JP2946775B2 - 樹脂封止金型 - Google Patents

樹脂封止金型

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JP2946775B2
JP2946775B2 JP1784991A JP1784991A JP2946775B2 JP 2946775 B2 JP2946775 B2 JP 2946775B2 JP 1784991 A JP1784991 A JP 1784991A JP 1784991 A JP1784991 A JP 1784991A JP 2946775 B2 JP2946775 B2 JP 2946775B2
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JP
Japan
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resin
mold
semiconductor device
lead
tip
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JP1784991A
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JPH04257410A (ja
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秀幸 西川
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の樹脂封止金
型の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】図6は従来技術を説明するための部分断
面図である。従来、樹脂封止型装置は、図6に示すよう
に、リードフレームの素子搭載部1に半導体素子2を搭
載し、この素子2と内部リード3とを金属細線4で接続
し、その後リードフレームを樹脂封止用上金型5と下金
型6ではさみ、キャビティ7内に封止樹脂を注入するこ
とにより、素子搭載部1,半導体素子2,金属細線4,
内部リード3などを樹脂封止し、その後、外部リード8
に半田めっきを施し、外部リード8を成形して製造され
るのが一般的である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術では
以下のような問題が生ずる。従来技術における樹脂封止
金型を用いた半導体装置の製造方法では、樹脂封止した
半導体装置の外部リードに半田めっきを施した後に、外
部リードを所定の長さに切断して成形するようになって
いるため、半導体装置の外部リード先端部には半田めっ
きが形成されずに、リードフレームの素材が露出してし
まう。そのため、外部リード先端部は酸化されやすく、
実装時に半田の濡れが悪いという欠点があった。
【0004】特にガルウィングタイプ半導体装置の場合
は、半田ペーストの塗布されたプリント基板に、半導体
装置を搭載し、リフロソルダリングにより実装するのが
一般的であるが、外部リード先端部の半田濡れ性が悪い
ために、図7に示すように外部リード先端部9にフィレ
ットが形成されないことがあり、半田付強度に問題があ
った。
【0005】外部リード先端部に半田めっきを形成させ
るためには、外部リードを所定の長さに切断した後に、
外部リードに半田めっきを施すという方法があるが、こ
れでは半田めっき作業中に外部リードが変形してしまう
という問題が生じる。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止金型
は、リードフレームを型締めした際に、半導体装置製造
完了後にリードフレームから切断されて外部リード先端
となる部分が接する金型面に、突起が設けられている。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0008】図1は本発明の実施例1の樹脂封止金型の
部分断面図,図2は実施例1の樹脂封止金型で樹脂封止
されたリードフレームの部分断面図,図3は実施例1の
樹脂封止金型で製造されたガルウィングタイプの半導体
装置の外部リード先端の断面図,図4は図3の外部リー
ドをプリント基板に実装した場合の部分断面図である。
【0009】図1に示すように、実施例1の樹脂封止金
型は、下金型6において、半導体装置製造完了後に外部
リード先端となる部分10が位置する部分に、エッジ状
の突起11が設けられている。この突起11の高さはリ
ードフレームの外部リード部12の厚さの半分に設定さ
れている。すなわち、リードフレームの外部リード部1
2の厚さが150μmの場合、突起11の高さは75μ
mに設定される。
【0010】このような、樹脂封止金型を用いて樹脂封
止を行うと、型締めの際、突起11が外部リードに食い
込み、図2のようなリードフレームが得られる。すなわ
ち、半導体装置製造完了後に外部リード先端となる部分
10には溝13が形成される。
【0011】このリードフレームに対し半田めっきを施
し、溝13の所で外部リードを所定の長さに切断し、ガ
ルウィングタイプに成形すると、外部リード形状は図3
のようになる。すなわち、封止金型で溝13を形成した
部分には半田めっき14が形成され、外部リード先端で
半田めっきが形成されずにリードフレームの素材が露出
している部分15の面積は、従来の半分に減少してい
る。
【0012】この図3の外部リードをプリント基板に実
装すると、従来とは異なり、図4に示すように外部リー
ド先端部にもフィレット16が確実に形成される。
【0013】次に実施例2について説明する。図5は実
施例2の樹脂封止金型の部分断面図である。実施例2の
樹脂封止金型は、図5に示すように、実施例1と同様
に、下金型6に突起11が設けられている。この突起1
1の位置,大きさは、実施例1と全く同じで、効果も全
く同じであるが、実施例1とは異なり、この突起11は
下金型6とは一体になっておらず、下金型本体にははめ
こむようになっている。このようにすると、長期間使用
して、突起が磨耗したときに、突起を交換するだけでよ
く、下金型本体を新規に製作するのに比べて、費用が大
幅に削減できるという利点がある。
【0014】なお、実施例1,2ではともに、突起を下
金型に設けたが、上金型に設けることも可能である。ま
た、従来よりも半田付性が良好になるため、実装時に用
いる半田ペーストを活性度の低いものに変更することが
でき、実装後の洗浄を省略あるいは簡略化できるという
効果がある。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、樹
脂封止金型において、リードフレームを型締めした際
に、半導体装置を外部リード先端となる部分が接する位
置に、突起を設けることにより、半導体装置の外部リー
ド先端で、半田めっきが形成されずにリードフレーム素
材が露出している部分の面積を、従来よりも減少させる
ことができる。
【0016】その結果、半導体装置をプリント基板に実
装した際に、外部リード先端部にフィレットが確実に形
成され、半田付強度が向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1の樹脂封止金型の部分断面図
である。
【図2】実施例1の樹脂封止金型で樹脂封止されたリー
ドフレームの部分断面図である。
【図3】実施例1の樹脂封止金型で製造されたガルウィ
ングタイプの半導体装置の外部リード先端の断面図であ
る。
【図4】図3の外部リードをプリント基板に実装した場
合の部分断面図である。
【図5】本発明の実施例2の樹脂封止金型の部分断面図
である。
【図6】従来技術を説明するための金型の部分断面図で
ある。
【図7】従来技術の問題点を説明するための半導体装置
の部分断面図である。
【符号の説明】
1 素子搭載部 2 半導体素子 3 内部リード 4 金属細線 5 上金型 6 下金型 7 キャビティ 8 外部リード 9 外部リード先端部 10 半導体装置製造完了後に外部リード先端となる
部分 11 突起 12 リードフレームの外部リード部 13 溝 14 半田めっき 15 リードフレームの素材が露出している部分 16 フィレット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) B29C 45/02 B29C 45/26 - 45/44 H01L 21/56

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置の樹脂封止金型において、リ
    ードフレームを型締めした際に、半導体装置製造完了後
    にリードフレームから切断されて外部リード先端となる
    部分が接する金型面に、突起が設けられていることを特
    徴とする樹脂封止金型。
JP1784991A 1991-02-08 1991-02-08 樹脂封止金型 Expired - Lifetime JP2946775B2 (ja)

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JPH04257410A JPH04257410A (ja) 1992-09-11
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Effective date: 19990601