JP2018133355A - 積層セラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】積層セラミック電子部品について、その金属端子同士を結ぶ方向に発生する応力に対して十分な強度を確保しうる積層セラミック電子部品を提供すること。【解決手段】積層セラミック電子部品１０は、積層体１４と外部電極２４とを有する電子部品本体１２と一対の金属端子４０Ａとが接合材６０により接続され形成されている。一対の金属端子４０Ａは、端子本体部５０、延長部５２及び実装部５４により構成される。さらに、端子本体部５０には、電子部品本体１２の側面と対向するように延びる側面リブ部５６ａ，５６ｂを有する。接合材６０は、側面リブ部５６ａ，５６ｂと側面リブ部５６ａ，５６ｂに対向する外部電極２４との間に存在し、かつ、接合材６０は、端子本体部５０と外部電極２４の端面中央部との間には存在しない。【選択図】図１

Description

本発明は、たとえば、積層セラミックコンデンサ等を含む積層セラミック電子部品に関する。

近年の積層セラミックコンデンサの薄層化技術及び多層化技術の進展は目覚しく、アルミ電解コンデンサに匹敵する高静電容量を有したものが商品化されるようになった。

このような積層セラミックコンデンサの積層体を形成するセラミックス材料として、誘電率の比較的高いチタン酸バリウムなどの強誘電体材料が一般的に用いられているが、この強誘電体材料は圧電性及び電歪性を有する為、この強誘電体材料に電界が加わった際に応力及び機械的歪みが生じる。
そのため、電界が加わった際の応力及び機械的歪みに伴い、積層セラミックコンデンサの外部電極から基板側にこの振動が伝わるようになり、この基板全体が音響放射面となって、雑音となる振動音（鳴き）を発生するおそれを有していた。

また、一般に、電源周辺は高熱を発するため、基板は放熱性の良いアルミニウム基板が用いられる。しかしながら、電源周辺では、電源のオン／オフによる温度変化が大きく、熱膨張率の大きなアルミニウム基板上に実装した積層セラミックコンデンサには大きな熱応力が発生する。この熱応力は、積層セラミックセラミックコンデンサにクラックを発生させ、ショート不良や、発火等のトラブルを発生させる原因となる。

この対策として、たとえば、図１３に記載されるように、積層セラミックコンデンサ（電子部品本体）２の外部電極４に一対の金属端子６をはんだ６ａで接続することにより構成される積層セラミック電子部品１は、実装基板７と積層セラミックコンデンサ２とが間隔を隔てるようにして、金属端子６を実装基板８にはんだ付けする構成が考えられている。このような構成とすることにより、金属端子６の弾性変形によって交流電圧が加わることでセラミック層に生じる機械的歪みを吸収することができ、その振動が外部電極４を介して基板に伝達されることを抑えて雑音の発生を減少することができ、さらに、実装基板からの熱応力を緩和することができる（特許文献１参照 図２０ないし図２２）。

特開２００４−２８８８４７号公報

しかしながら、特許文献１のような構造（図１３を参照）では、金属端子６と外部電極４を接合する接合材６ａにおいて、接合材の内部に空隙が発生するか、あるいは接合材内部に空隙が発生するような接合材を用いる場合に、２つの金属端子６同士を結ぶ方向に発生する応力（引張り応力）に対して、たとえば、その接合部にクラックが発生することで、十分な強度が得られない場合があった。
さらに、特許文献１のような構造（図１３を参照）において示されるように、はんだ６ａによって積層セラミックコンデンサ２の外部電極４と金属端子６とを接合した場合、外部電極４と金属端子６と接合部において、Ｓｎが比較的多く残留するため、車載用途など高温環境下にさらされる際に、外部電極４（下地電極層およびめっき層で構成される）のめっき層の金属が下地電極層まで拡散する。その結果、めっき層が消滅し、経時的に外部電極４と金属端子６との接合強度が低下し、外部電極４と金属端子６と接合部のクラックなどの構造欠陥が発生するという問題が懸念される。

それゆえに、この発明の主たる目的は、積層セラミック電子部品について、その金属端子同士を結ぶ方向に発生する応力に対して十分な強度を確保しうる積層セラミック電子部品を提供することである。

この発明にかかる積層セラミック電子部品は、複数の誘電体層と複数の内部電極層とが交互に積層され、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、積層体の第１の端面に接続される第１の外部電極と、積層体の第２の端面に接続される第２の外部電極と、を備える電子部品本体と、第１の外部電極に接合材によって接続される第１の金属端子と、第２の外部電極に接合材によって接続される第２の金属端子と、を有する積層セラミック電子部品であって、第１の金属端子が、第１の端面に対向する端子本体部と、端子本体部に接続され実装面方向に延びる延長部と、延長部に接続され、延長部から端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、を有し、第２の金属端子が、第２の端面に対向する端子本体部と、端子本体部に接続され実装面方向に延びる延長部と、延長部に接続され、延長部から端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、を有し、第１の金属端子および第２の金属端子において、延長部が、電子部品本体の下面と実装部との間に隙間を形成するように設けられており、端子本体部には、電子部品本体の側面と対向するように延びるリブ部が設けられており、接合材が、少なくとも第１の金属端子のリブ部とリブ部に対向する第１の外部電極との間に存在し、かつ、接合材は、端子本体部と第１の外部電極の端面中央との間には存在せず、少なくとも第２の金属端子のリブ部とリブ部に対向する第２の外部電極との間に存在し、かつ、接合材が、端子本体部と第２の外部電極の端面中央との間には存在しない、積層セラミック電子部品である。
この発明にかかる積層セラミック電子部品は、第１の金属端子および第２の金属端子の端子本体部において、電子部品本体の主面と対向するように延びるリブ部をさらに備えることが好ましい。
また、この発明にかかる積層セラミック電子部品は、接合材が、Ｃｕ−Ｍ（ＭはＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ）合金と、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉのうち、少なくとも２以上から構成される金属間化合物と、Ｓｎとから構成され、接合材におけるＳｎの割合が、５％以下であることが好ましい。
さらに、この発明にかかる積層セラミック電子部品は、接合材が、第１の金属端子のリブ部に対向する第１の外部電極から積層体の表面に跨って配置され、そして、第２の金属端子のリブ部に対向する第１の外部電極から積層体の表面に跨って配置されることが好ましい。

この発明にかかる積層セラミック電子部品によれば、金属端子の端子本体部において、電子部品本体のそれぞれの側面と対向するように延びるリブ部が設けられており、第１の金属端子のリブ部とリブ部に対向する第１の外部電極との間に存在する接合材を用いて接合し、かつ、第１の金属端子の端子本体部と第１の外部電極の端面中央部との間に接合材を設けないようにし、同様に、第２の金属端子のリブ部とリブ部に対向する第２の外部電極との間に存在する接合材を用いて接合し、かつ、第２の金属端子の端子本体部と第２の外部電極の端面中央部との間に接合材を設けないので、引張りに対して脆弱性を示す接合材においても、比較的強い強度を示すせん断力として作用させることで、２つの金属端子同士を結ぶ方向に発生する応力（引張り応力）に対して、十分な強度を確保することが可能となる。
また、この発明にかかる積層セラミック電子部品によれば、金属端子の端子本体部において、さらに、電子部品本体のそれぞれの主面と対向するように延びるリブ部が設けられており、電子部品本体のそれぞれの主面と対向するように延びるリブ部と第１の外部電極との間に存在する接合材を用いて接合し、同様に、電子部品本体のそれぞれの主面と対向するように延びるリブ部と第２の外部電極との間に存在する接合材を用いて接合すると、２つの金属端子同士を結ぶ方向に発生する応力（引張り応力）に対して、さらに十分な強度を確保することができる。
さらに、この発明にかかる積層セラミック電子部品によれば、接合材には拡散の原因となるＳｎが５％以下であり、融点が２６０℃以上の金属および金属間化合物であるため、拡散金属種がほとんど存在せず、２００℃以上の高温環境下においても界面構造の変化が小さいと、高温環境下においても、経時的に外部電極と金属端子との接合強度が低下し、外部電極と金属端子との接合部のクラックなどの構造欠陥が発生するという問題を抑制することが可能となる。
さらにまた、この発明にかかる積層セラミック電子部品によれば、接合材が、第１の金属端子のリブ部に対向する第１の外部電極から積層体の第１の端面側に配置される第１の外部電極の表面一部に跨って配置され、また、接合材が、第２の金属端子のリブ部に対向する第２の外部電極から積層体の第２の端面側に配置される第２の外部電極の表面の一部に跨って配置されると、金属端子と外部電極との接合強度を強くすることができる。

この発明によれば、積層セラミック電子部品について、その金属端子同士を結ぶ方向に発生する応力に対して十分な強度を確保しうる積層セラミック電子部品が得られる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。 この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。 この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。 この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図１のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。 この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図である。 この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。 この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。 この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。 この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図６のＩＸ−ＩＸ線における断面図である。 この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図である。 引剥強度試験の評価のための準備工程を示し、（ａ）は積層セラミック電子部品の実装基板への実装状態を示し、（ｂ）は実装基板を左右に切断した状態を示す。 引剥強度試験を評価するための実施工程を示し、（ａ）は実装基板の両端を治具（固定用治具と引張用治具）により保持した状態を示し、（ｂ）は引張用治具により実装基板を引っ張った状態を示す。 従来の積層セラミックコンデンサを含む積層セラミック電子部品を示す外観斜視図である。

１．積層セラミック電子部品
（第１の実施の形態）
この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品について説明する。図１は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。図２は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図であり、図３は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。図４は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図１のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。図５は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図である。

図１および図２に示すように、積層セラミック電子部品１０は、たとえば、電子部品本体１２と一対の金属端子４０Ａとにより構成される。電子部品本体１２と一対の金属端子４０Ａとは、接合材６０を介して接続される。

また、電子部品本体１２は、直方体状の積層体１４を含む。

積層体１４は、積層された複数のセラミック層１６と複数の内部電極層１８とを有する。さらに、積層体１４は、積層方向ｘに相対する第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂと、積層方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄと、積層方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１４ｅおよび第２の端面１４ｆとを有する。この積層体１４には、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。

セラミック層１６は、外層部１６ａと内層部１６ｂとを含む。外層部１６ａは、積層体１４の第１の主面１４ａ側および第２の主面１４ｂ側に位置し、第１の主面１４ａと最も第１の主面１４ａに近い内部電極層１８との間に位置するセラミック層１６、および第２の主面１４ｂと最も第２の主面１４ｂに近い内部電極層１８との間に位置するセラミック層１６である。そして、両外層部１６ａに挟まれた領域が内層部１６ｂである。

セラミック層１６は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、またはＣａＺｒＯ₃などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する電子部品本体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない成分を添加したものを用いてもよい。

なお、積層体１４に、圧電体セラミックを用いた場合、電子部品本体は、セラミック圧電素子として機能する。圧電セラミック材料の具体例としては、たとえば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。
また、積層体１４に、半導体セラミックを用いた場合、電子部品本体は、サーミスタ素子として機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
また、積層体１４に、磁性体セラミックを用いた場合、電子部品本体は、インダクタ素子として機能する。また、インダクタ素子として機能する場合は、内部電極層１８は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。

焼成後のセラミック層１６の厚みは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

図２に示すように、積層体１４は、複数の内部電極層１８として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１８ａおよび複数の第２の内部電極層１８ｂを有する。複数の第１の内部電極層１８ａおよび複数の第２の内部電極層１８ｂは、積層体１４の積層方向ｘに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。
第１の内部電極層１８ａおよび第２の内部電極層１８ｂの各電極面は、金属端子４０Ａが延びる方向と垂直に配置されており、実装面に対しては平行になるように配置される。

第１の内部電極層１８ａの一端側には、積層体１４の第１の端面１４ｅに引き出された第１の引出電極部２０ａを有する。第２の内部電極層１８ｂの一端側には、積層体１４の第２の端面１４ｆに引き出された第２の引出電極部２０ｂを有する。具体的には、第１の内部電極層１８ａの一端側の第１の引出電極部２０ａは、積層体１４の第１の端面１４ｅに露出している。また、第２の内部電極層１８ｂの一端側の第２の引出電極部２０ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆに露出している。
なお、内部電極１８は、実装面に対して平行になるように配置されてもよく、垂直になるように配置されてもよい。

積層体１４は、セラミック層１６の内層部１６ｂにおいて、第１の内部電極層１８ａと第２の内部電極層１８ｂとが対向する対向電極部２２ａを含む。また、積層体１４は、対向電極部２２ａの幅方向ｙの一端と第１の側面１４ｃとの間および対向電極部２２ａの幅方向ｙの他端と第２の側面１４ｄとの間に形成される積層体１４の側部（以下、「Ｗギャップ」という。）２２ｂを含む。さらに、積層体１４は、第１の内部電極層１８ａの第１の引出電極部２０ａとは反対側の端部と第２の端面１４ｆとの間および第２の内部電極層１８ｂの第２の引出電極部２０ｂとは反対側の端部と第１の端面１４ｅとの間に形成される積層体１４の端部（以下、「Ｌギャップ」という。）２２ｃを含む。

内部電極層１８は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む、たとえば、Ａｇ−Ｐｄ合金などの合金を含有している。内部電極層１８は、さらにセラミック層１６に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
内部電極層１８の厚みは、０．１μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。

積層体１４の第１の端面１４ｅ側および第２の端面１４ｆ側には、外部電極２４が配置される。外部電極２４は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを有する。
第１の外部電極２４ａは、積層体１４の第１の端面１４ｅの表面に配置され、第１の端面１４ｅから延伸して第１の主面１４ａ、第２の主面１４ｂ、第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第１の外部電極２４ａは、第１の内部電極１８ａの第１の引出電極２０ａと電気的に接続される。
第２の外部電極２４ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆの表面に配置され、第２の端面１４ｆから延伸して第１の主面１４ａ、第２の主面１４ｂ、第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第２の外部電極２４ｂは、第２の内部電極１８ｂの第２の引出電極２０ｂと電気的に接続される。

積層体１４内においては、各対向電極部２２ａで第１の内部電極層１８ａと第２の内部電極層１８ｂとがセラミック層１６を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１８ａが接続された第１の外部電極２４ａと第２の内部電極層１８ｂが接続された第２の外部電極２４ｂとの間に、静電容量を得ることができる。したがって、このような構造の電子部品本体はコンデンサ素子として機能する。

第１の外部電極２４ａは、図２に示すように、積層体１４側から順に、第１の下地電極層２８ａと第１の下地電極層２８ａの表面に配置された第１のめっき層３０ａとを有する。同様に、第２の外部電極２４ｂは、積層体１４側から順に、第２の下地電極層２８ｂと第２の下地電極層２８ｂの表面に配置された第２のめっき層３０ｂとを有する。

第１の下地電極層２８ａは、積層体１４の第１の端面１４ｅの表面に配置され、第１の端面１４ｅから延伸して第１の主面１４ａ、第２の主面１４ｂ、第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
また、第２の下地電極層２８ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆの表面に配置され、第２の端面１４ｆから延伸して第１の主面１４ａ、第２の主面１４ｂ、第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。

第１の下地電極層２８ａおよび第２の下地電極層２８ｂは、それぞれ、焼付け層、薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含むが、ここでは焼付け層で形成された第１の下地電極層２８ａおよび第２の下地電極層２８ｂについて説明する。
焼付け層は、ガラスと金属とを含む。焼付け層の金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｂ、Ａｇ−Ｐｂ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、焼付け層のガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｚｎ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１４に塗布して焼き付けたものであり、セラミック層１６および内部電極層１８と同時に焼成したものでもよく、セラミック層１６および内部電極層１８を焼成した後に焼き付けたものでもよい。焼付け層のうちの最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

焼付け層の表面に、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層が形成されてもよい。なお、樹脂層は、焼付け層を形成せずに積層体１４上に直接形成してもよい。また、樹脂層は、複数層であってもよい。樹脂層のうちの最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
また、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。

第１のめっき層３０ａは、第１の下地電極層２８ａを覆うように配置される。具体的には、第１のめっき層３０ａは、第１の下地電極層２８ａの表面の第１の端面１４ｅに配置され、第１の下地電極層２８ａの表面の第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂならびに第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄにも至るように設けられていることが好ましい。
同様に、第２のめっき層３０ｂは、第２の下地電極層２８ｂを覆うように配置される。具体的には、第２のめっき層３０ｂは、第２の下地電極層２８ｂの表面の第２の端面１４ｆに配置され、第２の下地電極層２８ｂの表面の第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂならびに第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄにも至るように設けられていることが好ましい。

また、第１のめっき層３０ａおよび第２のめっき層３０ｂ（以下、単にめっき層ともいう）としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金が用いられる。
めっき層は、複数層によって形成されてもよい。この場合、めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層が、下地電極層の表面を覆うように設けられることで、下地電極層が金属端子４０Ａを接合する際のはんだによって侵食されることを防止するために用いられる。また、Ｎｉめっき層の表面に、Ｓｎめっき層を設けることにより、積層セラミックコンデンサを実装する際に、実装に用いられるはんだの濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。

めっき層一層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。また、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。さらに、めっき層は、単位体積あたりの金属割合が９９体積％以上であることが好ましい。

電子部品本体１２の第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂには、図５に示すような一対の金属端子４０Ａが接合材６０を介して接続される。一対の金属端子４０Ａは、積層セラミック電子部品１０を、実装基板に実装するために設けられる。

一対の金属端子４０Ａは、たとえば、板状のリードフレームが用いられる。この板状のリードフレームにより形成される一対の金属端子４０Ａは、第１の外部電極２４ａまたは第２の外部電極２４ｂと対向する一方主面４２、一方主面４２と対向する他方主面４４（電子部品本体１２とは反対側の面）および一方主面４２と他方主面４４との間の厚みを形成する周囲面４６を有する。そして、この板状のリードフレームにより形成される一対の金属端子４０Ａは、断面の形状がＬ字形状に形成されている。このように、一対の金属端子４０Ａの断面の形状がＬ字形状に形成されると、積層セラミック電子部品１０を実装基板に実装したとき、実装基板のたわみに対する耐性を向上させることができる。

金属端子４０Ａは、たとえば、矩形板状の端子本体部５０と、端子本体部５０に接続され端子本体部５０から実装面方向に延びる延長部５２と、延長部５２に接続され延長部５２から第１の端面１４ｅおよび第２の端面１４ｆを結んだ方向に延びる実装部５４とにより構成される。この構成により、金属端子４０Ａを電子部品本体１２と実装基板との間に介在させることで、電子部品本体１２に対して、熱衝撃を加わりにくくすることができる。また、温度変化によるストレスや、実装基板の変形が生じたとしても、金属端子４０Ａの弾性変形によって有利に吸収することができる。

金属端子４０Ａの端子本体部５０は、電子部品本体１２の第１の端面１４ｅ側または第２の端面１４ｆに対向して位置する部分である。金属端子４０Ａの端子本体部５０は、たとえば電子部品本体１２の第１の外部電極２４ａまたは第２の外部電極２４ｂの幅と同等の大きさの矩形板状に形成され、一方の金属端子４０Ａの一方主面４２側が第１の外部電極２４ａに対向して位置し、他方の金属端子４０Ａの一方主面４２側が第２の外部電極２４ｂに対向して位置する。

金属端子４０Ａの端子本体部５０には、電子部品本体１２のそれぞれの側面１４ｃ，１４ｄと対向するように延びる側面リブ部５６ａ，５６ｂが設けられる。すなわち、金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａ，５６ｂは、端子本体部５０における幅方向ｙの両端辺の上端部から実装部５４まで至らない部分に設けられ、積層体１４の第１の端面１４ｅと第２の端面１４ｆとを結ぶ方向に延びる。すなわち、側面リブ部５６ａ，５６ｂは、端子本体部５０における幅方向ｙの両端辺から、電子部品本体１２側に直角に折り曲げられる態様で形成される。金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａ，５６ｂの長さ方向ｚの長さ（積層体１４の第１の端面１４ｅと第２の端面１４ｆとを結ぶ方向に延びる方向の長さ）は、積層体１４の両主面１４ａ，１４ｂおよび両側面１４ｃ，１４ｄの表面に形成されるそれぞれの外部電極２４の長さ方向ｚの長さよりも長く形成されることが好ましい。換言すると、金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａ，５６ｂは、積層体１４の両主面１４ａ，１４ｂおよび両側面１４ｃ，１４ｄの表面に形成される外部電極２４を覆うように設けられていることが好ましい。これにより、熱応力の集中が緩和され、電子部品本体１２に対するクラックの発生を大幅に抑制する効果が得られる。

金属端子４０Ａの延長部５２は、電子部品本体１２の下面（第２の主面１４ｂ）と実装部５４との間に隙間を形成するように設けられる。金属端子４０Ａの延長部５２は、電子部品本体１２を実装する実装基板から浮かせるために設けられ、実装基板に接するまでの部分である。これにより、金属端子４０Ａの弾性変形によって交流電圧が加わることで、セラミック層１６に生じる機械的歪みを吸収することができ、その振動が外部電極２４を介して実装基板に伝達されることを抑えて、その結果、雑音（鳴き）の発生を抑制することができる。また、実装基板において生じる熱応力を延長部５２によって緩和することができることから、電子部品本体１２にクラックが発生することを抑制することができるので、ショート不良や、発火等の故障を防止することができる。

金属端子４０Ａの延長部５２は、たとえば、長方形板状をしており、端子本体部５０から実装面方向に積層体１４の第２の主面１４ｂと直交する高さ方向に延び、端子本体部５０と一平面状に形成されている。

金属端子４０Ａの実装部５４は、金属端子４０Ａの延長部５２の端部から第２の主面１４ｂに平行する長さ方向ｚに延びて、金属端子４０Ａの延長部５２と直角になるように折り曲げられる。また、金属端子４０Ａの実装部５４は、金属端子４０Ａの延長部５２に対して、実装基板に接するように折り曲げられて形成される。なお、実装部５４の折り曲げられる方向は、電子部品本体１２側に曲げられてもよいし、電子部品本体１２とは反対側に折り曲げられていてもよい。

金属端子４０Ａの実装部５２の長さ方向ｚ（積層体１４の両端面１４ｅ，１４ｆを結ぶ方向）の長さは、積層体１４の第２の主面１４ｂ（実装面側）に形成される外部電極２４の長さ方向ｚ（積層体１４の両端面１４ｅ，１４ｆを結ぶ方向）の長さよりも長く形成されていてもよい。これによって、積層セラミック電子部品１０を実装基板に実装する際において、積層セラミック電子部品１０を下方からカメラで画像認識して部品の位置を検出する場合、電子部品本体１２の外部電極２４を金属端子４０Ａとして誤認識することを防止することができ、検出ミスを防止することができる。

金属端子４０Ａの実装部５４の長さ方向ｚ（積層体１４の両端面１４ｅ，１４ｆを結ぶ方向）の長さは、金属端子４０Ａの延長部５２の積層方向ｘ（積層体１４の両主面１４ａ，１４ｂを結ぶ方向）の長さよりも長く形成されていてもよい。また、金属端子４０Ａの延長部５２と金属端子４０Ａの実装部５４とが交わる角部は、丸みがつけられていてもよい。

金属端子４０Ａは、端子本体と端子本体の表面に形成されるめっき膜とを有する。

端子本体は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、端子本体は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。具体的には、たとえば、端子本体の母材の金属をＦｅ−４２Ｎｉ合金やＦｅ−１８Ｃｒ合金とすることができる。金属端子４０Ａの端子本体の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下程度であることが好ましい。端子本体を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、外部電極２４の耐熱性を向上させることができる。

ここで、めっき膜は、金属端子４０Ａの表面全体に形成されてもよい。なお、めっき膜は、金属端子４０Ａの延長部５２および実装部５４の周囲面４６においては形成されなくてもよい。これにより、積層セラミック電子部品１０を実装基板にはんだを用いて実装する際に、はんだの金属端子４０Ａへの濡れ上がりを抑制することができる。そのため、電子部品本体１２と金属端子４０Ａとの間（浮き部分）にはんだが濡れ上がることを抑制することができるため、浮き部分にはんだが充填されることを防止することができる。よって、浮き部分の空間を十分に確保することができる。従って、金属端子４０Ａの延長部５２が弾性変形し易くなるため、交流電圧が加わることでセラミック層１６に生じる機械的歪みをより吸収することができる。これにより、このとき生じる振動が、外部電極２４を介して実装基板に伝達することを抑制することができる。従って、金属端子４０Ａを備えることで、より安定してアコースティックノイズ（鳴き）の発生を抑制することができる。

金属端子４０Ａの表面に形成されためっき膜、または、金属端子４０Ａの延長部５２および実装部５４の周囲面４６に形成されためっき膜を除去する場合、その除去方法は、機械による除去（切削、研磨）、レーザートリミングによる除去、めっき剥離剤（たとえば、水酸化ナトリウム）などが考えられる。また、たとえば、金属端子４０Ａの延長部５２および実装部５４の表面にめっき膜を形成しない場合、予めめっき膜を形成しない部分をレジストで覆ったうえで、金属端子４０Ａの他の部分にめっき膜を形成し、その後、レジストを除去するようにしてもよい。なお、金属端子４０Ａの全周囲面には、めっき膜が形成されなくてもよい。

めっき膜は、たとえば、下層めっき膜と上層めっき膜とを有する。
下層めっき膜は、端子本体の表面に形成されており、上層めっき膜は、下層めっき膜の表面に形成されている。

下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。下層めっき膜を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、外部電極２４の耐熱性を向上させることができる。下層めっき膜の厚みは０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。また、下層めっき膜は、複数のめっき膜により構成されていてもよい。

上層めっき膜は、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、上層めっき膜は、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなる。上層めっき膜をＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金により形成することにより、金属端子４０Ａと外部電極２４とのはんだ付き性を向上させることができる。上層めっき膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。また、上層めっき膜は、複数の層により構成されてもよい。
なお、めっき膜として、１層形成の場合には、はんだ付き性のよい上層めっき膜を形成するのが好ましい。

接合材６０は、第１の外部電極２４ａと一方の金属端子４０Ａの接合部とを接合し、第２の外部電極２４ｂと他方の金属端子４０Ａの接合部とを接合するために用いられる。
接合材６０は、一方の金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａおよび側面リブ部５６ｂと、側面リブ部５６ａおよび側面リブ部５６ｂに対向する第１の外部電極２４ａ（両側面１４ｃ，１４ｄ上の第１の外部電極２４ａ）との間に存在し、かつ接合材６０は、一方の金属端子４０Ａの端子本体部５０と第１の外部電極２４ａの端面中央部２６ａとの間には存在しない。また、接合材６０は、他方の金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａおよび側面リブ部５６ｂと、側面リブ部５６ａおよび側面リブ部５６ｂに対向する第２の外部電極２４ｂ（両側面１４ｃ，１４ｄ上の第２の外部電極２４ｂ）との間に存在し、かつ接合材６０は、他方の金属端子４０Ａの端子本体部５０と第２の外部電極２４ｂの端面中央部２６ｂとの間には存在しない。

また、接合材６０は、一方の金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａ，５６ｂに対向する第１の外部電極２４ａから積層体１４の第１の端面１４ｅ側に配置される第１の外部電極２４ａの表面一部に跨って配置されることが好ましい。また、接合材６０は、他方の金属端子し４０Ａの側面リブ部５６ａ，５６ｂに対向する第２の外部電極２４ｂから積層体１４の第２の端面１４ｆ側に配置される第２の外部電極２４ｂの表面の一部に跨って配置されることが好ましい。

さらに、接合材６０は、一方の金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａ，５６ｂに対向する第１の外部電極２４ａから積層体１４の第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄの表面の一部に跨って配置されていることが好ましい（図示せず）。また、接合材６０は、他方の金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａ，５６ｂに対向する第２の外部電極２４ｂから積層体１４の第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄの表面の一部に跨って配置されていることが好ましい（図示せず）。これにより、一方の金属端子４０Ａと第１の外部電極２４ａとの接合強度および他方の金属端子４０Ａと第２の外部電極２４ｂとの接合強度をより強くすることができる。

接合材６０としては、たとえば、はんだや、シリコン樹脂あるいはエポキシ樹脂等の樹脂成分に金属粉末等の導電性粉末を配合した導電性接着剤などを用いることができる。特に、以下の特徴を持つ導電性材料によって接続すること好ましい。
導電性材料は、第１金属と、第１金属よりも融点が高く、第１金属と反応して金属間化合物を生成する第２金属とからなる金属成分を含む。導電性材料の第１金属はＳｎまたはＳｎを７０質量％以上含む合金であり、第２金属はＣｕ、Ｃｕ−Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ａｌ合金、Ｃｕ−Ｃｒ合金の中から選択される少なくとも１種類以上の合金である。導電性材料の第１金属と第２金属とは、３１０℃以上の融点を示す金属間化合物を生成する。また、導電性材料は、第２金属として溶融した第１金属がぬれやすく、第１金属中に拡散して表面に残留しないことにより第１金属と第２金属との反応を阻害しない金属または合金で表面がコートされているものも含む（たとえば、Ａｇ、Ａｕなどの金属）。

接合材６０（接合部）は、融点が２６０℃以上の金属、合金、金属間化合物及びＳｎまたはＳｎ基合金から構成され、Ｃｕ−Ｍ（ＭはＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ）合金と、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉ等のうち、少なくとも２以上から構成される金属間化合物とＳｎとから構成され、Ｓｎの接合材６０における割合が５％以下であることが好ましい。これにより、高温環境下においても、経時的に外部電極と金属端子との接合強度が低下し、外部電極２４と金属端子４０Ａとの接合部のクラックなどの構造欠陥が発生するという問題を抑制することが可能となる。

この第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１０Ａによれば、金属端子４０Ａの端子本体部５０において、電子部品本体１２のそれぞれの側面１４ｃ，１４ｄと対向するように延びる側面リブ部５６ａ，５６ｂが設けられており、一方の金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａ，５６ｂと第１の外部電極２４ａ（両側面１４ｃ，１４ｄ上の第１の外部電極２４ａ）との間に存在する接合材６０を用いて接合し、かつ、一方の金属端子４０Ａの端子本体部５０と第１の外部電極２４ａの端面中央部２６ａとの間に接合材６０を設けないようにし、同様に、他方の金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａ，５６ｂと第２の外部電極２４ｂ（両側面１４ｃ，１４ｄ上の第２の外部電極２４ｂ）との間に存在する接合材６０を用いて接合し、かつ、他方の金属端子４０Ａの端子本体部５０と第２の外部電極２４ｂの端面中央部２６ｂとの間に接合材６０を設けないので、引張りに対して脆弱性を示す接合材６０においても、比較的強い強度を示すせん断力として作用させることで、２つの金属端子４０Ａ同士を結ぶ方向に発生する応力（引張り応力）に対して、十分な強度を確保することが可能となる。

また、この第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１０Ａによれば、接合材６０には拡散の原因となるＳｎが５％以下であり、融点が２６０℃以上の金属および金属間化合物であるため、拡散金属種がほとんど存在せず、２００℃以上の高温環境下においても界面構造の変化が小さい。従って、高温環境下においても、経時的に外部電極と金属端子との接合強度が低下し、外部電極２４と金属端子４０Ａとの接合部のクラックなどの構造欠陥が発生するという問題を抑制することが可能となる。

さらに、この第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１０Ａによれば、接合材６０が、一方の金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａ，５６ｂに対向する第１の外部電極２４ａから積層体１４の第１の端面１４ｅ側に配置される第１の外部電極２４ａの表面一部に跨って配置され、また、接合材６０が、他方の金属端子４０Ａの側面リブ部５６ａ，５６ｂに対向する第２の外部電極２４ｂから積層体１４の第２の端面１４ｆ側に配置される第２の外部電極２４ｂの表面の一部に跨って配置されると、金属端子４０Ａと外部電極２４との接合強度を強くすることができる。

（第２の実施の形態）
この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品について説明する。図６は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。図７は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図であり、図８は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。図９は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図６のＩＸ−ＩＸ線における断面図である。図１０は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図である。なお、この実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１０Ｂは、一対の金属端子４０Ｂの構成が、一対の金属端子４０Ａと異なる構成であることを除いて、図１を用いて説明した積層セラミック電子部品１０Ａと同様の構成を有する。従って、図１に示した積層セラミック電子部品１０Ａと同一部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

図６示す積層セラミック電子部品１０Ｂに用いられる金属端子４０Ｂは、図１０に示すように、金属端子４０Ａとは異なり、さらに、端子本体部５０において、電子部品本体１２のそれぞれの主面１４ａ，１４ｂと対向するように延びる主面リブ部５８ａ，５８ｂが設けられる。すなわち、金属端子４０Ｂの主面リブ部５８ａは、端子本体部５０における積層方向ｘの上端部から積層体１４の第１の端面１４ｅと第２の端面１４ｆとを結ぶ方向に延びる。また、金属端子４０Ｂの主面リブ部５８ｂは、端子本体部５０における積層方向ｘの下端部から積層体１４の第１の端面１４ｅと第２の端面１４ｆとを結ぶ方向に延びる。金属端子４０Ｂの主面リブ部５８ａ，５８ｂの長さ方向ｚの長さ（積層体１４の第１の端面１４ｅと第２の端面１４ｆとを結ぶ方向に延びる方向の長さ）は、積層体１４の両主面１４ａ，１４ｂおよび両側面１４ｃ，１４ｄの表面に形成されるそれぞれの外部電極２４の長さ方向ｚの長さよりも長く形成されることが好ましい。換言すると、金属端子４０Ａの主面リブ部５８ａ，５８ｂは、積層体１４の両主面１４ａ，１４ｂおよび両側面１４ｃ，１４ｄの表面に形成される外部電極２４を覆うように設けられていることが好ましい。

第１の外部電極２４ａと一方の金属端子４０Ｂとは接合材６０により接合され、第２の外部電極２４ｂと他方の金属端子４０Ｂとは接合材６０により接合される。
接合材６０は、一方の金属端子４０Ｂの側面リブ部５６ａおよび側面リブ部５６ｂと、側面リブ部５６ａおよび側面リブ部５６ｂに対向する第１の外部電極２４ａ（両側面１４ｃ，１４ｄ上の第１の外部電極２４ａ）との間に存在する。また、接合材６０は、一方の金属端子４０Ｂの主面リブ部５８ａおよび主面リブ部５８ｂと、主面リブ部５８ａおよび主面リブ部５８ｂに対向する第１の外部電極２４ａ（両主面１４ａ，１４ｂ上の第１の外部電極２４ａ）との間に存在する。さらに、接合材６０は、一方の金属端子４０Ｂの端子本体部５０と第１の外部電極２４ａの端面中央部２６ａとの間には存在しない。同様に、接合材６０は、他方の金属端子４０Ｂの側面リブ部５６ａおよび側面リブ部５６ｂと、側面リブ部５６ａおよび側面リブ部５６ｂに対向する第２の外部電極２４ｂ（両側面１４ｃ，１４ｄ上の第２の外部電極２４ｂ）との間に存在する。また、接合材６０は、他方の金属端子４０Ｂの主面リブ部５８ａおよび主面リブ部５８ｂと、主面リブ部５８ａおよび主面リブ部５８ｂに対向する第２の外部電極２４ｂ（両主面１４ａ，１４ｂ上の第２の外部電極２４ｂ）との間に存在する。さらに、接合材６０は、他方の金属端子４０Ｂの端子本体部５０と第２の外部電極２４ｂの端面中央部２６ｂとの間には存在しない。

また、接合材６０は、一方の金属端子４０Ｂの側面リブ部５６ａ，５６ｂに対向する第１の外部電極２４ａから積層体１４の第１の端面１４ｅ側に配置される第１の外部電極２４ａの表面の一部に跨って配置されることが好ましく、さらに、他方の金属端子４０Ｂの主面リブ部５８ａ，５８ｂに対向する第１の外部電極２４ａから積層体１４の第１の端面１４ｅ側に配置される第１の外部電極２４ａの表面の一部に跨って配置されることが好ましい。
また、接合材６０は、他方の金属端子し４０Ｂの側面リブ部５６ａ，５６ｂに対向する第２の外部電極２４ｂから積層体１４の第２の端面１４ｆ側に配置される第２の外部電極２４ｂの表面の一部に跨って配置されることが好ましく、さらに、他方の金属端子４０Ｂの主面リブ部５８ａ，５８ｂに対向する第２の外部電極２４ｂから積層体１４の第２の端面１４ｆ側に配置される第２の外部電極２４ｂの表面の一部に跨って配置されることが好ましい。

さらに、接合材６０は、一方の金属端子４０Ｂの側面リブ部５６ａ，５６ｂに対向する第１の外部電極２４ａから積層体１４の第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄの表面の一部に跨って配置されていることが好ましい（図示せず）。さらに、一方の金属端子４０Ｂの主面リブ部５８ａ，５８ｂに対向する第１の外部電極２４ａから積層体１４の第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂの表面の一部に跨って配置されることが好ましい（図示せず）。これにより、一方の金属端子４０Ｂと第１の外部電極２４ａとの接合強度をより強くすることができる。

また、接合材６０は、他方の金属端子４０Ｂの側面リブ部５６ａ，５６ｂに対向する第２の外部電極２４ｂから積層体１４の第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄの表面の一部に跨って配置されていることが好ましい（図示せず）。さらに、他方の金属端子４０Ｂの主面リブ部５８ａ，５８ｂに対向する第２の外部電極極２４ｂから積層体１４の第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂの表面の一部に跨って配置されることが好ましい（図示せず）。これにより、他方の金属端子４０Ｂと第２の外部電極２４ｂとの接合強度をより強くすることができる。

積層セラミック電子部品１０Ａに対して、金属端子４０Ｂを備える積層セラミック電子部品は、図５に示す金属端子４０Ａと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、金属端子４０Ｂの端子本体部５０において、電子部品本体１２のそれぞれの側面１４ｃ，１４ｄと対向するように延びる側面リブ部５６ａ，５６ｂが設けられ、さらに、電子部品本体１２のそれぞれの主面１４ａ，１４ｂと対向するように延びる主面リブ部５８ａ，５８ｂが設けられており、一方の金属端子４０Ｂの側面リブ部５６ａ，５６ｂと第１の外部電極２４ａ（両側面１４ｃ，１４ｄ上の第１の外部電極２４ａ）との間に存在する接合材６０を用いて接合し、また、一方の金属端子４０Ｂの主面リブ部５８ａ，５８ｂと第１の外部電極２４ａ（両主面１４ａ，１４ｂ上の第１の外部電極２４ａ）との間に存在する接合材６０を用いて接合し、さらに、一方の金属端子４０Ｂの端子本体部５０と第１の外部電極２４ａの端面中央部２６ａとの間に接合材６０を設けないようにし、同様に、他方の金属端子４０Ｂの側面リブ部５６ａ，５６ｂと第２の外部電極２４ｂ（両側面１４ｃ，１４ｄ上の第２の外部電極２４ｂ）との間に存在する接合材６０を用いて接合し、また、他方の金属端子４０Ｂの主面リブ部５８ａ，５８ｂと第２の外部電極２４ｂ（両主面１４ａ，１４ｂ上の第２の外部電極２４ｂ）との間に存在する接合材６０を用いて接合し、さらに、他方の金属端子４０Ｂの端子本体部５０と第２の外部電極２４ｂの端面中央部２６ｂとの間に接合材６０を設けないので、２つの金属端子４０Ｂ同士を結ぶ方向に発生する応力（引張り応力）に対して、さらに十分な強度を確保することができる。

２．積層セラミック電子部品の製造方法
次に、以上の構成からなる積層セラミック電子部品の製造方法の一実施の形態について、積層セラミック電子部品１０Ａを例にして説明する。

まず、セラミックグリーンシート、内部電極層１８を形成するための内部電極用導電性ペーストおよび外部電極２４を形成するための外部電極用導電性ペーストが準備される。なお、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストには、有機バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。

そして、セラミックグリーンシート上に、たとえば、所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、セラミックグリーンシートには、内部電極パターンが形成される。なお、内部電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷やグラビア印刷などの公知の方法により印刷することができる。

次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートが順次積層され、その上に、外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、積層体シートが作製される。続いて、この積層体シートは、静水圧プレスなどの手段により積層方向ｘに圧着させて、積層体ブロックを作製する。

その後、積層体ブロックが所定の形状寸法に切断され、生の積層体チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより生の積層体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。続いて、切り出された生の積層体チップが焼成され、積層体１４が生成される。なお、生の積層体チップの焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。

次に、外部電極２４の焼付け層を形成するために、たとえば、積層体１４の表面に第１の端面１４ｅから露出している第１の内部電極１８ａの第１の引出電極部２０ａの露出部分に外部電極用導電性ペーストが塗布されて焼き付けられ、また、同様に、外部電極２４の焼付け層を形成するために、たとえば、積層体１４の第２の端面１４ｆから露出している第２の内部電極１８ｂの第２の引出電極部２０ｂの露出部分に外部電極用導電性ペーストが塗布されて焼き付けられ、焼付け層が形成される。このとき、焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。なお、必要に応じて、焼付け層の表面に１層以上のめっき層が形成され、外部電極２４が形成され、電子部品本体１２が製造される。

続いて、本発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法における金属端子の取り付け工程について、説明する。

まず、所望の一対の金属端子４０Ａが準備される。
次に、準備された一方の金属端子４０Ａは、電子部品本体１２の第１の外部電極２４ａに接合材６０によって取り付けられる。このとき、一方の金属端子４０Ａの端子本体部５０と第１の外部電極２４ａの端面中央部２６ａとの間には接合材６０は設けない。同様に、準備された他方の金属端子４０Ａは、電子部品本体１２の第２の外部電極２４ｂに接合材６０によって取り付けられる。このとき、他方の金属端子４０Ａの端子本体部５０と第２の外部電極２４ｂの端面中央部２６ｂとの間に接合材６０は設けない。

接合材６０としては、たとえば、はんだや、シリコン樹脂あるいはエポキシ樹脂等の樹脂成分に金属粉末等の導電性粉末を配合した導電性接着剤などを用いることができる。特に、以下の特徴を持つ導電性材料によって接続すること好ましい。
導電性材料は、第１金属と、第１金属よりも融点が高く、第１金属と反応して金属間化合物を生成する第２金属とからなる金属成分を含む。導電性材料の第１金属はＳｎまたはＳｎを７０質量％以上含む合金であり、第２金属はＣｕ、Ｃｕ−Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ａｌ合金、Ｃｕ−Ｃｒ合金の中から選択される少なくとも１種類以上の合金である。導電性材料の第１金属と第２金属とは、３１０℃以上の融点を示す金属間化合物を生成する。また、導電性材料は、第２金属として溶融した第１金属がぬれやすく、第１金属中に拡散して表面に残留しないことにより第１金属と第２金属との反応を阻害しない金属または合金で表面がコートされているものも含む（たとえば、Ａｇ、Ａｕなどの金属）。

接合材６０（接合部）は、融点が２６０℃以上の金属、合金、金属間化合物及びＳｎまたはＳｎ基合金から構成され、Ｃｕ−Ｍ（ＭはＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ）合金と、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉ等のうち、少なくとも２以上から構成される金属間化合物とＳｎから構成され、Ｓｎの接合材６０における割合が５％以下であることが好ましい。

なお、残留Ｓｎ率は、低融点金属成分の量、活性剤量、加熱条件を調整することで制御する。

上述のようにして、図１に示す積層セラミック電子部品１０Ａが製造される。

３．実験例
次に、本発明にかかる積層セラミック電子部品１０Ａ、１０Ｂについて、金属端子の引剥強度の評価の実験を行った。

まず、実験に用いた試料は、実施例として、実施例１および実施例２の試料を準備した。また、比較例として、比較例１の試料を準備した。試料数は、実施例１、実施例２、比較例１それぞれ、５個作製した。

まず、上述した積層セラミック電子部品の製造方法にしたがって、以下のような仕様の電子部品本体（積層セラミックコンデンサ）を作製した。
チップサイズ（設計値）：長さ×幅×高さ＝５．０ｍｍ×５．０ｍｍ×２．７ｍｍ
セラミック層の材料：ＢａＴｉＯ₃
容量：１７μＦ
定格電圧：ＤＣ３５Ｖ
外部電極の構造：下地電極層（焼付け層）とめっき層とを含む構造
下地電極層（焼き付け層）の材料：導電性金属（Ｃｕ）とガラス成分を含む電極
下地電極層の厚み：端面中央部で１００μｍ
めっき層：Ｎｉめっき（厚み：３μｍ以上６μｍ以下）とＳｎめっき（３μｍ以上６μｍ以下）の２層構造

実施例１において、作製された電子部品本体に接合される一対の金属端子は、第１の実施の形態にかかる金属端子４０Ａとした。金属端子４０Ａの仕様は以下の通りである。
金属端子の構造：端子本体部、延長部および実装部を備え、端子本体部には側面リブ部を備える。
金属端子：端子本体とめっき膜とによる２層構造
端子本体：Ｃｕ系材料（Ｃｕ−８Ｓｎ合金）
めっき膜：Ｎｉめっき膜（厚み：１μｍ以上２μｍ以下）とＳｎめっき膜（２μｍ以上４μｍ以下）の２層構造
延長部の長さ：１ｍｍ
接合材の材料：Ｓｎ−１０Ｓｂ合金
接合材の構造：接合材は、側面リブ部と側面リブ部に対向する外部電極との間に存在し、金属端子の端子本体部と外部電極の端面中央部との間には存在しない。

電子部品本体に対する金属端子の接合は、以下の通りとした。まず、金属端子の側面リブ部にのみディスペンサーを用いて接合材を塗布した。その後、電子部品本体を垂直に立てた状態で、電子部品本体の第１の端面側に一方の金属端子をリフロー接合した。同様に、電子部品本体の第２の端面側に他方の金属端子をリフロー接合した。

実施例２において、作製された電子部品本体に接合される一対の金属端子は、第２の実施の形態にかかる金属端子４０Ｂとした。金属端子４０Ｂの仕様は以下の通りである。
金属端子の構造：端子本体部、延長部および実装部を備え、端子本体部には側面リブ部および主面リブ部を備える。
金属端子：端子本体とめっき膜とによる２層構造
端子本体：Ｃｕ系材料（Ｃｕ−８Ｓｎ）
めっき膜：Ｎｉめっき膜（厚み：１μｍ以上２μｍ以下）とＳｎめっき膜（２μｍ以上４μｍ以下）の２層構造
延長部の長さ：１ｍｍ
接合材の材料：Ｓｎ−１０Ｓｂ合金
接合材の構造：接合材は、側面リブ部と側面リブ部に対向する外部電極との間に存在し、主面リブ部と主面リブ部に対向する外部電極との間に存在し、金属端子の端子本体部と外部電極の端面中央部との間には存在しない。

電子部品本体に対する金属端子の接合は、以下の通りとした。まず、金属端子の側面リブ部および主面リブ部にのみディスペンサーを用いて接合材を塗布した。その後、電子部品本体を垂直に立てた状態で、電子部品本体の第１の端面側に一方の金属端子をリフロー接合した。同様に、電子部品本体の第２の端面側に他方の金属端子をリフロー接合した。

また、比較例にかかる積層セラミック電子部品に用いられる金属端子は、図１３に示すような従来の金属端子であり、端子本体部、延長部および実装部のみを有し、側面リブ部や主面リブ部を有しない。そして、接合材は、電子部品本体の端面全体に存在し、金属端子の端子本体部と外部電極とが接合材を介して接続されている。金属端子のその他の構成は、実施例１および実施例２の構造と同様とした。

（評価用実装体の作製方法）
実装基板として、アルミナ基板のＣｕ電極上にＳｎ−１０Ｓｂ合金のはんだペーストを塗布し、金属端子が取り付けられた積層セラミック電子部品を実装した。アルミナ基板の寸法は、１５ｍｍ×８ｍｍ、厚みは６３５μｍとし、Ｃｕ電極の厚みは３５μｍとした。

（引剥強度評価方法）
図１１および図１２に引剥強度試験の評価方法の模式図を示す。図１１は、引剥強度試験の評価のための準備工程を示し、（ａ）は積層セラミック電子部品の実装基板への実装状態を示し、（ｂ）は実装基板を左右に切断した状態を示す。図１２は、引剥強度試験を評価するための実施工程を示し、（ａ）は実装基板の両端を治具（固定用治具と引張用治具）により保持した状態を示し、（ｂ）は引張用治具により実装基板を引っ張った状態を示す。

ここでは、実施例１の試料について引剥強度試験を行う場合について説明する。
まず、図１１（ａ）に示すように、実装基板７０に試料となる積層セラミック電子部品１０Ａを、接合材６０を用いて実装した。そして、図１１（ｂ）に示すように、試料である積層セラミック電子部品１０Ａの下部に位置する実装基板７０を切断線Ｘに沿って、ワイヤーソーで切断した。

続いて、図１２（ａ）に示すように、実装基板７０の一方端側を固定用治具７２ａにより固定し、実装基板７０の他方端側を引張用治具７２ｂにより固定し、引張用治具７２ｂを上方（矢印Ｆの方向）に引っ張った。そして、図１２（ｂ）に示すように、金属端子４０Ａが電子部品本体１２から外れるまで、上方に引張り、金属端子４０Ａが外れたときの最大強度の平均値を引剥強度として評価した。なお、引張用治具７２ｂの引張り速度は、０．５ｍｍ／秒とした。
同様の方法で、実施例２および比較例１の各試料に対しても、引剥強度試験を行った。

以上の、金属端子の引剥強度の評価の実験結果を表１に示す。

比較例１の試料は、側面リブ部や主面リブ部の形成されない金属端子が用いられており、その試料を用いた引剥強度は、３０Ｎであった。

一方、実施例１の試料は、金属端子に側面リブ部が設けられ、側面リブ部と外部電極（側面上の外部電極）との間で金属端子と外部電極とを接合材により接合し、かつ、端子本体部と外部電極の端面中央部との間に接合材を設けていないため、その試料の引剥強度は、４４．９Ｎであり、比較例１よりも良好な強度が得られた。実施例１の試料の構成により、引張りに対して脆弱性を示す接合材においても、比較的強い強度を示すせん断力として作用させることで、２つの金属端子同士を結ぶ方向に発生する応力（引張り力）に対して、十分な強度を確保しうることが確認された。

さらに、実施例２の試料は、金属端子に側面リブ部だけでなく、さらに、主面リブ部が設けられ、側面リブ部と外部電極（側面上の外部電極）との間、および主面リブ部と外部電極（主面上の外部電極）との間で金属端子と外部電極とを接合材により接合し、かつ、端子本体部と外部電極の端面中央部との間に接合材を設けていないため、その試料の引剥強度は、９０Ｎであり、比較例１や実施例１よりも良好な強度が得られた。

さらに、各試料の外部電極と金属端子との接合部には拡散の原因となるＳｎが５％以下であり、ほとんどの融点が２６０℃以上の金属及び金属間化合物であるため、拡散金属種がほとんど存在せず、２００℃以上の高温環境下においても界面構造の変化が小さい。したがって、高温環境下においても、経時的に外部電極と金属端子との接合強度が低下し、外部電極と金属端子との接合部のクラックなどの構造欠陥が発生するという問題を抑制することが可能となることが確認された。

なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。また、電子部品本体のセラミック層の厚み、層数、対向電極面積および外形寸法は、これに限定されるものではない。

本実施の形態にかかる金属端子４０Ａおよび金属端子４０Ｂでは、側面リブ部５６ａ，５６ｂが形成されているが、これに限るものではなく、金属端子には、主面リブ部５８ａ，５８ｂのみが形成されるようにしてもよい。

また、本実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１０Ａおよび１０Ｂでは、電子部品本体１２は、１つだけ含まれているが、これに限るものではなく、電子部品本体１２は、２段以上積み重ねられていてもよい。

１０Ａ，１０Ｂ 積層セラミック電子部品
１２ 電子部品本体
１４ 積層体
１６ セラミック層
１６ａ 外層部
１６ｂ 内層部
１８ 内部電極層
１８ａ 第１の内部電極層
１８ｂ 第２の内部電極層
２０ａ 第１の引出電極部
２０ｂ 第２の引出電極部
２２ａ 対向電極部
２２ｂ 側部（Ｗギャップ）
２２ｃ 端部（Ｌギャップ）
２４ 外部電極
２４ａ 第１の外部電極
２４ｂ 第２の外部電極
２６ａ，２６ｂ 端面中央部
２８ａ，２８ｂ 下地電極層
３０ａ，３０ｂ めっき層
４０Ａ，４０Ｂ 金属端子
５０ 端子本体部
５２ 延長部
５４ 実装部
５６ａ，５６ｂ 側面リブ部
５８ａ，５８ｂ 主面リブ部
６０ 接合材
７０ 実装基板
７２ａ 固定用治具
７２ｂ 引張用治具

Claims (4)

1. 複数の誘電体層と複数の内部電極層とが交互に積層され、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
   前記積層体の第１の端面に接続される第１の外部電極と、前記積層体の前記第２の端面に接続される第２の外部電極と、を備える電子部品本体と、
   前記第１の外部電極に接合材によって接続される第１の金属端子と、前記第２の外部電極に接合材によって接続される第２の金属端子と、
   を有する積層セラミック電子部品であって、
   前記第１の金属端子は、前記第１の端面に対向する端子本体部と、前記端子本体部に接続され実装面方向に延びる延長部と、前記延長部に接続され、前記延長部から前記端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、を有し、
   前記第２の金属端子は、前記第２の端面に対向する端子本体部と、前記端子本体部に接続され実装面方向に延びる延長部と、前記延長部に接続され、前記延長部から前記端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、を有し、
   前記第１の金属端子および前記第２の金属端子において、
   前記延長部は、前記電子部品本体の下面と前記実装部との間に隙間を形成するように設けられており、
   前記端子本体部には、前記電子部品本体の側面と対向するように延びるリブ部が設けられており、
   前記接合材は、
   少なくとも前記第１の金属端子の前記リブ部と前記リブ部に対向する前記第１の外部電極との間に存在し、かつ、前記接合材は、前記端子本体部と前記第１の外部電極の端面中央との間には存在せず、
   少なくとも前記第２の金属端子の前記リブ部と前記リブ部に対向する前記第２の外部電極との間に存在し、かつ、前記接合材は、前記端子本体部と前記第２の外部電極の端面中央との間には存在しない、積層セラミック電子部品。
2. 前記第１の金属端子および前記第２の金属端子の前記端子本体部には、前記電子部品本体の主面と対向するように延びるリブ部をさらに備える、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
3. 前記接合材は、Ｃｕ−Ｍ（ＭはＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ）合金と、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉのうち、少なくとも２以上から構成される金属間化合物と、Ｓｎとから構成され、
   前記接合材におけるＳｎの割合が、５％以下である、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
4. 前記接合材は、
   前記第１の金属端子の前記リブ部に対向する前記第１の外部電極から前記積層体の表面に跨って配置され、そして、
   前記第２の金属端子の前記リブ部に対向する前記第１の外部電極から前記積層体の表面に跨って配置される、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。

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