JP2582683B2 - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
り、特に、ダイパッドの形状およびその形成に関する。
して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄系あるいは銅系等
の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチング
により所望のパタ―ンに成形することによって形成され
る。
く、半導体集積回路チップ(以下半導体チップ)を搭載
するダイパッド11と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド12とインナ―リ
―ド12を一体的に連結するタイバ―13と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸長するア
ウタ―リ―ド14と、タイバ―13を両サイドから支持
するサイドバ―15,16と、ダイパッド11を支持す
るサポ―トバ―17とから構成されている。
しめられる半導体装置は図7に示す如くであり、リ―ド
フレ―ム1のダイパッド11上に、半導体チップ2を搭
載し、この半導体チップのボンディングパッドとリ―ド
フレ―ムのインナ―リ―ド12とを金線あるいはアルミ
線のボンディングワイヤ3によって結線し、更にこれら
を樹脂やセラミック等の封止材料4で封止した後、タイ
バ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを所望の形
状に折り曲げて完成せしめられる。
は、モールド樹脂が吸湿性を有し、吸湿された水分が外
部リードの半田付けの際の熱等によって水蒸気化して膨
脹し、そのためにダイパッドとモールド樹脂との間が剥
離するとともに、ダイパッドのコーナー部分に応力が集
中してモールド樹脂にクラックが発生するという問題で
ある。
すように、ダイパッドの裏面側に凹部を形成してモール
ド樹脂との密着性を高めるという方法が提案されてい
る。
ス加工による方法とエッチングによる方法とがある。
すように、円錐型の凹部となり、密着性が十分ではな
く、また、パンチにより圧縮された素材余肉が解放され
ないため、リードフレーム全体に歪が残留し変形を生じ
ることがあるという問題があった。
する方法では図8(c) に示すように、理想的な形状を得
ることができるが、リードフレーム形状をプレス加工に
より成形し、凹部のみをエッチングで成形すると、製造
工程が複雑となり製造コストが上昇することになる。
ドの裏面側に凹部を形成しようとすると、エッチングに
よる方法では、製造工程が複雑となり製造コストが上昇
するという問題がある。またプレス加工による方法で
は、円錐型の凹部となり、密着性が十分ではない上、パ
ンチにより圧縮された素材余肉が解放されないため、リ
ードフレーム全体に歪が残留し変形を生じることがあ
る。
で、製造が容易で、封止樹脂との密着性が高く、信頼性
の高いリ−ドフレ−ムを提供することを目的とする。
レ−ムでは、ダイパッドに、貫通孔を形成し、この貫通
孔内に金属または樹脂等の閉塞部材を嵌合し、貫通孔を
閉塞することにより実質的な凹部を形成している。
郭)波型または断面テーパ状となるように形成してい
る。
するようにしている。
孔の深さよりも肉薄の材料で形成され、ダイパッドの裏
面側にこの貫通孔が開口するように、埋め込まれるよう
にしている。また、望ましくは、閉塞部材は、貫通孔の
形成で打ち抜かれた部材であり、打ち抜き後、半導体チ
ップ搭載面の裏面側から当該貫通孔に嵌入せしめられて
なることを特徴とするリードフレーム構成材料と同一材
料で構成する。
を形成し、パンチにより圧縮された素材余肉を解放し、
歪の残留を低減した上で、これに肉薄の充填物を嵌合す
ればよいため、加工が容易で、かつ歪の発生のない良好
な凹凸部を得ることが可能となる。このように、実質的
に凹部を具備しているため、より大きな樹脂剥離耐性を
得ることができる。さらにまた、実質的には貫通孔では
ないため、ダイボンディングに際して半田あるいは接着
剤などが貫通孔に流入してしまうことがなく、十分に強
固なダイボンディングを達成することが可能となる。ま
た、貫通孔ではなく閉塞部材が充填されているため、ダ
イボンディングに際し、ダイパッドの強度が低下せず、
変形を生じにくい。さらに、貫通孔でないため、樹脂封
止に際して、半導体チップの裏面に樹脂が付着したりす
ることがなく、従って半導体チップとダイパッドの間の
わずかな隙間に、樹脂が入り込み、半導体チップとダイ
パッドの間の剥離の原因となるような問題はなくなる。
断面テーパ状となるように形成することにより、閉塞部
材の嵌合が容易である。また、閉塞部材が貫通孔よりも
浅く埋め込まれている場合には、実装に際し、貫通孔の
内側での樹脂との接触面積が増大し、密着性が向上す
る。
により、さらに樹脂との密着性が向上する。
肉薄の材料で形成し、ダイパッドの裏面側にこの貫通孔
が開口するように、埋め込むようにすれば、ダイパッド
の裏面に良好な凹部が形成されることになり、理想的な
密着状態を得ることが可能となる。
しつつ詳細に説明する。
(a) に平面図、図1(b) に断面図を示すように、ダイパ
ッドに表面側の開口面積が小さくなるように多数個の貫
通孔21を形成し、この貫通孔21内にリードフレーム
形成素材と同一材料の閉塞部材22を裏面側から充填
し、嵌合させたことをたことを特徴とするものである。
他の部分については、従来のリードフレームとまったく
同様に形成されている。すなわち、半導体チップを搭載
するダイパッド11と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド12とインナ―リ
―ド12を一体的に連結するタイバ―13と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸長するア
ウタ―リ―ド14と、タイバ―13を両サイドから支持
するサイドバ―15,16と、ダイパッド11を支持す
るサポ―トバ―17とから構成されている。このリード
フレーム形成素材および閉塞部材はいずれもアロイ42
と指称されている鉄−ニッケル合金から構成されてお
り、リードフレーム形成素材の肉厚は0.15mm、閉塞
部材の肉厚は0.08mmとする。
て形成した半導体装置を示すように、閉塞部材22で閉
塞されて実質的に凹部となった貫通孔21内に、樹脂を
流し込むことができ、密着性が大幅に向上し、また断面
がテーパをなしているため樹脂が抜けにくい状態となっ
ている。
いて説明する。
ード間領域の打ち抜きを行い、インナ―リ―ド12およ
びアウターリード14の側縁をパタ―ニングする。
する連結片を残してインナーリード先端とダイパッドの
間のキャビテイ領域の打ち抜きを行い、さらに、この金
型内において図3(a) に示すように、ダイDとパンチP
との間のクリアランスCを大きくし、打ち抜きを行うこ
とによって断面がテーパ状をなる貫通孔21を形成す
る。
去し、さらに必要に応じてメッキ工程等を経てリ−ドフ
レ−ム本体が形成される。
内に板厚の薄い材料を打ち抜くことによってあらかじめ
形成された閉塞部材22をプッシュバックBにより保持
しておき、リードフレーム本体の貫通孔21内に閉塞部
材22を嵌合せしめる。なお、この図ではインナーリー
ド等のリード部を省略し、ダイパッドのみについて示し
た。
フレームが完成する。
リ―ドフレ―ム1のダイパッド11上に、半導体チップ
2を搭載し、この半導体チップのボンディングパッドと
リ―ドフレ―ムのインナ―リ―ド12とを金線あるいは
アルミ線のボンディングワイヤ3によって結線し、更に
これらを樹脂やセラミック等の封止材料4で封止した
後、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを
所望の形状に折り曲げて完成せしめられるが、樹脂封止
に際して、閉塞部材22によって実質的に凹部となった
貫通孔21内にも樹脂が充填されて硬化するため、密着
性が良好となり、またこの段面がテーパ状をなしている
ため、剥離しにくい状態となり信頼性の向上をはかるこ
とができる。
プレスを行ったが、1つの金型で一度に全体の形状を形
成するようにしてもよい。
に限定されることなく貫通孔の打ち抜きは、リードフレ
ームの形状加工の完了後行ってもよいし、また、キャビ
ティ領域の打ち抜き前に行ってもよく、適宜変更可能で
ある。
ード部とを一体的に形成したリードフレームについて説
明したが、ダイパッドとリード部とを別に成形し、後に
係合せしめるようにしてもよい。
ては、実施例に限定されることなく適宜変形可能であ
る。この貫通孔は断面テーパ状をなすように形成した
が、この方が閉塞部材の嵌合が容易であるが、断面垂直
でもよいことはいうまでもない。また、閉塞部材として
は、金属に限定されることなく、樹脂等他の材料を用い
てもよいことはいうまでもない。
す。
し、閉塞部材32を貫通孔よりも浅く埋め込むようにし
たものである。なおここでは、ダイパッドの要部拡大断
面のみを示す。かかる構成により、実装に際し、貫通孔
の内側での樹脂との接触面積が増大し、密着性が向上す
る図5は、貫通孔41よりも突出するように閉塞部材4
2を埋め込むようにしたものである。
ば、リードフレームのダイパッドに貫通孔を形成し、こ
の孔に閉塞部材を充填し実質的に凹部(凹凸部)を形成
しているため、樹脂との密着性が良好となり、信頼性の
高い半導体装置を得ることが可能となる。
装置を示す図
す図
示す図
す図
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体チップを搭載するダイパッドと、
前記ダイパッドを取り囲むように形成された複数のリ−
ドとを具備したリードフレームにおいて、 前記ダイパッドが、少なくとも1つの貫通孔と、 ダイボンディングに先立ち、半導体チップ搭載面の裏側
に実質的な凹部を形成するように、前記貫通孔内に嵌合
せしめられ、前記貫通孔を閉塞する金属または樹脂等の
閉塞部材とを具備したことを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項2】 前記貫通孔は、周面波型または断面テー
パ状をなすように形成されていることを特徴とする請求
項(1) 記載のリードフレーム。 - 【請求項3】 前記閉塞部材は、貫通孔の深さよりも肉
薄の材料で形成され、ダイパッドの裏面側にこの貫通孔
が開口するように、埋め込まれていることを特徴とする
請求項(1) または請求項(2) 記載のリードフレーム。 - 【請求項4】 前記閉塞部材は、貫通孔の形成で打ち抜
かれた部材であり、打ち抜き後、再び当該貫通孔に嵌入
せしめられてなることを特徴とする請求項(1)記載のリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3094479A JP2582683B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3094479A JP2582683B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | リードフレーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04324668A JPH04324668A (ja) | 1992-11-13 |
JP2582683B2 true JP2582683B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=14111416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3094479A Expired - Fee Related JP2582683B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2582683B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6666997B2 (en) * | 2001-10-02 | 2003-12-23 | Micron Technology, Inc. | Method for removing cleaning compound flash from mold vents |
US7264456B2 (en) | 2001-10-10 | 2007-09-04 | Micron Technology, Inc. | Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01253926A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体装置のリードフレーム |
JPH02246359A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP3094479A patent/JP2582683B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04324668A (ja) | 1992-11-13 |
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