KR20110065622A - 적층 세라믹 커패시터 - Google Patents
적층 세라믹 커패시터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110065622A KR20110065622A KR1020090122194A KR20090122194A KR20110065622A KR 20110065622 A KR20110065622 A KR 20110065622A KR 1020090122194 A KR1020090122194 A KR 1020090122194A KR 20090122194 A KR20090122194 A KR 20090122194A KR 20110065622 A KR20110065622 A KR 20110065622A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- external electrodes
- ceramic
- ceramic body
- Prior art date
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[5-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CC=1OC(=NN=1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 6-[(E)-C-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-N-hydroxycarbonimidoyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C/C(=N/O)/C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- -1 aryl resins, acrylic Chemical compound 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229960002380 dibutyl phthalate Drugs 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
본 발명은 적층 세라믹 커패시터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 적층 세라믹 커패시터는 세라믹 소체; 상기 세라믹 소체 내부에 형성되며, 일단이 상기 세라믹 소체의 측면에 각각 교대로 노출되는 복수의 제1 및 제2 내부전극; 및 상기 세라믹 본체의 측면에 형성되며, 상기 제1 및 제2 내부전극과 전기적으로 연결되고, 평균 기공 크기가 2 내지 5㎛인 다수의 기공을 함유하며, 기공율이 2 내지 10%인 제1 및 제2 외부전극;을 포함한다.
기공 크기, 기공율, 크랙, 휨 크랙, 블리스터, 외부전극, 적층 세라믹 커패시터.
Description
본 발명은 적층 세라믹 커패시터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 도금액 및 수분 침투가 방지되고, 휨 크랙이 발생하지 않는 신뢰성이 우수한 적층 세라믹 커패시터에 관한 것이다.
일반적으로 커패시터, 인턱터, 압전체 소자, 바리스터, 또는 서미스터 등의 세라믹 재료를 사용하는 전자부품은 세라믹 재료로 이루어진 세라믹 본체, 본체 내부에 형성된 내부전극 및 상기 내부전극과 접속되도록 세라믹 본체 표면에 설치된 외부전극을 구비한다.
세라믹 전자부품 중 적층 세라믹 커패시터는 적층된 복수의 유전체층, 일 유전체층을 사이에 두고 대향 배치되는 내부전극, 상기 내부전극에 전기적으로 접속된 외부전극을 포함한다.
적층 세라믹 커패시터는 소형이면서도 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 컴퓨터, PDA, 휴대폰 등의 이동 통신장치의 부품으로서 널리 사용되고 있다.
최근에는 전자제품이 소형화 및 다기능화됨에 따라 칩 부품 또한 소형화 및 고기능화되는 추세이므로, 적층 세라믹 커패시터도 그 크기가 작으면서 용량이 큰 고용량 제품이 요구되고 있다.
일반적으로, 적층 세라믹 커패시터의 제조방법은 세라믹 그린시트를 제조하고, 세라믹 그린시트 상에 도전성 페이스트를 인쇄하여 내부전극 막을 형성한다. 내부전극 막이 형성된 세라믹 그린시트를 수십 내지 수백층 까지 겹쳐 쌓아 올려 그린 세라믹 적층체를 만든다. 이 후 그린 세라믹 적층체를 고온 및 고압으로 압착하여 딱딱한 그린 세라믹 적층체를 만들고, 절단 공정을 거쳐 그린 칩을 제조한다. 이후 그린 칩을 가소, 소성, 연마하고, 외부전극을 형성하여 적층 세라믹 커패시터를 완성한다.
적층 세라믹 커패시터는 배선기판에 실장된 상태로 사용되는데, 실장을 위하여 외부 전극의 표면에 니켈, 주석 등의 도금처리를 실시할 수 있다.
적층 세라믹 커패시터를 배선기판에 솔더링에 의해 실장하거나, 적층 세라믹 커패시터가 실장된 배선기판을 절단하면, 적층 세라믹 커패시터에 열 충격 및 전단응력이 가해진다. 이러한 열 충격 및 전단응력에 의하여 적층형 칩 커패시터에는 휨 크랙이 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 외부전극의 치밀도를 제어하여 신뢰성이 우수한 적층 세라믹 커패시터을 제공하는 것이다.
상기의 과제를 해결하기 위한 수단으로써, 세라믹 소체; 상기 세라믹 소체 내부에 형성되며, 일단이 상기 세라믹 소체의 측면에 각각 교대로 노출되는 복수의 제1 및 제2 내부전극; 및 상기 세라믹 본체의 측면에 형성되며, 상기 제1 및 제2 내부전극과 전기적으로 연결되고, 평균 기공 크기가 2 내지 5㎛인 다수의 기공을 함유하며, 기공율이 2 내지 10%인 제1 및 제2 외부전극;을 포함하는 적층 세라믹 커패시터를 제공한다.
상기 제1 및 제2 외부전극은 평균입경이 0.1 내지 3㎛인 도전성 금속을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부전극은 구리, 니켈 및 은으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 도전성 금속을 포함할 수 있다.
적층 세라믹 커패시터는 상기 제1 및 제2 외부전극에 형성되는 니켈 도금층; 및 상기 니켈 도금층에 형성되는 주석 도금층;을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 적층 세라믹 커패시터는 평균 기공 크기가 2 내지 5㎛인 다수의 기공을 함유하며, 기공율이 2 내지 10%인 제1 및 제2 외부전극을 포함한다. 본 발명에 따르면, 외부전극의 치밀도가 제어되어 도금액 및 수분 침투를 억제하면서, 휨 크랙 발생을 억제할 수 있다. 또한, 외부전극 소성시, 가스 및 바인더 성분의 방출이 효과적으로 이루어져 블리스터 불량의 발생률이 낮아진다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 나타내는 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1의 I-I'를 따라 취한 적층 세라믹 커패시터를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 적층 세라믹 커패시터는 세라믹 소체(110); 상기 세라믹 소체(110) 내부에 형성된 제1 및 제2 내부전극(130a, 130b), 상기 제1 및 제2 내부전극(130a, 130b)과 전기적으로 연결된 제1 및 제2 외부전극(120a, 120b)을 포함한다.
상기 세라믹 소체(110)는 복수의 세라믹 유전체층을 적층한 후에 소결시킨 것으로, 인접하는 유전체층끼리는 경계를 확인할 수 없을 정도로 일체화되어 있다.
상기 세라믹 유전체층은 높은 유전율을 갖는 세라믹 재료로 이루어질 수 있고, 이에 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 티탄산바륨(BaTiO3)계 재료, 납 복합 페로브스카이트계 재료 또는 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 재료 등을 사용할 수 있다.
상기 제1 및 제2 내부전극(130a, 130b)은 상기 복수의 유전체층의 적층 과정에서 상기 일 유전체층 사이에 형성된 것으로, 소결에 의하여 일 유전체층을 사이에 두고, 상기 세라믹 소체 내부에 형성된다.
상기 제1 및 제2 내부전극(130a, 130b)은 서로 다른 극성을 갖는 한 쌍의 전극으로써, 유전체층의 적층 방향에 따라 대향 배치되어 유전체층에 의해 서로 전기적으로 절연되어 있다.
제1 및 제2 내부전극(130a, 130b)의 일단은 서로 교대로 상기 세라믹 소체의 양 측면으로 노출된다. 상기 세라믹 소체의 측면으로 노출되는 제1 및 제2 내부전극(130a, 130b)의 일단은 각각 제1 및 제2 외부전극(120a, 120b)과 각각 전기적으로 연결된다.
상기 제1 및 제2 외부전극(120a, 120b)에 소정의 전압을 인가하면 서로 대향 하는 제1 및 제2 내부전극(130a, 130b) 사이에는 전하가 축적되고, 적층 세라믹 커패시터의 정전용량은 서로 향하는 제1 및 제2 내부전극(130a, 130b)의 면적의 크기에 비례한다.
상기 제1 및 제2 내부전극(130a, 130b)은 도전성 금속으로 형성되며, 예를 들면 Ni 또는 Ni 합금으로 이루어진 것을 사용할 수 있다. 상기 Ni 합금으로는 Ni와 함께 Mn, Cr, Co 또는 Al을 함유하는 것이 바람직하다.
상기 제1 및 제2 외부전극(120a, 120b)은 평균 기공 크기(d)가 2 내지 5㎛인 다수의 기공(P)을 함유하며, 기공율이 2 내지 10%이다. 기공율이란, 외부전극의 단면적에 대한 다수의 기공의 총 단면적의 비로 정의될수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 제1 및 제2 외부전극(120a, 120b)은 평균 입경이 0.1 내지 3㎛인 도전성 금속을 포함할 수 있다. 상기 도전성 금속은 구리, 니켈, 또는 은을 사용할 수 있으며, 이들을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
일반적으로, 외부전극이 치밀화되는 경우 도금액 및 수분 침투를 방지할 수 있어 신뢰성이 향상되나, 전극 소성 과정에서 고온에서 발생하는 가스 및 바인더 성분의 방출이 어려워 블리스터 불량이 발생할 수 있다. 또한, 적층 세라믹 커패시터를 기판에 실장하는 경우 가해지는 열 충격 및 전단응력에 의하여 적층형 칩 커패시터에는 휨 크랙이 발생할 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제1 및 제2 외부전극(120a, 120b) 은 평균 기공 크기가 2 내지 5㎛인 다수의 기공(P)을 함유하며, 기공율이 2 내지 10%로써, 치밀도가 제어되어 도금액 및 수분 침투를 억제하면서, 휨 크랙 발생을 억제할 수 있다. 또한, 외부전극 소성시, 가스 및 바인더 성분의 방출이 효과적으로 이루어져 블리스터 불량의 발생률도 낮아진다.
상기 평균 기공 크기가 2㎛ 미만이고, 기공율이 2%미만이면, 도금액 및 수분 침투는 억제되나, 외부전극 소성시 탈바인더가 어려워 블리스터 불량이 발생할 수 있고, 휨 크랙이 발생할 수 있다.
또한, 평균 기공 크기가 5㎛를 초과하고, 기공율이 10%를 초과하면 블리스터 불량 및 휨 크랙 발생률은 낮아지나, 도금액 및 수분이 침투하여 신뢰성이 저하될 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부전극 상에는 니켈(Ni) 도금층(미도시) 및 상기 니켈(Ni) 도금층에 형성되는 주석(Sn) 도금층(미도시)을 추가로 더 포함할 수 있다. 상기 니켈 도금층 및 주석 도금층에 의하여 배선기판의 도전랜드와의 전기적 접속이 양호해진다. 상기 니켈 도금층 및 주석 도금층은 전해 도금 등의 습식 도금법에 의하여 형성될 수 있다.
본 실시형태에 따르면, 제1 및 제2 외부전극의 치밀도가 제어되어, 상기 습식 도금시 도금액의 침투가 억제되어 적층 세라믹 커패시터의 신뢰성을 저하시키지 않는다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 세라믹 커패시터의 제조방법을 설명한다.
우선, 복수의 세라믹 그린시트를 준비한다. 상기 세라믹 그린시트는 세라믹 입자, 바인더, 용제를 혼합하여 슬러리를 제조하고, 상기 슬러리를 닥터 블레이드 법으로 수㎛의 두께를 갖는 시트(sheet)형으로 제작한다.
그리고, 세라믹 그린시트의 표면에, 내부전극 페이스트를 도포하여 제1 및 제2 내부전극 패턴을 형성한다. 상기 제1 및 제2 내부전극 패턴은 스크린 인쇄법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 내부전극 페이스트는 Ni 또는 Ni 합금으로 이루어진 분말을 유기 바인더 및 유기용제에 분산시켜 페이스트형으로 한 것이다. 상기 Ni 합금으로는 Ni와 함께 Mn, Cr, Co 또는 Al을 함유하는 것일 수 있다.
상기 유기 바인더에는 당업계에서 공지된 것을 사용할 수 있고, 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 셀룰로스계 수지, 에폭시 수지, 아릴수지, 아크릴 수지, 페놀-포름알데히드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 알키드 수지, 로진에스테르 등의 바인더를 사용할 수 있다.
또한 유기용제도 당업계에서 공지된 것을 사용할 수 있고, 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 부틸카르비톨, 부틸카르비톨아세테이트, 텔레핀유, α-테레비네올, 에틸셀로솔브, 부틸프탈레이트 등의 용제를 사용할 수 있다.
다음으로, 제1 및 제2 내부전극 패턴이 형성된 세라믹 그린시트를 적층하고, 적층방향으로부터 가압하여, 적층된 세라믹 그린시트와 내부전극 페이스트를 서로 압착시킨다. 이렇게 하여, 세라믹 그린시트와 내부전극 페이스트가 교대로 적층된 세라믹 적층체를 제조한다.
다음으로, 세라믹 적층체를 1개의 커패시터에 대응하는 영역마다 절단하여 칩화한다. 이때, 제1 및 제2 내부전극 패턴의 일단이 측면을 통하여 교대로 노출되도록 절단한다. 이 후, 칩화한 적층체를 예를 들면 1200℃ 정도로 소성하여 세라믹 소체를 제조한다.
다음으로, 세라믹 소체의 측면을 덮으며, 세라믹 소체의 측면으로 노출된 제1 및 제2 내부전극과 전기적으로 연결되도록 외부전극 페이스트를 도포하고, 소성하여 제1 및 제2 외부전극을 형성한다.
상기 제1 및 제2 외부전극 페이스트는 도전성 금속, 유기 바인더, 유기 프릿, 유기 용제를 혼합한 것이다.
상기 제1 및 제2 외부전극은 도전성 금속, 유기 바인더, 유기 프릿, 및 유기 용제가 혼합된 슬러리의 소결에 의하여 형성되는 것으로, 상기 도전성 금속의 함량, 평균 입경, 유기 바인더의 종류 및 함량, 유기 프릿의 함량 등을 조절하여 평균 기공 크기 및 기공율을 조절할 수 있다.
상기 도전성 금속은 구리, 니켈, 또는 은을 사용할 수 있으며, 이들을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 또한 상기 도전성 금속은 평균 입경이 0.1 내지 3 ㎛인 것을 사용할 수 있고, 그 함량은 50 내지 70%일 수 있다.
또한, 상기 유기 바인더의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 그 함량은 5 내지 20%일 수 있고, 유리 프릿의 함량은 5 내지 30%일 수 있다.
또한, 상기 외부전극 페이스트의 소성은 600 내지 900℃에서 수행될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 외부전극 상에 전해 도금 등의 습식 도금법에 의하여 니켈(Ni) 도금층(미도시) 및 주석(Sn) 도금층을 형성할 수 있다.
하기 표 1과 같은 조건으로 제조된 적층 세라믹 커패시터에 블리스터 및 휨 크랙 발생률 및 신뢰성을 측정하였다.
외부전극의 기공율(%) | 평균 기공 크기(㎛) | 블리스터 발생 빈도 | 휨 크랙 발생 빈도 | 신뢰성 | |
비교예 1 | 16 | 7 | 0/30 | 0/30 | 8/40 |
비교예 2 | 14 | 5 | 0/30 | 0/30 | 1/40 |
비교예 3 | 12 | 5 | 0/30 | 0/30 | 1/40 |
실시예 1 | 10 | 4 | 0/30 | 0/30 | 1/40 |
실시예 2 | 6 | 3 | 0/30 | 0/30 | 0/40 |
실시예 3 | 4 | 2 | 0/30 | 0/30 | 0/40 |
실시예 4 | 4 | 3 | 0/30 | 0/30 | 0/40 |
실시예 5 | 4 | 4 | 0/30 | 0/30 | 0/40 |
실시예 6 | 2 | 2 | 0/30 | 0/30 | 0/40 |
실시예 7 | 2 | 4 | 0/30 | 0/30 | 0/40 |
비교예 4 | 1 | 2 | 0/30 | 1/30 | 0/40 |
비교예 5 | 0 | 0 | 3/30 | 3/30 | 1/40 |
상기 표 1을 참조하면, 외부전극의 평균 기공 크기가 5㎛ 이상이고, 기공율이 12%이상인 비교예 1 내지 3은 신뢰성이 낮았고, 평균 기공 크기가 2㎛이나, 기공율이 1%인 비교예 4는 휨 크랙이 발생하였고, 평균 기공 크기가 0㎛이고, 기공율이 100인 비교예 5는 블리스터 및 휨 크랙이 발생하였고, 신뢰성이 낮았다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
도 1는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 나타내는 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1의 I-I'를 따라 취한 적층 세라믹 커패시터를 나타내는 개략적인 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110: 세라믹 소체 120a, 120b: 제1 및 제2 외부전극
130a, 130b: 제1 및 제2 내부전극
Claims (4)
- 세라믹 소체;상기 세라믹 소체 내부에 형성되며, 일단이 상기 세라믹 소체의 측면에 각각 교대로 노출되는 복수의 제1 및 제2 내부전극; 및상기 세라믹 본체의 측면에 형성되며, 상기 제1 및 제2 내부전극과 전기적으로 연결되고, 평균 기공 크기가 2 내지 5㎛인 다수의 기공을 함유하며, 기공율이 2 내지 10%인 제1 및 제2 외부전극;을 포함하는 적층 세라믹 커패시터.
- 제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 외부전극은 평균입경이 0.1 내지 3㎛인 도전성 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
- 제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 외부전극은 구리, 니켈 및 은으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 도전성 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
- 제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 외부전극에 형성되는 니켈 도금층; 및 상기 니켈 도금층에 형성되는 주석 도금층;을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090122194A KR20110065622A (ko) | 2009-12-10 | 2009-12-10 | 적층 세라믹 커패시터 |
US12/852,254 US20110141658A1 (en) | 2009-12-10 | 2010-08-06 | Multilayer ceramic capacitor |
JP2010181104A JP5156805B2 (ja) | 2009-12-10 | 2010-08-12 | 積層セラミックキャパシタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090122194A KR20110065622A (ko) | 2009-12-10 | 2009-12-10 | 적층 세라믹 커패시터 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110065622A true KR20110065622A (ko) | 2011-06-16 |
Family
ID=44142654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090122194A KR20110065622A (ko) | 2009-12-10 | 2009-12-10 | 적층 세라믹 커패시터 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110141658A1 (ko) |
JP (1) | JP5156805B2 (ko) |
KR (1) | KR20110065622A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101532180B1 (ko) * | 2014-02-27 | 2015-06-29 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5806030B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2015-11-10 | 京セラ株式会社 | 回路基板およびこれを備える電子装置 |
JPWO2016133090A1 (ja) * | 2015-02-16 | 2017-12-07 | 京セラ株式会社 | チップ型電子部品およびモジュール |
JP6828547B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2021-02-10 | Tdk株式会社 | 貫通コンデンサ |
KR102115955B1 (ko) * | 2018-09-03 | 2020-05-27 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
JP7151543B2 (ja) * | 2019-02-22 | 2022-10-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP7358828B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2023-10-11 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
JP7358829B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2023-10-11 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
JP7534987B2 (ja) | 2021-03-08 | 2024-08-15 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
JP7501564B2 (ja) | 2022-04-14 | 2024-06-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
WO2024057636A1 (ja) * | 2022-09-12 | 2024-03-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0669008B2 (ja) * | 1985-03-27 | 1994-08-31 | 株式会社村田製作所 | チップ型インダクター素子の製造方法 |
US4938861A (en) * | 1989-08-01 | 1990-07-03 | Kabushiki Kaisha Riken | Limiting current-type oxygen sensor |
JPH0656824B2 (ja) * | 1991-01-25 | 1994-07-27 | 太陽誘電株式会社 | チップ状電子部品とその製造方法 |
US5766434A (en) * | 1996-01-31 | 1998-06-16 | Denso Corporation | Oxygen concentration detecting device and method for fabricating the same |
JP3397125B2 (ja) * | 1998-03-12 | 2003-04-14 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
JP3367426B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2003-01-14 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP3650546B2 (ja) * | 1998-08-28 | 2005-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 導電性ペースト、およびそれを用いた導電性構造、セラミック電子部品、電子部品、実装体、回路基板、電気的接続方法、回路基板の製造方法、及びセラミック電子部品の製造方法 |
CN1273993C (zh) * | 1998-08-28 | 2006-09-06 | 松下电器产业株式会社 | 导电粘结结构,含该结构的制品及其制造方法 |
JP2000331866A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-11-30 | Hitachi Metals Ltd | 積層型セラミック電子部品 |
JP2001185855A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2001244116A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
JP2001250740A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-14 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
JP2002110444A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-12 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
JP2002198248A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Rohm Co Ltd | チップ型電子部品 |
JP2003217969A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Nec Tokin Corp | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JP2005050895A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP2005216987A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kyocera Chemical Corp | セラミック電子部品用導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
JP2006186316A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Kyocera Corp | セラミック電子部品及び積層セラミックコンデンサ |
JP2007234774A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Tdk Corp | セラミック電子部品及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-12-10 KR KR1020090122194A patent/KR20110065622A/ko not_active Application Discontinuation
-
2010
- 2010-08-06 US US12/852,254 patent/US20110141658A1/en not_active Abandoned
- 2010-08-12 JP JP2010181104A patent/JP5156805B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101532180B1 (ko) * | 2014-02-27 | 2015-06-29 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
KR20150101920A (ko) * | 2014-02-27 | 2015-09-04 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011124542A (ja) | 2011-06-23 |
US20110141658A1 (en) | 2011-06-16 |
JP5156805B2 (ja) | 2013-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101079546B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
KR101124091B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
JP5156805B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ | |
KR101376828B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 | |
US8345405B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
KR102145315B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판 | |
KR101444536B1 (ko) | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조방법 | |
KR101079478B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
KR20110067509A (ko) | 외부전극용 도전성 페이스트 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
KR101496814B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터, 그 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판 | |
US20130002388A1 (en) | Multilayered ceramic electronic component and manufacturing method thereof | |
KR102089697B1 (ko) | 외부전극용 페이스트, 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 | |
KR20120073636A (ko) | 외부전극용 도전성 페이스트 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
JP2011135079A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
JP2013080903A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
KR20140032212A (ko) | 도전성 수지 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품 | |
KR101973441B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
US20130155573A1 (en) | Electronic component and manufacturing method thereof | |
JP2013098533A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2015115518A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2004172383A (ja) | 導電ペースト及びセラミック電子部品の製造方法 | |
JP2021009919A (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
KR20140013289A (ko) | 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 | |
JP2011171651A (ja) | セラミック電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |