JP5983930B2 - セラミック電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、チップ部品とこれに取り付けられる金属端子を有するセラミック電子部品に関する。

セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品としては、単体で直接基板等に面実装等する通常のチップ部品の他に、チップ部品に金属端子が取り付けられたものが提案されている。金属端子が取り付けられているセラミック電子部品は、実装後において、チップ部品が基板から受ける変形応力を緩和したり、チップ部品を衝撃等から保護する効果を有することが報告されており、耐久性及び信頼性等が要求される分野において使用されている。

金属端子を用いた従来のセラミック電子部品では、チップ部品の端子電極と金属端子とは、はんだ、導電性接着材、導電ペースト等を介して接合されている（特許文献１，２等参照）。はんだ等を介して端子電極と金属端子を接合することにより、チップ部品と端子電極の間の電気的な接続を確保しつつ、チップ部品に金属端子を取り付けることができる。

特開２０００−３０６７６４号公報 特開２０００−２３５９３２号公報

しかしながら、はんだ等によって金属端子とチップ部品を接合する従来のセラミック電子部品では、実装工程において金属端子とチップ部品の接合が解除されることを防止するために、金属端子とチップ部品との接合に高温はんだを使用する必要があり、環境負荷のある材質を抑制するという観点からは、課題を有している。また、金属端子を有する従来のセラミック電子部品では、製造時にはんだ接合工程が必要であるため製造に手間がかかり、また、コスト面でも課題を有している。

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、信頼性が高く、製造が容易な金属端子とチップ部品の取り付け構造を有するセラミック電子部品を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係るセラミック電子部品は、
第１端面から側面の一部に回り込むように形成される第１端子電極と、前記第１端面とは反対方向を向く第２端面から前記側面の他の一部に回り込むように形成される第２端子電極と、を有し、略直方体形状であるチップ部品と、
前記第１端面に対向する第１平板部と、前記第１平板部に接続しており、前記第１端子電極のうち前記チップ部品の前記側面に位置する部分である第１回り込み部に係合する第１係合突起が形成されており、前記第１回り込み部を挟み込んで把持する少なくとも一対の第１嵌合アーム部と、前記第１平板部に接続しており、前記チップ部品から所定の空間を挟んで、いずれかの前記側面に略平行に延在する第１実装部と、を有する第１金属端子部と、
前記第２端面に対向する第２平板部と、前記第２平板部に接続しており、前記第２端子電極のうち前記チップ部品の前記側面に位置する部分である第２回り込み部に係合する第２係合突起が形成されており、前記第２回り込み部を挟み込んで把持する少なくとも一対の第２嵌合アーム部と、前記第２平板部に接続しており、前記チップ部品から所定の空間を挟んで、いずれかの前記側面に略平行に延在する第２実装部と、を有する第２金属端子部と、を有する。

本発明に係るセラミック電子部品では、第１金属端子部及び第２金属端子部が、それぞれ嵌合アーム部を有し、嵌合アーム部が、チップ部品における端子電極の回り込み部を挟み込んで把持することによって、第１金属端子部及び第２金属端子部とチップ部品が組み立てられている。また、嵌合アーム部には、端子電極の回り込み部に係合する係合突起が形成されており、このような係合突起を有する嵌合アーム部により、第１及び第２金属端子部とチップ部品とは、互いに抜け落ちないように固定される。

このように、本発明に係るセラミック電子部品は、嵌合アーム部がチップ部品の端子電極を挟み込んで把持することによって、第１及び第２金属端子部とチップ部品とが固定され、これと同時にチップ部品と金属端子との導通が確保されるため、はんだや接着材を使って金属端子部とチップ部品を接合する従来技術に比べて、製造が容易である。また、本発明に係るセラミック電子部品は、嵌合アーム部がチップ部品の端子電極を把持することによって金属端子部とチップ部品とが固定されているため、当該セラミック電子部品を実装する際に接合部分に伝わる熱により、金属端子部とチップ部品の固定が外れてしまうおそれがない。さらに、従来技術とは異なり、金属端子部とチップ部品の接合に高温はんだ等を使用する必要がないため、環境負荷のある材質の使用を抑制することができる。

また、本発明に係るセラミック電子部品は、金属端子の弾性力によってチップ部品を把持しているため、従来技術とは異なり、接合材料であるはんだ等の線膨張係数と金属端子部との線膨張係数の違いからチップ部品の連結が解除されてしまう問題が発生せず、温度環境の変化に対する信頼性が高い。また、金属端子部の材質を比較的自由に選択することが可能であり、コスト面や性能面でも有利である。

また、例えば、前記第１嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第１実装部に対して略垂直に配置される側面に対向しても良く、
前記第２嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第２実装部に対して略垂直に配置される側面に対向しても良い。

嵌合アーム部が、チップ部品における垂直方向の側面を把持する構造とすることにより、例えば積み重ねられたチップ部品を複数把持する場合であっても、各チップ部品を一つずつ把持することができるため、安定した支持構造を実現することができる。また、チップ部品の積層方向が、第１及び第２実装部に対して垂直となる姿勢でチップ部品を把持する場合は、アーム部が、チップ部品における比較的寸法バラツキの少ない方向を挟むことになり、チップ部品と金属端子の結合力に固体ばらつきが生じることを抑制できる。

また、例えば、前記第１嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第１実装部に対して略平行に配置される側面に対向しても良く、
前記第２嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第２実装部に対して略平行に配置される側面に対向しても良い。

嵌合アーム部が、チップ部品の水平方向の側面を把持する構造とすることにより、チップ部品の重量を、より安定的に支持することが可能である。また、チップ部品の積層方向が、第１及び第２実装部に対して平行となる姿勢でチップ部品を把持する場合は、アーム部が、チップ部品における比較的寸法バラツキの少ない方向を挟むことになり、チップ部品と金属端子の結合力に固体ばらつきが生じることを抑制できる。

また、例えば、本発明に係るセラミック電子部品は、少なくとも２対の前記第１嵌合アーム部を有しても良く、一方の前記第１嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第１実装部に対して略垂直に配置される側面に対向しても良く、他方の前記第１嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第１実装部に対して略平行に配置される側面に対向しても良く、
さらに、本発明に係るセラミック電子部品は、少なくとも２対の前記第２嵌合アーム部を有しても良く、一方の前記第２嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第２実装部に対して略垂直に配置される側面に対向しても良く、他方の前記第２嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第２実装部に対して略平行に配置される側面に対向しても良い。

チップ部品における垂直方向の側面を把持する嵌合アームと、水平方向の側面を把持する嵌合アームの両方を有するために、このようなセラミック電子部品は、チップ部品と金属端子部との連結力を高め、高い信頼性を確保できる。

また、例えば、前記第１係合突起は、前記第１係合突起の突起端部から、第１平板部へ向かって、突起の高さ若しくは突起の幅が大きくなっても良く、
前記第２係合突起は、前記第２係合突起の突起端部から、第２平板部へ向かって、突起の高さ若しくは突起の幅が大きくなっても良い。

第１係合突起及び第２係合突起が、各平板部へ向かって大きくなる形状とすることにより、嵌合アームがチップ部品から抜け落ちることを防止することができ、このようなセラミック電子部品は、高い耐衝撃性を奏する。

また、例えば、前記チップ部品の前記第１端子電極及び前記第２端子電極は、表面を被覆する金属メッキ層を備えても良い。

端子電極が金属メッキ層で被覆されていることにより、このようなセラミック電子部品は、チップ部品の部分の耐湿性等が向上する。

また、前記第１嵌合アーム部の前記第１係合突起及び前記第２嵌合アーム部の前記第２係合突起は、最表面を被覆する金属メッキ層を備えても良い。

端子電極に係合する係合突起が金属メッキ層を有することにより、チップ部品の端子電極と金属端子との電気的接合性が向上する。

また、前記第１係合突起と前記第１回り込み部、及び、前記第２係合突起と前記第２回り込み部は、前記金属メッキ層を介して溶着されていても良い。

係合突起と端子電極の回り込み部とを溶着することにより、端子電極と金属端子との電気的接合性が向上するとともに、チップ部品と金属端子との物理的な結合を補強することができる。

また、例えば、前記第１金属端子部及び前記第２金属端子部の材質は、りん青銅が主成分であっても良い。

金属端子部の材質をりん青銅とすることにより、金属端子部の比抵抗を低減することができ、コンデンサ全体の等価直列抵抗（ＥＳＲ）を低減できる。

また例えば、前記第１実装部及び前記第２実装部における前記チップ部品側の表面は、前記第１実装部及び前記第２実装部における前記チップ部品と反対側の表面より、はんだに対する濡れ性が低くても良い。

実装部におけるチップ部品側の表面について、はんだに対する濡れ性を低くする処理を行うことにより、実装時のはんだが、チップ部品側へ回り込む現象を防止し、チップ部品と実装部との空間が狭くなることを防止できる。これにより、金属端子の弾性変形がはんだ等により過度に抑制されることを防止し、チップ部品の振動が実装基板等に伝搬して、音鳴きが発生する問題を、効果的に抑制することができる。

また、前記第１平板部には、前記第１端面に向かって突出して前記第１端面と接触する第１突出部が形成されていても良く、
前記第２平板部には、前記第２端面に向かって突出して前記第２端面と接触する第２突出部が形成されていても良い。

第１突出部と第２突出部により、チップ部品と端子電極との接触面積が低減されるため、このようなセラミック電子部品は、チップ部品で発生した振動が、端子電極を介して基板等に伝搬して音鳴きを発生する問題を、効果的に抑制することができる。

また、例えば、本発明に係るセラミック電子部品は、前記第１平板部に接続しており、前記第１嵌合アーム部に対して略垂直に配置され、前記チップ部品の前記側面に接触する第１係止部と、
前記第２平板部に接続しており、前記第２嵌合アーム部に対して略垂直に配置され、前記チップ部品の前記側面に接触する第２係止部と、を有しても良い。

係止部を有する金属端子は、金属端子とチップ部品を組み立てる際に、金属端子とチップ部品の位置決めを、容易に行うことができるため、このような金属端子を有するセラミックコンデンサは、製造が容易である。

また、例えば、前記第１係止部は、前記第１実装部とは反対側を向く前記チップ部品の前記側面に対向しても良く、
前記第２係止部は、前記第２実装部とは反対側を向く前記チップ部品の前記側面に対向しても良い。

同じ高さであれば、係止部をチップ部品の下面ではなく上面に対向するように設けることにより、金属端子とチップ部品の位置決めを容易にしつつ、チップ部品と実装部との空間をより大きく確保し、音鳴きをより確実に防止することができる。

また、例えば、前記第１係止部は、前記第１実装部側を向く前記チップ部品の前記側面に対向しても良く、
前記第２係止部は、前記第２実装部側を向く前記チップ部品の前記側面に対向しても良い。

係止部をチップ部品の下面に対向するように設けることにより、チップ部品に下方への力が働いた場合にも、チップ部品が金属端子から脱落することを確実に防止することができる。

また、例えば、前記第１平板部には第１貫通孔が形成されていても良く、前記第１係止部は、前記第１貫通孔の縁部で、前記第１平板部に接続しても良く
前記第２平板部には第２貫通孔が形成されていても良く、前記第２係止部は、前記第２貫通孔の縁部で、前記第２平板部に接続しても良い。

平板部に貫通孔が形成されており、貫通孔の縁部で、係止部が平板部に接続する構成とすることにより、平板部の端部以外に接続する係止部を有する金属端子であっても、平板状の板材を折り曲げるだけで、容易に製造することが可能である。したがって、このようなセラミック電子部品は、製造が容易でありながら、平板部における任意の場所に接続する係止部を備えることができ、設計の自由度が高い。

また、例えば、前記第１金属端子部及び第２金属端子部は、平板状の板材を機械加工して作製されていても良い。

板材を機械加工して作製された金属端子は、構造がシンプルであり、このような金属端子を採用するセラミックコンデンサは、必要な強度を確保しつつ、コストを低減することができる。

図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミック電子部品を示す概略斜視図である。 図２は、図１に示すセラミック電子部品の正面図である。 図３は、図１に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図４は、図１に示すセラミック電子部品の上面図である。 図５は、図１に示すセラミック電子部品の底面図である。 図６は、図１に示すセラミック電子部品に含まれる第２金属端子部の斜視図である。 図７は、図１に示すセラミック電子部品の概略断面図である。 図８は、本発明の第２〜第６実施形態に係るセラミック電子部品に含まれる第１金属端子部の形状を表す概念図である。 図９は、本発明の第７実施形態に係るセラミック電子部品の斜視図である。 図１０は、セラミック電子部品に含まれる第２金属端子部の製造方法を表す概念図である。 図１１は、第２金属端子の断面図である。

以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０を示す概略斜視図である。セラミックコンデンサ１０は、２つのチップコンデンサ２０と、チップコンデンサ２０に取り付けられた第１金属端子部３０及び第２金属端子部４０とを有する。なお、各実施形態の説明では、チップコンデンサ２０に金属端子部３０，４０が取り付けられたセラミックコンデンサを例に説明を行うが、本発明のセラミック電子部品としてはこれに限られず、コンデンサ以外のチップ部品に金属端子部３０，４０が取り付けられたものであっても良い。

図７は、図１に示すセラミックコンデンサ１０の断面図であり、特にチップコンデンサ２０の内部構造が模式的に示されている。チップコンデンサ２０は、コンデンサ素体２６と、第１端子電極２２と第２端子電極２４とを有する。コンデンサ素体２６は、セラミック層としての誘電体層２８と、内部電極層２７とを有し、誘電体層２８と内部電極層２７とが交互に積層してある。

内部電極層２７は、第１端子電極２２に接続しているものと、第２端子電極２４に接続しているものとがあり、第１端子電極２２に接続する内部電極層２７と、第２端子電極２４に接続している内部電極層２７とが、誘電体層２８を挟んで交互に積層されている。

誘電体層２８の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムまたはこれらの混合物などの誘電体材料で構成される。各誘電体層２８の厚みは、特に限定されないが、数μｍ〜数百μｍのものが一般的である。本実施形態では、好ましくは１．０〜５．０μｍである。

内部電極層２７に含有される導電体材料は特に限定されないが、誘電体層２８の構成材料が耐還元性を有する場合には、比較的安価な卑金属を用いることができる。卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層２７は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層２７の厚みは用途等に応じて適宜決定すればよい。

端子電極２２，２４の材質も特に限定されず、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極２２，２４の厚みも特に限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。なお、端子電極２２，２４の表面には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ等から選ばれる少なくとも１種の金属被膜が形成されていても良い。

チップコンデンサ２０の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。チップコンデンサ２０が直方体形状の場合は、通常、縦（０．６〜５．６ｍｍ、好ましくは０．６〜３．２ｍｍ）×横（０．３〜５．０ｍｍ、好ましくは０．３〜１．６ｍｍ）×厚み（０．１〜１．９ｍｍ、好ましくは０．３〜１．６ｍｍ）程度である。

図１に示すように、セラミックコンデンサ１０は、２つのチップコンデンサ２０を有している。２つのチップコンデンサ２０は、ほぼ同一の形状を有している。ただし、セラミックコンデンサ１０が有するチップコンデンサ２０の数は、１つ又は３つ以上であっても良く、複数のチップコンデンサ２０を有する場合は、互いに形状が違っていてもかまわない。

チップコンデンサ２０は、第１端面２０ａ、第２端面２０ｂ、第１側面２０ｃ、第２側面２０ｄ、第３側面２０ｅ、第４側面２０ｆの６つの面から構成される略直方体形状である。図７に示すように、第１端面２０ａは、第１金属端子部３０の第１平板部３８に対向しており、第２端面２０ｂは、第１端面２０ａと平行であって、第１端面２０ａとは反対方向を向く面であり、第２金属端子部４０の第２平板部４８に対向している。

チップコンデンサ２０は、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとを接続する４つの側面２０ｃ〜２０ｆを有しており、４つの側面２０ｃ〜２０ｆのうち、第１側面２０ｃと第２側面２０ｄが、互いに平行であって反対方向を向く関係にあり（図４参照）、第３側面２０ｅと第４側面２０ｆが、互いに平行であって反対方向を向く関係にある（図２参照）。

チップコンデンサ２０の４つの側面２０ｃ〜２０ｆのうち、第１側面２０ｃと第２側面２０ｄは、第１金属端子部３０の第１実装部３９及び第２金属端子部４０の第２実装部４９に対して略垂直に配置される。これに対して、第３側面２０ｅと第４側面２０ｆは、第１金属端子部３０の第１実装部３９及び第２金属端子部４０の第２実装部４９と略平行に配置される。また、第３側面２０ｅは、第１及び第２実装部３９，４９とは反対方向を向いており、第４側面２０ｆは、第１及び第２実装部３９，４９側を向いている。

図１及び図７に示すように、チップコンデンサ２０の第１端子電極２２は、第１端面２０ａから側面２０ｃ〜２０ｆの一部に回り込むように形成されている。したがって、第１端子電極２２は、第１端面２０ａに配置される部分と、第１側面２０ｃ〜第４側面２０ｆに配置される第１回り込み部２２ｃ〜２２ｆとを有する（図１から図５参照）。

また、チップコンデンサ２０の第２端子電極２４は、第２端面２０ｂから側面２０ｃ〜２０ｆの他の一部に回り込むように形成されている。したがって、第２端子電極２４は、第２端面２０ｂに配置される部分と、第１側面２０ｃ〜第４側面２０ｆに配置される第２回り込み部２４ｃ〜２４ｆを有する（図１から図５参照）。

図１に示すように、第１金属端子部３０と第２金属端子部４０は、チップコンデンサ２０の両端部に取り付けられており、２つのチップコンデンサ２０は、上下に積み重ねられた状態で、金属端子部３０，４０によって保持されている。第１金属端子部３０は、第１平板部３８と、第１平板部３８に接続する第１嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ，３５ａ，３５ｂと、同じく第１平板部３８に接続する第１実装部３９を有する（図１から図５参照）。

第１金属端子部３０の第１平板部３８は、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａに対向している。図７に示すように、第１平板部３８には、第１端面２０ａに向かって突出して第１端面２０ａと接触する第１突出部３８ｂが形成されている。第１突出部３８ｂは、第１平板部３８と第１端面２０ａとの接触面積を減少させ、チップコンデンサ２０の振動を第１金属端子部３０に伝わり難くする効果を奏する。

第１金属端子部３０は、チップコンデンサ２０の第１端子電極２２を挟み込んで把持する３対の第１嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ，３５ａ，３５ｂを有する。１対の第１嵌合アーム部３１ａ，３１ｂは、上側のチップコンデンサ２０における第１端子電極２２の第１回り込み部２２ｃ，２２ｄを挟み込んで把持している。また、他の１対の第１嵌合アーム部３３ａ，３３ｂは、下側のチップコンデンサ２０における第１端子電極２２の第１回り込み部２２ｃ，２２ｄを挟み込んで把持している（図３参照）。さらに、別の他の１対の第１嵌合アーム部３５ａ，３５ｂは、上側のチップコンデンサ２０における第１端子電極２２の第１回り込み部２２ｅと、下側のチップコンデンサ２０における第１端子電極２２の第１回り込み部２２ｆを挟み込んで把持している（図２参照）。

第１嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ及び第１嵌合アーム部３３ａ，３３ｂは、チップコンデンサ２０の側面２０ｃ〜２０ｆのうち、第１実装部３９に略垂直に配置される側面２０ｃ，２０ｄに対向している（図３参照）。これに対して、第１嵌合アーム部３５ａ，３５ｂは、チップコンデンサ２０の側面２０ｃ〜２０ｆのうち、第１実装部３９に略平行に配置される側面２０ｅ，２０ｆに対向している（図２及び図４参照）。

第１嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ，３５ａ，３５ｂには、第１端子電極２２の第１回り込み部２２ｃ〜２２ｆに係合する第１係合突起が形成されている（第１嵌合アーム部３５ａ,３５ｂに形成された第１係合突起３６ａ,３６ｂ等（図２）を参照）。なお、第１金属端子部３０は、チップコンデンサ２０を基準として、第２金属端子部４０とは対称に配置されているが、形状に関しては、第２金属端子部４０と同様である。したがって、第１係合突起が形成された第１嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ，３５ａ，３５ｂの詳細構造については、第２金属端子部４０を用いて説明を行い、第１金属端子部３０については説明を省略する。

図１及び図２に示すように、第１金属端子部３０の第１実装部３９は、チップコンデンサ２０の第４側面２０ｆに略平行に延在している。また、第１実装部３９は、下側のチップコンデンサ２０の第４側面２０ｆから所定の空間を挟んで配置されている。第１実装部３９は、セラミックコンデンサ１０を基板等に実装する際、はんだ等によって基板に接合される部分であり、第１実装部３９におけるチップコンデンサ２０と反対側の表面である実装部底面３９ａ（図２参照）は、実装対象である基板に対向するように設置される。第１実装部３９におけるチップコンデンサ２０側の表面である実装部上面３９ｂは、はんだの過度な回り込みを防止する観点から、実装部底面３９ａより、はんだに対する濡れ性が低いことが好ましい。

第２金属端子部４０は、第２平板部４８と、第２平板部４８に接続する第２嵌合アーム部４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂ，４５ａ，４５ｂと、同じく第２平板部４８に接続する第２実装部４９を有する。第２金属端子部４０の第２平板部４８は、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａに対向している。

図６は、第２金属端子部４０を示す斜視図である。図６に示すように、第２平板部４８には、第２突出部４８ｂが形成されている。図７に示すように、第２突出部４８ｂは、第２端面２０ｂに向かって突出して第２端面２０ｂと接触する。第２突出部４８ｂは、第１突出部３８ｂと同様に、チップコンデンサ２０の振動を第２金属端子部４０に伝わり難くする効果を奏する。

図１及び図６に示すように、第２金属端子部４０は、チップコンデンサ２０の第２端子電極２４を挟み込んで把持する３対の第２嵌合アーム部４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂ，４５ａ，４５ｂを有する。１対の第２嵌合アーム部４１ａ，４１ｂは、上側のチップコンデンサ２０における第２端子電極２４の第２回り込み部２４ｃ，２４ｄを挟み込んで把持している。また、他の１対の第２嵌合アーム部４３ａ，４３ｂは、下側のチップコンデンサ２０における第２端子電極２４の第２回り込み部２４ｃ，２４ｄを挟み込んで把持している（図４及び図５参照）。さらに、別の他の１対の第２嵌合アーム部４５ａ，４５ｂは、上側のチップコンデンサ２０における第２端子電極２４の第２回り込み部２４ｅと、下側のチップコンデンサ２０における第２端子電極２４の第２回り込み部２４ｆを挟み込んで把持している（図２参照）。

第２嵌合アーム部４１ａ，４１ｂ及び第２嵌合アーム部４３ａ，４３ｂは、チップコンデンサ２０の側面２０ｃ〜２０ｆのうち、第２実装部４９に略垂直に配置される側面２０ｃ，２０ｄに対向している（図４等参照）。これに対して、第２嵌合アーム部４５ａ，４５ｂは、チップコンデンサ２０の側面２０ｃ〜２０ｆのうち、第２実装部４９に略平行に配置される側面２０ｅ，２０ｆに対向している（図２参照）。

図６に示すように、第２嵌合アーム部４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂ，４５ａ，４５ｂにおけるそれぞれの対向面には、第２係合突起４２ｂ，４４ｂ，４６ｂが形成されている。図６では、他の部材の裏側にあって見えないが、第２嵌合アーム部４１ａ，４３ａ，４５ａにも、第２嵌合アーム部４１ｂ，４３ｂ，４５ｂと同様に、第２係合突起４２ａ，４４ａ，４６ａが形成されている。

第２係合突起４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂ，４６ａ，４６ｂは、第２端子電極２４の第２回り込み部２４ｃ〜２４ｆに係合し、第２金属端子部４０が、第２端子電極２４から外れてしまうことを、効果的に防止できる。第２係合突起４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂ，４６ａ，４６ｂの形状は、図６に示すような四角錐状に限定されず、三角錐状、部分球状、角柱状など、第２回り込み部２４ｃ〜２４ｆに係合できる形状であれば特に限定されない。

ただし、第２係合突起４２ｂを例に説明すると、第２係合突起４２ｂは、第２係合突起４２ｂの突起端部４２ｂａから、第２平板部４８に向かって、突起の高さ（第２回り込み部２４ｄに向かって突出する方向の長さ）若しくは突起の幅（突起端部４２ｂａから第２平板部４８へ向かう方向及び突出する方向に垂直な方向の長さ）が大きくなることが好ましい。第２係合突起４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂ，４６ａ，４６ｂを、突起端部から第２平板部４８側へ向かって拡大する形状とすることにより、第２金属端子部４０が、第２端子電極２４から外れてしまうことを、より効果的に防止できる。

図１１は、第２金属端子部４０の断面図であり、第２嵌合アーム部４１ａ，４１ｂに形成されており、互いに対向する２つの第２係合突起４２ａ，４２ｂを通る断面を表している。第２金属端子部４０が自由状態（チップコンデンサ２０を把持していない状態）にあるときに、第２係合突起４２ａの頂部から第２係合突起４２ｂの頂部までの間隔Ｗ３は、チップコンデンサ２０における第２回り込み部２４ｃから第２回り込み部２４ｄまでの間隔Ｗ１より狭い。したがって、図１に示すように、チップコンデンサ２０の第２端子電極２４が、第２嵌合アーム部４１ａと第２嵌合アーム部４１ｂの間に挿入されると、第２金属端子部４０が弾性変形し、第２金属端子部４０は、対向する第２嵌合アーム部４１ａ，４１ｂの間に第２端子電極２４を挟んで把持できる。

また、第２嵌合アーム部４１ａ，４１ｂの先端部４１ａａ，４１ｂａは、第２端子電極２４を第２嵌合アーム部４１ａ，４１ｂの間にスムーズに挿入できるように、互いに離間する方向に曲げられている。この場合、第２嵌合アーム部４１ａの先端部４１ａａから第２嵌合アーム部４１ｂの先端部４１ｂａまでの間隔Ｗ２は、第２金属端子部４０が自由状態にあるときにも、第２回り込み部２４ｃから第２回り込み部２４ｄまでの間隔Ｗ１より広いことが好ましい。

図１及び図２に示すように、第２金属端子部４０の第２実装部４９は、チップコンデンサ２０の第４側面２０ｆに略平行に延在している。第２実装部４９も、第１実装部３９と同様に、下側のチップコンデンサ２０の第４側面２０ｆから所定の空間を挟んで配置されている。第２実装部４９においても、第１実装部３９と同様の理由により、実装部上面４９ｂは、実装部底面４９ａより、はんだに対する濡れ性が低いことが好ましい。

第１金属端子部３０及び第２金属端子部４０の材質は、導電性を有する金属材料であれば特に限定されず、例えば鉄、ニッケル、銅、銀等若しくはこれらを含む合金を用いることができる。特に、第１金属端子部３０及び第２金属端子部４０の材質をりん青銅とすることが、第１及び第２金属端子部３０，４０の比抵抗を抑制し、セラミックコンデンサ１０のＥＳＲを低減する観点から好ましい。

以下に、セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。

チップコンデンサ２０の製造方法
まず、焼成後に誘電体層２８となるグリーンシートを形成するために、グリーンシート用塗料を準備する。グリーンシート用塗料は、本実施形態では、誘電体材料の原料と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。

誘電体材料の原料としては、焼成後にチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムとなる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。誘電体材料の原料として、例えば平均粒子径が０．２〜０．５μｍ程度の粉末状のものを用いることができるが、特に限定されない。

有機ビヒクルとは、バインダ樹脂を有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いられるバインダ樹脂としては、特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などの通常の各種バインダ樹脂が例示される。

また、有機ビヒクルに用いられる有機溶剤も特に限定されず、アルコール、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、トルエン、キシレン、酢酸エチル、ステアリン酸ブチル、ターピネオール、ブチルカルビトール、イソボニルアセテートなどの通常の有機溶剤が例示される。なお、グリーンシート用塗料が水系ペーストである場合には、バインダ樹脂としてたとえばポリビニルアルコールなどの水溶性のものを用いればよい。

また、グリーンシート用塗料中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、帯電除剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物が含有されても良い。

次に、上述のグリーンシート用塗料を用いて、キャリアシート上に、グリーンシートを形成する。グリーンシートの厚みは特に限定されないが、例えば２．０〜７．０μｍ程度とすることができる。グリーンシートは、キャリアシートに形成された後に乾燥される。

次に、グリーンシートの一方の表面に、焼成後に内部電極層２７となる電極パターンを形成する。電極パターンの形成方法としては、特に限定されないが、印刷法、転写法、薄膜法などが例示される。グリーンシートの上に電極パターンを形成した後、乾燥することにより、電極パターンが形成されたグリーンシートを得る。

内部電極層用塗料は、各種導電性金属や合金からなる導電体材料、あるいは焼成後に上記した導電体材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、有機ビヒクルとを混練して調製する。

内部電極層用塗料を製造する際に用いる導電体材料としては、ＮｉやＮｉ合金、さらにはこれらの混合物を用いることが好ましい。このような導電体材料は、球状、リン片状等、その形状に特に制限はなく、また、これらの形状のものが混合したものであってもよい。

有機ビヒクルは、グリーンシート用塗料のそれと同様に、バインダ樹脂および有機溶剤を含有するものである。バインダ樹脂としては、たとえばエチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリスチレン、または、これらの共重合体などが例示される。

また、溶剤としては、たとえばテルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン等公知のものはいずれも使用可能である。さらに、内部電極層用塗料中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、帯電除剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物が含有されても良い。

次に、内部電極パターンが形成されたグリーンシートを、キャリアシートから剥離しつつ所望の積層数まで積層し、グリーン積層体を得る。なお、積層の最初と最後には、内部電極パターンが形成されていない外層用グリーンシートを、積層する。

その後、このグリーン積層体を最終加圧する。最終加圧時の圧力は、好ましくは１０〜２００ＭＰａである。また、加熱温度は、４０〜１００℃が好ましい。さらに、積層体を所定サイズに切断し、グリーンチップを得る。得られたグリーンチップは熱処理（固化乾燥）される。熱処理の条件は特に限定されないが、減圧雰囲気下において、１４０〜１８０℃、２〜１０時間とすることができる。

次に、熱処理後にグリーンチップに対して研磨を行う。研磨方法は特に制限されず、また、乾式であるか湿式であるかは問わないが、例えば湿式バレル研磨を採用することができる。

研磨後に脱バインダ処理を行う。脱バインダ処理の条件は特に限定されないが、例えば空気中または窒素雰囲気下で、昇温速度を５〜３００℃／時間、保持温度を２００〜４００℃、温度保持時間を０．５〜２０時間とすることができる。

続いて、グリーンチップの焼成を実施する。焼成条件は特に限定されないが、例えば還元雰囲気下で、昇温速度を５０〜５００℃／時間、保持温度を１０００〜１４００℃、温度保持時間を０．５〜８時間、冷却速度を５０〜５００℃／時間とすることができる。焼成後に、必要に応じてアニール処理、研磨等を施すことにより、図７に示すコンデンサ素体２６を得る。

最後に、コンデンサ素体２６に第１端子電極２２及び第２端子電極２４を形成する。端子電極２２，２４は、例えば端子電極用塗料を焼きつけて下地電極を形成した後、下地電極の表面にめっきによる金属被膜を形成することにより、作製する。なお、端子電極用塗料は、上記した内部電極層用塗料と同様にして調製することができ、端子電極用塗料の焼成条件は、例えば、加湿したＮ_２とＨ_２との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることができる。

第１金属端子部３０及び第２金属端子部４０の製造方法
第１金属端子部３０及び第２金属端子部４０の製造では、まず、図１０（ａ）に示すような平板状の金属板材８０を準備する。金属板材８０の材質は、導電性を有する金属材料であれば特に限定されず、例えば鉄、ニッケル、銅、銀等若しくはこれらを含む合金を用いることができる。なお、第１金属端子部３０と第２金属端子部４０は、同様の製造方法で作成することができるため、第２電極端子部４０を例に挙げて説明を行う。

次に、金属板材８０を機械加工することにより、中間部材８２を得る（図１０（ｂ））。具体的な加工方法は特に限定されず、例えばプレス加工、切削加工等を用いて、金属板材８０から、第２平板部４８、第２嵌合アーム部４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂ，４５ａ，４５ｂ、第２係合突起４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂ，４６ａ，４６ｂ、第２実装部４９等の形状を形成する。なお、図６に示すように、第２金属端子部４０が、第２実装部４９に略平行に配置される第２嵌合アーム部４５ａ，４５ｂを有する場合、第２実装部４９に近接する側の第２嵌合アーム部３５ｂは、第２平板部４８に形成された第２貫通孔４８ａの縁部で、第２平板部４８に接続する。このようにすれば、金属板材８０を単純に機械加工するだけで、第２実装部４９と、これに略平行な一対の第２嵌合アーム部４５ａ，４５ｂを有する第２金属端子部４０の形状を、容易に形成することができる。

次に、中間部材８２の表面に、めっきによる金属被膜８４を形成することにより、第２金属端子部４０を得る（図１０（ｃ））。めっきに用いる材料としては、特に限定されないが、例えばＮｉ、Ｓｎ、Ｃｕ等が挙げられる。また、めっき処理の際、第２実装部４９の実装部上面４９ｂにレジスト処理を施すことにより、実装部上面４９ｂにめっきが付着することを防止できる。これにより、実装部上面４９ｂと実装部底面４９ａのはんだに対する濡れ性に、差異を発生させることができる。なお、中間部材８２全体にめっき処理を施して金属被膜８４を形成した後、実装部上面４９ｂに形成された金属被膜のみを、レーザー剥離等で除去しても、同様の差異を発生させることができる。

セラミックコンデンサ１０の組み立て
上述のようにして得られたチップコンデンサ２０を２つ準備し、図１に示すように重ねて保持した状態で、第１端子電極２２と第２端子電極２４に、それぞれ第１金属端子部３０と第２金属端子部４０を取り付け、セラミックコンデンサ１０を得る。図１１に示すように、金属端子部３０，４０の各嵌合アーム部の先端（先端部４１ａａ，４１ｂａ）は、互いに離間するように湾曲しているので、チップコンデンサ２０の各端面２０ａ,２０ｂと、金属端子部３０，４０の平板部３８，４８とを互いに近づけていくだけで、端子電極２２,２４を、一対の嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ,４１ａ，４１ｂ等の間にはめ込むことができる。

なお、チップコンデンサ２０に第１及び第２金属端子部３０，４０を取り付けた後、必要に応じて、端子電極２２，２４の回り込み部２２ｃ〜２２ｆ,２４ｃ〜２４ｆと、これに係合している係合突起３６ａ，３６ｂ,４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂ，４６ａ，４６ｂを、少なくとも一方の表面に形成された金属メッキを溶解させることにより、溶着させても良い。これにより、端子電極２２，２４と金属端子部３０，４０との電気的接合性が向上するとともに、チップコンデンサ２０と金属端子部３０，４０との物理的な結合を補強することができる。

このように、セラミックコンデンサ１０では、第１及び第２金属端子部３０，４０が、嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ，３５ａ，３５ｂ, ４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂ，４５ａ，４５ｂを有し、チップコンデンサ２０における端子電極２２，２４の回り込み部２２ａ〜２２ｆ，２４ｃ〜２４ｆを挟み込んで把持する。そのため、セラミックコンデンサ１０は、容易に組み立てることができ、製造が容易である。また、セラミックコンデンサ１０は、高温環境や温度変化の大きい環境で使用された場合でも、はんだ等を接合材料とする従来技術とは異なり、接合材料と金属端子部３０，４０との熱膨張率の違いにより、チップコンデンサ２０と金属端子部３０，４０との接合が解除されてしまう恐れがない。

また、セラミックコンデンサ１０は、嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ，４１ａ，４１ｂ等でチップコンデンサ２０を把持する構造であるため、チップコンデンサ２０と金属端子部３０，４０との接触面積を、両者の良好な導通を確保しつつ、低減することが可能である。これにより、セラミックコンデンサ１０は、チップコンデンサ２０で発生する電歪等による振動が、金属端子部３０，４０を介して実装基板等に伝わり音鳴きが発生する現象を、防止することができる。

図１に示すように、セラミックコンデンサ１０は、チップコンデンサ２０を実装部３９，４０に対して平行な方向から把持する嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ，４１ａ，４１ｂ等と、チップコンデンサ２０を実装部３９，４０に対して垂直な方向から把持する嵌合アーム部３５ａ，３５ｂ，４５ａ，４５ｂとを有する。このように、セラミックコンデンサ１０は、実装部３９，４０に対して平行な方向と垂直な方向の両方から、チップコンデンサ２０を把持することができるため、耐衝撃性に優れており、高い信頼性を有する。

その他の実施形態
チップコンデンサ２０に取り付けられる金属端子は、第１実施形態で示す形状に限定されず、セラミックコンデンサの用途等に応じて、様々な改変を行うことが可能である。図８は、本発明の第２〜第６実施形態に係るセラミックコンデンサに用いられる第１金属端子を表す概念図である。なお、第２〜第６実施形態に係るセラミックコンデンサでは、第１及び第２金属端子以外の構成については第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様であり、第１金属端子と第２金属端子の形状も同じであるため、第１金属端子以外の説明については省略する。

図８（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るセラミックコンデンサに含まれる第１金属端子部５０を表している。第１金属端子部５０は、チップコンデンサ２０の側面のうち、第１実装部３９に略垂直に配置される側面２０ｃ，２０ｄに対向する第１嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂを有する。しかし、第１金属端子部５０は、第１実施形態に係る第１金属端子部３０とは異なり、第１実装部３９に対して平行な側面を把持する嵌合アーム部を有しない。

ここで、チップコンデンサ２０のような積層電子部品は、誘電体層２８と内部電極層２７の積層方向（図７参照）に関して寸法バラツキを生じやすく、その他の方向に関しては、積層方向より寸法バラツキが少ない傾向にある。図７に示すように、チップコンデンサ２０の積層方向が、第１実装部３９に対して垂直方向である場合、図８（ａ）に示す第１金属端子部５０のように、チップコンデンサ２０を第１実装部３９に対して水平な方向から把持するほうが、第１嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ等の把持力を安定させることができる。

図８（ａ）に示す第１金属端子部５０も、作製に用いる金属板材８０（図１０参照）の厚さ等を調整することにより、チップコンデンサ２０を安定して把持することができ、第１実施形態に係る第１金属端子部３０と同様の効果を奏する。また、第１金属端子部５０は、チップコンデンサ２０との接触箇所が、第１実施形態に係る第１金属端子部３０より少ないため、音鳴き防止の観点では有利である。

図８（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係るセラミックコンデンサに含まれる第１金属端子部５４を表している。第１金属端子部５４は、第１係止部５６を有する点で、図８（ａ）に示す第１金属端子部５０と異なるが、その他の構成は第１金属端子部５０と同様である。第１係止部５６は、第１嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ等に対して略垂直に配置されており、チップコンデンサ２０の第３側面２０ｅに対向する。

第１係止部５６は、第１嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ等のように対になっておらず、また、第１係止部５６には、係合突起も形成されていない。しかし、第１係止部５６を有する第１金属端子部５４は、チップコンデンサ２０と第１金属端子部５０とを組み立てる際、第１係止部５６と第３側面２０ｅとを接触させることにより、容易に位置決めを行うことができる。なお、第１金属端子部５４と対になって使用される第２金属端子も、第１金属端子部５４と同様に、第２係止部を有する。

図８（ｃ）は、本発明の第４実施形態に係るセラミックコンデンサに含まれる第１金属端子部６０を表している。第１金属端子部６０は、第１係止部６２を有する点で、図８（ａ）に示す第１金属端子部５０と異なるが、その他の構成は第１金属端子部５０と同様である。第１係止部６２は、第１嵌合アーム部３１ａ，３１ｂ等に対して略垂直に配置されており、チップコンデンサ２０の側面のうち、第１実装部３９側を向く第４側面２０ｆに対向する。

第１金属端子部６０の第１平板部６４には、第１貫通孔６４ａが形成されており、第１係止部６２は、第１貫通孔６４ａの縁部で、第１平板部６４に接続している。このような第１係止部６２を有する第１金属端子部は、図１０に示すような金属板材８０を加工するだけで容易に作製することができる。また、第１係止部６２には、第３実施形態に係る第１金属端子部５４の第１係止部５６と同様に、係合突起が形成されていない。しかし、第１係止部６２は、組み立ての際の位置決めに有用であるだけでなく、組み立て後にチップコンデンサ２０を支持することができるため、第１金属端子部６０を有するセラミックコンデンサは、優れた耐久性を有する。なお、第１金属端子部６０と対になって使用される第２金属端子も、第１金属端子部６０と同様に、第２貫通孔が形成された第２平板部と、第２係止部とを有する。

図８（ｄ）は、本発明の第５実施形態に係るセラミックコンデンサに含まれる第１金属端子部６６を表している。第１金属端子部６６は、第１係止部５６及び第１係止部６２を有する点で、図８（ａ）に示す第１金属端子部５０と異なるが、その他の構成は、第１金属端子部５０と同様である。第１金属端子部６６は、第３実施形態に係る第１金属端子部５４と同様の第１係止部５６と、第４実施形態に係る第１金属端子部６０と同様の第１係止部６２とを有する。このように、第１金属端子部６６は、一対の互いに対向する第１係止部５６，６２を有しても良く、このような第１金属端子部６６を有するセラミックコンデンサは、組み立て性及び耐久性に優れている。

図８（ｅ）は、本発明の第６実施形態に係るセラミックコンデンサに含まれる第１金属端子部７０を表している。第１金属端子部７０は、チップコンデンサ２０の側面のうち、第１実装部３９に略平行に配置される側面２０ｃ，２０ｄに対向する第１嵌合アーム部３５ａ，３５ｂを有する。しかし、第１金属端子部７０は、第１実施形態に係る第１金属端子部３０とは異なり、第１実装部３９に対して垂直な側面を把持する嵌合アーム部を有しない。

図７に示すチップコンデンサ２０とは異なり、チップコンデンサの積層方向が、第１実装部３９に対して平行な方向である場合、図８（ｄ）に示す第１金属端子部７０のように、チップコンデンサ２０を第１実装部３９に対して垂直な方向から把持するほうが、チップコンデンサ２０の寸法ばらつきが少ないため、第１嵌合アーム部３５ａ，３５ｂの把持力を安定させることができる。また、第１金属端子部７０は、チップコンデンサ２０との接触箇所が少ないため、音鳴き防止の観点では有利である。

図９は、本発明の第８実施形態に係るセラミックコンデンサ７６の斜視図である。セラミックコンデンサ７６は、１つのチップ部品と、第１金属端子部７７と、第２金属端子部７８とを有する。図９に示すように、セラミックコンデンサ７６に含まれるチップコンデンサ２０の数は１つでも良く、また、３つ以上でも良い。セラミックコンデンサ７６も、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏する。

１０,７６…セラミックコンデンサ
２０…チップコンデンサ
２０ａ…第１端面
２０ｂ…第２端面
２０ｃ…第１側面
２０ｄ…第２側面
２０ｅ…第３側面
２０ｆ…第４側面
２２…第１端子電極
２２ｃ,２２ｄ,２２ｅ,２２ｆ… 第１回り込み部
２４…第２端子電極
２４ｃ,２４ｄ,２４ｅ,２４ｆ… 第２回り込み部
２６…コンデンサ素体
２７…内部電極層
２８…誘電体層
３０,５０,５４,６０,６６,７０,７７…第１金属端子部
３１ａ,３１ｂ,３３ａ,３３ｂ,３５ａ,３５ｂ…第１嵌合アーム部
３６ａ,３６ｂ…第１係合突起
３８,６４…第１平板部
３８ｂ…第１突出部
３９…第１実装部
３９ａ,４９ａ…実装部底面
３９ｂ,４９ｂ…実装部上面
４０,７８…第２金属端子部
４１ａ,４１ｂ,４３ａ,４３ｂ,４５ａ,４５ｂ…第２嵌合アーム部
４１ａａ,４１ｂａ…先端部
４２ａ,４２ｂ,４４ａ,４４ｂ,４６ａ,４６ｂ…第２係合突起
４２ｂａ…突起端部
４８…第２平板部
４８ａ…第２貫通孔
４８ｂ…第２突出部
４９…第２実装部
５６,６２…第１係止部
６４ａ…第１貫通孔
８０…金属板材
８２…中間部材
８４…金属被膜

Claims (16)

1. 第１端面から側面の一部に回り込むように形成される第１端子電極と、前記第１端面とは反対方向を向く第２端面から前記側面の他の一部に回り込むように形成される第２端子電極と、を有し、略直方体形状であるチップ部品と、
   前記第１端面に対向する第１平板部と、前記第１平板部に接続しており、前記第１端子電極のうち前記チップ部品の前記側面に位置する部分である第１回り込み部に係合する第１係合突起が形成されており、前記第１回り込み部を挟み込んで把持する少なくとも一対の第１嵌合アーム部と、前記第１平板部に接続しており、前記チップ部品から所定の空間を挟んで、いずれかの前記側面に略平行に延在する第１実装部と、を有する第１金属端子部と、
   前記第２端面に対向する第２平板部と、前記第２平板部に接続しており、前記第２端子電極のうち前記チップ部品の前記側面に位置する部分である第２回り込み部に係合する第２係合突起が形成されており、前記第２回り込み部を挟み込んで把持する少なくとも一対の第２嵌合アーム部と、前記第２平板部に接続しており、前記チップ部品から所定の空間を挟んで、いずれかの前記側面に略平行に延在する第２実装部と、を有する第２金属端子部と、を有し、
   前記第１平板部と前記第１端面との接触面積を低減するために、前記第１平板部には、前記第１端面に向かって突出して前記第１端面と接触する第１突出部が形成されており、
   前記第２平板部と前記第２端面との接触面積を低減するために、前記第２平板部には、前記第２端面に向かって突出して前記第２端面と接触する第２突出部が形成されているセラミック電子部品。
2. 第１端面から側面の一部に回り込むように形成される第１端子電極と、前記第１端面とは反対方向を向く第２端面から前記側面の他の一部に回り込むように形成される第２端子電極と、を有し、略直方体形状であるチップ部品と、
   前記第１端面に対向する第１平板部と、前記第１平板部に接続しており、前記第１端子電極のうち前記チップ部品の前記側面に位置する部分である第１回り込み部に係合する第１係合突起が形成されており、前記第１回り込み部を挟み込んで把持する少なくとも一対の第１嵌合アーム部と、前記第１平板部に接続しており、前記チップ部品から所定の空間を挟んで、いずれかの前記側面に略平行に延在する第１実装部と、を有する第１金属端子部と、
   前記第２端面に対向する第２平板部と、前記第２平板部に接続しており、前記第２端子電極のうち前記チップ部品の前記側面に位置する部分である第２回り込み部に係合する第２係合突起が形成されており、前記第２回り込み部を挟み込んで把持する少なくとも一対の第２嵌合アーム部と、前記第２平板部に接続しており、前記チップ部品から所定の空間を挟んで、いずれかの前記側面に略平行に延在する第２実装部と、を有する第２金属端子部と、を有し、
   前記第１金属端子部が前記第１回り込み部を把持していない状態にあるときに、対向する２つの前記第１係合突起の頂部の間隔は、前記第１回り込み部の間隔より狭く、
   前記第２金属端子部が前記第２回り込み部を把持していない状態にあるときに、対向する２つの前記第２係合突起の頂部の間隔は、前記第２回り込み部の間隔より狭いセラミック電子部品。
3. 前記第１嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第１実装部に対して略垂直に配置される側面に対向しており、
   前記第２嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第２実装部に対して略垂直に配置される側面に対向していることを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
4. 前記第１嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第１実装部に対して略平行に配置される側面に対向しており、
   前記第２嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第２実装部に対して略平行に配置される側面に対向していることを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
5. 少なくとも２対の前記第１嵌合アーム部を有しており、一方の前記第１嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第１実装部に対して略垂直に配置される側面に対向しており、他方の前記第１嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第１実装部に対して略平行に配置される側面に対向しており、
   少なくとも２対の前記第２嵌合アーム部を有しており、一方の前記第２嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第２実装部に対して略垂直に配置される側面に対向しており、他方の前記第２嵌合アーム部は、前記チップ部品の前記側面のうち、前記第２実装部に対して略平行に配置される側面に対向していることを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
6. 前記第１係合突起は、前記第１係合突起の突起端部から、第１平板部へ向かって、突起の高さ若しくは突起の幅が大きくなり、
   前記第２係合突起は、前記第２係合突起の突起端部から、第２平板部へ向かって、突起の高さ若しくは突起の幅が大きくなることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
7. 前記チップ部品の前記第１端子電極及び前記第２端子電極は、表面を被覆する金属メッキ層を備えることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
8. 前記第１嵌合アーム部の前記第１係合突起及び前記第２嵌合アーム部の前記第２係合突起は、最表面を被覆する金属メッキ層を備えることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
9. 前記第１係合突起と前記第１回り込み部、及び、前記第２係合突起と前記第２回り込み部は、前記金属メッキ層を介して溶着されていることを特徴とする請求項８に記載のセラミック電子部品。
10. 前記第１金属端子部及び前記第２金属端子部の材質は、りん青銅が主成分であることを特徴とする請求項１から請求項９までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
11. 前記第１実装部及び前記第２実装部における前記チップ部品側の表面は、前記第１実装部及び前記第２実装部における前記チップ部品と反対側の表面より、はんだに対する濡れ性が低いことを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
12. 前記第１平板部に接続しており、前記第１嵌合アーム部に対して略垂直に配置され、前記チップ部品の前記側面に接触する第１係止部と、
    前記第２平板部に接続しており、前記第２嵌合アーム部に対して略垂直に配置され、前記チップ部品の前記側面に接触する第２係止部と、を有することを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
13. 前記第１係止部は、前記第１実装部とは反対側を向く前記チップ部品の前記側面に対向しており、
    前記第２係止部は、前記第２実装部とは反対側を向く前記チップ部品の前記側面に対向していることを特徴とする請求項１２に記載のセラミック電子部品。
14. 前記第１係止部は、前記第１実装部側を向く前記チップ部品の前記側面に対向しており、
    前記第２係止部は、前記第２実装部側を向く前記チップ部品の前記側面に対向していることを特徴とする請求項１２に記載のセラミック電子部品。
15. 前記第１平板部には第１貫通孔が形成されており、前記第１係止部は、前記第１貫通孔の縁部で、前記第１平板部に接続しており、
    前記第２平板部には第２貫通孔が形成されており、前記第２係止部は、前記第２貫通孔の縁部で、前記第２平板部に接続していることを特徴とする請求項１２から請求項１４までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
16. 前記第１金属端子部及び第２金属端子部は、平板状の金属板材を機械加工して作製されていることを特徴とする請求項１から請求項１５までのいずれかに記載のセラミック電子部品。

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