JP2527503B2 - リ―ドフレ―ムおよびその製造方法 - Google Patents
リ―ドフレ―ムおよびその製造方法Info
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- JP2527503B2 JP2527503B2 JP3094478A JP9447891A JP2527503B2 JP 2527503 B2 JP2527503 B2 JP 2527503B2 JP 3094478 A JP3094478 A JP 3094478A JP 9447891 A JP9447891 A JP 9447891A JP 2527503 B2 JP2527503 B2 JP 2527503B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リ―ドフレ―ムおよび
その製造方法に係り、特に、ダイパッドの形状およびそ
の形成に関する。
その製造方法に係り、特に、ダイパッドの形状およびそ
の形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の実装に際
して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄系あるいは銅系等
の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチング
により所望のパタ―ンに成形することによって形成され
る。
して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄系あるいは銅系等
の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチング
により所望のパタ―ンに成形することによって形成され
る。
【０００３】通常、リ―ドフレ―ム１は、図６に示す如
く、半導体集積回路チップ（以下半導体チップ）を搭載
するダイパッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ
―ド１２を一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸長するア
ウタ―リ―ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持
するサイドバ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持す
るサポ―トバ―１７とから構成されている。
く、半導体集積回路チップ（以下半導体チップ）を搭載
するダイパッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ
―ド１２を一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸長するア
ウタ―リ―ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持
するサイドバ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持す
るサポ―トバ―１７とから構成されている。
【０００４】このようなリ―ドフレ―ムを用いて実装さ
れる半導体装置は、図７に示す如くであり、リ―ドフレ
―ム１のダイパッド１１上に、半導体チップ２を搭載
し、この半導体チップのボンディングパッドとリ―ドフ
レ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線あるいはアルミ線
のボンディングワイヤ３によって結線し、更にこれらを
樹脂やセラミック等の封止材料４で封止した後、タイバ
―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを所望の形状
に折り曲げて完成する。
れる半導体装置は、図７に示す如くであり、リ―ドフレ
―ム１のダイパッド１１上に、半導体チップ２を搭載
し、この半導体チップのボンディングパッドとリ―ドフ
レ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線あるいはアルミ線
のボンディングワイヤ３によって結線し、更にこれらを
樹脂やセラミック等の封止材料４で封止した後、タイバ
―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを所望の形状
に折り曲げて完成する。
【０００５】このような樹脂封止型の半導体装置の問題
点の１つは、モールド樹脂が吸湿性を有し、樹脂内に吸
湿された水分が外部リードの半田付けの際の熱等によっ
て水蒸気化して膨脹し、そのためにダイパッドとモール
ド樹脂との間が剥離するとともに、ダイパッドのコーナ
ー部分に応力が集中してモールド樹脂にクラックが発生
するという問題である。
点の１つは、モールド樹脂が吸湿性を有し、樹脂内に吸
湿された水分が外部リードの半田付けの際の熱等によっ
て水蒸気化して膨脹し、そのためにダイパッドとモール
ド樹脂との間が剥離するとともに、ダイパッドのコーナ
ー部分に応力が集中してモールド樹脂にクラックが発生
するという問題である。
【０００６】この問題を防止するために、ダイパッドの
裏面側に凹部あるいは貫通孔を形成してモールド樹脂と
の密着性を高めるという方法がとられている。
裏面側に凹部あるいは貫通孔を形成してモールド樹脂と
の密着性を高めるという方法がとられている。
【０００７】このような凹部の形成方法としては、プレ
ス加工による方法とエッチングによる方法とがある。
ス加工による方法とエッチングによる方法とがある。
【０００８】プレス加工による方法では、パンチにより
圧縮された素材余肉が解放されないため、リードフレー
ム全体に歪が残留し変形を生じることがあるという問題
があった。
圧縮された素材余肉が解放されないため、リードフレー
ム全体に歪が残留し変形を生じることがあるという問題
があった。
【０００９】またハーフエッチングによって凹部を形成
する方法では理想的な形状を得ることができるが、リー
ドフレーム形状をプレス加工により成形し、凹部のみを
エッチングで成形すると、製造工程が複雑となり製造コ
ストが上昇することになる。
する方法では理想的な形状を得ることができるが、リー
ドフレーム形状をプレス加工により成形し、凹部のみを
エッチングで成形すると、製造工程が複雑となり製造コ
ストが上昇することになる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように、ダイパッ
ドの裏面側に凹部を形成しようとすると、エッチングに
よる方法では、製造工程が複雑となり製造コストが上昇
するという問題がある。またプレス加工による方法で
は、パンチにより圧縮された素材余肉が解放されないた
め、リードフレーム全体に歪が残留し変形を生じること
がある。
ドの裏面側に凹部を形成しようとすると、エッチングに
よる方法では、製造工程が複雑となり製造コストが上昇
するという問題がある。またプレス加工による方法で
は、パンチにより圧縮された素材余肉が解放されないた
め、リードフレーム全体に歪が残留し変形を生じること
がある。
【００１１】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、高密度化に際し、封止樹脂との密着性が高く、信頼
性の高いリ−ドフレ−ムを提供することを目的とする。
で、高密度化に際し、封止樹脂との密着性が高く、信頼
性の高いリ−ドフレ−ムを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】そこで本発明のリ−ドフ
レ−ムでは、ダイパッドの表面または裏面に、打ち抜き
領域の周縁の一部の深さまで被打ち抜き領域に面接触状
態でそのまま接続された半抜き状態の凹部を形成してい
る。
レ−ムでは、ダイパッドの表面または裏面に、打ち抜き
領域の周縁の一部の深さまで被打ち抜き領域に面接触状
態でそのまま接続された半抜き状態の凹部を形成してい
る。
【００１３】また本発明の方法では、打ち抜きにより、
ダイパッドの表面または裏面に、打ち抜き領域の周縁の
一部の深さまで被打ち抜き領域に面接触状態でそのまま
接続された少なくとも１つの半抜き状態の凹部を形成す
るようにしている。
ダイパッドの表面または裏面に、打ち抜き領域の周縁の
一部の深さまで被打ち抜き領域に面接触状態でそのまま
接続された少なくとも１つの半抜き状態の凹部を形成す
るようにしている。
【００１４】望ましくは、この凹部加工工程は、ダイパ
ッドの形成と同時に行う。
ッドの形成と同時に行う。
【００１５】
【作用】上記構造によれば、プレス加工によって凹部の
形成が可能であり、凹部形成用のパンチを、素材を貫通
しない程度に保持し、素材を半抜き状態にすればよく、
加工が容易で、かつ歪の発生のない良好な形状を得るこ
とが可能となる。
形成が可能であり、凹部形成用のパンチを、素材を貫通
しない程度に保持し、素材を半抜き状態にすればよく、
加工が容易で、かつ歪の発生のない良好な形状を得るこ
とが可能となる。
【００１６】さらに、完全に打ち抜くことなく、周縁全
体が接続した状態で半抜きになっているため機械的強度
の低下も少ない。また、貫通孔ではないため、ダイボン
ディングに際して裏面への接着剤の流出を防止すること
ができる。さらにまた、貫通孔ではないため、半導体チ
ップの裏面に封止樹脂が入り込み、半導体チップとダイ
パッドとの剥離の原因となるのを防ぐことができる。
体が接続した状態で半抜きになっているため機械的強度
の低下も少ない。また、貫通孔ではないため、ダイボン
ディングに際して裏面への接着剤の流出を防止すること
ができる。さらにまた、貫通孔ではないため、半導体チ
ップの裏面に封止樹脂が入り込み、半導体チップとダイ
パッドとの剥離の原因となるのを防ぐことができる。
【００１７】従って、樹脂との接触面積が大きくなり、
樹脂との密着性が良好で信頼性の高い半導体装置を得る
ことができる。
樹脂との密着性が良好で信頼性の高い半導体装置を得る
ことができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【００１９】本発明実施例のリ―ドフレ―ムは、図１
(a) に平面図、図１(b) に断面図を示すように、ダイパ
ッドの裏面に半抜き状態の多数個の凸部２１を形成した
ことを特徴とするものである。そして裏面の凸部２１に
相当する領域には凹部２２が形成されている。他の部分
については、従来のリードフレームとまったく同様に形
成されている。すなわち、半導体チップを搭載するダイ
パッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめ
られた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ―ド１２
を一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ―リ―ド
に連結せしめられタイバ―の外側に伸長するアウタ―リ
―ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持するサイ
ドバ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持するサポ―
トバ―１７とから構成されている。
(a) に平面図、図１(b) に断面図を示すように、ダイパ
ッドの裏面に半抜き状態の多数個の凸部２１を形成した
ことを特徴とするものである。そして裏面の凸部２１に
相当する領域には凹部２２が形成されている。他の部分
については、従来のリードフレームとまったく同様に形
成されている。すなわち、半導体チップを搭載するダイ
パッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめ
られた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ―ド１２
を一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ―リ―ド
に連結せしめられタイバ―の外側に伸長するアウタ―リ
―ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持するサイ
ドバ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持するサポ―
トバ―１７とから構成されている。
【００２０】そして、図２にこのリードフレームを用い
て形成した半導体装置を示すように、凸部２１の間の凹
部２３に、樹脂を流し込むことができ、密着性が大幅に
向上するようになっている。
て形成した半導体装置を示すように、凸部２１の間の凹
部２３に、樹脂を流し込むことができ、密着性が大幅に
向上するようになっている。
【００２１】次に、このリ−ドフレ−ムの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２２】まず、順送り金型を用いて、プレス加工を
行なうことにより、インナーリード１２、タイバ―１
３、アウターリード１４などをパタ―ニングする。
行なうことにより、インナーリード１２、タイバ―１
３、アウターリード１４などをパタ―ニングする。
【００２３】続いて、この金型内において図３に示すよ
うに、半抜きパンチで押圧し、凸部２１および凹部２２
を形成する。
うに、半抜きパンチで押圧し、凸部２１および凹部２２
を形成する。
【００２４】そしてさらに、必要に応じてメッキ工程等
を経て図１に示したようなリ−ドフレ−ムが形成され
る。
を経て図１に示したようなリ−ドフレ−ムが形成され
る。
【００２５】このようにして形成されたリ―ドフレ―ム
は、リ―ドフレ―ム１のダイパッド１１上に、半導体チ
ップ２を搭載し、この半導体チップのボンディングパッ
ドとリ―ドフレ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線ある
いはアルミ線のボンディングワイヤ３によって結線し、
更にこれらを樹脂やセラミック等の封止材料４で封止し
た後、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ド
を所望の形状に折り曲げて完成せしめられるが、樹脂封
止に際して、凹部内にも樹脂が充填されて硬化するた
め、密着性が良好となり、信頼性の向上をはかることが
できる。また、ダイパッドの機械的強度の低下が少なく
てすみ、ダイパッド自体の変形を抑えることができる。
は、リ―ドフレ―ム１のダイパッド１１上に、半導体チ
ップ２を搭載し、この半導体チップのボンディングパッ
ドとリ―ドフレ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線ある
いはアルミ線のボンディングワイヤ３によって結線し、
更にこれらを樹脂やセラミック等の封止材料４で封止し
た後、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ド
を所望の形状に折り曲げて完成せしめられるが、樹脂封
止に際して、凹部内にも樹脂が充填されて硬化するた
め、密着性が良好となり、信頼性の向上をはかることが
できる。また、ダイパッドの機械的強度の低下が少なく
てすみ、ダイパッド自体の変形を抑えることができる。
【００２６】なお、前記実施例では、形状加工と同時に
凹部を形成したが、リードフレームの形状加工が完了し
たのちにプレス（半抜き）を行うようにしてもよいし、
またリード間領域の形成を行った後、インナーリード先
端に連結片を残して、ダイパッドとインナーリード先端
との間のキャビティ領域のうちぬきを行い、ダイパッド
にこのプレス（半抜き）を行い、最後に連結片を除去す
るようにしてもよい。さらに、この凹部の位置及び形状
については、実施例に限定されることなく適宜変形可能
である。
凹部を形成したが、リードフレームの形状加工が完了し
たのちにプレス（半抜き）を行うようにしてもよいし、
またリード間領域の形成を行った後、インナーリード先
端に連結片を残して、ダイパッドとインナーリード先端
との間のキャビティ領域のうちぬきを行い、ダイパッド
にこのプレス（半抜き）を行い、最後に連結片を除去す
るようにしてもよい。さらに、この凹部の位置及び形状
については、実施例に限定されることなく適宜変形可能
である。
【００２７】次に本発明の第２の実施例として、ダイパ
ッドの裏面から１つの大きな凹部３１を形成したものに
ついて説明する。
ッドの裏面から１つの大きな凹部３１を形成したものに
ついて説明する。
【００２８】この例では図４に示すように、半抜きパン
チを用いてダイパッド３１裏面にダイパッド３１の外周
よりもやや小さい凹部３２を形成している。他の部分に
ついては図１に示した実施例１のリードフレームとまっ
たく同様に形成する。
チを用いてダイパッド３１裏面にダイパッド３１の外周
よりもやや小さい凹部３２を形成している。他の部分に
ついては図１に示した実施例１のリードフレームとまっ
たく同様に形成する。
【００２９】このようにして形成されたリ―ドフレ―ム
は、実施例１と同様、素子チップの搭載、ワイヤボンデ
ィング、樹脂封止などの工程を経て半導体装置（図５参
照）として完成されるが、樹脂封止に際して、凹部３１
内にも樹脂が充填されて硬化するため、密着性が良好と
なり、信頼性の向上をはかることができる。
は、実施例１と同様、素子チップの搭載、ワイヤボンデ
ィング、樹脂封止などの工程を経て半導体装置（図５参
照）として完成されるが、樹脂封止に際して、凹部３１
内にも樹脂が充填されて硬化するため、密着性が良好と
なり、信頼性の向上をはかることができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、リードフレームのダイパッドに半抜きの凹部を、形
成しているため、樹脂との密着性が良好となり、信頼性
の高い半導体装置を得ることが可能となる。
ば、リードフレームのダイパッドに半抜きの凹部を、形
成しているため、樹脂との密着性が良好となり、信頼性
の高い半導体装置を得ることが可能となる。
【図１】本発明実施例のリードフレームを示す図
【図２】本発明実施例のリードフレームを用いた半導体
装置を示す図
装置を示す図
【図３】本発明実施例のリードフレームの製造工程を示
す図
す図
【図４】本発明の他の実施例のリードフレームの製造工
程を示す図
程を示す図
【図５】本発明の他の実施例のリードフレームを用いた
半導体装置を示す図
半導体装置を示す図
【図６】従来例のリードフレームを示す図
【図７】従来例のリードフレームを用いた半導体装置を
示す図
示す図
１ リードフレーム ２ 半導体チップ ３ ワイヤ ４ 封止材料、 １１ ダイパッド １２ インナーリード １３ タイバー １４ アウターリード １５ サイドバー １６ サイドバー １７ サポートバー ２１ 凹部 ２２ 凸部 ３１ ダイパッド ３２ 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−224246（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−72558（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するダイパッドと、
前記ダイパッドを取り囲むように形成された複数のリ−
ドとを具備したリードフレームにおいて、 前記ダイパッドが、その表面または裏面に少なくとも１
つの半抜き状態で周縁全体が一部の深さまでそのまま面
接触するように構成された凹部を具備したことを特徴と
するリードフレーム。 - 【請求項２】 半導体チップを搭載するダイパッドと、
前記ダイパッドを取り囲むように形成された複数のリ−
ドとを具備したリードフレームの製造方法において、 打ち抜きにより、前記ダイパッドの表面または裏面に少
なくとも１つの半抜き状態で打ち抜き側の周縁全体が一
部の深さまで被打ち抜き側にそのまま面接触した状態の
凹部を形成する凹部加工工程を含むことを特徴とするリ
ードフレームの製造方法。 - 【請求項３】 前記凹部加工工程は、前記ダイパッドの
形成と同時に行われるようにしたことを特徴とする請求
項(2) 記載のリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094478A JP2527503B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | リ―ドフレ―ムおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094478A JP2527503B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | リ―ドフレ―ムおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324663A JPH04324663A (ja) | 1992-11-13 |
| JP2527503B2 true JP2527503B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=14111390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094478A Expired - Lifetime JP2527503B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | リ―ドフレ―ムおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2527503B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2671800B2 (ja) * | 1994-02-23 | 1997-10-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224246A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP3094478A patent/JP2527503B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04324663A (ja) | 1992-11-13 |
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