JPH05114669A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPH05114669A
JPH05114669A JP3275710A JP27571091A JPH05114669A JP H05114669 A JPH05114669 A JP H05114669A JP 3275710 A JP3275710 A JP 3275710A JP 27571091 A JP27571091 A JP 27571091A JP H05114669 A JPH05114669 A JP H05114669A
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lead frame
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陸郎 薗
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浩治 斉藤
Masaji Takenaka
正司 竹中
Masanori Yoshimoto
正則 吉本
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は放熱構造を有する半導体装置に関
し、かしめ工程を必要とせず放熱ブロックの寸法精度を
高くすることを目的とする。 【構成】 リードフレーム２の中央開口部１１の下方に
放熱ブロック３を該リードフレーム２と独立して位置さ
せる。放熱ブロック３上に半導体チップ５を搭載し、イ
ンナリード２a とワイヤ５によりボンディングする。そ
して、放熱ブロック３における治具により露出高さが定
められた先端部３b を露出させて、モールド樹脂７によ
りパッケージされた構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱構造を有する半導
体装置に関する。
【０００２】近年、半導体装置の高集積化に伴い、その
発熱量が大きくなってきており、放熱構造を設けたもの
がある。このような半導体装置は、製造が容易であり、
かつ寸法精度の高いものが要求されている。
【０００３】
【従来の技術】図５に、放熱構造を有する従来の半導体
装置の構成図を示す。図５において、半導体装置１
A は、リードフレーム２におけるインナリード２a の中
央開口部分に，つば部３a を有する断面逆台形状の放熱
ブロック３が位置し、該インナリード２a の端部と該放
熱ブロック３のつば部３a とがかしめ法によりかしめ部
４により固着されている。
【０００４】放熱ブロック３上にははんだ等により半導
体チップ５が搭載され、該半導体チップ５がインナリー
ド２a とワイヤ６によりボンディングされる。すなわ
ち、放熱ブロック３の一面をステージとしてダイ付けを
行う。そして、モールド樹脂７によりパッケージングさ
れ、その後表面実装用にアウタリード２b がＬ型形状に
足曲げ加工される。
【０００５】この場合、放熱ブロック３の先端部３b が
パッケージ背面に突出する。また、放熱ブロック３はイ
ンナリード２a 部分でかしめ部４に取り付けられること
から、かしめ工程のために、該リードフレーム２の厚さ
は最低３００〜４００μｍ必要となる。
【０００６】ここで、このような半導体装置１A の製造
は、図示しないが、上金型と、放熱ブロック３の先端部
３b を突出させるための凹部が形成された下金型とによ
りモールディングが行われる。
【０００７】なお、放熱ブロック３をパッケージ背面よ
り突出させずに、パッケージ表面と同一面とする場合も
あり、この場合には製造における下金型に凹部は形成さ
れない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、リードフレー
ム２と放熱ブロック３とを固着することからかしめ工程
が必要となり、リードフレーム２の厚さが制限される。
【０００９】また、金型によりモールド樹脂７の注入
時、注入圧力により放熱ブロック３が位置変化し、パッ
ケージ背面からの突出量（露光高さ）の寸法精度が悪く
なる。このことは、アウタリード２b の高さとの対応が
とれず、実装できないこととなる。
【００１０】さらに、モールド樹脂７の注入圧力により
放熱ブロック３が位置変化することは、パッケージと該
放熱ブロックの表出境界部分に樹脂ばりを生じることと
なり、放熱ブロック３面とパッケージ面を同一面にした
場合でも樹脂ばりを生じるという問題がある。
【００１１】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、かしめ工程を必要とせず、放熱ブロックの寸法
精度の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂モールド
によりパッケージングされる半導体装置において、開口
部に位置する半導体チップと接続されるリードフレーム
と、該半導体チップを搭載して該リードフレームの中央
開口部下方に独立して位置し、前記パッケージより先端
部を露出させた該半導体チップの放熱を行うための放熱
部材と、を有する構成とすることにより解決される。
【００１３】この場合の製造方法は、まず、凹形状の治
具の底面に形成されたテーパ形状の嵌合部に、前記放熱
部材の先端部を嵌合する。また、該治具上にリードフレ
ームを位置させる。続いて、該放熱部材上に半導体チッ
プを搭載して該リードフレームと接続する。また、これ
らを下金型に位置させ、該下金型に形成された吸着孔よ
り、少なくとも該放熱部材を吸着固定する。そして、該
下金型上に上金型を位置させ、モールド樹脂によりモー
ルドする。
【００１４】
【作用】上述のように、半導体チップを搭載する放熱部
材がリードフレームと独立して位置する。これにより、
かしめ工程が不要となると共に、リードフレームの厚さ
が制限されない。また、放熱部材の材質にも制限されな
い。
【００１５】一方、上述の半導体装置を製造するにあた
り、治具を用いて放熱部材を下金型内で位置決めを行
う。この場合、少なくとも放熱部材が吸着固定される。
これにより、樹脂注入時に注入圧力によって放熱部材が
位置変化することがなく樹脂ばりの発生を抑えることが
可能になると共に、治具の厚さによりパッケージより露
出する方熱部材の先端部の高さ寸法の精度を向上させる
ことが可能となる。
【００１６】
【実施例】図１に、本発明の一実施例の構成図を示す。
なお、図５と同一の構成部分には同一の符号を付す。図
１において、半導体装置１B は、リードフレーム２にお
けるインナリード２a の内側中央部分の開口部１１の下
方に、放熱部材である断面逆台形状の放熱ブロック３が
リードフレーム２と独立して位置する。この放熱ブロッ
ク３は、アルミニウム等の金属や金属以外の熱伝達の良
好な部材が選定される。
【００１７】放熱ブロック３上には、はんだや銀ペース
ト等で半導体チップ５が搭載され、該半導体チップ５と
インナリード２a とがワイヤ６によりボンディングされ
る。そして、モールド樹脂７によりパッケージングされ
る。この場合、放熱ブロック３の先端部３b がパッケー
ジ背面より所定の高さで露出する。この先端部３b はパ
ッケージから露出方向にテーパ部１２が形成される。
【００１８】また、樹脂モールド後、表面実装用にアウ
タリード２b が所定の高さＬ型（又はＪ型）に足曲げ加
工される。なお、表面実装用ではなくリード挿入用とし
てもよい。
【００１９】ここで、図２に、本発明の製造工程図を示
す。まず、本発明では治具であるパレット２１が使用さ
れる。このパレット２１は凹形状２１a に形成され、底
面にテーパ形状の嵌合部２２が形成される（図２
（Ａ））。また、パレット２１上にはリードフレーム２
を位置させるための位置決めピン２３が形成される。こ
のパレット２１は金属に形成されるもので、例えばリー
ドフレーム２と熱膨張が近い銅又は銅・錫合金で形成さ
れる。
【００２０】続いて、パレット２１の嵌合部２２に放熱
ブロック３の先端部３b が嵌合され、一体化される（図
２（Ｂ））。すなわち、放熱ブロック３のテーパ部１２
と嵌合部２２のテーパ形状とが対応して形成されてお
り、精度よく一体化される。そこで、リードフレーム２
のインナリード２a には位置決め穴が形成されており、
パレット２１上に該リードフレーム２が位置決めピン２
３により、位置決めされて載置される（図２（Ｃ））。
その後、放熱ブロック３上に半導体チップ５がはんだや
銀ペースト等でダイ付けされる。そして、半導体チップ
５とインナリード２a とがワイヤ６によりボンディング
される（図２（Ｄ））。
【００２１】そして、これらを下金型２４b の凹部２４
b1内に位置させる（図２（Ｅ））。この凹部２４b1の底
部には吸着孔２５が形成されている。吸着孔２５の一端
部は位置するパレット２１及び放熱ブロック３部分に連
通しており、他端部は図示しないが真空源に連結され
る。すなわち、パレット２１及び放熱ブロック３を吸着
孔２５により真空吸着して固定するものである。
【００２２】そこで、上金型２４a を位置させ、キャビ
ティ２６内にモールド樹脂７をゲート（図示せず）より
注入してモールドを行う（図２（Ｅ））。モールド後、
真空吸着を解除して上金型２４a ，２４b 及びパレット
２１より取り外すことにり、放熱ブロック３の先端部３
b が露出したパッケージが取り出される。そして、アウ
タリード２b が足曲げ加工されるものである。
【００２３】このように、リードフレーム２と放熱ブロ
ック３とが互いに独立していることから、かしめ工程が
不要になると共に、リードフレーム２の厚さに何ら制限
がなく、該放熱ブロック３を金属以外の材質で形成する
ことができる。また、パレット２１により放熱ブロック
３が位置決めされることから、該パレット２１の厚さに
より、パッケージから露出する放熱ブロック３の先端部
３b の高さを精度よく形成することができる。さらに、
パレット２１及び放熱ブロック３を真空吸着することか
ら、樹脂ばりの発生を防止することができる。
【００２４】ここで、図３に、本発明で使用されるパレ
ットを説明する図を示す。図３のパレット２１は、凹形
状２１a を、例えば３つ連結して一体化したものであ
る。但し、数はこれに限らず多数個設定できるもので、
量産を行う場合に適用される。次に、図４（Ａ）〜
（Ｄ）に、本発明の放熱ブロックの他の構成図を示す。
図４（Ａ）の放熱ブロック３は、項面にスリット３１を
形成してフィン形状としたもので、半導体チップ５をフ
ィンに直接取り付ける状態と同様になって放熱効率を向
上させることができる。
【００２５】図４（Ｂ）の放熱ブロック３は、項面に累
刻して固着部３２を形成し、外部放熱部材をネジ止めに
より取り付けるようにしたものである。
【００２６】図４（Ｃ）の放熱ブロック３は、半導体チ
ップ５の搭載部分３３を銅で形成し、他の部分３４をア
ルミニウムの異種金属で形成して熱圧着したものであ
る。これにより、半導体チップ５を銀ペーストに限らず
はんだによっても搭載することができる。また、殆どア
ルミニウムで形成することから計量化を図ることができ
ると共に、アルミニウムの表面を陽極酸化により絶縁処
理を行うことができる。一方、図４（Ｃ）において、搭
載部分３３をアルミニウムで形成し、他の部分３４を銅
で形成してもよい。この場合は、実装時に、放熱ブロッ
ク３を直接はんだ付けできる利点がある。
【００２７】そして、図４（Ｄ）の放熱ブロック３は、
セラミックで形成したもので、該セラミックによっても
放熱効果が得られる。この場合、銀ペーストにより半導
体チップ３を搭載することが可能である。また、半導体
チップ３をはんだにより搭載する場合には、該搭載部分
に金属層３５を形成するものである。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体チ
ップを搭載する放熱部材をリードフレームと独立して位
置することにより、かしめ工程が不要となり、リードフ
レームの厚さ、放熱部材の材質に制限されずに形成する
ことができる。また、製造工程時に、治具を用い、これ
を吸着固定させてモールドすることにより、樹脂ばりの
発生を抑えることができると共に、放熱部材の露出高さ
の寸法精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】本発明の製造工程図である。
【図３】本発明で使用されるパレットを説明するための
図である。
【図４】本発明の放熱ブロックの他の構成図である。
【図５】従来の半導体装置の構成図である。
【符号の説明】
１A ，１B 半導体装置 ２ リードフレーム ２a インナリード ２b アウタリード ３ 放熱ブロック ３b 先端部 ５ 半導体チップ ６ ワイヤ ７ モールド樹脂 １１ 中央開口部 １２ テーパ部 ２１ パレット（治具） ２２ 嵌合部 ２４a 上金型 ２４b 下金型 ２５ 吸着孔 ３１ スリット ３２ 固着部 ３５ 金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉本 正則 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂モールドによりパッケージングされ
    る半導体装置において、 開口部（１１）に位置する半導体チップ（５）と接続さ
    れるリードフレーム（２）と、 該半導体チップ（５）を搭載して該リードフレーム
    （２）の中央開口部（１１）下方に独立して位置し、前
    記パッケージより先端部（３b ）を露出させた該半導体
    チップ（５）の放熱を行うための放熱部材（３）と、 を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記放熱部材（３）は、前記パッケージ
    からの露出方向にテーパ部（１２）が形成されることを
    特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記放熱部材（３）の項面に、スリット
    （３１）を、形成することを特徴とする請求項１又は２
    記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記放熱部材（３）の項面に、外部放熱
    部材を取り付けるための固着部（３２）を形成すること
    を特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記放熱部材（３）を、前記半導体チッ
    プの搭載部分（３３）と他の部分（３４）とを異種金属
    で形成することを特徴とする請求項１乃至４記載の半導
    体装置。
  6. 【請求項６】 前記放熱部材（３）を、セラミックによ
    り形成し、前記半導体チップ（５）をはんだにより搭載
    する場合に、該搭載部分に金属層（３５）を形成するこ
    とを特徴とする請求項１乃至４記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 樹脂モールドによりパッケージングさ
    れ、該パッケージング面よりテーパ部（１２）が形成さ
    れた放熱部材（３）が露出する半導体装置の製造方法に
    おいて、 凹形状（２１a ）の治具（２１）の底面に形成されたテ
    ーパ形状の嵌合部（２２）に、前記放熱部材（３）の先
    端部（３a ）を嵌合する工程と該治具（２１）上にリー
    ドフレーム（２）を位置させる工程と、 該放熱部材（３）上に半導体チップ（５）を搭載して該
    リードフレーム（２）と接続する工程と、 これらを下金型（２４b ）に位置させ、該下金型（２４
    b ）に形成された吸着孔（２５）より、少なくとも該放
    熱部材（３）を吸着固定する工程と、 該下金型（２４b ）上に上金型（２４a ）を位置させ、
    モールド樹脂（７）によりモールドする工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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DE69224343T DE69224343T2 (de) 1991-10-23 1992-10-15 Halbleiteranordnung mit Kühlerstruktur und Verfahren zur Herstellung
KR1019920019495A KR960011643B1 (ko) 1991-10-23 1992-10-23 방열구조를 갖는 반도체장치 및 그의 제조방법
US08/324,494 US5444025A (en) 1991-10-23 1994-10-18 Process for encapsulating a semiconductor package having a heat sink using a jig
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6208023B1 (en) 1997-07-31 2001-03-27 Matsushita Electronics Corporation Lead frame for use with an RF powered semiconductor
JP2010165951A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Sumitomo Electric Ind Ltd リアクトル及びコイル成形体
JP5566289B2 (ja) * 2008-06-12 2014-08-06 三菱電機株式会社 電力半導体回路装置およびその製造方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3572628B2 (ja) * 1992-06-03 2004-10-06 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5652461A (en) * 1992-06-03 1997-07-29 Seiko Epson Corporation Semiconductor device with a convex heat sink
JP3362530B2 (ja) * 1993-12-16 2003-01-07 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US5991156A (en) * 1993-12-20 1999-11-23 Stmicroelectronics, Inc. Ball grid array integrated circuit package with high thermal conductivity
JP3509274B2 (ja) * 1994-07-13 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3367299B2 (ja) * 1994-11-11 2003-01-14 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3542677B2 (ja) * 1995-02-27 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3309686B2 (ja) * 1995-03-17 2002-07-29 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH08316372A (ja) * 1995-05-16 1996-11-29 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JP2795626B2 (ja) * 1995-08-21 1998-09-10 北川工業株式会社 放熱機能付き電子部品
US5789270A (en) * 1996-01-30 1998-08-04 Industrial Technology Research Institute Method for assembling a heat sink to a die paddle
DE69627643D1 (de) * 1996-06-28 2003-05-28 St Microelectronics Srl Verfahren zur Herstellung einer Plastikpackung für eine elektronische Anordnung mit vollständig isolierter Wärmesenke
KR0185512B1 (ko) * 1996-08-19 1999-03-20 김광호 칼럼리드구조를갖는패키지및그의제조방법
DE69636853T2 (de) * 1996-11-27 2007-11-08 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Herstellunsgverfahren einer Kunststoffpackung für elektronische Anordnungen mit einer Wärmesenke
KR19980039675A (ko) * 1996-11-28 1998-08-17 황인길 반도체 패키지의 구조
US6159764A (en) * 1997-07-02 2000-12-12 Micron Technology, Inc. Varied-thickness heat sink for integrated circuit (IC) packages and method of fabricating IC packages
US5917704A (en) * 1997-10-06 1999-06-29 Ford Motor Company Laser-solderable electronic component
FR2778817B1 (fr) * 1998-05-18 2000-06-30 Remy Kirchdoerffer Procede de fabrication d'un appareil ou d'un instrument par surmoulage et appareil ou instrument ainsi obtenu
JP2000150730A (ja) * 1998-11-17 2000-05-30 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6643919B1 (en) * 2000-05-19 2003-11-11 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor device package having a core-hollowed portion without causing resin flash on lead frame
US6635209B2 (en) * 2000-12-15 2003-10-21 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Method of encapsulating a substrate-based package assembly without causing mold flash
JP2002333552A (ja) 2001-05-08 2002-11-22 Fujitsu Ltd 光装置
US20030223181A1 (en) * 2002-05-28 2003-12-04 Micron Technology, Inc. Electronic device package
US6987032B1 (en) 2002-07-19 2006-01-17 Asat Ltd. Ball grid array package and process for manufacturing same
US6979594B1 (en) 2002-07-19 2005-12-27 Asat Ltd. Process for manufacturing ball grid array package
US6800948B1 (en) 2002-07-19 2004-10-05 Asat Ltd. Ball grid array package
US7372151B1 (en) 2003-09-12 2008-05-13 Asat Ltd. Ball grid array package and process for manufacturing same
CN1323471C (zh) * 2004-05-20 2007-06-27 中国科学院半导体研究所 具有倾斜波导结构的半导体光放大器封装用的热沉
US8610262B1 (en) 2005-02-18 2013-12-17 Utac Hong Kong Limited Ball grid array package with improved thermal characteristics
JP2007027535A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Stanley Electric Co Ltd 光半導体装置
TW200812023A (en) * 2006-08-22 2008-03-01 Advanced Semiconductor Eng Heat slug for package structure
GB2470802B (en) * 2007-11-16 2011-10-05 Uriel Meyer Wittenberg A silver-based thermally conductive composition for thermally coupling LED chips to heat sinks
KR101092063B1 (ko) * 2009-04-28 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101014063B1 (ko) 2009-08-26 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛
JP5714916B2 (ja) * 2011-01-12 2015-05-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2013093504A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法および冶具
DE102020106492A1 (de) * 2019-04-12 2020-10-15 Infineon Technologies Ag Chip -package, verfahren zum bilden eines chip -packages, halbleitervorrichtung, halbleiteranordnung, dreiphasensystem, verfahren zum bilden einer halbleitervorrichtung und verfahren zum bilden einer halbleiteranordnung

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3414968A (en) * 1965-02-23 1968-12-10 Solitron Devices Method of assembly of power transistors
CA892844A (en) * 1970-08-14 1972-02-08 H. Hantusch Gerald Semiconductor heat sink
US3902148A (en) * 1970-11-27 1975-08-26 Signetics Corp Semiconductor lead structure and assembly and method for fabricating same
JPS5315763A (en) * 1976-07-28 1978-02-14 Hitachi Ltd Resin sealed type semiconductor device
FR2456390A1 (fr) * 1979-05-11 1980-12-05 Thomson Csf Grille d'encapsulation, microboitier de circuit electronique utilisant cette grille et procede d'encapsulation de circuit electronique en microboitier
IT1218271B (it) * 1981-04-13 1990-04-12 Ates Componenti Elettron Procedimento per la fabbricazione di contenitori in plastica con dissipatore termico per circuiti integrati e combinazione di stampo e dissipatori utilizzabile con tale procedimento
JPS58100447A (ja) * 1981-12-11 1983-06-15 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
FR2523397A1 (fr) * 1982-03-08 1983-09-16 Matra Procede de montage de composants electroniques sur un support et produit realisable par le procede
JPH0666721B2 (ja) * 1985-10-31 1994-08-24 株式会社東芝 衛星通信デマンドアサイン装置の回線使用状況伝達方法
JPS62109326A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPS62169450A (ja) * 1986-01-22 1987-07-25 Hitachi Ltd 半導体装置
US4890152A (en) * 1986-02-14 1989-12-26 Matsushita Electric Works, Ltd. Plastic molded chip carrier package and method of fabricating the same
US5083373A (en) * 1986-04-25 1992-01-28 Hamburgen William R Method for providing a thermal transfer device for the removal of heat from packaged elements
JPS63222450A (ja) * 1987-03-11 1988-09-16 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置およびその製造法
US5108955A (en) * 1988-10-27 1992-04-28 Citizen Watch Co., Ltd. Method of making a resin encapsulated pin grid array with integral heatsink
JPH01268157A (ja) * 1988-04-20 1989-10-25 Ngk Spark Plug Co Ltd ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法
JP2593702B2 (ja) * 1988-11-09 1997-03-26 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPH02306639A (ja) * 1989-05-22 1990-12-20 Toshiba Corp 半導体装置の樹脂封入方法
JPH03180054A (ja) * 1989-12-08 1991-08-06 Matsushita Electron Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH03214763A (ja) * 1990-01-19 1991-09-19 Nec Corp 半導体集積回路装置のリードフレーム及びこれを用いた半導体集積回路装置
US5147821A (en) * 1990-09-28 1992-09-15 Motorola, Inc. Method for making a thermally enhanced semiconductor device by holding a leadframe against a heatsink through vacuum suction in a molding operation
US5345100A (en) * 1991-03-29 1994-09-06 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor rectifier having high breakdown voltage and high speed operation
US5172213A (en) * 1991-05-23 1992-12-15 At&T Bell Laboratories Molded circuit package having heat dissipating post

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6208023B1 (en) 1997-07-31 2001-03-27 Matsushita Electronics Corporation Lead frame for use with an RF powered semiconductor
EP0895287A3 (en) * 1997-07-31 2006-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and lead frame for the same
JP5566289B2 (ja) * 2008-06-12 2014-08-06 三菱電機株式会社 電力半導体回路装置およびその製造方法
JP2010165951A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Sumitomo Electric Ind Ltd リアクトル及びコイル成形体

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US5444025A (en) 1995-08-22
DE69224343T2 (de) 1998-06-10

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