JP2003209216A - リードフレーム、樹脂封止金型およびそれらを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

リードフレーム、樹脂封止金型およびそれらを用いた半導体装置の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来におけるリードフレームでは、キャビテ
ィ領域から離間した位置に１つのエアベントを配置して
いたため、樹脂モールド時にキャビティ内の空気が抜き
きれず、パッケージに未充填領域やボイドが発生する問
題があった。 【解決手段】 そこで、本発明であるリードフレームで
は、エアベント形成領域３２に、第１のエアベント２
９、第２のエアベント３０を形成する。そして、樹脂モ
ールドの際、この第１のエアベント２９の一端をキャビ
ティ内に配置することに特徴がある。そのことで、樹脂
モールド時のキャビティ内の空気は、完全にキャビティ
外部に抜き出すことができる。その結果、樹脂モールド
後のパッケージには、未充填領域やボイドが発生するこ
とはなく、製品品質の優れた半導体装置を提供できるリ
ードフレームである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止により形
成される半導体装置の生産効率、製品品質を向上させる
リードフレーム、樹脂封止金型およびそれらを用いた半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、年々大容量化されてお
り、これに伴って各種信号線となるリード端子数も増加
の傾向にある。そして、この傾向に伴ってリード端子が
４方向より導出されるＱＦＰ型（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が使用されるようにな
ってきている。この１実施例として、例えば、特開平８
−１８１１６０号公報に開示されている。
【０００３】以下、従来の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１６はリードフレーム平面図、図１７は金
型斜視図、図１８は樹脂封止後のリードフレーム平面図
である。
【０００４】図１６に示すリードフレーム１は、プレス
加工或いはエッチングにて形成されるものであり、ここ
では６個のユニットが設けられ、各々に半導体素子が実
装される。そして、それぞれのユニットは、半導体素子
を搭載する略正方形のステージ（アイランド）２、ステ
ージ２の外周囲４方向に延びるリード端子３を有する。
また、金型を考えると、封止領域の角部に樹脂通路とな
るゲート部４、樹脂封止時の空気抜きを行う孔５を有し
ている。
【０００５】また、このリードフレーム１に対応する金
型６は、図１７に示すように、上型７及び下型８とから
構成される。そして、これら上型７と下型８にはリード
フレームのステージ２に対向するように複数のキャビテ
ィ９、樹脂の圧入口であるポット部１０、キャビティ９
とポット部１０とを結びキャビティ９内に樹脂を充填さ
せるための流路となるランナー１１とを有している。
【０００６】本実施例の場合、４キャビティに対して１
箇所のポット部１０を有しており、ランナー１１はポッ
ト部１０から放射状に各キャビティに向かって延びてい
る。尚、上型のポット部１０’は、樹脂を上方から注入
するために貫通している。また、図１７では隠れて見え
ない状態となっているが、上型７にもキャビティ等は備
えられている。
【０００７】続いて、半導体装置の製造方法を説明す
る。まず図１６に示すリードフレーム１のステージ２上
に接合剤でるある銀ペースト等を介して半導体素子を搭
載する。半導体素子は、図示していないがその表面に複
数の電極部を有しており、ステージ上に搭載し固着す
る。その後、この電極部とリード端子３とをワイヤーボ
ンディングによって電気的に接続する。
【０００８】以上のように半導体素子を搭載した後、リ
ードフレーム１を図１７に示す上型７と下型８との間に
設置する。その後、型閉めすることによって注入領域で
あるキャビティが形成される。
【０００９】そして、上型７のポット１０’より溶融す
る樹脂を所定圧力にて注入する。樹脂は上型７のキャビ
ティ、及び下型８にも流入してランナー１１を介してキ
ャビティ９に充填され、半導体素子が封止される。樹脂
注入前にはキャビティ９内に空気が存在しているが、樹
脂がキャビティ内に侵入する段階で、樹脂が空気を押す
ことにより、例えば、上金型７に設けられたエアーベン
トへと抜けていく。尚、エアーベントは樹脂を通過させ
ない程度の隙間となっている。
【００１０】充填後、樹脂が冷却固化したところで、金
型を開いてリードフレーム１を取り出す。図１８は、こ
の時点でのリードフレームを示すものである。但し、樹
脂の流路を分かりやすくするために、樹脂封止時にポッ
ト及びランナーが存在した部分を破線で示している。図
１８から明らかなように、４つの封止領域の中央部分に
位置するポット部１０からゲート部４を介して樹脂が流
入する。そのことにより、ステージに搭載される半導体
素子及びその周囲部分にあるリード端子３の一部が樹脂
で覆われ、１パッケージ１２と成る。
【００１１】続いて、リード端子３の連結部分を切断
し、必要によって、分離したそれぞれのリード端子３の
曲げ加工を行うことにより、ＱＦＰ型の半導体装置を完
成させる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
における半導体装置の製造方法では、図１７に示した如
く、キャビティ９内に存在する空気はキャビティ９端部
に追いやられ金型に設けられたエアベントを介してキャ
ビティ９外部に抜ける。しかし、このエアベントを介し
て空気を押し出す際、リードフレーム１と上型７、また
はリードフレーム１と下型８との間に樹脂がバリとして
発生する。しかし、この樹脂バリ厚は３０μｍ程度と薄
いため、パッケージ１２を金型６から離型するときに、
この樹脂バリがパッケージ１２と一体で離型せず、金型
内に残存する事がある。この樹脂バリが金型内に残るこ
とで、次回の樹脂モールドの際、キャビティ９内に存在
する空気の経路を塞いでしまう。その結果、空気は外部
に抜け出すことは無く、キャビティ９内に圧縮されて残
存するため、パッケージにボイド、未充填領域を発生し
てしまうという問題が発生する。
【００１３】また、逆に、金型側に設けられたエアベン
トを考える。このエアベントに対応する所には、本来リ
ード端子とならないリードフレームの一部１３があり、
この上には上述した場合と同様に３０μｍ程度の樹脂バ
リが発生する。そして、離型する際リード材の上に残っ
て離型する場合もある。すると、次工程であるリード曲
げ加工工程の際、リードフレーム１３上に残存した樹脂
バリが破砕し、リード曲げ加工において、曲げ加工金型
上に残存してしまう。この曲げ加工金型は、次の曲げ加
工において金型上にバリが残存するため、リードの曲げ
加工を行う際、リードには破砕した樹脂バリにより打
痕、リード変形等の不良を発生してしまうという問題が
発生する。
【００１４】更に、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏ
ｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置で
は裏面が実装面となり、その裏面に露出したリードで実
装基板上の導電パターンと電気的に接続する。しかし、
従来における製造方法では、少なくともパッケージと連
続してなるリードフレーム１３上には樹脂ばりが発生す
る。そのため、上記半導体装置を実装基板に実装する
際、パッケージ端部に発生した樹脂ばり等により実装不
良を起こすという問題が発生する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した従来
の課題に鑑みてなされたもので、本発明であるリードフ
レームでは、少なくとも１つのアイランドと、前記アイ
ランドを囲むように配置された一対の第１の連結条体お
よび第２の連結条体と、前記第１および第２の連結条体
から前記アイランド近傍へ延在された複数のリードと、
前記リードを一体とし、前記アイランドを囲むように配
置されたタイバーと、前記第１および第２の連結条体が
交差する領域近傍に形成されたエアベント配置領域を有
し、前記エアベント配置領域には、該エアベント配置領
域と前記アイランドとの間のリード形成領域と貫通した
第１のエアベントと該第１のエアベントに近傍し独立し
て成る第２のエアベントを有することを特徴とする。
【００１６】更に、本発明のリードフレームでは、好適
には、前記エアベント配置領域は２本の前記タイバーと
一体に形成され、前記２本のタイバーのコーナー部に形
成されることを特徴とする。
【００１７】また、上記した従来の課題に鑑みてなされ
たもので、本発明の樹脂封止金型では、上金型および下
金型から構成され、少なくともリードフレームと半導体
素子が収納される実質６面体のキャビティと、前記６面
体のコーナー部から少なくとも前記上金型または前記下
金型の当接面に空気抜き溝を有することを特徴とする。
【００１８】更に、本発明の樹脂封止金型では、前記コ
ーナー部で前記上金型および下金型に押圧される前記リ
ードフレームには、夫々独立して成る第１のエアベント
および第２のエアベントが形成されており、前記コーナ
ー部の少なくとも１つには樹脂注入ゲートを有し、前記
キャビティ側に位置する前記樹脂ゲートの一端は前記キ
ャビティ領域から離間した前記当接面に形成され、前記
樹脂ゲートの一端と前記第１のエアベントとは連続して
成ることを特徴とする。
【００１９】また、上記した従来の課題に鑑みてなされ
たもので、本発明の半導体装置の製造方法では、少なく
とも複数のリードを一体に支持するタイバー、第１のエ
アベントおよび第２のエアベントが形成され、半導体素
子が搭載されたリードフレームを準備し、前記リードフ
レームを上金型および下金型から構成され、実質６面体
のキャビティと、前記リードフレームを介して前記上金
型と前記下金型とが当接する面に形成される前記６面体
の４つのコーナー部と、前記コーナー部から少なくとも
前記上金型または前記下金型の当接面に空気抜き溝を有
する樹脂封止金型に収納し、前記キャビティ内の空気が
前記第１のエアベント、前記空気抜き溝および前記第２
のエアベントを通過させて、前記キャビティ内に樹脂を
充填させ樹脂封止体を形成することを特徴とする。
【００２０】更に、本発明の半導体装置の製造方法で
は、好適には、前記金型から前記リードフレームを離型
した後、前記第１のエアベント内の樹脂は該第１のエア
ベント内に残存し、前記タイバーをカットする工程にお
いて、同時に前記第１および第２のエアベントを除去す
ることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明におけるリードフ
レーム、樹脂封止金型およびそれらを用いた半導体装置
の製造方法について、図１〜図１５を参照にして詳細に
説明する。
【００２２】先ず、図１〜図３を用いて、リードフレー
ムについて説明する。図１は、本発明の１実施の形態で
あるリードフレームの平面図である。図２は、図１に示
したリードフレームの１ユニットを拡大した平面図であ
る。図３は、本発明であるリードフレームの特徴部の拡
大図である。
【００２３】図１に示す如く、リードフレーム２１上に
は一点鎖線で示した１個の半導体装置に対応するユニッ
トを示す搭載部２４が複数個形成されている。図１で
は、４つの搭載部２４のみ図示しているが、少なくとも
１個配置されていれば良い。この搭載部２４は、紙面に
対して左右方向に延在する一対の第１の連結条体２２と
紙面に対して上下方向に延在する一対の第２の連結条体
２３とにより囲まれている。そして、この第１および第
２の連結条体２２、２３により、１枚のリードフレーム
２１上に複数の搭載部２４が配置される。尚、リードフ
レーム２１は、例えば、厚さが約１００〜２５０μｍの
銅を主材料とするフレームから成る。しかし、Ｆｅ―Ｎ
ｉを主材料としても良いし、他の金属材料でも良い。
【００２４】図２に示す如く、１つの搭載部２４は、主
に、アイランド２６とアイランド２６を支持する吊りリ
ード３１と、アイランド２６の４側辺の近傍に位置し、
この４側辺を囲むように第１および第２の連結条体２
２、２３へと延在される複数のリード２７と、吊りリー
ド３１の延在方向に位置し２又に分かれる吊りリード３
１と第１および第２の連結条体２２、２３と囲まれる領
域３２、または、吊りリード３１の両側にある２本のリ
ード２７と第１および第２の連結条体２２、２３で囲ま
れる領域３２に設けられる第１のエアベント２９および
第２のエアベント３０とから構成されている。本実施の
形態では、３つのエアベント形成領域３２に夫々第１の
エアベント２９および第２のエアベント３０を形成して
いるが、少なくとも１箇所に設けられれば良い。また、
樹脂注入口は少なくとも１箇所必要であり、ここでは、
○印３３のある右下コーナーに設けられるため、ここに
は、エアベントは設けられていない。尚、樹脂注入口の
位置は、必ずしも、４つのコーナー部に設ける必要はな
く、４つのコーナー部の全てのエアベント形成領域３２
に夫々第１のエアベント２９および第２のエアベント３
０を形成しても良い。
【００２５】図３に、２つのエアベント２９、３０を拡
大して示した。図３（Ａ）は、吊りリード３１が第１の
エアベント２９の両側に形成される場合の図である。図
３（Ｂ）は、吊りリード３１が第１のエアベント２９の
片側のみに形成される場合の図である。そして、図３
（Ｃ）は、吊りリード３１が第１のエアベント２９内に
形成される場合の図である。このエアベント形成領域３
２には、夫々独立した孔として第１のエアベント２９お
よび第２のエアベント３０が形成されている。そして、
２点鎖線で示すライン３４が樹脂パッケージの外側のラ
インであるが、第１のエアベント２９の一部がこのパッ
ケージ内に含まれていることに特徴がある。つまり、本
発明では、エアベント形成領域３２に２つの第１および
第２のエアベント２９、３０を形成し、第１のエアベン
ト２９をキャビティ４６（図４参照）と連続させてい
る。尚、本実施の形態では、リードフレームのエアベン
ト形成領域に設けられた２つの孔をそれぞれ第１のエア
ベント２９、第２のエアベント３０と定義する。
【００２６】具体的には、例えば、第１のエアベント２
９を“Ｔ”字型に形成しその一端の一部がキャビティ４
６内に含まれるようにする。つまり、第１のエアベント
２９が形成された部分のキャビティ４６は、キャビティ
４６内に存在した空気および樹脂が外部へと流出する孔
（隙間）が配置されることとなる。図４（Ｂ）では左側
に示した２つの矢印の先に示された部分２９Ａである。
そして、リードフレーム２１の厚みは１００〜２５０μ
ｍ程度であるので、この孔２９Ａは、リードフレーム２
１の厚みの分上下に開いている。一方、第１のエアベン
ト２９の延長線上には、第２のエアベント３０が第１の
エアベント２９とは独立して形成されている。そして、
両者は、後述する樹脂封止金型に設けられた空気抜き溝
４４を介して連結される。
【００２７】つまり、第２のエアベント３０は従来例で
示した孔５（図１３参照）の機能を持たせ、基本的に
は、第２のエアベント３０には、キャビティ４６内の空
気のみが流入し、外部に空気を抜き出すことを目的とし
ている。しかし、本発明のリードフレーム２１では、更
に、第２のエアベント３０にも樹脂を流入させることも
目的としている。このとき、第２のエアベント３０に
は、第１のエアベント２９同様に全体に充填されても良
いが、少なくとも空気抜き溝４４との連結部を含む領域
が充填されれば良い。このことは、以下の問題を解決す
るためである。
【００２８】パッケージを構成する封止材には、エポキ
シ樹脂とフィラーを主材料としてワックス、難然材料等
の微量成分が含まれている。そして、従来におけるリー
ドフレームの一部１３（図１３参照）と同様に、空気抜
き溝４４は狭いためフィラーが充填され難く、この部分
の硬化後の樹脂強度は低い。しかも、空気抜き溝４４で
は、第２のエアベント３０近傍のためモールド時の十分
な圧力がかからず、低粘度で多孔質な、また、エポキシ
樹脂とワックスとが分離した状態の樹脂バリとなる。そ
のため、この部分の樹脂バリはリードフレーム２１に対
しての密着性は低く、金型からの離型時には金型に張り
付き易く、リードフレーム２１からは剥がれやすい。
【００２９】そこで、本発明のリードフレーム２１で
は、第１および第２のエアベント２９、３０に樹脂を充
填させ、空気抜き溝４４内で硬化した樹脂を第１および
第２のエアベント２９、３０内で硬化した樹脂と一体化
させる。そのことで、空気抜き溝４４内で硬化した樹脂
だけでは剥離し易い等、非常に不安定な樹脂である。し
かし、上記３者の樹脂を一体化させることで、確実にリ
ードフレーム２１から剥離することを防ぐことができ
る。その結果、金型から離型する際に、特に、空気抜き
溝４４内で硬化した樹脂が金型内に残存することを防ぐ
ことができる。
【００３０】その他、上述した構造を有することで、リ
ードフレーム２１からは、以下の特徴が得られる。
【００３１】第１の特徴としては、図３に示す如く、リ
ードフレーム２１に設けられた第１のエアベント２９の
一部（ＨＬ１）がパッケージ内に含まれていることで、
樹脂封止の際、キャビティ４６内に存在した空気を確実
にキャビティ４６外部に抜き出すことができる。つま
り、リードフレーム２１の厚み２９Ａは、例えば、１０
０〜２００μｍ程度であるため、この厚みを有する第１
のエアベント２９からキャビティ４６内の空気および樹
脂は外部に抜き出される。そのことで、パッケージのコ
ーナー部には樹脂の未充填領域を無くすことができる。
たとえ、空気が残存しても未充填領域は、第１のエアベ
ント２９のＨＬ２側に集中するからである。
【００３２】第２の特徴としては、キャビティ４６から
直接第１のエアベント２９内に樹脂が流出するため、第
１のエアベント２９内の硬化樹脂がリードフレーム２１
厚でパッケージ４７と一体にされることである。つま
り、パッケージ４７を金型から離型する際も、第１のエ
アベント２９内の樹脂は、従来の樹脂バリと比べ数倍の
厚みをもってパッケージ４７、リードフレーム２１と一
体で離型され、金型内に残存することはない。その結
果、キャビティ４６から流出した樹脂で金型内を汚すこ
とのないリードフレームを実現できる。
【００３３】第３の特徴としては、第１のエアベント２
９と第２のエアベント３０とを独立して形成し、第２の
エアベント３０で、従来のエアベントの役割を担わせる
ことである。つまり、後述する樹脂封止金型に第１のエ
アベント２９と第２のエアベント３０とを連結する空気
抜き溝４４（図４参照）を設け、第２のエアベント３０
からキャビティ４６内に存在した空気を抜き出す。そし
て、この第１のエアベント２９は、図３（Ａ）に示す如
く、Ｌ＞Ｗとなるようにキャビティ４６端部から出来る
限り離れて形成される。そのことで、もし、空気抜き溝
４４に樹脂が残存し第１のエアベント２９と第２のエア
ベント３０が塞がれても、キャビティ４６内の空気は第
１のエアベント２９の端部ＨＬ２に残存することとな
る。その結果、パッケージは樹脂の未充填領域が無くな
る。ここで、Ｗは第１のエアベント２９の幅であり、Ｌ
は第１のエアベント２９の延在方向の長さである。
【００３４】尚、本実施の形態では、第１のエアベント
２９を“Ｔ”字型で示したが、特に限定される必要はな
く、丸型でも四角型でも良く、一部が図３の一点鎖線で
示すキャビティ４６内に入っていれば、同様な効果が得
られる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種
々の変更が可能である。
【００３５】次に、図４〜図１０を用いて、樹脂封止金
型について説明する。
【００３６】先ず、第１の実施の形態について、図４〜
図６を用いて説明する。図４（Ａ）は、上金型内部の平
面図であり、図４（Ｂ）は、樹脂モールド時におけるエ
アベント形成領域部の断面図である。
【００３７】図４（Ａ）に示す如く、上金型４１のキャ
ビティ４６のコーナー部には、図２に示したエアベント
形成領域３２に合わせて当接面４３が３箇所形成されて
いる。そして、この当接面４３は、下金型４２と合わさ
ることでリードフレーム２１をキャビティ４６内に支持
する働きを示す。また、リードフレーム２１に形成され
た第１および第２のエアベント２９、３０を空気抜き溝
４４を介して連結する働きがある。本発明では、第１お
よび第２のエアベント２９、３０を連結するために、こ
の上金型４１の当接面４３に空気抜き溝４４を形成する
ことに特徴がある。そして、図４（Ｂ）に示す如く、こ
の空気抜き溝４４は、第１のエアベント２９と第２のエ
アベント３０とを分離するリードフレーム２１の一部３
５を覆うように位置する。具体的には、空気抜き溝４４
の深さは、例えば、当接面４３から１０〜５０μｍ程度
で構成するように形成されている。そして、空気抜き溝
４４の長さは第１のエアベント２９と第２のエアベント
３０とを連結するように、両者と少し重なる程度の長さ
である。尚、図示の如く、下金型４２にも、予め、上金
型４１と同様に、第１および第２のエアベント２９、３
０を連結するための空気抜き溝を形成しても良い。ま
た、図示の如く、上金型４１では空気抜き溝４４が第２
のエアベント３０を全て覆うように形成されても良い
し、点線で示す如く、キャビティ４６から連続して形成
されても良い。この場合、点線で示す如く、空気抜き溝
４４と第１のエアベント２９との幅はほぼ同一であり、
かつ、空気抜き溝４４は第１のエアベント２９上下部の
当接面４３に位置する。そのことで、上述したように、
空気抜き溝４４により発生するバリは第１および第２の
エアベント２９、３０内の樹脂と一体に硬化する。その
結果、従来のように、空気抜き溝４４により発生するバ
リは３０〜５０μｍ程度の樹脂ばりとなることはない。
【００３８】次に、図４（Ｂ）を参照にして、キャビテ
ィ４６内の空気の流れ、特に、第１および第２のエアベ
ント２９、３０が形成された当接面４３を有するキャビ
ティ４６のコーナー部における空気の流れについて説明
する。図示の如く、樹脂モールドの際、キャビティ４６
内のコーナー部に追い込まれた空気および樹脂は、第１
のエアベント２９内へと流入する。このとき、リードフ
レーム２１の厚さは、例えば、１００〜２５０μｍ程度
あるため、第１のエアベント２９の幅も同様に、例え
ば、１００〜２５０μｍ程度ある。そのため、第１のエ
アベント２９内へはキャビティ４６内の空気のみではな
く、樹脂も一緒に流入する。そして、第１のエアベント
２９内では、空気がＨＬ２近傍に集まり、上金型４１ま
たは下金型４２に設けられた空気抜き溝４４を介して第
２のエアベント３０へと流入する。このとき、空気抜き
溝４４は、例えば、３０〜５０μｍ程度の幅で形成され
ている。そのため、リードフレーム２１のところで説明
した問題が発生するが、上述したように解決することが
できるので、ここでは、説明を割愛する。尚、図示の如
く、金型４１、４２の側面には離型性が考慮され傾斜が
設けられているが、キャビティ４６は、実質６面体から
なる。
【００３９】そして、上述した樹脂封止金型を用いるこ
とで、図５および図６に示す如く、パッケージ４７がリ
ードフレーム２１を覆うように各搭載部２４毎に形成さ
れる。図５は、リードフレーム２１上の１つの搭載部２
４を拡大した平面図であり、図６は、図５に示した搭載
部２４の第１および第２のエアベント２９、３０部にお
ける平面図ある。つまり、図６に示すように、本発明の
樹脂封止金型を用いることで、キャビティ４６から流出
した樹脂は第１のエアベント２９、空気抜き溝４４およ
び第２のエアベント３０の少なくとも一部で硬化する。
つまり、上述のように、パッケージの離型の際は、リー
ドフレーム２１および樹脂パッケージ４７と一体で離型
される。そして、キャビティ４６内の空気は図４（Ｂ）
の矢印の如く、空気抜き溝４４を介して第２のエアベン
ト３０より外部に抜け出すことができる。本発明では、
リードフレーム２１に２つのエアベント２９、３０を設
けることで、キャビティ４６内の空気を本来のパッケー
ジ領域外部に排除でき、更に、エアベントに対応する箇
所の金型を樹脂で汚すことが少ない樹脂封止金型を実現
できる。
【００４０】次に、第２の実施の形態について、図７〜
図９を用いて説明する。図７（Ａ）は、上金型内部の平
面図であり、図７（Ｂ）は、樹脂モールド時におけるエ
アベント形成領域部の断面図である。尚、第１の実施の
形態と同一の構成要素については同一の符号を付すこと
とする。
【００４１】先ず、第２の実施の形態では、図８に示し
たように樹脂注入ゲート４５に対応したエアベント形成
領域３２にも第１および第２のエアベント２９、３０が
形成されたリードフレーム４９を用いる。そして、図７
（Ａ）に示す如く、上金型４１のキャビティ４６のコー
ナー部には、図８に示したエアベント形成領域３２に合
わせて当接面４３が４箇所全てに形成されている。そし
て、この当接面４３は、下金型４２と合わさることでリ
ードフレーム４９をキャビティ４６内に支持する働きを
示す。また、リードフレーム４９に形成された第１およ
び第２のエアベント２９、３０を空気抜き溝４４により
連結する働きがある。そして、この構造は第１の実施の
形態と同じ構造であるので、第１の実施の形態の説明を
参照することとし、ここでは説明を割愛する。
【００４２】第２の実施の形態での特徴は、樹脂注入ゲ
ート部４５の先端をキャビティ４６と連続して形成せ
ず、キャビティ４６と離間した当接面４３に位置するよ
う形成することである。具体的には、図７（Ｂ）に示す
如く、上金型４５に設けられたゲート部４５は直接キャ
ビティー４６と連続して形成されず、第１のエアベント
２９のＨＬ２側に先端部が位置している。そのことで、
矢印で示したようにゲート部４５から流入する樹脂は第
１のエアベント２９を介してキャビティー４６内に流入
する。そして、他のコーナー部と同様に、ゲート部４５
においても第１のエアベント２９上面は上金型４１の当
接面４３が位置する。その結果、図９に示す如く、ゲー
ト部４５においても、第１および第２のエアベント２
９、３０が形成される領域３２上は樹脂ばりが発生しな
い構造を実現できる。
【００４３】つまり、本実施の形態のように、第１のエ
アベント２９を空気抜きに用いるだけでなく、ゲート部
４５においても第１のエアベント２９を用いて樹脂を注
入することで、パッケージ４７と連続する領域に樹脂ば
りの発生を防ぐことができる。特に、パッケージ４７の
４つのコーナー部において樹脂ばりの発生を防ぐことが
できる。そのことで、ＱＦＮ型の半導体装置のように、
樹脂ばり等の多少のごみでも実装不良を起こし易い裏面
実装型の場合に優れた効果をもたらすことができる。
尚、本実施の形態では、第１および第２のエアベントが
形成された場合について説明したが、この第２の実施の
形態では、特に限定する必要はない。少なくとも第１の
エアベントを有していれば同様な効果を得ることができ
る。
【００４４】更に、上述した第１および第２の実施の形
態において、例えば、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す如
く、予め、メッキ膜５０が形成されたリードフレーム２
１を用いる場合で、特に、例えば、２０〜３０μｍ程度
の厚いメッキ膜５０の場合、以下の問題が発生すること
が分かった。
【００４５】樹脂モールドする際、金型４１によりリー
ドフレーム２１３を押圧するが、この時、金型４１の圧
力により、金型４１との当接面のメッキ膜５０が押しつ
ぶされ、空気抜き溝４４内のメッキ膜５０が盛り上がっ
てします。このことで、例えば、３０〜５０μｍ程度の
溝が更に、狭い幅の溝となり、キャビティ４６内の未充
填領域を形成し易いという問題である。しかし、本発明
の樹脂封止金型では、上述したリードフレームと伴に用
いることで、少なくともリードフレーム２１厚の空気通
過経過は確実に確保できる。よって、パッケージ４７端
部に未充填領域を形成することはない。
【００４６】最後に、図１〜図１５を用いて、上述した
リードフレーム、樹脂封止金型を用いた半導体装置の製
造方法について説明する。
【００４７】ここで、上述したリードフレームおよび樹
脂封止金型の説明で用いた図面および各構成要素の符番
で共通のものは、本実施例の説明にも用いることとす
る。
【００４８】図１１に示す如く、本発明の半導体装置の
製造方法では、図１１（Ａ）に示す如く、リードフレー
ムを準備する工程、ダイボンドおよびワイヤーボンド工
程、樹脂モールド工程、タイバーカットおよびエアベン
トカット工程、メッキ工程、リード曲げ工程よりなる製
造方法と、図１１（Ｂ）に示す如く、リードフレームを
準備する工程、ダイボンドおよびワイヤーボンド工程、
樹脂モールド工程、メッキ工程、タイバーカットおよび
エアベントカット工程、リード曲げ工程よりなる製造方
法がある。そして、詳細は後述するが、本発明における
製造方法ではタイバーカット工程とエアベントカット工
程を同時に行うことに最大の特徴がある。そして、以下
に、この特徴により実現することができた図１１（Ｂ）
に示す製造方法について説明する。
【００４９】第１の工程は、図１に示す如く、リードフ
レームを準備する工程である。
【００５０】本実施の半導体装置の製造方法では、図１
〜図３を用いて上述したリードフレーム２１を用いる。
そのため、この工程は、上述したリードフレーム２１の
説明を参照することとし、ここでは説明を割愛する。
【００５１】第２の工程は、図１２に示す如く、半導体
素子５１をリードフレーム２１のアイランド２６上にダ
イボンドし、その半導体素子５１のボンディングパッド
とリードフレーム２１のリード２７とを金属細線５２で
ワイヤーボンドし、接続する工程である。
【００５２】本工程では、リードフレーム２１の各搭載
部２４毎に、アイランド２６表面にＡｇペーストなどの
導電ペーストによって半導体素子５１をダイボンドし固
定する。そして、前記細線としては、例えば、Ａｕ線よ
り成る。このとき、金属細線５２は超音波熱圧着ワイヤ
ーボンディングにより、ボンディングパッド部にはボー
ルボンディングし、リード２７側はステッチボンディン
グし接続する。尚、図示はしていないが、アイランド２
６上には導電ペーストとの接着性を考慮して銀メッキや
金メッキを施す場合もある。また、リード２７上には金
属細線５２の接着性が考慮して銀メッキやニッケルメッ
キが施される。その他、使用用途に応じて半導体素子５
１の接着手段としては、Ａｕ−Ｓｉ箔、半田等のロウ
材、絶縁材料から成る接着材またはフィルム等も用いら
れる。
【００５３】第３の工程は、樹脂封止金型を用いてリー
ドフレームを樹脂でモールドする工程である。
【００５４】本工程では、図１〜図３を用いて上述した
リードフレーム２１を用い、更に、図４〜図６を用いて
上述した樹脂封止金型を用いて樹脂モールドを行うこと
に特徴がある。そして、リードフレーム２１を金型から
離型した後は図１３に示す如く、リードフレーム２１上
にはパッケージ４７、ランナー４８部に樹脂が硬化して
いる。本工程における詳細な説明は、上述した図１から
図６の説明を参照とし、ここでは説明を割愛する。
【００５５】尚、本実施の形態における半導体装置の製
造方法の説明では、ＱＦＰ型の半導体装置であるリード
実装型の説明をしている。しかし、ＱＦＮ型の半導体装
置である裏面実装型の場合では、図７〜図９を用いて説
明した樹脂モールド工程の方が優れている。この場合に
おける説明も上述した図７〜図９の説明を参照とし、こ
こでは説明を割愛する。
【００５６】第４の工程は、パッケージ４７から露出し
ているリード２７にメッキを施す工程である。
【００５７】本工程では、リード酸化防止、半田濡れ性
等が考慮されリード２７にメッキを施す。このときは、
複数の搭載部２４が形成されたリードフレーム２１全体
にメッキを施す。例えば、リードフレーム２１またはリ
ードフレームを乗せるメッキ補助ラック側をカソード電
極、メッキ浴槽側にアノード電極を準備し、一度に複数
のリードフレーム２１にメッキを施す。このとき、メッ
キ浴槽には、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｂ
ｉ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ａｕ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ
−Ｃｕ等のメッキ液を準備し、これらのメッキ液の組み
合わせにより、少なくとも１層のメッキ膜がリード２７
に施される。尚、リードフレーム２１にＰｄメッキを採
用する場合は、樹脂モールド工程前に、予め、Ｐｄメッ
キが施されたリードフレーム２１が用いられる。その
他、予め、メッキが施されたリードフレーム２１を用い
る場合も同様である。
【００５８】第５の工程は、図１４に示す如く、リード
２７を一体に支持しているタイバーをカットし、同時
に、第１および第２のエアベント２９、３０を除去する
工程である。
【００５９】本工程では、リード２７を一体に支持して
いるタイバー２８を打ち抜き、リード２７を個々に独立
させる。このとき、本発明の特徴としては、第１および
第２のエアベント２９、３０を同時に打ち抜くことにあ
る。上述したように、本発明の半導体装置の製造方法で
は、キャビティ４６から流出する樹脂は第１のエアベン
ト２９内で硬化する。そのため、リードフレーム２１上
には樹脂バリは発生しない。また、リードフレーム２１
は、例えば、１００〜２５０μｍ程度の厚みを有してい
るため、樹脂は第１のエアベント２９、空気抜き溝４４
および第２のエアベント３０内で一体化して硬化してい
る。つまり、決められた位置に樹脂バリを形成すること
ができる。その結果、第１および第２のエアベント２
９、３０を打ち抜く際、リードフレーム２１と一緒に樹
脂バリも全て除去できるので、次工程のリードの曲げ加
工に樹脂バリを持ち込むことをなくすことができる。
尚、タイバー２８を打ち抜く際に、リード２７間に形成
されていた樹脂バリも除去することができる。このと
き、図示の如く、曲線を有するような形状５３で第１お
よび第２のエアベント２９、３０を打ち抜いても良い
が、円形、四角形等の形状でも良い。しかし、リードフ
レーム２１の一部５４を残し、第１および第２の連結条
体２２、２３と連結させておくことで、リードフレーム
２１から搭載部２４は離間されない。
【００６０】第５の工程は、図１５に示す如く、リード
の曲げ加工を行うと同時に、リードフレーム２１から個
々の半導体装置を分離する工程である。
【００６１】本工程では、先ず、メッキが施されたリー
ド２７を台座５６、５７上に設置し、半導体装置のパッ
ケージ４７およびリード２７を台座５６およびリード支
持手段５８で固定する。このとき、リード２７の先端を
台座５７上に設置する。そして、パンチ５５にてリード
２７が切断され、その他の部分は曲げ加工される。しか
し、本工程では、前工程において、パッケージ４７外部
の樹脂バリは全て除去しているため、この作業の衝撃等
により破砕した樹脂バリが台座５６上に点在することは
ない。そのことにより、このリードの曲げ加工におい
て、破砕した樹脂バリによりリード２７に打痕や成型不
良を起こす現象は殆ど抑制される。その結果、図１５
（Ｂ）に示す如く、パッケージ４７に未充填領域はな
く、そして、リード２７に打痕や成型不良がなく、製品
品質の優れた半導体装置が完成する。特に、例えば、１
００μｍ以下の薄いリードフレームや、例えば、５００
μｍ以下のファインピッチリードの場合には、上述の効
果が得られる。
【００６２】上述したように、本発明の半導体装置の製
造方法では、タイバーカット工程とエアベントカット工
程を同時行うことに特徴がある。そのことにより、タイ
バーカット工程とリード曲げ加工工程とを一貫工程とし
て行うことができる。その結果、作業時間の短縮および
設備投資の削減等を達成することができる。
【００６３】尚、本実施の形態では、図１１（Ｂ）に示
した半導体装置の製造方法について説明したが、図１１
（Ａ）に示した半導体装置の製造方法でも、同様な効果
を得ることができる。この図１１（Ａ）の場合では、メ
ッキ工程がタイバーカットおよびエアベントカット工程
とリード曲げ工程との間で行われるため、より確実に樹
脂バリを除去した状態でリード曲げ工程を行うことがで
きる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々
の変更が可能である。
【００６４】
【発明の効果】第１に、本発明のリードフレームによれ
ば、第１の連結条体と第２の連結条体との交差部近傍の
エアベント形成領域に夫々独立して成る第１のエアベン
トおよび第２のエアベントを形成する。そして、第１の
エアベントの一端は、樹脂モールドの際、キャビティと
連続して成ることに特徴を有する。そのことにより、キ
ャビティ内に存在する空気はこの第１のエアベントを介
して確実にキャビティ外部に流出する。その結果、キャ
ビティ内には空気が残存せず、樹脂が全てのキャビティ
内に充填され、未充填領域のないパッケージを形成でき
るリードフレームを実現できる。
【００６５】第２に、本発明のリードフレームによれ
ば、第１および第２のエアベントはリードフレームとほ
ぼ同等の厚さを有している。そして、樹脂モールドの
際、キャビティ内に存在する空気を追い出すと同時に樹
脂も流出するが、この樹脂を確実に第１および第２のエ
アベントおよび空気抜き溝内に溜めることができる。そ
のことにより、流出した樹脂が硬化してパッケージ外部
の樹脂バリとなるが、この樹脂バリは第１および第２の
エアベントおよび空気抜き溝を介してリードフレームと
一体となっている。その結果、半導体装置の製造工程に
おいて、樹脂バリが破砕し製品品質を悪化させたり、離
型の際金型内に残存させることないリードフレームを実
現できる。
【００６６】第３に、本発明のリードフレームによれ
ば、第１および第２のエアベントを夫々独立して形成す
る。そして、第１のエアベントをパッケージ形成領域か
ら外側に形成し、その先端側に第２のエアベントを形成
することに特徴を有する。そのことにより、キャビティ
内に存在する空気を出来る限りパッケージ外部に追いや
ることができる。その結果、第１のエアベントと第２の
エアベントとの間の連結部が樹脂等により塞がれても、
キャビティ外部に空気を確実に追い出すことができる。
リードフレームを実現できる。
【００６７】第４に、本発明の樹脂封止金型では、上述
したリードフレームに形成された第１および第２のエア
ベントを連結させる空気抜き溝をキャビティ端部から離
れた位置に形成することに特徴がある。そのことによ
り、パッケージ外側面に薄い樹脂バリが発生することを
なくすことができる。そして、空気抜き溝内の硬化した
樹脂は第１および第２のエアベント内の硬化した樹脂と
一体に扱うことができる。その結果、パッケージ離型の
際、金型内に樹脂バリが破砕し残存することがないの
で、製品品質を悪化させることのない樹脂封止金型を実
現できる。
【００６８】第５に、本発明の樹脂封止金型では、樹脂
注入ゲート部の先端をキャビティから離間した上金型と
下金型の当接面に位置させることに特徴がある。つま
り、ゲート部においても上述した第１のエアベントを用
いて樹脂を注入する構造を有している。そのことによ
り、ゲート部においてもパッケージ外側面に薄い樹脂バ
リが発生することをなくすことができる。その結果、特
に、リードレス型の半導体装置における実装不良を低減
する樹脂封止金型を実現できる。
【００６９】第６に、本発明の半導体装置の製造方法に
よれば、上述したリードフレームおよび樹脂封止金型を
用いて、樹脂モールドを行うことに特徴がある。そのこ
とにより、パッケージ外部の樹脂バリとリードとを一体
に扱うことができるので、タイバーカット工程と第１お
よび第２のエアベント形成領域をカットする工程を同時
に行うことができる。その結果、次工程におけるリード
曲げ加工工程時にはパッケージ外部の樹脂バリは全て除
去されているので、リード曲げ加工時に破砕した樹脂バ
リによりリードに打痕や成型不良を起こすことがない。
【００７０】第７に、本発明の半導体装置の製造方法に
よれば、第５の効果で述べたように、タイバーカット工
程とエアベントカット工程を同時行うことに特徴があ
る。そのことにより、後工程であるリード曲げ加工工程
を一貫工程として行うことができる。その結果、作業時
間の短縮および設備投資の削減等の達成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のリードフレームを説明する平面図であ
る。
【図２】本発明のリードフレームを説明する平面図であ
る。
【図３】本発明のリードフレームを説明する平面図であ
る。
【図４】本発明の第１の実施の形態における樹脂封止金
型を説明する図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態における樹脂封止金
型を用いて形成されたパッケージを説明する図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態における樹脂封止金
型を用いて形成されたパッケージを説明する図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態における樹脂封止金
型を説明する図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態における樹脂封止金
型に用いられるリードフレームを説明する図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態における樹脂封止金
型を用いて形成されたパッケージを説明する図である。
【図１０】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
【図１１】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
【図１２】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
【図１３】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
【図１４】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
【図１５】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
【図１６】従来における半導体装置の製造方法を説明す
る図である。
【図１７】従来における半導体装置の製造方法を説明す
る図である。
【図１８】従来における半導体装置の製造方法を説明す
る図である。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F202 AD03 AD18 AH37 AM32 AM33 CA11 CB01 CB12 CB17 CK06 CP01 CP04 4F206 AD03 AD18 AH37 AM32 AM33 JA07 JB12 JB17 JF05 JM04 JN26 JQ04 JQ81 5F061 AA01 BA01 CA21 DA08 DD12 EA03 5F067 AA09 AB03 BA02 DE14

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも１つのアイランドと、 前記アイランドを囲むように配置された一対の第１の連
    結条体および第２の連結条体と、 前記第１および第２の連結条体から前記アイランド近傍
    へ延在された複数のリードと、 前記リードを一体とし、前記アイランドを囲むように配
    置されたタイバーと、 前記第１および第２の連結条体が交差する領域近傍に形
    成されたエアベント配置領域を有し、 前記エアベント配置領域には、該エアベント配置領域と
    前記アイランドとの間のリード形成領域と貫通した第１
    のエアベントと該第１のエアベントに近傍し独立して成
    る第２のエアベントを有することを特徴とするリードフ
    レーム。
  2. 【請求項２】 前記エアベント配置領域は２本の前記タ
    イバーと一体に形成され、前記２本のタイバーの交差近
    傍に形成されることを特徴とする請求項１記載のリード
    フレーム。
  3. 【請求項３】 前記第１のエアベントは、その幅Ｗより
    も延在方向長さＬを長くし、樹脂バリ発生領域とするこ
    とを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  4. 【請求項４】 前記第１のエアベントの一部は、樹脂封
    止体形成領域内に含まれることを特徴とする請求項１ま
    たは請求項３記載のリードフレーム。
  5. 【請求項５】 前記第２のエアベントは、前記アイラン
    ドに対して前記第１のエアベントよりも外側に形成さ
    れ、前記第１のエアベントと前記第２のエアベントと
    は、金型に形成される空気抜き溝を介して貫通すること
    を特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  6. 【請求項６】 前記第２のエアベントは空気を外部に排
    出する孔であることを特徴とする請求項１、請求項４ま
    たは請求項５記載のリードフレーム。
  7. 【請求項７】 上金型および下金型から構成され、少な
    くともリードフレームと半導体素子が収納される実質６
    面体のキャビティと、 前記６面体のコーナー部から少なくとも前記上金型また
    は前記下金型の当接面に空気抜き溝を有することを特徴
    とする樹脂封止金型。
  8. 【請求項８】 前記コーナー部の少なくとも１つには、
    前記空気抜き溝が形成されることを特徴とする請求項７
    記載の樹脂封止金型。
  9. 【請求項９】 前記コーナー部で前記上金型および下金
    型に押圧される前記リードフレームには、夫々独立して
    成る第１のエアベントおよび第２のエアベントが形成さ
    れており、前記第１および第２のエアベントは前記空気
    抜き溝を介して連結していることを特徴とする請求項７
    または請求項８記載の樹脂封止金型。
  10. 【請求項１０】 前記空気抜き溝は前記キャビティから
    連続して形成され、前記第１のエアベントのほぼ上面又
    は下面に位置することを特徴とする請求項９記載の樹脂
    封止金型。
  11. 【請求項１１】 前記上金型および下金型で成るキャビ
    ティには、前記第１のエアベントの一部が含まれること
    を特徴とする請求項９記載の樹脂封止金型。
  12. 【請求項１２】 前記キャビティ側に位置する前記空気
    抜き溝の一端は前記キャビティ領域から離間した前記当
    接面に形成されることを特徴とする請求項８記載の樹脂
    封止金型。
  13. 【請求項１３】 前記コーナー部で前記上金型および下
    金型に押圧される前記リードフレームには、夫々独立し
    て成る第１のエアベントおよび第２のエアベントが形成
    されており、前記コーナー部の少なくとも１つには樹脂
    注入ゲートを有し、前記キャビティ側に位置する前記樹
    脂ゲートの一端は前記キャビティ領域から離間した前記
    当接面に形成され、前記樹脂ゲートの一端と前記第１の
    エアベントとは連続して成ることを特徴とする請求項７
    記載の樹脂封止金型。
  14. 【請求項１４】 前記キャビティと連続して設けられる
    前記当接面の境界周辺は、ほぼ全面を前記リードフレー
    ム支持領域として用いることを特徴とする請求項７記載
    の樹脂封止金型。
  15. 【請求項１５】 少なくとも複数のリードを一体に支持
    するタイバー、第１のエアベントおよび第２のエアベン
    トが形成され、半導体素子が搭載されたリードフレーム
    を準備し、上金型および下金型から構成され、実質６面
    体のキャビティと、前記リードフレームを介して前記上
    金型と前記下金型とが当接する面に形成される前記６面
    体の４つのコーナー部と、前記コーナー部から少なくと
    も前記上金型または前記下金型の当接面に空気抜き溝を
    有する樹脂封止金型に前記リードフレームを収納し、前
    記キャビティ内の空気が前記第１のエアベント、前記空
    気抜き溝および前記第２のエアベントを通過させて、前
    記キャビティ内に樹脂を充填させ樹脂封止体を形成する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記第１および第２のエアベントは前
    記４つのコーナー部近傍の前記リードフレームに形成さ
    れ、前記第１のエアベントと前記第２のエアベントとは
    前記空気抜き溝を介して連結していることを特徴とする
    請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記第１のエアベントの他端は前記キ
    ャビティ内と連続しており、少なくとも前記第１のエア
    ベント内は樹脂で充填されることを特徴とする請求項１
    ５または請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記金型から前記リードフレームを離
    型した後、少なくとも前記第１のエアベント内の樹脂は
    該第１のエアベント内に残存し、前記タイバーをカット
    する工程において、同時に前記第１および第２のエアベ
    ントを除去することを特徴とする請求項１５から請求項
    １７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記金型から前記リードフレームを離
    型した後、前記タイバーをカットする工程と、前記リー
    ドを所望の形状に曲げ加工する工程とを連続して行うこ
    とを特徴とする請求項１５または請求項１８記載の半導
    体装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記リードには、少なくとも１層のメ
    ッキ層が形成されることを特徴とする請求項１９記載の
    半導体装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記メッキ層は、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｓｎ−
    Ｐｂ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ａｕ−Ａ
    ｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕから選択される組み合わせにより
    施されることを特徴とする請求項２０記載の半導体装置
    の製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記コーナー部の少なくとも１つには
    樹脂注入ゲートを有し、前記キャビティ側に位置する前
    記樹脂注入ゲートの一端は前記キャビティと離間した前
    記当接面に位置し、前記樹脂注入ゲートの一端と前記第
    １のエアベントとは連続しており、前記樹脂を前記第１
    のエアベントから前記キャビティ内に充填することを特
    徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記コーナー部の少なくとも１つには
    樹脂注入ゲートを有し、前記キャビティ側に位置する前
    記樹脂注入ゲートおよび前記空気抜き溝の一端は前記キ
    ャビティと離間した前記当接面に位置し、前記樹脂注入
    ゲートの一端と前記第１のエアベントとは連続してお
    り、前記キャビティには前記第１のエアベントを介して
    前記樹脂を充填し、かつ、前記キャビティからは前記第
    １のエアベントを介して前記空気を排出することを特徴
    とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
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