JP5545246B2 - 樹脂組成物及び発光半導体素子用リフレクター、及び発光半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、光半導体素子用リフレクターとしての用途に最適な樹脂組成物に関する。更に、特に５００ｎｍ以下の波長を発する発光半導体素子用のリフレクターとして最適な反射率を持ったリフレクター並びにこれを使用した発光半導体装置に関する。

従来から、発光半導体、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）等に使用される樹脂製のリフレクターは広く知られている。
通常発光ダイオード等に使用されるリフレクター（反射材）は、ＰＰＡ（ポリフタルアミド）等の熱可塑性樹脂に酸化チタン等の白色顔料が配合されたものである。現在、ほぼ全ての発光ダイオードはこの材料で成形されたリフレクターを使用している。

一方、発光ダイオードは照明分野等でより一層の明るさや耐久性が要求されている。このため、発光ダイオードはより短波長の発光ダイオードを使用し、単位電力あたりの明るさの改善に多大な労力を費やしている。

このような状況において、リフレクターに対し短波長での光反射率の向上、及び高耐久性化が市場から強く要請されている。

発光半導体素子用のリフレクターとして、従来はＰＰＡ樹脂が幅広く使用されていたが、最近では特開２００６−１４０２０７号公報（特許文献１），特開２００７−２９７６０１号公報（特許文献２）等にエポキシ樹脂、硬化剤、充填剤からなり、波長３５０〜８００ｎｍの範囲で反射率が８０％以上、熱伝導率が１〜１０Ｗ／Ｋの熱硬化性樹脂で成形したものが例示されている。

しかし、上記の波長範囲で反射率を８０％以上維持するためにアルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム等の白色顔料を使用することが記載されている。これら顔料では３５０〜８００ｎｍの範囲で反射率を８０％以上維持するためには、これら顔料を多量に添加しなければならない。また、アルミナ以外の顔料は吸湿性や水に溶解しやすい等の問題が多く、信頼性の高いリフレクターには適していないものである。

また、ＰＰＡ樹脂やエポキシ樹脂を短波長の強い光を放つ発光ダイオード用に使用した場合、光によって樹脂が分解し、変色することで反射率が低下するといった不具合も発生している。

特開２００６−１４０２０７号公報 特開２００７−２９７６０１号公報

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、白色性、耐熱性、耐湿性、耐光性を保持し、均一でかつ黄変が少なく、３００〜５００ｎｍ、特に４００〜５００ｎｍの波長範囲において反射率が８０％以上で、硬化時の反り量が少ない硬化物を与え、発光半導体素子用リフレクターを形成するのに有効な樹脂組成物、当該樹脂を用いた発光半導体素子用リフレクター、更にこのリフレクターを用いた発光半導体装置を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、発光半導体素子用リフレクターの形成に用いる無機質充填剤として希土類元素酸化物を用いることが有効で、光反射率、輝度の低下も少ないことを知見したものである。
従って、本発明は、下記の樹脂組成物、発光半導体素子用リフレクター、及び発光半導体装置を提供する。
請求項１：
有機樹脂１００質量部と平均粒径０．５〜６０μｍの無機質充填剤粉末５０〜１０００質量部とを含有してなり、上記無機質充填剤の１０〜１００質量％が希土類元素酸化物であることを特徴とする発光半導体素子のリフレクター形成用樹脂組成物。
請求項２：
有機樹脂が、ポリフタルアミド、エポキシ樹脂、又はシリコーン樹脂である請求項１記載の樹脂組成物。
請求項３：
有機樹脂の５〜１００質量％がシリコーン樹脂である請求項１記載の樹脂組成物。
請求項４：
希土類元素が、イットリウム、ネオジム、インジウム、ランタン、セリウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム及びジスプロシウムから選ばれるものである請求項１乃至３のいずれか１項記載の樹脂組成物。
請求項５：
希土類元素酸化物以外の無機質充填剤として、ケイ素、マグネシウム、チタン、亜鉛及びアルミニウムから選ばれる元素の酸化物を含む請求項１乃至４のいずれか１項記載の樹脂組成物。
請求項６：
請求項１乃至５のいずれか１項記載の樹脂組成物の硬化物からなる発光半導体素子用リフレクター。
請求項７：
リフレクターが、発光半導体素子を実装するダイパッドと、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードとの間を充満する状態に形成された平面状である請求項６記載のリフレクター。
請求項８：
リフレクターが、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリード上、又は該リード及び発光半導体素子電極を実装するダイパッド上に設けられて、内部に発光半導体素子を収容可能なリング壁体状に形成された凹形状である請求項６記載のリフレクター。
請求項９：
上記リング壁体と連続して上記リード間又はリードとダイパッドとの間を充満した状態に形成された請求項８記載のリフレクター。
請求項１０：
発光半導体素子と、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードと、請求項６乃至９のいずれか１項に記載の発光半導体素子用リフレクターとを備え、上記発光半導体素子を透明樹脂又は蛍光体含有透明樹脂で封止してなる発光半導体装置。
請求項１１：
発光半導体素子の発光波長が５００ｎｍ以下である請求項１０記載の発光半導体装置。

本発明の樹脂組成物を用いることにより、光反射率が高く、輝度の低下も少ない発光半導体素子用リフレクター及び発光半導体装置を提供できる。

凹形状のリフレクターの一例を示し、（Ａ）は（Ｂ）のＸ−Ｘ線断面図、（Ｂ）は発光半導体素子及び金線を省略した平面図である。 平面状のリフレクターの一例を示す断面図である。 個片型の凹形状のリフレクターの一例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。 マトリックスタイプの凹形状のリフレクターの一例を示す斜視図である。 マトリックスタイプの平面状リフレクターの一例を示し、（Ａ）は発光半導体素子及び金線を省略した平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＹ−Ｙ線断面図である。

本発明の樹脂組成物は、有機樹脂と無機質充填剤を必須成分とする。
本発明に使用する有機樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれも使用することができる。これらの樹脂の中でも熱可塑性樹脂としては、従来からよく使用されているポリフタルアミド（ＰＰＡ）が代表的なものである。

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、更にはシリコーン樹脂と有機樹脂の混成樹脂等が例示される。

エポキシ樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのエポキシ樹脂を用いる場合、硬化剤として酸無水物、各種フェノール樹脂、各種アミン化合物等を使用して硬化することが好ましい。
中でも、エポキシ樹脂としてトリグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン誘導体エポキシ樹脂を用い、硬化剤として酸無水物を用いると共に、リン系硬化促進剤等の硬化促進剤を配合した熱硬化性樹脂組成物が、耐熱性や耐光性が優れていることから特に望ましいものである。

この場合、上記硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対し、酸無水物の場合は２０〜４００質量部、フェノール樹脂の場合は１０〜３００質量部、アミン化合物の場合は５〜２００質量部とすることが好ましい。また、硬化促進剤はエポキシ樹脂１００質量部に対し０．１〜５質量部とすることが好ましい。

シリコーン樹脂としては、縮合型や付加型の熱硬化性シリコーン樹脂を代表的なものとして例示することができる。
縮合型の熱硬化性シリコーン樹脂としては、
Ｒ¹ _aＳｉ（ＯＲ²）_b（ＯＨ）_cＯ_(4-a-b-c)/2 （１）
（式中、Ｒ¹は同一又は異種の炭素数１〜２０の有機基、Ｒ²は同一又は異種の炭素数１〜４の有機基を示し、０．８≦ａ≦１．５、０≦ｂ≦０．３、０．００１≦ｃ≦０．５、０．８０１≦ａ＋ｂ＋ｃ＜２を満たす数である。）
で示されるようなシリコーン樹脂が挙げられ、これに縮合触媒を配合したシリコーン樹脂組成物が好ましい。

ここで、Ｒ¹の有機基としては、炭素数１〜２０、好ましくは１〜１５、特に１〜１０の１価炭化水素基が挙げられ、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等を例示することができる。また、Ｒ²の炭素数１〜４の有機基としては、アルキル基、アルケニル基、アシル基等を例示することができる。

なお、上記縮合触媒としては、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、ｎ−ヘキシルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）、ジシアンジアミド等の塩基性化合物類；テトライソプロピルチタネート、テトラブチルチタネート、チタンアセチルアセトナート、アルミニウムトリイソブトキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド、ジルコニウムテトラ（アセチルアセトナート）、ジルコニウムテトラブチレート、コバルトオクチレート、コバルトアセチルアセトナート、鉄アセチルアセトナート、スズアセチルアセトナート、ジブチルスズオクチレート、ジブチルスズラウレート、オクチル酸亜鉛、安息香酸亜鉛、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、リン酸アルミニウム、アルミニウムトリイソプロポキシド等の含金属化合物類、アルミニウムトリスアセチルアセトネート、アルミニウムビスエチルアセトアセテート・モノアセチルアセトネート、ジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）チタン等の有機チタンキレート化合物等が挙げられる。この中で特に、オクチル酸亜鉛、安息香酸亜鉛、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、リン酸アルミニウム、アルミニウムトリイソプロポキシドが好ましい。中でも安息香酸亜鉛、有機チタンキレート化合物等を挙げることができ、上記シリコーン樹脂１００質量部に対し０．０１〜１０質量部、好ましくは０．１〜６質量部の配合量とすることができる。該範囲内では、硬化性が良好であり、組成物の貯蔵安定性もよい。

付加型の熱硬化性シリコーン樹脂としては、ビニル基等のアルケニル基を一分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサンと、ＳｉＨ基を一分子中に２個以上、好ましくは３個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンの組合せを用いることができ、これに白金触媒を添加したシリコーン樹脂組成物が用いられる。なお、オルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン１００質量部に対し１０〜１０００質量部とすることができ、また、白金触媒の配合量は、該オルガノポリシロキサンに対し１〜５００ｐｐｍとすることが好ましい。

混成樹脂としてはトリグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン誘導体エポキシ樹脂とシリコーン樹脂との組合せが好ましく、これに上述した酸無水物、硬化促進剤を配合した熱硬化性エポキシ−シリコーン樹脂組成物が、硬化性に優れ、耐熱性、耐光性に優れると共に、良好な強度を有することから望ましい。なお、この場合のシリコーン樹脂は、上記式（１）のシリコーン樹脂を用いることが好ましい。上記エポキシ樹脂とシリコーン樹脂との割合は、質量比として１０：９０〜９０：１０であることが好ましい。酸無水物、硬化促進剤の配合量は上述した通りである。

更に、本発明は成形性や良好な硬化物物性を得るために、予めエポキシ樹脂及び／又は一分子中に少なくとも１個のエポキシ基を有するシリコーン樹脂と酸無水物を、あるいは一分子中に少なくとも１個のエポキシ基を有するシリコーン樹脂と酸無水物を予め予備反応させ、重合度を高めたものを使用することもできる。

特に、５００ｎｍ以下の光を発光する高輝度の発光素子を搭載するリフレクターにはシリコーン樹脂やシリコーン樹脂とエポキシ樹脂等の混成樹脂を使用することが好ましい。エポキシ樹脂単独や熱可塑性のポリフタルアミド等を使用すると発光時の発熱や短波長の光により樹脂が分解し、変色することで光反射率が低下し、光の取り出し効率が低下する場合がある。

このため、耐熱性や耐光性が最も優れているシリコーン樹脂が望ましいものである。シリコーン樹脂の中でもメチル基含有量の多いシリコーン樹脂がよい。例えば、式（１）において、Ｒ¹がメチル基のものが好適に用いられる。

次に、無機質充填剤としては、希土類元素酸化物を必須成分として含有する。ここで、希土類元素とは、元素周期律表第ＩＩＩ族に属する原子番号５７番から７１番のランタノイド１５元素（ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム）に同じ第ＩＩＩ族の２１番のスカンジウムと３９番のイットリウムを加えた１７元素の総称である。
これらの中では、イットリウム、ネオジム、インジウム、ランタン、セリウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウムの酸化物が好ましい。

本発明では上記した希土類元素の酸化物を樹脂組成物に配合し、使用することで５００ｎｍ以下の光を効率よく反射することができるものである。中でも、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化ガドリニウム、酸化ジスプロシウム、酸化インジウム等が入手のしやすさから望ましいものである。

希土類元素酸化物の粒径は特に限定されるものではないが、光の反射効率を上げるためには組成物に均一に分散していることが必要であること、更に成形性、流動性からみて、平均粒径は０．５〜６０μｍ、特には０．５〜５０μｍが好ましい。更に好ましくは０．５〜５μｍである。少ない添加量で高い反射率を得るためには希土類元素酸化物の粒度が細かく、比表面積の大きいものが望ましい。なお、平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ₅₀（又はメジアン径）として求めることができる。

希土類元素酸化物の配合量は、配合使用する無機質充填剤全体の１０〜１００質量％、好ましくは２０〜９０質量％、より好ましくは３０〜８０質量％であり、また樹脂成分１００質量部に対し、１０〜９００質量部、特に５０〜５００質量部が好ましい。１０質量部未満では、十分な反射率を得ることができないおそれがあり、９００質量部を超えると、増粘によりリフレクター成形時に未充填不良やリードフレームとの接着が低下する。より望ましくは５０〜４００質量部である。

無機質充填剤として上記希土類元素酸化物以外に他の無機質充填剤を併用する場合、かかる他の無機質充填剤としては、通常樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、溶融球状シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機質充填剤の平均粒径や形状は特に限定されないが、平均粒径は通常４〜４０μｍ、特には７〜３５μｍが好ましい。
これらの中では、ケイ素、マグネシウム、チタン、亜鉛及びアルミニウムから選ばれる元素の酸化物が好ましい。特に、溶融シリカ、溶融球状シリカが成形性、流動性等の点で好適に用いられる。

また、リフレクターの強度、靭性を高めるために下記のようなものを配合することもできる。例えば、ガラス繊維やホウケイ酸ガラス、ロックウールのような非晶質繊維、アルミナ繊維のような多結晶繊維、チタン酸カリウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸ガラス、ホウ酸アルミニウムのような単結晶繊維、更には硫酸マグネシウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等が挙げられ、どのタイプでも構わない。

白色のリフレクターを得るためには、上述した白色の希土類元素酸化物を単独で使用してもよいが、場合によっては下記のような白色顔料を無機質充填剤として併用してもよい。

この場合、併用する白色顔料としては二酸化チタンを用いることが好ましく、この二酸化チタンの単位格子はルチル型、アナタース型、ブルカイト型のどれでも構わないが、ルチル型が好ましく使用される。また、白色顔料として用いる二酸化チタンの平均粒径や形状も限定されないが、平均粒径は通常０．０５〜５．０μｍである。上記二酸化チタンは、樹脂や無機質充填剤との相溶性、分散性を高めるため、ＡｌやＳｉ等の含水酸化物等で予め表面処理することができる。

更に、白色顔料（白色着色剤）として、二酸化チタン以外にチタン酸カリウム、酸化ジルコン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等を単独で又は二酸化チタンと併用して使用することもできる。

上記無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤で予め表面処理したものを配合してもよい。

このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシラン等を用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。

上記他の無機質充填剤の配合量は、全無機質充填剤量から希土類元素酸化物量を除いた残部量であり、全無機質充填剤の０〜９０質量％、好ましくは１０〜８０質量％、より好ましくは２０〜７０質量％である。この場合、白色顔料としての二酸化チタンを全無機質充填剤の１〜３０質量％、特に５〜３０質量％を含有することが好ましく、また溶融シリカ、溶融球状シリカを５〜７９質量％、特に１０〜６５質量％含有することが好ましい。

上記無機質充填剤の配合量は、有機樹脂１００質量部に対し５０〜１０００質量部、好ましくは１００〜９００質量部、特に好ましくは２００〜８５０質量部である。
無機質充填剤配合量が少なすぎると、リフレクターの光反射率が低下し、発光半導体装置が十分な輝度を発揮できない場合がある。一方、無機質充填剤配合量が多すぎると、樹脂組成物の溶融粘度が増大により流動性が悪化し、リフレクターを成形する際に未充填等の不具合が発生する場合がある。

本発明の樹脂組成物には、必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、樹脂の性質を改善する目的で種々のシリコーンパウダー、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、脂肪酸エステル，グリセリン酸エステル，ステアリン酸亜鉛，ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤等の添加剤を本発明の効果を損なわない範囲で添加配合することができる。

本発明の樹脂組成物を用いてリフレクターを成形する最も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法や圧縮成形法が挙げられる。なお、本発明の樹脂組成物の成形温度は１３０〜１８５℃で３０〜１８０秒行うことが望ましい。後硬化は１５０〜１８５℃で１〜８時間行ってもよい。

本発明の上記成分を必須成分とする熱硬化性樹脂組成物を硬化させた硬化物の３６０〜８００ｎｍでの光反射率は、初期値で８０％以上であることが好ましい。より望ましくは４００ｎｍで９０％以上の反射率である。

本発明の樹脂組成物は、発光半導体素子のリフレクターの形成に好適に用いられる。この場合、この樹脂組成物を適宜なリフレクター形状に成形、硬化する。
ここで、リフレクターとしては、発光半導体素子の発光をリフレクトし得るものであればいずれのものでもよく、発光半導体装置の態様に応じてその形状等を選定し得る。例えば、発光半導体素子を実装するダイパッドと、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードとの間の空隙部を充満する状態に形成された平面状であるリフレクター、あるいは発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリード上、又は該リード及び発光半導体素子電極を実装するダイパッド上に設けられて、内部に発光半導体素子を収容可能なリング壁体状に形成された凹形状であるリフレクターが挙げられ、後者の場合、上記リング壁体と連続して上記リード間又はリードとダイパッドとの間を充満した状態に形成されていてもよい。
従って、本発明は、発光半導体素子と、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードと、本発明の樹脂組成物の硬化物からなる発光半導体素子用リフレクターとを備え、上記発光半導体素子を透明樹脂又は蛍光体含有透明樹脂で封止してなる発光半導体装置をも提供する。

図１は、本発明の発光半導体素子用リフレクター及びこれを用いた発光半導体装置の一例を示したもので、図中１はリフレクター、２はリードフレーム、３は発光半導体素子、４はダイボンド材、５は金線、６は発光半導体素子３を封止する透明封止樹脂であり、このリフレクターは、発光半導体素子を実装するダイパッドと、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードとを有する金属リードフレームの上記ダイパッドとリードとの間の空隙部分に充満、介在された部分、及び上記ダイパッド及びリード上に内部に発光半導体素子及び金線を収容し得るリング壁体状部分が一体に成形された凹形状のものである。

図２は、上記ダイパッドとリードとの間の空隙部分を充満、介在された平面状のリフレクターを示すものであり、参照符号は図１の場合と同様である。

リフレクターの製造する場合、個別化されて形成するようにしてもよく、また金属フレーム上に１００〜３００個程度のリフレクターをマトリックス状に配列した状態で成形するようにしてもよい。

図３は、個別化して成形したリフレクターを示すもので、その製造法の一例を具体的に示すと、成形後リードカットやリード曲げを行い、リードフレームから切断する。切断されたリフレクターに発光半導体素子３をシリコーンダイボンド材４（例えばＬＰＳ６３２Ｄ 信越化学工業（株）製）を用いて固定し、１５０℃で１時間加熱することで発光素子をダイパッド状に固着させ、その後、金線５で素子とリード先端を電気的に接続する。更に、透明なシリコーン樹脂（例えばＬＰＳＶＶＶ 信越化学工業（株）製）や蛍光体等を配合したシリコーン樹脂等をポッティングによりリフレクターの凹部に流し込み、１２０℃で１時間、更に１５０℃で２時間加熱硬化させることで封止する。

図４は、上記凹形状のリフレクターをマトリックス状に配列したもの、図５は上記平面状のリフレクターをマトリックス状に配列したものを示す。図４，５中、実線Ｌはリフレクター基板１０の切断線を示す。また、マトリックス状に配列したリフレクター基板の場合は、リフレクター基板を切断する前に、発光素子をそれぞれのリフレクターの凹部に存在するダイパッド上に発光素子を前記したシリコーンダイボンド材を用いて固定し、１５０℃で１時間加熱することで発光素子を固着させ、その後、金線で素子とリード先端を電気的に接続する。更に、透明なシリコーン樹脂６（例えばＬＰＳ３８０ 信越化学工業（株）製）やＬＰＳ３８０に蛍光体等を配合したものをポッティングによりリフレクターの凹部に流し込み、１２０℃で１時間、更に１５０℃で２時間加熱硬化させることで封止する。透明なシリコーン樹脂の封止はポッティングによる方法、あるいはトランスファー成形や圧縮成形等の封止方法でレンズ形状等を同時に形成することもできる。
その後、ダイシング、レーザー加工、ウォータージェット加工等でマトリックス状に配列した成形基板を切断し、リフレクターを個片、単体化する。

なお、上述した例では、金線で素子とリード先端を電気的に接続したが、接続方式はこれに限定されず、Ａｕバンプ等のバンプを用いて素子とリードとを接続するようにしてもよい。

本発明のリフレクターは、特に短波長、好ましくは発光波長が５００ｎｍ以下、より好ましくは３００〜５００ｎｍ、特に好ましくは４００〜５００ｎｍの発光半導体素子、青色や紫外ＬＥＤ用リフレクターとして望ましい。また、半導体・電子機器装置等の封止剤として、更には集光型太陽電池の素子を収納するプレモールド型パッケージ用としても有効に利用できる。

以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
実施例及び比較例で使用した原料を以下に示す。

シリコーン樹脂
［合成例１］
メチルトリクロロシラン１００質量部、トルエン２００質量部を１Ｌのフラスコに入れ、氷冷下で水８質量部、メチルアルコ−ル６０質量部の混合液を液中滴下した。内温は−５〜０℃で５〜２０時間かけて滴下し、その後、加熱して還流温度で２０分間撹拌した。それから室温まで冷却し、水１２質量部を３０℃以下、３０分間で滴下し、２０分間撹拌した。更に水２５質量部を滴下後、４０〜４５℃で６０分間撹拌した。その後、水２００質量部を入れて有機層を分離した。この有機層を中性になるまで洗浄し、その後、共沸脱水、濾過、減圧ストリップをすることにより、下記式（２）で示される無色透明の固体（融点７６℃）３６．０質量部の白色熱硬化性シリコーン樹脂（Ａ−１）を得た。
（ＣＨ₃）_1.0Ｓｉ（ＯＣＨ₃）_0.06（ＯＨ）_0.11Ｏ_1.42 （２）

［合成例２］
メチルトリクロロシラン５０質量部、フェニルトリクロルシラン７０．６質量部、トルエン２００質量部を１Ｌのフラスコに入れ、氷冷下で水８質量部、メチルアルコ−ル６０質量部の混合液を液中滴下した。内温は−５〜０℃で５〜２０時間かけて滴下し、その後、加熱して還流温度で２０分間撹拌した。それから室温まで冷却し、水１２質量部を３０℃以下、３０分間で滴下し、２０分間撹拌した。更に水２５質量部を滴下後、４０〜４５℃で６０分間撹拌した。その後、水２００質量部を入れて有機層を分離した。この有機層を中性になるまで洗浄し、その後、共沸脱水、濾過、減圧ストリップをすることにより、下記式（３）で示される無色透明の固体（融点８２℃）４５．０質量部の白色熱硬化性シリコーン樹脂（Ａ−２）を得た。
（ＣＨ₃）_0.5（Ｃ₆Ｈ₅）_0.5Ｓｉ（ＯＣＨ₃）_0.05（ＯＨ）_0.13Ｏ_1.41 （３）

エポキシ樹脂
トリアジン誘導体エポキシ樹脂
トリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート（ＴＥＰＩＣ−Ｓ：日産化学工業（株）製商品名、エポキシ当量１００）

硬化剤
酸無水物
メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（リカシッドＭＨ：新日本理化（株）製商品名）

［合成例３］
Ｂステージ化エポキシ樹脂
トリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート（ＴＥＰＩＣ−Ｓ：日産化学工業（株）製商品名）４５質量部、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（リカシッドＭＨ：新日本理化（株）製商品名）５５質量部、亜リン酸トリフェニル３質量部を反応釜に入れ、８０℃で１０時間反応させた。反応後、プレポリマーを取り出し、冷却することでＢステージ化エポキシ樹脂（Ａ−３）を固形化した。

酸化防止剤
リン系酸化防止剤：亜リン酸トリフェニル（和光純薬（株）製）

硬化触媒
エポキシ樹脂用硬化触媒
リン系硬化触媒：メチル−トリブチルホスホニウム−ジメチルホスフェイト
（ＰＸ−４ＭＰ：日本化学（株）製商品名）
シリコーン樹脂用硬化触媒：安息香酸亜鉛

無機質充填剤
溶融球状シリカ（（株）龍森製商品名、平均粒径１５μｍ）
球状アルミナ（（株）アドマテックス製商品名、平均粒径２０μｍ）
二酸化チタン：ルチル型（Ｒ−４５Ｍ：堺化学工業（株）製商品名、平均粒径０．２８μｍ）

希土類元素酸化物
酸化イットリウム（Ａ）（信越化学工業（株）製、平均粒径１０μｍ）
酸化イットリウム（Ｂ）（信越化学工業（株）製、平均粒径５μｍ）
酸化ランタン（信越化学工業（株）製、平均粒径１３μｍ）
酸化セリウム（信越化学工業（株）製、平均粒径１５μｍ）
酸化ガドリニウム（信越化学工業（株）製、平均粒径１２μｍ）

その他添加剤
離型剤：ステアリン酸カルシウム
シランカップリング剤：３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−８０３：信越化学工業（株）製）

［実施例１〜８、比較例１〜３］
表１に示す割合で各種成分を配合し、均一に混合した後、熱二本ロールで混練することで白色のエポキシ樹脂組成物を得た。
得られたそれぞれの組成物を用い、下記に記された測定方法により各種物性を測定した結果を記載する。

これらの組成物につき、以下の諸特性を測定した。結果を表２に示す。
《スパイラルフロー値》
ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間２分の条件で測定した。

《ゲル化時間》
１７５℃の熱板上にてゲル化するまでの時間を測定した。

《溶融粘度》
高化式フローテスターを用い、１０ｋｇｆの加圧下、直径１ｍｍのノズルを用い、温度１７５℃で粘度を測定した。

《光反射率》
１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間２分の条件で直径５０×３ｍｍの円盤を成形した円盤を用い、エス・デイ・ジー株式会社製 Ｘ−ｒｉｔｅ８２００を使用して、波長３６０ｎｍから７４０ｎｍ範囲で測定した。

《紫外線照射後の光反射率性》
１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間２分の条件で直径５０×３ｍｍの円盤を成形した円盤を１２０℃の温度雰囲気下で２４時間、４０５ｎｍの紫外線を照射した後、光反射率を測定した。

《発光強度試験》
１５０℃の雰囲気下で、実施例８で作製した発光装置に電流１００ｍＡを流し、試験の開始時と１００時間後に大塚電子製（ＬＰ−３４００）により発光強度を測定し、輝度の低下を調べた。

［実施例９］
実施例１〜８及び比較例１〜３で製造した熱硬化性樹脂組成物により、全面銀メッキした銅リードフレームを用い、図４のマトリックスタイプの凹型リフレクター、及び図３の個片型リフレクターを下記の成形条件で成形した。
成形条件は下記の通り。
成形温度：１７０℃、成形圧力：６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間：３分
更にポストキュアを１７０℃で２時間行った。
成形したパッケージはリードと樹脂の密着性も良好であった。

次に、上記したプレモールドパッケージの評価に半導体発光素子であるＬＥＤ素子として、主発光ピークが３５７ｎｍのＬＥＤ素子を用いた。このＬＥＤ素子を成形したリフレクター開口部内の所定底辺にシリコーンダイボンド材（品名：ＬＰＳ６３２Ｄ、信越化学（株）製）で搭載、固定し、金線でリード部と素子電極を電気的に接続した。その後、シリコーン封止剤（ＬＰＳ３８０：信越化学工業（株）製）をＬＥＤ素子が配置された凹部開口部内にそれぞれ注入し、１２０℃で１時間、更に１５０℃で１時間硬化させ、封止した。

これらマトリックスタイプと個片型リフレクターを用いて組み立てた発光半導体装置をそれぞれ５個ずつ用い、２５℃，８０％相対湿度の雰囲気中に４８時間放置した後、２６０℃のリフロー炉に３回通した。その後、パッケージ表面や素子表面と封止樹脂との接着不良を調べた。本発明の組成物で成形したパッケージを用いたものは全く剥離不良は生じなかった。更に、発光強度試験としてそれぞれの発光半導体装置を５個用い、１５０℃の雰囲気下で電流１００ｍＡを流し、試験の開始時と１００時間後に発光強度を測定し、輝度の低下を調べた。輝度の低下は比較例１の樹脂組成物で作製したリフレクターを用いた発光半導体装置の試験開始時（初期値）の輝度を１．０として、それぞれの輝度を相対値で示した。

１ リフレクター
２ リードフレーム
３ 発光半導体素子
４ ダイボンド材
５ 金線
６ 透明封止樹脂

Claims (11)

1. 有機樹脂１００質量部と平均粒径０．５〜６０μｍの無機質充填剤粉末５０〜１０００質量部とを含有してなり、上記無機質充填剤の１０〜１００質量％が希土類元素酸化物であることを特徴とする発光半導体素子のリフレクター形成用樹脂組成物。
2. 有機樹脂が、ポリフタルアミド、エポキシ樹脂、又はシリコーン樹脂である請求項１記載の樹脂組成物。
3. 有機樹脂の５〜１００質量％がシリコーン樹脂である請求項１記載の樹脂組成物。
4. 希土類元素が、イットリウム、ネオジム、インジウム、ランタン、セリウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム及びジスプロシウムから選ばれるものである請求項１乃至３のいずれか１項記載の樹脂組成物。
5. 希土類元素酸化物以外の無機質充填剤として、ケイ素、マグネシウム、チタン、亜鉛及びアルミニウムから選ばれる元素の酸化物を含む請求項１乃至４のいずれか１項記載の樹脂組成物。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項記載の樹脂組成物の硬化物からなる発光半導体素子用リフレクター。
7. リフレクターが、発光半導体素子を実装するダイパッドと、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードとの間を充満する状態に形成された平面状である請求項６記載のリフレクター。
8. リフレクターが、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリード上、又は該リード及び発光半導体素子電極を実装するダイパッド上に設けられて、内部に発光半導体素子を収容可能なリング壁体状に形成された凹形状である請求項６記載のリフレクター。
9. 上記リング壁体と連続して上記リード間又はリードとダイパッドとの間を充満した状態に形成された請求項８記載のリフレクター。
10. 発光半導体素子と、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードと、請求項６乃至９のいずれか１項に記載の発光半導体素子用リフレクターとを備え、上記発光半導体素子を透明樹脂又は蛍光体含有透明樹脂で封止してなる発光半導体装置。
11. 発光半導体素子の発光波長が５００ｎｍ以下である請求項１０記載の発光半導体装置。

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