JP6984287B2 - セラミック電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、チップ部品とこれに取り付けられる金属端子を有する金属端子付きセラミック電子部品に関する。

セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品としては、単体で直接基板等に面実装等する通常のチップ部品の他に、チップ部品に金属端子が取り付けられたものが提案されている。金属端子が取り付けられているセラミック電子部品は、実装後において、チップ部品が基板から受ける変形応力を緩和したり、チップ部品を衝撃等から保護する効果を有することが報告されており、耐久性及び信頼性等が要求される分野において使用されている。

特開２０００−２３５９３２号公報

金属端子を用いた従来のセラミック電子部品では、主としてはんだや導電性接着剤のような接合部材によって金属端子とチップ部品とを連結しているため、熱や衝撃などに対する耐衝撃性の観点で課題を有している。また、チップ部品を複数使用したい場合などに、チップ部品を積み上げて配置すると全体の高さが高くなり、低背化の観点で課題を有している。

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、複数のチップ部品を確実に保持可能で耐衝撃性に優れており、また、低背化に対して有利なセラミック電子部品を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明に係るセラミック電子部品は、
一対のチップ端面に端子電極が形成されており、揃えて配置される複数のチップ部品と、
一対の前記チップ端面に対応して設けられる一対の金属端子部と、を有し、
一対の前記金属端子部は、それぞれ、
前記チップ端面に対向する電極対向部と、
前記電極対向部における高さ方向の辺である各端子第１辺に接続しており、複数の前記チップ部品を水平方向に挟んで把持する一対の嵌合アーム部と、
前記電極対向部における水平方向の辺の一方である端子第２辺に接続しており、一方の前記端子第２辺から前記チップ部品側へ延びており、少なくとも一部が前記電極対向部に対して略垂直である実装部と、
前記電極対向部に接続しており、前記チップ部品の下方から前記チップ部品を支える下部アーム部と、を有する。

本発明に係るセラミック電子部品における金属端子部は、下部アーム部によってチップ部品を下方から支持するとともに、嵌合アーム部によって複数のチップ部品を水平方向から挟んで把持するため、チップ部品を確実に保持可能で耐衝撃性に優れている。また、チップ部品を揃えて配置することにより、チップ部品の数が増えても高さ方向寸法が変化せず、低背化の点で有利である。

また、例えば、前記電極対向部は、前記チップ端面に面するプレート本体部と、前記プレート本体部より下方に位置し、前記プレート本体部と前記実装部とを接続する端子接続部とを有していてもよく、
前記電極対向部には、周縁部が前記プレート本体部と前記端子接続部とに跨る貫通孔又は切り欠きが形成されていてもよく、
前記下部アーム部は、前記端子接続部の前記周縁部から延びていてもよい。

下部アーム部が端子接続部から延びていることにより、これらがプレート本体部に接続している場合に比べて、チップ部品の端子電極と実装基板との伝送経路が短くなる。

また、例えば、前記下部アーム部との間に前記チップ部品を高さ方向に挟む上部アーム部を有してもよい。

上部アーム部を有することにより、チップ部品が金属端子部に対して上方へ位置ずれしたり、チップ部品が金属端子部に対して上方へ離脱する問題を、確実に防止することができる。

また、例えば、前記嵌合アーム部は、前記端子第１辺から前記電極対向部に平行に伸びるアーム基部と、前記アーム基部から屈曲して前記チップ部品に接触するアーム先端部と、を有する略Ｌ字状の形状を有してもよい。

嵌合アーム部が略L字状の形状を有することにより、チップ部品の第２辺方向の寸法に製造バラツキがあるような場合でも、金属端子部は確実にチップ部品を把持することが可能である。

また、例えば、前記下部アーム部は、１つの前記チップ部品に接触する第１下部アーム部と、他の１つの前記チップ部品に接触する第２下部アーム部と、を有してもよい。

第１下部アーム部と第２下部アーム部とが独立してチップ部品を支持することにより、たとえチップ部品の高さ方向の寸法に製造バラツキがあるような場合でも。それぞれの下部アーム部は、確実にチップ部品の下側面を支持することが可能である。

また、例えば、前記下部アーム部は、前記複数の前記チップ部品に接触し、前記複数の前記チップ部品をまとめて支持してもよい。

このような下部アーム部は、実装面から下部アーム部までの距離が、複数の分離した部分（第１下部アーム部及び第２下部アーム部）の間でばらつく問題を防止し、セラミック電子部品を実装する際に使用するはんだの、予期しない這い上がりを防止することができる。

また、例えば、前記上部アーム部は、１つの前記チップ部品に接触する第１上部アーム部と、他の１つの前記チップ部品に接触する第２上部アーム部とを有してもよい。

第１上部アーム部と第２上部アーム部とが独立してチップ部品に接触することにより、たとえチップ部品の高さ方向の寸法に製造バラツキがあるような場合でも。それぞれの上部アーム部は、確実にチップ部品の上側面を下方に向かって押して支持する力を、各チップ部品に対して加えることが可能である。

また、例えば、前記上部アーム部は、前記複数の前記チップ部品に接触し、前記複数の前記チップ部品をまとめて支持してもよい。

このような上部アーム部を有するセラミック電子部品では、高さ方向の寸法バラツキを抑制することが可能である。

また、例えば、前記嵌合アーム部が前記チップ部品に接触する接触領域と前記チップ部品の上端との高さ方向の距離は、前記接触領域と前記チップ部品の下端との高さ方向の距離より短くてもよい。

嵌合アーム部がチップ部品の上側部分に接触することにより、接触領域と実装基板との距離が長くなり、チップ部品の電歪が実装基板に伝わり難くなるため、このようなセラミック電子部品は、音鳴きの問題を防止することができる。

また、例えば、前記嵌合アーム部は、前記チップ部品における高さ方向の中央位置より前記チップ部品の上端側で前記チップ部品に接触する上嵌合アーム部と、前記中央位置より前記チップ部品の下端側で前記チップ部品に接触する下嵌合アーム部と、を有していてもよく、
前記中央位置には、前記嵌合アーム部が前記チップ部品に接触しない非接触領域が形成されていてもよい。

このような嵌合アーム部は、金属端子部が把持するチップ部品が、高さ方向の中央位置が少しだけ膨らんだ形状を有するような場合であっても、チップ部品を確実に把持することができる。

図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミック電子部品を示す概略斜視図である。 図２は、図１に示すセラミック電子部品の正面図である。 図３は、図１に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図４は、図１に示すセラミック電子部品の上面図である。 図５は、図１に示すセラミック電子部品の底面図である。 図６は、図１に示すセラミック電子部品の模式断面図である。 図７は、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品の正面図である。 図８は、図７に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図９は、本発明の第３実施形態に係るセラミック電子部品の正面図である。 図１０は、図９に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図１１は、本発明の第４実施形態に係るセラミック電子部品の正面図である。 図１２は、図１１に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図１３は、本発明の第５実施形態に係るセラミック電子部品の正面図である。 図１４は、図１３に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図１５は、本発明の第６実施形態に係るセラミック電子部品の正面図である。 図１６は、図１５に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図１７は、本発明の第７実施形態に係るセラミック電子部品の正面図である。 図１８は、図１７に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図１９は、本発明の第８実施形態に係るセラミック電子部品の正面図である。 図２０は、図１９に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図２１は、本発明の第９実施形態に係るセラミック電子部品の正面図である。 図２２は、図２１に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図２３は、本発明の第１０実施形態に係るセラミック電子部品の左側面図である。 図２４は、図２３に示すセラミック電子部品の上面図である。 図２５は、本発明の第１１実施形態に係るセラミック電子部品の正面図である。

以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０を示す概略斜視図である。セラミックコンデンサ１０は、チップ部品としてのチップコンデンサ２０と、一対の金属端子部３０、４０とを有する。第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０は、２つのチップコンデンサ２０を有するが、セラミックコンデンサ１０が有するチップコンデンサ２０の数は、複数であれば特に限定されない。

なお、各実施形態の説明では、チップコンデンサ２０に金属端子部３０、４０が取り付けられたセラミックコンデンサを例に説明を行うが、本発明のセラミック電子部品としてはこれに限られず、コンデンサ以外のチップ部品に金属端子部３０、４０が取り付けられたものであっても良い。また、各実施形態の説明においては、図１〜図２５に示すように、チップコンデンサ２０の第１側面２０ｃと第２側面２０ｄとを接続する方向（チップ第２辺２０ｈに平行な方向）をＸ軸方向とし、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとを接続する方向（チップ第３辺２０ｊに平行な方向）をＹ軸方向とし、第３側面２０ｅと第４側面２０ｆを接続する方向（チップ第１辺２０ｇに平行な方向）をＺ軸方向として説明を行う。また、Ｚ軸方向に平行な方向を高さ方向、ＸＹ平面に平行な方向を水平方向とする。

チップコンデンサ２０は、略直方体形状であり、２つのチップコンデンサ２０は、互いに略同一の形状およびサイズを有している。図２に示すように、チップコンデンサ２０は、互いに対向する一対のチップ端面を有しており、一対のチップ端面は、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとで構成されている。図１、図２及び図４に示すように、第１端面２０ａ及び第２端面２０ｂは略長方形であり、第１端面２０ａ及び第２端面２０ｂの長方形を構成する４辺のうち、長い方の一対の辺がチップ第１辺２０ｇ（図２参照）であり、短い方の一対の辺がチップ第２辺２０ｈ（図３参照）である。

チップコンデンサ２０は、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとが実装面に対して垂直になるように、言い換えると、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとを繋ぐチップコンデンサ２０のチップ第３辺２０ｊが、セラミックコンデンサ１０の実装面と平行になるように配置されている。なお、セラミックコンデンサ１０の実装面は、後述する金属端子部３０、４０の実装部３８、４８が対向するように、セラミックコンデンサ１０がハンダ等によって取り付けられる面であり、図１に示すＸＹ平面に平行な面である。

図２に示すチップ第１辺２０ｇの長さＬ１と、図４に示すチップ第２辺２０ｈとの長さＬ２とを比較すると、チップ第２辺２０ｈの方がチップ第１辺２０ｇより短い（Ｌ１＞Ｌ２）。チップ第１辺２０ｇとチップ第２辺２０ｈとの長さの比は特に限定されないが、たとえばＬ２／Ｌ１は、０．３〜０．７程度である。

チップコンデンサ２０は、図２に示すように、チップ第１辺２０ｇが実装面に対して垂直になり、図４に示すように、チップ第２辺２０ｈが実装面に対して平行になるように配置される。したがって、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとを接続する４つのチップ側面である第１〜第４側面２０ｃ〜２０ｆのうち、面積が広く、チップ端面である第１及び第２端面２０ａ、２０ｂにおけるチップ第１辺２０ｇを接続する第１側面２０ｃ及び第２側面２０ｄは、実装面に対して垂直に配置されるチップ縦側面である。

また、第１〜第４側面２０ｃ〜２０ｆのうち、第１側面２０ｃ及び第２側面２０ｄより面積が狭く、第１及び第２端面２０ａ、２０ｂにおけるチップ第２辺２０ｈを接続する第３側面２０ｅ及び第４側面２０ｆは、実装面に対して平行に配置される。第３側面２０ｅは、下方の実装部３８、４８とは反対方向を向くチップ上側面であり、第４側面２０ｆは、実装部３８、４８の方を向くチップ下側面である。第３側面２０ｅであるチップ上側面は、第４側面２０ｆであるチップ下側面の反対面である。

図１及び図４に示すように、セラミックコンデンサ１０に含まれる２つのチップコンデンサ２０は、互いのチップ第２辺２０ｈを略同一直線上に揃えて配置される。チップ第１辺２０ｇより短いチップ第２辺２０ｈを同一直線上に並べて配置することにより、セラミックコンデンサ１０の実装面積（Ｚ軸方向からの投影面積）を低減できる。

図１、図２及び図４に示すように、チップコンデンサ２０の第１端子電極２２は、第１端面２０ａから第１〜第４側面２０ｃ〜２０ｆの一部に回り込むように形成されている。したがって、第１端子電極２２は、第１端面２０ａに配置されている部分と、第１側面２０ｃ〜第４側面２０ｆに配置されている部分とを有する。ただし、第１端子電極２２の形状はこれに限定されず、第１端子電極２２は、第１端面２０ａのみに形成されていてもよい。

また、チップコンデンサ２０の第２端子電極２４は、第２端面２０ｂから側面２０ｃ〜２０ｆの他の一部（第１端子電極２２が回り込んでいる部分とは異なる部分）に回り込むように形成されている。したがって、第２端子電極２４は、第２端面２０ｂに配置される部分と、第１側面２０ｃ〜第４側面２０ｆに配置される部分を有する（図１、図２及び図４参照）。また、第１側面２０ｃ〜第４側面２０ｆにおいて、第１端子電極２２と第２端子電極２４とは所定の距離を隔てて形成されている。ただし、第２端子電極２４の形状はこれに限定されず、第２端子電極２４は、第２端面２０ｂのみに形成されていてもよい。

チップコンデンサ２０の内部構造を模式的に表す図６に示すように、チップコンデンサ２０は、内部電極層２６と誘電体層２８とが積層された積層コンデンサである。内部電極層２６は、第１端子電極２２に接続しているものと、第２端子電極２４に接続しているものとがあり、第１端子電極２２に接続する内部電極層２６と、第２端子電極２４に接続している内部電極層２６とが、誘電体層２８を挟んで交互に積層されている。

図６に示すように、チップコンデンサ２０における積層方向は、図４に示すチップ第２辺２０ｈに平行である。したがって、図６に示す内部電極層２６は、実装面に対して垂直に配置される。

チップコンデンサ２０における誘電体層２８の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムまたはこれらの混合物などの誘電体材料で構成される。各誘電体層２８の厚みは、特に限定されないが、数μｍ〜数百μｍのものが一般的である。本実施形態では、好ましくは１．０〜５．０μｍである。また、誘電体層２８は、コンデンサの静電容量を大きくできるチタン酸バリウムを主成分とすることが好ましい。

内部電極層２６に含有される導電体材料は特に限定されないが、誘電体層２８の構成材料が耐還元性を有する場合には、比較的安価な卑金属を用いることができる。卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層２６は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層２６の厚みは用途等に応じて適宜決定すればよい。

第１及び第２端子電極２２、２４の材質も特に限定されず、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。第１及び第２端子電極２２、２４の厚みも特に限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。なお、第１及び第２端子電極２２、２４の表面には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ等から選ばれる少なくとも１種の金属被膜が形成されていても良い。

チップコンデンサ２０の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。チップコンデンサ２０は、例えば、縦（Ｌ３）１．０〜６．５ｍｍ、好ましくは３．２〜５．９ｍｍ×横（Ｌ１）０．５〜５．５ｍｍ、好ましくは１．６〜５．２ｍｍ×厚み（Ｌ２）０．３〜３．２ｍｍ、好ましくは０．８〜２．９ｍｍ程度である。複数のチップコンデンサ２０を有する場合は、互いに大きさや形状が異なっていてもかまわない。

セラミックコンデンサ１０における一対の金属端子部３０、４０は、一対のチップ端面である第１及び第２端面２０ａ、２０ｂに対応して設けられる。すなわち、一対の金属端子部３０、４０の一方である第１金属端子部３０は、一対の端子電極２２、２４の一方である第１端子電極２２に対応して設けられており、一対の金属端子部３０、４０の他方である第２金属端子部４０は、一対の端子電極２２、２４の他方である第２端子電極２４に対応して設けられている。

第１金属端子部３０は、第１端子電極２２が形成されるチップ端面である第１端面２０ａに対向する電極対向部３６と、複数のチップコンデンサ２０を水平方向に挟んで把持する一対の嵌合アーム部３７ａ、３７ｂと、電極対向部３６からチップコンデンサ２０側へ延びており少なくとも一部が電極対向部３６に対して略垂直である実装部３８と、チップ下側面である第４側面２０ｆに接触して、チップコンデンサ２０の下方からチップコンデンサ２０を支える下部アーム部３１ｂ、３３ｂと、を有する。

図２に示すように、電極対向部３６は、実装面に垂直であるチップ第１辺２０ｇに略平行な高さ方向の辺である一対の端子第１辺３６ｇと、図３に示すように実装面に平行であるチップ第２辺２０ｈに略平行な水平方向の辺である一対の端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂとを有する略矩形平板状である。

図４に示すように、実装面に平行である端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂの長さは、端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂと平行に配置されるチップ第２辺２０ｈの長さＬ２を、セラミックコンデンサ１０に含まれるチップコンデンサ２０の数に相当する回数積算した長さに対して同等であってもよく、僅かに短くてもよく、僅かに長くてもよい。

たとえば、図２３に示す第１０実施形態に係るセラミックコンデンサ９１０では、セラミックコンデンサ９１０がチップコンデンサ２０を２つ含んでおり、実装面に平行である端子第２辺９３６ｈａの長さは、端子第２辺９３６ｈａと平行に配置されるチップ第２辺２０ｈの長さＬ２の２倍より短い。

一方、図３に示す第１実施形態では、セラミックコンデンサ１０がチップコンデンサを２つ含んでおり、実装面に平行である端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂの長さは、端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂと平行に配置されるチップ第２辺２０ｈの長さＬ２の２倍より僅かに長い。図３及び図１２に示すように、金属端子部３０、４０に対して組み合わせることのできるチップコンデンサの寸法は、１種類に限定されず、金属端子部３０、４０は、チップ第２辺の長さが異なる複数種類のチップコンデンサに対応して、セラミックコンデンサを構成することが可能である。

電極対向部３６は、対向する第１端面２０ａに形成された第１端子電極２２に対して、電気的及び機械的に接続されている。例えば、図４に示す電極対向部３６と第１端子電極２２との隙間に、はんだや導電性接着剤等の導電性の接合部材を介在させて、電極対向部３６と第１端子電極２２とを接続することができる。なお、第１金属端子部３０と第１端子電極２２との電気的な接続が、後述する嵌合アーム部３７ａ、３７ｂや下部アーム部３１ｂ、３３ｂと第１端子電極２２との接触部分によって達成される場合は、電極対向部３６と第１端子電極２２とを接続する接合部材として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの非導電性接着剤等を用いてもよい。

また、電極対向部３６における第１端面２０ａに面する部分には、第１貫通孔３６ｂが形成されている。第１貫通孔３６ｂは、セラミックコンデンサ１０に含まれる各チップコンデンサ２０に対応するように２つ形成されているが、第１貫通孔３６ｂの形状及び数はこれに限定されない。なお、第１貫通孔３６ｂは、下部アーム部３１ｂ、３３ｂがその周縁部３６ｃａに接続する第２貫通孔３６ｃとは別個に、電極対向部３６に形成される貫通孔である。

第１貫通孔３６ｂの周辺の端子内面３６ｅ（図４参照）には、電極対向部３６と第１端子電極２２とを接続する接合部材が設けられている。図１及び図３において点線３６ｆａで示すように、電極対向部３６においてチップ端面である第１端面２０ａ側を向く端子内面には、第１端面２０ａとの隙間が接合部材で埋められている接合領域（点線３６ｆａの内側）と、第１端面２０ａとの間に接合部材のない空間を挟む非接合領域（点線３６ｆａの外側）とが形成されている。接合領域では、電極対向部３６と第１端子電極２２とが水平方向に接続されているが、非接合領域では、電極対向部３６と第１端子電極２２とは水平方向に接続されていない。非接合領域における電極対向部３６と第１端面２０ａとの間の隙間は、接合部材の厚み程度の隙間である。本実施形態では、接合部材の厚みは、後述する突起３６ａの突出高さなどに応じて決定される。

接合部材は、はんだや導電性接着剤等の導電性の材料で構成されていることが好ましく、たとえばはんだからなる接合部材は、第１貫通孔３６ｂの周縁と第１端子電極２２との間にはんだブリッジを形成することにより、電極対向部３６と第１端子電極２２とを強く接合することができる。

図１に示すように、端子内面の接合領域は、第１貫通孔３６ｂのＺ軸方向の両側にそれぞれ位置する初期塗布領域５０ｃに、接合部材５０が塗布されることにより形成される。すなわち塗布の後に、電極対向部３６の端子外面３０ｆ（端子内面とは反対面）から加熱押圧ヘッドを接触させて、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａに向けて電極対向部３６の端子内面を押し付けて加熱することにより、初期塗布領域５０ｃに塗布されている接合部材が広がり、図１において点線３６ｆａで示されるような接合領域が形成される。したがって、接合部材が広がりきれない領域が非接合領域（点線３６ｆａの外側）となる。本実施形態において、電極対向部３６と第１端子電極２２のＹ軸端面との間では、非接合領域の合計面積が、接合領域の合計面積の１／２よりも大きいが、特に限定されない。

なお、第１貫通孔３６ｂの形状および大きさは特に限定されず、また、電極対向部３６には、第１貫通孔３６ｂが形成されていなくてもよい。図１に示すように電極対向部３６に第１貫通孔３６ｂが形成されていると、第１貫通孔３６ｂを通して、製造中において端子内面の接合部材の塗布状態を外部から観察することが可能であり、また、製造後において端子内面の接合部材の形成を容易に確認できる。また、第１貫通孔３６ｂを通して、はんだなどの接合部材に含まれる気泡を逃がすことができる。このため、はんだなどの接合部材の量が少なくても接合が安定化する。

また、電極対向部３６には、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａへ向かって突出し、第１端面２０ａに接触する複数の突起３６ａが形成されている。突起３６ａは、電極対向部３６と第１端子電極２２との接触面積を低減することにより、チップコンデンサ２０で発生した振動が第１金属端子部３０を介して実装基板に伝わることを防止し、セラミックコンデンサ１０の音鳴きを防止することができる。

また、突起３６ａを第１貫通孔３６ｂの周辺に形成することにより、はんだ等の接合部材が形成される範囲等を調整することが可能であり、このようなセラミックコンデンサ１０は、電極対向部３６と第１端子電極２２との接合強度を適切な範囲に調整しつつ、音鳴きを防止することができる。なお、セラミックコンデンサ１０では、１つの第１貫通孔３６ｂの周りに、４つの突起３６ａが形成されているが、突起３６ａの数及び配置は、これに限定されない。

電極対向部３６には、下部アーム部３１ｂ、３３ｂがそれぞれ接続する周縁部３６ｃａを有する２つの第２貫通孔３６ｃが形成されている。第２貫通孔３６ｃは、第１貫通孔３６ｂより実装部３８の近くに位置しており、第１貫通孔３６ｂとは異なり、はんだ等の接合部材は設けられていない。

このような第２貫通孔３６ｃが形成されている第１金属端子部３０は、チップコンデンサ２０を支持する下部アーム部３１ｂ、３３ｂの周辺が弾性変形しやすい形状となっているため、セラミックコンデンサ１０に生じる応力を緩和する作用や、チップコンデンサ２０の振動を吸収する作用を、効果的に奏することができる。したがって、このような第１金属端子部３０を有するセラミックコンデンサ１０は、音鳴きを好適に防止することが可能であり、また、実装時における実装基板との接合信頼性が良好である。

第２貫通孔３６ｃの形状は特に限定されないが、第２貫通孔３６ｃは、端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂに平行な方向（Ｘ軸方向）である幅方向の開口幅が、第１貫通孔３６ｂより広いことが好ましい。第２貫通孔３６ｃの開口幅を広くすることにより、第１金属端子部３０による応力緩和作用や、音鳴き防止効果を、効果的に高めることができる。また、第１貫通孔３６ｂの開口幅を第２貫通孔３６ｃより狭くすることにより、接合部材が広がりすぎることによってチップコンデンサ２０と電極対向部３６との接合強度が過度に高まることを防止することができるため、このようなセラミックコンデンサ１０は、音鳴きを抑制することができる。

電極対向部３６において、下部アーム部３１ｂ、３３ｂが接続する第２貫通孔３６ｃは、実装部３８が接続する下方の端子第２辺３６ｈｂに対して、高さ方向に所定の距離を離して形成されており、第２貫通孔３６ｃと端子第２辺３６ｈｂの間には、スリット３６ｄが形成されている。スリット３６ｄは、電極対向部３６において、実装部３８の近くに位置する下部アーム部３１ｂ、３３ｂの電極対向部３６に対する接続位置（第２貫通孔３６ｃの周縁部下辺）と、実装部３８が接続する下方の端子第２辺３６ｈｂとの間に形成されている。スリット３６ｄは、端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂと平行な方向に延びている。スリット３６ｄは、セラミックコンデンサ１０を実装基板に実装する際に使用されるはんだが、電極対向部３６をはい上がることを防止し、下部アーム部３１ｂ、３３ｂや第１端子電極２２まで繋がるはんだブリッジを形成することを防止できる。したがって、このようなスリット３６ｄが形成されたセラミックコンデンサ１０は、音鳴きを抑制する効果を奏する。

図１及び図２に示すように、第１金属端子部３０の下部アーム部は、互いに独立した下部アーム部３１ｂ及び下部アーム部３３ｂを有している。下部アーム部３１ｂ、３３ｂは、電極対向部３６からチップコンデンサ２０のチップ側面であって実装部３８の方を向く第４側面２０ｆ（チップ下側面）に延び、第４側面２０ｆに接触する。下部アーム部３１ｂ、３３ｂは、電極対向部３６に形成された第２貫通孔３６ｃの周縁部３６ｃａに接続している。

図１に示すように、電極対向部３６は、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａに面しており第１端面２０ａと重複する高さに位置するプレート本体部３６ｊと、プレート本体部３６ｊより下方に位置しておりプレート本体部３６ｊと実装部３８とを接続する端子接続部３６ｋを有する。第２貫通孔３６ｃは、その周縁部がプレート本体部３６ｊと端子接続部３６ｋとに跨るように形成されており、下部アーム部３１ｂ、３３ｂは、端子接続部３６ｋから延びている。すなわち、下部アーム部３１ｂ、３３ｂの基端は、第２貫通孔３６ｃにおける略矩形の周縁部における下辺に接続しており、下部アーム部３１ｂ、３３ｂは、その基端から上方（Ｚ軸正方向）かつ内側（Ｙ軸負方向）へ屈曲しながら延びて、チップコンデンサ２０の第４側面２０ｆに接触し、チップコンデンサ２０を下方から支持する（図２参照）。したがって、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａの下端（下方のチップ第２辺２０ｈ）は、下部アーム部３１ｂ、３３ｂの基端である第２貫通孔３６ｃの周縁部の下辺より上方に位置する。また、図３に示すように、チップコンデンサ２０をＹ軸正方向から見た場合、第２貫通孔３６ｃを通してセラミックコンデンサ１０の側方から、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａの下端（下方のチップ第２辺２０ｈ）を、視認することができる。

図１に示すように、下部アーム部３１ｂは、１つのチップコンデンサ２０の第４側面２０ｆに接触しており、１つのチップコンデンサ２０を支持する。下部アーム部３３ｂは、他の１つのチップコンデンサ２０の第４側面２０ｆに接触しており、下部アーム部３１ｂとは独立して他の１つのチップコンデンサ２０を支持する。第１金属端子部３０では、それぞれの下部アーム部３１ｂ、３３ｂが、複数ではなく１つのチップコンデンサ２０をそれぞれ支持しているため、各チップコンデンサ２０の寸法に製造ばらつきがあったとしても、これを確実に支持することができる。

下部アーム部３１ｂ、３３ｂの形状は特に限定されないが、下部アーム部３１ｂ、３３ｂが端子接続部３６ｋから延びていることにより、これらがプレート本体部３６ｊに接続している場合に比べて、チップコンデンサ２０の第１端子電極２２と実装基板との伝送経路が短くなる。

実装部３８は、電極対向部３６における下方（Ｚ軸負方向側）の端子第２辺３６ｈｂに接続している。実装部３８は、下方の端子第２辺３６ｈｂからチップコンデンサ２０側（Ｙ軸負方向側）へ延びており、電極対向部３６に対して略垂直に曲がっている。なお、実装部３８におけるチップコンデンサ２０側の表面である実装部３８の上面は、チップコンデンサ２０を基板に実装する際に使用されるはんだの過度な回り込みを防止する観点から、実装部３８の下面より、はんだに対する濡れ性が低いことが好ましい。

セラミックコンデンサ１０は、図１及び図２に示すように、実装部３８が下方を向く姿勢で実装基板等の実装面に実装されるため、セラミックコンデンサ１０では、Ｚ軸方向の長さが、実装時の高さとなる。セラミックコンデンサ１０では、実装部３８が電極対向部３６における一方の端子第２辺３６ｈｂに接続しており、上部アーム部３１ａ、３３ａが他方の端子第２辺３６ｈａに接続しているため、Ｚ軸方向の長さに無駄がなく、低背化に対して有利である。

また、実装部３８が、電極対向部３６における一方の端子第２辺３６ｈｂに接続しているため、実装部３８が電極対向部３６における端子第１辺３６ｇに接続する従来技術に比べてＺ軸方向からの投影面積が狭く、実装面積を狭くすることが可能である。また、図１及び図５等に示すように、チップコンデンサ２０の第１〜第４側面２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆのうち、面積の狭い第３側面２０ｅ及び第４側面２０ｆが実装面と平行に配置されるため、チップコンデンサ２０を高さ方向に重ねて配置しない構成であっても、実装面積を狭くすることができる。

図１及び図４に示すように、一対の嵌合アーム部３７ａ、３７ｂは、電極対向部３６における各端子第１辺３６ｇに接続している。嵌合アーム部３７ａ、３７ｂは、チップ縦側面である第１側面２０ｃ又は第２側面２０ｄに接触する。すなわち、図４に示すように、一方の嵌合アーム部３７ａは、電極対向部３６におけるＸ軸負方向側の端子第１辺３６ｇに接続し、一方の嵌合アーム部３７ａは、Ｘ軸負方向側のチップコンデンサ２０におけるＸ軸負方向側のチップ縦側面である第１側面２０ｃに接触する。これに対して、他方の嵌合アーム部３７ｂは、電極対向部３６におけるＸ軸負正向側の端子第１辺３６ｇに接続し、他方の嵌合アーム部３７ｂは、Ｘ軸正方向側のチップコンデンサ２０におけるＸ軸正方向側のチップ縦側面である第２側面２０ｄに接触する。これにより、一対の嵌合アーム部３７ａ、３７ｂは、２つのチップコンデンサ２０を水平方向に挟んで把持している。

図２に示すように、嵌合アーム部３７ａが第１側面２０ｃに接触する接触領域とチップ上側面である第３側面２０ｅ（又はチップコンデンサ２０の上端）との高さ方向の距離は、嵌合アーム部３７ａが第１側面２０ｃに接触する接触領域とチップ下側面である第４側面２０ｆ（又はチップコンデンサ２０の下端）との高さ方向の距離より短い。嵌合アーム部３７ｂと第２側面２０ｄとの接触領域についても同様である。このように嵌合アーム部３７ａ、３７ｂとチップ縦側面との接触領域をチップ上側面である第３側面２０ｅの近くに配置することにより、外部からの衝撃を受けた場合に、チップコンデンサ２０が上方に外れる問題を防止することができる。

図１及び図２に示すように、第２金属端子部４０は、第２端子電極２４が形成されるチップ端面である第２端面２０ｂに対向する電極対向部４６と、複数のチップコンデンサ２０を水平方向に挟んで把持する一対の嵌合アーム部４７ａ、４７ｂと、電極対向部４６からチップコンデンサ２０側へ延びており少なくとも一部が電極対向部４６に対して略垂直である実装部４８と、チップ下側面である第４側面２０ｆに接触してチップコンデンサ２０を支える下部アーム部４１ｂ、４３ｂと、を有する。

第２金属端子部４０の電極対向部４６は、第１金属端子部３０の電極対向部３６と同様に、チップ第１辺２０ｇに略平行な一対の端子第１辺４６ｇと、チップ第２辺２０ｈに略平行な端子第２辺４６ｈａとを有しており、電極対向部４６には、突起４６ａ、第１貫通孔、第２貫通孔４６ｃ及びスリット４６ｄが形成されている。図１に示すように、第２金属端子部４０は、第１金属端子部３０に対して対称に配置されており、チップコンデンサ２０に対する配置が第１金属端子部３０とは異なる。しかし、第２金属端子部４０は、配置が異なるだけで、第１金属端子部３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。

第１金属端子部３０および第２金属端子部４０の材質は、導電性を有する金属材料であれば特に限定されず、例えば鉄、ニッケル、銅、銀等若しくはこれらを含む合金を用いることができる。特に、第１及び第２金属端子部３０、４０の材質をりん青銅とすることが、第１及び第２金属端子部３０、４０の比抵抗を抑制し、セラミックコンデンサ１０のＥＳＲを低減する観点から好ましい。

以下に、セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。

積層セラミックチップコンデンサ２０の製造方法
積層セラミックチップコンデンサ２０の製造では、まず、焼成後に内部電極層２６となる電極パターンが形成されたグリーンシート（焼成後に誘電体層２８となる）を積層して積層体を作製したのち、得られた積層体を加圧・焼成することによりコンデンサ素体を得る。さらに、コンデンサ素体に第１端子電極２２及び第２端子電極２４を、端子電極用塗料焼き付け及びめっき等により形成することにより、チップコンデンサ２０を得る。積層体の原料となるグリーンシート用塗料や内部電極層用塗料、端子電極の原料並びに積層体及び電極の焼成条件等は特に限定されず、公知の製造方法等を参照して決定することができる。本実施形態においては、誘電体材料としてチタン酸バリウムを主成分とするセラミックグリーンシートを用いた。また、端子電極は、Ｃｕペーストを浸漬、焼付処理することで焼付層を形成し、さらに、Ｎｉめっき、Ｓｎめっき処理を行なうことで、Ｃｕ焼付層／Ｎｉめっき層／Ｓｎめっき層を形成した。

金属端子部３０、４０の製造方法
第１金属端子部３０の製造では、まず、平板状の金属板材を準備する。金属板材の材質は、導電性を有する金属材料であれば特に限定されず、例えば鉄、ニッケル、銅、銀等若しくはこれらを含む合金を用いることができる。次に、金属板材を機械加工することにより、嵌合アーム部３７ａ、３７ｂ、下部アーム部３１ｂ、３３ｂ、電極対向部３６、実装部３８等の形状を形成した中間部材を得る。

次に、機械加工により形成された中間部材の表面に、めっきによる金属被膜を形成することにより、第１金属端子部３０を得る。めっきに用いる材料としては、特に限定されないが、例えばＮｉ、Ｓｎ、Ｃｕ等が挙げられる。また、めっき処理の際、実装部３８の上面にレジスト処理を施すことにより、めっきが実装部３８の上面に付着することを防止することができる。これにより、実装部３８の上面と下面のはんだに対する濡れ性に差異を発生させることができる。なお、中間部材全体にめっき処理を施して金属被膜を形成した後、実装部３８の上面に形成された金属被膜のみをレーザー剥離等で除去しても、同様の差異を発生させることができる。

なお、第１金属端子部３０の製造では、帯状に連続する金属板材から、複数の第１金属端子部３０が、互いに連結された状態で形成されてもよい。互いに連結された複数の第１金属端子部３０は、チップコンデンサ２０との接続前、又はチップコンデンサ２０に接続された後に、個片に切断される。

第２金属端子部４０の製造方法も、第１金属端子部３０と同様である。

セラミックコンデンサ１０の組み立て
上述のようにして得られたチップコンデンサ２０を２つ準備し、図１に示すように第２側面２０ｄと第１側面２０ｃとが接触するように配列して保持する。そして、第１端子電極２２と第２端子電極２４に、それぞれ第１金属端子部３０と第２金属端子部４０を取り付ける。この際、第１及び第２金属端子部３０、４０には、チップコンデンサ２０に対して取り付けられる前に、電極対向部３６、４６における端子内面に、予めはんだ等の接合部材が塗布される。端子内面に予め接合部材が塗布される初期塗布領域５０ｃは、後に形成される接合領域（点線３６ｆａの内側）の内部であって、接合領域より狭い範囲に形成される。

端子内面に接合部材を塗布した第１金属端子部３０と第２金属端子部４０とを、チップコンデンサ２０に取り付けた後、電極対向部３６、４６の端子外面から加熱押圧ヘッドを接触させて接合部材を溶融させることで、電極対向部３６、４６と第１及び第２端子電極２２、２４とを、接合部材で接合する。これにより、第１及び第２金属端子部３０、４０をチップコンデンサ２０の第１端子電極２２及び第２端子電極２４に電気的及び機械的に接続し、セラミックコンデンサ１０を得る。

なお、はんだ等の接合部材は、第１金属端子部３０と第２金属端子部４０とを、チップコンデンサ２０に取り付けた後、第１貫通孔３６ｂを介して端子内面に注入してもよい。なお、必要に応じて、第１及び第２端子電極２２、２４と、これに係合している嵌合アーム部３７ａ、３７ｂ、４７ａ、４７ｂ又は下部アーム部３１ｂ、３３ｂ、４１ｂ、４３ｂとを、いずれか又は双方の表面に形成された金属メッキを溶解させることにより、溶着させても良い。

このようにして得られるセラミックコンデンサ１０は、セラミックコンデンサ１０の高さ方向が、チップコンデンサ２０の長辺であるチップ第１辺２０ｇの方向と同じ方向であり、しかも、実装部３８、４８が端子第２辺３６ｈｂからチップコンデンサ２０の下方に曲げられて形成されているため、セラミックコンデンサ１０における高さ方向からの投影面積が狭い（図４及び図５参照）。したがって、このようなセラミックコンデンサ１０は、実装面積を狭くすることができる。

さらに、複数のチップコンデンサ２０を実装面に平行な方向に配列し、かつ、チップコンデンサ２０の積層方向を実装面と平行な方向にしたことにより、セラミックコンデンサ１０の伝送経路が短くなるため、セラミックコンデンサ１０は、低ＥＳＬを実現できる。

また、セラミックコンデンサ１０は、下部アーム部３１ｂ、３３ｂ、４１ｂ、４３ｂによってチップコンデンサ２０を下方から支持するとともに、嵌合アーム部３７ａ、３７ｂ、４７ａ、４７ｂによって複数のチップコンデンサ２０を水平方向から挟んで把持するため、チップコンデンサ２０を確実に保持可能で耐衝撃性に優れている。また、チップ第２辺２０ｈを略同一直線上に揃えて配置することにより、チップコンデンサ２０の数が増えても高さ方向寸法が変化せず、低背化の点で有利である。

また、セラミックコンデンサ１０は、下部アーム部３１ｂ、３３ｂが第２貫通孔３６ｃの周縁部に接続していることにより、チップコンデンサ２０を支持する下部アーム部３１ｂ、３３ｂ及び下部アーム部３１ｂ、３３ｂを支える電極対向部３６、４６が、弾性変形しやすい形状となっている。したがって、第１及び第２金属端子部３０、４０は、セラミックコンデンサ１０に生じる応力を緩和する作用や、振動を吸収する作用を、効果的に奏することができる。

また、第２貫通孔３６ｃの周縁部に下部アーム部３１ｂ、３３ｂが接続していることにより、セラミックコンデンサ１０では、実装面に垂直な方向（Ｚ軸方向）から見た場合、下部アーム部３１ｂ、３３ｂを、実装部３８に対して重なる位置に配置することが可能である（図５参照）。したがって、セラミックコンデンサ１０は、実装部３８を広くすることが可能であり、また、小型化の観点で有利である。

また、電極対向部３６に第１貫通孔３６ｂが形成されているセラミックコンデンサ１０は、例えば第１貫通孔３６ｂにはんだのような接合部材を塗布して第１貫通孔３６ｂの周縁部と第１端子電極２２との間に、はんだブリッジを形成させることで、第１及び第２金属端子部３０、４０とチップコンデンサ２０とを、確実に接続することが可能である。また、第１貫通孔３６ｂが形成されていることにより、たとえチップコンデンサ２０と第１及び第２金属端子部３０、４０とを組み立てた後であっても、第１および第２端子電極２２、２４と電極対向部３６、４６との間に、はんだ等の接合部材を容易に介在させることができる。また、このような第１貫通孔３６ｂが形成されていることにより、セラミックコンデンサ１０は、第１及び第２金属端子部３０、４０とチップコンデンサ２０との接合状態を、外部から容易に視認することができるため、品質のばらつきを低減し、良品率を向上させることが可能である。

第２実施形態
図７と図８は、本発明の第２実施形態に係るセラミックコンデンサ１１０の正面図と左側面図である。第２実施形態に係るセラミックコンデンサ１１０は、２つのチップコンデンサ２０と、第１金属端子部１３０及び第２金属端子部１４０とを有する。セラミックコンデンサ１１０は、第１及び第２金属端子部１３０、１４０が上部アーム部１３１、１４１を有する点を除き、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様である。そのため、セラミックコンデンサ１１０の説明では、セラミックコンデンサ１０との相違点のみ説明し、共通点については説明を省略する。

図７及び図８に示すように、セラミックコンデンサ１１０の第１金属端子部１３０は、上部アーム部１３１を有する。上部アーム部１３１は、チップ上側面である第３側面２０ｅに接触し、下部アーム部３３ｂ、３１ｂとの間にチップコンデンサ２０を高さ方向に挟む。図８に示すように、上部アーム部１３１は、電極対向部３６における上側の端子第２辺３６ｈａに接続している。

図８に示すように、上部アーム部１３１は、複数（第２実施形態では２つ）のチップコンデンサ２０の第３側面２０ｅに接触し、複数のチップコンデンサ２０をまとめて上から支持する。このような上部アーム部１３１は、セラミックコンデンサ１１０の高さ方向寸法ばらつきを抑制することができる。なお、第２金属端子部１４０は、第１金属端子部１３０に対して対称に配置されているが、第１金属端子部１３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。

第２実施形態に係るセラミックコンデンサ１１０は、上部アーム部１３１、１４１を有するため、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部１３０、１４０に対して上方へ位置ずれしたり、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部１３０、１４０に対して上方へ離脱したりする問題を、確実に防止することができる。また、セラミックコンデンサ１１０は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏する。

なお、第１金属端子部１３０の下部アーム部３１ｂ、３３ｂは、１つのチップコンデンサの第４側面２０ｆに接触する下部アーム部３１ｂ（第１下部アーム部）と、他の１つのチップコンデンサの第４側面２０ｆに接触する下部アーム部３３ｂ（第２下部アーム部）とを有する。このため、第１金属端子部１３０は、セラミックコンデンサ１１０に含まれる２つのチップコンデンサ２０における高さ方向の寸法が互いに異なっているような場合にでも、各チップコンデンサ２０を上部アーム部１３１と下部アーム部３１ｂ、３３ｂの間に確実に把持することができる。第２金属端子部１４０についても同様である。

第３実施形態
図９と図１０は、本発明の第３実施形態に係るセラミックコンデンサ２１０の正面図と左側面図である。第３実施形態に係るセラミックコンデンサ２１０は、２つのチップコンデンサ２０と、第１金属端子部２３０及び第２金属端子部２４０とを有する。セラミックコンデンサ２１０は、第１及び第２金属端子部２３０、２４０が上部アーム部２３１ａ、２３３ａ、２４１ａを有する点を除き、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様である。そのため、セラミックコンデンサ２１０の説明では、セラミックコンデンサ１０との相違点のみ説明し、共通点については説明を省略する。

図９及び図１０に示すように、セラミックコンデンサ２１０の第１金属端子部２３０は、上部アーム部２３１ａ、２３３ａを有する。上部アーム部２３１ａ、２３３ａは、チップ上側面である第３側面２０ｅに接触し、下部アーム部３３ｂ、３１ｂとの間にチップコンデンサ２０を高さ方向に挟む。図１０に示すように、上部アーム部２３１ａ、２３３ａは、電極対向部３６における上側の端子第２辺３６ｈａに接続している。

図１０に示すように、第１金属端子部２３０は、１つのチップコンデンサ２０の第３側面２０ｅに接触する上部アーム部２３１ａ（第１上部アーム部）と、他の１つのチップコンデンサ２０の第３側面２０ｅに接触する上部アーム部２３３ａ（第２上部アーム部）とを有する。一方の上部アーム部２３１ａは１つのチップコンデンサ２０を上から押さえ、他方の上部アーム部２３３ａは、一方の上部アーム部２３１ａとは独立して他の１つのチップコンデンサ２０を上から支持する。このような上部アーム部２３１ａ、２３３ａは、セラミックコンデンサ１１０に含まれるチップコンデンサ２０における高さ方向寸法が互いに異なるような場合であっても、確実にチップコンデンサ２０を上方から押さえて、下部アーム部３１ｂ、３３ｂとの間に把持することが可能である。なお、第２金属端子部２４０は、第１金属端子部２３０に対して対称に配置されているが、第１金属端子部２３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。

第３実施形態に係るセラミックコンデンサ２１０は、上部アーム部２３１ａ、２３３ａ、２４１ａを有するため、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部２３０、２４０に対して上方へ位置ずれしたり、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部２３０、２４０に対して上方へ離脱したりする問題を、確実に防止することができる。また、セラミックコンデンサ２１０は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏する。

第４実施形態
図１１と図１２は、本発明の第４実施形態に係るセラミックコンデンサ３１０の正面図と左側面図である。第４実施形態に係るセラミックコンデンサ３１０は、２つのチップコンデンサ２０と、第１金属端子部３３０及び第２金属端子部３４０とを有する。セラミックコンデンサ３１０は、第１及び第２金属端子部３３０、３４０が、２つのチップコンデンサ２０の両方に接触する下部アーム部３３１、３４１を有し、第２貫通孔３３６ｃ及びスリット３３６ｄの形状が異なる点を除き、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様である。そのため、セラミックコンデンサ３１０の説明では、セラミックコンデンサ１０との相違点のみ説明し、共通点については説明を省略する。

図１１及び図１２に示すように、セラミックコンデンサ３１０の第１金属端子部３３０は、下部アーム部３３１と、下部アーム部３３１が接続する周縁部３３６ｃａを有する第２貫通孔３３６ｃが形成された電極対向部３３６とを有する。電極対向部３３６には、１つの第２貫通孔３３６ｃと１つのスリット３３６ｄが形成されている。また、第２貫通孔３３６ｃ及びスリット３３６ｄは、図３に示す第２貫通孔３６ｃ及びスリット３６ｄに比べてＸ軸方向に長く、Ｘ軸方向に関して２つのチップコンデンサ２０の双方に重複する位置に配置されている。

図１２に示すように、下部アーム部３３１は、複数（第２実施形態では２つ）のチップコンデンサ２０の第４側面２０ｆに接触し、複数のチップコンデンサをまとめて支持する。このような第１金属端子部３３０は、実装面から下部アーム部３３１又はチップ下側面である第４側面２０ｆまでの距離が、複数の分離した部分（図３に示す下部アーム部３１ｂ、３３ｂ）の間でばらつく問題を防止し、セラミックコンデンサ３１０を実装する際に使用するはんだの、予期しない這い上がりを防止することができる。なお、第２金属端子部３４０は、第１金属端子部３３０に対して対称に配置されているが、第１金属端子部３３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。

その他、第４実施形態に係るセラミックコンデンサ３１０は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏する。

第５実施形態
図１３と図１４は、本発明の第５実施形態に係るセラミックコンデンサ４１０の正面図と左側面図である。第５実施形態に係るセラミックコンデンサ４１０は、２つのチップコンデンサ２０と、第１金属端子部４３０及び第２金属端子部４４０とを有する。セラミックコンデンサ４１０は、第１及び第２金属端子部４３０、４４０が上部アーム部４３１、４４１を有する点を除き、第４実施形態に係るセラミックコンデンサ３１０と同様である。そのため、セラミックコンデンサ４１０の説明では、セラミックコンデンサ３１０との相違点のみ説明し、共通点については説明を省略する。

図１３及び図１４に示すように、セラミックコンデンサ４１０の第１金属端子部４３０は、上部アーム部４３１を有する。上部アーム部４３１は、チップ上側面である第３側面２０ｅに接触し、下部アーム部３３１との間にチップコンデンサ２０を高さ方向に挟む。図１４に示すように、上部アーム部４３１は、電極対向部３３６における上側の端子第２辺３３６ｈａに接続している。

図１４に示すように、上部アーム部４３１は、複数（第２実施形態では２つ）のチップコンデンサ２０の第３側面２０ｅに接触し、複数のチップコンデンサ２０をまとめて上から支持する。このような上部アーム部４３１は、セラミックコンデンサ４１０の高さ方向寸法ばらつきを抑制することができる。なお、第２金属端子部４４０は、第１金属端子部４３０に対して対称に配置されているが、第１金属端子部４３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。

第５実施形態に係るセラミックコンデンサ４１０は、上部アーム部４３１、４４１を有するため、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部４３０、４４０に対して上方へ位置ずれしたり、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部４３０、４４０に対して上方へ離脱したりする問題を、確実に防止することができる。また、セラミックコンデンサ４１０は、第４実施形態に係るセラミックコンデンサ３１０と同様の効果を奏する。

第６実施形態
図１５と図１６は、本発明の第６実施形態に係るセラミックコンデンサ５１０の正面図と左側面図である。第６実施形態に係るセラミックコンデンサ５１０は、２つのチップコンデンサ２０と、第１金属端子部５３０及び第２金属端子部５４０とを有する。セラミックコンデンサ５１０は、第１及び第２金属端子部５３０、５４０が上部アーム部５３１ａ、５３３ａ、５４１ａを有する点を除き、第４実施形態に係るセラミックコンデンサ３１０と同様である。そのため、セラミックコンデンサ５１０の説明では、セラミックコンデンサ３１０との相違点のみ説明し、共通点については説明を省略する。

図１５及び図１６に示すように、セラミックコンデンサ５１０の第１金属端子部５３０は、上部アーム部５３１ａ、５３３ａを有する。上部アーム部５３１ａ、５３３ａは、チップ上側面である第３側面２０ｅに接触し、下部アーム部３３１との間にチップコンデンサ２０を高さ方向に挟む。図１６に示すように、上部アーム部５３１ａ、５３３ａは、電極対向部３３６における上側の端子第２辺３３６ｈａに接続している。

図１６に示すように、第１金属端子部５３０は、１つのチップコンデンサ２０の第３側面２０ｅに接触する上部アーム部５３１ａ（第１上部アーム部）と、他の１つのチップコンデンサ２０の第３側面２０ｅに接触する上部アーム部５３３ａ（第２上部アーム部）とを有する。一方の上部アーム部５３１ａは１つのチップコンデンサ２０を上から押さえ、他方の上部アーム部５３３ａは、一方の上部アーム部５３１ａとは独立して他の１つのチップコンデンサ２０を上から支持する。このような上部アーム部５３１ａ、５３３ａは、セラミックコンデンサ５１０に含まれるチップコンデンサ２０における高さ方向寸法が互いに異なるような場合であっても、確実にチップコンデンサ２０を上方から押さえて、下部アーム部３３１との間に把持することが可能である。なお、第２金属端子部５４０は、第１金属端子部５３０に対して対称に配置されているが、第１金属端子部５３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。

第６実施形態に係るセラミックコンデンサ５１０は、上部アーム部５３１ａ、５３３ａ、５４１ａを有するため、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部５３０、５４０に対して上方へ位置ずれしたり、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部５３０、５４０に対して上方へ離脱したりする問題を、確実に防止することができる。また、セラミックコンデンサ５１０は、第４実施形態に係るセラミックコンデンサ３１０と同様の効果を奏する。

第７実施形態
図１７と図１８は、本発明の第７実施形態に係るセラミックコンデンサ６１０の正面図と左側面図である。第７実施形態に係るセラミックコンデンサ６１０は、２つのチップコンデンサ２０と、第１金属端子部６３０及び第２金属端子部６４０とを有する。セラミックコンデンサ６１０は、第１及び第２金属端子部６３０、６４０の電極対向部６３６、６４６に切り欠き６３６ｃが形成されており、第１及び第２金属端子部６３０、６４０が切り欠き６３６ｃの周縁部６３６ｃａに接続する下部アーム部６３１ｂ、６３３ｂ、６４１ａを有する点を除き、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様である。そのため、セラミックコンデンサ６１０の説明では、セラミックコンデンサ１０との相違点のみ説明し、共通点については説明を省略する。

図１７及び図１８に示すように、セラミックコンデンサ６１０の第１金属端子部６３０は、電極対向部６３６と、下部アーム部６３１ｂ、６３３ｂと、実装部３８と、嵌合アーム部３７ａ、３７ｂとを有する。電極対向部６３６には、図１に示す２か所の第２貫通孔３６ｃに対応する位置に、それぞれ切り欠き６３６ｃが形成されている。切り欠き６３６ｃは、電極対向部６３６における２つの端子第１辺６３６ｇから、電極対向部６３６におけるＹ軸中央位置に向かって形成されている。切り欠き６３６ｃの周縁部６３６ｃａ及び端子第１辺６３６ｇは、周縁部６３６ｃａと端子第１辺６３６ｇに交わる２か所で、上下方向に途切れている。電極対向部６３６におけるプレート本体部６３６ｊと端子接続部６３６ｋとは、２つの切り欠き６３６ｃの間の部分で上下に接続されている。

図１８に示すように、下部アーム部６３１ｂ、６３３ｂは、切り欠き６３６ｃの周縁部６３６ｃａの下辺に接続しており、端子接続部３６ｋからチップコンデンサの第４側面２０ｆへ向かって延びている。下部アーム部６３１ｂは、１つのチップコンデンサ２０の第４側面２０ｆに接触しており、１つのチップコンデンサ２０を支持する。下部アーム部６３３ｂは、他の１つのチップコンデンサ２０の第４側面２０ｆに接触しており、下部アーム部６３１ｂとは独立して他の１つのチップコンデンサ２０を支持する。第１金属端子部６３０では、それぞれの下部アーム部６３１ｂ、６３３ｂが、複数ではなく１つのチップコンデンサ２０をそれぞれ支持しているため、各チップコンデンサ２０の寸法に製造ばらつきがあったとしても、これを確実に支持することができる。なお、第１金属端子部６３０は、電極対向部６３６の端子第２辺６３６ｈａに接続される上部アーム部を有しない。

第２金属端子部６４０は、第１金属端子部６３０に対して対称に配置されているが、第１金属端子部３３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。その他、第７実施形態に係るセラミックコンデンサ６１０は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏する。

第８実施形態
図１９と図２０は、本発明の第８実施形態に係るセラミックコンデンサ７１０の正面図と左側面図である。第８実施形態に係るセラミックコンデンサ７１０は、２つのチップコンデンサ２０と、第１金属端子部７３０及び第２金属端子部７４０とを有する。セラミックコンデンサ７１０は、第１及び第２金属端子部７３０、７４０が上部アーム部７３１、７４１を有する点を除き、第７実施形態に係るセラミックコンデンサ６１０と同様である。そのため、セラミックコンデンサ７１０の説明では、セラミックコンデンサ６１０との相違点のみ説明し、共通点については説明を省略する。

図１９及び図２０に示すように、セラミックコンデンサ７１０の第１金属端子部７３０は、上部アーム部７３１を有する。上部アーム部７３１は、チップ上側面である第３側面２０ｅに接触し、下部アーム部６３１ｂ、６３３ｂとの間にチップコンデンサ２０を高さ方向に挟む。図２０に示すように、上部アーム部７３１は、電極対向部６３６における上側の端子第２辺６３６ｈａに接続している。

図２０に示すように、上部アーム部７３１は、複数（第２実施形態では２つ）のチップコンデンサ２０の第３側面２０ｅに接触し、複数のチップコンデンサをまとめて上から支持する。このような上部アーム部７３１は、セラミックコンデンサ７１０の高さ方向寸法ばらつきを抑制することができる。なお、第２金属端子部７４０は、第１金属端子部７３０に対して対称に配置されているが、第１金属端子部７３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。

第８実施形態に係るセラミックコンデンサ７１０は、上部アーム部７３１、７４１を有するため、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部７３０、７４０に対して上方へ位置ずれしたり、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部７３０、７４０に対して上方へ離脱したりする問題を、確実に防止することができる。また、セラミックコンデンサ７１０は、第７実施形態に係るセラミックコンデンサ６１０と同様の効果を奏する。

第９実施形態
図２１と図２２は、本発明の第９実施形態に係るセラミックコンデンサ８１０の正面図と左側面図である。第９実施形態に係るセラミックコンデンサ８１０は、２つのチップコンデンサ２０と、第１金属端子部８３０及び第２金属端子部８４０とを有する。セラミックコンデンサ８１０は、第１及び第２金属端子部８３０、８４０が上部アーム部８３１ａ、８３３ａ、８４１ａを有する点を除き、第７実施形態に係るセラミックコンデンサ６１０と同様である。そのため、セラミックコンデンサ８１０の説明では、セラミックコンデンサ６１０との相違点のみ説明し、共通点については説明を省略する。

図２１及び図２２に示すように、セラミックコンデンサ８１０の第１金属端子部８３０は、上部アーム部８３１ａ、８３３ａを有する。上部アーム部８３１ａ、８３３ａは、チップ上側面である第３側面２０ｅに接触し、下部アーム部６３１ｂ、６３３ｂとの間にチップコンデンサ２０を高さ方向に挟む。図２２に示すように、上部アーム部６３１ａ、６３３ａは、電極対向部６３６における上側の端子第２辺６３６ｈａに接続している。

図２２に示すように、第１金属端子部８３０は、１つのチップコンデンサ２０の第３側面２０ｅに接触する上部アーム部８３１ａ（第１上部アーム部）と、他の１つのチップコンデンサ２０の第３側面２０ｅに接触する上部アーム部８３３ａ（第２上部アーム部）とを有する。一方の上部アーム部８３１ａは１つのチップコンデンサ２０を上から押さえ、他方の上部アーム部８３３ａは、一方の上部アーム部８３１ａとは独立して他の１つのチップコンデンサ２０を上から支持する。このような上部アーム部８３１ａ、８３３ａは、セラミックコンデンサ８１０に含まれるチップコンデンサにおける高さ方向寸法が互いに異なるような場合であっても、確実にチップコンデンサ２０を上方から押さえて、下部アーム部６３１ｂ、６３３ｂとの間に把持することが可能である。なお、第２金属端子部８４０は、第１金属端子部８３０に対して対称に配置されているが、第１金属端子部８３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。

第９実施形態に係るセラミックコンデンサ８１０は、上部アーム部８３１ａ、８３３ａ、８４１ａを有するため、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部８３０、８４０に対して上方へ位置ずれしたり、チップコンデンサ２０が第１又は第２金属端子部８３０、８４０に対して上方へ離脱したりする問題を、確実に防止することができる。また、セラミックコンデンサ８１０は、第８実施形態に係るセラミックコンデンサ８１０と同様の効果を奏する。

第１０実施形態
図２３と図２４は、本発明の第１０実施形態に係るセラミックコンデンサ９１０の左側面図と上面図である。第１０実施形態に係るセラミックコンデンサ９１０は、２つのチップコンデンサ２０と、第１金属端子部９３０及び第２金属端子部９４０とを有する。セラミックコンデンサ９１０は、第１及び第２金属端子部９３０、９４０の電極対向部９３６、９４６の端子第２辺９３６ｈａの長さが短いことと、嵌合アーム部９３７ａ、９３７ｂ、９４７ａ、９４７ｂの形状が異なることを除き、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様である。そのため、セラミックコンデンサ９１０の説明では、セラミックコンデンサ１０との相違点のみ説明し、共通点については説明を省略する。

図２３及び図２４に示すように、セラミックコンデンサ９１０の第１金属端子部９３０は、電極対向部９３６と、下部アーム部３１ｂ、３３ｂと、実装部（図２３、図２４では不図示）と、嵌合アーム部９３７ａ、９３７ｂとを有する。電極対向部９３６の端子第２辺９３６ｈａの長さは、チップ第２辺２０ｈの長さＬ２（図４参照）の２倍より短い。そのため、図２３に示すように、Ｘ軸方向両側の端子第１辺９３６ｇは、Ｘ軸方向両側のチップ第１辺２０ｇより素子中央側に位置している。

第１金属端子部９３０における一対の嵌合アーム部９３７ａ、９３７ｂは、電極対向部９３６における各端子第１辺９３６ｇに接続している。嵌合アーム部９３７ａ、３７ｂは、チップ縦側面である第１側面２０ｃ又は第２側面２０ｄに接触する。すなわち、図２４に示すように、一方の嵌合アーム部９３７ａは、電極対向部９３６におけるＸ軸負方向側の端子第１辺９３６ｇに接続し、一方の嵌合アーム部９３７ａは、Ｘ軸負方向側のチップコンデンサ２０におけるＸ軸負方向側のチップ縦側面である第１側面２０ｃに接触する。これに対して、他方の嵌合アーム部９３７ｂは、電極対向部９３６におけるＸ軸負正向側の端子第１辺９３６ｇに接続し、他方の嵌合アーム部９３７ｂは、Ｘ軸正方向側のチップコンデンサ２０におけるＸ軸正方向側のチップ縦側面である第２側面２０ｄに接触する。これにより、一対の嵌合アーム部９３７ａ、９３７ｂは、２つのチップコンデンサ２０を水平方向に挟んで把持している。

図２４に示すように、嵌合アーム部９３７ａ、９３７ｂは、端子第１辺９３６ｇから電極対向部９３６に平行に伸びるアーム基部９３７ａａ、９３７ｂａと、アーム基部９３７ａａ、９３７ｂａから屈曲して第１側面２０ｃ又は第２側面２０ｄに接触するアーム先端部９３７ａｂ、９３７ｂｂと、を有しており、Ｚ軸方向から見て略Ｌ字状の形状を有する。嵌合アーム部９３７ａ、９３７ｂが略Ｌ字状の形状を有することにより、チップコンデンサ２０のチップ第２辺２０ｈ方向の長さＬ２（図４参照）に製造バラツキがあるような場合でも、第１金属端子部９３０は確実にチップコンデンサ２０を把持することが可能である。

第２金属端子部９４０は、第１金属端子部９３０に対して対称に配置されているが、第１金属端子部９３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。その他、第１０実施形態に係るセラミックコンデンサ９１０は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏する。

第１１実施形態
図２５は、本発明の第１１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０１０の正面図である。第１１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０１０は、２つのチップコンデンサ２０と、第１金属端子部１０３０及び第２金属端子部１０４０とを有する。セラミックコンデンサ１０１０は、第１及び第２金属端子部１０３０、１０４０の嵌合アーム部が、上嵌合アーム部１０３７ａ、１０４７ａと下嵌合アーム部１０３８ａ、１０４８ａとを有することを除き、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様である。そのため、セラミックコンデンサ１０１０の説明では、セラミックコンデンサ１０との相違点のみ説明し、共通点については説明を省略する。

図２５に示すように、セラミックコンデンサ１０１０の第１金属端子部１０３０は、チップ縦側面である第１側面２０ｃ（又はチップコンデンサ２０）における高さ方向の中央位置よりチップ上側面である第３側面２０ｅ側（又はチップコンデンサ２０の上端側）で第１側面２０ｃに接触する上嵌合アーム部１０３７ａと、第１側面２０ｃ（又はチップコンデンサ２０）における高さ方向の中央位置よりチップ下側面である第４側面２０ｆ側（又はチップコンデンサ２０の下端側）で第１側面２０ｃに接触する下嵌合アーム部１０３８ａと、を有する。上嵌合アーム部１０３７ａと、下嵌合アーム部１０３８ａとは、Ｘ軸負方向側の端子第１辺３６ｇに接続しており、Ｘ軸正方向側の端子第１辺３６ｇに接続する上嵌合アーム部及び下嵌合アーム部（図２５には表れない）と対をなし、それぞれチップコンデンサ２０を水平方向に把持する。

第１側面２０ｃ（又はチップコンデンサ２０）における高さ方向の中央位置には、上嵌合アーム部１０３７ａと下嵌合アーム部１０３８ａのいずれもチップ縦側面である第１側面２０ｃに接触しない非接触領域２０ｃａが形成されている。上嵌合アーム部１０３７ａと下嵌合アーム部１０３８ａとを有する第１金属端子部１０３０は、チップコンデンサ２０を上下両方の位置で挟んで把持するため、チップ部品を確実に把持することができる。特に、チップコンデンサ２０は、チップ第１辺２０ｇの中央位置（Ｚ軸方向中央位置）におけるＸ軸方向の厚みＬ２が厚く、チップ第１辺２０ｇの両端部（Ｚ軸方向両端）へ向かってＸ軸方向の厚み（Ｌ２）が薄くなる湾曲形状を有する場合があるが、第１金属端子部１０３０は、そのような湾曲形状を有するチップコンデンサ２０であっても、確実に把持することができる。

第２金属端子部１０４０は、第１金属端子部１０３０に対して対称に配置されているが、第１金属端子部１０３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。その他、第１１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０１０は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏する。

その他の実施形態
以上のように、本発明を実施形態を挙げて説明してきたが、本発明は上述した実施形態のみに限定されるものではなく、本発明には他の多くの変形例が含まれることは言うまでもない。たとえば、図１に示す第１金属端子部３０には、突起３６ａ、第１貫通孔３６ｂ、第２貫通孔３６ｃおよびスリット３６ｄが全て形成されているが、第１金属端子部としてはこれに限定されず、これらのうち１つ又は複数の部分が形成されていない変形例も、本発明に係る第１金属端子部に含まれる。

また、図１〜図２５では、第１金属端子部又は第２金属端子部とチップコンデンサ２０とを接続する接合部材については図示していないが、はんだ等の接合部材の形状、大きさ及び種類は、セラミックコンデンサの大きさや、セラミックコンデンサの用途等に応じて、適宜調整される。また、セラミックコンデンサが把持するチップコンデンサ２０の数は複数であれば特に限定されず、３つ以上のチップコンデンサ２０を把持するものであってもかまわない。

１０、１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７１０、８１０、９１０、１０１０…セラミックコンデンサ
２０…チップコンデンサ
２０ａ…第１端面
２０ｂ…第２端面
２０ｃ…第１側面
２０ｄ…第２側面
２０ｅ…第３側面
２０ｆ…第４側面
２０ｇ…チップ第１辺
２０ｈ…チップ第２辺
２０ｊ…チップ第３辺
２２…第１端子電極
２４…第２端子電極
２６…内部電極層
２８…誘電体層
３０、１３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０、７３０、８３０、９３０、１０３０…第１金属端子部
４０、１４０、２４０、３４０、４４０、５４０、６４０、７４０、８４０、９４０、１０４０…第２金属端子部
１３１、１４１、４３１、４４１、２３１ａ、２３３ａ、２４１ａ、５３１ａ、５３３ａ、５４１ａ、７３１、７４１、８３１ａ、８３３ａ、８４１ａ…上部アーム部
３１ｂ、３３ｂ、３３１、４１ｂ、４３ｂ、３４１、６３１ｂ、６３３ｂ、６４１ａ…下部アーム部
３６、４６、３３６、６３６、６４６、９３６、９４６…電極対向部
３６ａ、４６ａ…突起
３６ｂ…第１貫通孔
３６ｃ、４６ｃ、３３６ｃ…第２貫通孔
６３６ｃ…切り欠き
３６ｃａ、３３６ｃａ、６３６ｃａ…周縁部
３６ｄ、４６ｄ、３３６ｄ…スリット
３６ｇ、４６ｇ、６３６ｇ、９３６ｇ…端子第１辺
３６ｅ…端子内面
３０ｆ…端子外面
３６ｈａ、３６ｈｂ、４６ｈａ、３３６ｈａ、４６ｈａ、９３６ｈａ…端子第２辺
３６ｊ、６３６ｊ…プレート本体部
３６ｋ、６３６ｋ…端子接続部
３６ｆａ…点線
３８、４８…実装部
３７ａ、３７ｂ、４７ａ、４７ｂ、９３７ａ、９３７ｂ、９４７ａ、９４７ｂ…嵌合アーム部
９３７ａａ、９３７ｂａ…アーム基部
９３７ａｂ、９３７ｂｂ…アーム先端部
５０ｃ…初期塗布領域
１０３７ａ、１０４７ａ…上嵌合アーム部
１０３８ａ、１０４８ａ…下嵌合アーム部

Claims (9)

1. 一対のチップ端面に端子電極が形成されており、実装面と平行な水平方向に揃えて配置される複数のチップ部品と、
   一対の前記チップ端面に対応して設けられる一対の金属端子部と、を有し、
   一対の前記金属端子部は、それぞれ、
   前記チップ端面に対向する電極対向部と、
   前記電極対向部における高さ方向の辺である各端子第１辺に接続しており、複数の前記チップ部品を前記水平方向に挟んで把持する一対の嵌合アーム部と、
   前記電極対向部における前記水平方向の辺の一方である端子第２辺に接続しており、一方の前記端子第２辺から前記チップ部品側へ延びており、少なくとも一部が前記電極対向部に対して略垂直である実装部と、
   前記電極対向部に接続しており、前記チップ部品の下方から前記チップ部品を支える下部アーム部と、を有し、
   複数の前記チップ部品を前記水平方向に挟んで把持するために前記嵌合アーム部が前記チップ部品に接触する接触領域と前記チップ部品の上端との高さ方向の距離は、前記接触領域と前記チップ部品の下端との高さ方向の距離より短いことを特徴とするセラミック電子部品。
2. 前記電極対向部は、前記チップ端面に面するプレート本体部と、前記プレート本体部より下方に位置し、前記プレート本体部と前記実装部とを接続する端子接続部とを有しており、
   前記電極対向部には、周縁部が前記プレート本体部と前記端子接続部とに跨る貫通孔又は切り欠きが形成されており、
   前記下部アーム部は、前記端子接続部の前記周縁部から延びていることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記下部アーム部との間に前記チップ部品を高さ方向に挟む上部アーム部を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセラミック電子部品。
4. 前記嵌合アーム部は、前記端子第１辺から前記電極対向部に平行に伸びるアーム基部と、前記アーム基部から屈曲して前記チップ部品に接触するアーム先端部と、を有する略Ｌ字状の形状を有する請求項１から請求項３のいずれかに記載のセラミック電子部品。
5. 前記下部アーム部は、１つの前記チップ部品に接触する第１下部アーム部と、他の１つの前記チップ部品に接触する第２下部アーム部と、を有する請求項１から請求項４までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
6. 前記下部アーム部は、前記複数の前記チップ部品に接触し、前記複数の前記チップ部品をまとめて支持する請求項１から請求項４までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
7. 前記上部アーム部は、１つの前記チップ部品に接触する第１上部アーム部と、他の１つの前記チップ部品に接触する第２上部アーム部と、を有する請求項３に記載のセラミック電子部品。
8. 前記上部アーム部は、前記複数の前記チップ部品に接触し、前記複数の前記チップ部品をまとめて支持する請求項３に記載のセラミック電子部品。
9. 前記嵌合アーム部は、前記チップ部品における高さ方向の中央位置より前記チップ部品の上端側で前記チップ部品に接触する上嵌合アーム部と、前記中央位置より前記チップ部
   品の下端側で前記チップ部品に接触する下嵌合アーム部と、を有し、
   前記中央位置には、前記嵌合アーム部が前記チップ部品に接触しない非接触領域が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれかに記載のセラミック電子部品。

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