JPH07321276A - リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH07321276A JPH07321276A JP10719794A JP10719794A JPH07321276A JP H07321276 A JPH07321276 A JP H07321276A JP 10719794 A JP10719794 A JP 10719794A JP 10719794 A JP10719794 A JP 10719794A JP H07321276 A JPH07321276 A JP H07321276A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 主に半導体装置の製造に用いるリードフレー
ムに、連結用タイバー９および連結リード３を新たに設
けた。 【効果】 アウターリード１の成形時における、各アウ
ターリード１間の寸法や形状の不揃いといった不具合の
発生を防止できる。さらに、成形後に、アウターリード
１の電着鍍金によるはんだ鍍金処理を実施することが出
来るので、成形時に、はんだ鍍金が成形金型の接触抵抗
によって削り剥がれてしまったり、または、樹脂ダム用
タイバー４の切断の切り残し屑等の異物が表面に圧着し
てしまうといった不具合の発生を防止することができ
る。
ムに、連結用タイバー９および連結リード３を新たに設
けた。 【効果】 アウターリード１の成形時における、各アウ
ターリード１間の寸法や形状の不揃いといった不具合の
発生を防止できる。さらに、成形後に、アウターリード
１の電着鍍金によるはんだ鍍金処理を実施することが出
来るので、成形時に、はんだ鍍金が成形金型の接触抵抗
によって削り剥がれてしまったり、または、樹脂ダム用
タイバー４の切断の切り残し屑等の異物が表面に圧着し
てしまうといった不具合の発生を防止することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主として半導体装置
の製造に用いられるリードフレーム及びそれを用いた半
導体装置の製造方法に関する。
の製造に用いられるリードフレーム及びそれを用いた半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３(a)〜(e)に、従来の樹脂封止形ＩＣ
パッケージの、樹脂封止後の半導体装置の製造工程を示
す。図３(a)は、半導体チップ７とインナーリード８等
をモールド樹脂で封止した樹脂封止工程後の状態を表し
ている。この図において、符号１０はリードフレームで
ある。５はリードフレーム１０の外枠であり、この外枠
５に吊りリード６を介してサポート・タブ１２が設けら
れ、このサポート・タブ１２に半導体チップ７が搭載さ
れている。１はアウターリードであり、このアウターリ
ード１に連続してインナーリード８が形成され、このイ
ンナーリード８と半導体チップ７がボンディングワイヤ
によって接続されている。そして、上述した半導体チッ
プ７、吊りリード６、インナーリード８を含む領域に樹
脂モールドが行われてパッケージボデイ２が形成されて
いる。また、アウターリード１のパッケージボデイ２近
傍には、各アウターリード１間を接続する樹脂ダム用タ
イバー４が形成されている。また、各アウターリード１
の端部は、外枠５に接続されている。
パッケージの、樹脂封止後の半導体装置の製造工程を示
す。図３(a)は、半導体チップ７とインナーリード８等
をモールド樹脂で封止した樹脂封止工程後の状態を表し
ている。この図において、符号１０はリードフレームで
ある。５はリードフレーム１０の外枠であり、この外枠
５に吊りリード６を介してサポート・タブ１２が設けら
れ、このサポート・タブ１２に半導体チップ７が搭載さ
れている。１はアウターリードであり、このアウターリ
ード１に連続してインナーリード８が形成され、このイ
ンナーリード８と半導体チップ７がボンディングワイヤ
によって接続されている。そして、上述した半導体チッ
プ７、吊りリード６、インナーリード８を含む領域に樹
脂モールドが行われてパッケージボデイ２が形成されて
いる。また、アウターリード１のパッケージボデイ２近
傍には、各アウターリード１間を接続する樹脂ダム用タ
イバー４が形成されている。また、各アウターリード１
の端部は、外枠５に接続されている。
【０００３】上述した樹脂封止工程後、図３(b)に示す
ように、封止材料の流れを防止するために設けられた樹
脂ダム用タイバー４が切断され、さらに、リードフレー
ム１０全体に電着鍍金によって予備半田を実施する表面
処理（はんだ鍍金処理）が行われる。次に、図３(c)に
示すように、アウターリード１の先端が切断される。な
お、アウターリード１が切断された状態では、パッケー
ジボディ２は、吊りリード６によって、外枠５に支持さ
れている。次に、図３(d)に示すように、アウターリー
ド１の成形が行われる。その後、図３(e)に示すよう
に、外枠５からパッケージボディ２が切り離されて、半
導体装置の製造工程が終了する。
ように、封止材料の流れを防止するために設けられた樹
脂ダム用タイバー４が切断され、さらに、リードフレー
ム１０全体に電着鍍金によって予備半田を実施する表面
処理（はんだ鍍金処理）が行われる。次に、図３(c)に
示すように、アウターリード１の先端が切断される。な
お、アウターリード１が切断された状態では、パッケー
ジボディ２は、吊りリード６によって、外枠５に支持さ
れている。次に、図３(d)に示すように、アウターリー
ド１の成形が行われる。その後、図３(e)に示すよう
に、外枠５からパッケージボディ２が切り離されて、半
導体装置の製造工程が終了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した電
着鍍金によるはんだ鍍金処理の際には、アウターリード
１を陰極に、また、はんだ鍍金液側を陽極にする必要が
ある。そのため、外枠５に電極を接触させることで、ア
ウターリード１を陰極にするためには、はんだ鍍金処理
の際に、アウターリード１が外枠５につながれている必
要がある。従って、アウターリード１の外枠５からの切
り離しは、はんだ鍍金処理の後に行われなければならな
い。一方、アウターリード１の成形は、図３(b)に示す
アウターリード１が外枠５に直接つながれた状態で実施
することは困難であり、そのため、アウターリード１が
外枠５から切り離された後の工程、すなわち、上述のは
んだ鍍金処理後の工程、で行われなければならない。
着鍍金によるはんだ鍍金処理の際には、アウターリード
１を陰極に、また、はんだ鍍金液側を陽極にする必要が
ある。そのため、外枠５に電極を接触させることで、ア
ウターリード１を陰極にするためには、はんだ鍍金処理
の際に、アウターリード１が外枠５につながれている必
要がある。従って、アウターリード１の外枠５からの切
り離しは、はんだ鍍金処理の後に行われなければならな
い。一方、アウターリード１の成形は、図３(b)に示す
アウターリード１が外枠５に直接つながれた状態で実施
することは困難であり、そのため、アウターリード１が
外枠５から切り離された後の工程、すなわち、上述のは
んだ鍍金処理後の工程、で行われなければならない。
【０００５】しかし、はんだ鍍金処理後にアウターリー
ド１の成形を行う場合、成形時に、はんだ鍍金が成形金
型の接触抵抗によって削り剥がされてしまったり、ま
た、アウターリード１に発生する応力および歪によっ
て、樹脂ダム用タイバー４の切断の切り残し屑等が剥が
れ、さらにそれがアウターリード１のはんだ鍍金処理後
の表面に圧着してしまうという不具合が生じることがあ
る。また、アウターリード１各々の先端を図３(c)に示
すように外枠５から切り離した後、アウターリード１の
成形を行う場合、アウターリード１がパッケージボディ
２側でのみ固定されているため、成形後のアウターリー
ド１の先端部の間隔等の寸法や成形形状が不揃いなって
しまったり、成形時にパッケージボディ２に加わる応力
がリードによってばらついたりするという不具合が生じ
ることがある。
ド１の成形を行う場合、成形時に、はんだ鍍金が成形金
型の接触抵抗によって削り剥がされてしまったり、ま
た、アウターリード１に発生する応力および歪によっ
て、樹脂ダム用タイバー４の切断の切り残し屑等が剥が
れ、さらにそれがアウターリード１のはんだ鍍金処理後
の表面に圧着してしまうという不具合が生じることがあ
る。また、アウターリード１各々の先端を図３(c)に示
すように外枠５から切り離した後、アウターリード１の
成形を行う場合、アウターリード１がパッケージボディ
２側でのみ固定されているため、成形後のアウターリー
ド１の先端部の間隔等の寸法や成形形状が不揃いなって
しまったり、成形時にパッケージボディ２に加わる応力
がリードによってばらついたりするという不具合が生じ
ることがある。
【０００６】これらのアウターリードリードの成形工程
における不具合は、半導体装置のボード実装時に接合不
良等を発生したり、また、実装後の信頼性にも大きく影
響を及ぼす。
における不具合は、半導体装置のボード実装時に接合不
良等を発生したり、また、実装後の信頼性にも大きく影
響を及ぼす。
【０００７】この発明は、このような背景の下になされ
たもので、半導体装置の製造工程における、上述のアウ
タリードのはんだ鍍金剥れ、異物の圧着、または、成形
不揃いといった不具合を防止することができる、リード
フレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。
たもので、半導体装置の製造工程における、上述のアウ
タリードのはんだ鍍金剥れ、異物の圧着、または、成形
不揃いといった不具合を防止することができる、リード
フレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体装置の製造に用いられるリードフレームにおい
て、外枠と、この外枠内に配置され、かつ、半導体装置
内部に配置されるインナーリードと、インナーリードに
連接されたアウターリードと、アウターリードのインナ
ーリード近傍を連結する第１のタイバーと、アウターリ
ードの先端部を連結する第２のタイバーと、第２のタイ
バーと外枠とを連結する連結部材とを具備することを特
徴とするリードフレームである。
半導体装置の製造に用いられるリードフレームにおい
て、外枠と、この外枠内に配置され、かつ、半導体装置
内部に配置されるインナーリードと、インナーリードに
連接されたアウターリードと、アウターリードのインナ
ーリード近傍を連結する第１のタイバーと、アウターリ
ードの先端部を連結する第２のタイバーと、第２のタイ
バーと外枠とを連結する連結部材とを具備することを特
徴とするリードフレームである。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載のリ
ードフレームに半導体チップを搭載した後、ボンディン
グ等の処理を行い、次いで、前記インナーリードを含む
所定領域に樹脂モールドを行う第１の工程と、上記第１
のタイバーを切断除去する第２の工程と、アウターリー
ドの成形を行う第３の工程と、リードフレームに鍍金を
行う第４の工程と、リードフレームの外枠、第２のタイ
バー、連結部材を各々除去する第５の工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法である。
ードフレームに半導体チップを搭載した後、ボンディン
グ等の処理を行い、次いで、前記インナーリードを含む
所定領域に樹脂モールドを行う第１の工程と、上記第１
のタイバーを切断除去する第２の工程と、アウターリー
ドの成形を行う第３の工程と、リードフレームに鍍金を
行う第４の工程と、リードフレームの外枠、第２のタイ
バー、連結部材を各々除去する第５の工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１０】
【作用】本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１
の工程で所定領域に樹脂モールドが行われた後、第２の
工程において第１のタイバーが切断除去される。次い
で、第３の工程でアウターリードの成形が行われる。こ
こで、上記リードフレームの構成によれば、アウターリ
ードの先端が第２のタイバーによって連結されているの
で、第３の工程において、各アウターリード間の間隔は
一定に保持される。従って、上述の各アウターリード間
の、寸法の不揃い、形状の不揃い、および、成形歪の不
揃い、等の不具合の発生が防止される。
の工程で所定領域に樹脂モールドが行われた後、第２の
工程において第１のタイバーが切断除去される。次い
で、第３の工程でアウターリードの成形が行われる。こ
こで、上記リードフレームの構成によれば、アウターリ
ードの先端が第２のタイバーによって連結されているの
で、第３の工程において、各アウターリード間の間隔は
一定に保持される。従って、上述の各アウターリード間
の、寸法の不揃い、形状の不揃い、および、成形歪の不
揃い、等の不具合の発生が防止される。
【００１１】次いで、第４の工程でリードフレームに鍍
金が行われる。上記の構成によれば、各アウターリード
は、第２のタイバーおよび連結部材によってリードフレ
ームの外枠と連結されている。従って、リードフレーム
の外枠に電極を接触させることによって、各アウターリ
ードに電着鍍金による鍍金処理を実施することが出来
る。
金が行われる。上記の構成によれば、各アウターリード
は、第２のタイバーおよび連結部材によってリードフレ
ームの外枠と連結されている。従って、リードフレーム
の外枠に電極を接触させることによって、各アウターリ
ードに電着鍍金による鍍金処理を実施することが出来
る。
【００１２】次いで、第５の工程で、リードフレームの
外枠、第２のタイバー、連結部材の各々が除去されて、
一連の製造工程が完了する。上記のように、アウターリ
ードの成形工程である第３の工程が、アウターリードの
鍍金処理を実施する第４の工程に先だって行われるの
で、成形工程で発生するはんだ鍍金の剥がれ、または、
異物がはんだ鍍金処理後のアウターリードの表面に圧着
するといった不具合が防止される。
外枠、第２のタイバー、連結部材の各々が除去されて、
一連の製造工程が完了する。上記のように、アウターリ
ードの成形工程である第３の工程が、アウターリードの
鍍金処理を実施する第４の工程に先だって行われるの
で、成形工程で発生するはんだ鍍金の剥がれ、または、
異物がはんだ鍍金処理後のアウターリードの表面に圧着
するといった不具合が防止される。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照し、この発明の一実施例に
ついて説明する。図１(a)〜(e)は同実施例による半導体
装置の製造工程を示す図であり、同図(a)はモールド樹
脂封止工程が終了した状態を示す図である。図１(a)に
おいて、符号１１はリードフレームである。５はリード
フレーム１１の外枠であり、この外枠５に吊りリード６
（図３(a)参照）を介してサポート・タブ１２（図３(a)
参照）が設けられ、このサポート・タブ１２に半導体チ
ップ７（図３(a)参照）が搭載されている。１はアウタ
ーリードであり、このアウターリード１に連続してイン
ナーリード８（図３(a)参照）が形成され、このインナ
ーリード８と半導体チップ７がボンディングワイヤによ
って接続されている。そして、上述した半導体チップ
７、吊りリード６、インナーリード８を含む領域に樹脂
モールドが行われてパッケージボデイ２が形成されてい
る。
ついて説明する。図１(a)〜(e)は同実施例による半導体
装置の製造工程を示す図であり、同図(a)はモールド樹
脂封止工程が終了した状態を示す図である。図１(a)に
おいて、符号１１はリードフレームである。５はリード
フレーム１１の外枠であり、この外枠５に吊りリード６
（図３(a)参照）を介してサポート・タブ１２（図３(a)
参照）が設けられ、このサポート・タブ１２に半導体チ
ップ７（図３(a)参照）が搭載されている。１はアウタ
ーリードであり、このアウターリード１に連続してイン
ナーリード８（図３(a)参照）が形成され、このインナ
ーリード８と半導体チップ７がボンディングワイヤによ
って接続されている。そして、上述した半導体チップ
７、吊りリード６、インナーリード８を含む領域に樹脂
モールドが行われてパッケージボデイ２が形成されてい
る。
【００１４】上記アウターリード１のパッケージボデイ
２近傍には、各アウターリード１間を接続する樹脂ダム
用タイバー４が形成され、また、各アウターリード１の
端部は連結用タイバー９によって連結されている。そし
て、この連結用タイバー９から僅かな間隙をおいて外枠
５が配置されている。端部に位置するアウターリード１
の側方には、アウターリード１とほぼ同型の連結リード
３が形成され、この連結リード３の一端が連結用タイバ
ー９に、他端が外枠５に接続され、また、この連結リー
ド３のパッケージボデイ２の近傍が樹脂ダム用タイバー
４を介してアウターリード１に接続されている。
２近傍には、各アウターリード１間を接続する樹脂ダム
用タイバー４が形成され、また、各アウターリード１の
端部は連結用タイバー９によって連結されている。そし
て、この連結用タイバー９から僅かな間隙をおいて外枠
５が配置されている。端部に位置するアウターリード１
の側方には、アウターリード１とほぼ同型の連結リード
３が形成され、この連結リード３の一端が連結用タイバ
ー９に、他端が外枠５に接続され、また、この連結リー
ド３のパッケージボデイ２の近傍が樹脂ダム用タイバー
４を介してアウターリード１に接続されている。
【００１５】なお、図１の実施例は、アウターリード１
がパッケージボディ２の２つの面より突き出た形のＳＯ
Ｐ（スモールアウトラインパッケージ）タイプのプラス
チック樹脂封止形ＩＣパッケージを表している。また、
リードフレーム１１は、Ｆｅ−Ｎｉ４２アロイ合金等の
金属板によって形成されている。
がパッケージボディ２の２つの面より突き出た形のＳＯ
Ｐ（スモールアウトラインパッケージ）タイプのプラス
チック樹脂封止形ＩＣパッケージを表している。また、
リードフレーム１１は、Ｆｅ−Ｎｉ４２アロイ合金等の
金属板によって形成されている。
【００１６】次に、半導体装置の製造工程を説明する。
第１の工程で、サポートタブ１２に半導体チップ７が搭
載される。次に、半導体チップ７の各端子がボンディン
グによって各インナーリード８に接続される。次いで、
図１(a)に示すように、インナーリード８を含む所定領
域に樹脂モールドが行われる。
第１の工程で、サポートタブ１２に半導体チップ７が搭
載される。次に、半導体チップ７の各端子がボンディン
グによって各インナーリード８に接続される。次いで、
図１(a)に示すように、インナーリード８を含む所定領
域に樹脂モールドが行われる。
【００１７】次に、上述した樹脂モールド終了後、図１
(b)に示すように、封止材料の流れを防止するために設
けられた樹脂ダム用タイバー４が金型等によって切断除
去される。
(b)に示すように、封止材料の流れを防止するために設
けられた樹脂ダム用タイバー４が金型等によって切断除
去される。
【００１８】次いで、アウターリード１が金型等によ
り、図１(c)に示すようなガルウィングリード形状に成
形される。ここで、連結リード３もアウターリード１と
同時に成形される。次に、各アウターリード１にはんだ
鍍金処理が行われる。このはんだ鍍金処理は、はんだ液
側を陽極、リードフレーム１１側を陰極とする電着鍍金
によって行われる。電着鍍金が行われる際、リードフレ
ーム１１を陰極とするため、外枠５に電極が接触してい
る。また、各アウターリード１は連結用タイバー９およ
び連結リード３によって外枠５に結合されているので、
各アウターリード１は外枠５と同電位になる。従って、
すべてのアウターリード１を含むリードフレーム１１の
全体に、はんだ鍍金処理が行われる。
り、図１(c)に示すようなガルウィングリード形状に成
形される。ここで、連結リード３もアウターリード１と
同時に成形される。次に、各アウターリード１にはんだ
鍍金処理が行われる。このはんだ鍍金処理は、はんだ液
側を陽極、リードフレーム１１側を陰極とする電着鍍金
によって行われる。電着鍍金が行われる際、リードフレ
ーム１１を陰極とするため、外枠５に電極が接触してい
る。また、各アウターリード１は連結用タイバー９およ
び連結リード３によって外枠５に結合されているので、
各アウターリード１は外枠５と同電位になる。従って、
すべてのアウターリード１を含むリードフレーム１１の
全体に、はんだ鍍金処理が行われる。
【００１９】次に、図１(d)に示すように、連結用タイ
バー９および連結リード３の一部が切断除去されて、ア
ウターリード１が各々に分割される。
バー９および連結リード３の一部が切断除去されて、ア
ウターリード１が各々に分割される。
【００２０】次に、図１(e)に示すように、パッケージ
ボディ２と外枠５が金型等によって切り離されて、一連
の半導体装置の製造工程が完了する。
ボディ２と外枠５が金型等によって切り離されて、一連
の半導体装置の製造工程が完了する。
【００２１】図２は、本発明の他の実施例を示す図であ
る。この図はＱＦＰ（クアッドフラットパッケージ）タ
イプの樹脂封止型ＩＣパッケージのモールド樹脂封止工
程後の状態を示している。リードフレーム１１の主な構
成要素である、アウターリード１と、連結用タイバー９
と、連結リード３と、外枠５、および、パッケージボデ
ィ２は、アウターリード１がパッケージボディ２の４方
向から突き出していることを除いて、上述したＳＯＰの
実施例と同様の機能を有している。
る。この図はＱＦＰ（クアッドフラットパッケージ）タ
イプの樹脂封止型ＩＣパッケージのモールド樹脂封止工
程後の状態を示している。リードフレーム１１の主な構
成要素である、アウターリード１と、連結用タイバー９
と、連結リード３と、外枠５、および、パッケージボデ
ィ２は、アウターリード１がパッケージボディ２の４方
向から突き出していることを除いて、上述したＳＯＰの
実施例と同様の機能を有している。
【００２２】なお、上述の２つの実施例においては、い
ずれも封止材料は樹脂であり、またパッケージ形状はＦ
ＬＡＴ（フラット）パッケージタイプとしているが、本
発明においては、特に封止材料およびパッケージ形状を
上述の構成に限定する必要はない。また、上記２実施例
において、連結リード３はいずれも、１つの連結用タイ
バー９によって連結された１組のアウターリード１の両
方の端部に形成されているが、どちらか一方の端部に形
成されるだけでも良い。
ずれも封止材料は樹脂であり、またパッケージ形状はＦ
ＬＡＴ（フラット）パッケージタイプとしているが、本
発明においては、特に封止材料およびパッケージ形状を
上述の構成に限定する必要はない。また、上記２実施例
において、連結リード３はいずれも、１つの連結用タイ
バー９によって連結された１組のアウターリード１の両
方の端部に形成されているが、どちらか一方の端部に形
成されるだけでも良い。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、アウターリードの先端
が連結用タイバー（第２のタイバー）によって連結され
ている状態でアウターリードの成形が行われる。したが
って、アウターリードの成形工程において、各アウター
リード間の間隔は一定に保持され、これにより、各アウ
ターリード間の、寸法の不揃い、形状の不揃い、およ
び、成形歪の不揃い、等の不具合の発生が防止される効
果が得られる。
が連結用タイバー（第２のタイバー）によって連結され
ている状態でアウターリードの成形が行われる。したが
って、アウターリードの成形工程において、各アウター
リード間の間隔は一定に保持され、これにより、各アウ
ターリード間の、寸法の不揃い、形状の不揃い、およ
び、成形歪の不揃い、等の不具合の発生が防止される効
果が得られる。
【００２４】また、本発明によれば、アウターリードの
成形の工程が、アウターリードの鍍金処理の工程に先だ
って行われるので、成形の際に発生するはんだ鍍金剥が
れ、または、異物がはんだ鍍金処理後のアウターリード
の表面に圧着するといった不具合が防止されるという効
果が得られる。
成形の工程が、アウターリードの鍍金処理の工程に先だ
って行われるので、成形の際に発生するはんだ鍍金剥が
れ、または、異物がはんだ鍍金処理後のアウターリード
の表面に圧着するといった不具合が防止されるという効
果が得られる。
【図１】この発明の一実施例によるリードフレームの構
成およびそれを用いた半導体装置の製造工程における以
下の各状態を表す斜視図である。 （ａ）は、樹脂封止工程後の状態 （ｂ）は、樹脂ダム用タイバー切断除去加工後の状態 （ｃ）は、アウターリード成形後に鍍金を実施した後の
状態 （ｄ）は、アウターリード先端部を切断除去した後の状
態 （ｅ）は、外枠からパッケージボディを切り離した後の
状態
成およびそれを用いた半導体装置の製造工程における以
下の各状態を表す斜視図である。 （ａ）は、樹脂封止工程後の状態 （ｂ）は、樹脂ダム用タイバー切断除去加工後の状態 （ｃ）は、アウターリード成形後に鍍金を実施した後の
状態 （ｄ）は、アウターリード先端部を切断除去した後の状
態 （ｅ）は、外枠からパッケージボディを切り離した後の
状態
【図２】この発明の他の一実施例のリードフレーム及び
それを用いた半導体装置の樹脂封止工程後の状態を表す
斜視図である。
それを用いた半導体装置の樹脂封止工程後の状態を表す
斜視図である。
【図３】従来のリードフレームの構成およびそれを用い
た半導体装置の製造工程における以下の各状態を表す斜
視図である。 （ａ）は、樹脂封止工程後の状態 （ｂ）は、樹脂ダムリード切断除去加工後にはんだ鍍金
処理を実施した後のの状態 （ｃ）は、アウターリード先端部を切断除去した後の状
態 （ｄ）は、アウターリード成形後の状態 （ｅ）は、外枠からパッケージボディを切り離した後の
状態
た半導体装置の製造工程における以下の各状態を表す斜
視図である。 （ａ）は、樹脂封止工程後の状態 （ｂ）は、樹脂ダムリード切断除去加工後にはんだ鍍金
処理を実施した後のの状態 （ｃ）は、アウターリード先端部を切断除去した後の状
態 （ｄ）は、アウターリード成形後の状態 （ｅ）は、外枠からパッケージボディを切り離した後の
状態
１……アウターリード、２……パッケージボディ、３…
…連結リード、４……樹脂ダム用タイバー（第１のタイ
バー）、５……外枠、９……連結用タイバー（第２のタ
イバー）、１１……リードフレーム
…連結リード、４……樹脂ダム用タイバー（第１のタイ
バー）、５……外枠、９……連結用タイバー（第２のタ
イバー）、１１……リードフレーム
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置の製造に用いられるリードフ
レームにおいて、 外枠と、 前記外枠内に配置され、かつ、前記半導体装置内部に配
置されるインナーリードと、 前記インナーリードに連接されたアウターリードと、 前記アウターリードの前記インナーリード近傍を連結す
る第１のタイバーと、 前記アウターリードの先端部を連結する第２のタイバー
と、 前記第２のタイバーと前記外枠とを連結する連結部材
と、 を具備してなるリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームに半導体
チップを搭載した後、ボンディング等の処理を行い、次
いで、前記インナーリードを含む所定領域に樹脂モール
ドを行う第１の工程と、 前記第１のタイバーを切断除去する第２の工程と、 前記アウターリードの成形を行う第３の工程と、 前記リードフレームに鍍金を行う第４の工程と、 前記リードフレームの外枠、第２のタイバー、連結部材
を各々除去する第５の工程とを有することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10719794A JP2851791B2 (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10719794A JP2851791B2 (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321276A true JPH07321276A (ja) | 1995-12-08 |
| JP2851791B2 JP2851791B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=14452946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10719794A Expired - Fee Related JP2851791B2 (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2851791B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345414A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Seiko Epson Corp | リードフレーム、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP2007194421A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Rohm Co Ltd | リードフレーム |
| JP2016018821A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、リードフレーム |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP10719794A patent/JP2851791B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345414A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Seiko Epson Corp | リードフレーム、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP2007194421A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Rohm Co Ltd | リードフレーム |
| JP2016018821A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、リードフレーム |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2851791B2 (ja) | 1999-01-27 |
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