CN103635532B - 光半导体装置用白色固化性组合物、光半导体装置用成形体以及光半导体装置 - Google Patents

光半导体装置用白色固化性组合物、光半导体装置用成形体以及光半导体装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种可获得加工性优异、且对引线框的密合性高的成形体的光半导体装置用白色固化性组合物。本发明的光半导体装置用白色固化性组合物包含环氧化合物、酸酐固化剂、氧化钛、与氧化钛不同的填充材料、以及固化促进剂，上述填充材料为二氧化硅。上述环氧化合物整体的环氧当量为500以上且20000以下。上述环氧化合物整体的环氧当量与上述固化剂整体的固化剂当量的当量比为0.3:1～2:1。上述填充材料包含球状填充材料与破碎填充材料这两者。上述球状填充材料的含量相对于上述破碎填充材料的含量的重量比为0.3以上且30以下。

Description

光半导体装置用白色固化性组合物、光半导体装置用成形体以及光半导体装置
技术领域
本发明涉及一种光半导体装置用白色固化性组合物，其适宜用于获得在光半导体装置中配置于搭载有光半导体元件的引线框上的成形体。另外，本发明涉及使用了上述光半导体装置用白色固化性组合物的光半导体装置用成形体及光半导体装置。
背景技术
发光二极管(LED)装置等光半导体装置的消耗电力低且寿命长。另外，光半导体装置在苛刻的环境中也能够使用。因此，光半导体装置已被广泛应用于手机用背光灯、液晶电视用背光灯、汽车用灯、照明器具及看板等。
当作为用于光半导体装置的发光元件的光半导体元件(例如LED)与大气直接接触时，大气中的水分或悬浮的灰尘等会导致光半导体元件的发光特性急剧降低。因此，通常利用光半导体装置用密封剂对上述光半导体元件进行密封。另外，在搭载有上述光半导体元件的引线框上配置有框状的成形体，用以填充该密封剂。上述密封剂填充于该框状的成形体的内侧。该成形体也被称为反射器(reflector)或外罩(housing)。
作为用于形成上述成形体的组合物的一例，下述专利文献1中公开了一种包含环氧树脂、固化剂、固化催化剂及无机填充材料的固化性组合物。由该固化性组合物固化得到的固化物在150℃的高温条件下放置500小时后测定的光波长400nm下的光扩散反射率为80%以上。并且，就上述固化性组合物而言，其在传递成形时的剪切脱模力在10压射(shot)以内为200KPa以下。
下述专利文献2中公开了一种包含环氧树脂、固化剂、固化促进剂、无机填充材料及白色颜料的固化性组合物。另外，专利文献2中还公开了光半导体装置的制造方法，其包括下述工序：通过进行使用固化性组合物的传递成形在配线构件上形成形成有多个贯通孔的光反射层，并利用上述配线构件封闭上述贯通孔的一侧开口部，从而得到形成有多个凹部的成形体的工序；在上述凹部内分别配置光半导体元件的工序；以包覆上述光反射层表面的方式向配置有上述半导体元件的上述凹部供给密封树脂的工序；通过使其间存在上述密封树脂而以与上述光反射层的上述表面离间的状态配置包覆上述凹部的透镜之后，使上述密封树脂固化的工序；以及，对应于上述每个凹部分割上述成形体从而获得多个光半导体装置的工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-141327号公报
专利文献2：日本特开2011-9519号公报
发明内容
发明要解决的问题
对于诸如专利文献1中记载的这样的对传统固化性组合物进行传递成形的情况而言，需要从流道(runner)部分对包含经传递成形而得到的成形体的LED封装件进行分离。
然后，由于使用了传统的含氧化钛的固化性组合物的成形体较脆，因此，在从流道部分分离上述LED封装件时，可能导致成形体受损或变形、或成形体上产生裂纹或缺陷。
另外，在诸如专利文献2中记载的这样的光半导体装置的制造方法中，需要将由多个成形体连成的分割前成形体分割为各个成形体。但是，在将该分割前成形体分割为各个成形体时，可能导致成形体上产生裂纹、或产生缺陷。
即，使用传统的固化性组合物的情况下，存在成形体的加工性低的问题。并且，就使用了传统固化性组合物的成形体而言，还存在该成形体相对于引线框的密合性低的问题。
此外，就诸如专利文献1、2中记载的这样的传统固化性组合物而言，有时成形性低，无法获得良好的成形体。例如，可能发生下述情况：引线框变形、成形体变形、成形体产生缺陷、成形体中产生空隙及成形体发生填充不良等。
本发明的目的在于提供一种可获得加工性优异的成形体、并且可提高成形体相对于引线框的密合性的光半导体装置用白色固化性组合物、以及使用了该光半导体装置用白色固化性组合物的光半导体装置用成形体及光半导体装置。
本发明的限定性目的在于提供可获得成形性也优异的成形体的光半导体装置用白色固化性组合物、以及使用了该光半导体装置用白色固化性组合物的光半导体装置用成形体及光半导体装置。
解决问题的方法
从较宽层面上把握本发明，本发明提供一种光半导体装置用白色固化性组合物，其是白色的光半导体装置用白色固化性组合物，其中，该组合物包含环氧化合物、固化剂、氧化钛、与氧化钛不同的填充材料、以及固化促进剂，上述与氧化钛不同的填充材料为二氧化硅，其中，将热固化前的光半导体装置用白色固化性组合物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后通过过滤除去加热后液体中的不溶成分而得到第1提取液时，该第1提取液的pH为3以上且6以下；将通过于170℃进行3分钟加热后、进一步于170℃进行2小时加热而发生了固化后的固化物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后通过过滤除去加热后液体中的不溶成分而得到第2提取液时，该第2提取液的pH为6以上且7以下；将通过于170℃进行3分钟加热后、进一步于170℃进行2小时加热而发生了固化后的固化物在121℃、湿度100%及2个大气压的条件下放置24小时后，将放置后的固化物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后通过过滤除去加热后液体中的不溶成分而得到第3提取液时，该第3提取液的pH为4以上且6以下，上述环氧化合物整体的环氧当量为500以上且20000以下，上述固化剂为酸酐固化剂，上述环氧化合物整体的环氧当量与上述固化剂整体的固化剂当量的当量比为0.3:1～2:1，上述填充材料包含球状填充材料与破碎填充材料这两者，上述球状填充材料的含量相对于上述破碎填充材料的含量的重量比为0.3以上且30以下。
上述环氧化合物优选包含具有芳香族骨架的环氧化合物及具有脂环族骨架的环氧化合物中的至少1种。上述环氧化合物优选包含具有芳香族骨架的环氧化合物。上述具有芳香族骨架的环氧化合物的环氧当量优选为400以上且3000以下。上述环氧化合物优选包含具有脂环族骨架的环氧化合物。
在本发明的光半导体装置用白色固化性组合物中，上述球状填充材料的含量相对于上述破碎填充材料的含量的重量比(球状填充材料/破碎填充材料)优选为1以上且15以下。
本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选为用于获得成形体的白色的光半导体装置用白色固化性组合物，且所述成形体是在光半导体装置中，配置于搭载有光半导体元件的引线框上的成形体。这种情况下，本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选用于在得到由多个成形体连成的分割前成形体之后，对该分割前成形体进行分割而得到各个成形体。
本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选为用于获得成形体的光半导体装置用白色固化性组合物，所述成形体在光半导体装置中，配置于搭载有光半导体元件的引线框上、且配置于上述光半导体元件的侧面，并且该成形体具有对由上述光半导体元件发出的光进行反射的光反射部。
本发明的光半导体装置用成形体可通过使上述的光半导体装置用白色固化性组合物固化而得到。
本发明的光半导体装置具备引线框、搭载于该引线框上的光半导体元件、以及配置于该引线框上的成形体，上述成形体可通过使上述光半导体装置用白色固化性组合物固化而得到。
发明的效果
本发明的光半导体装置用白色固化性组合物包含环氧化合物、固化剂、氧化钛、与氧化钛不同的填充材料以及固化促进剂，使用热固化前的光半导体装置用白色固化性组合物而得到的第1提取液的pH为3以上且6以下、使用通过加热而固化后的固化物而得到的第2提取液的pH为6以上且7以下，因此，可获得加工性优异的成形体。进一步，在引线框上配置由白色固化性组合物固化而得到的成形体时，可提高引线框与成形体的密合性。
此外，就本发明的光半导体装置用白色固化性组合物而言，使用了下述固化物的第3提取液的pH为4以上且6以下，所述固化物使用了二氧化硅作为上述与氧化钛不同的填充材料，且该固化物是将经加热而固化后的固化物在121℃、湿度100%及2个大气压的条件下放置24小时之后的固化物，并且，上述环氧化合物整体的环氧当量为500以上且20000以下，上述固化剂为酸酐固化剂，上述环氧化合物整体的环氧当量与上述固化剂整体的固化剂当量的当量比为0.3:1～2:1，上述填充材料包含球状填充材料与破碎填充材料这两者，上述球状填充材料的含量与上述破碎填充材料的含量的重量比为0.3以上且30以下，因此，可获得加工性更为优异的成形体。进一步，在引线框上配置由白色固化性组合物固化而得到的成形体时，可进一步提高引线框与成形体的密合性。
附图说明
[图1]图1(a)及(b)是示意性地示出了光半导体装置的一例的剖面图及立体图，所述光半导体装置具备使用了本发明一实施方式的光半导体装置用白色固化性组合物的成形体。
[图2]图2为剖面图，示意性地示出了图1所示的光半导体装置的变形例。
[图3]图3为剖面图，示意性地示出了包含由多个成形体连成的分割前成形体的分割前光半导体装置用部件的一例，所述由多个成形体连成的分割前成形体使用了本发明一实施方式的光半导体装置用白色固化性组合物。
[图4]图4为剖面图，示意性地示出了包含由多个成形体连成的分割前成形体的分割前光半导体装置的一例，所述由多个成形体连成的分割前成形体使用了本发明一实施方式的光半导体装置用白色固化性组合物。
符号说明
1…光半导体装置
2…引线框
2A…分割前引线框
3…光半导体元件
4…第1成形体
4A…分割前第1成形体
4a…内表面
5…第2成形体
5A…分割前第2成形体
6…芯片接合材料
7…接合线
8…密封剂
11…分割前光半导体装置用部件
12…分割前光半导体装置
21…光半导体装置
22…芯片接合材料
23…接合线
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
(光半导体装置用白色固化性组合物)
本发明的光半导体装置用白色固化性组合物包含：环氧化合物(A)、固化剂(B)、氧化钛(C)、与氧化钛不同的填充材料(D)、以及固化促进剂(E)。
对于本发明的光半导体装置用白色固化性组合物，将热固化前的该光半导体装置用白色固化性组合物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后通过过滤除去加热后液体中的不溶成分而得到第1提取液时，该第1提取液的pH(第1提取法中的pH)为3以上且6以下。
另外，对于本发明的光半导体装置用白色固化性组合物，将通过加热而固化后的固化物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后通过过滤除去加热后液体中的不溶成分而得到第2提取液时，该第2提取液的pH(第2提取法中的pH)为6以上且7以下。
需要说明的是，在本申请说明书中，有时将对下述得到的提取液的pH进行测定的方法称为提取法，所述提取液是将组合物或固化物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后通过过滤除去加热后液体中的不溶成分而得到的。
本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选为用于获得在光半导体装置中配置于搭载有光半导体元件的引线框上的成形体的光半导体装置用白色固化性组合物。上述成形体是被成形为给定形状的固化物。
通过使本发明的光半导体装置用白色固化性组合物采取上述组成、且使上述第1、第2提取法中的pH为上述下限以上及上述上限以下，可获得加工性优异的成形体。由于本发明的光半导体装置用白色固化性组合物的成形性优异，因此，通过使用本发明的光半导体装置用白色固化性组合物，可以容易地获得均质且具有良好形状的成形体。
本发明中，例如在将本发明的光半导体装置用白色固化性组合物成形之后，从流道部分将包含成形得到的成形体的LED封装件分离时，成形体不易产生损伤、变形、裂纹及缺陷。另外，将由多个成形体连成的分割前成形体分割成各个成形体而获得分割后成形体时，成形体不易产生裂纹及缺陷。即，通过使用本发明的光半导体装置用白色固化性组合物，能够对使用了该光半导体装置用白色固化性组合物的成形体进行良好地切割。
此外，通过使本发明的光半导体装置用白色固化性组合物采取上述组成、且使上述第1、第2提取法中的pH在上述下限以上及上述上限以下，还可以在将由白色固化性组合物固化而成的成形体配置于引线框上时，提高引线框与成形体的密合性。
另外，通过使本发明的光半导体装置用白色固化性组合物采取上述组成，可以提高通过使光半导体装置用白色固化性组合物固化而得到的成形体的光反射率。由于所得成形体的光反射率高，因此，在光半导体元件发出的光到达成形体时，可使光有效地反射。由此，可提高由光半导体装置导出的光的亮度。
此外，通过使本发明的光半导体装置用白色固化性组合物采取上述组成、且使上述第1、第2提取法中的pH在上述下限以上及上述上限以下，还可以提高上述成形体的耐热性。并且，上述成形体由于耐热性高，因此即使暴露于高温下也不易发生变色。由此，可提高光半导体装置的耐热可靠性，可抑制暴露于高温下时从光半导体装置导出的光的亮度降低。
另外，上述第1提取法中的pH为3以上时，金属引线框的腐蚀也不易发生。上述第1提取法中的pH为6以下时，成形体的强度提高。
本发明中，将通过加热而固化后的固化物在121℃、湿度100%及2个大气压的条件下放置24小时后，将放置后的固化物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后通过过滤除去加热后液体中的不溶成分而得到第3提取液时，该第3提取液的pH(第3提取法中的pH)为4以上且6以下。另外，上述第3提取法中的pH在上述下限以上及上述上限以下时，可进一步提高成形体的加工性及耐热性，进一步提高引线框与成形体的密合性，并且能够进一步提高光半导体装置的耐热可靠性。
测定上述第2、第3提取法中的pH时，用以获得通过加热而固化后的固化物的固化条件为：于170℃进行3分钟加热后、进一步于170℃进行2小时加热的固化条件。
本发明中，上述与氧化钛不同的填充材料为二氧化硅，上述固化剂为酸酐固化剂，上述环氧化合物整体的环氧当量与上述固化剂整体的固化剂当量的当量比为0.3:1～2:1，上述填充材料包含球状填充材料与破碎填充材料这两者，上述球状填充材料的含量与上述破碎填充材料的含量的重量比为0.3以上且30以下。由此，可获得加工性更为优异的成形体，进一步，在将由白色固化性组合物固化而成的成形体配置于引线框上时，可进一步提高引线框与成形体的密合性。
以下，针对本发明的光半导体装置用白色固化性组合物中所含的各成分进行详细说明。
[环氧化合物(A)]
上述白色固化性组合物包含环氧化合物(A)，从而其能够通过赋予热而发生固化。环氧化合物(A)具有环氧基。通过使用环氧化合物(A)作为热固性化合物，成形体的耐热性及绝缘可靠性提高。环氧化合物(A)可以仅使用1种，也可以将2种以上组合使用。
作为上述环氧化合物(A)的具体例，可列举：双酚型环氧化合物、酚醛清漆型环氧化合物、使多元酸化合物与表氯醇反应而得到的缩水甘油酯型环氧化合物、使多胺化合物与表氯醇反应而得到的缩水甘油胺型环氧化合物、缩水甘油醚型环氧化合物、脂肪族环氧化合物、氢化型芳香族环氧化合物、具有脂环族骨架的环氧化合物、异氰脲酸三缩水甘油酯等杂环式环氧化合物等。作为上述多元酸化合物，可列举：苯二甲酸及二聚酸等。作为上述多胺化合物，可列举：二氨基二苯基甲烷及异氰脲酸等。
上述光半导体装置用白色固化性组合物中所含的上述环氧化合物(A)整体的环氧当量为500以上且20000以下。该环氧当量为500以上时，上述白色固化性组合物的成形性变得更为良好，进一步，成形体不易变脆，成形体的加工性变得更为良好。该环氧当量为20000以下时，上述白色固化性组合物的成形性变得更为良好，进一步，成形体的强度进一步提高。上述环氧当量可基于JISK7236进行测定。“上述环氧化合物(A)整体的环氧当量”指的是上述光半导体装置用白色固化性组合物整体的环氧当量。
因此，上述光半导体装置用白色固化性组合物整体的环氧当量优选为500以上，优选为20000以下。该环氧当量为500以上时，上述白色固化性组合物的成形性变得更为良好，进一步，成形体不易变脆，成形体的加工性变得更为良好。该环氧当量为20000以下时，上述白色固化性组合物的成形性变得更为良好，并且，成形体的强度进一步提高。上述环氧当量可基于JISK7236进行测定。
从提高成形体的强度、进一步提高成形体的加工性的观点出发，上述环氧化合物(A)优选包含具有芳香族骨架的环氧化合物(A1)及具有脂环族骨架的环氧化合物(A2)中的至少1种。上述环氧化合物(A)也可以包含具有芳香族骨架的环氧化合物(A1)和具有脂环族骨架的环氧化合物(A2)这两者。上述白色固化性组合物可以仅包含具有芳香族骨架的环氧化合物(A1)，也可以仅包含具有脂环族骨架的环氧化合物(A2)。
从进一步提高成形体的强度及耐热性的观点出发，上述环氧化合物(A)优选包含具有芳香族骨架的环氧化合物(A1)。上述具有芳香族骨架的环氧化合物(A1)可以仅使用1种，也可以将2种以上组合使用。
从进一步提高引线框与成形体的密合性的观点出发，上述环氧化合物(A)优选包含具有脂环族骨架的环氧化合物(A2)。上述具有脂环族骨架的环氧化合物(A2)可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
作为上述具有芳香族骨架的环氧化合物(A1)，可列举：双酚A型环氧化合物、双酚F型环氧化合物、甲酚酚醛清漆型环氧化合物、苯酚酚醛清漆型环氧化合物、由具有芳香族骨架的多元酸化合物与表氯醇反应而得到的缩水甘油酯型环氧化合物、及具有芳香族骨架的缩水甘油醚型环氧化合物等。
从进一步提高上述成形体的强度及耐热性的观点出发，上述具有芳香族骨架的环氧化合物(A1)优选具有双酚骨架或酚醛清漆骨架。
上述具有芳香族骨架的环氧化合物(A1)的环氧当量优选为400以上、优选为3000以下。该环氧当量为400以上时，上述白色固化性组合物的成形性变得更为良好。该环氧当量为3000以下时，成形体的强度进一步提高。
作为上述具有脂环族骨架的环氧化合物(A2)的具体例，可列举：2-(3,4-环氧)环己基-5,5-螺-(3,4-环氧)环己烷-间二氧杂环己烷、3,4-环氧环己烯基甲基-3’,4’-环氧环己烯羧酸酯、二氧化双环戊二烯、一氧化乙烯基环己烯、1,2-环氧-4-乙烯基环己烷、1,2:8,9-双环氧柠檬烯、ε-己内酯修饰四(3,4-环氧环己基甲基)丁烷四羧酸酯、2,2-双(羟甲基)-1-丁醇的1,2-环氧-4-(2-环氧乙烷基)环己烷加成物等。从进一步提高上述成形体的耐热性的观点出发，上述具有脂环族骨架的环氧化合物(A2)优选为2,2-双(羟甲基)-1-丁醇的1,2-环氧-4-(2-环氧乙烷基)环己烷加成物(Daicel公司制造的“EHPE-3150”)。
上述环氧化合物(A)的配合量只要被适当调整为能够通过赋予热而适度固化的程度，则没有特殊限定。上述光半导体装置用白色固化性组合物100重量%中，环氧化合物(A)的含量优选为3重量%以上、更优选为5重量%以上、进一步优选为10重量%以上，优选为99重量%以下、更优选为95重量%以下、进一步优选为80重量%以下。环氧化合物(A)的含量在上述下限以上时，可通过加热而使白色固化性组合物更为有效地固化。环氧化合物(A)的含量在上述上限以下时，成形体的耐热性进一步提高。
[固化剂(B)]
上述光半导体装置用白色固化性组合物包含固化剂(B)，从而其能够通过赋予热而有效地发生固化。固化剂(B)使环氧化合物(A)固化。作为固化剂(B)，可使用已被用作环氧化合物(A)的固化剂的公知的固化剂。上述固化剂(B)可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
作为上述固化剂(B)，可列举：酸酐、双氰胺、酚化合物、肼化合物、咪唑化合物、具有三嗪环的化合物、利用由(甲基)丙烯酸甲酯树脂或苯乙烯树脂等形成的壳包覆三苯基膦(固化剂)而成的潜伏性固化剂(例如，日本化药公司制造的“EPCAT-P”及“EPCAT-PS”)、利用由聚脲类聚合物或自由基聚合物形成的壳包覆胺等固化剂而成的潜伏性固化剂(记载于日本专利第3031897号公报及日本专利第3199818号公报)、通过将改性咪唑等固化剂分散并包裹(閉じ込め)在环氧树脂中并进行粉碎而得到的潜伏性固化剂(ASAHIKASEIE-materials公司制造的“NovacureHXA3792”及“HXA3932HP”)、使固化剂分散并含有于热塑性高分子内而成的潜伏性固化剂(记载于日本专利第3098061号公报)、以及由四酚(tetrakisphenol)类化合物等包覆的咪唑潜伏性固化剂(例如，日本曹达公司制造的“TEP-2E4MZ”及“HIPA-2E4MZ”)等。也可以使用除这些之外的固化剂(B)。
从进一步提高引线框与成形体的密合性的观点等出发，上述固化剂(B)为酸酐固化剂。作为上述酸酐固化剂，可使用具有芳香族骨架的酸酐及具有脂环族骨架的酸酐中的任意固化剂。
作为优选的上述酸酐固化剂，可列举：邻苯二甲酸酐、马来酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸二酐、六氢邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、甲基纳迪克酸酐、纳迪克酸酐、戊二酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐及甲基四氢邻苯二甲酸酐等。
上述酸酐固化剂优选不具有双键。作为不具有双键的优选的酸酐固化剂，可列举六氢邻苯二甲酸酐及甲基六氢邻苯二甲酸酐等。
上述环氧化合物(A)与上述固化剂(B)的配合比没有特殊限制。相对于环氧化合物(A)100重量份，固化剂(B)的含量优选为0.5重量份以上、更优选为1重量份以上、进一步优选为2重量份以上、特别优选为3重量份以上，优选为500重量份以下、更优选为300重量份以下、进一步优选为100重量份以下。相对于环氧化合物(A)100重量份，酸酐固化剂(B)的含量优选为0.5重量份以上、更优选为1重量份以上、进一步优选为2重量份以上、特别优选为3重量份以上，优选为500重量份以下、更优选为300重量份以下、进一步优选为100重量份以下。
另外，上述光半导体装置用白色固化性组合物中，环氧化合物(A)整体的环氧当量与固化剂的固化剂当量的当量比(环氧当量:固化剂当量)为0.3:1～2:1、优选为0.5:1～1.5:1。上述光半导体装置用白色固化性组合物中，环氧化合物(A)整体的环氧当量与酸酐固化剂的固化剂当量的当量比(环氧当量:固化剂当量)为0.3:1～2:1、优选为0.5:1～1.5:1。上述当量比(环氧当量:固化剂当量)满足上述范围时，成形体的耐热性及耐候性进一步提高。
(氧化钛(C))
上述光半导体装置用白色固化性组合物由于包含氧化钛(C)，因此能够获得光反射率高的成形体。另外，通过使用上述氧化钛(C)，与仅使用与氧化钛(C)不同的填充材料的情况相比，可获得光反射率高的成形体。上述光半导体装置用白色固化性组合物中所含的氧化钛(C)没有特殊限制。氧化钛(C)可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
上述氧化钛(C)优选为金红石型氧化钛或锐钛矿型氧化钛。通过使用金红石型氧化钛，可获得耐热性更为优异的成形体。上述锐钛矿型氧化钛的硬度比金红石型氧化钛的硬度低。因此，通过使用锐钛矿型氧化钛，上述固化性组合物的成形性进一步提高。
上述氧化钛(C)优选包含利用铝氧化物进行了表面处理的金红石型氧化钛。在上述氧化钛(C)100重量%中，上述利用铝氧化物进行了表面处理的金红石型氧化钛的含量优选为10重量%以上、更优选为30重量%以上且100重量%以下。也可以是全部量的上述氧化钛(C)均为上述利用铝氧化物进行了表面处理的金红石型氧化钛。通过使用上述利用铝氧化物进行了表面处理的金红石型氧化钛，成形体的耐热性进一步提高。
作为上述利用铝氧化物进行了表面处理的金红石型氧化钛，可列举例如：作为金红石氯法氧化钛的石原产业公司制造的产品编号:CR-58的产品、作为金红石硫酸法氧化钛的石原产业公司制造的产品编号:R-630的产品等。
在上述光半导体装置用白色固化性组合物100重量%中，上述氧化钛(C)的含量优选为3重量%以上、更优选为10重量%以上、进一步优选为15重量%以上，优选为95重量%以下、更优选为90重量%以下、进一步优选为85重量%以下。氧化钛(C)的含量在上述下限以上及上述上限以下时，成形体的光反射率进一步提高，并且，成形体的耐热性提高，成形体暴露于高温时不易发生黄变。
(填充材料(D))
上述填充材料(D)是与氧化钛不同的填充材料。上述填充材料(D)没有特殊限定。上述填充材料(D)可以仅使用1种，也可以将2种以上组合使用。
作为上述填充材料(D)，可列举无机填充材料及有机填充材料等。作为上述填充材料(D)的具体例，可列举：二氧化硅、氧化铝、云母、氧化铍、钛酸钾、钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、氧化锆、氧化锑、硼酸铝、氢氧化铝、氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、碳酸铝、硅酸钙、硅酸铝、硅酸镁、磷酸钙、硫酸钙、硫酸钡、氮化硅、氮化硼、烧制粘土等粘土、滑石、碳化硅、交联丙烯酸类树脂粒子及有机硅粒子等。其中，本发明的光半导体装置用白色固化性组合物含有二氧化硅作为上述与氧化钛不同的填充材料(D)。上述与氧化钛不同的填充材料(D)优选为二氧化硅。上述填充材料(D)可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
从提高成形体的强韧性、进一步提高成形体的加工性的观点等出发，上述填充材料(D)包含球状填充材料(D1)和破碎填充材料(D2)这两者。即，上述白色固化性组合物优选包含球状二氧化硅和破碎二氧化硅这两者。
上述球状填充材料(D1)为球状。球状填充材料(D1)指的是长宽比(aspectratio)为2以下的填充材料。球状填充材料(D1)可以为正球状，也可以为使球变得扁平而成的椭圆球状，或者，还可以是与这些类似的形状。
上述破碎填充材料(D2)是经破碎后的填充材料。上述破碎填充材料(D2)的长宽比没有特殊限定。破碎填充材料(D2)的长宽比优选为1.5以上、优选为20以下。长宽比低于1.5的破碎填充材料(D)较为昂贵。因而会导致白色固化性组合物的成本提高。上述长宽比为20以下时，破碎填充材料(D2)的填充容易。
上述破碎填充材料(D2)的长宽比可通过使用例如数字图像分析方式粒度分布测定装置(商品名：FPA、NihonRufuto公司制)测定破碎填充材料(D2)的破碎面而求出。
作为上述球状填充材料(D1)的优选例，可列举：二氧化硅、氧化铝、钛酸钾、氧化锆、钛酸锶、硼酸铝、氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、磷酸钙及硫酸钙等无机球状填充材料、以及交联丙烯酸类树脂粒子等有机球状填充材料等。本发明中，上述白色固化性组合物优选包含球状二氧化硅。上述球状填充材料(D1)可以仅使用1种，也可以将2种以上组合使用。
作为上述破碎填充材料(D2)的优选例，可列举：二氧化硅、氧化锑、氧化锆、氢氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、碳酸镁、碳酸钡、氧化铝、云母、氧化铍、钛酸钡、钛酸钾、钛酸锶、钛酸钙、碳酸铝、硅酸铝、碳酸钙、硅酸钙、硅酸镁、氮化硅、氮化硼、烧制粘土等粘土、滑石、硼酸铝及碳化硅等。本发明中，上述白色固化性组合物优选包含破碎二氧化硅。上述破碎填充材料(D2)可以仅使用1种，也可以将2种以上组合使用。
从提高成形性并得到导热性及光反射特性优异的成形体的观点出发，上述破碎填充材料(D2)优选为二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氧化锆、氢氧化铝或氢氧化镁。
上述填充材料(D)的平均粒径、上述球状填充材料(D1)的平均粒径及上述破碎填充材料(D2)的平均粒径分别优选为0.1μm以上、优选为100μm以下。该平均粒径在上述下限以上时，上述白色固化性组合物的成形性变得更为良好。该平均粒径在上述上限以下时，成形体的外观不良更加不易发生。
上述填充材料(D)中上述球状填充材料(D1)的平均粒径及上述破碎填充材料(D2)的平均粒径是指，体积基准粒度分布曲线上累积值为50%时的粒径值。该平均粒径可使用例如激光式粒度分布计进行测定。作为该激光式粒度分布计的市售品，可列举BeckmanCoulter公司制造的商品“LS13320”等。
上述光半导体装置用白色固化性组合物100重量%中，上述填充材料(D)的含量优选为5重量%以上、更优选为10重量%以上、进一步优选为20重量%以上，优选为95重量%以下、更优选为90重量%以下、进一步优选为85重量%以下。填充材料(D)的含量在上述下限以上及上述上限以下时，白色固化性组合物的成形性进一步提高。填充材料(D)的含量在上述上限以下时，成形体的光反射率进一步提高。
上述光半导体装置用白色固化性组合物100重量%中，上述氧化钛(C)和上述填充材料(D)的总含量优选为5重量%以上、更优选为10重量%以上、进一步优选为20重量%以上，优选为95重量%以下、更优选为93重量%以下、进一步优选为90重量%以下。上述光半导体装置用白色固化性组合物100重量%中，上述氧化钛(C)和二氧化硅的总含量优选为5重量%以上、更优选为10重量%以上、进一步优选为20重量%以上，优选为95重量%以下、更优选为93重量%以下、进一步优选为90重量%以下。氧化钛(C)和填充材料(D)的总含量及氧化钛(C)和二氧化硅的总含量在上述下限以上及上述上限以下时，白色固化性组合物的成形性及成形体的光反射率进一步提高。
上述光半导体装置用白色固化性组合物中，上述球状填充材料(D1)的含量相对于上述破碎填充材料(D2)的含量的重量比(球状填充材料(D1)/破碎填充材料(D2))为0.3以上且30以下，更优选为1以上且15以下。上述球状填充材料(D1)的含量及上述破碎填充材料(D2)的含量代表在上述白色固化性组合物100重量%中的含量。即，上述光半导体装置用白色固化性组合物以3:10～30:1的重量比(球状填充材料(D1):破碎填充材料(D2))包含球状填充材料(D1)和破碎填充材料(D2)，优选以1:1～15:1的重量比(球状填充材料(D1):破碎填充材料(D2))包含球状填充材料(D1)和破碎填充材料(D2)。如果球状填充材料(D1)的含量相对较多，则成形体不易变脆，成形体的加工性进一步提高，成形体更加不易产生裂纹及缺陷。如果破碎填充材料(D2)的含量相对较多，则成形体的强度进一步提高。
将上述球状二氧化硅和上述破碎二氧化硅组合使用的情况下，在上述光半导体装置用白色固化性组合物中，上述球状二氧化硅的含量相对于上述破碎二氧化硅的含量的重量比(球状二氧化硅/破碎二氧化硅)优选为0.3以上且30以下，更优选为1以上且15以下。上述球状二氧化硅的含量及上述破碎二氧化硅的含量代表在上述白色固化性组合物100重量%中的含量。即，上述光半导体装置用白色固化性组合物优选以3:10～30:1的重量比(球状二氧化硅:破碎二氧化硅)包含球状二氧化硅和破碎二氧化硅，更优选以1:1～15:1的重量比(球状二氧化硅:破碎二氧化硅)包含球状二氧化硅和破碎二氧化硅。如果球状二氧化硅的含量相对较多，则成形体不易变脆，成形体的加工性进一步提高，成形体更加不易产生裂纹及缺陷。如果破碎二氧化硅的含量相对较多，则成形体的强度进一步提高。
上述与氧化钛不同的填充材料(D)含有二氧化硅和与二氧化硅不同的填充材料的情况下，在与氧化钛不同的填充材料(D)100重量%中，上述二氧化硅的含量优选为10重量%以上、更优选为20重量%以上、进一步优选为30重量%以上、特别优选为40重量%以上、最优选为50重量%以上且100重量%以下。也可以是全部量的上述与氧化钛不同的填充材料(D)均为二氧化硅。
(固化促进剂(E))
为了促进上述环氧化合物(A)与上述固化剂(B)的反应，上述光半导体装置用白色固化性组合物中包含固化促进剂(E)。通过使用固化促进剂(E)，可提高上述白色固化性组合物的固化性，进而能够提高成形体的耐热性。固化促进剂(E)可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
作为上述固化促进剂(E)，可列举例如：脲化合物、盐化合物、咪唑化合物、磷化合物、胺化合物及有机金属化合物等。
作为上述脲化合物，可列举：脲、脂肪族脲化合物及芳香族脲化合物等。作为上述脲化合物的具体例，可列举：脲、甲基脲、1,1-二甲基脲、1,3-二甲基脲、1,1,3,3-四甲基脲、1,3-二苯基脲及三正丁基硫脲等。也可以使用这些以外的脲化合物。
作为上述盐化合物，可列举：铵盐、盐及锍盐化合物等。
作为上述咪唑化合物，可列举：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑偏苯三酸盐、1-氰基乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸盐、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪异氰脲酸加成物、2-苯基咪唑异氰脲酸加成物、2-甲基咪唑异氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑及2-苯基-4-甲基-5-二羟甲基咪唑等。
上述磷化合物含有磷，是含磷化合物。作为上述磷化合物，可列举：三苯基膦、四苯基硼酸四苯基、o,o-二乙基二硫代磷酸四正丁基(tetra-n-butylphosphonium-o,o-diethylphosphorodithioate)、四氟硼酸四正丁基、及四苯基硼酸四正丁基等。也可以使用这些以外的磷化合物。
作为上述胺化合物，可列举：二乙胺、三乙胺、二亚乙基四胺、三亚乙基四胺、4,4-二甲基氨基吡啶、二氮杂双环烷烃、二氮杂双环烯烃、季铵盐、三亚乙基二胺、及三-2,4,6-二甲基氨基甲基苯酚。也可以使用这些化合物的盐。可列举：苯基膦、四苯基硼酸四苯基o,o-二乙基二硫代磷酸四正丁基、四氟硼酸四正丁基、四苯基硼酸四正丁基
作为上述有机金属化合物，可列举：碱金属化合物及碱土金属化合物等。作为上述有机金属化合物的具体例，可列举：环烷酸锌、环烷酸钴、辛酸锡、辛酸钴、二乙酰丙酮合钴(II)及三乙酰丙酮合钴(III)等。
从进一步提高上述白色固化性组合物的固化性、并进一步提高成形体的耐热性的观点出发，上述固化促进剂(E)优选为脲化合物、盐化合物或磷化合物。上述固化促进剂(E)优选为脲化合物，也优选为盐化合物，还优选为磷化合物。
上述环氧化合物(A)与上述固化促进剂(E)的配合比没有特殊限定。相对于环氧化合物(A)100重量份，固化促进剂(E)的含量优选为0.01重量份以上、更优选为0.1重量份以上，优选为100重量份以下、更优选为10重量份以下、进一步优选为5重量份以下。
(偶联剂(F))
上述光半导体装置用白色固化性组合物优选进一步包含偶联剂(F)。通过使用偶联剂(F)，成形体中热固性成分、氧化钛(C)及填充材料(D)的粘接性变得良好。偶联剂(F)可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
作为上述偶联剂(F)，没有特殊限定，可列举例如硅烷偶联剂及钛酸酯类偶联剂。作为该硅烷偶联剂，通常可列举：环氧硅烷类偶联剂、氨基硅烷类偶联剂、阳离子硅烷类偶联剂、乙烯基硅烷类偶联剂、丙烯酸硅烷类偶联剂、巯基硅烷类偶联剂及它们的复合类偶联剂。优选偶联剂(F)为硅烷偶联剂。
上述光半导体装置用白色固化性组合物100重量%中，上述偶联剂(F)的含量优选为0.01重量%以上、优选为5重量%以下。
(其它成分)
上述光半导体装置用白色固化性组合物也可以根据需要而包含抗氧化剂、脱模剂、树脂改性剂、着色剂、稀释剂、表面处理剂、阻燃剂、粘度调节剂、分散剂、分散助剂、表面改性剂、增塑剂、抗菌剂、防霉剂、流平剂、稳定剂、防淌剂或荧光体等。上述稀释剂可以是反应性稀释剂，也可以是非反应性稀释剂。
作为上述抗氧化剂，可列举酚类抗氧化剂、磷类抗氧化剂及胺类抗氧化剂等。
作为上述酚类抗氧化剂的市售品，可列举：IRGANOX1010、IRGANOX1035、IRGANOX1076、IRGANOX1135、IRGANOX245、IRGANOX259、及IRGANOX295(以上均由BASF公司制)、AdekastabAO-30、AdekastabAO-40、AdekastabAO-50、AdekastabAO-60、AdekastabAO-70、AdekastabAO-80、AdekastabAO-90、及AdekastabAO-330(以上均由ADEKA公司制)、SumilizerGA-80、SumilizerMDP-S、SumilizerBBM-S、SumilizerGM、SumilizerGS(F)、及SumilizerGP(以上均由住友化学工业公司制)、HOSTANOXO10、HOSTANOXO16、HOSTANOXO14、及HOSTANOXO3(以上均由Clariant公司制)、AntageBHT、AntageW-300、AntageW-400、及AntageW500(以上均由川口化学工业公司制)、以及SEENOX224M、及SEENOX326M(以上均由ShiproKasei公司制)等。
作为上述磷类抗氧化剂，可列举：环己基膦及三苯基膦等。作为上述磷类抗氧化剂的市售品，可列举：AdekastabPEP-4C、AdekastabPEP-8、AdekastabPEP-24G、AdekastabPEP-36、AdekastabHP-10、Adekastab2112、Adekastab260、Adekastab522A、Adekastab1178、Adekastab1500、AdekastabC、Adekastab135A、Adekastab3010、及AdekastabTPP(以上均由ADEKA公司制)、SandostabP-EPQ、及HostanoxPAR24(以上均由Clariant公司制)、以及JP-312L、JP-318-0、JPM-308、JPM-313、JPP-613M、JPP-31、JPP-2000PT、及JPH-3800(以上均由城北化学工业公司制)等。
作为上述胺类抗氧化剂，可列举：三乙胺、三聚氰胺、乙基二氨基均三嗪、2,4-二氨基均三嗪、2,4-二氨基-6-甲苯基均三嗪、2,4-二氨基-6-二甲苯基均三嗪及季铵盐衍生物等。
相对于上述环氧化合物(A)100重量份，上述抗氧化剂的含量优选为0.1重量份以上、更优选为5重量份以上，优选为50重量份以下、更优选为30重量份以下。上述抗氧化剂的含量在上述下限以上及上限以下时，可得到耐热性更为优异的成形体。
作为上述着色剂，没有特殊限定，可列举：酞菁、偶氮化合物、重氮化合物、喹吖酮、蒽醌、黄蒽酮、紫环酮、苝、二嗪、缩合偶氮化合物、甲亚胺化合物、红外吸收材料及紫外线吸收剂等各种有机类色素、以及硫酸铅、铬黄、锌黄、铬朱红、氧化铁红、钴紫、绀青、群青、炭黑、铬绿、氧化铬及钴绿等无机颜料等。
(光半导体装置用白色固化性组合物的其它详情及光半导体装置用成形体)
本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选用于使用模具来获得成形体。本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选用于获得具有框部的成形体。本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选用于获得下述成形体：该成形体在光半导体装置中配置于光半导体元件的侧面，其在内表面所包围的区域内以密封上述光半导体元件的方式填充密封剂而使用。本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选用于获得下述成形体：该成形体具有将从光半导体元件发出的光导出至外部的开口。
本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选为用于获得下述成形体的光半导体装置用白色固化性组合物，所述成形体在光半导体装置中配置于搭载有光半导体元件的引线框上。上述引线框例如为用于支撑并固定光半导体元件、实现光半导体元件的电极与外部配线之间的电连接的部件。上述成形体为光半导体装置用成形体，优选为用以搭载光半导体元件的基板。
由于可获得光反射率高的成形体，因此，本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选为用于获得下述成形体的光半导体装置用白色固化性组合物，所述成形体在半导体装置中配置于搭载有光半导体元件的引线框上且上述光半导体元件的侧面，其具有将由上述光半导体元件发出的光加以反射的光反射部。
由于可获得光反射率高的成形体，因此，本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选为用于获得下述成形体的光半导体装置用白色固化性组合物，所述成形体在半导体装置中配置于搭载有光半导体元件的引线框上、且以包围上述光半导体元件的方式配置，其内表面具有将由上述光半导体元件发出的光加以反射的光反射部。上述成形体优选具有包围上述光半导体元件的框部，优选为包围上述光半导体元件的外壁构件。上述成形体优选为框状构件。需要说明的是，上述成形体优选与在光半导体装置中用以接合(芯片接合)光半导体元件的芯片接合材料不同。上述成形体优选不含上述芯片接合材料。
本发明的光半导体装置用白色固化性组合物优选用于获得下述成形体，所述成形体是在得到由多个成形体连成的分割前成形体之后，对该分割前成形体进行分割而得到的各个成形体。由于使用了本发明的光半导体装置用白色固化性组合物的分割前成形体的加工性高，因此，即使对该分割前成形体进行分割而得到各个成形体，也可以使成形体不易产生裂纹及缺陷。
上述光半导体装置用白色固化性组合物可通过将环氧化合物(A)、固化剂(B)、氧化钛(C)、填充材料(D)、固化促进剂(E)及根据需要而配合的其它成分按照传统公知的方法混合来得到。作为制作上述白色固化性组合物的一般的方法，可列举利用挤出机、捏合机、辊、挤塑机(extruder)等将各成分混炼之后，将混炼物冷却并进行粉碎的方法。从提高分散性的观点出发，各成分的混炼优选在熔融状态下进行。混炼的条件可根据各成分的种类及配合量来适当确定。优选于15～150℃混炼5～100分钟、更优选于15～150℃混炼5～60分钟、进一步优选于5～150℃混炼5～40分钟、特别优选于20～100℃混炼10～30分钟。
本发明的光半导体装置用成形体可通过使上述的光半导体装置用白色固化性组合物固化而得到。上述光半导体装置用白色固化性组合物被成形为给定形状。通过使上述光半导体装置用白色固化性组合物固化而得到的成形体，在光半导体装置中适用于将从光半导体元件发出的光加以反射。
作为使用上述光半导体装置用白色固化性组合物而得到上述光半导体装置用成形体的方法，可列举：压缩成形法、传递成形法、层压成形法、注塑成形法、挤出成形法及吹塑成形法等。其中，优选传递成形法。
传递成形法中，例如，可通过在成形温度100～200℃、成形压力5～20MPa及成形时间60～300秒的条件下对上述光半导体装置用白色固化性组合物进行传递成形来获得成形体。
(光半导体装置的详情及光半导体装置的实施方式)
本发明的光半导体装置具备引线框、搭载于该引线框上的光半导体元件、以及配置于上述引线框上的成形体，该成形体通过使上述光半导体装置用白色固化性组合物固化而得到。
在本发明的光半导体装置中，优选上述成形体配置于上述光半导体元件的侧面、且上述成形体的内表面为将从上述光半导体元件发出的光加以反射的光反射部。
图1(a)及(b)中，以剖面图及立体图示意性地示出了本发明一实施方式的光半导体装置的一例。
本实施方式的光半导体装置1具有：引线框2、光半导体元件3、第1成形体4及第2成形体5。光半导体元件3优选为发光二极管(LED)。第1成形体4与第2成形体5并非一体地形成，而是不同的2个构件。第1成形体4与第2成形体5也可以一体地形成。第1成形体4为框部。第2成形体5为底部。光半导体装置1中，成形体具有框部(第1成形体4)和底部(第2成形体5)。作为第1成形体4的框部为外壁部。作为第1成形体4的框部为环状。
需要说明的是，成形体也可以是不具有底部的成形体。也可以将通过使上述白色固化性组合物固化而得到的具有框部的成形体和其它底构件组合使用。上述成形体可以是仅有框部的框状成形体。上述底构件也可以为成形体。
引线框2上搭载并配置有光半导体元件3。另外，引线框2上配置有第1成形体4(框部)。另外，在多个引线框2之间和引线框2的下方配置有第2成形体5(底部)。需要说明的是，也可以不在引线框的下方配置成形体或底构件，而是使引线框露出。第1成形体4的内侧配置有光半导体元件3。光半导体元件3的侧面配置有第1成形体4，并以包围光半导体元件3的方式配置有第1成形体4。第1、第2成形体4、5(具有框部及底部的成形体)为上述光半导体装置用白色固化性组合物的固化物，可通过使上述光半导体装置用白色固化性组合物固化而得到。因此，第1成形体4具有光反射性，内表面4a具有光反射部。即，第1成形体4的内表面4a为光反射部。因此，光半导体元件3的周围被第1成形体4的具有光反射性的内表面4a所包围。也可以仅第1成形体4为上述光半导体装置用白色固化性组合物的固化物。
第1成形体4(框部)具有将从光半导体元件发出的光导出至外部的开口。第1、第2成形体4、5为白色。第1成形体4的内表面4a以内表面4a的直径越朝向开口端越大的方式形成。因此，在从光半导体元件3发出的光中，到达内表面4a的箭头B所表示的光被内表面4a反射，并向光半导体元件3的前方侧行进。
光半导体元件3利用芯片接合材料6而连接于引线框2上。芯片接合材料6具有导电性。设置于光半导体元件3的接合垫(未图示)和引线框2通过接合线7进行电连接。在第1成形体4的内表面4a所包围的区域内，以密封光半导体元件3及接合线7的方式填充有密封剂8。
在光半导体装置1中，驱动光半导体元件3时，如虚线A所示地发出光。光半导体装置1中，不仅存在从光半导体元件3向与引线框2上表面相反一侧即上方照射的光，还存在到达第1成形体4的内表面4a的光如箭头B所示那样被反射的光。因此，从光半导体装置1导出的光的亮度较亮。
图2示出了图1所示的光半导体装置1的变形例。就图1所示的光半导体装置1和图2所示的光半导体装置21而言，仅芯片接合材料6、22及利用接合线7、23实现的电连接结构不同。光半导体装置1中的芯片接合材料6具有导电性。与此相对，光半导体装置21具有芯片接合材料22，芯片接合材料22不具有导电性。在光半导体装置1中，设置于光半导体元件3的接合垫(未图示)与引线框2(图1(a)中位于右侧的引线框)通过接合线7进行电连接。光半导体装置21中除了接合线7以外，还具有接合线23。光半导体装置21中，设置于光半导体元件3的接合垫(未图示)与引线框2(图2中位于右侧的引线框)通过接合线7进行电连接，并且，设置于光半导体元件3的接合垫(未图示)与引线框2(图2中位于左侧的引线框)通过接合线23进行电连接。
需要说明的是，图1、2所示的结构仅是本发明涉及的光半导体装置的一例，可以对成形体的结构及光半导体元件的安装结构等做出适当变形。
另外，也可以如图3所示地，准备由多个光半导体装置用部件连成的分割前光半导体装置用部件11，并在虚线X所示的部分对分割前光半导体装置用部件11进行切割，从而得到各个光半导体装置用部件。分割前光半导体装置用部件11具有：分割前引线框2A、分割前第1成形体4A、及分割前第2成形体5A。可以在得到各个光半导体装置用部件之后，搭载光半导体元件3并利用密封剂8对该光半导体元件3进行密封，从而得到光半导体装置1。在虚线X所示的部分对分割前引线框2A进行切割时，可得到引线框2。在虚线X所示的部分对分割前第1成形体4A进行切割时，可得到第1成形体4。在虚线X所示的部分对分割前第2成形体5A进行切割时，可得到第2成形体5。
此外，也可以如图4所示地，准备由多个分割前光半导体装置连成的分割前光半导体装置12，并在虚线X所示的部分对分割前光半导体装置12进行切割，从而得到各个光半导体装置。分割前光半导体装置12具有：分割前引线框2A、分割前第1成形体4A、及分割前第2成形体5A。另外，与图1、2所示的光半导体装置1同样，在分割前光半导体装置12中，在分割前引线框2A上搭载并配置有光半导体元件3。需要说明的是，在图3、4中，在分割前光半导体装置用部件及分割前光半导体装置中，多个成形体相连而形成分割前成形体，但也可以将多个成形体未相连的分割前光半导体装置用部件及分割前光半导体装置分割来得到光半导体装置用部件及光半导体装置。
以下，结合本发明的具体实施例及比较例来阐明本发明。本发明并不限定于下述实施例。
实施例及比较例中使用了下述材料。
(环氧化合物(A))
1)YD-013(具有芳香族骨架的双酚A型环氧树脂、环氧当量850、新日铁化学公司制)
2)YD-019(具有芳香族骨架的双酚A型环氧树脂、环氧当量2900、新日铁化学公司制)
3)YDCN704(具有芳香族骨架的甲酚酚醛清漆型环氧树脂、环氧当量210、新日铁化学公司制)
4)EHPE3150(具有脂环族骨架的环氧树脂、环氧当量180、Daicel公司制)
5)CELLOXIDE2021P(3,4-环氧环己烯基甲基-3’,4’-环氧环己烯羧酸酯(环氧当量126、Daicel公司制)
6)EpoleadGT401(多官能脂环族环氧树脂、环氧当量220、Daicel公司制)
(固化剂(B))
1)RIKACIDHH(六氢邻苯二甲酸酐、新日本理化公司制)
2)HF-3M(苯酚酚醛清漆固化剂、明和化成公司制)
3)SI-100(热产酸剂、三新化学公司制)
4)DICY7(双氰胺、三菱化学公司制)
5)2MZ-A(2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪、四国化成公司制)
6)RIKACIDMH-700(六氢邻苯二甲酸酐与甲基六氢邻苯二甲酸酐的混合物、新日本理化公司制)
(氧化钛(C))
1)CR-58(金红石型氧化钛、利用Al进行了表面处理、石原产业公司制)
2)CR-90(金红石型氧化钛、利用Al、Si进行了表面处理、石原产业公司制)
3)CR-90-2(金红石型氧化钛、利用Al、Si进行了表面处理、并进行了有机处理、石原产业公司制)
4)UT771(金红石型氧化钛、利用Al、Zr进行了表面处理、并进行了有机处理、石原产业公司制)
(填充材料(D))
1)MSR-3512(球状二氧化硅、平均粒径30μm、龙森公司制)
2)HSP-2000(球状二氧化硅、平均粒径2μm、东亚合成公司制)
3)A-1(破碎二氧化硅、平均粒径11μm、龙森公司制)
4)5X(破碎二氧化硅、平均粒径1.4μm、龙森公司制)
5)R-900(作为破碎填充材料的微粉有机硅树脂、平均粒径20μm、DowCorningToray公司制)
6)AA(破碎二氧化硅、平均粒径6μm、龙森公司制)
(固化促进剂(E))
1)SA102(DBU-辛酸盐、San-Apro公司制)
2)PX-4ET(o,o-二乙基二硫代磷酸四正丁基、日本化学工业公司制)
(偶联剂(F))
1)S510(3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Chisso公司制)
2)KBM-9103(N-(1,3-二甲基丁叉)-3-三甲氧基甲硅烷基)-1-丙烷胺、信越化学工业公司制)
(实施例1～6,9,11,14～16,20～35、参考例7,8,10,12,13,17～19及比较例1～6)
按照下述表1～3所示的配合量(配合单位为重量份)配合下述表1～3所示的各成分，并利用混合机(LABOPLASTOMILLR-60、东洋精机制作所公司制)混合15分钟，得到了熔融混炼物。熔融混炼物在常温(23℃)下为液态的情况下，将熔融混炼物作为白色固化性组合物使用。熔融混炼物在常温(23℃)下为固体的情况下，在常温下进行粉碎后，制成片剂(tablet)，得到了白色固化性组合物。
(评价)
(1)第1提取法中的pH
将热固化前的所得白色固化性组合物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后，通过过滤除去加热后液体中的不溶成分，得到了第1提取液。对所得第1提取液的pH(第1提取法中的pH)进行了测定。
(2)第2提取法中的pH
将所得白色固化性组合物于170℃加热3分钟后、进一步于170℃加热2小时，得到了纵50mm、横50mm、高1mm的固化物。切割所得固化物、使其达到1g。将该固化物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后，通过过滤除去加热后液体中的不溶成分，得到了第2提取液。对所得第2提取液的pH(第2提取法中的pH)进行了测定。
(3)第3提取法中的pH
将所得白色固化性组合物于170℃加热3分钟后、进一步于170℃加热2小时，得到了纵50mm、横50mm、高1mm的固化物。将所得固化物在121℃、湿度100%及2个大气压的条件下放置了24小时。对放置后的固化物进行切割，使其达到1g。将该放置后的固化物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后，通过过滤除去加热后液体中的不溶成分，得到了第3提取液。对所得第3提取液的pH(第3提取法中的pH)进行了测定。
(4)成形性
通过蚀刻在铜坯料(TAMAC194)上形成电路之后，实施镀银，得到了厚0.2mm的引线框。利用传递成形(成形温度170℃、成形时间3分钟)，通过MAP成形法在上述引线框上制作了具备成形体的光半导体装置搭载用基板。作为模具，使用了具有配置成纵15个×横10个的矩阵状的150个凹部(光半导体元件搭载部)的一次成形用模具。就模腔尺寸而言，使得每个为6mm×3mm、深5mm。对所得光半导体装置搭载用基板进行了肉眼检查，并按照下述标准对成形性进行了判定。
[成形性的判定标准]
○○：外观完全无异常
○：引线框的变形、成形体的变形、成形体的缺陷、成形体中的空隙及成形体的填充不良共计发现了1个部位
×：引线框的变形、成形体的变形、成形体的缺陷、成形体中的空隙及成形体的填充不良共计发现了2个部位以上
(5)加工性
将上述成形性的评价中得到的成形体于170℃进行了2小时后固化。使用切割装置(DISCO公司制“DAD3350”)将由多个成形体连成矩阵状的分割前成形体分割为各个成形体，得到了150个具有1个光半导体元件搭载部的光半导体搭载用基板。
对上述150个光半导体搭载用基板中的成形体的切割面进行观察，并利用下述标准对加工性进行了判定。
[加工性的判定标准]
○○○：在150个光半导体搭载用基板中，成形体产生了裂纹或缺陷的光半导体搭载用基板有3个以下
○○：在150个光半导体搭载用基板中，成形体产生了裂纹或缺陷的光半导体搭载用基板有4个或5个
○：在150个光半导体搭载用基板中，成形体产生了裂纹或缺陷的光半导体搭载用基板有6个以上且10个以下
×：在150个光半导体搭载用基板中，成形体产生了裂纹或缺陷的光半导体搭载用基板有11个以上
(6)引线框与成形体的密合性
对铜坯料(TAMAC194)实施镀银，得到了宽10mm、长50mm及厚0.2mm的引线框。利用传递成形(成形温度170℃、成形时间3分钟)在上述引线框上形成宽8mm、长30mm及厚1mm的成形体，并于170℃进行了2小时后固化。
将在上述引线框上形成的成形体以使成形体侧成为凸侧的方式连同引线框一起弯折。对引起引线框与成形体的剥离或成形体的破坏的弯折角度进行评价，并利用下述标准对引线框与成形体的密合性进行了判定。
[引线框与成形体的密合性的判定标准]
○○：引起引线框与成形体的剥离或成形体的破坏的弯折角度超过20度
○：引起引线框与成形体的剥离或成形体的破坏的弯折角度超过10度且为20度以下
×：引起引线框与成形体的剥离或成形体的破坏的弯折角度为10度以下
结果如下述表1～3所示。在下述表1～3中，含量比(球状填充材料(D1)/破碎填充材料(D2))表示白色固化性组合物中破碎填充材料(D2)的含量相对于球状填充材料(D1)的含量之比。

Claims (10)

1.一种光半导体装置用白色固化性组合物，其是白色的光半导体装置用白色固化性组合物，
其中，该组合物包含环氧化合物、固化剂、氧化钛、与氧化钛不同的填充材料、以及固化促进剂，所述与氧化钛不同的填充材料为二氧化硅，
所述环氧化合物包含具有芳香族骨架的环氧化合物及具有脂环族骨架的环氧化合物中的至少1种，
将热固化前的光半导体装置用白色固化性组合物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后通过过滤除去加热后液体中的不溶成分而得到第1提取液时，该第1提取液的pH为3以上且6以下，
将通过于170℃进行3分钟加热后、进一步于170℃进行2小时加热而发生了固化后的固化物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后通过过滤除去加热后液体中的不溶成分而得到第2提取液时，该第2提取液的pH为6以上且7以下，
将通过于170℃进行3分钟加热后、进一步于170℃进行2小时加热而发生了固化后的固化物在121℃、湿度100%及2个大气压的条件下放置24小时后，将放置后的固化物1g加入到包含丙酮5g和纯水5g的液体10g中，边于80℃进行1小时搅拌边进行加热，然后通过过滤除去加热后液体中的不溶成分而得到第3提取液时，该第3提取液的pH为4以上且6以下，
所述环氧化合物整体的环氧当量为500以上且20000以下，
所述固化剂为酸酐固化剂，
所述环氧化合物整体的环氧当量与所述固化剂整体的固化剂当量的当量比为0.3:1～2:1，
所述填充材料包含球状填充材料与破碎填充材料这两者，所述球状填充材料的含量与所述破碎填充材料的含量的重量比为0.3以上且30以下。
2.根据权利要求1所述的光半导体装置用白色固化性组合物，其中，所述环氧化合物包含具有芳香族骨架的环氧化合物。
3.根据权利要求1或2所述的光半导体装置用白色固化性组合物，其中，所述具有芳香族骨架的环氧化合物的环氧当量为400以上且3000以下。
4.根据权利要求1或2所述的光半导体装置用白色固化性组合物，其中，所述环氧化合物包含具有脂环族骨架的环氧化合物。
5.根据权利要求1或2所述的光半导体装置用白色固化性组合物，其中，所述球状填充材料的含量与所述破碎填充材料的含量的重量比为1以上且15以下。
6.根据权利要求1或2所述的光半导体装置用白色固化性组合物，其是用于获得成形体的白色的光半导体装置用白色固化性组合物，所述成形体是在光半导体装置中，配置于搭载有光半导体元件的引线框上的成形体。
7.根据权利要求1或2所述的光半导体装置用白色固化性组合物，其是用于获得成形体的白色的光半导体装置用白色固化性组合物，所述成形体是在光半导体装置中，配置于搭载有光半导体元件的引线框上的成形体，
所述光半导体装置用白色固化性组合物用于在得到由多个成形体连成的分割前成形体之后，对该分割前成形体进行分割而得到各个成形体。
8.根据权利要求1或2所述的光半导体装置用白色固化性组合物，其是用于获得成形体的光半导体装置用白色固化性组合物，所述成形体在光半导体装置中，配置于搭载有光半导体元件的引线框上、且配置于上述光半导体元件的侧面，且该成形体具有对由所述光半导体元件发出的光进行反射的光反射部。
9.一种光半导体装置用成形体，其是通过使权利要求1～8中任一项所述的光半导体装置用白色固化性组合物固化而得到的。
10.一种光半导体装置，其具备：
引线框、
搭载于所述引线框上的光半导体元件、以及
配置于所述引线框上的成形体，
所述成形体是通过使权利要求1～8中任一项所述的光半导体装置用白色固化性组合物固化而得到的。
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