JP2014077080A - 光半導体装置用白色硬化性組成物、光半導体装置用成形体及び光半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】加工性に優れた成形体を得ることができ、更に光半導体装置から発せられる光度を高くすることができる光半導体装置用白色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得るために用いられ、白色である。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化亜鉛と、酸化チタン及び酸化亜鉛の双方と異なる充填材とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物に関する。また、本発明は、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成形体及び光半導体装置に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠部を有する成形体が配置されている。該枠部を有する成形体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成形体は、リフレクター、ケース材又はハウジングと呼ばれることがある。

上記成形体を形成するための組成物の一例として、エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂と、屈折率が１．６〜３．０の無機酸化物とを含有する硬化性組成物が開示されている。この硬化性組成物では、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、無機酸化物の含有量が７０〜４００重量部である。また、特許文献１の実施例では、上記エポキシ樹脂として、トリグリシジルイソシアヌレートのみが用いられており、上記無機酸化物として、酸化チタン又は酸化亜鉛が用いられている。但し、特許文献１の酸化亜鉛を用いた実施例では、酸化亜鉛以外の無機充填材は用いられていない。

下記の特許文献２には、エポキシ樹脂と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、無機質充填材とを含む硬化性組成物が開示されている。特許文献２の実施例では、上記エポキシ樹脂として、１，３，５−トリスグリシジルイソシアヌル酸のみが用いられており、上記白色顔料として、酸化チタンのみが用いられている。

下記の特許文献３には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と白色顔料とを含む硬化性組成物が開示されている。また、特許文献３では、硬化性組成物を用いたトランスファー成形によって貫通孔が複数形成された光反射層を配線部材上に形成し、上記貫通孔の一方の開口部を上記配線部材で塞いでなる複数の凹部が形成された成形体を得る工程と、光半導体素子を上記凹部内にそれぞれ配置する工程と、上記光反射層の表面を覆うように上記半導体素子が配置された上記凹部に封止樹脂を供給する工程と、上記封止樹脂を介在させることにより、上記光反射層の上記表面から離間させた状態で上記凹部を覆うレンズを配置した後、上記封止樹脂を硬化させる工程と、上記成形体を上記凹部ごとに分割して複数の光半導体装置を得る工程とを備える光半導体装置の製造方法が開示されている。

特開２０１０−２３５７５３号公報 特開２０１１−６０８１９号公報 特開２０１１−９５１９号公報

特許文献１，２に記載のような従来の硬化性組成物をトランスファー成形する場合には、ランナー部分から、トランスファー成形された成形体を含むＬＥＤパッケージを分離する必要がある。

しかしながら、従来の酸化チタンを含む硬化性組成物を用いた成形体は脆いので、上記ＬＥＤパッケージをランナー部分から分離する際に、成形体に曲げ応力が付与されて、成形体がリードフレーム等から剥離したり、成形体にクラック又は欠けが生じたりすることがある。すなわち、成形体に曲げ応力等が加わったときの成形体の加工性が低いという問題がある。

また、特許文献３に記載のような光半導体装置の製造方法では、成形体が複数連なった分割前成形体を、個々の成形体に分割する必要がある。しかしながら、該分割前成形体を個々の成形体に分割する際に、成形体がリードフレーム等から剥離したり、成形体にクラック又は欠けが生じたりすることがある。すなわち、成形体を分割する際の加工性が低いという問題がある。

さらに、従来の硬化性組成物を用いた成形体では、得られる光半導体装置から発せられる光度（光の明るさ）が低くなることがある。

本発明の目的は、加工性に優れた成形体を得ることができ、更に光半導体装置から発せられる光度を高くすることができる光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成形体及び光半導体装置を提供することである。

本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得るために用いられ、かつ白色である光半導体装置用白色硬化性組成物であって、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化亜鉛と、酸化チタン及び酸化亜鉛の双方と異なる充填材とを含む、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。

前記光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれる前記酸化亜鉛が表面処理されていることが好ましい。前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有するエポキシ化合物を含有することが好ましい。前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子ではないエポキシ化合物を含有することが好ましい。前記エポキシ化合物のエポキシ当量が１００以上、３００以下であることが好ましい。前記光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれる前記酸化亜鉛の平均粒径が０．１μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。前記充填材が、球状充填材と破砕充填材とを含むことが好ましい。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後、前記分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために好適に用いられる。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体がリードフレームを介して連なった分割前成形体を得た後、前記リードフレームを切断して前記分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために好適に用いられる。

本発明の広い局面によれば、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成形体が提供される。

本発明の広い局面によれば、リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成形体とを備え、前記成形体が、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置が提供される。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化亜鉛と、酸化チタン及び酸化亜鉛の双方と異なる充填材とを含むので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いて、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得たときに、該成形体の加工性を高めることができる。さらに、得られる光半導体装置から発せられる光度を高くすることができる。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。 図２は、図１に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置用部品の一例を模式的に示す断面図である。 図４は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。 図５は、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体がリードフレームを介して連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置の他の例の模式図である。 図６は、図５に示す分割前成形体の分割部位を説明するための模式図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

（光半導体装置用白色硬化性組成物）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得るために用いられる。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、白色である。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化亜鉛と、酸化チタン及び酸化亜鉛の双方と異なる充填材とを含む。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上記組成を採用することで、上記硬化性組成物を用いて、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得たときに、該成形体の加工性を高めることができる。

本発明では、例えば、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した後、ランナー部分から、成形された成形体を含むＬＥＤパッケージを分離する際に、成形体のリードフレーム等から剥離し難くなり、成形体にクラック及び欠けが生じ難くなる。さらに、成形体が複数連なった分割前成形体を、個々の成形体に分割して、分割後成形体を得る場合に、成形体のリードフレーム等から剥離し難くなり、成形体にクラック及び欠けが生じ難くなる。すなわち、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の使用により、成形体の加工性が高くなり、上記硬化性組成物を用いた成形体を良好にダイシングすることができる。さらに、成形体に曲げ応力が付与されても、成形体のリードフレーム等から剥離し難くなり、成形体にクラック又は欠けが生じ難くなる。すなわち、成形体に曲げ応力等が加わったときの成形体の加工性が高くなる。

さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上記組成を採用することによって、上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体の光の反射率を高めることができる。得られる成形体は、光の反射率が高いので、光半導体素子から発せられる光が成形体に到達したときに光を効果的に反射させる。このため、光半導体装置から取り出される光の明るさを明るくすることができる。

以下、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。

［エポキシ化合物（Ａ）］
上記白色硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、エポキシ化合物（Ａ）を含む。エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物としてエポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成形体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物（Ａ）の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物などが挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。

エポキシ化合物（Ａ）は脂環式骨格を有するエポキシ化合物）（Ａ１）を含有することが好ましい。上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）の使用は、成形体の加工性の向上に大きく寄与する。特に、上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）の使用は、分割前成形体におけるリードフレーム又は成形体の加工性の向上に大きく寄与する。上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）は、芳香族骨格を有さないことが好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ１）としては、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ−（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ジシクロペンタジエンジオキシド、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン、１，２：８，９−ジエポキシリモネン、ε−カプロラクトン修飾テトラ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）ブタンテトラカルボキシレート、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物、水添ビスフェノールＡ型エポキシ化合物及び水添ビスフェノールＦ型エポキシ化合物等が挙げられる。これら以外のエポキシ化合物（Ａ）を用いてもよい。

上記エポキシ化合物（Ａ）の全体１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ１）の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、最も好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の全体が上記エポキシ化合物（Ａ１）であってもよい。上記エポキシ化合物（Ａ１）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）におけるエポキシ基の２つの炭素原子は、脂環式骨格の炭素原子であってもよく、脂環式骨格の炭素原子でなくてもよい。エポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子である場合に、エポキシ基は、脂環エポキシ基と呼ばれる。

上記エポキシ化合物（Ａ）は、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子ではないエポキシ化合物（Ａ１−１）を含有することが好ましい。本発明の効果を効果的に得る観点からは、エポキシ化合物（Ａ１−１）と後述するエポキシ化合物（Ａ１−２）とのうち、エポキシ化合物（Ａ１−１）の方が好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ１−１）は、脂環エポキシ基を有さないエポキシ化合物であることが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ１−１）は、脂環式骨格とは別の部位にエポキシ基を有する。

上記エポキシ化合物（Ａ１−１）の市販品としては、ＥＨＰＥ３１５０（ダイセル社製）、並びにＳＴ−４０００Ｄ（新日鐵化学社製）等が挙げられる。なかでも、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物であるＥＨＰＥ３１５０が好ましい。ＥＨＰＥ３１５０の使用により、上記成形体の耐熱性がより一層高くなる。

上記エポキシ化合物（Ａ）の全体１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ１−１）の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、最も好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の全体が上記エポキシ化合物（Ａ１−１）であってもよい。上記エポキシ化合物（Ａ１−１）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物（Ａ）は、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子であるエポキシ化合物（Ａ１−２）を含有していてもよい。上記エポキシ化合物（Ａ１−２）は、脂環エポキシ基を有するエポキシ化合物である。上記エポキシ化合物（Ａ１−２）は、エポキシシクロヘキシル基を有することが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ１−２）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物（Ａ１−２）の市販品としては、セロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１、セロキサイド３０００、エポリードＧＴ３０１、エポリードＧＴ４０１（以上、ダイセル社製）等が挙げられる。なかでも、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートであるセロキサイド２０２１Ｐが好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ）の全体１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ１−２）の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、最も好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の全体が上記エポキシ化合物（Ａ１−２）であってもよい。上記エポキシ化合物（Ａ１−２）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物（Ａ）は、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子であるエポキシ化合物（Ａ１−２）と、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子ではないエポキシ化合物（Ａ１-１）との双方を含有していてもよい。

上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、好ましくは５０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下である。上記エポキシ化合物（Ａ１）、上記エポキシ化合物（Ａ１−１）及び上記エポキシ化合物（Ａ１−２）のエポキシ当量はそれぞれ、好ましくは５０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）、上記エポキシ化合物（Ａ１）、上記エポキシ化合物（Ａ１−１）及び上記エポキシ化合物（Ａ１−２）のエポキシ当量はそれぞれ、１００以上、３００以下であることが特に好ましい。エポキシ当量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の加工性及び光の反射率を高く維持しつつ、成形体と、該成形体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性がより一層高くなる。

上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記下限以上であると、加熱により硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の耐熱性がより一層高くなる。

［硬化剤（Ｂ）］
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、上記硬化剤（Ｂ）を含む。上記硬化剤（Ｂ）は、上記エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。上記硬化剤（Ｂ）は酸無水物硬化剤である。該酸無水物硬化剤の使用によって、成形体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性が高くなる。また、上記酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成形体の成形むらをより一層抑制できる。上記酸無水物硬化剤として、上記エポキシ化合物（Ａ）の硬化剤として使用される公知の酸無水物硬化剤が使用可能である。上記硬化剤（Ｂ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。

好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。

上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。

上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤）の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下である。

また、上記光半導体装置用白色硬化性組成物中で、上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ）全体のエポキシ当量と上記硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤）の硬化剤当量との当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）は、０．３：１〜２：１であることが好ましく、０．５：１〜１．５：１であることがより好ましい。上記当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）が上記範囲を満足すると、成形体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。

（酸化亜鉛（Ｃ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は上記酸化亜鉛（Ｃ）を含むので、光の反射率が高い成形体を得ることができる。また、上記酸化亜鉛（Ｃ）の使用によって、上記酸化亜鉛（Ｃ）とは異なる充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成形体が得られる。また、上記酸化亜鉛（Ｃ）の使用によって、酸化チタンを用いなくても、光の反射率が高い成形体が得られる。さらに、上記酸化亜鉛（Ｃ）の使用により、酸化チタンを用いた場合と比べて、成形体の加工性を高めることができる。上記酸化亜鉛（Ｃ）の使用は、成形体の加工性の向上に大きく寄与する。さらに、上記酸化亜鉛（Ｃ）と後述する充填材（Ｄ）との併用も、成形体の加工性の向上に大きく寄与する。上記酸化亜鉛（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

加工性及び光の反射率により一層優れた成形体を得る観点からは、上記光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれる上記酸化亜鉛（Ｃ）が表面処理されていることが好ましい。

加工性及び光の反射率に更に一層優れた成形体を得る観点からは、上記光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれる上記酸化亜鉛（Ｃ）が、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることが好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。

上記表面処理の方法は特に限定されない。表面処理の方法として、乾式法、湿式法、インテグラルブレンド法、並びに他の公知慣用の表面処理方法を用いることができる。

上記酸化亜鉛（Ｃ）の平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下である。上記酸化亜鉛（Ｃ）の平均粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の加工性がより一層高くなる。

上記酸化亜鉛（Ｃ）における平均粒径とは、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ １３ ３２０」等が挙げられる。

上記酸化亜鉛（Ｃ）の全体１００重量％中、表面処理された酸化亜鉛の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記酸化亜鉛（Ｃ）の全量が表面処理された酸化亜鉛であってもよい。

上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記酸化亜鉛（Ｃ）の含有量は、好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記酸化亜鉛（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなり、成形体の加工性がより一層高くなり、更に成形体の耐熱性が高くなって、成形体が高温に晒されたときに黄変し難くなる。

（充填材（Ｄ））
上記充填材（Ｄ）は、酸化チタン及び酸化亜鉛の双方と異なる充填材である。上記充填材（Ｄ）は、酸化チタンではなくかつ酸化亜鉛でなければ特に限定されない。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記充填材（Ｄ）は、球状充填材（Ｄ１）を含むことが好ましい。上記充填材（Ｄ）は、破砕充填材（Ｄ２）を含むことが好ましい。成形体の強靭性をより一層高め、成形体の加工性をより一層高める観点からは、上記充填材（Ｄ）は、上記球状充填材（Ｄ１）と上記破砕充填材（Ｄ２）との双方を含むことが好ましい。また、上記球状充填材（Ｄ１）と上記破砕充填材（Ｄ２）との併用により、成形体の加工性がより一層高くなる。

上記球状充填材（Ｄ１）は球状である。球状充填材（Ｄ１）はアスペクト比が２以下である充填材をいう。球状充填材（Ｄ１）は、真球状であってもよく、球を扁平にした楕円球状であってもよく、又はこれらに類似した形状であってもよい。

上記破砕充填材（Ｄ２）は、破砕された充填材である。上記破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は、特に限定されない。上記破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は好ましくは１．５以上、好ましくは２０以下である。アスペクト比が１．５未満である破砕充填材は、比較的高価である。従って、硬化性組成物のコストが高くなる。上記アスペクト比が２０以下であると、上記破砕充填材（Ｄ２）の充填が容易である。

上記破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は、例えば、デジタル画像解析方式粒度分布測定装置（日本ルフト社製「ＦＰＡ」）を用いて、上記破砕充填材（Ｄ２）の破砕面を測定することにより求めることができる。

上記球状充填材（Ｄ１）の好ましい例としては、シリカ、アルミナ、チタン酸カリウム、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウム、硼酸アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム及び硫酸カルシウム等の無機球状充填材、並びに架橋アクリルの樹脂粒子等の有機球状充填材等が挙げられる。上記球状充填材（Ｄ１）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記破砕充填材（Ｄ２）の好ましい例としては、シリカ、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、ホウ酸アルミニウム及び炭化ケイ素等が挙げられる。上記破砕充填材（Ｄ２）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

成形性を高め、かつ熱伝導性及び光反射特性に優れた成形体を得る観点からは、上記破砕充填材（Ｄ２）は、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム又は水酸化マグネシウムであることが好ましい。

上記充填材（Ｄ）の平均粒径、上記球状充填材（Ｄ１）の平均粒径及び上記破砕充填材（Ｄ２）の平均粒径はそれぞれ、好ましくは０．１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。該平均粒径が上記下限以上であると、上記硬化性組成物の成形性がより一層良好になる。該平均粒径が上記上限以下であると、成形体の外観不良がより一層生じ難くなる。

上記充填材（Ｄ）における平均粒径、上記球状充填材（Ｄ１）における平均粒径及び上記破砕充填材（Ｄ２）における平均粒径とは、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ １３ ３２０」等が挙げられる。

上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記充填材（Ｄ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。上記充填材（Ｄ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなる。

上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記酸化亜鉛（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９３重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下である。上記酸化亜鉛（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成形性及び成形体の光の反射率がより一層高くなる。

上記球状充填材（Ｄ１）と上記破砕充填材（Ｄ２）とを併用する場合には、上記光半導体装置用白色硬化性組成物では、上記球状充填材（Ｄ１）の含有量の上記破砕充填材（Ｄ２）の含有量に対する重量比（球状充填材（Ｄ１）／破砕充填材（Ｄ２））が、０．３以上、３０以下であることが好ましく、１以上、１５以下であることがより好ましい。上記球状充填材（Ｄ１）の含有量及び上記破砕充填材（Ｄ２）の含有量は、上記硬化性組成物１００重量％中での含有量を示す。すなわち、上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記球状充填材（Ｄ１）と上記破砕充填材（Ｄ２）とを重量比（球状充填材（Ｄ１）：破砕充填材（Ｄ２））で、１：３０〜３０：１で含むことが好ましく、１：１５〜１５：１で含むことがより好ましい。上記球状充填材（Ｄ１）の含有量が相対的に多くなると、成形体が脆くなり難く、成形体の加工性がより一層高くなって、成形体がリードフレーム等からより一層剥離し難くなり、成形体にクラック及び欠けがより一層生じ難くなる。上記破砕充填材（Ｄ２）の含有量が相対的に多くなると、成形体の強度がより一層高くなる。

（硬化促進剤（Ｅ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、硬化促進剤（Ｅ）を含まないか又は含む。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との反応を促進するために、硬化促進剤（Ｅ）を含むことが好ましい。硬化促進剤（Ｅ）の使用により、硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成形体の耐熱性を高めることができる。硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化促進剤（Ｅ）は、塩基性を有する硬化促進剤を含有することが好ましい。塩基性を有する硬化促進剤の使用により、硬化性組成物の硬化性がより一層良好になる。

なお、上記硬化剤が塩基性を有するか否かは、硬化剤１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが塩基性であることにより判断される。

上記硬化促進剤（Ｅ）としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。

上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。

上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。

上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。

上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。

上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。

上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。

上記硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成形体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。

上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記塩基性を有する硬化促進剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。塩基性を有する硬化促進剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の硬化性がより一層高くなり、成形体の成形むらがより一層生じ難くなる。

（他の成分）
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、必要に応じて、カップリング剤、酸化防止剤、離型剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。

上記カップリング剤としては特に限定されず、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。

上記酸化防止剤としては特に限定されず、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。

上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外吸収材及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。

（光半導体装置用白色硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成形体）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得るために用いられる。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、金型を用いて成形体を得るために用いられることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置され、枠部を有し、かつ該枠部の内面で囲まれた領域内に上記光半導体素子を封止するように封止剤が充填されて用いられる成形体を得るために用いられることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体素子から発せられた光が外部に取り出される開口を有する成形体を得るために用いられることが好ましい。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成形体は、光半導体装置用成形体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。

光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。

光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、上記光半導体素子を取り囲む枠部を有することが好ましく、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましい。上記成形体は、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成形体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合（ダイボンディング）するためのダイボンド材とは異なることが好ましい。上記成形体は、上記ダイボンド材を含まないことが好ましい。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体がリードフレームを介して連なった分割前成形体を得た後に、上記リードフレームを切断して上記分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた分割前成形体の加工性は高いので、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得ても、成形体がダイシング並びに成形体に加わる曲げ効力の影響による剥離、クラック及び欠けを生じ難くすることができる。

上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）と酸化亜鉛（Ｃ）と充填材（Ｄ）と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記硬化性組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。１５〜１５０℃で５〜１００分間混練することが好ましく、１５〜１５０℃で５〜６０分間混練することがより好ましく、５〜１５０℃で５〜４０分間混練することが更に好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することが特に好ましい。

本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は所定の形状に成形される。上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。

上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成形体を得る方法としては、圧縮成形法、トランスファー成形法、積層成形法、射出成形法、押出成形法及びブロー成形法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成形法が好ましい。

トランスファー成形法では、例えば、成形温度１００〜２００℃、成形圧力５〜２０ＭＰａ及び成形時間６０〜３００秒の条件で、上記光半導体装置用白色硬化性組成物をトランスファー成形することにより、成形体が得られる。

（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置されており、かつ上記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成形体とを備える。上記光半導体装置における上記成形体が、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。

本発明に係る光半導体装置では、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。

図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の一例を模式的に断面図及び斜視図で示す。

本実施形態の光半導体装置１は、リードフレーム２と光半導体素子３と第１の成形体４と第２の成形体５とを有する。光半導体素子３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されていてもよい。第１の成形体４は、枠部である。第２の成形体５は、底部である。光半導体装置１では、成形体は、枠部（第１の成形体４）と、底部（第２の成形体５）とを有する。第１の成形体４である枠部は、外壁部である。第１の成形体４である枠部は、環状である。

なお、成形体は、底部を有さない成形体であってもよい。上記白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる枠部を有する成形体と、他の底部材とを組み合わせて用いてもよい。上記成形体は、枠部のみの枠状の成形体であってもよい。上記底部材は、成形体であってもよい。

リードフレーム２上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム２上に、第１の成形体４（枠部）が配置されている。また、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とには、第２の成形体５（底部）が配置されている。なお、リードフレームの下方に、成形体又は底部材が配置されておらず、リードフレームが露出していてもよい。第１の成形体４の内側に光半導体素子３が配置されている。光半導体素子３の側方に第１の成形体４が配置されており、光半導体素子３を取り囲むように第１の成形体４が配置されている。第１，第２の成形体４，５（枠部及び底部を有する成形体）は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化物であり、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第１の成形体４は、光反射性を有し、内面４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成形体４の内面４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３の周囲は、第１の成形体４の光反射性を有する内面４ａにより囲まれている。第１の成形体４のみが、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化物であってもよい。

第１の成形体４（枠部）は、光半導体素子から発せられた光が外部に取り出される開口を有する。第１，第２の成形体４，５は、白色である。第１の成形体４の内面４ａは、内面４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面４ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。

光半導体素子３は、リードフレーム２上に、ダイボンド材６を用いて接続されている。ダイボンド材６は、導電性を有する。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー７を封止するように、第１の成形体４の内面４ａで囲まれた領域内には、封止剤８が充填されている。

光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置１では、光半導体素子３からリードフレーム２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成形体４の内面４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置１から取り出される光の明るさは明るい。

図２に、図１に示す光半導体装置１の変形例を示す。図１に示す光半導体装置１と図２に示す光半導体装置２１とでは、ダイボンド材６，２２及びボンディングワイヤー７，２３による電気的な接続構造のみが異なる。光半導体装置１におけるダイボンド材６は導電性を有する。これに対し、光半導体装置２１はダイボンド材２２を有し、ダイボンド材２２は導電性を有さない。光半導体装置１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図１（ａ）において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体装置２１は、ボンディングワイヤー７に加えて、ボンディングワイヤー１３を有する。光半導体装置２１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されており、更に、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において左側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー２３により電気的に接続されている。

なお、図１，２に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成形体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。

また、図３に示すように、複数の光半導体装置用部品が連なった分割前光半導体装置用部品１１を用意して、分割前光半導体装置用部品１１を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置用部品を得てもよい。分割前光半導体装置用部品１１は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。個々の光半導体装置用部品得た後、光半導体素子３を搭載し、該光半導体素子３を封止剤８により封止して、光半導体装置１を得てもよい。分割前リードフレーム２Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、リードフレーム２が得られる。分割前第１の成形体４Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第１の成形体４が得られる。分割前第２の成形体５Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第２の成形体５が得られる。

さらに、図４に示すように、複数の分割前光半導体装置が連なった分割前光半導体装置１２を用意して、分割前光半導体装置１２を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置を得てもよい。分割前光半導体装置１２は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。また、図１，２に示す光半導体装置１と同様に、分割前光半導体装置１２では、分割前リードフレーム２Ａ上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。なお、図３，４では、分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置では、複数の成形体が連なって分割前成形体が形成されているが、複数の成形体が連なっていない分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置を分割して、光半導体装置用部品及び光半導体装置を得てもよい。

さらに、図５，６に示すように、複数の成形体がリードフレーム３２を介して連なった分割前成形体３１を用意して、リードフレーム３２を切断して分割前成形体３１を分割して個々の成形体を得てもよい。この分割前成形体３１は、図６に矢印Ｙを付して示す実線部分で、リードフレーム３２が切断される。

以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。

実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。

（エポキシ化合物（Ａ））
１）ＥＨＰＥ３１５０（脂環式骨格を有するエポキシ樹脂、エポキシ当量１７７、ダイセル社製）
２）セロキサイド２０２１Ｐ（３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（エポキシ当量１２６、ダイセル社製）

（他のエポキシ化合物）
１）ＴＥＰＩＣ（トリグリシジルイソシアヌレート、エポキシ当量１００）
２）ＹＤ−１２７（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１９０、新日鐵化学社製）

（硬化剤（Ｂ））
１）リカシッドＨＨ（ヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）
２）リカシッドＴＨ（テトラヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）

（酸化亜鉛（Ｃ））
１）酸化亜鉛Ｉ種（平均粒径１μｍ、堺化学社製）
２）表面処理酸化亜鉛１（下記にて調製、平均粒径１μｍ）
酸化亜鉛Ｉ種（平均粒径１μｍ、堺化学社製）９５ｇに、ハイドロゲンジメチコン（信越化学工業社製「ＫＦ−９９０１」）５ｇを添加し、２５℃にてヘンシェルミキサーで１０００ｒｐｍの攪拌速度で３０分混合した。その後、温度を１００℃に上昇させると共に攪拌速度を２０００ｒｐｍに上げて１時間攪拌し、シリコーンで被覆された酸化亜鉛を得た。
３）表面処理酸化亜鉛２（下記にて調製、平均粒径１μｍ）
酸化亜鉛Ｉ種（平均粒径１μｍ、堺化学社製）１００ｇに、グリシジル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＦ−９９０１」）１ｇを添加し、２５℃にてヘンシェルミキサーで１０００ｒｐｍの攪拌速度で３０分混合した。その後、温度を１００℃に上昇させると共に攪拌速度を２０００ｒｐｍに上げて１時間攪拌し、シリコーンで被覆された酸化亜鉛を得た。

（酸化チタン）
１）ＣＲ−５８（ルチル型酸化チタン、Ａｌにより表面処理されている、石原産業社製）

（球状充填材（Ｄ１））
１）ＭＳＲ−３５１２（球状シリカ、平均粒径３０μｍ、龍森社製）
２）ＤＡＭ−４５（球状アルミナ、平均粒径４０μｍ、デンカ社製）

（破砕充填材（Ｄ２））
１）ＡＡ（破砕シリカ、平均粒径６μｍ、龍森社製）
２）Ｂ−５５（破砕充填材である硫酸バリウム、平均粒径１．２μｍ、堺化学工業社製）

（他の充填材（Ｄ））
１）ＡＭ−２７（白色顔料、アルミナ、住友化学社製、平均粒径１μｍ）
２）ＵＥＰ（白色顔料、酸化ジルコニウム、第一稀元素化学社製、平均粒径０．５μｍ）

（硬化促進剤（Ｅ））
１）ＳＡ１０２（ＤＢＵ−オクチル酸塩、塩基性を有する、サンアプロ社製）
２）ＰＸ−４ＥＴ（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオネート、塩基性を有する、日本化学工業社製）

（実施例１〜１２及び比較例１〜３）
下記表１に示す各成分を下記表１に示す配合量で配合（配合単位は重量部）し、混合機（東洋精機製作所製「ラボプラストミルＲ−６０」）にて１５分間混合し、混練物を得た。得られた混練物を粉砕して、タブレット化して、硬化性組成物を得た。

（評価）
（１）加工性の評価１
銅素材（ＴＡＭＡＣ １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀めっきを施し、厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成形装置（ＴＯＷＡ社製「ＹＰＳ−ＭＰ」）を用いて、トランスファー成形（成形温度１７０℃、成形時間３分）で上記リードフレーム上に、上記硬化性組成物を硬化させることにより得られた成形体を作製し、成形体を備えた光半導体装置搭載用基板を作製した。金型としては、縦１５個×横１０個のマトリックス状に配置された１５０個の凹部（光半導体素子搭載部）を有する一括成形用金型を用いた。キャビティサイズは、１個当たり６ｍｍ×３ｍｍ、深さ２ｍｍとした。得られた成形体を１７０℃で２時間アフターキュアした。アフターキュア後の成形体において、ＡＸ−９３０（リックス社製）を用いてバリを除去した。

次に、アフターキュア後の成形体上に、ＩｎＧａＮを発光層とするサファイヤ基板の青色発光の発光素子を、シリコーン樹脂接着剤を用いて載せた。発光素子とリードフレームとを直径３０μｍの金線ワイヤーを用いて電気的に接続した。発光素子が底面に載せられた成形体の凹部にそれぞれ封止剤を滴下した。封止剤は、シリコーン樹脂１００重量部とＹＡＧ蛍光体３０重量部とを含む。滴下後に、１５０℃で３時間封止剤を硬化させた。複数の成形体がマトリックス状に連なった分割前成形体を、ダイシング装置（ディスコ社製「ＤＡＤ３３５０」）を用いて、個々の成形体に分割し、光半導体素子搭載部を１つ有する光半導体搭載用基板を１５０個得た。

上記１５０個の光半導体搭載用基板における成形体のダイシング面を観察し、加工性を下記の基準で判定した。

［加工性の判定基準１］
○○：成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、１５０個中３個以下
○：成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、１５０個中４個以上、１０個以下
×：成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、１５０個中１１個以上

（２）加工性の評価２
銅素材（ＴＡＭＡＣ １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀めっきを施し、厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成形装置（ＴＯＷＡ社製「ＹＰＳ−ＭＰ」）を用いて、トランスファー成形（成形温度１７０℃、成形時間３分）で上記リードフレーム上に、上記硬化性組成物を硬化させることにより得られた成形体を作製し、成形体を備えた光半導体装置搭載用基板を作製した。金型としては、縦１０個×横８個に互いに成形体が独立した、８０個の凹部（光半導体素子搭載部）を有する金型を用いた。キャビティサイズは、１個当たり５ｍｍ×５ｍｍ、深さ２ｍｍとした。得られた成形体を１７０℃で２時間アフターキュアした。アフターキュア後の成形体において、ＡＸ−９３０（リックス社製）を用いてバリを除去した。このようにして、図５，６に示す複数の成形体がリードフレームを介して連なった分割前成形体を得た。

得られた分割前成形体のリードフレームを打ち抜き加工することにより、分割前成形体を分割して、８０の成形体を得た。成形体とリードフレームとの剥離を観察し、加工性を以下の基準で判定した。

［加工性の判定基準２］
○○：成形体とリードフレームの剥離が発生した個数が、８０個中２個以下
○：成形体とリードフレームの剥離が発生した個数が、８０個中３個以上、５個以下
×：成形体とリードフレームの剥離が発生した個数が、８０個中６個以上

（３）光度の評価
上記加工性の評価１で得られた光半導体装置の光度（通電試験前の光度）を、ＯＬ７７０（オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて測定した。その後、温度８５℃及び湿度８５％の条件で、電流１００ｍＡで１０００時間通電した後に、光半導体装置の光度（通電試験後の光度）を測定した。得られた光度の値から、下記の光度保持率を求めた。

光度保持率（％）＝（通電試験後の光度）／（通電試験前の光度）×１００

結果を下記の表１に示す。

１…光半導体装置
２…リードフレーム
２Ａ…分割前リードフレーム
３…光半導体素子
４…第１の成形体
４Ａ…分割前第１の成形体
４ａ…内面
５…第２の成形体
５Ａ…分割前第２の成形体
６…ダイボンド材
７…ボンディングワイヤー
８…封止剤
１１…分割前光半導体装置用部品
１２…分割前光半導体装置
２１…光半導体装置
２２…ダイボンド材
２３…ボンディングワイヤー
３１…分割前成形体
３２…リードフレーム

Claims (11)

1. 光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得るために用いられ、かつ白色である光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
   エポキシ化合物と、
   酸無水物硬化剤と、
   酸化亜鉛と、
   酸化チタン及び酸化亜鉛の双方と異なる充填材とを含む、光半導体装置用白色硬化性組成物。
2. 光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれる前記酸化亜鉛が表面処理されている、請求項１に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
3. 前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有するエポキシ化合物を含有する、請求項１又は２に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
4. 前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子ではないエポキシ化合物を含有する、請求項３に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
5. 前記エポキシ化合物のエポキシ当量が１００以上、３００以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
6. 光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれる前記酸化亜鉛の平均粒径が０．１μｍ以上、１０μｍ以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
7. 前記充填材が、球状充填材と破砕充填材とを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
8. 複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後、前記分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
9. 複数の成形体がリードフレームを介して連なった分割前成形体を得た後、前記リードフレームを切断して前記分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成形体。
11. リードフレームと、
    前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、
    前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成形体とを備え、
    前記成形体が、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置。

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