JP2002057064A - 積層セラミック電子部品 - Google Patents
積層セラミック電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層セラミックコンデンサ素子などの電子部
品素子の外部電極と金属端子との接着面積の制御が容易
な電子部品を提供する。 【解決手段】 電子部品１０は、両端に外部電極が形成
され積み重ねられた複数の積層セラミックコンデンサ素
子１２と、積層セラミックコンデンサ素子の外部電極１
６ａ，１６ｂに接続される金属端子１８ａ，１８ｂとを
含む。金属端子には外部電極に当接される面に凹部３０
が形成され、該凹部に外部電極と金属端子とを接着する
ための導電性接着剤１８が付与されて、該導電性接着剤
で前記外部電極の一部分のみが前記金属端子に接着され
る。
品素子の外部電極と金属端子との接着面積の制御が容易
な電子部品を提供する。 【解決手段】 電子部品１０は、両端に外部電極が形成
され積み重ねられた複数の積層セラミックコンデンサ素
子１２と、積層セラミックコンデンサ素子の外部電極１
６ａ，１６ｂに接続される金属端子１８ａ，１８ｂとを
含む。金属端子には外部電極に当接される面に凹部３０
が形成され、該凹部に外部電極と金属端子とを接着する
ための導電性接着剤１８が付与されて、該導電性接着剤
で前記外部電極の一部分のみが前記金属端子に接着され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は積層セラミック電
子部品に関し、特にたとえば、ＤＣ−ＤＣコンバータな
どの電源回路の平滑用のタンタル電解コンデンサなどの
置き換えに用いられる高容量の積層セラミック電子部品
に関する。
子部品に関し、特にたとえば、ＤＣ−ＤＣコンバータな
どの電源回路の平滑用のタンタル電解コンデンサなどの
置き換えに用いられる高容量の積層セラミック電子部品
に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属端子付きの積層セラミック電子部品
は、耐たわみ強度の確保や熱応力を緩和し、耐熱衝撃性
の向上を目途として用いられる。そのような積層セラミ
ック電子部品では、一般に、金属端子で積層セラミック
コンデンサ素子を基板から浮かすことが行われる。さら
に、実開平１−１１２０３２号に開示されているよう
に、金属端子を折り曲げることが行われる。これらの技
術を用いると、アルミニウム基板などの熱膨張の大きい
基板と積層セラミックコンデンサ素子との熱膨張の差を
緩和することもできる。このような積層セラミック電子
部品の形成には、複数の積層コンデンサ素子間の接合や
コンデンサと金属端子との間の接合に導電性樹脂やはん
だペーストなどの導電性接着剤が用いられるが、複数の
積層セラミックコンデンサ素子の外部電極の端面部の全
面と金属端子とを導電性接着剤で接着した場合、導電性
接着剤の熱応力の残留や熱歪みが大きいので、接着部に
熱的損傷が発生しやすいという問題があった。そこで、
特開平８−６４４６７号に開示された技術では、素子の
外部電極の端面の一部分のみを金属端子に接着して、導
電性接着剤の熱応力による悪影響を低減させるようにし
ている。
は、耐たわみ強度の確保や熱応力を緩和し、耐熱衝撃性
の向上を目途として用いられる。そのような積層セラミ
ック電子部品では、一般に、金属端子で積層セラミック
コンデンサ素子を基板から浮かすことが行われる。さら
に、実開平１−１１２０３２号に開示されているよう
に、金属端子を折り曲げることが行われる。これらの技
術を用いると、アルミニウム基板などの熱膨張の大きい
基板と積層セラミックコンデンサ素子との熱膨張の差を
緩和することもできる。このような積層セラミック電子
部品の形成には、複数の積層コンデンサ素子間の接合や
コンデンサと金属端子との間の接合に導電性樹脂やはん
だペーストなどの導電性接着剤が用いられるが、複数の
積層セラミックコンデンサ素子の外部電極の端面部の全
面と金属端子とを導電性接着剤で接着した場合、導電性
接着剤の熱応力の残留や熱歪みが大きいので、接着部に
熱的損傷が発生しやすいという問題があった。そこで、
特開平８−６４４６７号に開示された技術では、素子の
外部電極の端面の一部分のみを金属端子に接着して、導
電性接着剤の熱応力による悪影響を低減させるようにし
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
積層セラミックコンデンサ素子の外部電極の端面の一部
と金属端子とをはんだペーストで接着する際の接着面積
を制御するためには、はんだの組成、量、フラックス
量、およびはんだ付け条件を最適化する必要があったた
め、接着面積の制御は容易ではなかった。そして、接着
面積を外部電極の端面の一部分に限定できない場合に
は、積層セラミックコンデンサ素子間の隙間にはんだや
フラックスが侵入し、短絡や絶縁劣化が生じる場合があ
った。
積層セラミックコンデンサ素子の外部電極の端面の一部
と金属端子とをはんだペーストで接着する際の接着面積
を制御するためには、はんだの組成、量、フラックス
量、およびはんだ付け条件を最適化する必要があったた
め、接着面積の制御は容易ではなかった。そして、接着
面積を外部電極の端面の一部分に限定できない場合に
は、積層セラミックコンデンサ素子間の隙間にはんだや
フラックスが侵入し、短絡や絶縁劣化が生じる場合があ
った。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、積
層セラミックコンデンサ素子などの積層セラミック電子
部品素子の外部電極と金属端子との接着面積の制御が容
易な積層セラミック電子部品を提供することである。
層セラミックコンデンサ素子などの積層セラミック電子
部品素子の外部電極と金属端子との接着面積の制御が容
易な積層セラミック電子部品を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる積層セ
ラミック電子部品は、両端に外部電極が形成される積層
セラミック電子部品素子、および外部電極に接続される
金属端子を含み、金属端子には外部電極に当接される面
に凹部が形成され、該凹部に、外部電極と金属端子とを
接着するための導電性接着剤が付与されて、該導電性接
着剤で外部電極の端面部の一部分のみを金属端子に接着
したことを特徴とする、積層セラミック電子部品であ
る。また、金属端子は、折り返し部を備え、該折り返し
部で折り返された一方片は他方片に対しばね性を有し、
該一方片に凹部が形成されるようにすることが好まし
い。さらに、金属端子の外部電極に当接される面に環状
に配置される突出部を形成し、該突出部の内側を凹部と
して用いてもよい。また、金属端子には凹部に連通する
貫通孔が形成され、該貫通孔を通じて導電性接着剤が付
与されることが好ましい。
ラミック電子部品は、両端に外部電極が形成される積層
セラミック電子部品素子、および外部電極に接続される
金属端子を含み、金属端子には外部電極に当接される面
に凹部が形成され、該凹部に、外部電極と金属端子とを
接着するための導電性接着剤が付与されて、該導電性接
着剤で外部電極の端面部の一部分のみを金属端子に接着
したことを特徴とする、積層セラミック電子部品であ
る。また、金属端子は、折り返し部を備え、該折り返し
部で折り返された一方片は他方片に対しばね性を有し、
該一方片に凹部が形成されるようにすることが好まし
い。さらに、金属端子の外部電極に当接される面に環状
に配置される突出部を形成し、該突出部の内側を凹部と
して用いてもよい。また、金属端子には凹部に連通する
貫通孔が形成され、該貫通孔を通じて導電性接着剤が付
与されることが好ましい。
【０００６】この発明にかかる積層セラミック電子部品
では、外部電極の端面部の一部分のみを導電性接着剤で
金属端子に接着しているので、導電性接着剤の熱応力が
緩和され、接着部に熱的損傷が生じることが低減され
る。また、凹部を設けてその内側に導電ペーストを付与
しているので、接着面積の制御が容易になり、積層セラ
ミック電子部品素子間の隙間にはんだやフラックスが侵
入して短絡や絶縁劣化が生じることを防止できる。
では、外部電極の端面部の一部分のみを導電性接着剤で
金属端子に接着しているので、導電性接着剤の熱応力が
緩和され、接着部に熱的損傷が生じることが低減され
る。また、凹部を設けてその内側に導電ペーストを付与
しているので、接着面積の制御が容易になり、積層セラ
ミック電子部品素子間の隙間にはんだやフラックスが侵
入して短絡や絶縁劣化が生じることを防止できる。
【０００７】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１はこの発明にかかる実施例の
積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図１に示
す積層セラミック電子部品１０は、３つの積層セラミッ
クコンデンサ素子１２，１２，１２を含む。
積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図１に示
す積層セラミック電子部品１０は、３つの積層セラミッ
クコンデンサ素子１２，１２，１２を含む。
【０００９】積層セラミックコンデンサ素子１２は、た
とえばチタン酸バリウム系の誘電体からなる複数の誘電
体層と、たとえばＮｉなどの電極材料からなる複数の内
部電極とを、交互に積層して形成された積層体１４を含
む。この積層体１４は厚みが２．５ｍｍ、幅長が５．０
ｍｍのものが用いられる。また、積層体１４の各素子１
２の両端部には、Ｃｕ層，Ｎｉ層およびＳｎ層をこの順
に積層してなる外部電極１６ａ，１６ｂが形成される。
外部電極１６ａ，１６ｂは、Ｃｕペーストを厚さ塗布し
焼き付けることによって形成されたＣｕ層、湿式めっき
によって形成されたＮｉ層、およびＳｎ層により形成さ
れる。
とえばチタン酸バリウム系の誘電体からなる複数の誘電
体層と、たとえばＮｉなどの電極材料からなる複数の内
部電極とを、交互に積層して形成された積層体１４を含
む。この積層体１４は厚みが２．５ｍｍ、幅長が５．０
ｍｍのものが用いられる。また、積層体１４の各素子１
２の両端部には、Ｃｕ層，Ｎｉ層およびＳｎ層をこの順
に積層してなる外部電極１６ａ，１６ｂが形成される。
外部電極１６ａ，１６ｂは、Ｃｕペーストを厚さ塗布し
焼き付けることによって形成されたＣｕ層、湿式めっき
によって形成されたＮｉ層、およびＳｎ層により形成さ
れる。
【００１０】３個の積層セラミックコンデンサ素子１
２，１２，１２は、たとえばＦｅ−Ｃｒ製の２つの金属
端子２０ａおよび２０ｂに、リフローはんだ付けされ
る。
２，１２，１２は、たとえばＦｅ−Ｃｒ製の２つの金属
端子２０ａおよび２０ｂに、リフローはんだ付けされ
る。
【００１１】図３に示すように、一方の金属端子２０ａ
は、中間部２２ａを含む。中間部２２ａの上端縁には、
短冊状の折曲部２５ａを介して素子当接部２４ａが連続
的かつ一体的に形成される。素子当接部２４ａは中間部
２２ａに間隔を隔てて対向するように形成される。この
間隔は折曲部２５ａの幅長により決定される。また、中
間部２２ａの下端縁には、板状の基板当接部２６ａが中
間部２２ａとほぼ直角方向にのびて一体的に形成され
る。積層セラミック電子部品１０の実装時には、基板当
接部２６ａが図示しない基板の実装ランド上にはんだ付
けされる。素子当接部２４ａは、折曲部２５ａ、中間部
２２ａおよび基板当接部２６ａに対してばね性を有す
る。さらに、金属端子２０ａの素子当接部２４ａには、
図２および図３に示すように、積層セラミックコンデン
サ素子１２の外部電極１６ａに対応して、たとえば３つ
の略矩形状の凹部３０，３０，３０が形成される。それ
ぞれの凹部３０の面積は外部電極１６ａの外側端面の面
積よりも小さく形成される。それぞれの凹部３０内に
は、導電性接着剤としてのはんだペースト１８がたとえ
ば０．２ｍｇ（０．０４ｍｇ／ｍｍ2 ）ずつ付与され
る。凹部３０，３０，３０間の素子当接部２４ａの面
は、はんだペーストが素子１２，１２，１２間の隙間に
侵入することを防止するため、素子１２，１２，１２間
の隙間に当接するよう形成される。他方の金属端子２０
ｂも同様に形成される。
は、中間部２２ａを含む。中間部２２ａの上端縁には、
短冊状の折曲部２５ａを介して素子当接部２４ａが連続
的かつ一体的に形成される。素子当接部２４ａは中間部
２２ａに間隔を隔てて対向するように形成される。この
間隔は折曲部２５ａの幅長により決定される。また、中
間部２２ａの下端縁には、板状の基板当接部２６ａが中
間部２２ａとほぼ直角方向にのびて一体的に形成され
る。積層セラミック電子部品１０の実装時には、基板当
接部２６ａが図示しない基板の実装ランド上にはんだ付
けされる。素子当接部２４ａは、折曲部２５ａ、中間部
２２ａおよび基板当接部２６ａに対してばね性を有す
る。さらに、金属端子２０ａの素子当接部２４ａには、
図２および図３に示すように、積層セラミックコンデン
サ素子１２の外部電極１６ａに対応して、たとえば３つ
の略矩形状の凹部３０，３０，３０が形成される。それ
ぞれの凹部３０の面積は外部電極１６ａの外側端面の面
積よりも小さく形成される。それぞれの凹部３０内に
は、導電性接着剤としてのはんだペースト１８がたとえ
ば０．２ｍｇ（０．０４ｍｇ／ｍｍ2 ）ずつ付与され
る。凹部３０，３０，３０間の素子当接部２４ａの面
は、はんだペーストが素子１２，１２，１２間の隙間に
侵入することを防止するため、素子１２，１２，１２間
の隙間に当接するよう形成される。他方の金属端子２０
ｂも同様に形成される。
【００１２】３個の積層セラミックコンデンサ素子１
２，１２, １２のそれぞれの外部電極１６ａ，１６ｂ
は、リフローはんだ付けによって、金属端子２０ａ，２
０ｂに接合される。この積層セラミック電子部品１０で
は、凹部３０を設けてその内部にはんだペースト１８を
付与するので、接着面積の制御が容易である。
２，１２, １２のそれぞれの外部電極１６ａ，１６ｂ
は、リフローはんだ付けによって、金属端子２０ａ，２
０ｂに接合される。この積層セラミック電子部品１０で
は、凹部３０を設けてその内部にはんだペースト１８を
付与するので、接着面積の制御が容易である。
【００１３】図４は比較例の積層セラミック電子部品を
示す斜視図である。図４に示す積層セラミック電子部品
１１は、図１に示した積層セラミック電子部品１０と比
べて、金属端子の形状のみが異なるものである。比較例
の積層セラミック電子部品１１の金属端子２１ａ，２１
ｂは、図５および図６に示すように、中間部２２ａ，２
２ｂの上端部に折曲部２５ａ，２５ｂを介して平板状の
素子当接部２４ａ，２４ｂが連続的かつ一体的に形成さ
れる。この素子当接部２４ａ，２４ｂは中間部２２ａ，
２２ｂとの間に間隔をおきながら対向するように形成さ
れる。素子当接部２４ａ，２４ｂは、中間部２２ａ，２
２ｂ、折曲部２５ａ，２５ｂ、および基板当接部２６
ａ，２６ｂに対してばね性を有して形成される。
示す斜視図である。図４に示す積層セラミック電子部品
１１は、図１に示した積層セラミック電子部品１０と比
べて、金属端子の形状のみが異なるものである。比較例
の積層セラミック電子部品１１の金属端子２１ａ，２１
ｂは、図５および図６に示すように、中間部２２ａ，２
２ｂの上端部に折曲部２５ａ，２５ｂを介して平板状の
素子当接部２４ａ，２４ｂが連続的かつ一体的に形成さ
れる。この素子当接部２４ａ，２４ｂは中間部２２ａ，
２２ｂとの間に間隔をおきながら対向するように形成さ
れる。素子当接部２４ａ，２４ｂは、中間部２２ａ，２
２ｂ、折曲部２５ａ，２５ｂ、および基板当接部２６
ａ，２６ｂに対してばね性を有して形成される。
【００１４】そして、金属端子２０ａ，２０ａの素子当
接部２４ａ，２４ｂには、図６に示すように、積層セラ
ミックコンデンサ素子１２の外部電極１６ａ，１６ｂに
対応して、それぞれ３個所に導電性接着剤としてのはん
だペースト１８が、たとえば０．２ｍｇ（０．０４ｍｇ
／ｍｍ2 ）ずつ付与される。この後、積層セラミックコ
ンデンサ素子１２の外部電極１６，１６ｂと金属端子２
１ａ，２１ｂとは、リフローはんだ付けされる。
接部２４ａ，２４ｂには、図６に示すように、積層セラ
ミックコンデンサ素子１２の外部電極１６ａ，１６ｂに
対応して、それぞれ３個所に導電性接着剤としてのはん
だペースト１８が、たとえば０．２ｍｇ（０．０４ｍｇ
／ｍｍ2 ）ずつ付与される。この後、積層セラミックコ
ンデンサ素子１２の外部電極１６，１６ｂと金属端子２
１ａ，２１ｂとは、リフローはんだ付けされる。
【００１５】そして、実施例と比較例の積層セラミック
電子部品をアルミニウム基板に実装し、以下の試験を行
った。 初期短絡不良は、直流電圧５０Ｖを５秒印加して、
絶縁抵抗が１０6 Ω以下のものを不良とした。 熱衝撃サイクル特性は、−５５℃〜１２５℃の熱変
化を１サイクルの熱衝撃として、２５０サイクルの熱衝
撃を印加したときと、５００サイクルの熱衝撃を印加し
たときとにおいて、静電容量の変化（減少）が１０％以
上の不良発生率（不良発生数／全体数）を調べた。 プレッシャークッカー試験は、温度１００℃、圧力
２気圧、試験時間１００時間、の試験後に絶縁抵抗１０
6 Ω以下に低下したものを不良とした。
電子部品をアルミニウム基板に実装し、以下の試験を行
った。 初期短絡不良は、直流電圧５０Ｖを５秒印加して、
絶縁抵抗が１０6 Ω以下のものを不良とした。 熱衝撃サイクル特性は、−５５℃〜１２５℃の熱変
化を１サイクルの熱衝撃として、２５０サイクルの熱衝
撃を印加したときと、５００サイクルの熱衝撃を印加し
たときとにおいて、静電容量の変化（減少）が１０％以
上の不良発生率（不良発生数／全体数）を調べた。 プレッシャークッカー試験は、温度１００℃、圧力
２気圧、試験時間１００時間、の試験後に絶縁抵抗１０
6 Ω以下に低下したものを不良とした。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１に示すように、実施例では積層セラミ
ックコンデンサ素子の外部電極と金属端子との接着面積
を、外部電極の端面面積の４０％に制御することができ
た。それに対し、比較例では接着面積が外部電極の端面
面積の９０％に達し、素子間にはんだペーストが侵入し
たものが生じた。なお、表１において、接着面積は、積
層セラミックコンデンサ素子１２の１個あたりの面積で
ある。そのため、実施例では初期短絡不良が発生しなか
ったのに対し、比較例では発生した。また、プレッシャ
ークッカー試験においても、実施例では絶縁不良が生じ
なかったのに対し、比較例では絶縁不良が発生した。さ
らに、実施例では熱衝撃サイクル試験後の容量落ち不良
が発生しなかったのに対し、比較例では発生した。
ックコンデンサ素子の外部電極と金属端子との接着面積
を、外部電極の端面面積の４０％に制御することができ
た。それに対し、比較例では接着面積が外部電極の端面
面積の９０％に達し、素子間にはんだペーストが侵入し
たものが生じた。なお、表１において、接着面積は、積
層セラミックコンデンサ素子１２の１個あたりの面積で
ある。そのため、実施例では初期短絡不良が発生しなか
ったのに対し、比較例では発生した。また、プレッシャ
ークッカー試験においても、実施例では絶縁不良が生じ
なかったのに対し、比較例では絶縁不良が発生した。さ
らに、実施例では熱衝撃サイクル試験後の容量落ち不良
が発生しなかったのに対し、比較例では発生した。
【００１８】図７は本願発明の積層セラミック電子部品
に用いられる金属端子の変形例を示す斜視図であり、図
８はその断面図である。この金属端子２０ａは、素子当
接部２４ａの主面にたとえば矩形環状に配列された突出
部３２が積層セラミックコンデンサ素子１２の外部端子
１６ａへ向かって突き出し形成される。そして、この突
出部３２で囲まれた内側に導電性接着剤としてのはんだ
ペースト１８が付与される。すなわち、突出部３２で囲
まれた内側がこの変形例の凹部３０となる。突出部３２
は、素子当接部２４ａとは別の部材で形成してもよく、
図１に示した実施例と同様に素子当接部２４ａ自体をプ
レス加工等により変形させて形成してもよい。他方の金
属端子２０ｂも同様に形成される。この変形例の金属端
子２０ａ，２０ｂを用いて形成した積層セラミック電子
部品１０でも図１の実施例と同様の作用効果を得ること
ができる。
に用いられる金属端子の変形例を示す斜視図であり、図
８はその断面図である。この金属端子２０ａは、素子当
接部２４ａの主面にたとえば矩形環状に配列された突出
部３２が積層セラミックコンデンサ素子１２の外部端子
１６ａへ向かって突き出し形成される。そして、この突
出部３２で囲まれた内側に導電性接着剤としてのはんだ
ペースト１８が付与される。すなわち、突出部３２で囲
まれた内側がこの変形例の凹部３０となる。突出部３２
は、素子当接部２４ａとは別の部材で形成してもよく、
図１に示した実施例と同様に素子当接部２４ａ自体をプ
レス加工等により変形させて形成してもよい。他方の金
属端子２０ｂも同様に形成される。この変形例の金属端
子２０ａ，２０ｂを用いて形成した積層セラミック電子
部品１０でも図１の実施例と同様の作用効果を得ること
ができる。
【００１９】図９は本願発明の積層セラミック電子部品
に用いられる金属端子の他の変形例を示す断面図であ
る。この金属端子２０ａ（２０ｂ）は、素子当接部２４
ａ（２４ｂ）と基板当接部２６ａ（２６ｂ）とが一体的
に形成された略Ｌ字形状のものである。素子当接部２４
ａ（２４ｂ）の一方面には、積層セラミックコンデンサ
素子１２の外部電極１６ａ，１６ｂに対応する凹部３０
が形成される。凹部３０の底には、素子当接部２４ａ
（２４ｂ）の他方面に連通する貫通孔２３が形成され
る。この貫通孔２３を通じて凹部３０内に導電性接着剤
としてのはんだペースト１８が注入付与される。この変
形例の金属端子２０ａ，２０ｂを用いて形成した積層セ
ラミック電子部品１０でも図１の実施例と同様の作用効
果を得ることができる。
に用いられる金属端子の他の変形例を示す断面図であ
る。この金属端子２０ａ（２０ｂ）は、素子当接部２４
ａ（２４ｂ）と基板当接部２６ａ（２６ｂ）とが一体的
に形成された略Ｌ字形状のものである。素子当接部２４
ａ（２４ｂ）の一方面には、積層セラミックコンデンサ
素子１２の外部電極１６ａ，１６ｂに対応する凹部３０
が形成される。凹部３０の底には、素子当接部２４ａ
（２４ｂ）の他方面に連通する貫通孔２３が形成され
る。この貫通孔２３を通じて凹部３０内に導電性接着剤
としてのはんだペースト１８が注入付与される。この変
形例の金属端子２０ａ，２０ｂを用いて形成した積層セ
ラミック電子部品１０でも図１の実施例と同様の作用効
果を得ることができる。
【００２０】なお、上述の実施例では３個の積層セラミ
ックコンデンサ素子を金属端子で接合したものについて
説明したが、この発明では、これに限るものではなく、
素子は１個でもよく、２個または４個以上のでもよいの
はもちろんのことである。
ックコンデンサ素子を金属端子で接合したものについて
説明したが、この発明では、これに限るものではなく、
素子は１個でもよく、２個または４個以上のでもよいの
はもちろんのことである。
【００２１】また、上述の各実施例では外部電極がＣｕ
層、Ｎｉ層およびＳｎ層の３層構造に形成されている
が、外部電極ははんだがつくなら他の材質、構造であっ
てもよい。
層、Ｎｉ層およびＳｎ層の３層構造に形成されている
が、外部電極ははんだがつくなら他の材質、構造であっ
てもよい。
【００２２】また、金属端子の材質は、Ｆｅ−Ｃｒ，黄
銅に限らず、Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｚ
ｒあるいはこれらの合金やクラッド材などで構成しても
よい。
銅に限らず、Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｚ
ｒあるいはこれらの合金やクラッド材などで構成しても
よい。
【００２３】さらに、この発明は、積層セラミックコン
デンサに限らず、インダクタやバリスタ、多層部品等、
その他の積層型セラミック電子部品に適用してもよい。
デンサに限らず、インダクタやバリスタ、多層部品等、
その他の積層型セラミック電子部品に適用してもよい。
【００２４】
【発明の効果】この発明によれば、外部電極の端面部の
一部分のみを導電性接着剤で金属端子に接着しているの
で、導電性接着剤の熱応力が緩和され、接着部に熱的損
傷が生じることが低減される。また、凹部を設けてその
内側に導電ペーストを付与しているので、接着面積の制
御が容易になり、積層セラミックコンデンサ素子間の隙
間にはんだやフラックスが侵入して短絡や絶縁劣化が生
じることを防止できる。
一部分のみを導電性接着剤で金属端子に接着しているの
で、導電性接着剤の熱応力が緩和され、接着部に熱的損
傷が生じることが低減される。また、凹部を設けてその
内側に導電ペーストを付与しているので、接着面積の制
御が容易になり、積層セラミックコンデンサ素子間の隙
間にはんだやフラックスが侵入して短絡や絶縁劣化が生
じることを防止できる。
【図１】この発明にかかる第１実施例の積層セラミック
電子部品を示す斜視図である。
電子部品を示す斜視図である。
【図２】図１に示す積層セラミック電子部品の金属端子
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図３】図２に示す線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図解
図である。
図である。
【図４】比較例の積層セラミック電子部品を示す斜視図
である。
である。
【図５】図４に示す積層セラミック電子部品の金属端子
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図６】図５に示す線ＶＩ−ＶＩにおける断面図解図で
ある。
ある。
【図７】この発明にかかる積層セラミック電子部品の金
属端子の変形例を示す正面図である。
属端子の変形例を示す正面図である。
【図８】図７に示す線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける断面
図解図である。
図解図である。
【図９】本願発明の積層セラミック電子部品に用いられ
る金属端子の他の変形例を示す断面図である。
る金属端子の他の変形例を示す断面図である。
１０ 積層セラミック電子部品 １２ 積層セラミックコンデンサ素子 １４ 積層体 １６ａ，１６ｂ 外部電極 １８ はんだペースト ２０ａ、２０ｂ 金属端子 ２２ａ、２２ｂ 中間部 ２４ａ、２４ｂ 素子当接部 ２５ａ、２５ｂ 折曲部 ２６ａ、２６ｂ 基板当接部 ３０ 凹部 ３２ リブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高木 義一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 米田 康信 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AF04 AH04 AJ03 5E082 AB03 BC32 BC33 CC05 FG26 GG08 GG23 JJ07 JJ26 JJ27
Claims (4)
- 【請求項１】 両端に外部電極が形成される積層セラミ
ック電子部品素子、および前記外部電極に接続される金
属端子を含み、 前記金属端子には前記外部電極に当接される面に凹部が
形成され、該凹部に、前記外部電極と前記金属端子とを
接着するための導電性接着剤が付与されて、 該導電性接着剤で前記外部電極の一部分のみを前記金属
端子に接着したことを特徴とする、積層セラミック電子
部品。 - 【請求項２】 前記金属端子は、折り返し部を備え、該
折り返し部で折り返された一方片は他方片に対しばね性
を有し、該一方片に前記凹部が形成される、請求項１に
記載の積層セラミック電子部品。 - 【請求項３】 前記金属端子の前記外部電極に当接され
る面に環状に配置される突出部を形成し、該突出部の内
側を前記凹部とした、請求項１または請求項２に記載の
積層セラミック電子部品。 - 【請求項４】 前記金属端子には前記凹部に連通する貫
通孔が形成され、該貫通孔を通じて導電性接着剤が付与
される、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の積
層セラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000244744A JP2002057064A (ja) | 2000-08-11 | 2000-08-11 | 積層セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000244744A JP2002057064A (ja) | 2000-08-11 | 2000-08-11 | 積層セラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002057064A true JP2002057064A (ja) | 2002-02-22 |
Family
ID=18735386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000244744A Pending JP2002057064A (ja) | 2000-08-11 | 2000-08-11 | 積層セラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002057064A (ja) |
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- 2000-08-11 JP JP2000244744A patent/JP2002057064A/ja active Pending
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| JP7351177B2 (ja) | 2019-10-28 | 2023-09-27 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
| JP7428962B2 (ja) | 2019-10-28 | 2024-02-07 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
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| JP7363691B2 (ja) | 2020-07-16 | 2023-10-18 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040607 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040622 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040820 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041005 |