JP2011124542A - 積層セラミックキャパシタ - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は積層セラミックキャパシタに関する。
【解決手段】本発明による積層セラミックキャパシタは、セラミック素体と、上記セラミック素体の内部に形成され、一端が上記セラミック素体の側面に夫々交互に露出される複数の第１及び第２内部電極と、上記セラミック本体の側面に形成され、上記第１及び第２内部電極と電気的に連結され、平均気孔のサイズが２〜５μｍである多数の気孔を含有し、気孔率が２〜１０％である第１及び第２外部電極とを含む。
【選択図】図２
【解決手段】本発明による積層セラミックキャパシタは、セラミック素体と、上記セラミック素体の内部に形成され、一端が上記セラミック素体の側面に夫々交互に露出される複数の第１及び第２内部電極と、上記セラミック本体の側面に形成され、上記第１及び第２内部電極と電気的に連結され、平均気孔のサイズが２〜５μｍである多数の気孔を含有し、気孔率が２〜１０％である第１及び第２外部電極とを含む。
【選択図】図２
Description
本発明は、積層セラミックキャパシタに関するもので、より詳細にはメッキ液及び水分の浸透を防ぎ、歪みによるクラックが発生しない信頼性に優れた積層セラミックキャパシタに関する。
一般的にキャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタ等のセラミック材料を使用する電子部品は、セラミック材料から成るセラミック本体と、本体内部に形成された内部電極及び上記内部電極と接続されるようにセラミック本体表面に設置された外部電極を具備する。
セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタは、積層された複数の誘電体層と、一誘電体層を介し対向配置される内部電極と、上記内部電極に電気的に接続された外部電極とを含む。
積層セラミックキャパシタは、小型でありながら高容量が保障され実装が容易であるという長所から、コンピュータ、ＰＤＡ、携帯電話等の移動通信装置の部品として広く使用されている。
最近では電子製品が小型化及び多機能化されるのに伴い、チップ部品も小型化及び高機能化される傾向にあるため、積層セラミックキャパシタもサイズが小さいながらも容量が大きい高容量製品が要求されている。
一般的に、積層セラミックキャパシタの製造方法は、セラミックグリーンシートを製造し、セラミックグリーンシート上に導電性ペーストを印刷して内部電極膜を形成する。内部電極膜が形成されたセラミックグリーンシートを数十から数百層まで積み重ね、グリーンセラミック積層体を作る。その後グリーンセラミック積層体を高温及び高圧で圧着して硬いグリーンセラミック積層体を作り、切断工程を経てグリーンチップを製造する。その後グリーンチップを仮焼、焼成、研磨し、外部電極を形成して積層セラミックキャパシタを完成する。
積層セラミックキャパシタは配線基板に実装された状態で使用されるが、実装のために外部電極の表面にニッケル、錫等のメッキ処理を行うことができる。
積層セラミックキャパシタを配線基板にソルダリングにより実装したり、積層セラミックキャパシタが実装された配線基板を切断すると、積層セラミックキャパシタに熱衝撃及びせん断応力が加わる。このような熱衝撃及びせん断応力により積層型チップキャパシタには歪みによるクラックが発生することがある。
本発明は、上記のような問題点を解決するためのもので、本発明の目的は外部電極の緻密度を制御し、信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを提供することである。
上記の課題を解決するための手段として、セラミック素体と、上記セラミック素体の内部に形成され、一端が上記セラミック素体の側面に夫々交互に露出される複数の第１及び第２内部電極と、上記セラミック本体の側面に形成され、上記第１及び第２内部電極と電気的に連結され、平均気孔のサイズが２〜５μｍである多数の気孔を含有し、気孔率が２〜１０％である第１及び第２外部電極と、を含む積層セラミックキャパシタを提供する。
上記第１及び第２外部電極は、平均粒径が０．１〜３μｍである導電性金属を含むことができる。
上記第１及び第２外部電極は、銅、ニッケル及び銀から成る群から選択される１つ以上の導電性金属を含むことができる。
積層セラミックキャパシタは、上記第１及び第２外部電極に形成されるニッケルメッキ層と、上記ニッケルメッキ層に形成される錫メッキ層と、をさらに含むことができる。
本発明によると、積層セラミックキャパシタは平均気孔のサイズが２〜５μｍである多数の気孔を含有し、気孔率が２〜１０％である第１及び第２外部電極を含む。本発明によると、外部電極の緻密度が制御され、メッキ液及び水分の浸透を抑制しながら、歪みによるクラックの発生を抑制することができる。また、外部電極を焼成する際、ガス及びバインダー成分の放出が効果的に成され、ブリスター不良の発生率が低くなる。
以下、添付された図面を参照し本発明の好ましい実施形態を説明する。
しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は当該技術分野において平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及びサイズ等は明確な説明のために誇張されることがあり、図面上の同一の符号で表示される要素は同一の要素である。
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略的な斜視図であり、図２は図１のＩ−Ｉ'に沿って切断した積層セラミックキャパシタを示す概略的な断面図である。
図１及び図２を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタはセラミック素体１１０と、上記セラミック素体１１０の内部に形成された第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂと、上記第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂと電気的に連結された第１及び第２外部電極１２０ａ、１２０ｂとを含む。
上記セラミック素体１１０は、複数のセラミック誘電体層を積層した後に焼結させたもので、隣接する誘電体層同士は境界を確認できないくらい一体化している。
上記セラミック誘電体層は、高い誘電率を有するセラミック材料から成ることができるが、これに制限されるものではなく、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系材料等を使用することができる。
上記第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂは、上記複数の誘電体層の積層過程において上記一誘電体層の間に形成されたもので、焼結により一誘電体層を介し上記セラミック素体の内部に形成される。
上記第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂは、互いに異なる極性を有する一対の電極であって、誘電体層の積層方向に沿って対向配置され誘電体層により互いに電気的に絶縁されている。
第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂの一端は、互いに交互に上記セラミック素体の両側面に露出される。上記セラミック素体の側面に露出される第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂの一端は、夫々第１及び第２外部電極１２０ａ、１２０ｂと夫々電気的に連結される。
上記第１及び第２外部電極１２０ａ、１２０ｂに所定の電圧を印加すると、対向する第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂの間には電荷が蓄積され、積層セラミックキャパシタの静電容量は対向する第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂの面積に比例する。
上記第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂは、導電性金属で形成され、例えばＮｉまたはＮｉ合金から成るものを使用することができる。上記Ｎｉ 合金としてはＮｉと共にＭｎ、Ｃｒ、ＣｏまたはＡｌを含有するものが好ましい。
上記第１及び第２外部電極１２０ａ、１２０ｂは、平均気孔のサイズｄが２〜５μｍである多数の気孔Ｐを含有し、気孔率が２〜１０％である。気孔率とは、外部電極の断面積に対する多数の気孔の総断面積の比と定義することができる。
本発明の一実施形態による第１及び第２外部電極１２０ａ、１２０ｂは、平均粒径が０．１〜３μｍである導電性金属を含むことができる。上記導電性金属は銅、ニッケル、または銀を使用することができ、これらを単独または混合して使用することができる。
一般的に、外部電極が緻密化される場合、メッキ液及び水分の浸透を防止することができ信頼性が向上するが、電極焼成過程において高温で発生するガス及びバインダー成分の放出が難しくブリスター不良が発生することがある。また、積層セラミックキャパシタを基板に実装する際に加わる熱衝撃及びせん断応力により、積層型チップキャパシタには歪みによるクラックが発生することがある。
しかし、本発明の一実施形態によると、第１及び第２外部電極１２０ａ、１２０ｂは平均気孔のサイズが２〜５μｍである多数の気孔Ｐを含有し、気孔率が２〜１０％であって、緻密度が制御されメッキ液及び水分の浸透を抑制しながら、歪みによるクラックの発生を抑制することができる。また、外部電極を焼成する際、ガス及びバインダー成分の放出が効果的に成されてブリスター不良の発生率も低くなる。
上記平均気孔のサイズが２μｍ未満で、気孔率が２％未満であると、メッキ液及び水分の浸透は抑制されるが、外部電極を焼成する際に脱バインダーが難しくブリスター不良が発生することがあり、歪みクラックが発生することがある。
また、平均気孔のサイズが５μｍを超過し、気孔率が１０％を超過するとブリスター不良及び歪みによるクラックの発生率は低くなるが、メッキ液及び水分が浸透して信頼性が低下することがある。
上記第１及び第２外部電極上にはニッケル（Ｎｉ）メッキ層（不図示）及び上記ニッケル（Ｎｉ）メッキ層に形成される錫（Ｓｎ）メッキ層（不図示）をさらに含むことができる。 上記ニッケルメッキ層及び錫メッキ層により配線基板の導電ランドとの電気的接続が良好になる。上記ニッケルメッキ層及び錫メッキ層は電解メッキ等の湿式メッキ法により形成することができる。
本実施形態によると、第１及び第２外部電極の緻密度が制御され、上記湿式メッキ時にメッキ液の浸透が抑制され積層セラミックキャパシタの信頼性を低下させない。
以下、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタの製造方法を説明する。
先ず、複数のセラミックグリーンシートを準備する。上記セラミックグリーンシートは、セラミック粒子、バインダー、溶剤を混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレード法で数μｍの厚さを有するシート（ｓｈｅｅｔ）型に製作する。
そして、セラミックグリーンシートの表面に、内部電極のペーストを塗布して第１及び第２内部電極のパターンを形成する。上記第１及び第２内部電極のパターンは、スクリーン印刷法により形成することができる。上記内部電極のペーストはＮｉまたはＮｉ合金から成る粉末を有機バインダー及び有機溶剤に分散させてペースト型にしたものである。上記Ｎｉ合金としてはＮｉと共にＭｎ、Ｃｒ、ＣｏまたはＡｌを含有するものであることができる。
上記有機バインダーには当業界において公知のものを使用することができ、これに制限されるものではないが、例えばセルロース系樹脂、エポキシ樹脂、アリール樹脂、アクリル樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アルキド樹脂、ロジンエステル等のバインダーを使用することができる。
また 有機溶剤も当業界において公知のものを使用することができ、これに制限されるものではないが、例えば、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、テレビン油、α−テルピネオール、エチルセロソルブ、ブチルフタレート等の溶剤を使用することができる。
次に、第１及び第２内部電極のパターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し、積層方向から加圧して、積層されたセラミックグリーンシートと 内部電極のペーストを互いに圧着させる。 このようにして、セラミックグリーンシートと内部電極のペーストが交互に積層されたセラミック積層体を製造する。
次に、セラミック積層体を１個のキャパシタに対応する領域ごとに切断してチップ化する。この時、第１及び第２内部電極のパターンの一端が側面を通じて交互に露出されるように切断する。この後、チップ化した積層体を例えば１２００℃程度で焼成してセラミック素体を製造する。
次に、セラミック素体の側面を覆い、且つセラミック素体の側面に露出された第１及び第２内部電極と電気的に連結されるように外部電極ペーストを塗布し、焼成して第１及び第２外部電極を形成する。
上記第１及び第２外部電極ペーストは導電性金属、有機バインダー、有機フリット、有機溶剤を混合したものである。
上記第１及び第２外部電極は、導電性金属、有機バインダー、有機フリット、及び有機溶剤が混合されたスラリーの焼結により形成されるもので、上記導電性金属の含量、平均粒径、有機バインダーの種類及び含量、有機フリットの含量等を調節して平均気孔のサイズ及び気孔率を調節することができる。
上記導電性金属は銅、ニッケル、または銀を使用することができ、これらを単独または混合して使用することができる。また、上記導電性金属は平均粒径が０．１〜３μｍであるものを使用することができ、その含量は５０〜７０％であることができる。
また、上記有機バインダーの種類は特に制限されず、その含量は５〜２０％であることができ、ガラスフリットの含量は５〜３０％であることができる。
また、上記外部電極ペーストの焼成は、６００〜９００℃で行われることができる。
また、第１及び第２外部電極上に電解メッキ等の湿式メッキ法によりニッケル（Ｎｉ）メッキ層（不図示）及び錫（Ｓｎ）メッキ層を形成することができる。
下記表１のような条件で製造された積層セラミックキャパシタにおけるブリスター及び歪みによるクラックの発生率及び信頼性を測定した。
上記表１を参照すると、外部電極の平均気孔のサイズが５μｍ以上で、気孔率が１２％以上である比較例１〜３は信頼性が低く、平均気孔のサイズが２μｍであるが、気孔率が１％である比較例４は歪みによるクラックが発生し、平均気孔のサイズが０μｍで、気孔率が１００％である比較例５はブリスター及び歪みクラックが発生し、信頼性が低かった。
本発明は上述した実施形態及び添付された図面により限定されるものではなく、特許請求の範囲により限定される。従って、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内において多様な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分野の通常の知識を有する者には自明であり、これも特許請求の範囲に記載された技術的思想に属する。
１１０ セラミック素体
１２０ａ、１２０ｂ 第１及び第２外部電極
１３０ａ、１３０ｂ 第１及び第２内部電極
１２０ａ、１２０ｂ 第１及び第２外部電極
１３０ａ、１３０ｂ 第１及び第２内部電極
Claims (4)
- セラミック素体と、
前記セラミック素体の内部に形成され、一端が前記セラミック素体の側面に夫々交互に露出される複数の第１及び第２内部電極と、
前記セラミック素体の側面に形成され、前記第１及び第２内部電極と夫々電気的に連結され、平均気孔のサイズが２〜５μｍである多数の気孔を含有し、気孔率が２〜１０％である第１及び第２外部電極と、
を含む積層セラミックキャパシタ。 - 前記第１及び第２外部電極は、平均粒径が０．１〜３μｍである導電性金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記第１及び第２外部電極は、銅、ニッケル及び銀から成る群から選択される１つ以上の導電性金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記第１及び第２外部電極に形成されるニッケルメッキ層と、前記ニッケルメッキ層に形成される錫メッキ層とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
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