제1 영역의 면적의 5.0％보다 작은 경우, 및 제2 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제2 영역에서의 공극의 총 면적이, 제2 영역의 면적의 5.0％보다 작은 경우, 수분으로부터 발생되는 가스가 공극 내를 이동하기 어려워질 우려가 있다. 제1 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제1 영역에서의 공극의 총 면적이, 제1 영역의 면적의 36.0％보다 큰 경우, 및 제2 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제2 영역에서의 공극의 총 면적이, 제2 영역의 면적의 36.0％보다 큰 경우, 도전성 수지층에 수분이 침입하기 쉽고, 가스의 발생량이 증가할 우려가 있다.
따라서, 상기 하나의 양태는, 가스의 발생량의 증가를 억제하면서, 제1 영역 및 제2 영역에서의 가스의 이동이 저해되는 것을 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 최대 두께 T1과 최대 두께 T2는,
T2/T1≤0.48
의 관계를 만족시켜도 된다.
본 발명자들에 의한 조사 연구의 결과, 본 발명자들은, 이하의 사항도 새롭게 알아내었다.
간극은, 도전성 수지층이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스의 출구임과 함께, 외부 전극 내로의 수분의 입구이다. 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스가 간극에 이르기까지의 경로는, 수분이 제1 영역에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 수분이 제1 영역에 이르면, 수분은 제1 영역에 흡수된다. 이 경우, 가스의 발생량이 증가할 우려가 있다. 따라서, 수분이 제1 영역에 흡수되는 것을 억제하기 위해서는, 수분이 제1 영역에 이르기 어려운 구성의 실현이 요망된다.
본 발명자들은, 제1 영역의 두께 및 제2 영역의 두께가 원하는 관계를 만족시키는 경우에, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다는 것을 알아내었다. 즉, 최대 두께 T1과 최대 두께 T2가,
T2/T1≤0.48
의 관계를 만족시키는 구성에서는, 수분이 간극으로부터 침입하는 경우에도, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다. 따라서, 본 구성은, 도전성 수지층(제1 영역)에 흡수되는 수분의 증가 및 수분으로부터 발생되는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 한층 더 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 제3 영역의 최소 두께가 T3(㎛)인 경우, 최대 두께 T1과 최소 두께 T3은,
T3/T1≥0.08
의 관계를 만족시켜도 된다.
본 발명자들에 의한 조사 연구의 결과, 본 발명자들은, 이하의 사항도 새롭게 알아내었다.
제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스를, 한층 더 확실하게 간극에 이르게 하기 위해서는, 가스가 제3 영역을 한층 더 이동하기 쉬운 구성의 실현이 요망된다.
본 발명자들은, 제1 영역의 두께 및 제3 영역의 두께가, 원하는 관계를 만족시키는 경우에, 가스가 제3 영역을 한층 더 이동하기 쉽다는 것을 알아내었다. 즉, 제1 영역의 최대 두께 T1과 제3 영역의 최소 두께 T3이,
T3/T1≥0.08
의 관계를 만족시키는 구성에서는, 가스가 제3 영역을 이동하기 쉽다. 따라서, 본 구성에서는, 도전성 수지층(제1 영역)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스가, 한층 더 확실하게 간극에 이른다. 도전성 수지층에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 한층 더 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 최대 두께 T1과 최소 두께 T3은,
T3/T1≤0.37
의 관계를 만족시켜도 된다.
본 발명자들에 의한 조사 연구의 결과, 본 발명자들은, 이하의 사항도 새롭게 알아내었다.
상술한 바와 같이, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스가 간극에 이르기까지의 경로는, 수분이 제1 영역에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 즉, 제3 영역은, 수분이 통과하는 경로 상에 위치하고 있다. 따라서, 수분이 제1 영역에 흡수되는 것을 억제하기 위해서는, 수분이, 제3 영역을 거쳐, 제1 영역에 이르기 어려운 구성의 실현이 요망된다.
본 발명자들은, 제1 영역의 두께 및 제3 영역의 두께가, 원하는 관계를 만족시키는 경우에, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다는 것을 알아내었다. 즉, 최대 두께 T1과 상기 두께 T3이,
T3/T1≤0.37
의 관계를 만족시키는 구성에서는, 수분이 간극으로부터 침입하는 경우에도, 수분이, 제3 영역을 거쳐, 제1 영역에 이르기 어렵다. 따라서, 본 구성은, 도전성 수지층(제1 영역)에 흡수되는 수분의 증가 및 수분으로부터 발생되는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 한층 더 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 제3 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제3 영역에서의 공극의 총 면적은, 제3 영역의 면적의 3.0 내지 11.0％의 범위 내여도 된다.
상술한 바와 같이, 수분으로부터 발생되는 가스는, 복수의 공극으로부터 간극에 이른다.
제3 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제3 영역에서의 공극의 총 면적이, 제3 영역의 면적의 3.0％보다 작은 경우, 수분으로부터 발생된 가스가, 제3 영역에 존재하고 있는 공극 내를 이동하기 어려워질 우려가 있다. 제3 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제3 영역에서의 공극의 총 면적이, 제3 영역의 면적의 11.0％보다 큰 경우, 제3 영역을 거쳐서 제2 영역으로부터 제1 영역에 수분이 침입하기 쉽고, 가스의 발생량이 한층 더 증가할 우려가 있다.
따라서, 제3 영역에서의 공극의 총 면적이, 제3 영역의 면적의 3.0 내지 11.0％의 범위 내인 구성은, 가스의 발생량의 증가를 확실하게 억제하면서, 제3 영역에서의 가스의 이동이 저해되는 것을 확실하게 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 측면 및 단부면에 직교하는 단면에 있어서, 제2 영역의 표면은, 측면으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있어도 된다.
제2 영역의 표면은, 측면으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 구성에서는, 제2 영역의 두께가 국소적으로 작아지기 어려우므로, 제2 영역에서의 가스의 이동 경로가, 당해 이동 경로의 도중에 좁아지기 어렵다. 따라서, 본 구성은, 가스가 제2 영역을 이동하는 것을 저해하기 어렵다. 도전성 수지층이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스가, 한층 더 확실하게 간극에 이르기 쉽다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 한층 더 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 외부 전극은, 측면과 단부면에 배치되어 있음과 함께 도전성 수지층으로 덮여 있는 소결 금속층을 더 갖고 있어도 된다. 단부면을 포함하는 면을 기준면으로 하여, 단부면에 직교하는 방향에서의 소결 금속층의 단부 에지로부터 제2 영역의 단부 에지까지의 길이는, 단부면에 직교하는 방향에서의 기준면으로부터 소결 금속층의 단부 에지까지의 길이보다 커도 된다.
본 발명자들에 의한 조사 연구의 결과, 본 발명자들은, 이하의 사항도 새롭게 알아내었다.
소체와 도전성 수지층의 밀착 정도는, 소결 금속층과 도전성 수지층의 밀착 정도보다 낮다. 따라서, 소결 금속층과 도전성 수지층의 계면은, 가스의 이동 경로에 기여하기 어렵기는 하지만, 소체와 도전성 수지층의 계면은, 가스의 이동 경로로서 기여하기 쉽다.
본 발명자들은, 소결 금속층과 도전성 수지층의 계면의 길이 및 소체와 도전성 수지층의 계면의 길이에 착안하였다. 이 결과, 본 발명자들은, 단부면에 직교하는 방향에서의 상기 기준면으로부터 소결 금속층의 단부 에지까지의 길이 및 단부면에 직교하는 방향에서의 소결 금속층의 단부 에지로부터 제2 영역의 단부 에지까지의 길이가 원하는 관계를 만족시키는 경우에, 가스의 이동 경로가 증가하는 것을 알아내었다. 단부면에 직교하는 방향에서의 소결 금속층의 단부 에지로부터 제2 영역의 단부 에지까지의 길이가, 단부면에 직교하는 방향에서의 상기 기준면으로부터 소결 금속층의 단부 에지까지의 길이보다 큰 구성에서는, 가스의 이동 경로가 증가한다. 따라서, 본 구성에서는, 도전성 수지층이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생되는 가스가, 간극을 향하여 이동하기 쉽다. 도전성 수지층에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 한층 더 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 측면에 직교하는 방향으로부터 보아, 제2 영역의 단부 에지는, 만곡되어 있어도 된다.
제2 영역의 단부 에지가 만곡되어 있는 구성에서는, 제2 영역의 단부 에지가 직선형인 구성에 비하여, 제2 영역의 단부 에지의 길이가 크다. 따라서, 제2 영역의 단부 에지가 만곡되어 있는 구성에서는, 가스가 나오는 영역이 커서, 가스가 외부 전극으로부터 한층 더 방출되기 쉽다. 이 결과, 도전성 수지층에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다.
상기 하나의 양태에서는, 상기 측면은 실장면을 구성해도 된다.
전자 부품이 전자 기기에 땜납 실장되어 있는 경우, 전자 기기로부터 전자 부품에 작용하는 외력이, 소체에 응력으로서 작용하는 경우가 있다. 외력은, 땜납 실장시에 형성된 땜납 필렛으로부터 외부 전극을 통하여 소체에 작용한다. 이 경우, 소체에 크랙이 발생할 우려가 있다. 외력은, 예를 들어 소체에 있어서의, 실장면을 구성하는 면에 작용하는 경향이 있다.
상기 측면이 실장면을 구성하고 있는 구성에서는, 제2 영역이, 실장면을 구성하는 측면 상에 위치하고 있다. 따라서, 전자 기기로부터 전자 부품에 작용하는 외력이 소체에 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 구성은, 크랙이 소체에 발생하는 것을 억제한다.
본 발명은, 단지 예시를 위해 제공된 것으로서 그에 따라 본 발명을 한정하는 것으로 간주되지 않는, 이하에 기술된 상세한 설명 및 첨부 도면으로부터 더욱 잘 이해될 것이다.
본 발명의 추가적인 적용 범위는 이하에 기술된 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.　 그러나, 그 상세한 설명 및 특정 예들은, 본 발명의 실시 형태를 나타내기는 하지만, 기술 분야에 숙련된 자에게는, 이 상세한 설명으로부터 본 발명의 사상 및 범주 내의 다양한 변경과 수정이 가능함은 명백해질 것이므로, 단지 예시로서 기술된 것으로 이해되어야 한다.
도 1은, 일 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 사시도이다.
도 2는, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 단면 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 단면 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는, 외부 전극의 단면 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는, 외부 전극의 단면 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은, 소체와 제2 전극층을 나타내는 평면도이다.
도 7은, 소체와 제2 전극층을 나타내는 평면도이다.
도 8은, 각 시료에 있어서의 제2 전극층에서의 박리 발생률을 나타내는 도표이다.
도 9는, 외부 전극의 단면 구성을 나타내는 도면이다.
도 10은, 외부 전극의 단면 구성을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태는 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명될 것이다. 이하의 설명에서는, 동일한 기능을 갖는 동일 요소 또는 요소는 동일한 참조 번호로 표시하고 중복되는 설명은 생략한다.
도 1 내지 도 7을 참조하여, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서 C1의 구성을 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 사시도이다. 도 2 및 도 3은, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 단면 구성을 나타내는 도면이다. 도 4 및 도 5는, 외부 전극의 단면 구성을 나타내는 도면이다. 도 6 및 도 7은, 소체와 제2 전극층을 나타내는 평면도이다. 본 실시 형태에서는, 전자 부품은, 예를 들어 적층 콘덴서 C1이다.
적층 콘덴서 C1은, 도 1에 도시되는 바와 같이, 직육면체 형상을 나타내고 있는 소체(3)와, 복수의 외부 전극(5)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 적층 콘덴서 C1은, 한 쌍의 외부 전극(5)을 구비하고 있다. 한 쌍의 외부 전극(5)은, 소체(3)의 외표면에 배치되어 있다. 한 쌍의 외부 전극(5)은, 서로 이격되어 있다. 직육면체 형상은, 코너부 및 능선부가 모따기되어 있는 직육면체의 형상 및 코너부 및 능선부가 둥글게 되어 있는 직육면체의 형상을 포함한다.
소체(3)는, 서로 대향하고 있는 한 쌍의 주면(3a)과, 서로 대향하고 있는 한 쌍의 측면(3c)과, 서로 대향하고 있는 한 쌍의 단부면(3e)을 갖고 있다. 한 쌍의 주면(3a), 한 쌍의 측면(3c), 및 한 쌍의 단부면(3e)은, 직사각형 형상을 나타내고 있다. 한 쌍의 주면(3a)이 대향하고 있는 방향이, 제1 방향 D1이다. 한 쌍의 측면(3c)이 대향하고 있는 방향이, 제2 방향 D2이다. 한 쌍의 단부면(3e)이 대향하고 있는 방향이, 제3 방향 D3이다. 적층 콘덴서 C1은, 전자 기기에 땜납 실장된다. 전자 기기는, 예를 들어 회로 기판 또는 전자 부품을 포함한다. 적층 콘덴서 C1에서는, 한쪽 주면(3a)이, 전자 기기와 대향한다. 한쪽 주면(3a)은, 실장면을 구성하도록 배치된다. 한쪽 주면(3a)은, 실장면이다. 각 주면(3a)은, 직육면체 형상을 나타내고 있는 소체(3)가 갖는 측면이기도 하다.
제1 방향 D1은, 각 주면(3a)에 직교하는 방향이며, 제2 방향 D2와 직교하고 있다. 제3 방향 D3은, 각 주면(3a)과 각 측면(3c)에 평행한 방향이며, 제1 방향 D1과 제2 방향 D2에 직교하고 있다. 제2 방향 D2는, 각 측면(3c)에 직교하는 방향이며, 제3 방향 D3은, 각 단부면(3e)에 직교하는 방향이다. 본 실시 형태에서는, 소체(3)의 제3 방향 D3에서의 길이는, 소체(3)의 제1 방향 D1에서의 길이보다 크고, 또한, 소체(3)의 제2 방향 D2에서의 길이보다 크다. 제3 방향 D3이, 소체(3)의 긴 변 방향이다. 소체(3)의 제1 방향 D1에서의 길이와 소체(3)의 제2 방향 D2에서의 길이는, 서로 동등해도 된다. 소체(3)의 제1 방향 D1에서의 길이와 소체(3)의 제2 방향 D2에서의 길이는, 서로 달라도 된다.
소체(3)의 제1 방향 D1에서의 길이는, 소체(3)의 높이이다. 소체(3)의 제2 방향 D2에서의 길이는, 소체(3)의 폭이다. 소체(3)의 제3 방향 D3에서의 길이는, 소체(3)의 길이이다. 본 실시 형태에서는, 소체(3)의 높이는, 0.5 내지 2.5㎜이며, 소체(3)의 폭은, 0.5 내지 5.0㎜이며, 소체(3)의 길이는, 1.0 내지 5.7㎜이다. 예를 들어, 소체(3)의 높이는, 2.5㎜이며, 소체(3)의 폭은, 2.5㎜이며, 소체(3)의 길이는, 3.2㎜이다.
한 쌍의 측면(3c)은, 한 쌍의 주면(3a)을 연결하도록 제1 방향 D1로 연장되어 있다. 한 쌍의 측면(3c)은, 제3 방향 D3으로도 연장되어 있다. 한 쌍의 단부면(3e)은, 한 쌍의 주면(3a)을 연결하도록 제1 방향 D1로 연장되어 있다. 한 쌍의 단부면(3e)은, 제2 방향 D2로도 연장되어 있다.
소체(3)는, 네 능선부(3g)와, 네 능선부(3i)와, 네 능선부(3j)를 갖고 있다. 능선부(3g)는, 단부면(3e)과 주면(3a) 사이에 위치하고 있다. 능선부(3i)는, 단부면(3e)과 측면(3c) 사이에 위치하고 있다. 능선부(3j)는, 주면(3a)과 측면(3c) 사이에 위치하고 있다. 본 실시 형태에서는, 각 능선부(3g, 3i, 3j)는, 만곡되도록 둥글게 되어 있다. 소체(3)에는, 소위 R모따기 가공이 실시되어 있다. 단부면(3e)과 주면(3a)은, 능선부(3g)를 통하여, 간접적으로 인접하고 있다. 단부면(3e)과 측면(3c)은, 능선부(3i)를 통하여, 간접적으로 인접하고 있다. 주면(3a)과 측면(3c)은, 능선부(3j)를 통하여, 간접적으로 인접하고 있다.
소체(3)는, 제1 방향 D1로 복수의 유전체층이 적층되어 구성되어 있다. 소체(3)는, 적층되어 있는 복수의 유전체층을 갖고 있다. 소체(3)에서는, 복수의 유전체층의 적층 방향이 제1 방향 D1과 일치한다. 각 유전체층은, 예를 들어 유전체 재료를 포함하는 세라믹 그린 시트의 소결체로 구성되어 있다. 유전체 재료는, 예를 들어 BaTiO3계, Ba(Ti, Zr)O3계, 또는 (Ba, Ca)TiO3계 등의 유전체 세라믹을 포함한다. 실제의 소체(3)에서는, 각 유전체층은, 각 유전체층 사이의 경계를 시인할 수 없는 정도로 일체화되어 있다. 소체(3)에서는, 복수의 유전체층의 적층 방향이 제2 방향 D2와 일치하고 있어도 된다.
적층 콘덴서 C1은, 도 2 및 도 3에 도시되는 바와 같이, 복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)을 구비하고 있다. 각 내부 전극(7, 9)은, 소체(3) 내에 배치되어 있는 내부 도체이다. 각 내부 전극(7, 9)은, 적층형 전자 부품의 내부 전극으로서 통상 사용되는 도전성 재료를 포함한다. 도전성 재료는, 예를 들어 비(卑)금속을 포함한다. 도전성 재료는, 예를 들어 Ni 또는 Cu를 포함한다. 내부 전극(7, 9)은, 상기 도전성 재료를 포함하는 도전성 페이스트의 소결체로서 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 내부 전극(7, 9)은, Ni를 포함한다.
내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제1 방향 D1에 있어서 다른 위치(층)에 배치되어 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 소체(3) 내에 있어서, 제1 방향 D1로 간격을 갖고 대향하도록 교대로 배치되어 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 서로 극성이 다르다. 복수의 유전체층의 적층 방향이 제2 방향 D2인 경우, 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제2 방향 D2에 있어서 다른 위치(층)에 배치된다. 내부 전극(7, 9)의 일단부는, 대응하는 단부면(3e)에 노출되어 있다. 내부 전극(7, 9)은, 대응하는 단부면(3e)에 노출되어 있는 일단부를 갖고 있다.
복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)은, 제1 방향 D1에서 교대로 배열되어 있다. 각 내부 전극(7, 9)은, 주면(3a)과 대략 평행한 면 내에 위치하고 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제1 방향 D1로 서로 대향하고 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)이 대향하고 있는 방향(제1 방향 D1)은, 주면(3a)과 평행한 방향(제2 방향 D2 및 제3 방향 D3)과 직교하고 있다. 복수의 유전체층의 적층 방향이 제2 방향 D2인 경우, 복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)은, 제2 방향 D2로 교대로 배열된다. 이 경우, 각 내부 전극(7, 9)은, 주면(3a)과 대략 직교하고 있는 면 내에 위치한다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제2 방향 D2로 서로 대향한다.
외부 전극(5)은, 도 1에 도시되는 바와 같이, 소체(3)의 제3 방향 D3에서의 양단부에 각각 배치되어 있다. 각 외부 전극(5)은, 소체(3)에 있어서의, 대응하는 단부면(3e)측에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은, 적어도, 단부면(3e)과, 측면이기도 한 주면(3a)에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 각 외부 전극(5)은, 한 쌍의 주면(3a), 한 쌍의 측면(3c) 및 하나의 단부면(3e)에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은, 도 2 내지 도 5에 도시되는 바와 같이, 복수의 전극부(5a, 5c, 5e)를 갖고 있다. 전극부(5a)는, 주면(3a) 상 및 능선부(3g) 상에 배치되어 있다. 각 전극부(5c)는, 측면(3c) 상 및 능선부(3i) 상에 배치되어 있다. 전극부(5e)는, 단부면(3e) 상에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은, 능선부(3j) 상에 배치되어 있는 전극부도 갖고 있다.
외부 전극(5)은, 한 쌍의 주면(3a), 하나의 단부면(3e) 및 한 쌍의 측면(3c)의 다섯 면, 그리고, 능선부(3g, 3i, 3j)에 형성되어 있다. 서로 인접하는 전극부(5a, 5c, 5e)는, 접속되어 있고, 전기적으로 접속되어 있다. 전극부(5e)는, 대응하는 내부 전극(7, 9)의 일단부를 모두 덮고 있다. 전극부(5e)는, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 직접적으로 접속되어 있다. 외부 전극(5)은, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 전기적으로 접속되어 있다. 외부 전극(5)은, 도 4 및 도 5에 도시되는 바와 같이, 제1 전극층 E1, 제2 전극층 E2, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다. 제4 전극층 E4는, 외부 전극(5)의 최외층을 구성하고 있다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)는, 제1 전극층 E1, 제2 전극층 E2, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다.
전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3g) 상에 배치되어 있고, 주면(3a) 상에는 배치되어 있지 않다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 주면(3a)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3g)의 전체와 접하고 있다. 주면(3a)은, 제1 전극층 E1로 덮여 있지 않고, 제1 전극층 E1로부터 노출되어 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a) 상에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a)의 일부와 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a)의 일부와도 접한다. 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다.
전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상 및 주면(3a) 상에 배치되어 있다. 전극부(5a)에서는, 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체를 덮고 있다. 전극부(5a)에서는, 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체와 접하고 있다. 제2 전극층 E2는, 주면(3a)의 일부와 접하고 있다. 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다. 전극부(5a)는, 능선부(3g) 상에서는 4층 구조를 가지고 있고, 주면(3a) 상에서는 3층 구조를 갖고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 능선부(3g)의 전체와 주면(3a)의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 상술한 바와 같이, 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 소체(3) 사이에 위치하도록, 능선부(3g)의 전체와 주면(3a)의 일부를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 주면(3a)의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층 E2는, 능선부(3g)에 형성되어 있는 제1 전극층 E1의 전체를 직접 덮고 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1이, 주면(3a) 상에 배치되어 있는 경우, 전극부(5a)는, 주면(3a) 및 능선부(3g) 상에서 4층 구조를 갖는다.
전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3i) 상에 배치되어 있고, 측면(3c) 상에는 배치되어 있지 않다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3i)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 측면(3c)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 능선부(3i)의 전체와 접하고 있다. 측면(3c)은, 제1 전극층 E1로 덮여 있지 않고, 제1 전극층 E1로부터 노출되어 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c) 상에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c)의 일부와 능선부(3i)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c)의 일부와도 접한다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다.
전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상 및 측면(3c) 상에 배치되어 있다. 전극부(5c)에서는, 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체를 덮고 있다. 전극부(5c)에서는, 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체와 접하고 있다. 제2 전극층 E2는, 측면(3c)의 일부와 접하고 있다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다. 전극부(5c)는, 능선부(3i) 상에서는 4층 구조를 가지고 있고, 측면(3c) 상에서는 3층 구조를 갖고 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 능선부(3i)의 전체와 측면(3c)의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 상술한 바와 같이, 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 소체(3) 사이에 위치하도록, 능선부(3i)의 전체와 측면(3c)의 일부를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 측면(3c)의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 능선부(3i)에 형성되어 있는 제1 전극층 E1의 전체를 직접 덮고 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1이, 측면(3c) 상에 배치되어 있는 경우, 전극부(5c)는, 측면(3c) 상 및 능선부(3i) 상에서 4층 구조를 갖는다.
전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 능선부(3i)의 일부와 측면(3c)의 일부를 덮도록 형성되어 있어도 된다. 능선부(3i)의 일부는, 예를 들어 능선부(3i)에 있어서의 주면(3a) 근처의 일부 영역이다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 주면(3a) 및 단부면(3e) 근처의 각 영역이다. 이 경우, 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 능선부(3i) 사이에 위치하도록, 능선부(3i)의 일부를 간접적으로 덮는다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 측면(3c)의 일부를 직접 덮는다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1에 있어서의 능선부(3i)에 형성되어 있는 부분의 일부를 직접 덮는다. 즉, 전극부(5c)는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있는 영역과, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로 덮여 있는 영역을 갖는다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2가, 능선부(3i)의 일부와 측면(3c)의 일부를 덮도록 형성되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제2 방향 D2에 있어서 다른 위치(층)에 배치되어 있어도 된다.
전극부(5e)의 제1 전극층 E1은, 단부면(3e) 상에 배치되어 있다. 단부면(3e)의 전체가, 제1 전극층 E1로 덮여 있다. 전극부(5e)의 제1 전극층 E1은, 단부면(3e)의 전체와 접하고 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상에 배치되어 있다. 전극부(5e)에서는, 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체와 접하고 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 단부면(3e)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 단부면(3e) 사이에 위치하도록, 단부면(3e)의 전체를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1의 전체를 직접 덮고 있다. 전극부(5e)에서는, 제1 전극층 E1은, 대응하는 내부 전극(7, 9)의 일단부와 접속되도록 단부면(3e)에 형성되어 있다.
전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 단부면(3e)의 일부를 덮도록 형성되어 있어도 된다. 단부면(3e)의 일부는, 예를 들어 단부면(3e)에 있어서의 주면(3a) 근처의 일부 영역이다. 이 경우, 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2와 단부면(3e) 사이에 위치하도록, 단부면(3e)의 일부를 간접적으로 덮는다. 전극부(5e)의 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1에 있어서의 단부면(3e)에 형성되어 있는 부분의 일부를 직접 덮는다. 즉, 전극부(5e)는, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로부터 노출되어 있는 영역과, 제1 전극층 E1이 제2 전극층 E2로 덮여 있는 영역을 갖는다. 전극부(5c)의 제2 전극층 E2가, 단부면(3e)의 일부를 덮도록 형성되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제2 방향 D2에 있어서 다른 위치(층)에 배치되어 있어도 된다.
제1 전극층 E1은, 소체(3)의 표면에 부여된 도전성 페이스트를 베이킹함으로써 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 하나의 단부면(3e) 및 능선부(3g, 3i, 3j)를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 도전성 페이스트에 포함되는 금속 성분(금속 분말)이 소결함으로써 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 소결 금속층이다. 제1 전극층 E1은, 소체(3)에 형성된 소결 금속층이다. 본 실시 형태에서는, 제1 전극층 E1은, Cu를 포함하는 소결 금속층이다. 제1 전극층 E1은, Ni를 포함하는 소결 금속층이어도 된다. 제1 전극층 E1은, 비금속을 포함하고 있다. 도전성 페이스트는, 예를 들어 Cu 또는 Ni를 포함하는 분말, 유리 성분, 유기 바인더 및 유기 용제를 포함하고 있다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)가 갖고 있는 제1 전극층 E1은, 일체적으로 형성되어 있다.
제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상에 부여된 도전성 수지를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상과 소체(3) 상에 형성되어 있다. 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1 상과 소체(3) 상에 연속하여 형성되어 있다. 제1 전극층 E1은, 제2 전극층 E2를 형성하기 위한 하지 금속층이다. 제2 전극층 E2는, 제1 전극층 E1을 덮는 도전성 수지층이다. 도전성 수지는, 예를 들어 수지, 도전성 재료 및 유기 용매를 포함하고 있다. 수지는, 예를 들어 열 경화성 수지이다. 도전성 재료는, 예를 들어 금속 분말이다. 금속 분말은, 예를 들어 Ag 분말 또는 Cu 분말이다. 열 경화성 수지는, 예를 들어 페놀 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 또는 폴리이미드 수지이다. 제2 전극층 E2는, 능선부(3j)의 일부와 접하고 있다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)가 갖고 있는 제2 전극층 E2는, 일체적으로 형성되어 있다.
제3 전극층 E3은, 제2 전극층 E2 상에 도금법에 의해 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제3 전극층 E3은, 제2 전극층 E2 상에 Ni 도금에 의해 형성되어 있다. 제3 전극층 E3은, Ni 도금층이다. 제3 전극층 E3은, Sn 도금층, Cu 도금층, 또는 Au 도금층이어도 된다. 제3 전극층 E3은, Ni, Sn, Cu, 또는 Au를 포함하고 있다. Ni 도금층은, 제2 전극층 E2에 포함되는 금속보다도 땜납 침출에 대한 내성(sdolder leach resistance)이 우수하다. 제3 전극층 E3은, 제2 전극층 E2를 덮고 있다.
제4 전극층 E4는, 제3 전극층 E3 상에 도금법에 의해 형성되어 있다. 제4 전극층 E4는, 땜납 도금층이다. 본 실시 형태에서는, 제4 전극층 E4는, 제3 전극층 E3 상에 Sn 도금에 의해 형성되어 있다. 제4 전극층 E4는, Sn 도금층이다. 제4 전극층 E4는, Sn-Ag 합금 도금층, Sn-Bi 합금 도금층, 또는 Sn-Cu 합금 도금층이어도 된다. 제4 전극층 E4는, Sn, Sn-Ag 합금, Sn-Bi 합금, 또는 Sn-Cu 합금을 포함하고 있다.
제3 전극층 E3과 제4 전극층 E4는, 제2 전극층 E2에 형성되는 도금층 PL을 구성하고 있다. 본 실시 형태에서는, 도금층 PL은, 2층 구조를 갖고 있다. 도금층 PL은, 제2 전극층 E2를 덮고 있다. 제3 전극층 E3은, 최외층을 구성하는 제4 전극층 E4와, 제2 전극층 E2 사이에 위치하고 있는 중간 도금층이다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)가 갖고 있는 제3 전극층 E3은, 일체적으로 형성되어 있다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)가 갖고 있는 제4 전극층 E4는, 일체적으로 형성되어 있다.
도 4에 도시되는 바와 같이, 제2 전극층 E2는, 단부면(3e) 상에 위치하고 있는 영역 E21, 각 주면(3a) 상에 위치하고 있는 영역 E22 및 각 능선부(3g) 상에 위치하고 있는 영역 E23을 포함하고 있다. 영역 E21은, 전극부(5e)의 제2 전극층 E2이다. 영역 E22와 영역 E23은, 전극부(5a)의 제2 전극층 E2이다. 영역 E23은, 영역 E21과 영역 E22 사이에 위치하고 있다. 영역 E23은, 영역 E21과 영역 E22가 연결되어 있다. 영역 E21과 영역 E23이 연속하고 있음과 함께, 영역 E22와 영역 E23이 연속되어 있다. 제2 전극층 E2는, 단부면(3e)과 주면(3a)에 배치되어 있다. 제2 전극층 E2는, 단부면(3e)과 주면(3a)에 연속하여 배치되어 있다. 예를 들어, 영역 E21이 제1 영역을 구성하는 경우, 영역 E22는 제2 영역을 구성하고, 영역 E23은 제3 영역을 구성한다.
영역 E21의 최대 두께 T1(㎛)과 영역 E22의 최대 두께 T2(㎛)는,
T2/T1≥0.11
의 관계를 만족시키고 있다. 최대 두께 T1과 최대 두께 T2는,
T2/T1≤0.48
의 관계를 만족시키고 있어도 된다. 최대 두께 T1은, 단부면(3e) 상에서의 제2 전극층 E2의 최대 두께이다. 최대 두께 T2는, 주면(3a) 상에서의 제2 전극층 E2의 최대 두께이다.
최대 두께 T1과 영역 E23의 최소 두께 T3(㎛)은,
T3/T1≥0.08
의 관계를 만족시키고 있어도 된다. 최대 두께 T1과 최소 두께 T3은,
T3/T1≤0.37
의 관계를 만족시키고 있어도 된다. 최소 두께 T3은, 능선부(3g) 상에서의 제2 전극층 E2의 최소 두께이다.
최대 두께 T1, 최대 두께 T2와, 최소 두께 T3은, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
제2 전극층 E2를 포함하는 적층 콘덴서 C1의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 측면(3c)에 평행이며, 또한, 한 쌍의 측면(3c)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 적층 콘덴서 C1을 절단했을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득된 단면 사진 상에서의, 제2 전극층 E2의 각 두께 T1, T2, T3이 산출된다. 최대 두께 T1은, 제3 방향 D3에서의 영역 E21의 두께의 최댓값이다. 최대 두께 T2는, 제1 방향 D1에서의 영역 E22의 두께의 최댓값이다. 최소 두께 T3은, 영역 E23의 두께의 최솟값이다. 영역 E23의 두께는, 예를 들어 능선부(3g)의 법선 방향에서의 두께이다.
도 5에 도시되는 바와 같이, 제2 전극층 E2는, 각 측면(3c) 상에 위치하고 있는 영역 E24 및 각 능선부(3i) 상에 위치하고 있는 영역 E25도 포함하고 있다. 영역 E24와 영역 E25는, 전극부(5c)의 제2 전극층 E2이다. 영역 E25는, 영역 E21과 영역 E24 사이에 위치하고 있다. 영역 E25는, 영역 E21과 영역 E24를 연결하고 있다. 영역 E21과 영역 E25가 연속하고 있음과 함께, 영역 E24와 영역 E25가 연속되어 있다. 제2 전극층 E2는, 단부면(3e)과 측면(3c)에 배치되어 있다. 제2 전극층 E2는, 단부면(3e)과 측면(3c)에 연속하여 배치되어 있다. 예를 들어, 영역 E21이 제1 영역을 구성하는 경우, 영역 E24는 제4 영역을 구성하고, 영역 E25는 제5 영역을 구성한다.
영역 E21의 최대 두께 T1(㎛)과 영역 E24의 최대 두께 T4(㎛)는,
T4/T1≥0.11
의 관계를 만족시키고 있다. 최대 두께 T1과 최대 두께 T4는,
T4/T1≤0.48
의 관계를 만족시키고 있어도 된다. 최대 두께 T4는, 측면(3c) 상에서의 제2 전극층 E2의 최대 두께이다.
최대 두께 T1과 영역 E25의 최소 두께 T5(㎛)는,
T5/T1≥0.08
의 관계를 만족시키고 있어도 된다. 최대 두께 T1과 최소 두께 T5는,
T5/T1≤0.37
의 관계를 만족시키고 있어도 된다. 최소 두께 T5는, 능선부(3i) 상에서의 제2 전극층 E2의 최소 두께이다. 본 실시 형태에서는, 최대 두께 T2와 최대 두께 T4는 동등하고, 최소 두께 T3과 최소 두께 T5는 동등하다. 동등은, 반드시, 값이 일치하고 있는 것만을 의미하는 것은 아니다. 미리 설정한 범위에서의 미소한 차이, 제조 오차, 또는 측정 오차가 값에 포함되어 있는 경우라도, 값이 동등하다고 보아도 된다.
최대 두께 T4 및 최소 두께 T5는, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
제2 전극층 E2를 포함하는 적층 콘덴서 C1의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 주면(3a)에 평행이며, 또한, 한 쌍의 주면(3a)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 적층 콘덴서 C1을 절단했을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득된 단면 사진 상에서의, 제2 전극층 E2의 각 두께 T4, T5가 산출된다. 최대 두께 T4는, 제1 방향 D1에서의 영역 E24의 두께의 최댓값이다. 최소 두께 T5는, 영역 E25의 두께의 최솟값이다. 영역 E25의 두께는, 예를 들어 능선부(3i)의 법선 방향에서의 두께이다.
제2 전극층 E2에는, 도 2 내지 도 5에 도시되는 바와 같이, 복수의 공극(13)이 존재하고 있다. 복수의 공극(13)은, 제2 전극층 E2 내에 분산하고 있다. 복수의 공극(13) 중 몇개의 공극(13)은 서로 연통되어 있다. 서로 연통하고 있는 공극(13)은, 적어도 하나의 통로를 구성한다. 서로 연통하고 있는 공극(13)에 의해 구성되는 통로는, 제2 전극층 E2의 표면에 개구되어 있다. 제2 전극층 E2의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 공극(13)의 최대 길이는, 1 내지 20㎛의 범위 내이다. 본 실시 형태에서는, 공극(13)의 최대 길이는, 20㎛이다.
각 제2 전극층 E2는, 상술한 바와 같이, 영역 E21, 한 쌍의 영역 E22, 한 쌍의 영역 E23, 한 쌍의 영역 E24 및 한 쌍의 영역 E25를 갖고 있다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율(existence ratio)은, 5.0 내지 36.0％의 범위 내이다. 각 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율은, 5.0 내지 36.0％의 범위 내이다. 각 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율은, 3.0 내지 11.0％의 범위 내이다. 각 영역 E24에서의 공극(13)의 존재 비율은, 5.0 내지 36.0％의 범위 내이다. 각 영역 E25에서의 공극(13)의 존재 비율은, 3.0 내지 11.0％의 범위 내이다. 공극(13)의 존재 비율은, 제2 전극층 E2의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 제2 전극층 E2의 면적에 대한 공극(13)의 총 면적의 비율이다.
본 실시 형태에서는, 예를 들어 영역 E21에서는, 제2 전극층 E2의 두께 방향은, 단부면(3e)에 직교하는 방향과 일치한다. 제2 전극층 E2의 두께 방향은, 영역 E21에서는, 제3 방향 D3과 일치한다. 예를 들어, 영역 E22에서는, 제2 전극층 E2의 두께 방향은, 주면(3a)에 직교하는 방향과 일치한다. 제2 전극층 E2의 두께 방향은, 영역 E22에서는, 제1 방향 D1과 일치한다. 예를 들어, 영역 E23에서는, 제2 전극층 E2의 두께 방향은, 능선부(3g)의 법선 방향과 일치한다. 예를 들어, 영역 E24에서는, 제2 전극층 E2의 두께 방향은, 측면(3c)에 직교하는 방향과 일치한다. 제2 전극층 E2의 두께 방향은, 영역 E24에서는, 제2 방향 D2와 일치한다. 예를 들어, 영역 E25에서는, 제2 전극층 E2의 두께 방향은, 능선부(3i)의 법선 방향과 일치한다.
영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율은, 예를 들어 제2 전극층 E2(영역 E21)의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 영역 E21에 존재하는 공극(13)의 총 면적을, 영역 E21의 면적으로 나누어, 백분율로 표시한 값이다. 본 실시 형태에서는, 영역 E21에 존재하는 공극(13)의 총 면적은, 1000 내지 16800㎛2이다. 영역 E21의 면적은, 0.02 내지 0.048㎟이다. 예를 들어, 영역 E21에 존재하는 공극(13)의 총 면적은, 2800㎛2이며, 영역 E21의 면적은, 0.028㎟이다. 이 경우, 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율은, 10％이다. 영역 E21의 면적은, 영역 E21에 있어서, 제1 전극층 E1의 표면과, 제2 전극층 E2의 표면으로 구획 형성되는 영역의 면적이다. 영역 E21의 면적은, 영역 E21에 존재하는 공극(13)의 총 면적을 포함하고 있다.
각 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율은, 예를 들어 제2 전극층 E2(각 영역 E22)의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 각 영역 E22에 존재하는 공극(13)의 총 면적을, 각 영역 E22의 면적으로 나누어, 백분율로 표시한 값이다. 본 실시 형태에서는, 각 영역 E22에 존재하는 공극(13)의 총 면적은, 500 내지 21000㎛2이다. 각 영역 E22의 면적은, 0.010 내지 0.060㎟이다. 예를 들어, 각 영역 E22에 존재하는 공극(13)의 총 면적은, 7000㎛2이며, 각 영역 E22의 면적은, 0.035㎟이다. 이 경우, 각 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율은, 20％이다. 각 영역 E22의 면적은, 각 영역 E22에 있어서, 제1 전극층 E1의 표면과, 제2 전극층 E2의 표면으로 구획 형성되는 영역의 면적이다. 각 영역 E22의 면적은, 각 영역 E22에 존재하는 공극(13)의 총 면적을 포함하고 있다.
각 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율은, 예를 들어 제2 전극층 E2(각 영역 E23)의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 각 영역 E23에 존재하는 공극(13)의 총 면적을, 각 영역 E23의 면적으로 나누어, 백분율로 표시한 값이다. 본 실시 형태에서는, 각 영역 E23에 존재하는 공극(13)의 총 면적은, 5 내지 100㎛2이다. 각 영역 E23의 면적은, 0.0001 내지 0.0050㎟이다. 예를 들어, 각 영역 E23에 존재하는 공극(13)의 총 면적은, 70㎛2이며, 각 영역 E23의 면적은, 0.00175㎟이다. 이 경우, 각 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율은, 4％이다. 각 영역 E23의 면적은, 각 영역 E23에 있어서, 제1 전극층 E1의 표면과, 제2 전극층 E2의 표면으로 구획 형성되는 영역의 면적이다. 각 영역 E23의 면적은, 각 영역 E23에 존재하는 공극(13)의 총 면적을 포함하고 있다.
각 영역 E24에서의 공극(13)의 존재 비율은, 예를 들어 제2 전극층 E2(각 영역 E24)의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 각 영역 E24에 존재하는 공극(13)의 총 면적을, 각 영역 E24의 면적으로 나누어, 백분율로 표시한 값이다. 본 실시 형태에서는, 각 영역 E24에 존재하는 공극(13)의 총 면적은, 500 내지 21000㎛2이다. 각 영역 E24의 면적은, 0.010 내지 0.060㎟이다. 예를 들어, 각 영역 E24에 존재하는 공극(13)의 총 면적은, 7000㎛2이며, 각 영역 E24의 면적은, 0.035㎟이다. 이 경우, 각 영역 E24에서의 공극(13)의 존재 비율은, 20％이다. 각 영역 E24의 면적은, 각 영역 E24에 있어서, 제1 전극층 E1의 표면과, 제2 전극층 E2의 표면으로 구획 형성되는 영역의 면적이다. 각 영역 E24의 면적은, 각 영역 E24에 존재하는 공극(13)의 총 면적을 포함하고 있다. 본 실시 형태에서는, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율과, 영역 E24에서의 공극(13)의 존재 비율은, 동등하다.
각 영역 E25에서의 공극(13)의 존재 비율은, 예를 들어 제2 전극층 E2(각 영역 E25)의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 각 영역 E25에 존재하는 공극(13)의 총 면적을, 각 영역 E25의 면적으로 나누어, 백분율로 표시한 값이다. 본 실시 형태에서는, 각 영역 E25에 존재하는 공극(13)의 총 면적은, 5 내지 100㎛2이다. 각 영역 E25의 면적은, 0.0001 내지 0.0050㎟이다. 예를 들어, 각 영역 E25에 존재하는 공극(13)의 총 면적은, 70㎛2이며, 각 영역 E25의 면적은, 0.00175㎟이다. 이 경우, 각 영역 E25에서의 공극(13)의 존재 비율은, 4％이다. 각 영역 E25의 면적은, 각 영역 E25에 있어서, 제1 전극층 E1의 표면과, 제2 전극층 E2의 표면으로 구획 형성되는 영역의 면적이다. 각 영역 E25의 면적은, 각 영역 E25에 존재하는 공극(13)의 총 면적을 포함하고 있다. 본 실시 형태에서는, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율과, 영역 E25에서의 공극(13)의 존재 비율은, 동등하다.
공극(13)의 최대 길이는, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
외부 전극(5)(제2 전극층 E2)의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 전극부(5a) 및 전극부(5e)를 주면(3a)에 직교하는 평면으로 절단했을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 단면 사진은, 예를 들어 서로 대향하고 있는 한 쌍의 면(예를 들어, 한 쌍의 측면(3c))에 평행이며, 또한, 당해 한 쌍의 면부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 절단했을 때의 전극부(5a) 및 전극부(5e)의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득된 단면 사진이 소프트웨어에 의해 화상 처리되어, 공극(13)의 경계가 판별되어, 공극(13)의 최대 길이가 구해진다. 복수의 공극(13)의 최대 길이가 구해지고, 복수의 공극(13)의 최대 길이 평균값이 구해져도 된다. 이 경우, 평균값이 공극(13)의 최대 길이이다.
각 영역 E21, E22, E23, E24, E25에서의 공극(13)의 총 면적은, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
외부 전극(5)(전극부(5a) 및 전극부(5e))의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 외부 전극(5)을 주면(3a)과 단부면(3e)에 직교하는 평면으로 절단했을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 측면(3c)에 평행이며, 또한, 한 쌍의 측면(3c)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 절단했을 때의 외부 전극(5)의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득된 단면 사진이 소프트웨어에 의해 화상 처리되어, 공극(13)의 경계가 판별되어, 영역 E21에 존재하는 공극(13)의 총 면적과, 영역 E22에 존재하는 공극(13)의 총 면적과, 영역 E23에 존재하는 공극(13)의 총 면적이 구해진다.
외부 전극(5)(전극부(5c))의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 외부 전극(5)을 측면(3c)에 직교하는 평면으로 절단했을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 주면(3a)에 평행이며, 또한, 한 쌍의 주면(3a)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 절단했을 때의 외부 전극(5)의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득된 단면 사진이 소프트웨어에 의해 화상 처리되어, 공극(13)의 경계가 판별되어, 영역 E24에 존재하는 공극(13)의 총 면적과, 영역 E25에 존재하는 공극(13)의 총 면적이 구해진다.
각 영역 E21, E22, E23, E24, E25에서의 제2 전극층 E2의 면적은, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
외부 전극(5)(전극부(5a) 및 전극부(5e))의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 상술한 바와 같이, 외부 전극(5)을 주면(3a)과 단부면(3e)에 직교하는 평면으로 절단했을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득된 단면 사진이 소프트웨어에 의해 화상 처리되어, 제1 전극층 E1의 표면과, 제2 전극층 E2의 표면이 판별되어, 영역 E21에서의 제2 전극층 E2의 면적과, 영역 E22에서의 제2 전극층 E2 면적과, 영역 E23에서의 제2 전극층 E2 면적이 구해진다.
외부 전극(5)(전극부(5c))의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 상술한 바와 같이, 외부 전극(5)을 측면(3c)에 직교하는 평면으로 절단했을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득된 단면 사진을 소프트웨어에 의해 화상 처리를 행하고, 제1 전극층 E1의 표면과, 제2 전극층 E2의 표면이 판별되어, 영역 E24에서의 제2 전극층 E2의 면적과, 영역 E25에서의 제2 전극층 E2의 면적이 구해진다.
제1 전극층 E1의 표면은, 제1 전극층 E1과 제2 전극층 E2 사이의 경계이다. 제2 전극층 E2의 표면은, 제2 전극층 E2와 제3 전극층 E3 사이의 경계이다.
도 4에 도시되는 바와 같이, 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E22의 표면은, 주면(3a)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다. 영역 E22의 두께는, 영역 E22의 최대 두께 위치로부터 영역 E22의 단부 에지를 향하여 점차 작아지고 있다. 본 실시 형태에서는, 영역 E22의 두께의 변화에 기인하여 영역 E22의 표면은 만곡되어 있다.
도 5에 도시되는 바와 같이, 측면(3c) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E24의 표면은, 측면(3c)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다. 영역 E24의 두께는, 영역 E24의 최대 두께 위치로부터 영역 E24의 단부 에지를 향하여 점차 작아지고 있다. 본 실시 형태에서는, 영역 E24의 두께의 변화에 기인하여 영역 E24의 표면은 만곡되어 있다.
도 6에 도시되는 바와 같이, 제1 방향 D1로부터 보아, 영역 E22의 단부 에지 Ee2는, 만곡되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 방향 D1로부터 보아, 제3 방향 D3에서의 영역 E22의 길이는, 제2 방향 D2에서의 단부보다 제2 방향 D2에서의 중앙에서 커지고 있다. 제3 방향 D3에서의 영역 E22의 길이는, 제2 방향 D2에서의 중앙에서 가장 크고, 제2 방향 D2에서 단부를 향함에 따라 점차 작아지고 있다.
도 7에 도시되는 바와 같이, 제2 방향 D2로부터 보아, 영역 E24의 단부 에지 Ee4는, 만곡되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제2 방향 D2로부터 보아, 제3 방향 D3에서의 영역 E24의 길이는, 제1 방향 D1에서의 단부보다 제1 방향 D1에서의 중앙에서 커지고 있다. 제3 방향 D3에서의 영역 E24의 길이는, 제1 방향 D1에서의 중앙에서 가장 크고, 제1 방향 D1에서 단부를 향함에 따라 점차 작아지고 있다.
도 4 및 도 5에 도시되는 바와 같이, 도금층 PL(제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4)은, 영역 E22 상에 위치하고 있는 부분 PL1과, 영역 E24 상에 위치하고 있는 부분 PL2를 갖고 있다. 부분 PL1은, 단부 에지 PL1e를 갖고 있다. 부분 PL2는, 단부 에지 PL2e를 갖고 있다. 도 4에 도시되는 바와 같이, 단부 에지 PL1e와 소체(3)(주면(3a)) 사이에는, 간극 G1이 존재하고 있다. 도 5에 도시되는 바와 같이, 단부 에지 PL2e와 소체(3)(측면(3c)) 사이에는, 간극 G2가 존재하고 있다. 간극 G1, G2의 폭은, 예를 들어 0보다 크고 3㎛ 이하이다. 각 간극 G1, G2의 폭은, 동일해도 된다. 각 간극 G1, G2의 폭은, 달라도 된다.
여기서, 최대 두께 T1과 최대 두께 T2의 비율, 최대 두께 T1과 최소 두께 T3의 비율, 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율 및 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율의 관계에 대해 상세하게 설명한다.
본 발명자들은, 최대 두께 T1과 최대 두께 T2의 비율의 범위, 최대 두께 T1과 최소 두께 T3의 비율의 범위 및 각 영역 E21, E22, E23에서의 공극(13)의 존재 비율의 범위를 밝히기 위하여, 이하와 같은 시험을 행하였다. 즉, 본 발명자들은, 최대 두께 T1, 최대 두께 T2, 최소 두께 T3, 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율 및 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 다른 시료 1 내지 13을 준비하고, 각 시료 1 내지 13에 있어서의, 제2 전극층 E2에서의 박리 발생률(incidence ratio of peel-off)을 확인하였다. 그 결과를 도 8에 도시한다. 도 8은, 각 시료에 있어서의 제2 전극층에서의 박리 발생률을 나타내는 도표이다.
각 시료 1 내지 13은, 복수의 검체를 포함하는 로트이다. 각 시료 1 내지 13의 검체는, 후술하는 바와 같이, 두께 T1, T2, T3과 공극(13)의 존재 비율이 다른 점을 제외하고 동일한 구성을 갖고 있는 적층 콘덴서이다. 각 시료 1 내지 13의 검체에서는, 소체(3)의 높이가 2.5㎜이며, 소체(3)의 폭이 2.5㎜이며, 소체(3)의 길이가 3.2㎜이다.
시료 1의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 57.0㎛이며, 최대 두께 T2가 3.0㎛이며, 최소 두께 T3이 1.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 1.0％이다.
시료 2의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 57.0㎛이며, 최대 두께 T2가 3.0㎛이며, 최소 두께 T3이 2.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 1.5％이다.
시료 3의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 57.0㎛이며, 최대 두께 T2가 5.0㎛이며, 최소 두께 T3이 1.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 1.0％이다.
시료 4의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 58.0㎛이며, 최대 두께 T2가 3.0㎛이며, 최소 두께 T3이 1.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 1.0％이다.
시료 5의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 58.0㎛이며, 최대 두께 T2가 5.0㎛이며, 최소 두께 T3이 1.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 1.5％이다.
시료 6의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 59.0㎛이며, 최대 두께 T2가 6.5㎛이며, 최소 두께 T3이 3.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 2.0％이다.
시료 7의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 59.0㎛이며, 최대 두께 T2가 6.5㎛이며, 최소 두께 T3이 5.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 3.0％이다.
시료 8의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 60.0㎛이며, 최대 두께 T2가 13.0㎛이며, 최소 두께 T3이 10.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 8.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 7.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 3.0％이다.
시료 9의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 65.0㎛이며, 최대 두께 T2가 17.0㎛이며, 최소 두께 T3이 13.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 13.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 12.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 4.0％이다.
시료 10의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 86.0㎛이며, 최대 두께 T2가 38.0㎛이며, 최소 두께 T3이 24.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 24.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 26.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0％이다.
시료 11의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 94.8㎛이며, 최대 두께 T2가 35.9㎛이며, 최소 두께 T3이 5.2㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 30.5％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 25.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0％이다.
시료 12의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 122.0㎛이며, 최대 두께 T2가 54.0㎛이며, 최소 두께 T3이 40.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 35.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 35.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 10.0％이다.
시료 13의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 124.0㎛이며, 최대 두께 T2가 60.0㎛이며, 최소 두께 T3이 46.0㎛이다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 36.0％이며, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 36.0％이며, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 11.0％이다.
제2 전극층 E2에서의 박리 발생률은, 이하와 같이 하여 구해진다.
시료 1 내지 13마다, 12개의 검체가 선택되고, 선택된 검체가 항온 항습조에 5시간 방치되었다. 항온 항습조 내에서는, 온도가 121℃이고, 상대 습도가 95％이다. 그 후, 검체에, 질소 분위기 중에서 3회의 리플로우 시험이 실시되었다. 리플로우 시험에서는, 피크 온도가 260℃이다.
리플로우 시험 후에, 단부면(3e)에 직교하는 평면을 따라 검체가 절단되고, 절단면에서의 제2 전극층 E2의 박리 유무가 눈으로 보아 확인되었다. 제2 전극층 E2에 박리가 발생하고 있는 검체의 수가 카운트되어, 제2 전극층 E2에서의 박리 발생률(％)이 산출되었다.
상술한 시험의 결과, 도 8에 도시되는 바와 같이, 본 발명자들은, 시료 7 내지 13에서는, 시료 1 내지 6에 비하여, 제2 전극층 E2에서의 박리 발생률이 대폭으로 저하되는 것을 확인하였다. 시료 7 내지 10 및 12에서는, 제2 전극층 E2에 박리가 발생되고 있는 검체는 존재하지 않았다.
최대 두께 T1, 최대 두께 T4, 최소 두께 T5, 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율, 영역 E24에서의 공극(13)의 존재 비율 및 영역 E25에서의 공극(13)의 존재 비율의 관계의 설명은 생략한다. 본 실시 형태에서는, 최대 두께 T2와 최대 두께 T4가 동등하고, 최소 두께 T3과 최소 두께 T5가 동등하고, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율과 영역 E24에서의 공극(13)의 존재 비율이 동등하고, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율과 영역 E25에서의 공극(13)의 존재 비율이 동등하다. 따라서, 최대 두께 T1, 최대 두께 T4, 최소 두께 T5, 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율, 영역 E24에서의 공극(13)의 존재 비율 및 영역 E25에서의 공극(13)의 존재 비율의 관계가, 최대 두께 T1, 최대 두께 T2, 최소 두께 T3, 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율 및 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율의 관계와 마찬가지인 것은 명확하다.
제2 전극층 E2를 덮고 있는 도금층 PL은, 제2 전극층 E2와 밀착되기 쉽기는 하지만, 소체(3)와는 밀착되기 어렵다. 따라서, 도금층 PL의 단부 에지 PL1e와 소체(3) 사이에는, 간극 G1이 존재한다. 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분이 가스화된 경우에도, 수분으로부터 발생된 가스가, 복수의 공극(13)으로부터 간극 G1에 이르면, 가스는, 간극 G1을 통과하여 외부 전극(5) 밖으로 방출된다. 수분으로부터 발생된 가스가 외부 전극(5) 밖으로 방출된다. 따라서, 제2 전극층 E2에 응력이 작용하기 어렵다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1(㎛)과 최대 두께 T2(㎛)가,
T2/T1≥0.11
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가, 영역 E22를 거쳐, 간극 G1에 확실하게 이른다. 영역 E22는, 영역 E21보다 간극 G1에 가깝다. 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가 간극 G1에 확실하게 이르는 것이면, 영역 E22가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스도, 간극 G1에 확실하게 이른다.
적층 콘덴서 C1에서는, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스는, 간극 G1에 확실하게 이른다. 간극 G1에 이른 가스는, 외부 전극(5) 밖으로 방출되고, 제2 전극층 E2에 응력이 작용하기 어렵다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율은, 5.0 내지 36.0％의 범위 내임과 함께, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율은, 5.0 내지 36.0％의 범위 내이다.
상술한 바와 같이, 수분으로부터 발생된 가스는, 복수의 공극(13)으로부터 간극 G1에 이른다.
영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0％보다 작은 경우 및 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0％보다 작은 경우, 수분으로부터 발생된 가스가 공극(13) 내를 이동하기 어려워질 우려가 있다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 36.0％보다 큰 경우 및 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 36.0％보다 큰 경우, 제2 전극층 E2에 수분이 침입하기 쉽고, 가스의 발생량이 증가할 우려가 있다.
따라서, 적층 콘덴서 C1은, 가스의 발생량의 증가를 억제하면서, 영역 E21 및 영역 E22에서의 가스의 이동이 저해되는 것을 억제한다.
간극 G1은, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스의 출구임과 함께, 외부 전극(5) 내의 수분의 입구이다. 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가 간극 G1에 이르기까지의 경로는, 수분이 영역 E21에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 수분이 영역 E21에 이르면, 수분은 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된다. 이 경우, 가스의 발생량이 증가할 우려가 있다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1(㎛)과 최대 두께 T2(㎛)는,
T2/T1≤0.48
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 수분이 간극 G1로부터 침입하는 경우에도, 수분이 영역 E21에 이르기 어렵다. 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수되는 수분의 증가 및 수분으로부터 발생되는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1(㎛)과 최소 두께 T3(㎛)은,
T3/T1≥0.08
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 가스가 영역 E23을 이동하기 쉽다. 적층 콘덴서 C1에서는, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가, 한층 더 확실하게 간극 G1에 이른다. 제2 전극층 E2에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
상술한 바와 같이, 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가 간극 G1에 이르기까지의 경로는, 수분이 영역 E21에 이르는 경로가 될 우려가 있다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1(㎛)과 최소 두께 T3(㎛)은,
T3/T1≤0.37
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 수분이 간극 G1로부터 침입하는 경우에도, 영역 E23을 거쳐, 수분이 영역 E21에 이르기 어렵다. 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수되는 수분의 증가 및 수분으로부터 발생되는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 3.0 내지 11.0％의 범위 내이다.
상술한 바와 같이, 수분으로부터 발생된 가스는, 복수의 공극(13)으로부터 간극 G1에 이른다.
영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 3.0％보다 작은 경우, 수분으로부터 발생된 가스가, 영역 E23에 존재하고 있는 공극(13) 내를 이동하기 어려워질 우려가 있다. 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 11.0％보다 큰 경우, 영역 E23을 거쳐서 영역 E22로부터 영역 E21에 수분이 침입하기 쉽고, 가스의 발생량이 증가할 우려가 있다.
따라서, 적층 콘덴서 C1은, 가스의 발생량의 증가를 확실하게 억제하면서, 영역 E23에서의 가스의 이동이 저해되는 것을 확실하게 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E22의 표면은, 주면(3a)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다.
영역 E22의 표면이, 주면(3a)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E22의 두께가 국소적으로 작아지기 어렵다. 따라서, 영역 E22에서의 가스의 이동 경로가, 당해 이동 경로의 도중에 좁아지기 어렵다. 적층 콘덴서 C1은, 가스가 영역 E22를 이동하는 것을 저해하기 어렵다. 이 결과, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가, 한층 더 확실하게 간극 G1에 이르기 쉽다. 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 측면(3c) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E24의 표면은, 측면(3c)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다.
영역 E24의 표면이, 측면(3c)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E24의 두께가 국소적으로 작아지기 어렵다. 따라서, 영역 E24에서의 가스의 이동 경로가, 당해 이동 경로의 도중에 좁아지기 어렵다. 적층 콘덴서 C1은, 가스가 영역 E24를 이동하는 것을 저해하기 어렵다. 이 결과, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가, 한층 더 확실하게 간극 G2에 이르기 쉽다. 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 제1 방향 D1로부터 보아, 영역 E22의 단부 에지 Ee2가 만곡되어 있다.
영역 E22의 단부 에지 Ee2가 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E22의 단부 에지 Ee2가 직선형인 구성에 비하여, 영역 E22의 단부 에지 Ee2의 길이가 크다. 따라서, 적층 콘덴서 C1에서는, 가스가 나오는 영역이 크고, 가스가, 외부 전극(5)으로부터 한층 더 방출되기 쉽다. 이 결과, 제2 전극층 E2에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다.
적층 콘덴서 C1에서는, 제2 방향 D2로부터 보아, 영역 E24의 단부 에지 Ee4가 만곡되어 있다.
영역 E24의 단부 에지 Ee4가 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E24의 단부 에지 Ee4가 직선형인 구성에 비하여, 영역 E24의 단부 에지 Ee4의 길이가 크다. 따라서, 적층 콘덴서 C1에서는, 가스가 나오는 영역이 커서, 가스가, 외부 전극(5)으로부터 한층 더 방출되기 쉽다. 이 결과, 제2 전극층 E2에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1(㎛)과 최대 두께 T4(㎛)가,
T4/T1≥0.11
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 영역 E24가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가, 영역 E21을 거쳐, 간극 G2에 확실하게 이른다. 영역 E24는, 영역 E21보다 간극 G2에 가깝다. 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가 간극 G2에 확실하게 이르는 것이면, 영역 E24가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스도, 간극 G2에 확실하게 이른다.
적층 콘덴서 C1에서는, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스는, 간극 G2에 확실하게 이른다. 간극 G2에 이른 가스는, 외부 전극(5) 밖으로 방출되고, 제2 전극층 E2에 응력이 작용하기 어렵다. 따라서, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 영역 E24에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0 내지 36.0％의 범위 내이다.
상술한 바와 같이, 수분으로부터 발생된 가스는, 복수의 공극(13)으로부터 간극 G2에 이른다.
영역 E24에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0％보다 작은 경우, 수분으로부터 발생된 가스가 공극(13) 내를 이동하기 어려워질 우려가 있다. 영역 E24에서의 공극(13)의 존재 비율이 36.0％보다 큰 경우, 제2 전극층 E2에 수분이 침입하기 쉽고, 가스의 발생량이 증가할 우려가 있다.
따라서, 적층 콘덴서 C1에서는, 가스의 발생량의 증가를 억제하면서, 영역 E24에서의 가스의 이동이 저해되는 것을 억제한다.
간극 G2는, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스의 출구임과 함께, 외부 전극(5) 내의 수분의 입구이다. 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가 간극 G2에 이르기까지의 경로는, 수분이 영역 E21에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 수분이 영역 E21에 이르면, 수분은 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된다. 이 경우, 가스의 발생량이 증가할 우려가 있다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1(㎛)과 최대 두께 T4(㎛)는,
T4/T1≤0.48
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 수분이 간극 G2로부터 침입하는 경우에도, 수분이 영역 E21에 이르기 어렵다. 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수되는 수분의 증가 및 수분으로부터 발생되는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1(㎛)과 최소 두께 T5(㎛)는,
T5/T1≥0.08
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 가스가 영역 E25를 이동하기 쉽다. 적층 콘덴서 C1에서는, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가, 한층 더 확실하게 간극 G2에 이른다. 제2 전극층 E2에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
상술한 바와 같이, 영역 E21이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가 간극 G2에 이르기까지의 경로는, 수분이 영역 E21에 이르는 경로가 될 우려가 있다.
적층 콘덴서 C1에서는, 최대 두께 T1(㎛)과 최소 두께 T5(㎛)는,
T5/T1≤0.37
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 수분이 간극 G2로부터 침입하는 경우에도, 영역 E25를 거쳐, 수분이 영역 E21에 이르기 어렵다. 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2(영역 E21)가 포함하는 수지에 흡수되는 수분의 증가 및 수분으로부터 발생되는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
적층 콘덴서 C1에서는, 영역 E25에서의 공극(13)의 존재 비율이 3.0 내지 11.0％의 범위 내이다.
상술한 바와 같이, 수분으로부터 발생된 가스는, 복수의 공극(13)으로부터 간극 G2에 이른다.
영역 E25에서의 공극(13)의 존재 비율이 3.0％보다 작은 경우, 수분으로부터 발생된 가스가, 영역 E25에 존재하고 있는 공극(13) 내를 이동하기 어려워질 우려가 있다. 영역 E25에서의 공극(13)의 존재 비율이 11.0％보다 큰 경우, 영역 E25를 거쳐서 영역 E24로부터 영역 E21에 수분이 침입하기 쉽고, 가스의 발생량이 증가될 우려가 있다.
따라서, 적층 콘덴서 C1에서는, 가스의 발생량의 증가를 확실하게 억제하면서, 영역 E25에서의 가스의 이동이 저해되는 것을 확실하게 억제한다.
다음에, 도 9 및 도 10을 참조하여, 본 실시 형태의 변형예에 관한 적층 콘덴서의 구성을 설명한다. 도 9 및 도 10은, 외부 전극의 단면 구성을 나타내는 도면이다. 본 변형예에 관한 적층 콘덴서는, 대략, 상술한 적층 콘덴서 C1과 유사하거나 또는 동일하지만, 본 변형예는, 제1 전극층 E1의 구성에 관하여, 상술한 실시 형태와 다르다. 이하, 상술한 실시 형태와 본 변형예의 상이점을 주로 설명한다.
본 변형예에 관한 적층 콘덴서는, 적층 콘덴서 C1과 동일하게, 소체(3)와, 복수의 외부 전극(5)을 구비하고 있다. 각 외부 전극(5)은, 복수의 전극부(5a, 5c, 5e)를 갖고 있다. 각 외부 전극(5)은, 제1 전극층 E1, 제2 전극층 E2, 제3 전극층 E3 및 제4 전극층 E4를 갖고 있다. 도시는 생략하지만, 본 변형예에 관한 적층 콘덴서는, 복수의 내부 전극(7) 및 복수의 내부 전극(9)도 구비하고 있다.
도 9에 도시되는 바와 같이, 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a) 상에 배치되어 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a)의 일부와 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 제1 전극층 E1은, 주면(3a)과 단부면(3e)에 배치되어 있다. 제1 전극층 E1은, 주면(3a)과 단부면(3e)에 연속하여 배치되어 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층 E1은, 주면(3a)의 일부와 접한다. 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부이다.
제3 방향 D3에서의 제1 전극층 E1의 단부 에지로부터 영역 E22의 단부 에지까지의 길이 L1은, 제3 방향 D3에서의 기준면 RP로부터 제1 전극층 E1의 단부 에지까지의 길이 L2보다 크다. 기준면 RP는, 단부면(3e)을 포함하는 면이다.
각 길이 L1, L2은, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
제1 전극층 E1 및 제2 전극층 E2를 포함하는 적층 콘덴서의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 측면(3c)에 평행이며, 또한, 한 쌍의 측면(3c)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 적층 콘덴서를 절단했을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득된 단면 사진 상에서의, 각 길이 L1, L2가 산출된다.
도 10에 도시되는 바와 같이, 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c) 상에 배치되어 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c)의 일부와 능선부(3i)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 제1 전극층 E1은, 측면(3c)과 단부면(3e)에 배치되어 있다. 제1 전극층 E1은, 측면(3c)과 단부면(3e)에 연속하여 배치되어 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층 E1은, 측면(3c)의 일부와 접한다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부이다.
제3 방향 D3에서의 제1 전극층 E1의 단부 에지로부터 영역 E24의 단부 에지까지의 길이 L3은, 제3 방향 D3에서의 기준면 RP로부터 제1 전극층 E1의 단부 에지까지의 길이 L4보다 크다.
각 길이 L3, L4는, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
제1 전극층 E1 및 제2 전극층 E2를 포함하는 적층 콘덴서의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 주면(3a)에 평행이며, 또한, 한 쌍의 주면(3a)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 적층 콘덴서를 절단했을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득된 단면 사진 상에서의, 각 길이 L3, L4가 산출된다.
소체(3)와 제2 전극층 E2의 밀착 정도는, 제1 전극층 E1과 제2 전극층 E2의 밀착 정도보다 낮다. 따라서, 제1 전극층 E1과 제2 전극층 E2의 계면은, 가스의 이동 경로에 기여하기 어렵기는 하지만, 소체(3)와 제2 전극층 E2의 계면은, 가스의 이동 경로로서 기여하기 쉽다.
길이 L1이 길이 L2보다 큰 구성에서는, 길이 L1이 길이 L2 이하인 구성에 비하여, 가스의 이동 경로가 많다. 따라서, 본 변형예에서는, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가, 간극 G1을 향하여 이동하기 쉽다. 제2 전극층 E2에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 변형예는, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
길이 L3이 길이 L4보다 큰 구성에서는, 길이 L3이 길이 L4 이하인 구성에 비하여, 가스의 이동 경로가 많다. 따라서, 본 변형예에서는, 제2 전극층 E2가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생된 가스가, 간극 G2를 향하여 이동하기 쉽다. 제2 전극층 E2에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 변형예는, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
본 명세서에서는, 어느 요소가 다른 요소 상에 배치되어 있다고 기술되어 있는 경우, 어느 요소는, 다른 요소 상에 직접 배치되어 있어도 되고, 다른 요소 상에 간접적으로 배치되어 있어도 된다. 어느 요소가 다른 요소 상에 간접적으로 배치되어 있는 경우, 개재 요소가, 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하고 있다. 어느 요소가 다른 요소 상에 직접 배치되어 있는 경우, 개재 요소는, 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하지 않는다.
본 명세서에서는, 어느 요소가 다른 요소 상에 위치하고 있다고 기술되어 있는 경우, 어느 요소는, 다른 요소 상에 직접 위치하고 있어도 되고, 다른 요소 상에 간접적으로 위치하고 있어도 된다. 어느 요소가 다른 요소 상에 간접적으로 위치하고 있는 경우, 개재 요소가, 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하고 있다. 어느 요소가 다른 요소 상에 직접 위치하고 있는 경우, 개재 요소는, 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하지 않는다.
본 명세서에서는, 어느 요소가 다른 요소를 덮는다고 기술되어 있는 경우, 어느 요소는, 다른 요소를 직접 덮고 있어도 되고, 다른 요소를 간접적으로 덮고 있어도 된다. 어느 요소가 다른 요소를 간접적으로 덮고 있는 경우, 개재 요소가, 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하고 있다. 어느 요소가 다른 요소를 직접 덮고 있는 경우, 개재 요소는, 어느 요소와 다른 요소 사이에 존재하지 않는다.
이상, 본 발명의 실시 형태 및 변형예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 실시 형태 및 변형예에 반드시 한정되는 것은 아니며, 실시 형태는 본 발명의 범위를 일탈하지 않으며 다양하게 변경 가능하다.
최대 두께 T1(㎛)과 최대 두께 T4(㎛)는,
T4/T1≥0.11
의 관계를 만족시키고 있지 않아도 된다. 최대 두께 T1(㎛)과 최대 두께 T2(㎛)가,
T2/T1≥0.11
의 관계를 만족시키고 있으면, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 억제한다.
영역 E24에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0 내지 36.0％의 범위 내가 아니어도 된다. 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율과, 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0 내지 36.0％의 범위 내이면, 적층 콘덴서 C1은, 가스의 발생량의 증가를 억제하면서, 가스의 이동이 저해되는 것을 억제한다.
최대 두께 T1(㎛)과 최대 두께 T2(㎛)는,
T2/T1≤0.48
의 관계를 만족시키고 있지 않아도 된다. 최대 두께 T1과 최대 두께 T2가,
T2/T1≤0.48
의 관계를 만족시키고 있으면, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
최대 두께 T1(㎛)과 최소 두께 T3(㎛)은,
T3/T1≥0.08
의 관계를 만족시키고 있지 않아도 된다. 최대 두께 T1과 최소 두께 T3이,
T3/T1≥0.08
의 관계를 만족시키고 있으면, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
최대 두께 T1(㎛)과 최소 두께 T3(㎛)은,
T3/T1≤0.37
의 관계를 만족시키고 있지 않아도 된다. 최대 두께 T1과 최소 두께 T3이,
T3/T1≤0.37
의 관계를 만족시키고 있으면, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율은 3.0 내지 11.0％의 범위 내가 아니어도 된다. 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율은 3.0 내지 11.0％의 범위 내인 경우, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서 C1은, 가스의 발생량의 증가를 확실하게 억제하면서, 영역 E23에서의 가스의 이동이 저해되는 것을 확실하게 억제한다.
한 쌍의 주면(3a) 중 한쪽 주면(3a) 상에 위치하고 있는 영역 E22의 최대 두께 T2(㎛)와 최대 두께 T1(㎛)이,
T2/T1≥0.11
의 관계를 만족시키고 있으면 된다. 각 영역 E22의 최대 두께 T2(㎛)와 최대 두께 T1(㎛)이,
T2/T1≥0.11
의 관계를 만족시키고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
상기 한쪽 주면(3a) 상에 위치하고 있는 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율과, 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0 내지 36.0％의 범위 내이면 된다. 각 영역 E22에서의 공극(13)의 존재 비율과, 영역 E21에서의 공극(13)의 존재 비율이 5.0 내지 36.0％의 범위 내인 경우, 적층 콘덴서 C1은, 가스의 발생량의 증가를 한층 더 억제하면서, 가스의 이동이 저해되는 것을 한층 더 억제한다.
상기 한쪽 주면(3a) 상에 위치하고 있는 영역 E22의 최대 두께 T2(㎛)와 최대 두께 T1(㎛)이,
T2/T1≤0.48
의 관계를 만족시키고 있으면 된다. 각 영역 E22의 최대 두께 T2(㎛)와, 최대 두께 T2(㎛)가,
T2/T1≤0.48
의 관계를 만족시키고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
최대 두께 T1(㎛)과, 상기 한쪽 주면(3a)과 단부면(3e) 사이의 능선부(3g) 상에 위치하고 있는 영역 E23의 최소 두께 T3(㎛)이,
T3/T1≥0.08
의 관계를 만족시키고 있으면 된다. 최대 두께 T1과 각 영역 E23의 최소 두께 T3이,
T3/T1≥0.08
의 관계를 만족시키고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
최대 두께 T1(㎛)과, 상기 한쪽 주면(3a)과 단부면(3e) 사이의 능선부(3g) 상에 위치하고 있는 영역 E23의 최소 두께 T3(㎛)이,
T3/T1≤0.37
의 관계를 만족시키고 있으면 된다. 최대 두께 T1과 각 영역 E23의 최소 두께 T3이,
T3/T1≤0.37
의 관계를 만족시키고 있는 경우, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
상기 한쪽 주면(3a)과 단부면(3e) 사이의 능선부(3g) 상에 위치하고 있는 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 3.0 내지 11.0％의 범위 내이면 된다. 각 영역 E23에서의 공극(13)의 존재 비율이 3.0 내지 11.0％의 범위 내인 경우, 적층 콘덴서 C1은, 가스의 발생량의 증가를 한층 더 확실하게 억제하면서, 영역 E21로부터의 가스의 이동이 저해되는 것을 한층 더 확실하게 억제한다.
주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E22의 표면은, 주면(3a)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있지 않아도 된다. 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E22의 표면이, 주면(3a)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
측면(3c) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E24의 표면은, 측면(3c)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있지 않아도 된다. 측면(3c) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E24의 표면이, 측면(3c)으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서 C1은, 제2 전극층 E2의 박리를 한층 더 억제한다.
제1 방향 D1로부터 보아, 영역 E22의 단부 에지가 만곡되어 있지 않아도 된다. 제1 방향 D1로부터 보아, 영역 E22의 단부 에지가 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 제2 전극층 E2에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다.
제2 방향 D2로부터 보아, 영역 E24의 단부 에지가 만곡되어 있지 않아도 된다. 제2 방향 D2로부터 보아, 영역 E24의 단부 에지가 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 제2 전극층 E2에 응력이 한층 더 작용하기 어렵다.
본 실시 형태 및 변형예에서는, 전자 부품으로서 적층 콘덴서를 예로 들어 설명했지만, 적용 가능한 전자 부품은, 적층 콘덴서에 한정되지 않는다. 적용 가능한 전자 부품은, 예를 들어 적층 인덕터, 적층 배리스터, 적층 압전 액추에이터, 적층 서미스터, 혹은 적층 복합 부품 등의 적층 전자 부품, 또는 적층 전자 부품 이외의 전자 부품이다.

Claims (9)

  1. 전자 부품이며,
    서로 인접하는 측면과 단부면을 갖고 있는 소체와,
    상기 측면 및 상기 단부면에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있고,
    상기 외부 전극은, 상기 측면과 상기 단부면에 배치되어 있음과 함께 복수의 공극이 존재하고 있는 도전성 수지층과, 상기 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 갖고,
    상기 도전성 수지층은, 상기 단부면 상에 위치하고 있는 제1 영역과, 상기 측면 상에 위치하고 있는 제2 영역과, 상기 단부면과 상기 측면 사이의 능선부 상에 위치하고 있는 제3 영역을 포함하고,
    상기 제1 영역의 최대 두께가 T1(㎛)이며, 상기 제2 영역의 최대 두께가 T2(㎛)인 경우, 상기 최대 두께 T1과 상기 최대 두께 T2는,
    T2/T1≥0.11
    의 관계를 만족시키고,
    상기 제1 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 상기 제1 영역에서의 상기 공극의 총 면적은, 상기 제1 영역의 면적의 5.0 내지 36.0％의 범위 내이며,
    상기 제2 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 상기 제2 영역에서의 상기 공극의 총 면적은, 상기 제2 영역의 면적의 5.0 내지 36.0％의 범위 내인, 전자 부품.
  2. 제1항에 있어서, 상기 최대 두께 T1과 상기 최대 두께 T2는,
    T2/T1≤0.48
    의 관계를 만족시키는, 전자 부품.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제3 영역의 최소 두께가 T3(㎛)인 경우, 상기 최대 두께 T1과 상기 최소 두께 T3은,
    T3/T1≥0.08
    의 관계를 만족시키는, 전자 부품.
  4. 제3항에 있어서, 상기 최대 두께 T1과 상기 최소 두께 T3은,
    T3/T1≤0.37
    의 관계를 만족시키는, 전자 부품.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3 영역의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서, 상기 제3 영역에서의 상기 공극의 총 면적은, 상기 제3 영역의 면적의 3.0 내지 11.0％의 범위 내인, 전자 부품.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 측면 및 상기 단부면에 직교하는 단면에 있어서, 상기 제2 영역의 표면은, 상기 측면으로부터 이격되는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는, 전자 부품.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 외부 전극은, 상기 측면과 상기 단부면에 배치되어 있음과 함께 상기 도전성 수지층으로 덮여 있는 소결 금속층을 더 갖고,
    상기 단부면을 포함하는 면을 기준면으로 하여, 상기 단부면에 직교하는 방향에서의 상기 소결 금속층의 단부 에지로부터 상기 제2 영역의 단부 에지까지의 길이는, 상기 단부면에 직교하는 상기 방향에서의 상기 기준면으로부터 상기 소결 금속층의 상기 단부 에지까지의 길이보다 큰, 전자 부품.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 측면에 직교하는 방향으로부터 보아, 상기 제2 영역의 단부 에지는 만곡되어 있는, 전자 부품.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 측면은 실장면을 구성하는, 전자 부품.
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