JP6776582B2 - 電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、たとえば金属端子からなる外部端子が接続してある電子部品に関する。

セラミックコンデンサ等のセラミック素体を持つ電子部品としては、単体で直接に基板等に面実装する通常のチップ部品の他に、チップ部品に金属端子などの外部端子が取り付けられたものが提案されている。外部端子が取り付けられている電子部品は、実装後において、チップ部品が基板から受ける変形応力を緩和したり、チップ部品を衝撃等から保護する効果を有することが報告されており、耐久性および信頼性等が要求される分野において使用されている。

外部端子を用いた電子部品では、外部端子の一端がチップ部品の端子電極に接続され、他端が回路基板などの実装面にハンダなどで接続される。たとえば特許文献１に示すように、外部端子には、複数のチップ部品が取り付けられることがある。

しかしながら、従来の構造では、複数のチップ部品の端子電極と外部端子との間のハンダ厚みを一定にすることが困難であり、接合不良が発生しやすいと共に、耐熱衝撃特性が悪いという課題を有している。

特開２００１−１９６２６０号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、接合不良が発生しにくく耐熱衝撃特性に優れた電子部品を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明に係る電子部品は、
セラミック素体の端面に端子電極が形成された複数のチップ部品と、
複数の前記チップ部品を第１方向に隣接して支持するように、前記端子電極に電気的に接続される外部端子とを有する電子部品であって、
前記外部端子が、
前記端子電極に向き合うように配置される端子電極接続部と、
実装面に接続可能な実装接続部と、を有し、
前記端子電極接続部には、前記端子電極に向けて突出する複数の凸部が形成してあり、複数のチップ部品のそれぞれの端子電極に対して、それぞれ、複数の凸部のうちの少なくとも１つの凸部が接続してある。

本発明に係る電子部品では、複数のチップ部品のそれぞれの端子電極に対して、それぞれ、複数の凸部のうちの少なくとも１つの凸部が接続してある。凸部と凸部との間では、複数のチップ部品の端子電極と外部端子との間の隙間は一定な幅となり、その隙間にハンダが入り込むことで、端子電極と外部端子との間のハンダ厚みを一定にすることが容易になる。また、ハンダ厚みを一定にすることができるため、接合不良が発生しにくく耐熱衝撃特性が向上する。

好ましくは、外部端子の端子電極接続部は、少なくとも２つの金属の積層構造を有する。たとえば二層または三層の積層構造を有するクラッド材で端子電極接続部を構成しても良い。このように構成することで、ハンダ接続部における応力を低減しつつ、等価直列抵抗（ＥＳＲ）を改善することができる。なお、本発明において、金属とは、合金も含む概念で用いられる。

好ましくは、凸部の配置ピッチ間隔は、２ｍｍ以下である。ピッチ間隔を狭くすることで、より接合不良が発生しにくく耐熱衝撃特性が向上する。また、ハンダの濡れ広がりも防止することができる。

好ましくは、端子電極は、錫を含む被膜を有し、第１方向に隣接して接触する端子電極の側面相互は、錫と錫とで接合してある。凸部がハンダの濡れ広がりを抑制する機能を有することから、第１方向に隣接して配置される端子電極の側面相互には、ハンダが回り込まなくなる。

しかしながら、ハンダ接合による熱のため、端子電極の側面相互は、錫と錫とが溶融接合し、端子電極の側面相互は一体的に接合される。また、その第１方向に隣接して接触する端子電極の相互間には、ハンダが回り込まなくなるため、ハンダの回り込みによるクラックを防止することができる。

図１は本発明の一実施形態に係る電子部品の斜視図である。 図２（Ａ）は図１に示す電子部品の要部側面図、図２（Ｂ）は本発明の他の実施形態に係る電子部品の要部側面図、図２（Ｃ）は本発明のさらに他の実施形態に係る電子部品の要部側面図である。 図３は図１に示す電子部品に用いられる外部端子の内側正面図である。 図４は図３に示すIV−IV線に沿う要部断面図である。 図５（Ａ）は本発明の他の実施形態に係る電子部品に用いられる外部端子の要部断面図、図５（Ｂ）は本発明のさらに他の実施形態に係る電子部品に用いられる外部端子の要部断面図である。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品１０を示す概略斜視図である。電子部品１０は、Ｚ軸方向（第１方向）に隣接する２つ以上のチップコンデンサ（チップ部品）２０と、各チップコンデンサ２０のＸ軸方向の両端面にそれぞれ取り付けられた一対の金属端子（外部端子）３０とを有する。

なお、各実施形態の説明では、２つのチップコンデンサ２０に一対の金属端子３０が取り付けられた電子部品を例に説明を行うが、本発明のセラミック電子部品としてはこれに限らず、コンデンサ以外のチップ部品に金属端子３０が取り付けられたものであっても良い。

チップコンデンサ２０は、コンデンサ素体２６と、コンデンサ素体２６のＸ軸方向の両端面にそれぞれ形成してある一対の端子電極２２とを有する。コンデンサ素体２６は、Ｘ軸方向の端面に対して略垂直な４つの側面を有する。

なお、各図面において、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に垂直であり、図２に示す実装面６０に対して垂直方向をＺ軸とし、Ｘ軸は、素体２６の端面に垂直な方向であり、Ｙ軸は、金属端子３０の幅方向である。

コンデンサ素体２６は、内部にセラミック層としての誘電体層と内部電極層とを有し、これらの誘電体層と内部電極層とが交互に積層してある。隣接する一方の内部電極層は、Ｘ軸方向に対向する一方の端子電極に接続してあり、他方の内部電極層は、他方の端子電極に接続してある。なお、Ｚ軸方向に沿って誘電体層と内部電極層とが交互に積層してあっても良く、Ｙ軸方向に沿って誘電体層と内部電極層とが交互に積層してあっても良い。積層方向は特に限定されない。

誘電体層の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムまたはこれらの混合物などの誘電体材料で構成される。各誘電体層の厚みは、特に限定されないが、数μｍ〜数百μｍのものが一般的である。

内部電極層に含有される導電体材料は特に限定されないが、誘電体層の構成材料が耐還元性を有する場合には、比較的安価な卑金属を用いることができる。卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層の厚みは用途等に応じて適宜決定すればよい。

端子電極２２の材質も特に限定されず、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極２２の厚みも特に限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。なお、端子電極２２の表面には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ等から選ばれる少なくとも１種の金属被膜が形成されていても良い。特に、Ｃｕ焼付層/Ｎｉめっき層/Ｓｎめっき層の多層構造とするのが好ましい。

また、本実施形態では、端子電極２２は、少なくとも樹脂電極層を有する多層電極膜で構成してあってもよい。樹脂電極層を有する端子電極２２としては、たとえば素体２６に接触する側から焼付層／樹脂電極層／Ｎｉめっき層／Ｓｎめっき層からなることが好ましい。

また、端子電極２２は、図２に示すように、素体２６のＸ軸方向の両端面にそれぞれ位置して端面を覆う端面電極部２２ａと、素体２６の端面から当該端面近くの複数の側面を所定被覆幅で被覆するように端面電極部２２ａと一体に形成される側面電極部２２ｂとを有する。本実施形態では、側面電極部２２ｂは、実質的に形成されていなくとも良く、端子電極２２は、端面電極部２２ａのみで実質的に構成してあっても良い。

図１および図２に示すように、各金属端子３０は、素体２６のＸ軸方向の端面に形成してある端子電極２２の端面電極部２２ａと向き合うように配置される端子電極接続部３２と、実装面に接続可能な実装接続部３４と、を有する。図２（Ａ）に示すように、実装面６０から最も近い素体２６の底側面を実装面６０から所定距離で離すように端子電極接続部３２と実装接続部３４とは、これらと一体に成形してある連結部３６により連結してある。

連結部３６は、実装接続部３４が底側面に所定距離で向き合うように、端子電極接続部３２から底側面方向（内側）に折り曲げられた曲折形状を有する。

図１および図２（Ａ）に示すように、金属端子３０の端子電極接続部３２は、複数のチップコンデンサ２０をＺ軸方向に隣接して支持するように、複数の端子電極２２にハンダ５０により接続してある。図２Ａおよび図３に示すように、本実施形態では、金属端子３０の端子電極接続部３２には、端子電極２２に向けて突出する複数の凸部３８が形成してある。複数のチップコンデンサ２０のそれぞれの端子電極２２に対して、それぞれ、複数の凸部３８のうちの少なくとも１つの凸部３８が接続してある。

凸部３８は、端子電極接続部３２を構成する金属板に、パンチング加工などの機械的加工を行うことで容易に形成することができる。図４に示す端子電極接続部３２の内面からの凸部３８の突出高さＨ１は、図２(Ａ）に示すハンダ５０の厚みに対応し、好ましくは２０〜１２０μｍである。凸部３８の高さＨ１は、複数の凸部３８で、実質的に同一であることが好ましい。

図３に示すように、凸部３８のＹ軸方向の配置ピッチ間隔Ｐｙは、好ましくは２ｍｍ以下である。また同様に、凸部３８のＺ軸方向の配置ピッチ間隔Ｐｚは、好ましくは２ｍｍ以下である。凸部３８の配置ピッチ間隔Ｐｙと配置ピッチ間隔Ｐｚとは、それぞれ隣接する凸部３８の中心間の距離であり、同じでも異なっていても良い。これらの配置ピッチ間隔ＰｙおよびＰｚの最小値は、凸部３８の外径Φｄにもよるが、相互に隣接する凸部３８の相互が完全には連続しないように決定されることが好ましい。

凸部３８は半球状であることが好ましく、その場合に、凸部３８の外径Φｄは、好ましくは０．２〜０．８ｍｍである。ただし、凸部３８の形状は、半球形状に限定されず、円弧面形状、半楕円球形状、先端に丸みが形成してある円錐形状、先端に丸みが形成してある角錐形状、台形形状などであっても良い。凸部３８が半球以外の形状の場合には、凸部３８のサイズは、凸部３８をＸ軸方向から見て、凸部３８の形状の内接円が、前記の外径Φｄに対応する寸法範囲であれば良い。

チップコンデンサ２０の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。チップコンデンサ２０が直方体形状の場合は、通常、縦（１．６〜７．５ｍｍ）×横（０．８〜６．３ｍｍ）×厚み（０．５〜３．５ｍｍ）程度である。

電子部品１０の製造方法
以下に、電子部品１０の製造方法について説明する。まず、チップコンデンサ２０を製造する。焼成後に誘電体層となるグリーンシートを形成するために、グリーンシート用塗料を準備する。グリーンシート用塗料は、本実施形態では、誘電体材料の原料と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。

誘電体材料の原料としては、焼成後にチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムとなる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。

次に、上述のグリーンシート用塗料を用いて、キャリアシート上に、グリーンシートを形成する。次に、グリーンシートの一方の表面に、焼成後に内部電極層となる電極パターンを形成する。電極パターンの形成方法としては、特に限定されないが、印刷法、転写法、薄膜法などが例示される。グリーンシートの上に電極パターンを形成した後、乾燥することにより、電極パターンが形成されたグリーンシートを得る。

内部電極層用塗料を製造する際に用いる導電体材料としては、ＮｉやＮｉ合金、さらにはこれらの混合物を用いることが好ましい。このような導電体材料は、球状、リン片状等、その形状に特に制限はなく、また、これらの形状のものが混合したものであってもよい。

次に、内部電極パターンが形成されたグリーンシートを、キャリアシートから剥離しつつ所望の積層数まで積層し、グリーン積層体を得る。なお、積層の最初と最後には、内部電極パターンが形成されていない外層用グリーンシートを、積層する。

その後、このグリーン積層体を最終加圧し、必要に応じて研磨処理を行い、脱バインダ処理を行う。続いて、グリーンチップの焼成を実施する。焼成条件は特に限定されない。焼成後に、必要に応じてアニール処理、研磨等を施すことにより、図１に示すコンデンサ素体２６を得る。

その後、コンデンサ素体２６に端子電極２２を形成する。端子電極２２は、たとえば端子電極用塗料を焼きつけて下地電極を形成した後、下地電極の表面にめっきによる金属被膜を形成することにより、作製する。なお、端子電極用塗料は、上記した内部電極層用塗料と同様にして調製することができる。

また、樹脂電極層を有する端子電極２２を形成する場合には、たとえば素体２６の端面に焼付層から成る下地電極を形成した後、樹脂電極ペースト膜を塗布して樹脂電極層を形成する。その後に、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を形成すれば良い。

金属端子３０の製造では、まず、平板状の金属板材を準備する。金属板材としては、導電性があれば特に限定されないが、好ましくは銅板、銅合金板、ニッケル合金板、アルミニウム、アルミニウム合金、亜鉛、亜鉛合金などが用いられる。

次に、金属板材を機械加工することにより、図１および図３に示す金属端子３０を得る。具体的な加工方法は特に限定されないが、たとえばプレス加工が好ましく用いられる。プレス加工時に、凸部３８を同時に形成することもできる。金属端子３０の表面には、めっきによる金属被膜を形成してもよい。

めっきに用いる材料としては、特に限定されないが、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ等が挙げられる。めっきによる金属被膜の厚みは、第１金属３０ａの厚みの１／３以下であることが好ましい。

上述のようにして得られた複数のチップコンデンサ２０をＺ軸方向に隣接して配置し、これらのＸ軸方向の両端面に形成してある端子電極２２の端面電極部２２ａに、金属端子３０の端子電極接続部３２を接続する。図２（Ａ）に示すように、本実施形態では、これらをハンダ５０により接続する。ハンダ５０は、各端子電極２２の端面電極部２２ａに予め塗布しておきことが好ましい。あるいは、ハンダ５０は、各端子電極２２の端面電極部２２ａに対応する金属端子３０の内面に、各端面電極部２２ａの面積に対応する面積で予め塗布しておきことが好ましい。

本実施形態の電子部品１０では、複数のチップコンデンサ２０のそれぞれの端子電極２２に対して、それぞれ、複数の凸部３８のうちの少なくとも１つの凸部３８が接続してある。図２(Ａ）では、Ｚ軸方向に沿って、各チップコンデンサ２０の端子電極２２に対して、それぞれ２つの凸部３８が接続されるようになっている。また、図３に示すように、Ｙ軸方向に沿っては、少なくとも４つの凸部が、各端子電極２２に接続されるようになっている。

本実施形態では、図２（Ａ）に示すように、凸部３８と凸部３８との間では、複数のチップコンデンサ２０の端子電極２２と金属端子３０との間の隙間は一定な幅となり、その隙間にハンダ５０が入り込むことで、端子電極２２と金属端子３０との間のハンダ厚みを一定にすることが容易になる。また、ハンダ厚みを一定にすることができるため、接合不良が発生しにくく耐熱衝撃特性が向上する。

また本実施形態では、凸部３８の配置ピッチ間隔ＰｚおよびＰｙは、双方共に２ｍｍ以下である。ピッチ間隔を狭くすることで、より接合不良が発生しにくく耐熱衝撃特性が向上する。また、ハンダの濡れ広がりも防止することができる。

また、本実施形態では、端子電極２２は、錫を含むめっき被膜を有し、Ｚ軸方向に隣接して接触する端子電極２２の側面電極部２２ｂ相互は、錫と錫とで溶融接合してある。また、側面電極部２２ｂの近くに位置する凸部３８がハンダの濡れ広がりを抑制する機能を有することから、Ｚ軸方向に隣接して配置される端子電極２２の側面電極部２２ｂ相互接続部には、ハンダが回り込まなくなる。

しかしながら、ハンダ接合による熱のため、端子電極２２の側面電極部２２ｂ相互は、錫と錫とが溶融接合し、端子電極２２の側面相互は一体的に接合される。また、そのＺ軸方向に隣接して接触する端子電極２２の相互間には、ハンダが回り込まなくなるため、ハンダの回り込みによるクラックを防止することができる。

（第２実施形態）
図２（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る電子部品１０αの要部側面図である。本実施形態に係る電子部品１０αは、図１および図２（Ａ）に示す第１実施形態に係る電子部品１０と下記に示す以外は、同様な構成を有し、同様な作用効果を奏するので、共通する部分には、共通する部材符号を付し、共通する部分の説明は省略する。

図２（Ｂ）に示すように、本実施形態では、Ｚ軸方向の上下に配置される各チップコンデンサ２０αのＺ軸方向の寸法が、チップコンデンサ２０よりも短くなっている以外は、第１実施形態の電子部品１０と同様な構成を有し、同様な作用効果を奏する。第２実施形態の金属端子３０は、第１実施形態の金属端子３０と同じものを用いることができる。

（第３実施形態）
図２（Ｃ）は、本発明の第３実施形態に係る電子部品１０βの要部側面図である。本実施形態に係る電子部品１０βは、図１および図２（Ａ）に示す第１実施形態に係る電子部品１０と下記に示す以外は、同様な構成を有し、同様な作用効果を奏するので、共通する部分には、共通する部材符号を付し、共通する部分の説明は省略する。

図２（Ｃ）に示すように、本実施形態では、Ｚ軸方向の上下に配置される各チップコンデンサ２０βのＺ軸方向の寸法が、チップコンデンサ２０よりも短くなっている以外は、第１実施形態の電子部品１０と同様な構成を有し、同様な作用効果を奏する。第３実施形態の金属端子３０は、第１実施形態の金属端子３０と同じものを用いることができる。ただし、この実施形態では、Ｚ軸方向の最も下側に位置する凸部３８は、端子電極２２には接続されないことになり、Ｚ軸方向の上側に位置するチップコンデンサ２０βの端子電極２２は、Ｙ軸方向から見て単一の凸部３８に接続することになる。

しかしながら、上側のチップコンデンサ２０βは、下側のチップコンデンサ２０βと側面電極部２２ｂで接触しているため、チップコンデンサ２０βの端面電極部２２ａが、端子電極接続部３２の内面に対して傾斜することはない。そのため、端子電極接続部３２と端面電極部２２ａとの間は、Ｚ軸方向の単一の凸部３８により一定な隙間に保持され、ハンダ５０の厚みも一定に保たれる。

（第４実施形態）
図５（Ａ）は本発明の他の実施形態に係る電子部品に用いられる外部端子の要部断面図である。本実施形態に係る電子部品は、上述した第１〜第３実施形態と下記に示す以外は、同様な構成を有し、同様な作用効果を奏するので、共通する部分には、共通する部材符号を付し、共通する部分の説明は省略する。

図５（Ａ）に示すように、この金属端子３０αは、端面電極部２２ａにハンダ５０を介して接続される第１金属３０ａと、その第１金属３０ａの外側に配置される第２金属３０ｂとの二層の積層構造を有するクラッド材で構成される。第１金属３０ａの熱膨張係数は、セラミック素体２６の熱膨張係数よりも小さい。好ましくは、第１金属３０ａの熱膨張係数と、セラミック素体２６の熱膨張係数との差異は、０．５ｐｐｍ以上である。セラミック素体２６の熱膨張係数は、誘電体層２の材質にもよるが、一般的には、（６〜１４）×１０^−６／Ｋである。

第１金属３０ａとしては、たとえば４２Ｎｉ−Ｆｅ、３６Ｎｉ−Ｆｅ、５２Ｎｉ−Ｆｅ、５０Ｎｉ−Ｆｅ、３０Ｎｉ−Ｆｅ、３２Ｎｉ−５Ｃｏ−Ｆｅ、２９Ｎｉ−１６Ｃｏ−Ｆｅなどの鉄系合金が好ましく用いられる。また、第１金属３０ａとしては、その熱膨張係数がセラミック素体２６の熱膨張係数よりも小さいものであれば、鉄系金属に限らず、ＳＵＳ４１０、ＳＵＳ４３０、Ｎｉなどを用いることができる。

本実施形態では、第２金属３０ｂは、その熱膨張係数が、セラミック素体２６の熱膨張係数よりも大きい。好ましくは、第２金属３０ｂの熱膨張係数と、セラミック素体２６の熱膨張係数との差異は、１ｐｐｍ以上である。

セラミック素体の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を持つ第２金属３０ｂとしては、たとえば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、亜鉛、亜鉛合金などの非鉄金属が好ましい。

あるいは、第２金属３０ｂとしては、第１金属３０ａよりも電気抵抗が小さいものが用いられる。そのような第２金属３０ｂとしては、たとえば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、亜鉛、亜鉛合金などの金属が用いられる。好ましくは、第１金属３０ａの電気抵抗と第２金属３０ｂの電気抵抗との差異は、３×１０^−８Ω・ｍ以上である。なお、第１金属の電気抵抗は、体積抵抗率で、好ましくは、（５〜１００）×１０^−８Ω・ｍである。

好ましい組合せとしては、第１金属３０ａが４２Ｎｉ−Ｆｅまたは３６Ｎｉ−Ｆｅであり、第２金属３０ｂが銅または銅合金である。第１金属３０ａと第２金属３０ｂとの二層の積層構造から成る金属端子３０のトータル厚みｔ０は、特に限定されないが、好ましくは０．０５〜０．２ｍｍである。

第１金属３０ａの厚みｔ１は、最小で１０μｍ以上が好ましい。また、第１金属３０ａの厚みｔ１の最大値は、トータル厚みｔ０とのバランスにより決定され、好ましくは、ｔ１/ｔ０が１／ ２以下となるように決定される。このように設定することで、外部端子の接続部（たとえばハンダ５０による接続部）における応力を低減する効果が向上すると共に、ＥＳＲの改善効果が高くなる。

金属端子３０αの製造では、まず、平板状の二層積層クラッド金属板材を準備する。次に、金属板材を機械加工することにより、図５（Ａ）に示す金属端子３０αを得る。

本実施形態では、第１金属３０ａの熱膨張係数がセラミック素体２６の熱膨張係数よりも小さい。そのため、本実施形態では、金属端子３０の接続部（たとえばハンダ５０による接続部）における応力を低減することができる。応力を低減させることで、セラミック素体２６の端子電極２２と金属端子３０との接続部での強度が向上すると共に、熱衝撃性などの信頼性が向上する。

また本実施形態では、第２金属３０ｂの熱膨張係数が、セラミック素体２６の熱膨張係数よりも大きい。セラミック素体２６の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を持つ第２金属３０ｂは、一般的に電気抵抗が低く、電子部品の等価直列抵抗（ＥＳＲ）を改善することができる。特に、第２金属３０ｂとして、たとえば銅や銅合金などのように、第１金属３０ａよりも電気抵抗が低い金属を用いることで、電子部品１０の等価直列抵抗（ＥＳＲ）を改善することができる。

また、本実施形態では、クラッド材の積層方向に沿っての第２金属３０ｂの厚みを第１金属３０ａの厚みよりも大きくしてある。このように構成することで、金属端子３０の接続部（たとえばハンダ５０による接続部）における応力を低減する効果が向上すると共に、ＥＳＲの改善効果が高くなる。なお、本実施形態では、第１金属３０ａと第２金属３０ｂとの二層積層構造にするのは、端子電極接続部３２のみで良く、連結部３６と実装接続部３４とは、第１金属３０ａよりも電気抵抗が低い第２金属３０ｂのみで構成しても良い。

（第５実施形態）
図５（Ｂ）は本発明の他の実施形態に係る電子部品に用いられる外部端子の要部断面図である。本実施形態に係る電子部品は、上述した第１〜第４実施形態と下記に示す以外は、同様な構成を有し、同様な作用効果を奏するので、共通する部分には、共通する部材符号を付し、共通する部分の説明は省略する。

図５（Ｂ）に示すように、この金属端子３０βは、端面電極部２２ａにハンダ５０を介して接続される第１金属３０ａと、その第１金属３０ａの外側に配置される第２金属３０ｂと、その外側に配置される第３金属３０ｃの三層の積層構造を有するクラッド材で構成される。本実施形態では、第１金属３０ａおよび第３金属３０ｃの熱膨張係数は、セラミック素体２６の熱膨張係数よりも小さい。

第１金属３０ａおよび第３金属３０ｃは、同じ金属で構成されることが好ましいが、異なる金属で構成されていても良い。いずれにしても、第１金属３０ａ、第２金属３０ｂおよび第３金属３０ｃから成る三層構造の金属端子３０の熱膨張係数が、セラミック素体２６の熱膨張係数よりも小さくなれば良い。

好ましい組合せとしては、第１金属３０ａが４２Ｎｉ−Ｆｅまたは３６Ｎｉ−Ｆｅであり、第２金属３０ｂが銅または銅合金であり、第３金属３０ｃが４２Ｎｉ−Ｆｅまたは３６Ｎｉ−Ｆｅである。

第１金属３０ａの厚みｔ１は、最小で１０μｍ以上が好ましい。また、第１金属３０ａの厚みｔ１の最大値は、トータル厚みｔ０とのバランスにより決定され、好ましくは、ｔ１/ｔ０が１／２以下となるように決定される。第２金属３０ｂの厚みｔ２は、最小で２０μｍ以上が好ましい。また、第２金属３０ｂの厚みｔ２の最大値は、トータル厚みｔ０とのバランスにより決定され、好ましくは、ｔ２/ｔ０が２／３以下となるように決定される。

さらに、第３金属３０ｃの厚みｔ３は、最小で１０μｍ以上が好ましい。また、第３金属３０ｃの厚みｔ３の最大値は、トータル厚みｔ０とのバランスにより決定され、好ましくは、ｔ３/ｔ０が１／２以下となるように決定される。第３金属３０ｃの厚みｔ３は、第１金属３０ａの厚みｔ１と同じでも異なっても良いが、これらの厚みの合計ｔ１＋ｔ３が、厚みｔ２よりも大きくなるように設定することが好ましい。

すなわち、金属端子３０における第２金属３０ｂの構成比率（ｔ２／ｔ０）が、第１金属３０ａおよび第３金属３０ｃの構成比率の和（（ｔ１＋ｔ３）／ｔ０）よりも小さい。なお、端子電極２２に接続される第１金属３０ａの体積抵抗が、第２金属３０ｂの体積抵抗よりも高い場合には、厚みｔ１は、厚みｔ２よりも薄いことが好ましく、厚みｔ３よりも薄くても良い。

以上のように設定することで、外部端子の接続部（たとえばハンダ５０による接続部）における応力を低減する効果が向上すると共に、ＥＳＲの改善効果が高くなる。

なお、本実施形態では、金属端子３０βのうちの端子電極接続部３２に対応する部分のみが、第１金属３０ａ、第２金属３０ｂおよび第３金属３０ｃから成る三層積層のクラッドで構成してもよい。実装接続部３４および連結部３６は、第２金属３０ｂのみで構成してもよい。第２金属３０ｂの体積が増えるので、ＥＳＲの向上が期待できると共に、ハンダ５０による接続部の応力低減の効果も期待できる。

本実施形態では、三層積層構造の金属端子３０の熱膨張係数がセラミック素体２６の熱膨張係数よりも小さい。そのため、本実施形態では、金属端子３０の接続部（たとえばハンダ５０による接続部）における応力を低減することができる。応力を低減させることで、セラミック素体２６の端子電極２２と金属端子３０との接続部での強度が向上すると共に、熱衝撃性などの信頼性が向上する。

また、上述した実施形態では、第１金属３０ａと第３金属３０ｃとを、セラミック素体２６よりも熱膨張係数が小さい金属で構成し、第２金属３０ｂを、セラミック素体２６よりも熱膨張係数が大きい金属で構成してあるが、その逆でも良い。すなわち、第１金属３０ａと第３金属３０ｃとを、セラミック素体２６よりも熱膨張係数が大きい金属で構成し、第２金属３０ｂを、セラミック素体２６よりも熱膨張係数が小さい金属で構成しても良い。

ただし、その場合には、金属端子３０における第２金属３０ｂの構成比率（ｔ２／ｔ０）を、第１金属３０ａおよび第３金属３０ｃの構成比率の和（（ｔ１＋ｔ３）／ｔ０）よりも大きくすることが好ましい。また、この場合には、第１金属３０ａおよび第３金属３０ｃの方が、第２金属３０ｂよりも電気抵抗が低い金属で構成されることが予想される。そこで、図４に示す実施形態においては、第２金属３０ｂが連結部３６と実装接続部３４とを構成してあるが、この実施形態では、端子電極接続部３２を構成する第１金属３０ａまたは第３金属３０ｃが、連続して連結部３６と実装接続部３４とを構成してもよい。

（その他の実施形態）
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば上述した実施形態では、ハンダ５０を用いて端子電極２２と金属端子３０，３０α，３０βとを接続してあるが、導電性接着剤、あるいはその他の接続手段により接続しても良い。

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。

実施例１
Ｘ軸方向長さが５７ｍｍで、Ｙ軸方向長さが５０ｍｍで、Ｚ軸方向長さが２５ｍｍであるチップコンデンサ２０を２つ準備した。また、単層のリン青銅から成る金属端子３０を準備し、ハンダ５０を用いて金属端子３０を、２つのチップコンデンサ２０の端子電極２２に接続し、図１および図２（Ａ）に示す電子部品１０を、１０サンプルで製作した。凸部３８の外径Φｄは、０．５ｍｍであり、凸部３８の突出高さＨ１は、５０μｍであり、ピッチ間隔Ｐｙは、１．１ｍｍ、ピッチ間隔Ｐｚは、１．１ｍｍであった。

この１０サンプルの電子部品１０について、熱衝撃試験を行った。熱衝撃試験は、下記の条件で行った。各サンプルに対して、−５５°Ｃから＋１２５°Ｃの温度変化を各２分間づつ液槽で２０００サイクルで熱衝撃を加えた。金属端子で連結したチップコンデンサのいずれか一方について、クラックが発生したものを目視により見つけ、不良と判断した。

この実施例１の電子部品１０について、熱衝撃試験を行ったところ、１０サンプルのうち、不良と判断されたサンプルは、０であった。

比較例１
凸部３８を設けない以外は、実施例１と同様にして、１０個の電子部品のサンプルを製作した。実施例１と同様にして、この比較例１の電子部品について、熱衝撃試験を行ったところ、１０サンプルのうち、不良と判断されたサンプルは、７であった。

実施例２
単層の４２Ｎｉ−Ｆｅで金属端子を作成した以外は、実施例１と同様にして、１０個の電子部品のサンプルを製作した。実施例１と同様にして、この実施例２の電子部品について、熱衝撃試験を行ったところ、１０サンプルのうち、不良と判断されたサンプルは、０であった。

２… 誘電体層
４… 内部電極層
１０，１０α，１０β…電子部品
２０，２０α，２０β…チップコンデンサ
２２…端子電極
２２ａ…端面電極部
２２ｂ…側面電極部
２６…素体
３０，３０α，３０β…金属端子
３０ａ…第１金属
３０ｂ…第２金属
３０ｃ…第３金属
３２…端子電極接続部
３４…実装接続部
３６…連結部
３８…凸部
５０…ハンダ

Claims (3)

1. セラミック素体の端面に端子電極が形成された複数のチップ部品と、
   複数の前記チップ部品を第１方向に隣接して支持するように、前記端子電極に電気的に接続される外部端子とを有する電子部品であって、
   前記外部端子が、
   前記端子電極に向き合うように配置される端子電極接続部と、
   実装面に接続可能な実装接続部と、を有し、
   前記端子電極接続部には、前記端子電極に向けて突出する複数の凸部が形成してあり、複数のチップ部品のそれぞれの端子電極に対して、それぞれ、複数の凸部が接続してあり、
   複数の前記凸部について、前記第１方向における配置ピッチ間隔と、前記第１方向に垂直であり前記外部端子の幅方向である第２方向における配置ピッチ間隔と、が双方共に２ｍｍ以下であり、相互には連続せず、前記凸部の突出高さは、２０〜１２０μｍであり、
   前記凸部は、前記第２方向に沿って少なくとも４つ形成されており、
   前記端子電極接続部とそれぞれの前記端子電極は、接続部材により、前記端子電極接続部の内面からの前記凸部の突出高さに対応する厚みで接続してあり、前記端子電極の側面電極部の近くに位置する前記凸部により前記接続部材の広がりが抑制されて、前記接続部材が、前記端子電極の側面電極部には回り込まないように構成されていることを特徴とする電子部品。
2. 前記外部端子の端子電極接続部は、少なくとも２つの金属の積層構造を有する請求項１に記載の電子部品。
3. 前記端子電極は、錫を含む被膜を有し、前記第１方向に隣接して接触する前記端子電極の側面相互は、錫と錫とで接合してある請求項１または２に記載の電子部品。