JP6255742B2 - 金属端子付きセラミック電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、チップ部品とこれに取り付けられる金属端子を有するセラミック電子部品に関する。

セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品としては、単体で直接基板等に面実装等する通常のチップ部品の他に、チップ部品に金属端子が取り付けられたものが提案されている。金属端子が取り付けられているセラミック電子部品は、実装後において、チップ部品が基板から受ける変形応力を緩和したり、チップ部品を衝撃等から保護する効果を有することが報告されており、耐久性及び信頼性等が要求される分野において使用されている（特許文献１等参照）。

また、金属端子を用いたセラミック電子部品は、はんだ等を用いて実装基板に取り付けられる。セラミック電子部品を実装基板に取り付ける際に使用されるはんだの量等は、セラミック電子部品を実装基板に対して確実に固定し、電気的な導通を確保するという観点から管理・調整されることが多く、余分なはんだが実装部付近に付着する場合もある。

特開平１１−４０４６０号公報

従来技術に係る金属端子付きセラミック電子部品では、電子部品に生じる電歪等の影響により、使用時に音鳴きが発生するという問題が発生している。本発明に係る発明者らは、金属端子付きセラミック電子部品での音鳴きが、当該セラミック電子部品を実装基板に接合しているはんだの付着状態と関係があることを見いだし、本発明を完成するに至った。

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、使用時の音鳴きを防止できる金属端子付きセラミック電子部品を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係るセラミック電子部品は、
両端部に端子電極が形成されているチップ部品と、
前記チップ部品の端面に対向するように配置される平板部対向面を有しており接合部を介して前記端子電極に接続される平板部と、前記平板部の一方の端部に接続しており前記平板部に対して略垂直方向に延在する実装部と、を有する一対の金属端子と、を有し、
前記実装部は、前記平板部に対して略２７０度の角度を形成する実装部底面と、前記平板部に対して略９０度の角度を形成する実装部上面とを有し、
前記平板部には、前記実装部底面よりはんだ濡れ性が低いはんだ付着防止領域が形成されていることを特徴とする。

本発明に係るセラミック電子部品では、平板部にはんだ付着防止領域が形成されており、セラミック電子部品を基板に実装する際に用いるはんだが、金属端子の平板部に過剰に付着することを防止することができる。これにより、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック電子部品を基板に実装する際に用いるはんだが、実装部底面以外の部分に過度に付着することによってチップ部品で発生した振動が実装基板に伝わり易くなることを防止し、チップ部品で発生した振動が実装基板に伝わることにより音鳴きが発生する現象を、効果的に抑制することができる。

また、例えば、前記はんだ付着防止領域は、前記平板部対向面のうち前記一方の端部から前記チップ部品への接続位置までの間の少なくとも一部に形成されている内側防止領域を有しても良い。

はんだ付着防止領域が内側防止領域を有することにより、セラミック電子部品を基板に実装する際に用いるはんだがチップ部品まで繋がり音鳴きが悪化する問題を、効果的に防止できる。

また、例えば、前記はんだ付着防止領域は、前記一方の端部から０．０５〜０．５ｍｍの間隔を隔てて形成されても良い。

はんだ付着防止領域を、実装部との接続部分である一方の端部から所定の間隔を隔てて形成することにより、セラミック電子部品を基板に実装する際に用いるはんだの量が製造ばらつき等により通常より多い場合にも、音鳴きを効果的に防止することができる。なぜなら、このようなセラミック電子部品では、はんだ付着防止領域より実装部側にはんだが付着し保持されるために、セラミック電子部品を基板に実装する際に用いるはんだが、はんだ付着防止領域を乗り越えてチップ部品まで繋がる問題を、効果的に防止することができるからである。

また、例えば、前記実装部上面と前記平板部対向面とは、略９０度の角度を形成しても良い。

実装部とチップ部品との距離が近い構造であっても、はんだ付着防止領域が平板部に形成されることによりはんだがチップ部品まで繋がることを防止できるため、このような金属端子付きセラミック電子部品は、音鳴き防止と実装面積の低減を両立することができる。

また、例えば、前記チップ部品は積層セラミックコンデンサであっても良い。

平板部にはんだ付着防止領域が形成されることにより、チップ部品で発生した振動が実装基板に伝わることを防止できるため、チップ部品として振動が発生しやすい積層セラミックコンデンサを採用した場合でも、音鳴きを効果的に抑制できる。

図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミック電子部品を示す概略正面図である。 図２は、図１に示すセラミック電子部品の概略斜視図である。 図３は、図１に示すセラミック電子部品に含まれるチップ部品の内部構造を表す概略断面図である。 図４は、図１に示すセラミック電子部品に含まれる金属端子部の内部構造を表す概略断面図である。 図５は、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品の部分斜視図である。 図６は、本発明の第３実施形態に係るセラミック電子部品に使用される金属端子の概略斜視図である。 図７は、本発明の第４実施形態に係るセラミック電子部品の要部斜視図である。 図８は、本発明の第５実施形態に係るセラミック電子部品に使用される金属端子の概略斜視図である。

第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０を示す概略正面図である。セラミックコンデンサ１０は、チップ部品であるチップコンデンサ１２と、接合部４２，４４を介してセラミックコンデンサ１０と接続されている一対の金属端子部２０，３０を有する。なお、各実施形態の説明では、チップコンデンサ１２に金属端子部２０，３０が取り付けられたセラミックコンデンサを例に説明を行うが、本発明のセラミック電子部品としてはこれに限られず、コンデンサ以外のチップ部品に金属端子部２０，３０が取り付けられたものであっても良い。

図３は、セラミックコンデンサ１０に含まれるチップコンデンサ１２の断面図であり、チップコンデンサ１２の内部構造が模式的に示されている。チップコンデンサ１２は、コンデンサ素体１７と、第１端子電極１４及び第２端子電極１６によって構成される一対の端子電極１４，１６とを有する。コンデンサ素体１７は、セラミック層としての誘電体層１９と、内部電極層１８とを有し、誘電体層１９と内部電極層１８とが交互に積層してある。

誘電体層１９の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムまたはこれらの混合物などの誘電体材料で構成される。各誘電体層１９の厚みは、特に限定されないが、数μｍ〜数百μｍのものが一般的である。本実施形態では、好ましくは１．０〜５．０μｍである。

内部電極層１８に含有される導電体材料は特に限定されないが、誘電体層１９の構成材料が耐還元性を有する場合には、比較的安価な卑金属を用いることができる。卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層１８は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層１８の厚みは用途等に応じて適宜決定すればよい。

端子電極１４，１６の材質も特に限定されず、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極１４，１６の厚みも特に限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。なお、端子電極１４，１６の表面には、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎ等の金属被膜が形成されていても良い。

チップコンデンサ１２の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。チップコンデンサ１２が直方体形状の場合は、通常、縦（０．６〜５．６ｍｍ、好ましくは０．６〜３．２ｍｍ）×横（０．３〜５．０ｍｍ、好ましくは０．３〜１．６ｍｍ）×厚み（０．１〜１．９ｍｍ、好ましくは０．３〜１．６ｍｍ）程度である。

図１及び図２に示すように、金属端子部２０，３０は、平板をＬ字に折り曲げた形状を有している。第１金属端子部２０は、チップコンデンサ１２の端面１２ａに対向するように配置される平板部対向面２２ａを有する平板部２２と、平板部２２の一方の端部２２ｂに接続しており、平板部２２に対して略垂直方向に延在する実装部２４とを有する。図１に示すように、平板部２２は、接合部４２を介して、チップコンデンサ１２の第１端子電極１４に接続されている。

図１に示すように、接合部４２は、第１端子電極１４と平板部２２とを電気的及び物理的に接続しており、材質は特に限定されないが、例えば、はんだ若しくは導電性接着材等で構成される。また、接合部４２をはんだで構成する場合、はんだが含有する元素は特に限定されないが、セラミックコンデンサ１０を実装基板にはんだ付けする際に接合部４２が溶融することを防止するために、接合部４２を構成するはんだとしては、比較的融点の高い高温はんだを用いることが好ましい。

第１金属端子部２０の平板部２２が、チップコンデンサ１２の端面１２ａに平行に延在しているのに対して、第１金属端子部２０の実装部２４は、チップコンデンサ１２の側面に略平行に延在している。すなわち、第１金属端子部２０は、平板部２２から延出されており、平板部２２を基準としてチップコンデンサ１２側と同じ側にＬ字状に折り曲げられた実装部２４を有している。実装部２４は、平板部２２に対して略２７０°の角度を形成する実装部底面２４ａと、平板部２２に対して略９０°の角度を形成する実装部上面２４ｂとを有する。

実装部底面２４ａは、セラミックコンデンサ１０を実装基板に設置する際、実装基板の実装面に対向する面であり、実装基板側を下方と考えれば、セラミックコンデンサ１０において下方を向く面である。セラミックコンデンサ１０を基板に実装する際に用いるはんだは、特に実装部底面２４ａと基板の実装面を接続し、セラミックコンデンサ１０を基板に固定するとともに、セラミックコンデンサ１０と基板との導通を確保する。

実装部上面２４ｂは、実装部２４における実装部底面２４ａとは反対側の面であり、実装基板側を下方と考えれば、セラミックコンデンサ１０において上方を向く面である。本実施形態における金属端子部２０では、実装部２４が内側（他方の金属端子部３０に近づく方向）へ折り曲げられており、実装部上面２４ｂは、チップコンデンサ１２の側面に対向する。

図２において斜線ハッチングで示すように、第１金属端子部２０の平板部２２には、内側防止領域２３が形成されている。内側防止領域２３は、実装部底面２４ａよりはんだ濡れ性が低く、セラミックコンデンサ１０の実装等に用いるはんだが付着しにくいはんだ付着防止領域である。内側防止領域２３は、平板部対向面２２ａのうち、一方の端部２２ｂからチップコンデンサ１２との接続部分の下方端部２２ｃ（接合部４２の下方端部と接触する位置（図１参照））までの間に形成されている。

図４は、第１金属端子部２０における実装部２４と平板部２２との接続部付近を拡大して示す拡大断面図である。はんだ付着防止領域の形成態様は特に限定されないが、例えば、基材２０ａと被覆層２０ｂの材質の違いにより、内側防止領域２３のようなはんだ付着防止領域を形成することができる。本実施形態に係る第１金属端子部２０は、基材２０ａと基材２０ａの表面である基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層２０ｂとを有している。被覆層２０ｂは、基材２０ａよりはんだ濡れ性の高い材料によって構成されており、被覆層２０ｂに被覆されておらず基材表面が露出している平板部対向面２２ａの内側防止領域２３は、被覆層２０ｂが基材２０ａを被覆している実装部底面２４ａより、はんだ濡れ性が低い。

第１金属端子部２０の基材２０ａの構成元素は、特に限定されないが、例えば、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｃｒから選ばれる少なくとも一種の元素を含む単体金属又は合金とすることができる。また、被覆層２０ｂの構成元素は、基材２０ａよりはんだ濡れ性が高くなるように構成されていれば特に限定されないが、例えばＳｎ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれる少なくとも一種の元素を含む単体金属又は合金とすることができ、Ｓｎを主成分とすることが特に好ましい。

なお、図２及び図４に示す例では、平板部２２のうち平板部対向面２２ａの一部に、はんだ付着防止領域である内側防止領域２３が形成されているが、はんだ防止領域の態様としてはこれに限定されず、例えば平板部対向面２２ａの反対側を向く平板部外面に、実装部底面２４ａよりはんだ濡れ性が低いはんだ付着防止領域が形成されていてもよく、また、平板部対向面２２ａと平板部外面の双方にはんだ付着防止領域が形成されていても良い。さらに、はんだ付着防止領域の態様についても、基材表面を露出させる態様に限定されず、例えば実装部底面２４ａを被覆する被覆層２０ｂとは異なる被覆層で、平板部対向面２２ａを被覆する態様や、実装部底面２４ａと平板部対向面２２ａとで表面粗さを変更する態様等を採用することも可能である。

図１に示すように、第２金属端子部３０は、チップコンデンサ１２の端面１２ｂに対向する平板部３２と、平板部３２の一方の端部に接続しており、平板部３２に対して略垂直方向に延在する実装部３４とを有する。第２金属端子部３０における平板部対向面３２ａの一部にも、第１金属端子部２０の平板部対向面２２ａと同様に、実装部底面３４ａよりはんだ濡れ性の低い内側防止領域が形成されている。

第２金属端子部３０は、第１金属端子部２０に対して対称に配置されていることを除き、上述した第１金属端子部２０と同様の構成であるため、その詳細な説明については省略する。また、第２端子電極１６と平板部３２とを電気的及び物理的に接続している接合部４４（図１参照）は、上述した接合部４２と同様の構成である。

以下に、セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。

チップコンデンサ１２の製造方法
まず、焼成後に誘電体層１９となるグリーンシートを形成するために、グリーンシート用塗料を準備する。グリーンシート用塗料は、本実施形態では、誘電体材料の原料と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。誘電体材料の原料としては、焼成後にチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムとなる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。誘電体材料の原料として、例えば平均粒子径が０．２〜０．５μｍ程度の粉末状のものを用いることができるが、特に限定されない。

有機ビヒクルとは、バインダ樹脂を有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いられるバインダ樹脂としては、特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などの通常の各種バインダ樹脂が例示される。なお、グリーンシート用塗料が水系ペーストである場合には、バインダ樹脂としてたとえばポリビニルアルコールなどの水溶性のものを用いればよい。また、有機ビヒクルに用いられる有機溶剤も特に限定されず、アルコール、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）などの通常の有機溶剤が例示される。その他、グリーンシート用塗料中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、帯電除剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物が含有されても良い。

次に、上述のグリーンシート用塗料を用いて、キャリアシート上に、グリーンシートを形成する。グリーンシートの厚みは特に限定されないが、例えば２．０〜７．０μｍ程度とすることができる。グリーンシートは、キャリアシートに形成された後に乾燥される。

次に、グリーンシートの一方の表面に、焼成後に内部電極層１８となる電極パターンを形成する。電極パターンの形成方法としては、特に限定されないが、印刷法、転写法、薄膜法などが例示される。グリーンシートの上に電極パターンを形成した後、乾燥することにより、電極パターンが形成されたグリーンシートを得る。内部電極層用塗料は、各種導電性金属や合金からなる導電体材料、あるいは焼成後に上記した導電体材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、有機ビヒクルとを混練して調製する。

内部電極層用塗料を製造する際に用いる導電体材料としては、ＮｉやＮｉ合金、さらにはこれらの混合物を用いることが好ましい。このような導電体材料は、球状、リン片状等、その形状に特に制限はなく、また、これらの形状のものが混合したものであってもよい。

有機ビヒクルは、グリーンシート用塗料のそれと同様に、バインダ樹脂および有機溶剤を含有するものである。バインダ樹脂としては、たとえばエチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール等が例示され、溶剤としては、たとえばテルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン等公知のものはいずれも使用可能である。さらに、内部電極層用塗料中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、帯電除剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物が含有されても良い。

次に、内部電極パターンが形成されたグリーンシートを、キャリアシートから剥離しつつ所望の積層数まで積層し、グリーン積層体を得る。なお、積層の最初と最後には、内部電極パターンが形成されていない外層用グリーンシートを、積層する。

その後、このグリーン積層体を最終加圧する。最終加圧時の圧力は、好ましくは１０〜２００ＭＰａである。また、加熱温度は、４０〜１００℃が好ましい。さらに、積層体を所定サイズに切断し、グリーンチップを得る。得られたグリーンチップは熱処理（固化乾燥）される。熱処理の条件は特に限定されないが、減圧雰囲気下において、１４０〜１８０℃、２〜１０時間とすることができる。次に、熱処理後のグリーンチップに対して研磨を行う。研磨方法は特に制限されず、また、乾式であるか湿式であるかは問わないが、例えば湿式バレル研磨を採用することができる。

研磨後に脱バインダ処理を行う。脱バインダ処理の条件は特に限定されないが、例えば空気中または窒素雰囲気下で、昇温速度を５〜３００℃／時間、保持温度を２００〜４００℃、温度保持時間を０．５〜２０時間とすることができる。脱バインダ処理に続いて、グリーンチップの焼成を実施する。焼成条件は特に限定されないが、例えば還元雰囲気下で、昇温速度を５０〜５００℃／時間、保持温度を１０００〜１４００℃、温度保持時間を０．５〜８時間、冷却速度を５０〜５００℃／時間とすることができる。焼成後に、必要に応じてアニール処理、研磨等を施すことにより、図３に示すコンデンサ素体１７を得る。

チップコンデンサ１２の製造工程の最後に、コンデンサ素体１７に第１端子電極１４及び第２端子電極１６を形成する。端子電極１４，１６は、例えば端子電極用塗料を焼きつけて下地電極を形成した後、下地電極の表面にめっきによる金属被膜を形成することにより、作製する。なお、端子電極用塗料は、上記した内部電極層用塗料と同様にして調製することができ、端子電極用塗料の焼成条件は、例えば、加湿したＮ_２とＨ_２との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることができる。

第１金属端子部２０及び第２金属端子部３０の製造方法
第１金属端子部２０及び第２金属端子部３０の製造では、まず、平板状の基材２０ａを準備する。基材２０ａの材質は、導電性を有する金属材料であれば特に限定されず、例えばＮｉ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｃｒから選ばれる少なくとも一種の元素を含む金属単体又は合金を用いることができる。

次に、基材２０ａを機械加工によりＬ字状に折り曲げ、平板部２２及び実装部２４の概略形状を形成する。さらに、Ｌ字状の中間部材に対して、めっき等により被覆層２０ｂ（図４参照）を形成する。最後に、平板部対向面２２ａに形成された被覆層２０ｂの一部をレーザー剥離等で除去することに基材２０ａを露出させ、はんだが付着しにくい内側防止領域２３を形成する。これにより、実装部上面２４ｂと平板部対向面２２ａにおける内側防止領域２３とのはんだ濡れ性に、差異を発生させることができる。なお、内側防止領域２３は、被覆層形成処理の際、平板部対向面２２ａに相当する基材２０ａ部分の表面にレジスト処理を施すことにより、内側防止領域２３に被覆層２０ｂが形成されることを防止して形成しても良い。また、基材２０ａを曲げ加工して実装部２４を形成するタイミングは、レーザー剥離によって内側防止領域２３を形成した後であっても良く、また、基材２０ａにめっきを施す前であっても良い。

セラミックコンデンサ１０の組み立て
上述のようにして得られたチップコンデンサ１２と、一対の金属端子部２０，３０を準備し、チップコンデンサ１２の端子電極１４，１６と金属端子部２０，３０の平板部２２，３２とをはんだで接合することにより、セラミックコンデンサ１０を得る。

本実施形態に係るセラミックコンデンサ１０は、図１及び図２に示すように、平板部２２,３２にはんだ付着防止領域である内側防止領域２３が形成されており、セラミックコンデンサ１０を基板に実装する際に用いるはんだが、平板部２２に過剰に付着することを防止することができる。したがって、セラミックコンデンサ１０は、これを基板に実装する際に用いるはんだが、実装部底面２４ａ，３４ａ以外の部分に過度に付着することにより、チップコンデンサ１２で発生した振動が実装基板に伝達し易くなり、これに伴い音鳴きが悪化する現象を、効果的に防止することができる。特に、平板部対向面２２ａの所定位置に内側防止領域２３を形成することにより、基板に実装する際に用いるはんだがチップコンデンサ１２まで繋がることにより金属端子部２０，３０の柔軟な変形が損なわれ音鳴きが悪化する問題を、効果的に防止できる。なお、平板部対向面２２ａだけでなく、実装部上面２４ｂにも、実装部下面２４ａよりはんだ濡れ性の低いはんだ付着防止領域を形成してもよく、これにより、実装部底面２４ａ以外へのはんだの付着が抑制される。

また、セラミックコンデンサ１０は、実装部２４,３４が平板部２２,３２から内側へ向かって延びており、実装部２４,３４とチップコンデンサ１２との距離が近い構造であるが、内側防止領域２３によりはんだがチップコンデンサ１２まで繋がる問題を防止できるため、音鳴き防止と実装面積の低減を両立することができる。また、セラミックコンデンサ１０は、平板部２２へのはんだのはい上がりを内側防止領域２３が防止できるため、実装部２４,３４とチップコンデンサ１２との距離を短くして低背化することも可能である。

また、金属端子部２０，３０を基材２０ａ及び被覆層２０ｂによって構成し、内側防止領域２３には被覆層２０ｂが形成されていない状態とすることにより、実装部底面２４ａ、３４ａとはんだとの接合強度を好適に確保しつつ、内側防止領域２３へのはんだの過度な付着を防止できる。

第２実施形態
内側防止領域は、平板部２２の一方の端部２２ｂまで形成されていても良いが、内側防止領域は一方の端部から所定の間隔を開けて形成されていても良い。図５は、本発明の第２実施形態に係るセラミックコンデンサの部分斜視図である。第２実施形態に係るセラミックコンデンサの金属端子部５０は、平板部対向面５２ａの態様が、第１実施形態に係る金属端子部２０，３０の平板部２２，３２と異なることを除き、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様であるため、重複部分については説明を省略する。

図５に示すように、金属端子部５０の平板部対向面５２ａには、平板部５２の一方の端部５２ｂから所定の間隔を隔てて、内側防止領域５３が形成されている。平板部５２の一方の端部５２ｂから内側防止領域５３までの間隔は、金属端子部５０のサイズ等に応じて調整され、好ましくは０．０５〜０．５ｍｍである。内側防止領域５３は、第１実施形態に係る内側防止領域２３と同様に、実装部底面２４ａよりはんだ濡れ性が低く、セラミックコンデンサ１０の実装等に用いるはんだが付着しにくいはんだ付着防止領域である。

平板部対向面５２ａにおいて、平板部５２に対して実装部２４が接続する一方の端部５２ｂと、内側防止領域５３との間には、はんだ付着領域５２ａａが形成されている。はんだ付着領域５２ａａには、実装部底面２４ａと同様に被覆層２０ｂ（図４参照）が形成されており、はんだ付着領域５２ａａは、内側防止領域５３よりはんだ濡れ性が高い。内側防止領域５３の高さ方向の長さＤ１と、内側はんだ付着領域５２ａａの高さ方向の長さＤ２は、セラミックコンデンサの高さ等に応じて調整すれば良いが、例えば内側防止領域５３の高さ方向の長さＤ１を０．１〜１．０ｍｍとし、内側はんだ付着領域５２ａａの高さ方向の長さＤ２を０．０５〜０．５ｍｍとすることにより、はんだのはい上がりを効果的に防止できる。内側防止領域５３の高さ方向の長さＤ１と、内側はんだ付着領域５２ａａの高さ方向の長さＤ２の比は特に限定されないが、好ましくはＤ２／Ｄ１を０．５程度とすることができる。

金属端子部５０では、はんだ防止領域である内側防止領域５３が、実装部２４から所定の間隔を隔てて形成されていることにより、中間に形成されたはんだ付着領域５２ａａが、はんだを保持してそれ以上のはんだのはい上がりを防ぐ緩衝領域として機能する。そのため、金属端子部５０を有するセラミックコンデンサは、実装に用いたはんだが、内側防止領域５３を乗り越えたり、内側防止領域５３を迂回してチップ部品まで繋がる問題を効果的に防止し、音鳴きを防止できる。

第３実施形態
図６は、本発明の第３実施形態に係るセラミックコンデンサに含まれる金属端子部５６の概略斜視図である。第３実施形態に係るセラミックコンデンサは、金属端子部５６の平板部５８が、第２実施形態に係る金属端子部５０の平板部５２と異なることを除き、第２実施形態に係るセラミックコンデンサと同様であるため、重複部分については説明を省略する。

図６に示すように、金属端子部５６の平板部対向面５８ａの一部には、はんだ付着防止領域である内側防止領域５９よりはんだ濡れ性が高いはんだ付着領域５８ａａ,５８ａｂが形成されている。はんだ付着領域５８ａａは、第２実施形態に係るはんだ付着領域５２ａａと同様に、実装部２４が平板部５８に接続する一方の端部５８ｂと内側防止領域５９との間に形成されている。また、はんだ付着領域５８ａｂは、平板部対向面５８ａの他の一部であって、チップコンデンサ１２の端面１２ａと対向する部分である。はんだ付着領域５８ａｂは、内側防止領域５９が形成されている部分より上方に位置する。

金属端子部５６の平板部５８は、図１に示す金属端子部２０と同様に、はんだによって構成される接合部４２によって、チップコンデンサ１２の端子電極１４に接続される。接合部４２は、図５に示すはんだ付着領域５８ａｂと、端子電極１４とを電気的かつ物理的に接続する。はんだ付着領域５８ａｂには、実装部底面２４ａと同様に被覆層が形成されておりはんだ濡れ性が高いため、金属端子部５６は、チップコンデンサ１２との接合強度が高く、好適な耐久性を有する。

なお、はんだ付着領域５８ａｂは、実装部底面２４ａ（図４参照）と同様に、基材２０ａを覆う被覆層２０ｂを有していても良く、また、実装部底面２４ａとは異なる被覆層を有していても良い。また、第３実施形態に係るセラミックコンデンサは、第１及び第２実施形態に係るセラミックコンデンサと同様の効果を奏する。

第４実施形態
図７は、本発明の第４実施形態に係るセラミックコンデンサ１０ａを示す概略斜視図である。第４実施形態に係るセラミックコンデンサ１０ａは、第１及び第２金属端子部７０における実装部７４の態様が、図２に示す第１及び第２金属端子部２０，３０と異なる他は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様であり、重複部分については説明を省略する。

図７に示すように、第２金属端子部７０の実装部底面７４ａは、平板部７２における一方の端部７２ｂに接続している。すなわち、第２金属端子部７０は、平板部７２から外側に延出されており、平板部７２を基準としてチップコンデンサ１２側（他方の金属端子側）とは反対側にＬ字状に折り曲げられた実装部７４を有している。

実装部７４は、平板部７２に対して略２７０°の角度を形成する実装部底面７４ａと、平板部７２に対して略９０°の角度を形成する実装部上面７４ｂとを有している。平板部７２は、第１実施形態に係る平板部２２，３２と同様である。なお、チップコンデンサ１２の第１端面１２ａに接合部４２を介して接続されている他方の金属端子（図示省略）も、第２金属端子部７０と対称に配置され、第２金属端子部７０と同様の形状を有する。

図７に示すセラミックコンデンサ１０ａでも、セラミックコンデンサ１０を基板に実装する際に用いるはんだが平板部７２に過剰に付着することを防止して、音鳴きを防止することができる。

第５実施形態
図８は、本発明の第５実施形態に係るセラミックコンデンサが有する第２金属端子部８０を表す斜視図である。第２金属端子部８０の平板部８２は、２対のアーム部８６，８７によって構成される接合部を有する。アーム部８６，８７は、チップコンデンサ１２の端子電極１４，１６を把持してチップコンデンサ１２（図３参照）を保持するとともに、平板部８２と端子電極１４，１６とを接続する。また、平板部８２の一方の端部８２ｂには実装部８４が接続しており、他方の端部には、チップコンデンサ１２を係止する係止部８８が接続している。

また、金属端子部８０の平板部対向面８２ａには、図５に示す金属端子部５０と同様に、実装部底面８４ａよりはんだ濡れ性の低い内側防止領域８３が形成されている。

第５実施形態に係るセラミックコンデンサの接合部は、はんだではなく、アーム部８６，８７によって構成されており、アーム部８６，８７等は、弾性力によってチップコンデンサを保持する。このようなセラミックコンデンサは、アーム部８６，８７に端子電極１４，１６をはめ込むだけで、金属端子部８０とチップコンデンサ１２とを容易に組み立てることが可能であり、製造が容易である。特に、各アーム部８６，８７に１つずつチップコンデンサを保持させ、複数のチップコンデンサを有するセラミックコンデンサを製造するような場合にでも、製造が容易である。さらに、第５実施形態に係るセラミックコンデンサは、セラミックコンデンサを実装する際に接合部に伝わる熱により、金属端子部８０とチップコンデンサ１２との固定が外れてしまうことを防止できる。また、本実施形態に係るセラミックコンデンサは、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏する。

１０，１０ａ…セラミックコンデンサ
１２…チップコンデンサ
１２ａ，１２ｂ…端面
１４，１６…端子電極
２０，３０，５０，５６，７０，８０…金属端子部
２２，３２，５２，５８，７２，８２…平板部
２２ａ，３２ａ，５２ａ，５８ａ，７２ａ，８２ａ…平板部対向面
２２ｂ，５２ｂ，８２ｂ…一方の端部
２３，５３，５９，８３…内側防止領域
２４，３４，７４，８４…実装部
２４ａ，３４ａ，７４ａ，８４ａ…実装部下面
２４ｂ，７４ｂ…実装部上面
４２，４４…接合部

Claims (5)

1. 両端部に端子電極が形成されているチップ部品と、
   前記チップ部品の端面に対向するように配置される平板部対向面を有しており接合部を介して前記端子電極に接続される平板部と、前記平板部の一方の端部に接続しており前記平板部に対して略垂直方向に延在する実装部と、を有する一対の金属端子と、を有し、
   前記実装部は、前記平板部に対して略２７０度の角度を形成する実装部底面と、前記平板部に対して略９０度の角度を形成する実装部上面とを有し、
   前記平板部には、前記実装部底面よりはんだ濡れ性が低いはんだ付着防止領域が形成されており、
   前記はんだ付着防止領域は、前記平板部対向面のうち前記一方の端部から前記チップ部品への接続位置までにわたって形成されている内側防止領域を有することを特徴とする金属端子付きセラミック電子部品。
2. 両端部に端子電極が形成されているチップ部品と、
   前記チップ部品の端面に対向するように配置される平板部対向面を有しており接合部を介して前記端子電極に接続される平板部と、前記平板部の一方の端部に接続しており前記平板部に対して略垂直方向に延在する実装部と、を有する一対の金属端子と、を有し、
   前記実装部は、前記平板部に対して略２７０度の角度を形成する実装部底面と、前記平板部に対して略９０度の角度を形成する実装部上面とを有し、
   前記平板部には、前記実装部底面よりはんだ濡れ性が低いはんだ付着防止領域が形成されており、
   前記はんだ付着防止領域は、前記平板部のうち、前記平板部対向面にのみ形成されている内側防止領域を有し、
   前記平板部対向面以外の面のはんだ濡れ性は、前記実装部底面のはんだ濡れ性と同様であることを特徴とする金属端子付きセラミック電子部品。
3. 前記はんだ付着防止領域は、前記一方の端部から０．０５〜０．５ｍｍの間隔を隔てて形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金属端子付きセラミック電子部品。
4. 前記実装部上面と前記平板部対向面とは、略９０度の角度を形成することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の金属端子付きセラミック電子部品。
5. 前記チップ部品は積層セラミックコンデンサであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の金属端子付きセラミック電子部品。

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