JP2016535445A - 改良されたリード設計を有するセラミックコンデンサー - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、引用することにより本明細書の一部をなす、2013年10月29日に出願された係属中の米国仮特許出願第61/896,818号に対する優先権を主張する。
Δαは接合された材料間の膨張係数の差であり、
ΔTは温度変化であり、
aは接合された材料の膨張中立点からの距離であり、
hは結合材料の厚さである。
hは結合材料の厚さであり、
βは0から1まで、より好ましくは0.0001から1までで変化させることが可能である重要設計ファクターであり、
Δαはセラミックコンデンサーとリードフレームとの間の膨張率の差であり、
ΔTは動作温度範囲である。
幅1.8mm(0.071インチ)で穿孔又は突起なしのフラットリードを備える比較例が用意され、このフラットリードは、リードMLCCインターフェースごとに、10mgのはんだペーストを用いて4つのMLCCのスタックの各MLCCの長さに沿って接続された。
エッジ切欠きを有するリードが製造され、リードMLCCインターフェースごとに、10mgのはんだペーストを用いて各MLCCの長さに沿って接続された。リード幅は1.8mm(0.071インチ)であり、エッジあたり5つのエッジ切欠きを備え、その切欠きは0.71mm(0.028インチ)の半径を有する半円であり、約2.2mm(0.085インチ)だけ分離され、5つの穿孔の群はMLCC端子上の略中心に置いた。エッジ切欠き32は図2において概略的に示されている。
突起を有するクリンプされたリードが製造され、リードMLCCインターフェースごとに、26mgのはんだペーストを用いて各MLCCの長さに沿って接続された。リード幅は1.80mm(0.071インチ)であり、リードあたり4つのクリンプを備え、クリンプは各々が約0.38mm(0.015インチ)の幅を有し、そのリードはコンデンサー端子に接続され、クリンプの2つの対がリードの長さに対して垂直に向けられて配列された。各対内のクリンプは互いに1.8mm(0.071インチ)だけ分離され、クリンプの各対の中心は互いに約10.2mm(0.40インチ)だけ分離された。クリンプはリードのエッジ間に延在した。各クリンプの高さは約0.15mm(0.006インチ)であった。クリンプの対はMLCC電極端子の略中心に配置された。デバイスは図16において示されている。
エッジ切欠き及び穿孔を有するリードが製造され、リードMLCCインターフェースごとに、10mgのはんだペーストを用いて各MLCCの長さに沿って接続された。リード幅は1.8mm(0.071インチ)であり、リードあたり6つの穿孔を備え、穿孔は各々が1.0mm(0.040インチ)の直径を有し、その穿孔は互いに2.2mm(0.085インチ)だけ分離され、6つの穿孔の群はMLCC端子上の略中心に置かれた。エッジあたり5つのエッジ切欠きがあり、それらのエッジ切欠きは0.71mm(0.028インチ)の半径を有する半円であり、互いに約2.2mm(0.085インチ)だけ分離され、穿孔間の略中心に配置された。スタックは図2において概略的に示されている。
実施例5〜10は、10Sn/88Pb/2Agの構成を有する高融点Pbベースはんだを用いてMLCCの各端子へ結合されたリードフレームから構成された。MLCCはニッケル電極を有する高温C0G誘電体を用いて従来の方法によって作製された。リードフレームは、穿孔なしで、幅を3.3mm(0.13インチ)から8.4mm(0.33インチ)まで変化させられて、ニッケル及び銀をオーバーめっきしたリン青銅ベースの金属から構成された。MLCCは終端間の長さ10.2mm(0.45インチ)と、長さに対して垂直な幅15.2mm(0.40インチ)とを有する4540のケースサイズを有した。はんだの厚さは、7から176までの範囲のa/h比を与えるリード及び接合部設計を作成されるように0.022mm(0.00088インチ)から0.24mm(0.0094インチ)まで変化させた。実施例5〜10の試料は、−40℃から+240℃までで、温度極値間の温度傾斜率が25℃/分より大きく、各々の温度極値において15分の温度浸漬の温度サイクルにかけられた。300回の温度サイクルの前及び後に試料の剪断強度試験が200℃において実施されて、温度サイクル後に維持しているはんだ接合部強度の量が求められた。リード幅及びはんだ接合部厚の各組合せの最少4つの試料が試験された。
4つのMLCCを備える実施例11及び12のストラップリード設計を用意して、リードごとに1つのMLCCを備える実施例1〜10に対して得られた結果が4つのMLCCを備える従来のスタックにおいて確認されるかを判定した。説明したように、MLCCは4060のケースサイズを有し、高融点Pbベースはんだを用いてニッケル及び銀でめっきされたリン青銅リードフレームに結合された。リードが温度とともに延伸及び収縮するとき、コンデンサーが、本明細書において、リードフレーム及びコンデンサーが基板に対して平行であると定義されるY方向に動くことが可能であるように、コンデンサーは、約0.25mm(0.01インチ)の分離隔たりで分離された。図15に示すように、2つのリードフレームは、各々が5.8mm(0.23インチ)の幅を有しており、MLCCの端子に結合された。例11のはんだ接合部厚は0.015mm(0.0006インチ)であり、結果としてa/h比は約108であった。また、例12のはんだ接合部厚は0.14mm(0.0057インチ)であり、結果としてa/h比は約20であった。実施例11及び12の試料が−40℃から+240℃まで、温度極値間の温度傾斜率が25℃/分より大きく、各々の温度極値において15分の温度浸漬の温度サイクルにかけられた。900回の温度サイクル後の試料の剥離試験が室温にて行われて、温度サイクル後に維持されているはんだ接合部強度の量が求められた。各例の最少4つのリードが剥離試験にかけられた。温度サイクルの前及び後の剥離試験の結果は約20のa/h比を有する実施例12に関して、900回の温度サイクル後に維持しているはんだ接合部の剥離強度は約108のa/h比を有する従来の接合部設計の剥離強度の2倍より高かったことを示しており、このことは実施例1〜10に関する結果と一致する。
突起の利点を実証するために2つのコンデンサーのスタックが様々な結合接合部厚にて製造された。様々な高さの突起を用いることによって結合接合部厚を変化させた。記録される結合接合部厚は突起の面積で測定された。したがって、製造されたセラミックコンポーネントの各々はFR4基板へ結合され、−55℃から+125℃までで、温度極値間の温度傾斜率が45℃/分より大きく、各々の温度極値において15分の温度浸漬の温度サイクルに500回にかけられた。用いられたセラミックコンデンサーは寸法5.56mm×5.08mm×1.91mm(0.22インチ×0.2インチ×0.075インチ)であり、主にBaTiO3セラミックからなり、通常の定格500V用途の設計のものが用いられた。外部端子はCu層の表面上にNiめっき層及びSn/Pbめっき層を有するフリットCu層から形成された。リードフレームは表面上にNiめっき層及びSn/Pbめっき層を有するリン青銅合金から形成された。リードフレーム厚は0.0192mm(0.0043インチ)であり、幅は5.08mm(0.2インチ)であった。2つのコンデンサー端子間の隔たりは本質的にゼロであった。金属リードフレームをセラミック端子へ結合するのに用いられた結合材料は92.5Pb/5Sn/2.5Ag等の高温Pb含有はんだ合金であった。温度サイクル試験に用いられる回路基板はこのセラミックコンポーネントの寸法のための公認の設計原理と一致するコンポーネント実装パッドを有する厚さ約1.57mm(0.062インチ)のFR4ガラスエポキシであった。温度サイクルの間、本コンポーネントへのバイアス電圧は印加されなかった。500回の温度サイクル終了時点において、本コンポーネントは、相対湿度が85%で、85℃で動作する湿度チャンバー内においてバイアス電圧有りで高湿度にさらされた。200Vのバイアス電圧が連続的に印加され、本コンポーネントは湿度チャンバー内に1000時間とどめられた。湿度処置の後、本コンポーネントは最短で5秒間、500Vにさらされた。その後室温で、200Vにおける絶縁抵抗値が測定され、破損の数(F)が求められた。コンポーネントは200Vを120秒間印加した後のその絶縁抵抗値が初期の試験前の値の80%未満であった場合、その試験で故障したと考えられる。破損を解析して低絶縁抵抗状態が内部のクラックの結果であるか否かを判断した。
本セラミックコンポーネントは実施例13に記載したように製造された。本コンポーネントは実施例13に記載したのと同様の温度サイクルにかけられたが、FR4基板ではなく、FR4回路素子に結合したアルミニウム基板が用いられたという点で異なる。アルミニウム基板は略1.57mm(0.062インチ)厚であり、FR4基板は略0.76mm(0.003インチ)であった。実装パッドは例13において用いられたものと同じ設計のものであった。
Claims (59)
- 誘電体によって分離される交互の極性の内部電極を備える、少なくとも1つの容量性素子と、
外部終端であって、第1の極性の内部電極と電気的に接触している、該外部終端のうちの第1の外部終端、及び、第2の極性の内部電極と電気的に接触している、該外部終端のうちの第2の外部終端を有する、外部終端と、
前記第1の外部終端と電気的に接触している第1の外部リードフレームであって、該第1の外部終端との間に導電性結合部を有し、該第1の外部リードフレームは、穿孔、突起及びエッジ切欠きからなる群から選択される少なくとも1つの特徴部を備える、第1の外部リードフレームと、
を備える、電子コンポーネント。 - 2個以上50個以下の容量性素子を備える、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 前記第1の外部リードフレームは、前記穿孔、前記突起及び前記エッジ切欠きからなる群から選択される2つの特徴部を備える、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 前記2つの特徴部は、前記穿孔及び前記エッジ切欠きである、請求項3に記載の電子コンポーネント。
- 前記第1の外部リードフレームの幅WL及び前記第1の外部リードフレームが備える穿孔の個数nは、
WLが3.175mm以下の場合、nが1以上であり、
WLが3.175mmより大きく6.35mm以下の場合、nが2以上であり、
WLが6.35mmより大きい場合、WLをインチで定義するとnは2<n≦WL/0.07の式で定義される、請求項1に記載の電子コンポーネント。 - 前記第1の外部リードフレームは幅WLを有し、前記穿孔の最大の長さDOはWL/5<DO<WL/2.5の式によって定義される、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 少なくとも1つの前記穿孔は、容量性素子間の隔たり部にオーバーラップしている、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 前記突起は、前記第1の外部リードフレームの幅に延在しているリブと、該第1の外部リードフレームの幅に延在していない物体とから選択される、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 前記リブは、前記第1の外部終端の長さに延在している、請求項8に記載の電子コンポーネント。
- 隣接するリブは接着剤チャネルを形成している、請求項8に記載の電子コンポーネント。
- 隣接するリブは空きチャネルを形成している、請求項8に記載の電子コンポーネント。
- 前記突起は、前記第1の外部リードフレームから型押しされるか、又は前記第1の外部リードフレームに取り付けられる、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 前記突起は前記外部終端に隣接している、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 前記第1の外部リードフレームの幅WL及び前記第1の外部リードフレームが備える突起の個数は、
WLが3.175mm以下の場合、前記突起は1つ以上であり、
WLが3.175mmより大きい場合、前記穿孔は2つ以上である、
請求項1に記載の電子コンポーネント。 - 前記突起はTL<D<5TLの式によって定義される直径Dを有し、ここで、TLは前記リードフレームの厚さである、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 前記突起は、0.15WC<PW<0.45WCの式によって定義されるX軸における位置にあり、ここで、PWは前記リードフレームの中心からの距離であり、WCはコンデンサーの幅であり、Z軸における前記位置は0.4TC〜0.6TCであり、ここで、TCはコンデンサー厚である、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 前記結合部は厚さhを有し、この厚さhは、
aは前記リードフレーム内の隣接する穿孔間の前記リードフレームの最も長い連続長であって、該最も長い連続長の中立膨張点から取られた、最も長い連続長であり、
YLDMAXTは、前記動作温度範囲内で測定するときの結合材料の降伏点における該結合材料の対応するひずみであり、
βは0から1までで定義される、重要設計ファクターであり、
Δαは前記容量性素子と前記リードフレームとの間の熱膨張率の差であり、
ΔTは前記動作温度範囲である、
請求項1に記載の電子コンポーネント。 - 前記βは0.002<β<1であるとして定義される、請求項17に記載の電子コンポーネント。
- 前記βは0.01<β<0.05であるとして定義される、請求項18に記載の電子コンポーネント。
- 前記a/hは2<a/h<100であるとして定義される、請求項17に記載の電子コンポーネント。
- 前記a/hはβは5<a/h<30であるとして定義される、請求項17に記載の電子コンポーネント。
- 前記a及び前記hは関係式0.01a<h<0.5aによって関係付けられる、請求項17に記載の電子コンポーネント。
- 前記a及び前記hは関係式0.033a<h<0.2aによって関係付けられる、請求項22に記載の電子コンポーネント。
- 前記第1の外部終端は、足と、ピンと、クリンプとからなる群から選択される実装コンポーネントを含む、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 前記第1の外部リードフレームは、Cu、Ni、Ag、Pd、Fe、Al及びAu並びにそれらの合金からなる群から選択される少なくとも1つの金属を含む、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 前記第1の外部リードフレームは非鉄である、請求項25に記載の電子コンポーネント。
- 前記第1の外部リードフレームは、13ppm/℃以上30ppm/℃以下である熱膨張率を有する、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- 前記容量性素子は約2.54mmよりも大きい主要寸法を有する、請求項1に記載の電子コンポーネント。
- コンポーネントを備え、当該コンポーネントは、
基板と、
前記基板上に実装される少なくとも1つの容量性素子であって、誘電体によって分離される交互の極性の内部電極を備える、少なくとも1つの容量性素子と、
外部終端であって、第1の極性の内部電極と電気的に接触している、該外部終端のうちの第1の外部終端と、第2の極性の内部電極と電気的に接触している、該外部終端のうちの第2の外部終端とを有する、外部終端と、
前記第1の外部終端と電気的に接触している第1の外部リードフレームであって、該第1の外部終端との間に導電性結合部を有し、該第1の外部リードフレームは、穿孔、突起及びエッジ切欠きからなる群から選択される少なくとも1つの特徴部を備える、第1の外部リードフレームと、
を備える、電子デバイス。 - 前記電子コンポーネントは、2個以上50個以下の容量性素子を備える、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記第1の外部リードフレームは、前記穿孔と、前記突起と、前記エッジ切欠きとからなる群から選択される2つの特徴部を備える、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記2つの特徴部は、前記穿孔と、前記エッジ切欠きとである、請求項31に記載の電子デバイス。
- 前記第1の外部リードフレームは、
前記第1の外部リードフレームの幅WL及び前記第1の外部リードフレームが備える穿孔の個数nは、
WLが3.175mm以下の場合、nが1以上であり、
WLが3.175mmより大きく6.35mm以下の場合、nが2以上であり、
WLが6.35mmより大きい場合、WLをインチで定義するとnは2<n≦WL/0.07の式で定義される、請求項29に記載の電子デバイス。 - 少なくとも1つの前記穿孔は、容量性素子間の隔たり部にオーバーラップしている、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記第1の外部リードフレームは幅WLを有し、前記穿孔の最大の長さDOはWL/5<DO<WL/2.5の式によって定義される、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記突起は、前記外部リードフレームの幅に延在しているリブと、該外部リードフレームの幅に延在していない物体とから選択される、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記リブは、前記第1の外部終端の長さに延在している、請求項36に記載の電子デバイス。
- 隣接するリブは接着剤チャネルを形成している、請求項36に記載の電子デバイス。
- 隣接するリブは空きチャネルを形成している、請求項36に記載の電子デバイス。
- 前記突起は、前記第1の外部リードフレームから型押しされるか、又は前記第1の外部リードフレームに取り付けられる、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記突起は前記外部終端に隣接している、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記第1の外部リードフレームの幅WL及び前記第1の外部リードフレームが備える突起の個数は、
WLが3.175mm以下の場合、前記突起は1つ以上であり、
WLが3.175mmより大きい場合、前記穿孔は2つ以上である、
請求項29に記載の電子デバイス。 - 前記突起はTL<D<5TLの式によって定義される直径Dを有し、ここで、TLは前記第1のリードフレームの厚さである、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記突起は0.15WC<PW<0.45WCの式によって定義されるX軸における位置にあり、ここで、PWは前記リードフレームの中心からの距離であり、WCは前記コンデンサーの幅であり、Z軸において0.4TC〜0.6TCであり、ここで、TCはコンデンサー厚である、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記結合部は厚さhを有し、この厚さhは、
aは前記リードフレーム内の隣接する穿孔間の前記リードフレームの最も長い連続長であって、該最も長い連続長の中立膨張点から取られた、最も長い連続長であり、
YLDMAXTは、前記動作温度範囲内で測定するときの結合材料の降伏点における該結合材料の対応するひずみであり、
βは0から1までで定義される、重要設計ファクターであり、
Δαは前記容量性素子と前記リードフレームとの間の熱膨張率の差であり、
ΔTは前記動作温度範囲である、
請求項29に記載の電子デバイス。 - 前記βは0.002<β<1であるとして定義される、請求項45に記載の電子デバイス。
- 前記βは0.01<β<0.05であるとして定義される、請求項46に記載の電子デバイス。
- 前記a/hは2<a/h<100であるとして定義される、請求項45に記載の電子デバイス。
- 前記a/hはβは5<a/h<30であるとして定義される、請求項45に記載の電子デバイス。
- 前記a及び前記hは関係式0.01a<h<0.5aによって関係付けられる、請求項45に記載の電子デバイス。
- 前記a及び前記hは関係式0.033a<h<0.2aによって関係付けられる、請求項50に記載の電子デバイス。
- 前記第1の外部終端は、足と、ピンと、クリンプとからなる群から選択される実装デバイスを含む、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記第1の外部リードフレームは、Cu、Ni、Ag、Pd、Fe、Al及びAu並びにそれらの合金からなる群から選択される少なくとも1つの金属を含む、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記第1の外部リードフレームは非鉄である、請求項53に記載の電子デバイス。
- 前記第1の外部リードフレームは、13ppm/℃以上30ppm/℃以下である熱膨張率を有する、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記基板は、ガラスエポキシ基板と、フレキシブル基板と、金属張り基板とからなる群から選択される、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記基板は、13ppm/℃から30ppm/℃の熱膨張率を有する、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記内部電極は、前記基板に対して平行又は垂直である、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記容量性素子は約2.54mmよりも大きい主要寸法を有する、請求項29に記載の電子デバイス。
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