JP2002110444A - 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 - Google Patents

導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品

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JP2002110444A
JP2002110444A JP2000292260A JP2000292260A JP2002110444A JP 2002110444 A JP2002110444 A JP 2002110444A JP 2000292260 A JP2000292260 A JP 2000292260A JP 2000292260 A JP2000292260 A JP 2000292260A JP 2002110444 A JP2002110444 A JP 2002110444A
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conductive
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Shinichi Tsugimoto
伸一 次本
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Murata Mfg Co Ltd
株式会社村田製作所
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、焼付け形成時に亀裂が生じず、か
つ焼結密度が高い端子電極を形成し得る、Cuを導電成
分とする導電性ペースト、およびこのような端子電極を
備える積層セラミック電子部品を提供することにある。 【解決手段】 本発明の導電性ペーストは、導電成分
と、ガラスフリットと、を含有し、導電成分は、平均粒
径が0.5〜1.0μm、かつ粉末X線回折から求めら
れる結晶子径が45nm以上であるCu粉末を90重量
%以上含有することを特徴とする。また、本発明の積層
セラミック電子部品は、複数のセラミック層が積層され
てなるセラミック積層体と、それぞれの端縁がセラミッ
ク層の何れかの端面に露出するようにセラミック層間に
形成された複数の内部電極と、露出した内部電極に電気
的に接続されるように設けられた端子電極とを備え、端
子電極は、本発明の導電性ペーストを用いて形成されて
いることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性ペーストお
よびこれを用いて端子電極を形成した積層セラミック電
子部品に関するもので、特に内部電極を備える積層セラ
ミック電子部品の端子電極形成用導電性ペーストおよび
積層セラミックコンデンサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より積層セラミック電子部品、例え
ば積層セラミックコンデンサは、セラミック積層体と、
セラミック積層体の内部に積層された内部電極と、セラ
ミック積層体の両端部に形成された端子電極と、端子電
極上に形成されためっき膜とからなる。
【0003】端子電極は、例えば導電成分である金属粉
末とガラスフリットを有機ビヒクル中に混練し分散させ
た導電性ペーストが、セラミック積層体の端部に塗布さ
れ焼付けられて形成されている。導電成分、例えばCu
粉末が用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、端子電
極の焼結密度が低い場合、めっき時にめっき液が端子電
極内を透過してセラミック積層体の内部、より特定的に
はセラミック層と内部電極との界面近傍に浸入し、内部
電極とセラミック層の接合を破壊して、セラミック積層
体内部にデラミネーションと呼ばれる空隙層が形成され
る問題があった。従来、このような問題を解決する方法
として、より微粒の導電粉末を用いたり、焼付け温度を
高くして焼結密度を高める方法が一般的に行われてき
た。しかしながら、より微粒の導電粉末を用いるとより
低温で焼結が開始し、従来の焼付け方法では昇温速度が
速すぎるために、焼付け形成後の端子電極に亀裂が生じ
易くなるという問題があった。特に、端子電極形成に用
する導電性ペーストの量が多いほど、亀裂発生の問題は
顕著となる。また、焼付け温度を高めると、ガラスの粘
度が下がるため、焼結応力によって端子電極の表面に押
し出されたガラスによって、めっき付き性が悪化すると
いう問題が新たに生じる。
【0005】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、焼付け形成時に亀裂が生じず、かつ
焼結密度が高い端子電極を形成し得る、Cuを導電成分
とする導電性ペースト、およびこのような端子電極を備
える積層セラミック電子部品を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の導電性ペーストは、導電成分と、ガラスフ
リットと、有機ビヒクルと、を含有し、導電成分は、平
均粒径が0.5〜1.0μm、かつ粉末X線回折から求
められる結晶子径が45nm以上であるCu粉末を90
重量%以上含有することを特徴とする。
【0007】また、本発明の積層セラミック電子部品
は、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積
層体と、それぞれの端縁がセラミック層の何れかの端面
に露出するようにセラミック層間に形成された複数の内
部電極と、露出した内部電極に電気的に接続されるよう
に設けられた端子電極とを備え、端子電極は、上述した
本発明の導電性ペーストを用いて形成されていることを
特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の導電性ペーストは、導電
成分として、平均粒径が0.5〜1.0μm、かつ粉末
X線回折から求められる結晶子径が45nm以上である
Cu粉末を90重量%以上含有することを要する。
【0009】上述のCu粉末の平均粒径が0.5μmを
下回ると、結晶子径の大きさ如何に関わらず、端子電極
に亀裂が生じる易くなる傾向がある。他方、平均粒径が
1.0μmを上回ると、端子電極の焼結密度が低下する
傾向がある。
【0010】また、上述のCu粉末の結晶子径が45n
mを下回ると、端子電極に亀裂が生じる易くなる傾向が
ある。
【0011】また、導電成分100重量%のうち、上述
した平均粒径ならびに結晶子径の範囲内であるCu粉末
の含有割合が90重量%を下回ると、端子電極に亀裂が
生じ易くなるか、あるいは端子電極の焼結密度が低下す
る傾向がある。
【0012】なお、本発明の導電性ペースト中における
導電成分の含有量については、特に限定されないが、例
えば、導電性ペースト100重量%のうち60〜80重
量%程度含有させることができる。
【0013】また、本発明の導電性ペーストは、導電成
分に加えてさらにガラスフリットを含有してなる。ガラ
スフリットの組成は、特に限定はされないが、例えばB
−Si−Ba−O系ガラス,B−Si−Bi−O系ガラ
ス,B−Si−Zn−O系ガラス,B−Si−Al−O
系ガラス等、従来よりセラミック電子部品の端子電極形
成に用いられる導電性ペーストに一般的に用いられてい
るガラスフリットを適宜選択することができる。また、
本発明の導電性ペースト中におけるガラスフリットの含
有量についても、特に限定はされないが、例えば、導電
性ペースト100重量%のうち5〜10重量%程度含有
させることができる。
【0014】また、本発明の導電性ペーストに含有する
有機ビヒクルは、特に限定はしないが、例えばエチルセ
ルロース,アルキド樹脂,アルカリ樹脂等からなる有機
バインダと、ターピネオール,エチルカルビトール,1
−オクタノール,ケロシン系溶剤等とからなる有機溶剤
とを混合した、従来から公知の有機ビヒクルを用いるこ
とができる。
【0015】また、本発明の導電性ペーストは、さらに
増粘剤、増粘防止剤、消泡剤その他の添加剤等を適宜調
整して含有させることができる。
【0016】本発明の積層セラミック電子部品の一つの
実施形態について、図1に基づいて詳細に説明する。す
なわち、積層セラミック電子部品1は、セラミック積層
体2と、内部電極3,3と、端子電極4,4と、めっき
膜5,5とから構成される。
【0017】セラミック積層体2は、BaTiO3を主
成分とする誘電体材料からなるセラミック層2aが複数
積層された生のセラミック積層体が焼成されてなる。
【0018】内部電極3,3は、セラミック積層体2内
のセラミック層2a間にあって、複数の生のセラミック
層2a上に内部電極形成用の導電性ペーストが印刷さ
れ、生のセラミック層とともに積層されてなる生のセラ
ミック積層体と同時焼成されてなり、内部電極3,3の
それぞれの端縁は、セラミック積層体2の何れかの端面
に露出するように形成されている。
【0019】端子電極4,4は、セラミック積層体2の
端面に露出した内部電極3,3の一端と電気的かつ機械
的に接合されるように、本発明の導電性ペーストがセラ
ミック積層体2の端面に塗布され焼付けられてなる。
【0020】めっき膜5,5は、例えば、SnやNi等
の無電解めっきや、はんだめっき等からなり、端子電極
4,4上に少なくとも1層形成されてなる。
【0021】なお、本発明の積層セラミック電子部品の
セラミック積層体2の材料は、上述の実施形態に限定さ
れることなく、例えばPbZrO3等その他の誘電体材
料や、絶縁体、磁性体、半導体材料からなっても構わな
い。また、本発明の積層セラミック電子部品の内部電極
3の枚数は、上述の実施形態に限定されることなく、何
層形成されていても構わない。また、めっき膜5,5
は、必ずしも備えている必要はなく、また何層形成され
ていても構わない。
【0022】
【実施例】本発明の実施例として、上述した一つの実施
形態で示した、サイズが1.2×2.0mm(通称20
12サイズ)の積層セラミック電子部品を作製する。
【0023】まず、表1に示した平均粒径ならびに結晶
子径を備えるCu粉末を準備し、それぞれ試料A1〜D
2とした。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡で撮影
した粉末の写真から数十個の粒子の直径を読み取った平
均値を用いた。また、結晶子径は粉末X線回折における
ピークの半値幅よりシェラーの式に基づいて算出した値
を使用した。
【0024】次いで、表2に示した配合比率で1種また
は2種類のCu粉末を配合してこれを導電成分とし、導
電成分とB−Si−O系ガラスフリットを、アルカリ樹
脂とターピネオールを混合した有機ビヒクルに分散さ
せ、三本ロールで混練・分散して、試料1〜17の導電
性ペーストを得た。
【0025】次いで、BaTiO3を主成分とする生の
セラミック層を準備し、所定枚数の生のセラミック層の
表面上に一方の端縁が生のセラミック層の何れかの端面
側に露出するように、内部電極となるべき電極膜を印刷
し、これら複数の生のセラミック層を所定枚数積層し圧
着して、複数の生のセラミック積層体を準備し、これを
1300℃の還元雰囲気で焼成して、複数のセラミック
積層体を得た。
【0026】次いで、定盤の上に試料1〜17の導電性
ペーストを、塗布膜厚0.5mmとなるようにブレード
でスキージングしてペースト塗布膜を形成し、このペー
スト塗布膜にセラミック積層体の端面を押し付けるよう
に浸漬して、セラミック積層体の端面近傍に導電性ペー
ストを塗布し乾燥させて、端子電極となるべき電極膜を
形成した。
【0027】次いで、電極膜を備えるセラミック積層体
を150℃で乾燥させ、800℃で5分間焼付けを行な
い、膜厚が70μmの端子電極を備える試料1〜17の
積層セラミック電子部品を得た。
【0028】そこで、試料1〜17の積層セラミック電
子部品の端子電極の亀裂発生状況を確認した後、端子電
極の断面を研磨して金属顕微鏡で観察し、端面部での焼
結密度を相対比較し、これを表2にまとめた。なお、焼
結密度は4段階で示し、ポアの存在が皆無に近く、かつ
焼結密度が最も高く優れる試料について◎、直径5μm
以下のポアが点在する試料について○、直径5〜10μ
m程度のポアが点在する試料について△、直径10μm
以上のポアが点在するか、あるいは積層セラミック電子
部品の端子電極としては密度が低く過ぎるものについて
は×とした。
【0029】
【表1】
【0030】
【表2】
【0031】表1および表2から明らかであるように、
平均粒径が0.5〜1.0μmで、かつ結晶子径が45
nm以上である試料B2,C2,C3のCu粉末100
重量%を導電成分とする導電性ペーストを用いて端子電
極を形成した試料4,6,7の積層セラミック電子部品
は、端子電極に亀裂が発生することがなく、また端子電
極の焼結密度も実用上問題のないレベル(◎〜△)であ
ったことから、本発明の範囲内となった。特に、試料B
2のCu粉末(平均粒径0.5μm/結晶子径54n
m)100重量%を導電成分とする導電性ペーストを用
いて端子電極を形成した試料4は、焼結密度が非常に高
く、本発明のうち特に好ましい結果となった。
【0032】また、平均粒径が0.5〜1.0μmで、
かつ結晶子径が45nm以上である試料B2,C2,C
3のCu粉末を90重量%を含む導電成分を含有してな
る導電性ペーストを用いて端子電極を形成した試料1
1,14,16の積層セラミック電子部品も同様に、端
子電極に亀裂が発生することがなく、また端子電極の焼
結密度も実用上問題のないレベル(◎〜△)であったこ
とから、本発明の範囲内となった。
【0033】これに対して、平均粒径が0.5μmを下
回るA1,A2のCu粉末100重量%を導電成分とす
る導電性ペーストを用いて端子電極を形成した試料1,
2の積層セラミック電子部品は、端子電極に亀裂が発生
したため、本発明の範囲外となった。
【0034】また、平均粒径が1.0μmを上回るD
1,D2のCu粉末100重量%を導電成分とする導電
性ペーストを用いて端子電極を形成した試料8,9の積
層セラミック電子部品は、端子電極の焼結密度が低く、
端子電極上にめっき膜を形成した場合にデラミネーショ
ンが生じ易いという実用上問題のあるレベル(×)であ
ったことから、本発明の範囲外となった。
【0035】また、結晶子径が45nmを下回るA1,
B1,C1のCu粉末100重量%を導電成分とする導
電性ペーストを用いて端子電極を形成した試料1,3,
5の積層セラミック電子部品は、端子電極に亀裂が発生
したため、本発明の範囲外となった。
【0036】また、平均粒径が0.5〜1.0μmで、
かつ結晶子径が45nm以上である試料B2,C2,C
3のCu粉末を含有する導電成分であっても、上述の範
囲内のCu粉末の含有割合が、導電成分100重量%の
うち90重量%を下回る導電性ペーストを用いて端子電
極を形成した試料10,12,13,15,17の積層
セラミック電子部品は、端子電極に亀裂が発生し、ある
いは端子電極の焼結密度が低く、端子電極上にめっき膜
を形成した場合にデラミネーションが生じ易いという実
用上問題のあるレベル(×)であったことから、本発明
の範囲外となった。
【0037】
【発明の効果】以上のように本発明の導電性ペースト
は、導電成分と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、
を含有し、導電成分は、平均粒径が0.5〜1.0μ
m、かつ粉末X線回折から求められる結晶子径が45n
m以上であるCu粉末を90重量%以上含有することを
特徴とすることで、焼付け形成時に亀裂が生じず、かつ
焼結密度が高い端子電極を形成し得て、このような端子
電極を備える積層セラミック電子部品を提供することが
できる。
【0038】また、本発明の積層セラミック電子部品
は、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積
層体と、それぞれの端縁がセラミック層の何れかの端面
に露出するようにセラミック層間に形成された複数の内
部電極と、露出した内部電極に電気的に接続されるよう
に設けられた端子電極とを備え、端子電極は、本発明の
導電性ペーストを用いて形成されていることを特徴とす
ることで、端子電極に亀裂がなく焼結密度が高いことか
ら、端子電極上にめっき膜を形成する場合であっても、
端子電極中ならびに内部電極とセラミック層との界面へ
のめっき液の浸入を抑制することができ、デラミネーシ
ョンの発生が抑制された効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る一つの実施の形態の積層セラミッ
ク電子部品の断面図である。
【符号の説明】
1 積層セラミック電子部品 2 セラミック積層体 2a セラミック層 3 内部電極 4 端子電極

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電成分と、ガラスフリットと、有機ビ
    ヒクルと、を含有し、 前記導電成分は、平均粒径が0.5〜1.0μm、かつ
    粉末X線回折から求められる結晶子径が45nm以上で
    あるCu粉末を90重量%以上含有することを特徴とす
    る、導電性ペースト。
  2. 【請求項2】 複数のセラミック層が積層されてなるセ
    ラミック積層体と、それぞれの端縁が前記セラミック層
    の何れかの端面に露出するように前記セラミック層間に
    形成された複数の内部電極と、露出した前記内部電極に
    電気的に接続されるように設けられた端子電極とを備え
    る積層セラミック電子部品であって、 前記端子電極は、請求項1に記載の導電性ペーストを用
    いて形成されていることを特徴とする、積層セラミック
    電子部品。
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