JPS63308359A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS63308359A JPS63308359A JP62144788A JP14478887A JPS63308359A JP S63308359 A JPS63308359 A JP S63308359A JP 62144788 A JP62144788 A JP 62144788A JP 14478887 A JP14478887 A JP 14478887A JP S63308359 A JPS63308359 A JP S63308359A
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレームおよびその製造方法に係り、
特に、ダイパッドの形状に関する。
特に、ダイパッドの形状に関する。
１ｃ、ＬｓＩ等の半導体装置の実装に際して用いられる
リードフレームは、鉄系あるいは銀系等の金属材料をプ
レス加工又はエツチングにより所望のパターンに成形せ
しめられてなるものである一通常、リードフレームは、
第３図に示す如く、半導体集積回路チップ（以下￥導体
チップ）を搭載するダイパッド１１と、ダイパッドを取
り囲むように配設せしめられた複数のインナーリード１
２と、インナーリード１２を一体的に連結するタイバー
１３と、各インナーリードに連結ぜしめられタイバーの
外側に伸長するアウターリード１４と、タイバー１３を
両サイドから支持するサイドパー１５．１６と、ダイパ
ッド１１を支持するサポートバー１７とから構成されて
いる。
リードフレームは、鉄系あるいは銀系等の金属材料をプ
レス加工又はエツチングにより所望のパターンに成形せ
しめられてなるものである一通常、リードフレームは、
第３図に示す如く、半導体集積回路チップ（以下￥導体
チップ）を搭載するダイパッド１１と、ダイパッドを取
り囲むように配設せしめられた複数のインナーリード１
２と、インナーリード１２を一体的に連結するタイバー
１３と、各インナーリードに連結ぜしめられタイバーの
外側に伸長するアウターリード１４と、タイバー１３を
両サイドから支持するサイドパー１５．１６と、ダイパ
ッド１１を支持するサポートバー１７とから構成されて
いる。
そして、実装に際しては、第４図に示す如く、リードフ
レーム１のダイパッド１１上に半導体チップ２を搭載し
、この半導体チップのポンディングパッドとリードフレ
ームのインナーリード１２とを金線あるいはアルミ腺の
ボンディングワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹
脂等の封止材料４で封止した後、タイバーやサイドバー
を切断し、アウターリードを所望の形状に折り曲げて完
成せしめられる。
レーム１のダイパッド１１上に半導体チップ２を搭載し
、この半導体チップのポンディングパッドとリードフレ
ームのインナーリード１２とを金線あるいはアルミ腺の
ボンディングワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹
脂等の封止材料４で封止した後、タイバーやサイドバー
を切断し、アウターリードを所望の形状に折り曲げて完
成せしめられる。
ここで、半導体チップ１２のポンディングパッドとイン
ナーリード１２の先端とが同一面上にくるようにし、ボ
ンディング性を高めるために、リードフレームにはディ
プレス加工が施されている。
ナーリード１２の先端とが同一面上にくるようにし、ボ
ンディング性を高めるために、リードフレームにはディ
プレス加工が施されている。
すなわち、リードフレームのダイパッド１１は、これを
支えるサポートバーを再度加圧しくディプレス加工を施
し）、所定の角度（すなわちディプレス角度）をなすよ
うに曲げることにより、インナーリードのボンディング
面よりも所定の高さだけ低い位置にくるように構成され
ている。
支えるサポートバーを再度加圧しくディプレス加工を施
し）、所定の角度（すなわちディプレス角度）をなすよ
うに曲げることにより、インナーリードのボンディング
面よりも所定の高さだけ低い位置にくるように構成され
ている。
ところで、リードフレームのパターンエツジは、エツチ
ング品、プレス品いずれにしてもシャープであり、この
エッチを起点として封止樹脂にクラックＣを生じること
がある。特に、ダイパッドは他部に比べて大面積であり
、周縁での封止樹脂の厚みが小さくなっているため、ダ
イパッドの周辺で生じたクラックは外部にまで到達し易
い。
ング品、プレス品いずれにしてもシャープであり、この
エッチを起点として封止樹脂にクラックＣを生じること
がある。特に、ダイパッドは他部に比べて大面積であり
、周縁での封止樹脂の厚みが小さくなっているため、ダ
イパッドの周辺で生じたクラックは外部にまで到達し易
い。
そこで、例えば、プレス加工によってリードフレームを
形成する場合は、打ち抜き後のパターン（第５図（ａ）
）を、第５図（ｂ）に示す如くコイニングし平坦化させ
る方法がとられることが多い。しかし、コイニングによ
っても、第６図に示す如く、バリｂが側面に張り出し、
抜きバリ側にはクラックが生じてしまうことが多い。ク
ラックが外部にまで到達すると、外部の水分の浸入によ
り、ダイパッドやインナーリード先端に施されている銀
（Ａｃｘ＞メッキのマイグレーション、あるいは、ボン
ディングバンド部のアルミニウムに腐蝕を発生させたり
することがあり、半導体装置の信頼性を低下させる原因
となっていた。
形成する場合は、打ち抜き後のパターン（第５図（ａ）
）を、第５図（ｂ）に示す如くコイニングし平坦化させ
る方法がとられることが多い。しかし、コイニングによ
っても、第６図に示す如く、バリｂが側面に張り出し、
抜きバリ側にはクラックが生じてしまうことが多い。ク
ラックが外部にまで到達すると、外部の水分の浸入によ
り、ダイパッドやインナーリード先端に施されている銀
（Ａｃｘ＞メッキのマイグレーション、あるいは、ボン
ディングバンド部のアルミニウムに腐蝕を発生させたり
することがあり、半導体装置の信頼性を低下させる原因
となっていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、封止樹脂
にクラックを発生さゼることのないリードフレームを提
供することを目的とする。
にクラックを発生さゼることのないリードフレームを提
供することを目的とする。
そこで、本発明の方法では、サポートバーとの境界部に
おいて、ダイパッドに切り込みを有するリードフレーム
パターンを形成した後、サポートバーをディプレス加工
によって曲げ加工するに際し、同時に該タイバッドの周
縁部を素子搭載面側に変形せしめるようにしている。
おいて、ダイパッドに切り込みを有するリードフレーム
パターンを形成した後、サポートバーをディプレス加工
によって曲げ加工するに際し、同時に該タイバッドの周
縁部を素子搭載面側に変形せしめるようにしている。
望ましくは、ディプレス加工に先立ちダイバンドの周縁
をスェージ加工することによってバリを潰すとよい。又
、ダイパッドの周縁部の変形は、絞り加工によるのが更
に望ましい。
をスェージ加工することによってバリを潰すとよい。又
、ダイパッドの周縁部の変形は、絞り加工によるのが更
に望ましい。
上記方法によれば、ダイパッドの周縁部を素子搭載面側
に変形せしめることにより、ダイバンドの周縁のバリが
潰れ、シャープなエッヂも丸みを帯びた□形状となる。
に変形せしめることにより、ダイバンドの周縁のバリが
潰れ、シャープなエッヂも丸みを帯びた□形状となる。
従って、樹脂封止後も、１１止樹脂にクラックを生じた
りすることもなく、信頼性の高い半導体装置を得ること
ができる。
りすることもなく、信頼性の高い半導体装置を得ること
ができる。
また、゛サポートバーのディプレス加工と同時に行なわ
れるため、ディプレス加工に用いるディプレス金型をわ
ずかに変更すればよいのみで、何ら付加工程を要するこ
とになく、容易に形成可能である。
れるため、ディプレス加工に用いるディプレス金型をわ
ずかに変更すればよいのみで、何ら付加工程を要するこ
とになく、容易に形成可能である。
更に、スェージングによってダイパッドの端面のバリを
潰しておくようにすれば、エツジがシャープな状態で残
る危険が低減され、信頼性は更に向上する。
潰しておくようにすれば、エツジがシャープな状態で残
る危険が低減され、信頼性は更に向上する。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
まず、第１図（ａ）および（ｂ）（第１図（ｂ）は第１
図（ａ）のＡ−Ａ断面図）に示す如く、プレス加工法に
より、リードフレームのパターンを形成する。このパタ
ーンはダイパッド１１が通常の寸法よりも大きく形成さ
れており、更にダイパッド１１とサポートバー１７との
境界で、サポートバーの端面に沿って内方に切り込み１
８が形成されている他は、第３図に示した従来のパター
ンと全く同様である。ｂはバリを示す。なお、第３図と
同一部材には同一記号を符した。
図（ａ）のＡ−Ａ断面図）に示す如く、プレス加工法に
より、リードフレームのパターンを形成する。このパタ
ーンはダイパッド１１が通常の寸法よりも大きく形成さ
れており、更にダイパッド１１とサポートバー１７との
境界で、サポートバーの端面に沿って内方に切り込み１
８が形成されている他は、第３図に示した従来のパター
ンと全く同様である。ｂはバリを示す。なお、第３図と
同一部材には同一記号を符した。
次いで、スェージングにより、第１図（Ｃ）に示す如く
、ダイパッド１１の周端面のエツジを丸くする。
、ダイパッド１１の周端面のエツジを丸くする。
そして最後に、第１図（ｄ）および第１図（ｅ）に示す
如く、ディプレス金型内で、サポートバーに曲げ変形を
与えると同時に、サポートバーのディプレス角度と同じ
角度でダイパッドの周縁部Ｒに絞り変形を与える。（第
１図（ｅ）は第１図（ｄ）のＢ−８断面を示す図である
。）このようにして形成されたリードフレームは、プレ
ス加工に用いる金型および、サポートバーのディプレス
加工に用いる金型にわずかな変更を加えるのみで、何ら
付加工程を要することなく形成され青、封止樹脂にクラ
ックを生じることのない良好なものとなっている。
如く、ディプレス金型内で、サポートバーに曲げ変形を
与えると同時に、サポートバーのディプレス角度と同じ
角度でダイパッドの周縁部Ｒに絞り変形を与える。（第
１図（ｅ）は第１図（ｄ）のＢ−８断面を示す図である
。）このようにして形成されたリードフレームは、プレ
ス加工に用いる金型および、サポートバーのディプレス
加工に用いる金型にわずかな変更を加えるのみで、何ら
付加工程を要することなく形成され青、封止樹脂にクラ
ックを生じることのない良好なものとなっている。
また、ダイパッドの周縁部が起立しているため、半導体
チップを搭載する際、位置決めが容易となる上、エポキ
シ樹脂やポリイミド樹脂等の接着剤を用いて半導体チッ
プをダイパッド上に固着するタイプのず導体装置では、
接着剤がダイパッドの端面からこぼれることもなく、実
装作業性が向上する。
チップを搭載する際、位置決めが容易となる上、エポキ
シ樹脂やポリイミド樹脂等の接着剤を用いて半導体チッ
プをダイパッド上に固着するタイプのず導体装置では、
接着剤がダイパッドの端面からこぼれることもなく、実
装作業性が向上する。
なお、実施例では、プレス加工によってリードフレーム
のバターニングを行なう場合について説明したが、プレ
ス加工に限定されることなくエツチングによるバターニ
ングを行なった場合にも有効であることはいうまでもな
い。
のバターニングを行なう場合について説明したが、プレ
ス加工に限定されることなくエツチングによるバターニ
ングを行なった場合にも有効であることはいうまでもな
い。
また、ディプレス加工については、絞り加工に限定され
ることなく、適宜変更可能であり、更に、スェージ加工
は、バ、りを潰し、エツジを丸くするのに有効であるが
、省略しても良い。
ることなく、適宜変更可能であり、更に、スェージ加工
は、バ、りを潰し、エツジを丸くするのに有効であるが
、省略しても良い。
更に、ダイパッドおよびサポートバーの形状についても
実施例に限定されることなく適宜変更可能であり、例え
ば第２図に示す如く、ダイパッド１１′が４本のサポー
トバー１７′によって支持せしめられているような形状
をとることも可能である。
実施例に限定されることなく適宜変更可能であり、例え
ば第２図に示す如く、ダイパッド１１′が４本のサポー
トバー１７′によって支持せしめられているような形状
をとることも可能である。
（光明の効果〕
以上説明してきたように、本光明の方法によれば、リー
ドフレームのパターン形成後、ディプレス加工によりサ
ポートバーを曲げ加工するに際し、同時にダイパッドの
周縁をチップ搭載面側に曲げるようにしているため、ダ
イパッドの周端面のシャープなエツジがなくなり、封止
樹脂にクラックを生ぜしめたりすることのない信頼性の
高い￥導体装置を冑ることができる。
ドフレームのパターン形成後、ディプレス加工によりサ
ポートバーを曲げ加工するに際し、同時にダイパッドの
周縁をチップ搭載面側に曲げるようにしているため、ダ
イパッドの周端面のシャープなエツジがなくなり、封止
樹脂にクラックを生ぜしめたりすることのない信頼性の
高い￥導体装置を冑ることができる。
第１図（ａ）乃至第１図（ｅ）は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図、第２図は、同リードフ
レームのダイパッドパターンの変形例を示す図、第３図
は、従来例のリードフレームを示す図、第４図は、従来
の半導体装置の実装例を示す図、第５図（ａ＞および＜
ｂ＞は、コイニング前とコイニング後のパターンエツジ
を示す図、第６図は他の従来例の半導体装置の実装例を
示す図である。 １１・・・ダイパッド、 １２・・・インナーリ
ード、１３・・・タイバー、 １４・・・アウ
ターリード、１５．１６・・・サイドバー、１７・・・
サポートバー、１８・・・切り込み、 １・・・リードフレーム、 ２・・・半導体チッ
プ、３・・・ボンディングワイヤ、 ４・・・封止材料
、Ｃ・・・クラック、 ｂ・・・バリ、Ｒ
・・・周縁部。 第１図（Ｃ） 第１図（ｅ） 第２図 第３図
ドフレームの製造工程を示す図、第２図は、同リードフ
レームのダイパッドパターンの変形例を示す図、第３図
は、従来例のリードフレームを示す図、第４図は、従来
の半導体装置の実装例を示す図、第５図（ａ＞および＜
ｂ＞は、コイニング前とコイニング後のパターンエツジ
を示す図、第６図は他の従来例の半導体装置の実装例を
示す図である。 １１・・・ダイパッド、 １２・・・インナーリ
ード、１３・・・タイバー、 １４・・・アウ
ターリード、１５．１６・・・サイドバー、１７・・・
サポートバー、１８・・・切り込み、 １・・・リードフレーム、 ２・・・半導体チッ
プ、３・・・ボンディングワイヤ、 ４・・・封止材料
、Ｃ・・・クラック、 ｂ・・・バリ、Ｒ
・・・周縁部。 第１図（Ｃ） 第１図（ｅ） 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）半導体チップを搭載するためのダイパッドと、 ダイパッドの周りに配設せしめられるインナーリードと
、 各インナーリードに連設せしめられるアウターリードと
、 ダイパッドを支持するサポートバーとを具えたリードフ
レームの製造方法において、 サポートバーからダイパッドに延びる所定長さの切り込
みを有するように、少なくともダイパッド、インナーリ
ード、アウターリード、サポートバーを含むリードフレ
ームパターンを形成するパターン形成工程と、 前記サポートバーを所定の角度で曲げ変形せしめると同
時に、前記ダイパッドの周縁部を前記切り込みに沿って
半導体チップ搭載面側に変形せしめる曲げ加工工程とを
含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。 - （２）前記曲げ加工工程は、 前記ダイパッドの周端部のバリを潰すべく加圧成型する
スエージ加工工程を含むことを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載のリードフレームの製造方法。 - （３）前記曲げ加工工程は、 前記ダイパッドの周端部を裏面から半導体チップ搭載面
側に絞り変形せしめる絞り加工工程であることを特徴と
する特許請求の範囲第（２）項記載のリードフレームの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62144788A JPS63308359A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62144788A JPS63308359A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63308359A true JPS63308359A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15370461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62144788A Pending JPS63308359A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63308359A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0503072A1 (en) * | 1990-09-10 | 1992-09-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and its manufacturing process |
| EP0628997A3 (en) * | 1993-06-10 | 1995-09-06 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device with a thin support and method of manufacturing it. |
| WO2001009953A1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Amkor Technology, Inc. | Lead frame with downset die pad |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53115175A (en) * | 1977-03-18 | 1978-10-07 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS6015955A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP62144788A patent/JPS63308359A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53115175A (en) * | 1977-03-18 | 1978-10-07 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS6015955A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0503072A1 (en) * | 1990-09-10 | 1992-09-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and its manufacturing process |
| US5440170A (en) * | 1990-09-10 | 1995-08-08 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a die pad with rounded edges and its manufacturing method |
| EP0628997A3 (en) * | 1993-06-10 | 1995-09-06 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device with a thin support and method of manufacturing it. |
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