JP2019102610A - セラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】接合部材の使用量が少なくても、良好な耐熱性を有するセラミック電子部品を提供する。【解決手段】セラミックコンデンサ１０は、端子電極が形成された端子電極面を有するチップ部品と、端子電極面２２、２４に対向する対向面を有する金属端子と、少なくともSｎとSｂとを含み、前記端子電極面と前記対向面とを接合する導電性の接合部材と、を有する。前記接合部材は、前記端子電極面と前記対向面とが第１の距離である位置にあり、Sｂ／Sｎが第１の値である第１部分と、前記端子電極面と前記対向面とが前記第１の距離より短い第２の距離である位置にあり、Sｂ／Sｎが前記第１の値より大きい第２の値である第２部分と、を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、チップ部品とこれに取り付けられる金属端子を有する金属端子付きセラミック電子部品に関する。

セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品としては、単体で直接基板等に面実装等する通常のチップ部品の他に、チップ部品に金属端子が取り付けられたものが提案されている。金属端子が取り付けられているセラミック電子部品は、実装後において、チップ部品が基板から受ける変形応力を緩和したり、チップ部品を衝撃等から保護する効果を有することが報告されており、耐久性及び信頼性等が要求される分野において使用されている。

特開２０００−２３５９３２号公報

チップ部品と金属端子とを接合する接合部材として、Ｓｎ（スズ）とＳｂ（アンチモン）とを含有する接合部材が提案されている。Ｓｂを含有する接合部材を用いることにより、接合部材が溶融し難くなり、接合部材の耐熱性が向上する。また、接合部材の使用量を多くすれば、その接合部材自体の耐久力は高くなる。しかしながら、このような接合部材の使用量が多い場合には、チップ部品にクラックが生じる場合があり、問題を有している。

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、接合部材の使用量が少なくても、良好な耐熱性を有するセラミック電子部品を提供する。

上記目的を達成するために、本発明に係るセラミック電子部品は、
端子電極が形成された端子電極面を有するチップ部品と、
前記端子電極面に対向する対向面を有する金属端子と、
少なくともSｎとSｂとを含み、前記端子電極面と前記対向面とを接合する導電性の接合部材と、を有し、
前記接合部材は、前記端子電極面と前記対向面とが第１の距離である位置にあり、Sｂ／Sｎが第１の値である第１部分と、前記端子電極面と前記対向面とが前記第１の距離より短い第２の距離である位置にあり、Sｂ／Sｎが前記第１の値より大きい第２の値である第２部分と、を有する。

本発明に係るセラミック電子部品では、端子電極面と対向面とのギャップが小さい接合部材の第２部分は、これよりギャップが大きい第１部分に対してＳｂ／Ｓｎが大きく、Ｓｂの含有量が高い。ギャップが小さい第２部分は、金属端子とチップ部品との接合強度への寄与が大きいため、この第２部分のＳｂ含有量を高めることにより、Ｓｂ含有量が均一である場合に比べて、接合部材の温度上昇時における接合信頼性を向上させることができる。また、本発明に係るセラミック電子部品では、接合部材が少なくても接合信頼性が保たれるため、接合部材の過度な使用に伴い生じるチップ部品におけるクラックの形成を防止できる。したがって、本発明に係るセラミック電子部品は、接合部材の使用量が少なくても、良好な耐熱性を有する。

また、例えば、前記対向面には、前記端子電極面へ突出する突起が形成されており、前記第２部分は、前記突起と前記端子電極面との間にあってもよい。

対向面に突起が形成されていることにより、意図した位置に接合部材の第２部分を配置することができるため、このようなセラミック電子部品は、接合強度や耐熱性の製造ばらつきを抑制することができる。

また、例えば、前記第１部分は、前記第２部分の周りを取り囲んでいてもよい。

このような構造を有する接合部材では、温度上昇により流動性が生じ始めた場合にも、第２部分のアンカー効果が生じることにより、接合部材全体の流動が抑制される。
そのため、このような接合部材を有するセラミック電子部品は、実装において金属端子とチップ部品との接合が解除される問題を、より効果的に防止することができる。

また、例えば、前記第１部分の面積は、前記第２部分の面積より広くてもよい。

第１部分６２の面積を広くすることにより、セラミックコンデンサ１０は、冷温状態（非温度上昇時）において、より良好な接合強度を確保できる。

図１は、本発明に係るセラミック電子部品の斜視図である。 図２は、図１に示すセラミック電子部品の断面図である。 図３は、図２の一部を拡大し、模式的に示す模式拡大図である。

以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０を示す概略斜視図である。セラミックコンデンサ１０は、チップ部品としてのチップコンデンサ２０と、一対の金属端子部３０、４０とを有する。セラミックコンデンサ１０は、２つのチップコンデンサ２０を有するが、セラミックコンデンサ１０が有するチップコンデンサ２０の数は１つであってもよく、３つ以上であってもよい。

なお、実施形態の説明では、チップコンデンサ２０に金属端子部３０、４０が取り付けられたセラミックコンデンサを例に説明を行うが、本発明のセラミック電子部品としてはこれに限られず、コンデンサ以外のチップ部品に金属端子部３０、４０が取り付けられたものであっても良い。また、各実施形態の説明においては、図１に示すように、実装面に直交する方向をＺ軸方向、実装面に平行でチップコンデンサ２０の両端面を接続する方向をＹ軸方向、Ｚ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向をＸ軸方向として説明を行う。また、Ｚ軸方向に平行な方向を高さ方向、ＸＹ平面に平行な方向を水平方向とする。

チップコンデンサ２０は、略直方体形状であり、２つのチップコンデンサ２０は、互いに略同一の形状およびサイズを有している。図２に示すように、チップコンデンサ２０は、互いに対向する一対のチップ端面を有しており、一対のチップ端面は、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとで構成されている。

チップコンデンサ２０は、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとが実装面に対して垂直になるように、言い換えると、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとを繋ぐチップコンデンサ２０の側辺が、セラミックコンデンサ１０の実装面と平行になるように配置されている。なお、セラミックコンデンサ１０の実装面は、セラミックコンデンサ１０がハンダ等によって取り付けられる面であり、後述する金属端子部３０、４０の実装部３８、４８が対向する面である。

チップコンデンサ２０は２つの端子電極を有している。一方の端子電極である第１端子電極２２は第１端面２０ａに形成されており、第１端面２０ａは、全体が端子電極面となっている。また、他方の端子電極である第２端子電極２４は第２端面２０ｂに形成されており、第２端面２０ｂは、全体が端子電極面となっている。

図１及び図２に示すように、チップコンデンサ２０の第１端子電極２２は、第１端面２０ａから、第１端面２０ａに隣接するチップ側面の一部に回り込むように形成されている。したがって、第１端子電極２２は、第１端面２０ａに配置されている部分と、チップ側面に配置されている部分とを有する。ただし、第１端子電極２２の形状はこれに限定されず、第１端子電極２２は、第１端面２０ａのみに形成されていてもよい。

また、チップコンデンサ２０の第２端子電極２４は、第２端面２０ｂからチップ側面の他の一部（第１端子電極２２が回り込んでいる部分とは異なる部分）に回り込むように形成されている。したがって、第２端子電極２４は、第２端面２０ｂに配置される部分と、チップ側面に配置される部分とを有する。また、チップ側面において、第１端子電極２２と第２端子電極２４とは所定の距離を隔てて形成されている。ただし、第２端子電極２４の形状はこれに限定されず、第２端子電極２４は、第２端面２０ｂのみに形成されていてもよい。

チップコンデンサ２０の内部構造を模式的に表す図２に示すように、チップコンデンサ２０は、内部電極層２６と誘電体層２８とが積層された積層コンデンサである。内部電極層２６は、第１端子電極２２に接続しているものと、第２端子電極２４に接続しているものとがあり、第１端子電極２２に接続する内部電極層２６と、第２端子電極２４に接続している内部電極層２６とが、誘電体層２８を挟んで交互に積層されている。

図２に示すように、チップコンデンサ２０における積層方向は、実装面に対して平行（Ｘ軸方向）である。ただし、チップコンデンサ２０は、積層方向が実装面に対して垂直になるように、金属端子部３０、４０に保持されていてもよい。

チップコンデンサ２０における誘電体層２８の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムまたはこれらの混合物などの誘電体材料で構成される。各誘電体層２８の厚みは、特に限定されないが、数μｍ〜数百μｍのものが一般的である。本実施形態では、好ましくは１．０〜５．０μｍである。また、誘電体層２８は、コンデンサの静電容量を大きくできるチタン酸バリウムを主成分とすることが好ましい。

内部電極層２６に含有される導電体材料は特に限定されないが、誘電体層２８の構成材料が耐還元性を有する場合には、比較的安価な卑金属を用いることができる。卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層２６は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層２６の厚みは用途等に応じて適宜決定すればよい。

第１及び第２端子電極２２、２４の材質も特に限定されず、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。第１及び第２端子電極２２、２４の厚みも特に限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。なお、第１及び第２端子電極２２、２４の表面には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ等から選ばれる少なくとも１種の金属被膜が形成されていても良い。なお、端子電極２２と接続部材との関係については、図３を用いて後ほど述べる。

チップコンデンサ２０の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。チップコンデンサ２０は、例えば、縦（Ｙ軸方向）１．０〜６．５ｍｍ、好ましくは３．２〜５．９ｍｍ×横（Ｚ軸方向）０．５〜５．５ｍｍ、好ましくは１．６〜５．２ｍｍ×厚み（Ｘ軸方向）０．３〜３．２ｍｍ、好ましくは０．８〜２．９ｍｍ程度である。複数のチップコンデンサ２０を有する場合は、互いに大きさや形状が異なっていてもかまわない。

図１に示すように、セラミックコンデンサ１０における一対の金属端子部３０、４０は、一対のチップ端面である第１及び第２端面２０ａ、２０ｂに対応して設けられる。すなわち、一対の金属端子部３０、４０の一方である第１金属端子部３０は、一対の端子電極２２、２４の一方である第１端子電極２２に対応して設けられており、一対の金属端子部３０、４０の他方である第２金属端子部４０は、一対の端子電極２２、２４の他方である第２端子電極２４に対応して設けられている。

第１金属端子部３０は、第１端子電極２２が形成される端子電極面である第１端面２０ａに対向する電極対向部３６と、チップコンデンサ２０を高さ方向に挟んで個別に把持する二対の嵌合アーム部を構成する上部アーム部３１ａ、３１ｂおよび下部アーム部３３ｂ、３３ｂと、電極対向部３６からチップコンデンサ２０側へ延びており電極対向部３６に対して略垂直である実装部３８と、を有する。

図１に示すように、電極対向部３６は略矩形平板状である。断面図である図２に示すように、電極対向部３６は、チップコンデンサ２０の端子電極面である第１端面２０ａに対向する対向面である端子内面３６ｅを有する。図２では図示を省略しているが、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａと第１金属端子部３０の端子内面３６ｅの間には、第１端面２０ａと端子内面３６ｅとを接合する導電性の接合部材６０（図３参照）が設けられている。接合部材６０については、後程述べる。

上部アーム部３１ａ、３３ａの基端は電極対向部３６の上辺に接続しており、上部アーム部３１ａ、３３ａの先端は、チップコンデンサ２０の側面へ向かって、Ｙ軸方向に沿って延びている。上部アーム部３１ａ、３３ａは、チップコンデンサ２０の上側面に接触し、下部アーム部３１ｂ、３３ｂとの間にチップコンデンサ２０を高さ方向に挟む。

下部アーム部３１ｂ、３３ｂの基端は電極対向部３６に形成される第２貫通孔３６ｃの周縁部３６ｃａに接続しており、下部アーム部３１ｂ、３３ｂの先端は、チップコンデンサ２０の側面へ向かって、Ｙ軸方向に沿って延びている。下部アーム部３１ｂ、３３ｂは、チップコンデンサ２０の下側面に接触する。すなわち、下部アーム部３１ｂ、３３ｂの基端は、第２貫通孔３６ｃにおける略矩形の周縁部３６ｃａにおける下辺に接続しており、下部アーム部３１ｂ、３３ｂは、その基端から上方（Ｚ軸正方向）かつ内側（Ｙ軸負方向）へ屈曲しながら延びて、チップコンデンサ２０の下側面に接触し、チップコンデンサ２０を下方から支持する（図１参照）。

図１に示すように、下部アーム部３１ｂは、１つのチップコンデンサ２０の下側面に接触しており、１つのチップコンデンサ２０を支持する。下部アーム部３３ｂは、他の１つのチップコンデンサ２０の下側面に接触しており、下部アーム部３１ｂとは独立して他の１つのチップコンデンサ２０を支持する。第１金属端子部３０では、それぞれの上部アーム部３１ａ、３３ａと下部アーム部３１ｂ、３３ｂとが、複数ではなく１つのチップコンデンサ２０をそれぞれ支持しているため、各チップコンデンサ２０の寸法に製造ばらつきがあったとしても、これを確実に支持することができる。

実装部３８は、電極対向部３６における下方（Ｚ軸負方向側）の辺に接続している。実装部３８は、下方の辺からチップコンデンサ２０側（Ｙ軸負方向側）へ延びており、電極対向部３６に対して略垂直に曲がっている。なお、実装部３８におけるチップコンデンサ２０側の表面である実装部３８の上面は、チップコンデンサ２０を基板に実装する際に使用されるはんだの過度な回り込みを防止する観点から、実装部３８の下面より、はんだに対する濡れ性が低いことが好ましい。なお、電極対向部３６には、下部アーム部３１ｂが接続する第２貫通孔３６ｃと実装部３８が接続する下方の辺との間に、スリット３６ｄが形成されている。スリット３６ｄは、実装時のはんだが電極対向部３６をはい上がることを防止する効果がある。

図１に示すように、電極対向部３６における第１端面２０ａに面する部分には、第１貫通孔３６ｂが形成されている。第１貫通孔３６ｂは、セラミックコンデンサ１０に含まれる各チップコンデンサ２０に対応するように２つ形成されているが、第１貫通孔３６ｂの形状及び数はこれに限定されない。なお、第１貫通孔３６ｂは、下部アーム部３１ｂ、３３ｂがその周縁部３６ｃａに接続する第２貫通孔３６ｃとは別個に、電極対向部３６に形成される貫通孔である。

電極対向部３６と第１端子電極２２とを接続する接合部材６０（図３参照）は、第１貫通孔３６ｂの周辺の端子内面３６ｅに設けられている。図１において点線３６ｆａで示すように、電極対向部３６において、端子電極面である第１端面２０ａ側を向く端子内面３６ｅには、第１端面２０ａとの隙間が接合部材６０で埋められている接合領域（点線３６ｆａの内側）と、第１端面２０ａとの間に接合部材６０のない空間を挟む非接合領域（点線３６ｆａの外側）とが形成されている。接合領域では、電極対向部３６と第１端子電極２２とが、接合部材６０によって水平方向に接続されているが、非接合領域では、電極対向部３６と第１端子電極２２とは水平方向に接続されていない。非接合領域における電極対向部３６と第１端面２０ａとの間の隙間は、接合領域にある接合部材６０の平均厚み程度の隙間である。本実施形態において、接合部材６０の平均厚みは、後述する突起３６ａの突出高さなどに応じて決定される。

接合部材６０は、少なくともＳｎとＳｂとを含み、好ましくは主成分がＳｎとＳｂであり、導電性を有する。接合部材６０は、第１貫通孔３６ｂの周縁と第１端子電極２２との間にはんだブリッジを形成することにより、電極対向部３６と第１端子電極２２とを強く接合することができる。

図１に示すように、端子内面３６ｅの接合領域は、第１貫通孔３６ｂのＺ軸方向の両側にそれぞれ位置する初期塗布領域５０ｃに、接合部材６０の材料である接合部材材料が塗布されることにより形成される。すなわち塗布の後に、電極対向部３６の端子外面（端子内面３６ｅとは反対面）から加熱押圧ヘッドを接触させて、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａに向けて電極対向部３６の端子内面３６ｅを押し付けて加熱することにより、塗布されている接合部材材料が初期塗布領域５０ｃにから周辺に広がり、図１において点線３６ｆａで示されるような接合領域が形成される。また、接合部材材料が広がりきれない領域が非接合領域（点線３６ｆａの外側）となる。本実施形態において、接合領域の面積は、第１端面２０ａの面積の３／４よりも小さいが、特に限定されない。

また、このように製造されたセラミックコンデンサ１０では、電極対向部３６の端子外面に、表面粗さが第１表面粗さである第１表面粗さ領域（点線３６ｆａの内側）と、表面粗さが前記第１表面粗さより小さい第２表面粗さである第２表面粗さ領域（点線３６ｆａの外側）と、が形成される。また、端子外面の第１表面粗さ領域が、端子内面３６ｅの接合領域の反対側に、端子外面の第２表面粗さ領域が、端子内面３６ｅの非接合領域の反対側に、それぞれ対応して形成される。第１表面粗さ領域は、端子外面に形成されたメッキ（Ｓｎメッキなど）が、加熱された押圧ヘッドが端子外面に接触した際に一度溶融し、押圧ヘッドが離脱した後に再度凝固することにより形成される。一方、第２表面粗さ領域は、加熱された押圧ヘッドが接触しなかった部分に形成される。

なお、第１貫通孔３６ｂの形状および大きさは特に限定されず、また、電極対向部３６には、第１貫通孔３６ｂが形成されていなくてもよい。図１に示すように電極対向部３６に第１貫通孔３６ｂが形成されていると、第１貫通孔３６ｂを通して、製造中において端子内面の接合部材材料の塗布状態を外部から観察することが可能であり、また、製造後において端子内面の接合部材６０の形成を容易に確認できる。また、第１貫通孔３６ｂを通して、はんだなどの接合部材材料に含まれる気泡を逃がすことができる。このため、はんだなどの接合部材材料の量が少なくても接合が安定化する。

図１及び図２に示すように、電極対向部３６の端子内面３６ｅには、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａへ向かって突出する複数の突起３６ａが形成されている。突起３６ａは、電極対向部３６と第１端子電極２２との間に設けられる接合部材６０の厚みや形状を制御するとともに、及び後述する第１部分６２及び第２部分６４の位置に関係する。

また、突起３６ａを第１貫通孔３６ｂの周辺に形成することにより、はんだ等の接合部材６０が形成される範囲等を調整することが可能であり、このようなセラミックコンデンサ１０は、電極対向部３６と第１端子電極２２との接合強度を適切な範囲に調整しつつ、音鳴きを防止することができる。なお、セラミックコンデンサ１０では、１つの第１貫通孔３６ｂの周りに、４つの突起３６ａが形成されているが、突起３６ａの数及び配置は、これに限定されない。

図３は、図２に示す端子内面３６ｅと第１端面２０ａとの接合部分を拡大した模式拡大図である。図３に示すように、接合部材６０は、Ｓｂ／Ｓｎが互いに異なる第１部分６２と第１部分６４とを有する。第１部分６２は、端子電極面である第１端面２０ａと対向面である端子内面３６ｅとが第１の距離Ｗ１である位置にあり、Ｓｂ／Ｓｎが第１の値である。これに対して、第２部分６４は、第１端面２０ａと端子内面３６ｅとが第１の距離Ｗ１より小さい第２の距離Ｗ２である位置にあり、Ｓｂ／Ｓｎが第１の値より大きい第２の値である。

接合部材６０は、ＳｎおよびＳｂが主成分であることが好ましいが、Ｓｎ又はＳｂ以外の主成分又は微量成分を含む場合がある。たとえば、接合部材６０が接続する第１端子電極２２は、Ｃｕを含む電極下地層２Ａと、ＮｉやＳｎを含む電極表面層２Ｂとを有しており、第１端子電極２２に含まれるＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎが、接合時などに接合部材６０中に拡散し、接合部材６０の第１部分６２や第２部分６４に、ＣｕやＮｉが含まれる場合がある。また、たとえば、接合部材６０が接続する第１金属端子部３０の電極対向部３６は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐなどを含む基材部３Ａと、Ｓｎを含む表面部３Ｂとを有しており、第１金属端子部３０に含まれるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐが、接合時などに接合部材６０中に拡散し、接合部材６０の第１部分６２や第２部分６４に、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｐが含まれる場合がある。

図３に示すように、接合部材６０における第１部分６２は、第１端面２０ａと端子内面３６ｅとが第１の距離Ｗ１である位置にあり、たとえば、端子内面３６ｅのうち突起３６ａが形成されていない場所と第１端面２０ａの間に設けられる。第１部分６２は、第２部分６４より第１端面２０ａと端子内面３６ｅとのギャップが広く、また、第１部分６２におけるＳｂのＳｎに対する含有比であるＳｂ／Ｓｎの値（第１の値）は、第２部分６４におけるそれ（第２の値）より小さい。すなわち、第１端面２０ａと端子内面３６ｅとのギャップが広い第１部分６２では、Ｓｂの含有量が相対的に少なくなっている。

これに対して、接合部材６０における第２部分６４は、第１端面２０ａと端子内面３６ｅとが第２の距離Ｗ２である位置にあり、たとえば、端子内面３６ｅのうち突起３６ａと第１端面２０ａの間に設けられる。第２部分６４は、第１部分６２より第１端面２０ａと端子内面３６ｅとのギャップが狭く、また、第２部分６４におけるＳｂのＳｎに対する含有比であるＳｂ／Ｓｎの値（第２の値）は、第１部分６２におけるそれ（第１の値）より大きい。すなわち、第１端面２０ａと端子内面３６ｅとのギャップが狭い第２部分６４では、Ｓｂの含有量が相対的に多くなっている。

また、突起３６ａは、図１において点線３６ｆａで示される接合領域内の内部に形成されているため、図３に示すように、第１端面２０ａと端子内面３６ｅとのギャップが広い第１部分６２は、突起３６ａと第１端面２０ａの間に設けられる第２部分６４を取り囲んでいる。

互いにＳｂ／Ｓｎの値が異なる第１部分６２及び第２部分６４を有する接合部材６０は、例えば、Ｓｂ／Ｓｎの値が異なる２種類のはんだ（接合部材材料）を準備し、Ｓｂ／Ｓｎの値が大きいはんだを突起３６ａに対応する端子内面３６ｅ又は第１端面２０ａに塗布し、Ｓｂ／Ｓｎの値が小さいはんだを突起３６ａ周辺の端子内面３６ｅ又は第１端面２０ａに塗布した後、加熱接合することにより形成することができる。また、接合部材６０は、接合時における接合部材材料および接合部材６０への熱の伝え方を調整して第１部分６２及び第２部分６４を形成するなど、他の方法で形成してもよい。

図１及び図２に示す第２金属端子部４０は、第１金属端子部３０と同様に、第２端子電極２４が形成される端子電極面である第２端面２０ｂに対向する電極対向部４６と、チップコンデンサ２０を高さ方向に挟んで個別に把持する二対の嵌合アーム部を構成する上部アーム部４１ａ、４３ａおよび下部アーム部と、電極対向部４６からチップコンデンサ２０側へ延びており電極対向部４６に対して略垂直である実装部４８と、を有する。図１に示すように、第２金属端子部４０は、第１金属端子部３０に対して対称に配置されており、チップコンデンサ２０に対する配置が第１金属端子部３０とは異なる。しかし、第２金属端子部４０は、配置が異なるだけで、第１金属端子部３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。

図１に示すセラミックコンデンサ１０は、例えば、チップコンデンサ２０と、金属端子部３０、４０と、Ｓｂ／Ｓｎ比の異なる２種類の接合部材材料（はんだペースト、はんだクリーム）とを準備し、接合部材材料によってチップコンデンサ２０と金属端子部３０、４０とを接合して接合部材６０を形成することにより、製造することができる。チップコンデンサ２０は、グリーンシートを積層して焼成して素体を形成した後、メッキによって第１及び第２端子電極２２、２４を形成する一般的な方法により製造することができるが、その他の方法で製造してもよい。

金属端子部３０、４０は、たとえば金属の板材（基材部３Ａ）を機械加工し、メッキなどにより基材部３Ａの表面に表面部３Ｂを形成することにより作製することができる。また、接合部材６０の基となる接合部材材料は、Ｓｂ、Ｓｎ、およびフラックスの他に、Ａｇ、Ｃｕその他の材料を含んでいてもよい。

図３に示す第１部分６２のＳｂ／ＳｎをＳｂ（Ａ）、第２部分６４のＳｂ／ＳｎをＳｂ（Ｂ）とした場合、Ｓｂ（Ｂ）／Ｓｂ（Ａ）は、第２部分６４の耐熱性を向上させる観点から、１．２〜５．０とすることが好ましく、１．３〜３．０とすることがさらに好ましい。また、第２部分６４における第１端面２０ａと端子内面３６ｅとの距離である第２の距離Ｗ２は、第２部分６４による補強効果を高める観点から、１〜２０μｍとすることが好ましく、２〜１２μｍとすることがさらに好ましい。

また、図１に示す例では、第２部分６４は、突起３６ａの位置に対応して設けられている。第２部分６４の形成数は特に限定されないが、１つのチップコンデンサ２０の第１端面２０ａと１つの金属端子部３０、４０の端子内面３６ｅとの間の接合につき１箇所以上設けられることが好ましく、１つのチップコンデンサ２０の第１端面２０ａと１つの金属端子部３０、４０の端子内面３６ｅとの間の接合につき複数箇所設けられることが、チップコンデンサ２０と金属端子部３０、４０との、温度上昇時における接合信頼性を高める観点から好ましい。

図１〜図３に示すセラミックコンデンサ１０は、図３に示すように、第１端面２０ａと端子内面３６ｅとのギャップが狭い位置にある接合部材６０における第２部分６４のＳｂ含有量を高めることにより、温度上昇時における第２部分６４の軟化及び流動が効果的に抑制される。これにより、第２部分６４は、温度上昇時において第１端面２０ａと端子内面３６ｅとをつなぎ留めるアンカーとして作用することができる。したがって、このような第２部分６４を有するセラミックコンデンサ１０は、Ｓｂ含有量が接合部材中で均一である場合に比べて、接合部材６０の温度上昇時における接合信頼性を向上させることができる。したがって、セラミックコンデンサ１０は、接合部材６０が少なくても、接合信頼性が保たれるため、接合部材の過度な使用に伴い生じるチップコンデンサ２０におけるクラックの形成を防止できる。したがって、セラミックコンデンサ１０は、接合部材６０の使用量が少なくても、良好な耐熱性を有する。

また、セラミックコンデンサ１０において、接合部材６０における第１部分６２は、第２部分６４に比べてＳｎ含有量が高く、溶融時に濡れ広がり易くなっている。第１端面２０ａと端子内面３６ｅとのギャップが広い位置に、濡れ広がり易い第２部分６４を配置することにより、セラミックコンデンサ１０は、端子内面３６ｅと接合部材６０、及び、第１端面２０ａと接合部材６０との接合面積を広くすることができる。したがって、このような第１部分６２を有するセラミックコンデンサ１０は、冷温状態（非温度上昇時）において、良好な接合強度を有する。また、接合部材６０に含まれる第１部分６２と第２部分６４の面積（接合面積）を比較した場合、第１部分６２の面積は、第２部分６４の面積より広いことが、接合面積を広げて接合強度を確保する観点から好ましい。

また、端子内面３６ｅに突起３６ａが形成されていることにより、意図した位置に接合部材６０の第２部分６４を配置することができるため、セラミックコンデンサ１０は、接合強度や耐熱性の製造ばらつきを抑制することができる。また、図３に示すように、第２部分６４は第１部分６２によって周辺を取り囲まれていてもよく、これにより、温度上昇により接合部材６０が流動し始めた場合にも、第２部分６４のアンカー効果が生じることにより、接合部材６０全体の流動が抑制される。

以上、実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではなく、様々な金属端子付き電子部品に適用可能であることは言うまでもない。本発明は、たとえば、金属端子やチップ部品の数、金属端子の形状、チップ部品の形状、端子電極面及び対向面の配置などが、実施形態とは異なる様々な金属端子付き電子部品の実施形態や変形例を有する。また、上述の実施形態では、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａと第１金属端子部３０との間に形成される接合部材６０は、第２端面２０ｂと第２金属端子部４０との間に形成される接続部材と同様の構成を有するが、２つの接続部材は、異なる構成を有していてもよい。

１０…セラミックコンデンサ
２０…チップコンデンサ
２０ａ…第１端面
２０ｂ…第２端面
２２…第１端子電極
２４…第２端子電極
２６…内部電極層
２８…誘電体層
３０…第１金属端子部
４０…第２金属端子部
３１ａ、３３ａ、４１ａ、４３ａ…上部アーム部
３１ｂ、３３ｂ…下部アーム部
３６、４６…電極対向部
３６ａ…突起
３６ｂ…第１貫通孔
３６ｃ…第２貫通孔
３６ｃａ…周縁部
３６ｄ…スリット
３６ｅ…端子内面
３６ｆａ…点線
３８、４８…実装部
５０ｃ…初期塗布領域
６０…接合部材
６２…第１部分
６４…第２部分
Ｗ１…第１の距離
Ｗ２…第２の距離
２Ａ…電極下地層
２Ｂ…電極表面層
３Ａ…基材部
３Ｂ…表面部

Claims (4)

1. 端子電極が形成された端子電極面を有するチップ部品と、
   前記端子電極面に対向する対向面を有する金属端子と、
   少なくともSｎとSｂとを含み、前記端子電極面と前記対向面とを接合する導電性の接合部材と、を有し、
   前記接合部材は、前記端子電極面と前記対向面とが第１の距離である位置にあり、Sｂ／Sｎが第１の値である第１部分と、前記端子電極面と前記対向面とが前記第１の距離より短い第２の距離である位置にあり、Sｂ／Sｎが前記第１の値より大きい第２の値である第２部分と、を有するセラミック電子部品。
2. 前記対向面には、前記端子電極面へ突出する突起が形成されており、前記第２部分は、前記突起と前記端子電極面との間にあることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記第１部分は、前記第２部分の周りを取り囲んでいることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセラミック電子部品。
4. 前記第１部分の面積は、前記第２部分の面積より広いことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載のセラミック電子部品。

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