JPH104168A - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームの製造方法Info
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- JPH104168A JPH104168A JP15387496A JP15387496A JPH104168A JP H104168 A JPH104168 A JP H104168A JP 15387496 A JP15387496 A JP 15387496A JP 15387496 A JP15387496 A JP 15387496A JP H104168 A JPH104168 A JP H104168A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形ダイの金型部の幅がアウターリードの幅
より小さいため、成形パンチと成形ダイで押圧すると、
アウターリードの下面の両側に突出部が形成され、当初
の幅よりも拡大される。このため、基板等に実装する
際、スルーホール等に挿入し難くなったり、挿入できな
くなる場合がある。 【解決手段】 複数のインナーリードとアウターリード
を備えたリードフレームを打ち抜き金型で形成した後、
成形パンチ１０と成形ダイ１４を用い、アウターリード
の少なくとも１本（アウターリード６ａ）に半円状の膨
出面を成形加工により形成する。成形ダイ１４は、アウ
ターリードの幅より大きい内径の半円状の凹面を有する
金型１４ａを備える。これにより、良品のリードフレー
ムを安定に供給することが可能になる。
より小さいため、成形パンチと成形ダイで押圧すると、
アウターリードの下面の両側に突出部が形成され、当初
の幅よりも拡大される。このため、基板等に実装する
際、スルーホール等に挿入し難くなったり、挿入できな
くなる場合がある。 【解決手段】 複数のインナーリードとアウターリード
を備えたリードフレームを打ち抜き金型で形成した後、
成形パンチ１０と成形ダイ１４を用い、アウターリード
の少なくとも１本（アウターリード６ａ）に半円状の膨
出面を成形加工により形成する。成形ダイ１４は、アウ
ターリードの幅より大きい内径の半円状の凹面を有する
金型１４ａを備える。これにより、良品のリードフレー
ムを安定に供給することが可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタ等の
半導体装置に用いられるリードフレームの製造方法に関
するものである。
半導体装置に用いられるリードフレームの製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３はトランジスタ用リードフレームの
形状例を示す平面図である。リードフレームは、大別し
て半導体チップの搭載・放熱部１とリード部２から成
る。そして、搭載・放熱部１は半導体チップ（不図示）
を搭載するチップ搭載部１ａ及びシャーシ等に固定して
放熱を行うための放熱・固定部１ｂからなり、チップ搭
載部１ａと放熱・固定部１ｂは１枚の銅等の熱伝導性に
優れる金属板上に一体に構成されている。また、放熱・
固定部１ｂの中央部には、シャーシや放熱器にビスを用
いて固定するためのネジ穴３が形成されている。
形状例を示す平面図である。リードフレームは、大別し
て半導体チップの搭載・放熱部１とリード部２から成
る。そして、搭載・放熱部１は半導体チップ（不図示）
を搭載するチップ搭載部１ａ及びシャーシ等に固定して
放熱を行うための放熱・固定部１ｂからなり、チップ搭
載部１ａと放熱・固定部１ｂは１枚の銅等の熱伝導性に
優れる金属板上に一体に構成されている。また、放熱・
固定部１ｂの中央部には、シャーシや放熱器にビスを用
いて固定するためのネジ穴３が形成されている。
【０００３】リード部２は、チップ搭載部１ａに連結さ
れたインナーリード４ａ、このインナーリード４ａに対
して連結バー５を介してインナーリード４ａの両側に配
設されたインナーリード４ｂ，４ｃ、インナーリード４
ａ〜４ｃの各々に延長した形で形成されたアウターリー
ド６ａ，６ｂ，６ｃ、これらアウターリード６ａ〜６ｃ
の端部を連結する連結バー７の各々を備えて構成されて
いる。このような形状のリードフレームは、打ち抜き金
型を用いて、プレス加工により作られる。
れたインナーリード４ａ、このインナーリード４ａに対
して連結バー５を介してインナーリード４ａの両側に配
設されたインナーリード４ｂ，４ｃ、インナーリード４
ａ〜４ｃの各々に延長した形で形成されたアウターリー
ド６ａ，６ｂ，６ｃ、これらアウターリード６ａ〜６ｃ
の端部を連結する連結バー７の各々を備えて構成されて
いる。このような形状のリードフレームは、打ち抜き金
型を用いて、プレス加工により作られる。
【０００４】アウターリード６ａには、図４（図３のＡ
−Ａ断面図）に示す様に凹形断面の長溝８が形成されて
いる（ここでは１本のみについて図示しているが、アウ
ターリード６ａ，６ｂ，６ｃの全てに設けてもよい）。
この長溝８を設けたことにより、完成した半導体装置を
基板に実装する際、ディップはんだの吸い上げが長溝８
を通して行われるようになり、リードと配線パターン
（或いは電極パッド）との接続が確実に行われる。な
お、長溝８は金型を用いて形成するため、長溝８の反対
側の面には膨出面９を設けることができる。この膨出面
９は、アウターリード６ａ，６ｂ，６ｃを挿入する基板
のスルーホール内径が円形であるため、これに合致する
外形を有するようにし、挿入性の向上と必要な断面積の
確保を図っている。
−Ａ断面図）に示す様に凹形断面の長溝８が形成されて
いる（ここでは１本のみについて図示しているが、アウ
ターリード６ａ，６ｂ，６ｃの全てに設けてもよい）。
この長溝８を設けたことにより、完成した半導体装置を
基板に実装する際、ディップはんだの吸い上げが長溝８
を通して行われるようになり、リードと配線パターン
（或いは電極パッド）との接続が確実に行われる。な
お、長溝８は金型を用いて形成するため、長溝８の反対
側の面には膨出面９を設けることができる。この膨出面
９は、アウターリード６ａ，６ｂ，６ｃを挿入する基板
のスルーホール内径が円形であるため、これに合致する
外形を有するようにし、挿入性の向上と必要な断面積の
確保を図っている。
【０００５】ここで、膨出面９は、基板のスルーホール
に円滑に挿入できるようにするためには、図４に示すよ
うに、角形面に対して連続するように加工（即ち、突出
部が無い形状）されていることが望ましい。次に、上記
の構成によるリードフレームを用いた半導体装置の製造
手順について説明する。
に円滑に挿入できるようにするためには、図４に示すよ
うに、角形面に対して連続するように加工（即ち、突出
部が無い形状）されていることが望ましい。次に、上記
の構成によるリードフレームを用いた半導体装置の製造
手順について説明する。
【０００６】まず、放熱・固定部１ｂに半導体チップを
搭載して位置決め固定し、この半導体チップの電極パッ
ドとインナーリード４ａ，４ｂ，４ｃの各々の間をボン
ディングワイヤを用いて接続する。ついで、半導体チッ
プ及びボンディング部を覆うように樹脂モールドを設け
る。この後、連結バー５をインナーリード４ａ，４ｂ，
４ｃの各々の幅に合わせて切断する。更に、アウターリ
ード６ａ，６ｂ，６ｃの所定位置から切断して不要部分
（アウターリード６ａ〜６ｃの先端部及び連結バー７）
を除去し、アウターリード６ａ〜６ｃの長さを所定長に
する。
搭載して位置決め固定し、この半導体チップの電極パッ
ドとインナーリード４ａ，４ｂ，４ｃの各々の間をボン
ディングワイヤを用いて接続する。ついで、半導体チッ
プ及びボンディング部を覆うように樹脂モールドを設け
る。この後、連結バー５をインナーリード４ａ，４ｂ，
４ｃの各々の幅に合わせて切断する。更に、アウターリ
ード６ａ，６ｂ，６ｃの所定位置から切断して不要部分
（アウターリード６ａ〜６ｃの先端部及び連結バー７）
を除去し、アウターリード６ａ〜６ｃの長さを所定長に
する。
【０００７】リードを図４のような形状に加工する場
合、図５に示すように、長溝８に合致した上型１０ａを
有する成形パンチ１０、及び膨出面９を形成するための
下型１１ａを有する成形ダイ１１を用いて行われる。下
型１１ａの幅は、図４に示したように、アウターリード
の幅Ｗ1 に等しくすることが望ましい。しかし、アウタ
ーリードの位置決めが難しいので、リード端部が成形ダ
イ１１の平面部に載るように、狭い幅Ｗ2 に設定してい
る。
合、図５に示すように、長溝８に合致した上型１０ａを
有する成形パンチ１０、及び膨出面９を形成するための
下型１１ａを有する成形ダイ１１を用いて行われる。下
型１１ａの幅は、図４に示したように、アウターリード
の幅Ｗ1 に等しくすることが望ましい。しかし、アウタ
ーリードの位置決めが難しいので、リード端部が成形ダ
イ１１の平面部に載るように、狭い幅Ｗ2 に設定してい
る。
【０００８】次に、成形加工の手順について説明する。
図６は成形過程におけるアウターリードの外形変化を示
す説明図であり、この図を参照して従来の成形加工を説
明する。まず、成形ダイ１１上にアウターリード６ａを
位置決めし、この状態ではアウターリード６ａは図６の
（ａ）のように角柱状である。ついで、アウターリード
６ａ上に成形パンチ１０を位置決めし、このまま成形パ
ンチ１０と成形ダイ１１を接近させれば、その過程で図
６の（ｂ）のように上型１０ａによって或る深さの凹部
８ａが形成される。この状態から更に成形パンチ１０と
成形ダイ１１を接近させれば、アウターリード６ａは押
し潰され、図６の（ｃ）のように凹部８ａの形状が大き
くなると共に下型１１ａにより膨出面１２が形成され
る。
図６は成形過程におけるアウターリードの外形変化を示
す説明図であり、この図を参照して従来の成形加工を説
明する。まず、成形ダイ１１上にアウターリード６ａを
位置決めし、この状態ではアウターリード６ａは図６の
（ａ）のように角柱状である。ついで、アウターリード
６ａ上に成形パンチ１０を位置決めし、このまま成形パ
ンチ１０と成形ダイ１１を接近させれば、その過程で図
６の（ｂ）のように上型１０ａによって或る深さの凹部
８ａが形成される。この状態から更に成形パンチ１０と
成形ダイ１１を接近させれば、アウターリード６ａは押
し潰され、図６の（ｃ）のように凹部８ａの形状が大き
くなると共に下型１１ａにより膨出面１２が形成され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の半導体装置用リードフレームによれば、成形ダイ１１
の下型１１ａの幅がアウターリードの幅より小さいた
め、成形パンチ１０と成形ダイ１１で押圧すると、アウ
ターリードの下面の両側には突出部１３が形成され、当
初の幅Ｗ1 に対しＷ3 に拡大される。このため、基板等
に実装する際、スルーホール等に挿入し難くなったり、
挿入できなくなる場合がある。
の半導体装置用リードフレームによれば、成形ダイ１１
の下型１１ａの幅がアウターリードの幅より小さいた
め、成形パンチ１０と成形ダイ１１で押圧すると、アウ
ターリードの下面の両側には突出部１３が形成され、当
初の幅Ｗ1 に対しＷ3 に拡大される。このため、基板等
に実装する際、スルーホール等に挿入し難くなったり、
挿入できなくなる場合がある。
【００１０】そこで本発明は、成形加工を行っても、ア
ウターリードの初期の幅より膨出することのない半導体
装置用リードフレームの製造方法を提供することを目的
としている。
ウターリードの初期の幅より膨出することのない半導体
装置用リードフレームの製造方法を提供することを目的
としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、複数のインナーリードとアウターリー
ドを備えたリードフレームを打ち抜き金型で形成し、前
記アウターリードに所定断面形状の溝を形成するための
金型を備えた成形パンチと前記アウターリードの幅より
大きい内径の半円状の凹面金型を備えた成形ダイを用い
て、前記アウターリードの少なくとも１本に半円状の膨
出面を成形加工するようにしている。
めに、本発明は、複数のインナーリードとアウターリー
ドを備えたリードフレームを打ち抜き金型で形成し、前
記アウターリードに所定断面形状の溝を形成するための
金型を備えた成形パンチと前記アウターリードの幅より
大きい内径の半円状の凹面金型を備えた成形ダイを用い
て、前記アウターリードの少なくとも１本に半円状の膨
出面を成形加工するようにしている。
【００１２】この方法によれば、成形パンチと成形ダイ
を用いてアウターリードの片面に長溝等を設けるに際
し、成形ダイの金型をアウターリードの幅より大きい内
径の半円形の凹面にすることで、アウターリードの両側
の下端部は成形ダイの金型によってリード中心方向に加
圧され、アウターリードの両側から膨出することがなく
なる。この結果、良品のリードフレームを安定に供給す
ることが可能になる。
を用いてアウターリードの片面に長溝等を設けるに際
し、成形ダイの金型をアウターリードの幅より大きい内
径の半円形の凹面にすることで、アウターリードの両側
の下端部は成形ダイの金型によってリード中心方向に加
圧され、アウターリードの両側から膨出することがなく
なる。この結果、良品のリードフレームを安定に供給す
ることが可能になる。
【００１３】前記成形パンチは、前記アウターリードに
所定断面形状の溝を形成するための金型を備えることが
できる。これによれば、成形ダイによる綺麗な膨出面の
形成と同時に、はんだ吸い上げ等の機能を有する溝を成
形パンチによって形成することができる。
所定断面形状の溝を形成するための金型を備えることが
できる。これによれば、成形ダイによる綺麗な膨出面の
形成と同時に、はんだ吸い上げ等の機能を有する溝を成
形パンチによって形成することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を基に説明する。図１は本発明による半導体装置
用リードフレームの製造方法の一工程におけるアウター
リードと成形パンチ及び成形ダイの各々を示す断面図で
ある。また、図２は成形過程におけるアウターリードの
外形変化を示す説明図である。なお、図１においては、
図３及び図５に示したと同一であるものには同一引用数
字を用いたので、以下においては重複する説明を省略す
る。
て図面を基に説明する。図１は本発明による半導体装置
用リードフレームの製造方法の一工程におけるアウター
リードと成形パンチ及び成形ダイの各々を示す断面図で
ある。また、図２は成形過程におけるアウターリードの
外形変化を示す説明図である。なお、図１においては、
図３及び図５に示したと同一であるものには同一引用数
字を用いたので、以下においては重複する説明を省略す
る。
【００１５】図１に示すように、本発明においては、成
形パンチ１０は従来と同一構造のものを用いるが、本発
明に係る成形ダイ１４はアウターリード６ａの幅Ｗ1 よ
りも大きい内径Ｗ4 を持った凹溝状の金型１４ａ（凹面
金型）を有している。次に、以上のような構造の成形ダ
イ１４を用いて本発明によるリードフレームを製造する
方法について説明する。
形パンチ１０は従来と同一構造のものを用いるが、本発
明に係る成形ダイ１４はアウターリード６ａの幅Ｗ1 よ
りも大きい内径Ｗ4 を持った凹溝状の金型１４ａ（凹面
金型）を有している。次に、以上のような構造の成形ダ
イ１４を用いて本発明によるリードフレームを製造する
方法について説明する。
【００１６】まず、図２の（ａ）に示すように、角形断
面を有する末加工のアウターリード６ａを位置決めす
る。ついで、アウターリード６ａ上に成形パンチ１０を
位置決めし、このまま成形パンチ１０と成形ダイ１１を
相対接近させる（ここでは、成形ダイ１４を固定のま
ま、成形パンチ１０を下降させるものとする）。成形パ
ンチ１０が降下する過程で、図２の（ｂ）のように上型
１０ａによって或る深さの凹部８ａが形成され、同時に
成形ダイ１４の金型１４ａの内面によって一部が成形さ
れ、アウターリード６ａの両側の加担部に半円状断面の
加工部１５ａが形成される。この状態から、更に成形パ
ンチ１０を降下させれば、その加圧力によってアウター
リード６ａは押し潰され、図２の（ｃ）のように凹部８
ａは深くなり、半円状断面の加工部１５ａの面積が拡大
する。成形パンチ１０を止めることなく更に降下させる
と、図２の（ｄ）のように、両側の加工部１５ａは完全
に一体化され、１つの大きな凹面の膨出面１５が形成さ
れる。また、凹部８ａは所望の深さに達する。
面を有する末加工のアウターリード６ａを位置決めす
る。ついで、アウターリード６ａ上に成形パンチ１０を
位置決めし、このまま成形パンチ１０と成形ダイ１１を
相対接近させる（ここでは、成形ダイ１４を固定のま
ま、成形パンチ１０を下降させるものとする）。成形パ
ンチ１０が降下する過程で、図２の（ｂ）のように上型
１０ａによって或る深さの凹部８ａが形成され、同時に
成形ダイ１４の金型１４ａの内面によって一部が成形さ
れ、アウターリード６ａの両側の加担部に半円状断面の
加工部１５ａが形成される。この状態から、更に成形パ
ンチ１０を降下させれば、その加圧力によってアウター
リード６ａは押し潰され、図２の（ｃ）のように凹部８
ａは深くなり、半円状断面の加工部１５ａの面積が拡大
する。成形パンチ１０を止めることなく更に降下させる
と、図２の（ｄ）のように、両側の加工部１５ａは完全
に一体化され、１つの大きな凹面の膨出面１５が形成さ
れる。また、凹部８ａは所望の深さに達する。
【００１７】このように、本発明によれば、成形加工を
行っても、アウターリードは初期の幅から膨出すること
がなく、基板等に実装しても全く問題を生じない。な
お、図１及び図３においては、長溝８が半円形の断面を
有するものとしたが、本発明はこの形状に限定されるも
のではなく、Ｕ字形、Ｖ字形、Ｗ字形等の溝であっても
よい。
行っても、アウターリードは初期の幅から膨出すること
がなく、基板等に実装しても全く問題を生じない。な
お、図１及び図３においては、長溝８が半円形の断面を
有するものとしたが、本発明はこの形状に限定されるも
のではなく、Ｕ字形、Ｖ字形、Ｗ字形等の溝であっても
よい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、成形パン
チとアウターリードの幅より大きい内径の半円状の凹面
金型を備えた成形ダイを用いて前記アウターリードの少
なくとも１本に半円状の膨出面を成形加工するようにし
たので、成形加工を行ってもてアウターリードの両側か
ら膨出することがなくなり、良品のリードフレームを安
定に供給することが可能になる。
チとアウターリードの幅より大きい内径の半円状の凹面
金型を備えた成形ダイを用いて前記アウターリードの少
なくとも１本に半円状の膨出面を成形加工するようにし
たので、成形加工を行ってもてアウターリードの両側か
ら膨出することがなくなり、良品のリードフレームを安
定に供給することが可能になる。
【図１】本発明による半導体装置用リードフレームの製
造方法の一工程におけるアウターリードと成形パンチ及
び成形ダイの各々を示す断面図である。
造方法の一工程におけるアウターリードと成形パンチ及
び成形ダイの各々を示す断面図である。
【図２】本発明の製造方法における成形過程でのアウタ
ーリードの外形変化を示す説明図である。
ーリードの外形変化を示す説明図である。
【図３】トランジスタ用リードフレームの形状例を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】アウターリードを成形加工した後の断面形状を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】アウターリードリードを図４のように加工する
場合の治具構造及び配置を示す説明図である。
場合の治具構造及び配置を示す説明図である。
【図６】従来の製造方法における成形過程でのアウター
リードの外形変化を示す説明図である。
リードの外形変化を示す説明図である。
１ 半導体チップの搭載・放熱部 ２ リード部 ４ａ，４ｂ，４ｃ インナーリード ６ａ，６ｂ，６ｃ アウターリード ８ 長溝 １０ 成形パンチ １０ａ 上型 １４ 成形ダイ １５ 膨出面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のインナーリードとアウターリード
を備えたリードフレームを打ち抜き金型で形成し、 成形パンチと前記アウターリードの幅より大きい内径の
半円状の凹面金型を備えた成形ダイを用いて、前記アウ
ターリードの少なくとも１本に半円状の膨出面を成形加
工することを特徴とする半導体装置用リードフレームの
製造方法。 - 【請求項２】 前記成形パンチは、前記アウターリード
に所定断面形状の溝を形成するための金型を備えること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置用リードフレー
ムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15387496A JPH104168A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15387496A JPH104168A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104168A true JPH104168A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15572008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15387496A Pending JPH104168A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH104168A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150114697A1 (en) * | 2013-10-29 | 2015-04-30 | Kemet Electronics Corporation | Ceramic Capacitors with Improved Lead Designs |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP15387496A patent/JPH104168A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150114697A1 (en) * | 2013-10-29 | 2015-04-30 | Kemet Electronics Corporation | Ceramic Capacitors with Improved Lead Designs |
| US10056320B2 (en) * | 2013-10-29 | 2018-08-21 | Kemet Electronics Corporation | Ceramic capacitors with improved lead designs |
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