JP2552139Y2 - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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JP2552139Y2
JP2552139Y2 JP1991084031U JP8403191U JP2552139Y2 JP 2552139 Y2 JP2552139 Y2 JP 2552139Y2 JP 1991084031 U JP1991084031 U JP 1991084031U JP 8403191 U JP8403191 U JP 8403191U JP 2552139 Y2 JP2552139 Y2 JP 2552139Y2
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lead frame
resin
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JP1991084031U
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JPH0536847U (ja
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恵彬 久保田
圭一 辻本
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Mitsui High Tech Inc
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Mitsui High Tech Inc
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
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    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、リ―ドフレ―ムに係
り、特に、樹脂封止用のリードフレ−ムの樹脂溜めの形
状に関する。
【0002】
【従来の技術】IC、LSI等の半導体装置の実装に際
して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄系あるいは銅系等
の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチング
により所望のパタ―ンに成形することによって形成され
る。
【0003】通常、リ―ドフレ―ム1は、図4に示す如
く、半導体集積回路チップ(以下半導体チップ)を搭載
するダイパッド11と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド12とインナ―リ
―ド12を一体的に連結するタイバ―13と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸張するア
ウタ―リ―ド14と、タイバ―13を両サイドから支持
するサイドバ―15,16と、ダイパッド11を支持す
るサポ―トバ―17とから構成されている。
【0004】このようなリ―ドフレ―ムを用いて実装せ
しめられる半導体装置は図5に示す如くであり、リ―ド
フレ―ム1のダイパッド11上に、半導体チップ2を搭
載し、この半導体チップのボンディングパッドとリ―ド
フレ―ムのインナ―リ―ド12とを金線あるいはアルミ
線のボンディングワイヤ3によって結線し、更にこれら
を樹脂やセラミック等の封止材料4で封止した後、タイ
バ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ―ドを所望の形
状に折り曲げて完成せしめられる。
【0005】ところでこのような半導体装置の実装工程
において樹脂封止を行う際、モールド金型を用いて行わ
れるが、モールド金型には樹脂が注入されるキャビテイ
内部の空気を排出するために、樹脂の注入ゲートと対向
する側にエアベントが設けられている。
【0006】しかしながら、モールド条件や作業条件の
ばらつきにより、エアベント上にモールド樹脂が付着
し、エアベントを埋めてしまう場合がある。このためエ
アベントに付着した樹脂の除去作業を行わねばならず、
生産性を阻害する結果となっている。
【0007】また、エアベントのエア抜きが円滑に行わ
れないと、モールド樹脂内に気泡(ボイド)ができた
り、注入される樹脂によってボンディングワイヤが流さ
れ、短絡や破断を生じていた。
【0008】これらの問題を解決するために、リードフ
レームの外枠のうち、モールド金型のエアベントと対応
する部分に肉薄部を形成したリードフレームが提案され
ている(特開昭62−24653号公報)が、半導体装
置の薄型化に伴い、リードフレームに使用する素材の厚
みも薄くなり、肉薄部を形成するために平打ちを行うと
外枠が変形してしまい、寸法精度を維持することが困難
となってしまう。
【0009】さらに薄肉部だけでは、十分なエアベント
効果を得ることができないばかりでなく、漏出した樹脂
を溜めることができないという問題があった。
【0010】また、エアベント側の外枠に方形や円形等
の透孔部を設けたものも提案されているが(特開昭60
−59759号)、透孔部の周縁にエアがぶつかり、エ
アベントのエア抜きが円滑に行われないことがあり、依
然としてモールド樹脂内に気泡が発生することがあっ
た。
【0011】
【考案が解決しようとする課題】上述したように、従来
の方法では、エアベントのエア抜きが円滑に行われず、
モールド樹脂内に気泡ができたり、漏出した樹脂を溜め
ることができない等の問題があった。
【0012】また肉薄部を形成するものでは、外枠が変
形してしまい、寸法精度を維持することが困難となる等
の問題があった。
【0013】本考案は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、複雑な加工工程を必要とすることなく、高精度で信
頼性の高いリードフレームを提供することを目的とす
る。
【0014】そこで本考案では、リードフレームの外枠
上の所定の領域に、樹脂注入領域を避けて、外枠とパッ
ケージ領域との境界近傍で幅が縮小されるとともにパッ
ケージ領域に向かって開口した透孔部が設けられたこと
を特徴とする。
【0015】
【作用】上記方法によれば、透孔部をパッケージ領域に
向かって開口させているため、この完全な流出経路を通
ってキャビテイ内のガスの排出が円滑に行われるのみな
らず、モールド樹脂が十分に充填された後余剰樹脂が透
孔部に流出するため、気泡の発生が防止される。なお、
この透孔部形成領域は、樹脂注入領域と対向する位置と
するのがエアベントとしての作用上は望ましいが、樹脂
注入領域を避けて形成すれば、他の領域であってもよい
ことはいうまでもない。
【0016】又、透孔部は外枠上ではガス抜き効果を充
分に得られるような幅を有し、外枠とパッケージ領域と
の境界部分で狭くしているため、充分なガス排出効果を
奏功しながら、パンチによる外枠除去に際しても、パン
チによって切断される領域の幅は狭く、パンチの磨耗は
抑制される。すなわち、モールド樹脂は、パンチによっ
て切断される際、パンチの磨耗が激しいという問題があ
るが、本考案のリードフレームによれば、モールド工程
の後、外枠をカットする際にも、カット領域すなわち、
外枠とパッケージ領域との境界部分で透孔が狭くなって
いるため、モールド樹脂がパンチによって切断される幅
が狭く、パンチの磨耗を生じることがない。又、完全な
透孔部であるため、加工が容易である上、寸法精度の低
下もない。
【0017】
【実施例】以下、本考案の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
【0018】本考案実施例のリ―ドフレ―ムは、図1に
斜視図を示す如く、サイドバー15,16のうちエアベ
ンド側のサイドバー15の所定の位置に、パッケージ領
域Pにむかって開口した透孔部Hを設けたことを特徴と
するもので、他部については図4に示したものと同様の
構造を有している。
【0019】このリ−ドフレ−ムの製造に際しては、通
常のプレス加工法が用いられるが、透孔部Hの形成もイ
ンナーリードやアウターリードの打ち抜きと同時に行わ
れ、この後さらに必要に応じてメッキ工程やテーピング
工程を経て、図1に示したようなリードフレームが完成
する。
【0020】このようにして形成されたリ―ドフレ―ム
は、材料の延びによる変形もなく高精度で信頼性の高い
ものとなる。
【0021】このリードフレームは、素子チップの搭
載、ワイヤボンディングを経て、樹脂封止が行われる
が、図2に示すように金型K内に矢印aで示すようにモ
ールド樹脂を注入し硬化せしめられる。
【0022】このようにして半導体装置として完成され
るが、樹脂封止に際して、樹脂溜めのための透孔部にむ
かってガスや樹脂の流出経路を完全な開口部とし、キャ
ビテイ内の空気の排出が円滑に行われるようになるばか
りでなくキャビテイ内に樹脂が十分に充填された後余剰
樹脂が透孔部に流出するため、気泡の発生が防止され
る。
【0023】なお、この透孔部の位置及び形状について
は、実施例に限定されることなく適宜変形可能である。
【0024】
【考案の効果】以上説明してきたように、本考案のリ―
ドフレ―ムによれば、透孔部をパッケージ領域に向かっ
て開口させているため、キャビテイ内のガスの排出が円
滑に行われ、気泡の発生が防止され、信頼性の高い半導
体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案実施例のリ―ドフレ―ムの斜視図
【図2】本考案実施例のリ―ドフレ―ムを用いた実装工
程の一部を示す図
【図3】本考案実施例のリ―ドフレ―ムを用いた半導体
装置を示す図。
【図4】従来例のリードフレームを示す図
【図5】従来例のリードフレームを用いて形成した半導
体装置を示す図

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップ搭載部を取り囲むように、
    放射状に形成された複数のインナーリードと、 各インナーリードに連接されたアウターリードと、 前記アウターリードを一体的に支持する外枠とを具備し
    たリードフレームにおいて、 前記外枠上の所定の領域に、樹脂注入領域を避けて、前
    記外枠と前記パッケージ領域との境界近傍で幅が縮小さ
    れるとともにパッケージ領域に向かって開口した透孔部
    が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
JP1991084031U 1991-10-16 1991-10-16 リードフレーム Expired - Lifetime JP2552139Y2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6281737A (ja) * 1985-10-07 1987-04-15 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及びリ−ドフレ−ム
JPS62108562A (ja) * 1985-11-06 1987-05-19 Hitachi Ltd 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS63228655A (ja) * 1987-03-17 1988-09-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH01276657A (ja) * 1988-04-27 1989-11-07 Matsushita Electron Corp リードフレーム

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