JPH0661401A - リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH0661401A JPH0661401A JP4214295A JP21429592A JPH0661401A JP H0661401 A JPH0661401 A JP H0661401A JP 4214295 A JP4214295 A JP 4214295A JP 21429592 A JP21429592 A JP 21429592A JP H0661401 A JPH0661401 A JP H0661401A
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- Japan
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- leads
- lead
- tie bar
- punching
- inner lead
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、製造が容易で、封止樹脂からの抜け
を防止することができ、信頼性の高いリ−ドフレ−ムを
提供することを目的とする。 【構成】 本発明のリ−ドフレ−ムでは、タイバー１３
との接続部におけるインナーリード１２の曲げ方向の内
側でインナーリードの側縁が括れを形成し、かつインナ
ーリードの曲げ方向の外側ではインナーリード１２の側
縁がタイバー１３と直交していることを特徴とする。ま
た本発明のリードフレームの製造方法では、インナーリ
ードの側縁の打ち抜きに際し、タイバーとの接続部にお
けるインナーリードの曲げ方向の外側で側縁が括れを形
成し、かつインナーリードの曲げ方向の内側ではタイバ
ーと直交する方向に伸長するように構成したパンチを用
いて打ち抜きを行うようにしたことを特徴とする。
を防止することができ、信頼性の高いリ−ドフレ−ムを
提供することを目的とする。 【構成】 本発明のリ−ドフレ−ムでは、タイバー１３
との接続部におけるインナーリード１２の曲げ方向の内
側でインナーリードの側縁が括れを形成し、かつインナ
ーリードの曲げ方向の外側ではインナーリード１２の側
縁がタイバー１３と直交していることを特徴とする。ま
た本発明のリードフレームの製造方法では、インナーリ
ードの側縁の打ち抜きに際し、タイバーとの接続部にお
けるインナーリードの曲げ方向の外側で側縁が括れを形
成し、かつインナーリードの曲げ方向の内側ではタイバ
ーと直交する方向に伸長するように構成したパンチを用
いて打ち抜きを行うようにしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リ―ドフレ―ムおよび
その製造方法に係り、特に、インナーリードの抜け止め
対策に関する。
その製造方法に係り、特に、インナーリードの抜け止め
対策に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の実装に際
して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄系あるいは銅系等
の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチング
により所望のパタ―ンに成形することによって形成され
る。
して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄系あるいは銅系等
の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチング
により所望のパタ―ンに成形することによって形成され
る。
【０００３】通常、リ―ドフレ―ムは、半導体集積回路
チップ（以下半導体チップ）を搭載するダイパッドと、
ダイパッドを取り囲むように配設せしめられた複数のイ
ンナ―リ―ドとインナ―リ―ドを一体的に連結するタイ
バ―と、各インナ―リ―ドに連結せしめられタイバ―の
外側に伸長するアウタ―リ―ドと、タイバ―を両サイド
から支持するサイドバ―と、ダイパッドを支持するサポ
―トバ―とから構成されている。
チップ（以下半導体チップ）を搭載するダイパッドと、
ダイパッドを取り囲むように配設せしめられた複数のイ
ンナ―リ―ドとインナ―リ―ドを一体的に連結するタイ
バ―と、各インナ―リ―ドに連結せしめられタイバ―の
外側に伸長するアウタ―リ―ドと、タイバ―を両サイド
から支持するサイドバ―と、ダイパッドを支持するサポ
―トバ―とから構成されている。
【０００４】このようなリ―ドフレ―ムを用いて実装せ
しめられる半導体装置は、図４に示す如く、リ―ドフレ
―ム１のダイパッド１１上に、半導体チップ２を搭載
し、この半導体チップのボンディングパッドとリ―ドフ
レ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線あるいはアルミ線
のボンディングワイヤ３によって結線し、更にこれらを
樹脂やセラミック等の封止材料４で封止した後、タイバ
―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを所望の形状
に折り曲げて完成せしめられる。
しめられる半導体装置は、図４に示す如く、リ―ドフレ
―ム１のダイパッド１１上に、半導体チップ２を搭載
し、この半導体チップのボンディングパッドとリ―ドフ
レ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線あるいはアルミ線
のボンディングワイヤ３によって結線し、更にこれらを
樹脂やセラミック等の封止材料４で封止した後、タイバ
―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを所望の形状
に折り曲げて完成せしめられる。
【０００５】ところで、近年、半導体チップの大型化と
パッケージサイズの小型化により、パッケージ内に封止
されるインナーリードの長さが短くなり、アウターリー
ドに引っ張り力がかかった際に、インナーリードがパッ
ケージから抜け易いという事態が生じている。
パッケージサイズの小型化により、パッケージ内に封止
されるインナーリードの長さが短くなり、アウターリー
ドに引っ張り力がかかった際に、インナーリードがパッ
ケージから抜け易いという事態が生じている。
【０００６】そこでインナーリードの抜け止め対策とし
て図５に示すように、インナーリード１２のボンディン
グ領域を避けてアンカーホールと呼ばれる小孔を開け、
この小孔の中にパッケージ樹脂が流入し硬化することに
よって、引っ張り力に対する抵抗を増大させる方法がと
られているが、アンカーホールＨを打ち抜く際に発生す
るカス上がりや、加工用パンチの欠損などの問題が新た
に生じることになり、余り好ましい方法とはいえなかっ
た。
て図５に示すように、インナーリード１２のボンディン
グ領域を避けてアンカーホールと呼ばれる小孔を開け、
この小孔の中にパッケージ樹脂が流入し硬化することに
よって、引っ張り力に対する抵抗を増大させる方法がと
られているが、アンカーホールＨを打ち抜く際に発生す
るカス上がりや、加工用パンチの欠損などの問題が新た
に生じることになり、余り好ましい方法とはいえなかっ
た。
【０００７】また図６に示すように、インナーリード１
２とタイバー１３との接続部分の幅をインナーリード幅
よりも狭くするように、まず隣接するインナーリード間
を所定幅で打ち抜き、その後タイバーの内側をインナー
リード幅が狭くなるように打ち抜く方法が提案されてい
る。
２とタイバー１３との接続部分の幅をインナーリード幅
よりも狭くするように、まず隣接するインナーリード間
を所定幅で打ち抜き、その後タイバーの内側をインナー
リード幅が狭くなるように打ち抜く方法が提案されてい
る。
【０００８】従来この方法では図７(a) に示すようにア
ウターリードの側縁を形成し、タイバー側縁を形成した
後、図７(b) に示すようにインナーリードの側縁を形成
するようにしており、相互位置合わせが必要であり製造
工数が増大するという問題があった。
ウターリードの側縁を形成し、タイバー側縁を形成した
後、図７(b) に示すようにインナーリードの側縁を形成
するようにしており、相互位置合わせが必要であり製造
工数が増大するという問題があった。
【０００９】そこでこの方法を採用するにあたり、１本
のパンチで打ち抜くとすると図８に示すような形状のパ
ンチを用いなければならないが、図中にＫで示す部分は
小さな凹部となるため、パンチの加工が困難であり、こ
の方法を用いる場合、結局は、インナーリード間打ち抜
きパンチとタイバー側縁打ち抜きパンチの２本を用意
し、加工ステーションも２ステーションとする必要があ
るため部品点数の増加と金型装置の大型化を避けること
ができないという問題があった。
のパンチで打ち抜くとすると図８に示すような形状のパ
ンチを用いなければならないが、図中にＫで示す部分は
小さな凹部となるため、パンチの加工が困難であり、こ
の方法を用いる場合、結局は、インナーリード間打ち抜
きパンチとタイバー側縁打ち抜きパンチの２本を用意
し、加工ステーションも２ステーションとする必要があ
るため部品点数の増加と金型装置の大型化を避けること
ができないという問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように、インナー
リードのパッケージからの抜け止め対策として、タイバ
ーとの接続部でインナーリードの幅を狭くする方法は有
効な方法であるが、打ち抜きに際し、部品点数の増加と
金型装置の大型化を避けることができないという問題が
あった。
リードのパッケージからの抜け止め対策として、タイバ
ーとの接続部でインナーリードの幅を狭くする方法は有
効な方法であるが、打ち抜きに際し、部品点数の増加と
金型装置の大型化を避けることができないという問題が
あった。
【００１１】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、製造が容易で、封止樹脂からの抜けを防止すること
ができ、信頼性の高いリ−ドフレ−ムを提供することを
目的とする。
で、製造が容易で、封止樹脂からの抜けを防止すること
ができ、信頼性の高いリ−ドフレ−ムを提供することを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】そこで本発明のリ−ドフ
レ−ムでは、タイバーとの接続部におけるインナーリー
ドの側縁が一方の側で括れを形成し、かつ他方の側でタ
イバーと直交していることを特徴とする。
レ−ムでは、タイバーとの接続部におけるインナーリー
ドの側縁が一方の側で括れを形成し、かつ他方の側でタ
イバーと直交していることを特徴とする。
【００１３】望ましくは、タイバーとの接続部における
インナーリードの曲げ方向の内側でインナーリードの側
縁が括れを形成し、かつインナーリードの曲げ方向の外
側ではインナーリードの側縁がタイバーと直交するよう
にする。
インナーリードの曲げ方向の内側でインナーリードの側
縁が括れを形成し、かつインナーリードの曲げ方向の外
側ではインナーリードの側縁がタイバーと直交するよう
にする。
【００１４】また本発明のリードフレームの製造方法で
は、インナーリードの側縁の打ち抜きに際し、タイバー
との接続部におけるインナーリードの曲げ方向の外側で
側縁が括れを形成し、かつインナーリードの曲げ方向の
内側ではタイバーと直交する方向に伸長するように構成
したパンチを用いて打ち抜きを行うようにしたことを特
徴とする。
は、インナーリードの側縁の打ち抜きに際し、タイバー
との接続部におけるインナーリードの曲げ方向の外側で
側縁が括れを形成し、かつインナーリードの曲げ方向の
内側ではタイバーと直交する方向に伸長するように構成
したパンチを用いて打ち抜きを行うようにしたことを特
徴とする。
【００１５】
【作用】上記構造によれば、側縁が一方の側で括れを形
成し、一方ではタイバーと直交するように構成されてい
るため、インナーリード幅として所定の値を維持しつ
つ、両側に括れを形成した場合の２倍の大きさの括れを
形成することができ、両側に設けた場合に比べ、インナ
ーリードのパッケージからの抜け止め防止効果をより十
分に発揮することができる。
成し、一方ではタイバーと直交するように構成されてい
るため、インナーリード幅として所定の値を維持しつ
つ、両側に括れを形成した場合の２倍の大きさの括れを
形成することができ、両側に設けた場合に比べ、インナ
ーリードのパッケージからの抜け止め防止効果をより十
分に発揮することができる。
【００１６】また、曲げ方向の外側で側縁が括れを形成
しているようなパンチは形成加工が容易である。したが
って、上記方法によれば、このようにインナーリードの
曲げ方向の外側で側縁が括れを形成しかつインナーリー
ドの曲げ方向の内側ではタイバーと直交する方向に伸長
するように構成したパンチを用いることにより容易に１
回で打ち抜きが可能であり、隣接するインナーリード相
互間の打ち抜きに際し、インナーリード側縁輪郭とタイ
バー側縁を形成するパンチが１本ですみ、パンチの本数
を節減することができ、また加工ステーションも１ステ
ーションで加工が完了するという特徴を有する。
しているようなパンチは形成加工が容易である。したが
って、上記方法によれば、このようにインナーリードの
曲げ方向の外側で側縁が括れを形成しかつインナーリー
ドの曲げ方向の内側ではタイバーと直交する方向に伸長
するように構成したパンチを用いることにより容易に１
回で打ち抜きが可能であり、隣接するインナーリード相
互間の打ち抜きに際し、インナーリード側縁輪郭とタイ
バー側縁を形成するパンチが１本ですみ、パンチの本数
を節減することができ、また加工ステーションも１ステ
ーションで加工が完了するという特徴を有する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【００１８】本発明実施例のリ―ドフレ―ムは、図１に
示すように、タイバーとの接続部におけるインナーリー
ド１２の曲げ方向の内側でインナーリードの側縁が括れ
Ｃを形成し、かつインナーリードの曲げ方向の外側では
インナーリードの側縁がタイバー１３と直交し、幅狭部
を形成したことを特徴とするもので、他の部分について
は従来例のリードフレームと同様に形成されている。
示すように、タイバーとの接続部におけるインナーリー
ド１２の曲げ方向の内側でインナーリードの側縁が括れ
Ｃを形成し、かつインナーリードの曲げ方向の外側では
インナーリードの側縁がタイバー１３と直交し、幅狭部
を形成したことを特徴とするもので、他の部分について
は従来例のリードフレームと同様に形成されている。
【００１９】すなわち、半導体チップを搭載するダイパ
ッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめら
れた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ―ド１２を
一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ―リ―ドに
連結せしめられタイバ―の外側に伸長するアウタ―リ―
ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持するサイド
バ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持するサポ―ト
バ―１７とから構成されている。このリードフレーム形
成素材はアロイ４２と指称されている鉄−ニッケル合金
から構成されており、リードフレーム形成素材の肉厚は
０．１５mmとする。
ッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめら
れた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ―ド１２を
一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ―リ―ドに
連結せしめられタイバ―の外側に伸長するアウタ―リ―
ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持するサイド
バ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持するサポ―ト
バ―１７とから構成されている。このリードフレーム形
成素材はアロイ４２と指称されている鉄−ニッケル合金
から構成されており、リードフレーム形成素材の肉厚は
０．１５mmとする。
【００２０】製造に際しては順送り金型を用いて形成さ
れるが、インナーリードの側縁の打ち抜きに際し、図２
に示すようにタイバーとの接続部におけるインナーリー
ドの曲げ方向の外側で側縁が括れＬを形成し、かつイン
ナーリードの曲げ方向の内側ではタイバーと直交する方
向に伸長するように構成したパンチＰを用いて打ち抜き
を行うようにする。
れるが、インナーリードの側縁の打ち抜きに際し、図２
に示すようにタイバーとの接続部におけるインナーリー
ドの曲げ方向の外側で側縁が括れＬを形成し、かつイン
ナーリードの曲げ方向の内側ではタイバーと直交する方
向に伸長するように構成したパンチＰを用いて打ち抜き
を行うようにする。
【００２１】すなわちまず、帯状材料を順送り金型に設
置し、リード間領域の打ち抜きを行い、インナ―リ―ド
１２およびアウターリード１４の側縁をパタ―ニングす
る。アウターリードの側縁の打ち抜き後にインナーリー
ドの側縁の打ち抜きがなされるが、このインナーリード
の側縁の打ち抜きに際しタイバーとの接続部におけるイ
ンナーリードの曲げ方向の外側で側縁が括れを形成し、
かつインナーリードの曲げ方向の内側ではタイバーと直
交する方向に伸長するように構成したパンチをＰ用いて
打ち抜きを行うようにする。
置し、リード間領域の打ち抜きを行い、インナ―リ―ド
１２およびアウターリード１４の側縁をパタ―ニングす
る。アウターリードの側縁の打ち抜き後にインナーリー
ドの側縁の打ち抜きがなされるが、このインナーリード
の側縁の打ち抜きに際しタイバーとの接続部におけるイ
ンナーリードの曲げ方向の外側で側縁が括れを形成し、
かつインナーリードの曲げ方向の内側ではタイバーと直
交する方向に伸長するように構成したパンチをＰ用いて
打ち抜きを行うようにする。
【００２２】次いで、インナーリード先端を互いに接続
する連結片を残してインナーリード先端とダイパッドの
間のキャビテイ領域の打ち抜きを行う。
する連結片を残してインナーリード先端とダイパッドの
間のキャビテイ領域の打ち抜きを行う。
【００２３】続いて、インナーリード先端の連結片を除
去し、さらに必要に応じてメッキ工程等を経てリ−ドフ
レ−ムが形成される。
去し、さらに必要に応じてメッキ工程等を経てリ−ドフ
レ−ムが形成される。
【００２４】このようにして図１に示したようなリード
フレームが完成する。
フレームが完成する。
【００２５】このリ―ドフレ―ムは、図４に示したよう
にリ―ドフレ―ム１のダイパッド１１上に、半導体チッ
プ２を搭載し、この半導体チップのボンディングパッド
とリ―ドフレ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線あるい
はアルミ線のボンディングワイヤ３によって結線し、更
にこれらを樹脂やセラミック等の封止材料４で封止した
後、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを
所望の形状に折り曲げて完成せしめられるが、インナー
リードがタイバーとの接続部で括れすなわち幅狭部を形
成しているため、この実質的に凹部となった部分内にも
樹脂が充填されて硬化するため、抜けが生じにくい状態
となり信頼性の向上をはかることができる。
にリ―ドフレ―ム１のダイパッド１１上に、半導体チッ
プ２を搭載し、この半導体チップのボンディングパッド
とリ―ドフレ―ムのインナ―リ―ド１２とを金線あるい
はアルミ線のボンディングワイヤ３によって結線し、更
にこれらを樹脂やセラミック等の封止材料４で封止した
後、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを
所望の形状に折り曲げて完成せしめられるが、インナー
リードがタイバーとの接続部で括れすなわち幅狭部を形
成しているため、この実質的に凹部となった部分内にも
樹脂が充填されて硬化するため、抜けが生じにくい状態
となり信頼性の向上をはかることができる。
【００２６】なお、実施例では、順送り金型を用いて、
プレスを行ったが、１つの金型で一度に全体の形状を形
成するようにしてもよい。
プレスを行ったが、１つの金型で一度に全体の形状を形
成するようにしてもよい。
【００２７】また、成型順序についても、実施例に限定
されることなく、適宜変更可能である。
されることなく、適宜変更可能である。
【００２８】加えて、前記実施例ではインナーリードの
曲げ方向の外側の側縁がタイバーと直交するように構成
したが、図３に示すように内側がタイバーと直交するよ
うに構成してもよい。この場合、インナーリードの幅を
維持しつつ括れを形成して抜け防止を行うという効果は
十分に発揮するが、このような形状のパンチを形成する
のは困難であるため、１つのパンチによって打ち抜きを
行うのは困難である。
曲げ方向の外側の側縁がタイバーと直交するように構成
したが、図３に示すように内側がタイバーと直交するよ
うに構成してもよい。この場合、インナーリードの幅を
維持しつつ括れを形成して抜け防止を行うという効果は
十分に発揮するが、このような形状のパンチを形成する
のは困難であるため、１つのパンチによって打ち抜きを
行うのは困難である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、タイバーとの接続部で、インナーリードの側縁に括
れを形成し、他の側縁はタイバーと直交するようにして
いるため、１つのパンチで容易にインナーリードの側縁
の打ち抜きが可能で、抜け防止効果を十分に発揮し、信
頼性の高いリードフレームの形成が可能となる。
ば、タイバーとの接続部で、インナーリードの側縁に括
れを形成し、他の側縁はタイバーと直交するようにして
いるため、１つのパンチで容易にインナーリードの側縁
の打ち抜きが可能で、抜け防止効果を十分に発揮し、信
頼性の高いリードフレームの形成が可能となる。
【図１】本発明実施例のリードフレームを示す図
【図２】本発明実施例のリードフレームの打ち抜きに用
いられるパンチを示す図
いられるパンチを示す図
【図３】本発明の他の実施例のリードフレームを示す図
【図４】リードフレームを用いて実装した半導体装置を
示す図
示す図
【図５】従来例のリードフレームを示す図
【図６】従来例のリードフレームを示す図
【図７】従来例のリードフレームの打ち抜き工程の一部
を示す図
を示す図
【図８】従来例のリードフレームの打ち抜きに用いられ
るパンチを示す図
るパンチを示す図
１ リードフレーム ２ 半導体チップ ３ ワイヤ ４ 封止材料、 １１ ダイパッド １２ インナーリード １３ タイバー １４ アウターリード １５ サイドバー １６ サイドバー １７ サポートバー Ｃ 括れ Ｌ パンチの括れ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップ搭載部近傍から放射状に延
びるインナーリードと、このインナーリードから延設さ
れたアウターリードと、前記インナーリードを一体的に
接続するタイバーとを有するリードフレームにおいて、
前記インナーリードとタイバーとの接続部が、インナー
リード幅よりも小さい幅で接続されていると共に、イン
ナーリードの側縁の輪郭線の一方が前記タイバーとほぼ
直角につながるように構成されていることを特徴とする
リードフレーム。 - 【請求項２】 半導体チップ搭載部近傍から放射状に延
びるインナーリードと、このインナーリードから延設さ
れたアウターリードと、前記インナーリードを一体的に
接続するタイバーとを有するリードフレームの製造方法
において、 前記インナーリードの側縁の打ち抜きに際し、タイバー
との接続部におけるインナーリードの曲げ方向の外側で
側縁が括れを形成し、かつインナーリードの曲げ方向の
内側ではタイバーと直交する方向に伸長するように構成
したパンチを用いて打ち抜きを行うようにしたことを特
徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4214295A JPH0661401A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4214295A JPH0661401A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661401A true JPH0661401A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16653368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4214295A Pending JPH0661401A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661401A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645132B2 (en) | 2000-10-27 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Compound machining device |
| US8866278B1 (en) | 2011-10-10 | 2014-10-21 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O configuration |
| US9631481B1 (en) | 2011-01-27 | 2017-04-25 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method |
| US9673122B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-06-06 | Amkor Technology, Inc. | Micro lead frame structure having reinforcing portions and method |
| US9704725B1 (en) | 2012-03-06 | 2017-07-11 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation |
| US10811341B2 (en) | 2009-01-05 | 2020-10-20 | Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. | Semiconductor device with through-mold via |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP4214295A patent/JPH0661401A/ja active Pending
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