JPS62109326A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62109326A JPS62109326A JP60249895A JP24989585A JPS62109326A JP S62109326 A JPS62109326 A JP S62109326A JP 60249895 A JP60249895 A JP 60249895A JP 24989585 A JP24989585 A JP 24989585A JP S62109326 A JPS62109326 A JP S62109326A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、放熱装置が取付けられた半導体装置の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
（従来の技術）
一般に、トランジスタ増幅器等においては、それに発生
する熱を冷却するために、放熱装置が取付けられる。こ
の種の放熱装置としては、例えば実公昭５９−１１５０
８号公報に記載されるものがある。
する熱を冷却するために、放熱装置が取付けられる。こ
の種の放熱装置としては、例えば実公昭５９−１１５０
８号公報に記載されるものがある。
この放熱装置は、トランジスタ増幅器等に固着される基
板と、この基板の一方面に所定間隔離間して突設された
複数個の放熱板とで構成され、トランジスタ増幅器等に
取付けて使用される。これによって、トランジスタ増幅
器等に発生する熱を効率良く放熱し、該トランジスタ増
幅器等を熱破壊から保護することができる。
板と、この基板の一方面に所定間隔離間して突設された
複数個の放熱板とで構成され、トランジスタ増幅器等に
取付けて使用される。これによって、トランジスタ増幅
器等に発生する熱を効率良く放熱し、該トランジスタ増
幅器等を熱破壊から保護することができる。
近年、集積回路をパッケージに収納した半導体装置にお
いても、大容量化に伴って前記のような放熱装置が取付
けられるようになった。
いても、大容量化に伴って前記のような放熱装置が取付
けられるようになった。
第２図（１）〜（３）は、従来の放熱装置付き半導体装
置の製造方法を示す製造工程図である。
置の製造方法を示す製造工程図である。
第２図（１）において、素子搭載部１ａとその周囲に配
置した複数本のリード部１ｂと有するリードフレーム１
を用意し、その素子搭載部ｌａ上に半導体素子２を固着
すると共に、該半導体素子２とリード部１ｂとをワイヤ
３で接続する。次いで、モールド用金型を用いてリード
部１ｂの一部、半導体素子２及びワイヤ３を樹脂部材４
で樹脂封止する。その後、リード部１ｂの所定箇所を切
断してリードフレーム１から切離し、曲げ加工等を施し
て樹脂封止型の半導体装置本体を作る。
置した複数本のリード部１ｂと有するリードフレーム１
を用意し、その素子搭載部ｌａ上に半導体素子２を固着
すると共に、該半導体素子２とリード部１ｂとをワイヤ
３で接続する。次いで、モールド用金型を用いてリード
部１ｂの一部、半導体素子２及びワイヤ３を樹脂部材４
で樹脂封止する。その後、リード部１ｂの所定箇所を切
断してリードフレーム１から切離し、曲げ加工等を施し
て樹脂封止型の半導体装置本体を作る。
次に、第２図（２）において、樹脂部材４の上面に接着
剤５を塗布する。さらに第３図（３）のように、接着剤
塗布面に放熱装置６を接着し、次の接着剤硬化処理工程
を経れば、放熱装置付き半導体装置が得られる。
剤５を塗布する。さらに第３図（３）のように、接着剤
塗布面に放熱装置６を接着し、次の接着剤硬化処理工程
を経れば、放熱装置付き半導体装置が得られる。
このような半導体装置では、その半導体装置本体に発生
する熱が放熱装置６により放熱されるため、熱破壊を低
減、回避できる。
する熱が放熱装置６により放熱されるため、熱破壊を低
減、回避できる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記の方法では、放熱装置６を樹脂部材
４に接着剤５を用いて接着する方法であるため、接着工
程やその硬化処理工程等を経る必要があり、製造工程数
が多くなって製造能率が低いという問題点があった。ま
た、従来方法により得られる半導体装置にあっては、熱
発生源である半導体装ご本体と放熱装置６との間に接着
剤５が介在するため、これが断熱層となって放熱効率を
低下させると共に、接着剤５の経年変化による劣化や、
外力等によって放熱装置６が半導体装置本体から脱落す
るという問題点があった。
４に接着剤５を用いて接着する方法であるため、接着工
程やその硬化処理工程等を経る必要があり、製造工程数
が多くなって製造能率が低いという問題点があった。ま
た、従来方法により得られる半導体装置にあっては、熱
発生源である半導体装ご本体と放熱装置６との間に接着
剤５が介在するため、これが断熱層となって放熱効率を
低下させると共に、接着剤５の経年変化による劣化や、
外力等によって放熱装置６が半導体装置本体から脱落す
るという問題点があった。
本発明は、前記従来技術が持っていた問題点として、製
造能率が低い点と、製造後の半導体装置における放熱効
率が低い点や、放熱装着の脱落の点について解決した半
導体装置の製造方法を提供するものである。
造能率が低い点と、製造後の半導体装置における放熱効
率が低い点や、放熱装着の脱落の点について解決した半
導体装置の製造方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、前記問題点を解決するために、リードフレー
ムの素子搭載部を収納する第１の凹部と、この第１の凹
部に連設され放熱装置を収納する第２の凹部とを有する
金型のその第２の凹部に該放熱装置を装填する。次いで
、前記素子搭載部に半導体素子が搭載されたリードフレ
ームを、前記第１の凹部の所定位置に配置した後、前記
第１８よび第２の凹部内に樹脂を充填して前記放熱装置
の一部および半導体素子を樹脂封止するようにしたもの
である。
ムの素子搭載部を収納する第１の凹部と、この第１の凹
部に連設され放熱装置を収納する第２の凹部とを有する
金型のその第２の凹部に該放熱装置を装填する。次いで
、前記素子搭載部に半導体素子が搭載されたリードフレ
ームを、前記第１の凹部の所定位置に配置した後、前記
第１８よび第２の凹部内に樹脂を充填して前記放熱装置
の一部および半導体素子を樹脂封止するようにしたもの
である。
（作 用）
本発明によれば、以上のように半導体装置の製造方法を
構成したので、半導体素子等と共に樹脂封止される放熱
装置の一部は、従来の製造方法における接着工程等を省
略するように働き、さらに引き抜き強度や放熱効率を向
上させるように機部する。したがって、前記問題点を除
去できるのである。
構成したので、半導体素子等と共に樹脂封止される放熱
装置の一部は、従来の製造方法における接着工程等を省
略するように働き、さらに引き抜き強度や放熱効率を向
上させるように機部する。したがって、前記問題点を除
去できるのである。
（実施例）
第１図（１）〜（７ｂ）は本発明の実施例を示すＤＩＰ
（デュアル・イン中ライン・パッケージ）型の放熱
装置付き半導体装置の製造方法を示す製造工程図である
。この方法は、第１〜第３工程で構成されている。
（デュアル・イン中ライン・パッケージ）型の放熱
装置付き半導体装置の製造方法を示す製造工程図である
。この方法は、第１〜第３工程で構成されている。
（Ａ）第１図（１）〜（２ｂ）の第１工程先ず、第１図
（１）に示すようなモールド用金型１０を用意する。こ
の金型１０は、上金型１Ｏ−１と下金型１０−２とで構
成され、その各金型１０−１．１０−２の合掌面には半
導体素子収納用の第１の凹部１Ｏ−１ａ、１Ｏ−２ａが
設けられている。さらに、下金型１０−２における第１
の凹部１Ｏ−２ａの下方には放熱装置収納用の第２の凹
部１Ｏ−２ｂが延設されると共に、該下金型合掌面には
図示しない樹脂注入用溝が設けられている。
（１）に示すようなモールド用金型１０を用意する。こ
の金型１０は、上金型１Ｏ−１と下金型１０−２とで構
成され、その各金型１０−１．１０−２の合掌面には半
導体素子収納用の第１の凹部１Ｏ−１ａ、１Ｏ−２ａが
設けられている。さらに、下金型１０−２における第１
の凹部１Ｏ−２ａの下方には放熱装置収納用の第２の凹
部１Ｏ−２ｂが延設されると共に、該下金型合掌面には
図示しない樹脂注入用溝が設けられている。
また、第１図（２ａ） 、 （２ｂ）に示すような放熱
装置１１を準備しておく。この放熱装置１１は、熱伝導
性の良い部材で形成され、細長い板状の基部１１ａと、
その基部１１ａの一方面に所定間隔離間して突設された
複数枚の板状放熱部１１ｂと、基部１１ａの他方面に突
設された断面Ｔ字状の係合部１１ｃとで構成されている
。
装置１１を準備しておく。この放熱装置１１は、熱伝導
性の良い部材で形成され、細長い板状の基部１１ａと、
その基部１１ａの一方面に所定間隔離間して突設された
複数枚の板状放熱部１１ｂと、基部１１ａの他方面に突
設された断面Ｔ字状の係合部１１ｃとで構成されている
。
次に、予め用意された上下金型ｔｏ−１，１０−２を例
えば１５０〜１９０℃程度に加熱しておき、その下金型
１Ｏ−２（７）第１および第２の凹部１Ｏ−２ａ 、
１Ｏ−２ｂ内に、第１図（２ａ）の矢印方向に放熱装置
を装填する。
えば１５０〜１９０℃程度に加熱しておき、その下金型
１Ｏ−２（７）第１および第２の凹部１Ｏ−２ａ 、
１Ｏ−２ｂ内に、第１図（２ａ）の矢印方向に放熱装置
を装填する。
なお、加熱された下金型１０−２内に放熱装置１１が装
填されると、その放熱装置１１は熱伝導により温度上昇
して熱膨張する。そのため、放熱装置１１の基部１１ａ
及び放熱部１１ｂと第２の凹部１Ｏ−２ｂとは、熱膨張
時において相対的にほぼ同じ大きさになるように形成し
ておくことが必要である。
填されると、その放熱装置１１は熱伝導により温度上昇
して熱膨張する。そのため、放熱装置１１の基部１１ａ
及び放熱部１１ｂと第２の凹部１Ｏ−２ｂとは、熱膨張
時において相対的にほぼ同じ大きさになるように形成し
ておくことが必要である。
（Ｂ）第１図（３）、（４）の第２工程第１図（３）に
示すように、半導体素子２０を搭載したリードフレーム
２１を用意する。このリードフレーム２１は、銅合金等
の導電性金属板をプレス加工等によって所定形状にした
もので、素子搭載部２１ａとその周囲に配置した複数本
のリード部２１ｂとを有している。素子搭載部２１ａ上
には半導体素子２０が固着され、その半導体素子２０の
端子がリード部２１ｂとワイヤ２２で接続されている。
示すように、半導体素子２０を搭載したリードフレーム
２１を用意する。このリードフレーム２１は、銅合金等
の導電性金属板をプレス加工等によって所定形状にした
もので、素子搭載部２１ａとその周囲に配置した複数本
のリード部２１ｂとを有している。素子搭載部２１ａ上
には半導体素子２０が固着され、その半導体素子２０の
端子がリード部２１ｂとワイヤ２２で接続されている。
次に、素子搭載部２１ａに固着された半導体素子２０が
上金型１０−１の第１の凹部１Ｏ−４ａと対向するよう
に、該リードフレーム２１を下金型１０−２の第１の凹
部１Ｏ−２ａ上に配置する。
上金型１０−１の第１の凹部１Ｏ−４ａと対向するよう
に、該リードフレーム２１を下金型１０−２の第１の凹
部１Ｏ−２ａ上に配置する。
（ｃ）第１図（５）の第３工程
図示しない駆動装置により、上金型１０−１と下金型１
０−２を圧接し、その両全型１０−１．１０−２でリー
ドフレーム２１を挾持する。
０−２を圧接し、その両全型１０−１．１０−２でリー
ドフレーム２１を挾持する。
次いで、下金型１０−１に設けられた図示しない樹脂注
入用溝を介して、例えば注入圧力２０〜１００ｋｇ／ｃ
ｍ２ でエポキシ樹脂等の液状の樹脂部材２３を第１の
凹部１Ｏ−１ａ、１Ｏ−２ａに充填し、半導体素子２０
、素子搭載部２１ａ、 リード部２１ｂの一部、ワイヤ
２２、および放熱装置１１の係合部１１ｂを樹脂封止す
る。
入用溝を介して、例えば注入圧力２０〜１００ｋｇ／ｃ
ｍ２ でエポキシ樹脂等の液状の樹脂部材２３を第１の
凹部１Ｏ−１ａ、１Ｏ−２ａに充填し、半導体素子２０
、素子搭載部２１ａ、 リード部２１ｂの一部、ワイヤ
２２、および放熱装置１１の係合部１１ｂを樹脂封止す
る。
（Ｄ）第１図（８）〜（７ｂ）の第４工程樹脂部材２３
が硬化した後、駆動装置によって上金型１０−１と下金
型１０−２を所定間隔に引き離し、樹脂封止されたリー
ドフレーム２１を金型１０から取り出す。次いで、リー
ド部２１ｂの所定箇所を切断してそのリード部２１ｂを
リードフレーム２１から切り離した後、リード部２１ｂ
ｌｔ第１図（７ａ） 、 （７ｂ） ニ示すごとくほ
ぼ直角に折り曲げる等の処理を施せば、放熱装置付き半
導体装置が得られる。
が硬化した後、駆動装置によって上金型１０−１と下金
型１０−２を所定間隔に引き離し、樹脂封止されたリー
ドフレーム２１を金型１０から取り出す。次いで、リー
ド部２１ｂの所定箇所を切断してそのリード部２１ｂを
リードフレーム２１から切り離した後、リード部２１ｂ
ｌｔ第１図（７ａ） 、 （７ｂ） ニ示すごとくほ
ぼ直角に折り曲げる等の処理を施せば、放熱装置付き半
導体装置が得られる。
以上のような製造方法によれば、放熱装置１１の係合部
１１ｃを半導体素子２０等と共に同時に樹脂封止するの
で、従来のような煩わしい接着工程や、その硬化処理工
程等が省略でき、これによって製造能率が著しく向上す
る。しかもこの製造方法により得られた半導体装置では
、放熱装置１１の係合部１１ｃが発熱源の半導体素子２
０に接近して配置されるため、放熱効率が向上する。さ
らに、係合部１１ｃが樹脂部材２３内に埋設されるため
、放熱装置１１の固着力が大きくなり、離脱することも
ない。
１１ｃを半導体素子２０等と共に同時に樹脂封止するの
で、従来のような煩わしい接着工程や、その硬化処理工
程等が省略でき、これによって製造能率が著しく向上す
る。しかもこの製造方法により得られた半導体装置では
、放熱装置１１の係合部１１ｃが発熱源の半導体素子２
０に接近して配置されるため、放熱効率が向上する。さ
らに、係合部１１ｃが樹脂部材２３内に埋設されるため
、放熱装置１１の固着力が大きくなり、離脱することも
ない。
第３図は本発明の他の形状の放熱装置付き半導体装置を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
この半導体装置はプリント基板等の表面に実装するＰＬ
ＣＣ（プラスチック・リード付き・チップキャリヤ）型
の半導体装置であり、半導体装置本体３０と、この半導
体装置本体３０上に取付けられた放熱装置３１とで構成
されている。
ＣＣ（プラスチック・リード付き・チップキャリヤ）型
の半導体装置であり、半導体装置本体３０と、この半導
体装置本体３０上に取付けられた放熱装置３１とで構成
されている。
この半導体装置が前記第１図（７ｂ）の半導体装置と異
なる点は、リード部３０ａの形状が内側に折り曲げられ
ていることと、放熱装置３１の形状が異なることである
。
なる点は、リード部３０ａの形状が内側に折り曲げられ
ていることと、放熱装置３１の形状が異なることである
。
このような半導体装置の製造方法では、前記第１図（１
）における金型１０と異なる金型を用い、さらに前記第
１図（８）〜（７ｂ）の第４工程においてリード部３０
ａに異なる折り曲げ加工を施こす煮貝外は、前記第１図
の製造工程とほぼ同様の工程で製造され、これによって
同様の利点が得られる。
）における金型１０と異なる金型を用い、さらに前記第
１図（８）〜（７ｂ）の第４工程においてリード部３０
ａに異なる折り曲げ加工を施こす煮貝外は、前記第１図
の製造工程とほぼ同様の工程で製造され、これによって
同様の利点が得られる。
本発明は図示の製造方法に限定されず、種々の５変形が
可能である。その変形例として例えば次のようなものが
ある。
可能である。その変形例として例えば次のようなものが
ある。
■ 前記第１図の製造方法において、放熱装置１１の係
合部１１ｃ、 あるいはこれを収容する下金型１０−２
における第１の凹部１Ｏ−２ａの形状を変形し、係合部
１１ｃとリードフレーム２１の素子搭載部裏面とを接触
させるようにしてもよい。これにより、放熱効率がさら
に向上する。
合部１１ｃ、 あるいはこれを収容する下金型１０−２
における第１の凹部１Ｏ−２ａの形状を変形し、係合部
１１ｃとリードフレーム２１の素子搭載部裏面とを接触
させるようにしてもよい。これにより、放熱効率がさら
に向上する。
■ 前記■において、基部１１ａ及び放熱部１１ｂから
なる放熱装置１１を予めリードフレーム２１の素子搭載
部裏面に固着しておき、その後、金型１０を用いて半導
体素子付きリードフレーム２１と放熱装置１１の一部と
を樹脂封止するようにしてもよい。この方法によれば、
前記第１図（１）〜（２ｂ）の第１工程を簡略化できる
ばかりか、前記■と同様の利点が得られる。
なる放熱装置１１を予めリードフレーム２１の素子搭載
部裏面に固着しておき、その後、金型１０を用いて半導
体素子付きリードフレーム２１と放熱装置１１の一部と
を樹脂封止するようにしてもよい。この方法によれば、
前記第１図（１）〜（２ｂ）の第１工程を簡略化できる
ばかりか、前記■と同様の利点が得られる。
■ 半導体装置本体や放熱装置１１．３１を他の形状や
構造に変形でき、これに応じて金型１０の形状や構造も
変形可能である。
構造に変形でき、これに応じて金型１０の形状や構造も
変形可能である。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように１本発明の半導体装置の製造
方法によれば、放熱装置の一部と半導体素子を一体的に
樹脂封止するようにしたので、製造工程の低減と製造時
間の短縮化が計れ、大量生産が可能となる。
方法によれば、放熱装置の一部と半導体素子を一体的に
樹脂封止するようにしたので、製造工程の低減と製造時
間の短縮化が計れ、大量生産が可能となる。
第１図（１）〜（７ｂ）は本発明の実施例を示す半導体
装置の製造方法を示す製造工程図、第２図（１）〜（３
）は従来の半導体装置の製造方法を示す製造工程図、第
３図は本発明の他の半導体装置を示す斜視図である。 １０・・・・・・金型、１Ｏ−１ａ、１Ｏ−２ａ・・・
・・・第１の凹部、１Ｏ−２ｂ・・・・・・第２の凹部
、１１．３１・・・・・・放熱装置、１１ｃ・・・・・
・係合部、２０・・・・・・半導体素子、２１・・・・
・・リードフレーム、２１ａ・・・・・・素子搭載部、
２１ｂ、３０ａ・・・・・・リード部、３０・・・・・
・半導体装置本体。 出願人代理人 柿 本 恭 成木発明の製造
工程図 第１図 第１図 第１図 ２３．樹脂部材 第１図 従来の製造工程図 第２図
装置の製造方法を示す製造工程図、第２図（１）〜（３
）は従来の半導体装置の製造方法を示す製造工程図、第
３図は本発明の他の半導体装置を示す斜視図である。 １０・・・・・・金型、１Ｏ−１ａ、１Ｏ−２ａ・・・
・・・第１の凹部、１Ｏ−２ｂ・・・・・・第２の凹部
、１１．３１・・・・・・放熱装置、１１ｃ・・・・・
・係合部、２０・・・・・・半導体素子、２１・・・・
・・リードフレーム、２１ａ・・・・・・素子搭載部、
２１ｂ、３０ａ・・・・・・リード部、３０・・・・・
・半導体装置本体。 出願人代理人 柿 本 恭 成木発明の製造
工程図 第１図 第１図 第１図 ２３．樹脂部材 第１図 従来の製造工程図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 リードフレームの素子搭載部を収納する第１の凹部と、
この第１の凹部に連設され放熱装置を収納する第２の凹
部とを有する金型の、その第２の凹部に該放熱装置を装
填する工程と、 前記素子搭載部に半導体素子が搭載されたリードフレー
ムを、前記第１の凹部の所定位置に配置する工程と、 前記第１および第２の凹部内に樹脂部材を充填して前記
放熱装置の一部および半導体素子を樹脂封止する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249895A JPS62109326A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249895A JPS62109326A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109326A true JPS62109326A (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=17199810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249895A Pending JPS62109326A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109326A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5108955A (en) * | 1988-10-27 | 1992-04-28 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of making a resin encapsulated pin grid array with integral heatsink |
| US5179039A (en) * | 1988-02-05 | 1993-01-12 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of making a resin encapsulated pin grid array with integral heatsink |
| US5344795A (en) * | 1992-09-22 | 1994-09-06 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method for encapsulating an integrated circuit using a removable heatsink support block |
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