JP5865038B2 - 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置 - Google Patents
素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5865038B2 JP5865038B2 JP2011261702A JP2011261702A JP5865038B2 JP 5865038 B2 JP5865038 B2 JP 5865038B2 JP 2011261702 A JP2011261702 A JP 2011261702A JP 2011261702 A JP2011261702 A JP 2011261702A JP 5865038 B2 JP5865038 B2 JP 5865038B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- lead
- emitting diode
- insulating resin
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V21/00—Supporting, suspending, or attaching arrangements for lighting devices; Hand grips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
Description
また、右側の第1直線部10Bは、幅方向に投影したときに、左側の第1直線部10Aよりやや前側に突出している。
一般式(1):
上記一般式(1)中、R1で示される1価の炭化水素基において、飽和炭化水素基としては、例えば、炭素数1〜6の直鎖状または分岐状のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基など)、例えば、炭素数3〜6のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基など)などが挙げられる。
一般式(2):
R2−Si(X1)3 (2)
(一般式(2)中、R2は、1価のエチレン系不飽和炭化水素基を示し、X1は、ハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基、またはアセトキシ基を示す。但し、X1は、同一または互いに相異なっていてもよい。)
上記一般式(2)において、R2で示されるエチレン系不飽和炭化水素基としては、置換または非置換のエチレン系不飽和炭化水素基が挙げられ、例えば、アルケニル基、シクロアルケニル基などが挙げられる。
一般式(3):
R3−Si(X2)3 (3)
(一般式(3)中、R3は、エポキシ構造含有基を示し、X2は、ハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基、またはアセトキシ基を示す。但し、X2は、同一または互いに相異なっていてもよい。)
一般式(3)において、R3で示されるエポキシ構造含有基としては、例えば、エポキシ基、例えば、グリシジルエーテル基、例えば、エポキシシクロヘキシル基などのエポキシシクロアルキル基などが挙げられる。
一般式(4):
上記一般式(4)中、R4で示される2価の炭化水素基において、飽和炭化水素基としては、例えば、炭素数1〜6のアルキレン基(メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基など)、例えば、炭素数3〜8のシクロアルキレン基(シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基など)などが挙げられる。
A〜Dは、水素側鎖含有オルガノポリシロキサンを構成する。
R6で示される1価の炭化水素基において、飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基は、上記式(1)のR1で例示した飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。1価の炭化水素基として、好ましくは、メチル、フェニル、さらに好ましくは、メチルが挙げられる。
2 隙間
3 リード
4 リードフレーム
4’ ジョイント付リードフレーム
5 第1絶縁樹脂部
6 第2絶縁樹脂部
16 ジョイント
17 発光ダイオード素子
18 発光ダイオード装置
19 封止シート
Claims (6)
- 発光ダイオード素子が厚み方向一方側に接続されるためのリードフレームであって、第1リードと、前記第1リードに対して隙間を隔てて配置される第2リードとを備える前記リードフレームと、
前記隙間に充填される光反射性の第1絶縁樹脂部と
を備え、
前記第1リードは、
複数の第1直線部と、
前記第1直線部が延びる方向と直交する直交方向に沿って延び、複数の前記第1直線部の一方側の端部を接続する第1接続部とを一体的に備え、
前記第2リードは、
前記直交方向において前記第1直線部に対して間隔を隔てて配置され、前記第1直線部と平行に延びる複数の第2直線部と、
前記直交方向に沿って延び、前記一方側とは反対側の他方側において、複数の前記第2直線部の端部を接続する第2接続部とを一体的に備え、
前記第1接続部は、前記第1絶縁樹脂部の前記一方側に間隔を隔てて配置され、
前記第2接続部は、前記第1絶縁樹脂部の前記他方側に間隔を隔てて配置され、
前記第1直線部の他方側の端部は、前記第2接続部に対して間隔を隔てて配置され、
前記第2直線部の一方側の端部は、前記第1接続部に対して間隔を隔てて配置されることを特徴とする、素子接続用基板。 - 前記第1絶縁樹脂部は、封止樹脂組成物と光反射成分とを含有する反射樹脂組成物から形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の素子接続用基板。
- 前記リードフレームの前記厚み方向他方面および/または側面に設けられる第2絶縁樹脂部をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の素子接続用基板。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の素子接続用基板と、
前記リードフレームの前記厚み方向一方面に接続される発光ダイオード素子とを備えることを特徴とする、発光ダイオード装置。 - 前記素子接続用基板の前記厚み方向一方側に形成され、前記発光ダイオード素子を封止する封止シートをさらに備えることを特徴とする、請求項4に記載の発光ダイオード装置。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の素子接続用基板を製造するための製造方法であって、
前記第1リードと、前記第2リードと、前記第1リードと前記第2リードとを連結するジョイントとを備えるリードフレームを用意する工程、
前記第1接続部の前記他方側に間隔を隔てるとともに、前記第2接続部の前記一方側に間隔を隔てるように、前記第1絶縁樹脂部を前記隙間に充填する工程、および、
前記一方側および前記他方側において、第1絶縁樹脂部よりも外側で前記ジョイントを切断する工程
を備えることを特徴とする、素子接続用基板の製造方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011261702A JP5865038B2 (ja) | 2011-11-30 | 2011-11-30 | 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置 |
KR1020120137488A KR20130061108A (ko) | 2011-11-30 | 2012-11-30 | 소자 접속용 기판, 그 제조 방법 및 발광 다이오드 장치 |
EP12194998.6A EP2600428A3 (en) | 2011-11-30 | 2012-11-30 | Element-connecting board, producing method thereof, and light emitting diode device |
TW101145108A TWI555156B (zh) | 2011-11-30 | 2012-11-30 | 元件連接用基板、其製造方法及發光二極體裝置 |
CN201210507621.XA CN103137845B (zh) | 2011-11-30 | 2012-11-30 | 元件连接用基板、其制造方法及发光二极管装置 |
TW105122495A TW201639200A (zh) | 2011-11-30 | 2012-11-30 | 發光二極體裝置之製造方法 |
US13/690,494 US8872211B2 (en) | 2011-11-30 | 2012-11-30 | Element-connecting board, producing method thereof, and light-emitting diode device |
CN201220652194XU CN202957297U (zh) | 2011-11-30 | 2012-11-30 | 元件连接用基板及发光二极管装置 |
US14/315,948 US8975101B2 (en) | 2011-11-30 | 2014-06-26 | Element connecting board, producing method thereof, and light emitting diode device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011261702A JP5865038B2 (ja) | 2011-11-30 | 2011-11-30 | 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013115310A JP2013115310A (ja) | 2013-06-10 |
JP5865038B2 true JP5865038B2 (ja) | 2016-02-17 |
Family
ID=47325897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011261702A Expired - Fee Related JP5865038B2 (ja) | 2011-11-30 | 2011-11-30 | 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8872211B2 (ja) |
EP (1) | EP2600428A3 (ja) |
JP (1) | JP5865038B2 (ja) |
KR (1) | KR20130061108A (ja) |
CN (2) | CN103137845B (ja) |
TW (2) | TWI555156B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10043960B2 (en) * | 2011-11-15 | 2018-08-07 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) packages and related methods |
JP5865038B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-02-17 | 日東電工株式会社 | 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置 |
JP2015130476A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-07-16 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置 |
TW201639201A (zh) * | 2015-04-20 | 2016-11-01 | 億光電子工業股份有限公司 | 發光模組 |
TWI569481B (zh) * | 2015-07-22 | 2017-02-01 | 友嘉科技股份有限公司 | 次黏著基板陣列 |
CN109075230B (zh) * | 2016-04-26 | 2021-04-27 | 西铁城电子株式会社 | 发光装置 |
CN107994109A (zh) * | 2016-10-27 | 2018-05-04 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种cob显示模组及其制造方法 |
TWI634679B (zh) * | 2017-03-27 | 2018-09-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體裝置及其支架 |
CN111373852B (zh) * | 2017-12-04 | 2021-10-22 | 株式会社富士 | 电子元件安装方向确认系统及电子元件安装方向确认方法 |
US10862015B2 (en) | 2018-03-08 | 2020-12-08 | Samsung Electronics., Ltd. | Semiconductor light emitting device package |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0728834A (ja) | 1993-07-12 | 1995-01-31 | Sony Corp | 情報検索装置 |
JP3329573B2 (ja) | 1994-04-18 | 2002-09-30 | 日亜化学工業株式会社 | Ledディスプレイ |
US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
JP2002314143A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP2002374007A (ja) | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP3773855B2 (ja) * | 2001-11-12 | 2006-05-10 | 三洋電機株式会社 | リードフレーム |
JP3838572B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2006-10-25 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2006049442A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP4205135B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2009-01-07 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム |
JP5233170B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2013-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法 |
KR101326888B1 (ko) * | 2007-06-20 | 2013-11-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
JP2011060819A (ja) | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置 |
JP5381563B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2014-01-08 | 凸版印刷株式会社 | 発光素子用リードフレーム基板の製造方法 |
JP5397195B2 (ja) | 2009-12-02 | 2014-01-22 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板の製造方法、及び、光半導体装置の製造方法 |
JP2011151239A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Toppan Printing Co Ltd | Led用リードフレーム及びledモジュールの製造方法 |
JP5340191B2 (ja) | 2010-02-02 | 2013-11-13 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置 |
JP5545246B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-07-09 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂組成物及び発光半導体素子用リフレクター、及び発光半導体装置 |
JP5865038B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-02-17 | 日東電工株式会社 | 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置 |
-
2011
- 2011-11-30 JP JP2011261702A patent/JP5865038B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-11-30 TW TW101145108A patent/TWI555156B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-11-30 CN CN201210507621.XA patent/CN103137845B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-30 TW TW105122495A patent/TW201639200A/zh unknown
- 2012-11-30 KR KR1020120137488A patent/KR20130061108A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-11-30 EP EP12194998.6A patent/EP2600428A3/en not_active Withdrawn
- 2012-11-30 CN CN201220652194XU patent/CN202957297U/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-30 US US13/690,494 patent/US8872211B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-26 US US14/315,948 patent/US8975101B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103137845B (zh) | 2017-04-12 |
EP2600428A3 (en) | 2015-07-29 |
EP2600428A2 (en) | 2013-06-05 |
KR20130061108A (ko) | 2013-06-10 |
TW201639200A (zh) | 2016-11-01 |
CN103137845A (zh) | 2013-06-05 |
US20140329346A1 (en) | 2014-11-06 |
TW201324722A (zh) | 2013-06-16 |
US8872211B2 (en) | 2014-10-28 |
JP2013115310A (ja) | 2013-06-10 |
TWI555156B (zh) | 2016-10-21 |
CN202957297U (zh) | 2013-05-29 |
US8975101B2 (en) | 2015-03-10 |
US20130134467A1 (en) | 2013-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5865038B2 (ja) | 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置 | |
JP5840388B2 (ja) | 発光ダイオード装置 | |
US9246063B2 (en) | Phosphor encapsulating sheet, light emitting diode device, and producing method thereof | |
JP5767062B2 (ja) | 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法 | |
US8937329B2 (en) | Encapsulating sheet, light emitting diode device, and producing method thereof | |
JP5775375B2 (ja) | 発光ダイオード装置の製造方法 | |
US20120319153A1 (en) | Encapsulating sheet and optical semiconductor element device | |
US20130164869A1 (en) | Producing method of light emitting diode device | |
JP2013258209A (ja) | 封止シート、発光ダイオード装置およびその製造方法 | |
JP2008159713A (ja) | 発光装置 | |
EP2750209A2 (en) | Encapsulating sheet | |
JP5839880B2 (ja) | シリコーン樹脂組成物、封止材料および発光ダイオード装置 | |
JP5882729B2 (ja) | シリコーン樹脂シート、硬化シート、発光ダイオード装置およびその製造方法 | |
JP2015128188A (ja) | キット | |
EP2750210A2 (en) | Encapsulating sheet | |
JP2013001814A (ja) | シリコーン樹脂組成物、封止層、リフレクタおよび光半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150428 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5865038 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |