JPS63308358A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
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- JPS63308358A JPS63308358A JP14478787A JP14478787A JPS63308358A JP S63308358 A JPS63308358 A JP S63308358A JP 14478787 A JP14478787 A JP 14478787A JP 14478787 A JP14478787 A JP 14478787A JP S63308358 A JPS63308358 A JP S63308358A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレームに係り、特に、その断面形状
に関する。
に関する。
ＩＯ，ＬＳＩ等の半導体装置の実装に際して用いられる
リードフレームは、鉄系あるいは銅系等の金属材料をプ
レス加工又はエツチングにより所望のパターンに成形す
ることによって形成される。
リードフレームは、鉄系あるいは銅系等の金属材料をプ
レス加工又はエツチングにより所望のパターンに成形す
ることによって形成される。
通常、リードフレーム１は、第３図に示す如く、半導体
集積回路チップ（以下半導体チップ）２を搭載するダイ
パッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめ
られた複数のインナーリード１２とインナーリード１２
を一体的に連結するタイバー１３と、各インナーリード
に連結せしめられタイバーの外側に伸張するアウターリ
ード１４と、タイバー１３を両サイドから支持するサイ
ドパー１５．１６と、ダイパッド１１を支持するサポー
トパー１７とから構成されている。
集積回路チップ（以下半導体チップ）２を搭載するダイ
パッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめ
られた複数のインナーリード１２とインナーリード１２
を一体的に連結するタイバー１３と、各インナーリード
に連結せしめられタイバーの外側に伸張するアウターリ
ード１４と、タイバー１３を両サイドから支持するサイ
ドパー１５．１６と、ダイパッド１１を支持するサポー
トパー１７とから構成されている。
このようなリードフレームを用いて実装せしめられる半
導体装置は第４図に示す如くであり、リードフレーム１
のダイパッド１１上に、半導体チップ１２を搭載し、こ
の半導体チップのボンディングパッドとリードフレーム
′のインナーリード１２とを金線あるいはアルミ線のボ
ンディングワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂
やセラミック等の封止材料４で封止した後、タイバーや
サイドバーを切断し、アウターリードを所望の形状に折
り曲げて完成せしめられる。
導体装置は第４図に示す如くであり、リードフレーム１
のダイパッド１１上に、半導体チップ１２を搭載し、こ
の半導体チップのボンディングパッドとリードフレーム
′のインナーリード１２とを金線あるいはアルミ線のボ
ンディングワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂
やセラミック等の封止材料４で封止した後、タイバーや
サイドバーを切断し、アウターリードを所望の形状に折
り曲げて完成せしめられる。
ところで、このようなリードフレームはプレス加工で成
型する場合、帯状材料をリードフレーム打抜用金型内で
連続的に打ち抜くことにより製造されるため、打ち抜か
れたリード表面は第５図（ａ）に示すように抜きダレｄ
に起因して凸面形状となっている。
型する場合、帯状材料をリードフレーム打抜用金型内で
連続的に打ち抜くことにより製造されるため、打ち抜か
れたリード表面は第５図（ａ）に示すように抜きダレｄ
に起因して凸面形状となっている。
ところで、アウターリードは、封止後、所望の形状に折
り曲げられるため、抜きバリ側から折り曲げられると折
り曲げ作業時にバリが折り曲げパンチによってこすられ
、金属粉が発生することがある。そこで通常は、抜きダ
レ側を上面に、抜きバリ側を下面にして用いられている
。しかし、抜きダレ側では有効平面幅Ｗが減少しており
、インナーリード先端ではボンディングを確実に行なう
のに十分な平坦幅を確保することができない。
り曲げられるため、抜きバリ側から折り曲げられると折
り曲げ作業時にバリが折り曲げパンチによってこすられ
、金属粉が発生することがある。そこで通常は、抜きダ
レ側を上面に、抜きバリ側を下面にして用いられている
。しかし、抜きダレ側では有効平面幅Ｗが減少しており
、インナーリード先端ではボンディングを確実に行なう
のに十分な平坦幅を確保することができない。
そこで、インナーリード先端の有効平面幅Ｗを増大させ
るべくコイニングにより第５図（ｂ）に示す如くインナ
ーリード先端をつぶすという方法が通常用いられている
。
るべくコイニングにより第５図（ｂ）に示す如くインナ
ーリード先端をつぶすという方法が通常用いられている
。
しかしながら、この方法では、有効平面幅Ｗを得るため
には深部に至るまでコイニングしなければならず、リー
ド間隔にばらつきが生じ易い。このためリード間隔りが
減少した部分では、リード間の短絡が生じ易く、これが
信頼性低下の原因となっていた。
には深部に至るまでコイニングしなければならず、リー
ド間隔にばらつきが生じ易い。このためリード間隔りが
減少した部分では、リード間の短絡が生じ易く、これが
信頼性低下の原因となっていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、インナー
リード先端のコイニングを有効に行なうことができ、ま
たインナーリード間隔のばらつきをなくし信頼性の高い
リードフレームを提供することを目的とする。
リード先端のコイニングを有効に行なうことができ、ま
たインナーリード間隔のばらつきをなくし信頼性の高い
リードフレームを提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段］
そこで本発明のリードフレームでは、少なくともインナ
ーリード先端部では、抜きバリ側が上面すなわちボンデ
ィング面側になるようにすると共に、少なくともアウタ
ーリードの折り曲げ部では抜きダレ側が上面になるよう
に構成されている。
ーリード先端部では、抜きバリ側が上面すなわちボンデ
ィング面側になるようにすると共に、少なくともアウタ
ーリードの折り曲げ部では抜きダレ側が上面になるよう
に構成されている。
（作用）
上記構成によれば、ボンディング面の平坦化のためのコ
イニングを行なうにしてもバリが潰れる程度の深さまで
入れればよく、リード間隔に影響を与えることなく、充
分な有効平面幅を得ることができる。
イニングを行なうにしてもバリが潰れる程度の深さまで
入れればよく、リード間隔に影響を与えることなく、充
分な有効平面幅を得ることができる。
また、アウターリードの折り曲げ部では、抜きダレ側が
上面になるように構成されているため、折り曲げ時にバ
リがこすられて、金属粉を発生したりすることもない。
上面になるように構成されているため、折り曲げ時にバ
リがこすられて、金属粉を発生したりすることもない。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
本発明実施例のリードフレームは、平面図としては、第
３図に示したものと同様の４ｉ造を有しているが、断面
形状が、ラインＣを境界にしタイバー１３の外側と内側
とで異なることに特徴を有しており、インナーリード１
２の先端部では第１図（ａ）（第１図（ａ）は第３図の
Ａ−Ａ断面を示す図）に示す如く、抜きダレ側ｄが下面
に位置してなり上面は抜きバリ、側すをコイニングによ
って平坦化せしめられている。一方、アウターリード部
１４では第１図（ｂ）（第１図（ｂ）は第３図Ｂ−８断
面を示す図）に示す如く、上面が抜きダレ側ｄ、下面が
抜きバリ側すとなるように構成されている。
３図に示したものと同様の４ｉ造を有しているが、断面
形状が、ラインＣを境界にしタイバー１３の外側と内側
とで異なることに特徴を有しており、インナーリード１
２の先端部では第１図（ａ）（第１図（ａ）は第３図の
Ａ−Ａ断面を示す図）に示す如く、抜きダレ側ｄが下面
に位置してなり上面は抜きバリ、側すをコイニングによ
って平坦化せしめられている。一方、アウターリード部
１４では第１図（ｂ）（第１図（ｂ）は第３図Ｂ−８断
面を示す図）に示す如く、上面が抜きダレ側ｄ、下面が
抜きバリ側すとなるように構成されている。
次に、このリードフレームの製造方法について説明する
。
。
まず、帯状材料の中央部に、第１の金型を装着し、プレ
ス加工を行なうことにより、タイバーよりも内側すなわ
ちインナーリード側をパターニングする。（第２図（ａ
）） 次いで、°この第１の金型内で、インナーリード先端部
のバリを潰す程度にコイニングし、表面を平坦化する。
ス加工を行なうことにより、タイバーよりも内側すなわ
ちインナーリード側をパターニングする。（第２図（ａ
）） 次いで、°この第１の金型内で、インナーリード先端部
のバリを潰す程度にコイニングし、表面を平坦化する。
（第２図（ｂ））そして最後に、この帯状材料を１８０
°回転せしめ、両側部に第２の金型を装着し、プレス加
工を行なうことにより、アウターリード側をパターニン
グする。
°回転せしめ、両側部に第２の金型を装着し、プレス加
工を行なうことにより、アウターリード側をパターニン
グする。
このようにして形成されたリードフレームは、リード間
隔に影響を与えることなく、充分な有効平面幅を得るこ
とができる。また、アウターリードの折り曲げ時にも金
属粉を発生せしめることなく、信頼性の高い半導体装置
の形成が可能となる。
隔に影響を与えることなく、充分な有効平面幅を得るこ
とができる。また、アウターリードの折り曲げ時にも金
属粉を発生せしめることなく、信頼性の高い半導体装置
の形成が可能となる。
なお、実施例では、タイバーを境界として、２つの金型
を用いて、プレス方向が逆になるようにしたが、この境
界は更に内側でも外側でもよく、ボンディング部分で上
面が抜きバリ側となり、アウターリードの折り曲げ部で
上面が抜きダレ側となるようにすればよい。
を用いて、プレス方向が逆になるようにしたが、この境
界は更に内側でも外側でもよく、ボンディング部分で上
面が抜きバリ側となり、アウターリードの折り曲げ部で
上面が抜きダレ側となるようにすればよい。
更に、コイニングは、表裏どちらから行なってもよいし
、コイニング工程を省略することも可能である。
、コイニング工程を省略することも可能である。
加えて、成型順序についても、実施例に限定されること
なく外側、内側の順に成型するようにしてもよい。
なく外側、内側の順に成型するようにしてもよい。
（発明の効果）
以上説明してきたように、本発明のリードフレームによ
れば、インナーリード先端ではボンディング面側すなわ
ち上面側が抜きバリ側であると共に、アウターリードの
折り曲げ部では上面が抜きダレ側となるように構成して
いるため、不良率の発生が低減され、信頼性の向上をは
かることが可能となる。
れば、インナーリード先端ではボンディング面側すなわ
ち上面側が抜きバリ側であると共に、アウターリードの
折り曲げ部では上面が抜きダレ側となるように構成して
いるため、不良率の発生が低減され、信頼性の向上をは
かることが可能となる。
第１図（ａ）および第１図（ｂ）は、夫々、本発明実施
例のリードフレームのインナーリード先端部およびアウ
ターリードの折り曲げ部の断面形状を示す図、第２図（
ａ） ＃よび第２図（ｂ）は同リードフレームの製造工
程図（インナーリード先端部）を示す図、第３図は、通
常のリードフレームを示す図、第４図は、半導体装置を
示す図、ｆｊ５５図（ａ）および第５図（ｂ）は従来例
のリードフレームのインナーリード先端部の製造工程を
示す図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体チップ、３・
・・ワイヤ、４・・・封止材料、１１・・・ダイパッド
、１２・・・インナーリード、１３・・・タイバー、１
４・・・アウターリード、１５．１６・・・サイドバー
、１７・・・サポートバー、ｄ・・・抜きダレ側、ｂ・
・・抜きバリ側。 第１図（α） 第１図（ｂ） 第２図（（１） 第２図（ｂ） １５ １７ Ｃ 第３図
例のリードフレームのインナーリード先端部およびアウ
ターリードの折り曲げ部の断面形状を示す図、第２図（
ａ） ＃よび第２図（ｂ）は同リードフレームの製造工
程図（インナーリード先端部）を示す図、第３図は、通
常のリードフレームを示す図、第４図は、半導体装置を
示す図、ｆｊ５５図（ａ）および第５図（ｂ）は従来例
のリードフレームのインナーリード先端部の製造工程を
示す図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体チップ、３・
・・ワイヤ、４・・・封止材料、１１・・・ダイパッド
、１２・・・インナーリード、１３・・・タイバー、１
４・・・アウターリード、１５．１６・・・サイドバー
、１７・・・サポートバー、ｄ・・・抜きダレ側、ｂ・
・・抜きバリ側。 第１図（α） 第１図（ｂ） 第２図（（１） 第２図（ｂ） １５ １７ Ｃ 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 プレス加工により成型せしめられ、 複数のインナーリードと、 該インナーリードから伸張するアウターリードと、 これらを連結するタイバーと を具えたリードフレームにおいて、 前記インナーリードのボンディング面が抜きバリ側面で
構成されると共に、 少なくとも前記アウターリードの折り曲げ部の上面が抜
きダレ側面で構成されるようにしたことを特徴とするリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14478787A JPS63308358A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14478787A JPS63308358A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63308358A true JPS63308358A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15370436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14478787A Pending JPS63308358A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63308358A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256457U (ja) * | 1988-10-15 | 1990-04-24 | ||
| JPH0381641U (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-21 | ||
| JPH08316264A (ja) * | 1996-04-05 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその形成方法 |
| KR100693241B1 (ko) * | 1992-03-27 | 2007-03-12 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61135145A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-23 | Fujitsu Ltd | リ−ドフレ−ム |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP14478787A patent/JPS63308358A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61135145A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-23 | Fujitsu Ltd | リ−ドフレ−ム |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256457U (ja) * | 1988-10-15 | 1990-04-24 | ||
| JPH0381641U (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-21 | ||
| KR100693241B1 (ko) * | 1992-03-27 | 2007-03-12 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체장치 |
| JPH08316264A (ja) * | 1996-04-05 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその形成方法 |
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