JP2582683B2 - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JP2582683B2 JP2582683B2 JP3094479A JP9447991A JP2582683B2 JP 2582683 B2 JP2582683 B2 JP 2582683B2 JP 3094479 A JP3094479 A JP 3094479A JP 9447991 A JP9447991 A JP 9447991A JP 2582683 B2 JP2582683 B2 JP 2582683B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リ―ドフレ―ムに係
り、特に、ダイパッドの形状およびその形成に関する。
り、特に、ダイパッドの形状およびその形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の実装に際
して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄系あるいは銅系等
の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチング
により所望のパタ―ンに成形することによって形成され
る。
して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄系あるいは銅系等
の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチング
により所望のパタ―ンに成形することによって形成され
る。
【０００３】通常、リ―ドフレ―ム１は、図６に示す如
く、半導体集積回路チップ（以下半導体チップ）を搭載
するダイパッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ
―ド１２を一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸長するア
ウタ―リ―ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持
するサイドバ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持す
るサポ―トバ―１７とから構成されている。
く、半導体集積回路チップ（以下半導体チップ）を搭載
するダイパッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ
―ド１２を一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸長するア
ウタ―リ―ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持
するサイドバ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持す
るサポ―トバ―１７とから構成されている。
【０００４】このようなリ―ドフレ―ムを用いて実装せ
しめられる半導体装置は図７に示す如くであり、リ―ド
フレ―ム１のダイパッド１１上に、半導体チップ２を搭
載し、この半導体チップのボンディングパッドとリ―ド
フレ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線あるいはアルミ
線のボンディングワイヤ３によって結線し、更にこれら
を樹脂やセラミック等の封止材料４で封止した後、タイ
バ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを所望の形
状に折り曲げて完成せしめられる。
しめられる半導体装置は図７に示す如くであり、リ―ド
フレ―ム１のダイパッド１１上に、半導体チップ２を搭
載し、この半導体チップのボンディングパッドとリ―ド
フレ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線あるいはアルミ
線のボンディングワイヤ３によって結線し、更にこれら
を樹脂やセラミック等の封止材料４で封止した後、タイ
バ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを所望の形
状に折り曲げて完成せしめられる。
【０００５】樹脂封止型の半導体装置の問題点の１つ
は、モールド樹脂が吸湿性を有し、吸湿された水分が外
部リードの半田付けの際の熱等によって水蒸気化して膨
脹し、そのためにダイパッドとモールド樹脂との間が剥
離するとともに、ダイパッドのコーナー部分に応力が集
中してモールド樹脂にクラックが発生するという問題で
ある。
は、モールド樹脂が吸湿性を有し、吸湿された水分が外
部リードの半田付けの際の熱等によって水蒸気化して膨
脹し、そのためにダイパッドとモールド樹脂との間が剥
離するとともに、ダイパッドのコーナー部分に応力が集
中してモールド樹脂にクラックが発生するという問題で
ある。
【０００６】この問題を防止するために、図８(a) に示
すように、ダイパッドの裏面側に凹部を形成してモール
ド樹脂との密着性を高めるという方法が提案されてい
る。
すように、ダイパッドの裏面側に凹部を形成してモール
ド樹脂との密着性を高めるという方法が提案されてい
る。
【０００７】このような凹部の形成方法としては、プレ
ス加工による方法とエッチングによる方法とがある。
ス加工による方法とエッチングによる方法とがある。
【０００８】プレス加工による方法では、図８(b) に示
すように、円錐型の凹部となり、密着性が十分ではな
く、また、パンチにより圧縮された素材余肉が解放され
ないため、リードフレーム全体に歪が残留し変形を生じ
ることがあるという問題があった。
すように、円錐型の凹部となり、密着性が十分ではな
く、また、パンチにより圧縮された素材余肉が解放され
ないため、リードフレーム全体に歪が残留し変形を生じ
ることがあるという問題があった。
【０００９】またハーフエッチングによって凹部を形成
する方法では図８(c) に示すように、理想的な形状を得
ることができるが、リードフレーム形状をプレス加工に
より成形し、凹部のみをエッチングで成形すると、製造
工程が複雑となり製造コストが上昇することになる。
する方法では図８(c) に示すように、理想的な形状を得
ることができるが、リードフレーム形状をプレス加工に
より成形し、凹部のみをエッチングで成形すると、製造
工程が複雑となり製造コストが上昇することになる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように、ダイパッ
ドの裏面側に凹部を形成しようとすると、エッチングに
よる方法では、製造工程が複雑となり製造コストが上昇
するという問題がある。またプレス加工による方法で
は、円錐型の凹部となり、密着性が十分ではない上、パ
ンチにより圧縮された素材余肉が解放されないため、リ
ードフレーム全体に歪が残留し変形を生じることがあ
る。
ドの裏面側に凹部を形成しようとすると、エッチングに
よる方法では、製造工程が複雑となり製造コストが上昇
するという問題がある。またプレス加工による方法で
は、円錐型の凹部となり、密着性が十分ではない上、パ
ンチにより圧縮された素材余肉が解放されないため、リ
ードフレーム全体に歪が残留し変形を生じることがあ
る。
【００１１】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、製造が容易で、封止樹脂との密着性が高く、信頼性
の高いリ−ドフレ−ムを提供することを目的とする。
で、製造が容易で、封止樹脂との密着性が高く、信頼性
の高いリ−ドフレ−ムを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】そこで本発明のリ−ドフ
レ−ムでは、ダイパッドに、貫通孔を形成し、この貫通
孔内に金属または樹脂等の閉塞部材を嵌合し、貫通孔を
閉塞することにより実質的な凹部を形成している。
レ−ムでは、ダイパッドに、貫通孔を形成し、この貫通
孔内に金属または樹脂等の閉塞部材を嵌合し、貫通孔を
閉塞することにより実質的な凹部を形成している。
【００１３】望ましくは、この貫通孔の形状を周面（輪
郭）波型または断面テーパ状となるように形成してい
る。
郭）波型または断面テーパ状となるように形成してい
る。
【００１４】また望ましくは、この貫通孔は複数個配設
するようにしている。
するようにしている。
【００１５】さらに望ましくは、この閉塞部材は、貫通
孔の深さよりも肉薄の材料で形成され、ダイパッドの裏
面側にこの貫通孔が開口するように、埋め込まれるよう
にしている。また、望ましくは、閉塞部材は、貫通孔の
形成で打ち抜かれた部材であり、打ち抜き後、半導体チ
ップ搭載面の裏面側から当該貫通孔に嵌入せしめられて
なることを特徴とするリードフレーム構成材料と同一材
料で構成する。
孔の深さよりも肉薄の材料で形成され、ダイパッドの裏
面側にこの貫通孔が開口するように、埋め込まれるよう
にしている。また、望ましくは、閉塞部材は、貫通孔の
形成で打ち抜かれた部材であり、打ち抜き後、半導体チ
ップ搭載面の裏面側から当該貫通孔に嵌入せしめられて
なることを特徴とするリードフレーム構成材料と同一材
料で構成する。
【００１６】
【作用】上記構造によれば、プレス加工によって貫通孔
を形成し、パンチにより圧縮された素材余肉を解放し、
歪の残留を低減した上で、これに肉薄の充填物を嵌合す
ればよいため、加工が容易で、かつ歪の発生のない良好
な凹凸部を得ることが可能となる。このように、実質的
に凹部を具備しているため、より大きな樹脂剥離耐性を
得ることができる。さらにまた、実質的には貫通孔では
ないため、ダイボンディングに際して半田あるいは接着
剤などが貫通孔に流入してしまうことがなく、十分に強
固なダイボンディングを達成することが可能となる。ま
た、貫通孔ではなく閉塞部材が充填されているため、ダ
イボンディングに際し、ダイパッドの強度が低下せず、
変形を生じにくい。さらに、貫通孔でないため、樹脂封
止に際して、半導体チップの裏面に樹脂が付着したりす
ることがなく、従って半導体チップとダイパッドの間の
わずかな隙間に、樹脂が入り込み、半導体チップとダイ
パッドの間の剥離の原因となるような問題はなくなる。
を形成し、パンチにより圧縮された素材余肉を解放し、
歪の残留を低減した上で、これに肉薄の充填物を嵌合す
ればよいため、加工が容易で、かつ歪の発生のない良好
な凹凸部を得ることが可能となる。このように、実質的
に凹部を具備しているため、より大きな樹脂剥離耐性を
得ることができる。さらにまた、実質的には貫通孔では
ないため、ダイボンディングに際して半田あるいは接着
剤などが貫通孔に流入してしまうことがなく、十分に強
固なダイボンディングを達成することが可能となる。ま
た、貫通孔ではなく閉塞部材が充填されているため、ダ
イボンディングに際し、ダイパッドの強度が低下せず、
変形を生じにくい。さらに、貫通孔でないため、樹脂封
止に際して、半導体チップの裏面に樹脂が付着したりす
ることがなく、従って半導体チップとダイパッドの間の
わずかな隙間に、樹脂が入り込み、半導体チップとダイ
パッドの間の剥離の原因となるような問題はなくなる。
【００１７】また、この貫通孔の形状を周面波型または
断面テーパ状となるように形成することにより、閉塞部
材の嵌合が容易である。また、閉塞部材が貫通孔よりも
浅く埋め込まれている場合には、実装に際し、貫通孔の
内側での樹脂との接触面積が増大し、密着性が向上す
る。
断面テーパ状となるように形成することにより、閉塞部
材の嵌合が容易である。また、閉塞部材が貫通孔よりも
浅く埋め込まれている場合には、実装に際し、貫通孔の
内側での樹脂との接触面積が増大し、密着性が向上す
る。
【００１８】さらにまた、貫通孔を複数個配設すること
により、さらに樹脂との密着性が向上する。
により、さらに樹脂との密着性が向上する。
【００１９】さらに、閉塞部材を、貫通孔の深さよりも
肉薄の材料で形成し、ダイパッドの裏面側にこの貫通孔
が開口するように、埋め込むようにすれば、ダイパッド
の裏面に良好な凹部が形成されることになり、理想的な
密着状態を得ることが可能となる。
肉薄の材料で形成し、ダイパッドの裏面側にこの貫通孔
が開口するように、埋め込むようにすれば、ダイパッド
の裏面に良好な凹部が形成されることになり、理想的な
密着状態を得ることが可能となる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【００２１】本発明実施例のリ―ドフレ―ムは、図１
(a) に平面図、図１(b) に断面図を示すように、ダイパ
ッドに表面側の開口面積が小さくなるように多数個の貫
通孔２１を形成し、この貫通孔２１内にリードフレーム
形成素材と同一材料の閉塞部材２２を裏面側から充填
し、嵌合させたことをたことを特徴とするものである。
他の部分については、従来のリードフレームとまったく
同様に形成されている。すなわち、半導体チップを搭載
するダイパッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ
―ド１２を一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸長するア
ウタ―リ―ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持
するサイドバ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持す
るサポ―トバ―１７とから構成されている。このリード
フレーム形成素材および閉塞部材はいずれもアロイ４２
と指称されている鉄−ニッケル合金から構成されてお
り、リードフレーム形成素材の肉厚は０．１５mm、閉塞
部材の肉厚は０．０８mmとする。
(a) に平面図、図１(b) に断面図を示すように、ダイパ
ッドに表面側の開口面積が小さくなるように多数個の貫
通孔２１を形成し、この貫通孔２１内にリードフレーム
形成素材と同一材料の閉塞部材２２を裏面側から充填
し、嵌合させたことをたことを特徴とするものである。
他の部分については、従来のリードフレームとまったく
同様に形成されている。すなわち、半導体チップを搭載
するダイパッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ
―ド１２を一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸長するア
ウタ―リ―ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持
するサイドバ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持す
るサポ―トバ―１７とから構成されている。このリード
フレーム形成素材および閉塞部材はいずれもアロイ４２
と指称されている鉄−ニッケル合金から構成されてお
り、リードフレーム形成素材の肉厚は０．１５mm、閉塞
部材の肉厚は０．０８mmとする。
【００２２】そして、図２にこのリードフレームを用い
て形成した半導体装置を示すように、閉塞部材２２で閉
塞されて実質的に凹部となった貫通孔２１内に、樹脂を
流し込むことができ、密着性が大幅に向上し、また断面
がテーパをなしているため樹脂が抜けにくい状態となっ
ている。
て形成した半導体装置を示すように、閉塞部材２２で閉
塞されて実質的に凹部となった貫通孔２１内に、樹脂を
流し込むことができ、密着性が大幅に向上し、また断面
がテーパをなしているため樹脂が抜けにくい状態となっ
ている。
【００２３】次に、このリ−ドフレ−ムの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２４】まず、帯状材料を順送り金型に設置し、リ
ード間領域の打ち抜きを行い、インナ―リ―ド１２およ
びアウターリード１４の側縁をパタ―ニングする。
ード間領域の打ち抜きを行い、インナ―リ―ド１２およ
びアウターリード１４の側縁をパタ―ニングする。
【００２５】次いで、インナーリード先端を互いに接続
する連結片を残してインナーリード先端とダイパッドの
間のキャビテイ領域の打ち抜きを行い、さらに、この金
型内において図３(a) に示すように、ダイＤとパンチＰ
との間のクリアランスＣを大きくし、打ち抜きを行うこ
とによって断面がテーパ状をなる貫通孔２１を形成す
る。
する連結片を残してインナーリード先端とダイパッドの
間のキャビテイ領域の打ち抜きを行い、さらに、この金
型内において図３(a) に示すように、ダイＤとパンチＰ
との間のクリアランスＣを大きくし、打ち抜きを行うこ
とによって断面がテーパ状をなる貫通孔２１を形成す
る。
【００２６】続いて、インナーリード先端の連結片を除
去し、さらに必要に応じてメッキ工程等を経てリ−ドフ
レ−ム本体が形成される。
去し、さらに必要に応じてメッキ工程等を経てリ−ドフ
レ−ム本体が形成される。
【００２７】そして図３(b) に示すように、貫通孔２１
内に板厚の薄い材料を打ち抜くことによってあらかじめ
形成された閉塞部材２２をプッシュバックＢにより保持
しておき、リードフレーム本体の貫通孔２１内に閉塞部
材２２を嵌合せしめる。なお、この図ではインナーリー
ド等のリード部を省略し、ダイパッドのみについて示し
た。
内に板厚の薄い材料を打ち抜くことによってあらかじめ
形成された閉塞部材２２をプッシュバックＢにより保持
しておき、リードフレーム本体の貫通孔２１内に閉塞部
材２２を嵌合せしめる。なお、この図ではインナーリー
ド等のリード部を省略し、ダイパッドのみについて示し
た。
【００２８】このようにして図１に示したようなリード
フレームが完成する。
フレームが完成する。
【００２９】このリ―ドフレ―ムは、図２に示すように
リ―ドフレ―ム１のダイパッド１１上に、半導体チップ
２を搭載し、この半導体チップのボンディングパッドと
リ―ドフレ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線あるいは
アルミ線のボンディングワイヤ３によって結線し、更に
これらを樹脂やセラミック等の封止材料４で封止した
後、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを
所望の形状に折り曲げて完成せしめられるが、樹脂封止
に際して、閉塞部材２２によって実質的に凹部となった
貫通孔２１内にも樹脂が充填されて硬化するため、密着
性が良好となり、またこの段面がテーパ状をなしている
ため、剥離しにくい状態となり信頼性の向上をはかるこ
とができる。
リ―ドフレ―ム１のダイパッド１１上に、半導体チップ
２を搭載し、この半導体チップのボンディングパッドと
リ―ドフレ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線あるいは
アルミ線のボンディングワイヤ３によって結線し、更に
これらを樹脂やセラミック等の封止材料４で封止した
後、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを
所望の形状に折り曲げて完成せしめられるが、樹脂封止
に際して、閉塞部材２２によって実質的に凹部となった
貫通孔２１内にも樹脂が充填されて硬化するため、密着
性が良好となり、またこの段面がテーパ状をなしている
ため、剥離しにくい状態となり信頼性の向上をはかるこ
とができる。
【００３０】なお、実施例では、順送り金型を用いて、
プレスを行ったが、１つの金型で一度に全体の形状を形
成するようにしてもよい。
プレスを行ったが、１つの金型で一度に全体の形状を形
成するようにしてもよい。
【００３１】さらにまた、成形順序についても、実施例
に限定されることなく貫通孔の打ち抜きは、リードフレ
ームの形状加工の完了後行ってもよいし、また、キャビ
ティ領域の打ち抜き前に行ってもよく、適宜変更可能で
ある。
に限定されることなく貫通孔の打ち抜きは、リードフレ
ームの形状加工の完了後行ってもよいし、また、キャビ
ティ領域の打ち抜き前に行ってもよく、適宜変更可能で
ある。
【００３２】加えて、前記実施例では、ダイパッドとリ
ード部とを一体的に形成したリードフレームについて説
明したが、ダイパッドとリード部とを別に成形し、後に
係合せしめるようにしてもよい。
ード部とを一体的に形成したリードフレームについて説
明したが、ダイパッドとリード部とを別に成形し、後に
係合せしめるようにしてもよい。
【００３３】さらに、この貫通孔の位置及び形状につい
ては、実施例に限定されることなく適宜変形可能であ
る。この貫通孔は断面テーパ状をなすように形成した
が、この方が閉塞部材の嵌合が容易であるが、断面垂直
でもよいことはいうまでもない。また、閉塞部材として
は、金属に限定されることなく、樹脂等他の材料を用い
てもよいことはいうまでもない。
ては、実施例に限定されることなく適宜変形可能であ
る。この貫通孔は断面テーパ状をなすように形成した
が、この方が閉塞部材の嵌合が容易であるが、断面垂直
でもよいことはいうまでもない。また、閉塞部材として
は、金属に限定されることなく、樹脂等他の材料を用い
てもよいことはいうまでもない。
【００３４】図４および図５に本発明の他の実施例を示
す。
す。
【００３５】図４は、貫通孔３１の形状を周面波型と
し、閉塞部材３２を貫通孔よりも浅く埋め込むようにし
たものである。なおここでは、ダイパッドの要部拡大断
面のみを示す。かかる構成により、実装に際し、貫通孔
の内側での樹脂との接触面積が増大し、密着性が向上す
る図５は、貫通孔４１よりも突出するように閉塞部材４
２を埋め込むようにしたものである。
し、閉塞部材３２を貫通孔よりも浅く埋め込むようにし
たものである。なおここでは、ダイパッドの要部拡大断
面のみを示す。かかる構成により、実装に際し、貫通孔
の内側での樹脂との接触面積が増大し、密着性が向上す
る図５は、貫通孔４１よりも突出するように閉塞部材４
２を埋め込むようにしたものである。
【００３６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、リードフレームのダイパッドに貫通孔を形成し、こ
の孔に閉塞部材を充填し実質的に凹部（凹凸部）を形成
しているため、樹脂との密着性が良好となり、信頼性の
高い半導体装置を得ることが可能となる。
ば、リードフレームのダイパッドに貫通孔を形成し、こ
の孔に閉塞部材を充填し実質的に凹部（凹凸部）を形成
しているため、樹脂との密着性が良好となり、信頼性の
高い半導体装置を得ることが可能となる。
【図１】本発明実施例のリードフレームを示す図
【図２】本発明実施例のリードフレームを用いた半導体
装置を示す図
装置を示す図
【図３】本発明実施例のリードフレームの製造工程を示
す図
す図
【図４】本発明の他の実施例のリードフレームを示す図
【図５】本発明の他の実施例のリードフレームを示す図
【図６】従来例のリードフレームを示す図
【図７】従来例のリードフレームを用いた半導体装置を
示す図
示す図
【図８】従来例のリードフレームの製造工程の一部を示
す図
す図
１ リードフレーム ２ 半導体チップ ３ ワイヤ ４ 封止材料、 １１ ダイパッド １２ インナーリード １３ タイバー １４ アウターリード １５ サイドバー １６ サイドバー １７ サポートバー ２１ 貫通孔 ２２ 閉塞部材 ３１ 貫通孔 ３２ 閉塞部材 ４１ 貫通孔 ４２ 閉塞部材
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するダイパッドと、
前記ダイパッドを取り囲むように形成された複数のリ−
ドとを具備したリードフレームにおいて、 前記ダイパッドが、少なくとも１つの貫通孔と、 ダイボンディングに先立ち、半導体チップ搭載面の裏側
に実質的な凹部を形成するように、前記貫通孔内に嵌合
せしめられ、前記貫通孔を閉塞する金属または樹脂等の
閉塞部材とを具備したことを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】 前記貫通孔は、周面波型または断面テー
パ状をなすように形成されていることを特徴とする請求
項(1) 記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 前記閉塞部材は、貫通孔の深さよりも肉
薄の材料で形成され、ダイパッドの裏面側にこの貫通孔
が開口するように、埋め込まれていることを特徴とする
請求項(1) または請求項(2) 記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 前記閉塞部材は、貫通孔の形成で打ち抜
かれた部材であり、打ち抜き後、再び当該貫通孔に嵌入
せしめられてなることを特徴とする請求項(1)記載のリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094479A JP2582683B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094479A JP2582683B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324668A JPH04324668A (ja) | 1992-11-13 |
| JP2582683B2 true JP2582683B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=14111416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094479A Expired - Fee Related JP2582683B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582683B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6666997B2 (en) * | 2001-10-02 | 2003-12-23 | Micron Technology, Inc. | Method for removing cleaning compound flash from mold vents |
| US7264456B2 (en) | 2001-10-10 | 2007-09-04 | Micron Technology, Inc. | Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01253926A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体装置のリードフレーム |
| JPH02246359A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP3094479A patent/JP2582683B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04324668A (ja) | 1992-11-13 |
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