CN109859948B - 陶瓷电子部件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种陶瓷电子部件，即使结合构件的使用量少，也具有良好的耐热性。本发明的陶瓷电子部件具有：芯片部件，其具有形成有端子电极的端子电极面；金属端子，其具有与所述端子电极面相对的相对面；以及导电性的结合构件，其至少包含Sn和Sb，且接合所述端子电极面和所述相对面，所述结合构件具有：第一部分，其处于所述端子电极面和所述相对面为第一距离的位置，且Sb/Sn为第一值；第二部分，其处于所述端子电极面和所述相对面为比所述第一距离短的第二距离的位置，且Sb/Sn为比所述第一值大的第二值。

Description

陶瓷电子部件

技术领域

本发明涉及一种具有芯片部件和安装于其上的金属端子的带金属端子的陶瓷电子部件。

背景技术

作为陶瓷电容器等的陶瓷电子部件，提出有除了以单体直接表面安装于基板等上的通常的芯片部件以外，还有金属端子被安装在芯片部件上的陶瓷部件。据报道，安装有金属端子的陶瓷电子部件在安装后具有缓和芯片部件从基板受到的变形应力或保护芯片部件免受冲击等的效果，在要求耐久性及可靠性等的领域中使用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-235932号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

作为接合芯片部件和金属端子的结合构件，提出有含有Sn(锡)和Sb(锑)的结合构件。通过使用含有Sb的结合构件，结合构件难以熔融，结合构件的耐热性提高。另外，如果增加结合构件的使用量，则其结合构件本身的耐久力变高。但是，在这样的结合构件的使用量较多的情况下，存在有时会在芯片部件上产生裂纹的问题。

本发明是鉴于这样的实际情况而完成的，提供一种即使结合构件的使用量较少，也具有良好的耐热性的陶瓷电子部件。

用于解决技术问题的技术方案

为了达成上述目的，本发明的陶瓷电子部件具有：

芯片部件，所述芯片部件具有形成有端子电极的端子电极面；

金属端子，所述金属端子具有与所述端子电极面相对的相对面；以及

导电性的结合构件，所述导电性的结合构件至少含有Sn和Sb，并接合所述端子电极面和所述相对面，

所述结合构件具有第一部分，其处于所述端子电极面和所述相对面为第一距离的位置，且Sb/Sn为第一值；和第二部分，其处于所述端子电极面和所述相对面为比所述第一距离短的第二距离的位置，且Sb/Sn为比所述第一值大的第二值。

在本发明的陶瓷电子部件中，端子电极面和相对面的间隙小的结合构件的第二部分相对于间隙比其大的第一部分，Sb/Sn大，Sb的含量高。由于间隙小的第二部分极大地有助于金属端子和芯片部件的接合强度，因此，通过提高该第二部分的Sb含量，与Sb含量均匀的情况相比，能够提高在结合构件的温度上升时的接合可靠性。另外，在本发明的陶瓷电子部件中，即使结合构件较少也能够保持接合可靠性，因此，能够防止伴随结合构件的过度使用而产生的芯片部件中的裂纹的形成。因此，本发明的陶瓷电子部件即使结合构件的使用量少，也具有良好的耐热性。

另外，例如，在所述相对面上形成有向所述端子电极面突出的突起，所述第二部分也可以处于所述突起和所述端子电极面之间。

通过在相对面上形成有突起，能够将结合构件的第二部分配置在预定的位置，因此，这样的陶瓷电子部件能够抑制接合强度及耐热性的制造偏差。

另外，例如，所述第一部分也可以围绕所述第二部分的周围。

在具有这样的结构的结合构件中，即使在因温度上升而开始产生流动性的情况下，也会产生第二部分的锚固效果，从而可抑制结合构件整体的流动。

因此，具有这样的结合构件的陶瓷电子部件在安装中可以更有效地防止金属端子和芯片部件的接合被解除的问题。

另外，例如，所述第一部分的面积也可以比所述第二部分的面积大。

通过扩大第一部分62的面积，陶瓷电容器10能够在冷温状态(非温度上升时)下进一步确保良好的接合强度。

附图说明

图1是本发明的陶瓷电子部件的立体图；

图2是图1所示的陶瓷电子部件的截面图；

图3是将图2的一部分放大并且示意性地表示的示意放大图。

符号说明

10……陶瓷电容器；20……芯片电容器；20a……第一端面；20b……第二端面；22……第一端子电极；24……第二端子电极；26……内部电极层；28……电介质层；30……第一金属端子部；40……第二金属端子部；31a、33a、41a、43a……上部臂部；31b、33b……下部臂部；36、46……电极相对部；36a……突起；36b……第一贯通孔；36c……第二贯通孔；36ca……周缘部；36d……切口；36e……端子内表面；36fa……虚线；38、48……安装部；50c……初始涂布区域；60……结合构件；62……第一部分；64……第二部分；W1……第一距离；W2……第二距离；2A……电极基底层；2B……电极表面层；3A……基材部；3B……表面部。

具体实施方式

下面，基于附图对本发明的实施方式进行说明。

第一实施方式

图1是表示本发明第一实施方式的陶瓷电容器10的大致立体图。陶瓷电容器10具有作为芯片部件的芯片电容器20和一对金属端子部30、40。陶瓷电容器10具有两个芯片电容器20，但陶瓷电容器10具有的芯片电容器20的数量也可以是一个，也可以是三个以上。

此外，在实施方式的说明中，以金属端子部30、40被安装在芯片电容器20上的陶瓷电容器为例进行说明，但作为本发明的陶瓷电子部件不限定于此，也可以是金属端子部30、40被安装在电容器以外的芯片部件上的陶瓷电子部件。另外，在各实施方式的说明中，如图1所示，将与安装面正交的方向设定为Z轴方向，将与安装面平行且连接芯片电容器20的两端面的方向设定为Y轴方向，将与Z轴方向及Y轴方向垂直的方向设定为X轴方向进行说明。另外，将与Z轴方向平行的方向设定为高度方向，将与XY平面平行的方向设定为水平方向。

芯片电容器20为大致长方体形状，两个芯片电容器20具有彼此大致相同的形状及大小。如图2所示，芯片电容器20具有相互相对的一对芯片端面，一对芯片端面由第一端面20a和第二端面20b构成。

芯片电容器20配置为第一端面20a和第二端面20b与安装面垂直，换言之，配置为连结第一端面20a和第二端面20b的芯片电容器20的侧边与陶瓷电容器10的安装面平行。此外，陶瓷电容器10的安装面是通过锡焊等安装陶瓷电容器10的面，是后述的金属端子部30、40的安装部38、48相对的面。

芯片电容器20具有两个端子电极。作为一个端子电极的第一端子电极22形成于第一端面20a，第一端面20a的整体成为端子电极面。另外，作为另一端子电极的第二端子电极24形成于第二端面20b，第二端面20b的整体成为端子电极面。

如图1及图2所示，芯片电容器20的第一端子电极22形成为从第一端面20a绕到与第一端面20a邻接的芯片侧面的一部分。因此，第一端子电极22具有配置于第一端面20a的部分和配置于芯片侧面的部分。但是，第一端子电极22的形状不限定于此，第一端子电极22也可以仅形成于第一端面20a。

另外，芯片电容器20的第二端子电极24形成为从第二端面20b绕到芯片侧面的另一部分(与第一端子电极22绕过的部分不同的部分)。因此，第二端子电极24具有配置于第二端面20b的部分和配置于芯片侧面的部分。另外，在芯片侧面上，第一端子电极22和第二端子电极24隔开规定的距离而形成。但是，第二端子电极24的形状不限于此，第二端子电极24也可以仅形成于第二端面20b。

如示意地表示芯片电容器20的内部结构的图2所示，芯片电容器20是内部电极层26和电介质层28层叠而成的层叠电容器。内部电极层26具有与第一端子电极22连接的层和与第二端子电极24连接的层，与第一端子电极22连接的内部电极层26和与第二端子电极24连接的内部电极层26夹着电介质层28交替层叠。

如图2所示，芯片电容器20中的层叠方向与安装面平行(X轴方向)。但是，芯片电容器20也可以以层叠方向相对于安装面垂直的方式保持于金属端子部30、40。

芯片电容器20中的电介质层28的材质没有特别限定，例如，可由钛酸钙、钛酸锶、钛酸钡或它们的混合物等的电介质材料构成。各电介质层28的厚度没有特别限定，但通常为数μm～数百μm。在本实施方式中，优选为1.0～5.0μm。另外，电介质层28优选将能够增大电容器的静电容量的钛酸钡设定为主成分。

包含于内部电极层26的导体材料没有特别限定，但在电介质层28的构成材料具有耐还原性的情况下，可以使用比较廉价的卑金属。作为卑金属，优选Ni或Ni合金。作为Ni合金，优选选自Mn、Cr、Co及Al中的一种以上的元素和Ni的合金，合金中的Ni含量优选为95重量％以上。此外，在Ni或Ni合金中，也可以含有0.1重量％左右以下的P等各种微量成分。另外，内部电极层26也可以使用市售的电极用膏形成。内部电极层26的厚度可以根据用途等适当决定。

第一及第二端子电极22、24的材料也没有特别限定，通常使用铜或铜合金、镍或镍合金等，但也可以使用银或银和钯的合金等。第一及第二端子电极22、24的厚度也没有特别限定，通常为10～50μm左右。此外，也可以在第一及第二端子电极22、24的表面形成选自Ni、Cu、Sn等的至少一种的金属覆膜。此外，关于端子电极22和连接构件的关系，使用图3在后面进行叙述。

芯片电容器20的形状及大小可根据目的及用途适当决定。芯片电容器20例如为纵(Y轴方向)1.0～6.5mm，优选3.2～5.9mm×横(Z轴方向)0.5～5.5mm，优选1.6～5.2mm×厚(X轴方向)0.3～3.2mm，优选0.8～2.9mm左右。具有多个芯片电容器20的情况下，大小及形状也可以彼此不同。

如图1所示，陶瓷电容器10中的一对金属端子部30、40与作为一对芯片端面的第一及第二端面20a、20b对应设置。即，作为一对金属端子部30、40的一方的第一金属端子部30与作为一对端子电极22、24的一方的第一端子电极22对应设置，作为一对金属端子部30、40的另一方的第二金属端子部40与作为一对端子电极22、24的另一方的第二端子电极24对应设置。

第一金属端子部30具有：电极相对部36，其与形成有第一端子电极22的端子电极面即第一端面20a相对；上部臂部31a、31b及下部臂部33b、33b，其构成在高度方向上夹着芯片电容器20分别进行把持的两对嵌合臂部；安装部38，其从电极相对部36向芯片电容器20侧延伸且相对于电极相对部36大致垂直。

如图1所示，电极相对部36为大致矩形平板状。如作为截面图的图2所示，电极相对部36具有与芯片电容器20的端子电极面即第一端面20a相对的相对面，即端子内表面36e。虽然在图2中省略图示，但在芯片电容器20的第一端面20a和第一金属端子部30的端子内表面36e之间设置有接合第一端面20a和端子内表面36e的导电性的结合构件60(参照图3)。关于结合构件60，将在后面叙述。

上部臂部31a、33a的基端与电极相对部36的上边连接，上部臂部31a、33a的前端朝向芯片电容器20的侧面沿Y轴方向延伸。上部臂部31a、33a与芯片电容器20的上侧面接触，在高度方向上将芯片电容器20夹在其与下部臂部31b、33b之间。

下部臂部31b、33b的基端与形成于电极相对部36的第二贯通孔36c的周缘部36ca连接，下部臂部31b、33b的前端朝向芯片电容器20的侧面并沿Y轴方向延伸。下部臂部31b、33b与芯片电容器20的下侧面接触。即，下部臂部31b、33b的基端与第二贯通孔36c的大致矩形的周缘部36ca的下边连接，下部臂部31b、33b一边从其基端向上方(Z轴正方向)且内侧(Y轴负方向)弯曲一边延伸，并与芯片电容器20的下侧面接触，从下方支承芯片电容器20(参照图1)。

如图1所示，下部臂部31b与一个芯片电容器20的下侧面接触，支承一个芯片电容器20。下部臂部33b与另一个芯片电容器20的下侧面接触，与下部臂部31b独立地支承另一个芯片电容器20。在第一金属端子部30中，各个上部臂部31a、33a和下部臂部31b、33b分别支承一个芯片电容器20而不是多个，因此，即使在各芯片电容器20的尺寸上存在制造偏差，也能够可靠地支承各芯片电容器20。

安装部38与电极相对部36的下方(Z轴负方向侧)的边连接。安装部38从下方的边向芯片电容器20侧(Y轴负方向侧)延伸，相对于电极相对部36大致垂直地弯曲。此外，从防止将芯片电容器20安装到基板时使用的焊锡的过度绕进的观点考虑，优选安装部38上的芯片电容器20侧的表面即安装部38的上表面比安装部38的下表面相对于焊锡的润湿性低。此外，在电极相对部36上，在下部臂部31b连接的第二贯通孔36c和安装部38连接的下方的边之间形成有切口36d。切口36d有防止安装时的焊锡爬上电极相对部36的效果。

如图1所示，在电极相对部36中的面对第一端面20a的部分形成有第一贯通孔36b。第一贯通孔36b形成有两个，以与陶瓷电容器10中包含的各芯片电容器20对应，但第一贯通孔36b的形状及数量不限定于此。此外，第一贯通孔36b是与下部臂部31b、33b与其周缘部36ca连接的第二贯通孔36c独立地形成于电极相对部36的贯通孔。

连接电极相对部36和第一端子电极22的结合构件60(参照图3)设置于第一贯通孔36b的周边的端子内表面36e。如图1中虚线36fa所示，在电极相对部36上，在朝向作为端子电极面的第一端面20a侧的端子内表面36e，形成有与第一端面20a的间隙被结合构件60塞住的接合区域(虚线36fa的内侧)和在与第一端面20a之间夹着没有结合构件60的空间的非接合区域(虚线36fa的外侧)。在接合区域中，电极相对部36和第一端子电极22通过结合构件60在水平方向上连接，但在非接合区域中，电极相对部36和第一端子电极22没有在水平方向上连接。非接合区域中的电极相对部36和第一端面20a之间的间隙是处于接合区域的结合构件60的平均厚度左右的间隙。在本实施方式中，结合构件60的平均厚度根据后述的突起36a的突出高度等来决定。

结合构件60至少含有Sn和Sb，优选主成分为Sn和Sb，且具有导电性。通过在第一贯通孔36b的周缘和第一端子电极22之间形成焊桥，结合构件60能够将电极相对部36和第一端子电极22牢固地接合。

如图1所示，端子内表面36e的接合区域通过在分别位于第一贯通孔36b的Z轴方向的两侧的初始涂布区域50c涂布作为结合构件60的材料的结合构件材料来形成。即，在涂布之后，从电极相对部36的端子外表面(端子内表面36e的相反面)接触加热按压头，将电极相对部36的端子内表面36e朝向芯片电容器20的第一端面20a按压进行加热，由此，涂布的结合构件材料从初始涂布区域50c向周边扩大，形成图1中用虚线36fa示出的接合区域。另外，结合构件材料没有扩散的区域成为非接合区域(虚线36fa的外侧)。在本实施方式中，接合区域的面积比第一端面20a的面积的3/4小，但没有特别限定。

另外，在这样制造的陶瓷电容器10中，在电极相对部36的端子外表面形成有表面粗糙度为第一表面粗糙度的第一表面粗糙度区域(虚线36fa的内侧)和表面粗糙度为比上述第一表面粗糙度小的第二表面粗糙度的第二表面粗糙度区域(虚线36fa的外侧)。另外，端子外表面的第一表面粗糙度区域对应于端子内表面36e的接合区域的相反侧形成，端子外表面的第二表面粗糙度区域对应于端子内表面36e的非接合区域的相反侧形成。第一表面粗糙度区域通过形成于端子外表面的电镀层(Sn电镀等)在被加热的按压头与端子外表面接触时进行一次熔融，并在按压头脱离后再次凝固来形成。另一方面，第二表面粗糙度区域形成于被加热的按压头未接触的部分。

此外，第一贯通孔36b的形状及大小没有特别限定，另外，在电极相对部36也可以不形成第一贯通孔36b。如图1所示，若在电极相对部36形成有第一贯通孔36b，则通过第一贯通孔36b，在制造中可以从外部观察端子内表面的结合构件材料的涂布状态，另外，在制造后能够容易地确认端子内表面的结合构件60的形成。另外，通过第一贯通孔36b能够放跑包含在焊锡等结合构件材料中的气泡。因此，即使焊锡等结合构件材料的量少，接合也稳定。

如图1及图2所示，在电极相对部36的端子内表面36e，形成有朝向芯片电容器20的第一端面20a突出的多个突起36a。突起36a控制设置于电极相对部36和第一端子电极22之间的结合构件60的厚度及形状，并且，关系稍后将描述的第一部分62及第二部分64的位置。

另外，通过在第一贯通孔36b的周边形成突起36a，从而可以调节形成焊锡等结合构件60的范围等，这样的陶瓷电容器10可以将电极相对部36和第一端子电极22的接合强度调节至适当的范围，同时能够防止音鸣。此外，在陶瓷电容器10中，在一个第一贯通孔36b的周围形成有四个突起36a，但突起36a的数量及配置不限定于此。

图3是放大图2所示的端子内表面36e和第一端面20a的接合部分的示意性放大图。如图3所示，结合构件60具有Sb/Sn彼此不同的第一部分62和第一部分64。第一部分62位于作为端子电极面的第一端面20a和作为相对面的端子内表面36e为第一距离W1的位置，且Sb/Sn为第一值。与此相对，第二部分64位于第一端面20a和端子内表面36e为比第一距离W1小的第二距离W2的位置，且Sb/Sn为比第一值大的第二值。

结合构件60优选Sn及Sb为主成分，但有时包含Sn或Sb以外的主成分或微量成分。例如，结合构件60连接的第一端子电极22具有含有Cu的电极基底层2A和含有Ni或Sn的电极表面层2B，第一端子电极22中含有的Cu、Ni、Sn在接合等时扩散到结合构件60中，在结合构件60的第一部分62或第二部分64中有时含有Cu或Ni。另外，例如，结合构件60连接的第一金属端子部30的电极相对部36具有含有Fe、Ni、Cr、Cu、Sn、P等的基材部3A和含有Sn的表面部3B，包含在第一金属端子部30中的Fe、Ni、Cr、Cu、Sn、P在接合时扩散到结合构件60中，在结合构件60的第一部分62或第二部分64中有时含有Fe、Ni、Cr、Cu、P。

如图3所示，结合构件60的第一部分62处于第一端面20a和端子内表面36e为第一距离W1的位置，例如，设置于端子内表面36e中未形成突起36a的部位和第一端面20a之间。第一部分62的第一端面20a和端子内表面36e的间隙比第二部分64的宽，另外，第一部分62中的Sb相对于Sn的含量比即Sb/Sn的值(第一值)比第二部分64的Sb/Sn的值(第二值)小。即，在第一端面20a和端子内表面36e的间隙大的第一部分62中，Sb的含量相对较少。

与此相对，结合构件60的第二部分64处于第一端面20a和端子内表面36e为第二距离W2的位置，例如，设置于端子内表面36e中突起36a和第一端面20a之间。第二部分64的第一端面20a和端子内表面36e的间隙比第一部分62的窄，另外，第二部分64中的Sb相对于Sn的含量比即Sb/Sn的值(第二值)比第一部分62中的Sb/Sn的值(第一值)大。即，在第一端面20a和端子内表面36e的间隙窄的第二部分64中，Sb的含量相对较多。

另外，突起36a形成于图1中用虚线36fa示出的接合区域内的内部，因此，如图3所示，第一端面20a和端子内表面36e的间隙宽的第一部分62包围设置于突起36a和第一端面20a之间的第二部分64。

具有Sb/Sn的值彼此不同的第一部分62及第二部分64的结合构件60可以通过以下步骤形成，例如，准备Sb/Sn的值不同的两种焊锡(结合构件材料)，将Sb/Sn的值大的焊锡涂布于与突起36a对应的端子内表面36e或第一端面20a，将Sb/Sn的值小的焊锡涂布于突起36a周边的端子内表面36e或第一端面20a，之后，进行加热接合。另外，结合构件60也可以通过其它方法形成，例如，调节接合时的热向结合构件材料及结合构件60的传递方式，形成第一部分62及第二部分64等的方法。

与第一金属端子部30同样，图1及图2所示的第二金属端子部40具有：电极相对部46，其与形成有第二端子电极24的端子电极面即第二端面20b相对；上部臂部41a、43a及下部臂部，其在高度方向上夹着芯片电容器20构成单独把持的两对嵌合臂部；以及安装部48，其从电极相对部46向芯片电容器20侧延伸，并相对于电极相对部46大致垂直。如图1所示，第二金属端子部40相对于第一金属端子部30对称地配置，相对于芯片电容器20的配置与第一金属端子部30不同。但是，由于第二金属端子部40具有与第一金属端子部30同样的形状，只是配置不同，因此，省略对于其详细情况的说明。

图1所示的陶瓷电容器10可以通过以下步骤进行制造，例如，准备芯片电容器20、金属端子部30、40、Sb/Sn比不同的两种结合构件材料(焊料、焊膏)，通过结合构件材料将芯片电容器20和金属端子部30、40接合形成结合构件60。芯片电容器20可以通过在将生片层叠并烧制形成素体后，通过电镀形成第一及第二端子电极22、24的方法制造，但也可以通过其它方法制造。

金属端子部30、40可以通过例如将金属的板材(基材部3A)进行机械加工，并通过电镀等在基材部3A的表面形成表面部3B进行制作。另外，成为结合构件60的基础的结合构件材料除了Sb、Sn及助溶剂以外，也可以包含Ag、Cu等其它的材料。

在将图3所示的第一部分62的Sb/Sn设定为Sb(A)、将第二部分64的Sb/Sn设定为Sb(B)的情况下，从提高第二部分64的耐热性的观点考虑，Sb(B)/Sb(A)优选设定为1.2～5.0，更优选设为1.3～3.0。另外，从提高第二部分64带来的增强效果的观点考虑，作为第二部分64的第一端面20a和端子内表面36e的距离的第二距离W2优选设定为1～20μm，更优选设定为2～12μm。

另外，在图1所示的例子中，第二部分64与突起36a的位置对应设置。第二部分64的形成数量没有特别限定，但关于一个芯片电容器20的第一端面20a和一个金属端子部30、40的端子内表面36e之间的接合，优选设置一处以上，关于一个芯片电容器20的第一端面20a和一个金属端子部30、40的端子内表面36e之间的接合，从提高芯片电容器20和金属端子部30、40的温度上升时的接合可靠性的观点考虑，优选设置多处。

在图1～图3所示的陶瓷电容器10中，如图3所示，通过提高处于第一端面20a和端子内表面36e的间隙窄的位置的结合构件60中的第二部分64的Sb含量，从而能有效地抑制在温度上升时的第二部分64的软化及流动。由此，第二部分64能够作为在温度上升时要锚定第一端面20a和端子内表面36e的锚起作用。因此，具有这样的第二部分64的陶瓷电容器10与Sb含量在结合构件中均匀的情况相比，能够提高结合构件60的温度上升时的接合可靠性。因此，在陶瓷电容器10中，由于即使结合构件60较少也能够保持接合可靠性，因此，可以防止随着结合构件的过度使用而产生的芯片电容器20中的裂纹的形成。因此，即使结合构件60的使用量少，陶瓷电容器10也具有良好的耐热性。

另外，在陶瓷电容器10中，结合构件60中的第一部分62与第二部分64相比Sn含量高，在熔融时容易润湿扩张。通过在第一端面20a和端子内表面36e的间隙宽的位置配置容易润湿扩散的第二部分64，陶瓷电容器10能够扩宽端子内表面36e和结合构件60及第一端面20a和结合构件60的接合面积。因此，具有这样的第一部分62的陶瓷电容器10在冷温状态下(非温度上升时)，具有良好的接合强度。另外，比较结合构件60中包含的第一部分62和第二部分64的面积(接合面积)时，从扩宽接合面积确保接合强度的观点考虑，优选第一部分62的面积比第二部分64的面积大。

另外，通过在端子内表面36e形成有突起36a，能够在预定的位置配置结合构件60的第二部分64，因此，陶瓷电容器10能够抑制接合强度或耐热性的制造偏差。另外，如图3所示，第二部分64也可以由第一部分62包围周边，由此，即使在结合构件60因温度上升而开始流动的情况下，也会产生第二部分64的锚固效果，从而抑制结合构件60整体的流动。

以上，举出实施方式对本发明进行了说明，但本发明不仅限定于这些实施方式，显然也可以应用于各种带金属端子的电子部件。本发明例如具有金属端子或芯片部件的数量、金属端子的形状、芯片部件的形状、端子电极面及相对面的配置等与实施方式不同的各种带金属端子的电子部件的实施方式及变形例。另外，在上述的实施方式中，形成于芯片电容器20的第一端面20a和第一金属端子部30之间的结合构件60具有与形成于第二端面20b和第二金属端子部40之间的连接构件同样的结构，但两个连接构件也可以具有不同的结构。

Claims (3)

1.一种陶瓷电子部件，其中，

具有：

芯片部件，所述芯片部件具有相互相对的一对芯片端面并且在所述芯片端面具有形成有端子电极的端子电极面；和

金属端子，所述金属端子具有与具有所述端子电极面的所述芯片端面相对的相对面；

导电性的结合构件，所述导电性的结合构件至少包含Sn和Sb，并且接合所述端子电极面和所述相对面，

在所述金属端子的面对所述芯片端面的部分形成有第一贯通孔，

在所述第一贯通孔的周边的所述相对面形成有向所述端子电极面突出的突起，

所述结合构件具有：第一部分，其处于所述端子电极面和所述相对面为第一距离的位置；和第二部分，其处于所述端子电极面和所述相对面为比所述第一距离短的第二距离的位置，

所述第二部分处于所述突起和所述端子电极面之间，

所述第二部分的所述结合构件的Sb的含量相对于所述第一部分的所述结合构件相对多。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于，

所述第一部分包围所述第二部分的周围。

3.一种陶瓷电子部件，其特征在于，

具有：

芯片部件，所述芯片部件具有形成有端子电极的端子电极面；和

金属端子，所述金属端子具有与所述端子电极面相对的相对面；

导电性的结合构件，所述导电性的结合构件至少包含Sn和Sb，并且接合所述端子电极面和所述相对面，

所述结合构件具有：第一部分，其处于所述端子电极面和所述相对面为第一距离的位置；和第二部分，其处于所述端子电极面和所述相对面为比所述第一距离短的第二距离的位置，

所述第二部分的所述结合构件的Sb的含量相对于所述第一部分的所述结合构件相对多，

所述第一部分的面积比所述第二部分的面积大。

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